JP2807515B2 - エッチング方法 - Google Patents

エッチング方法

Info

Publication number
JP2807515B2
JP2807515B2 JP1337265A JP33726589A JP2807515B2 JP 2807515 B2 JP2807515 B2 JP 2807515B2 JP 1337265 A JP1337265 A JP 1337265A JP 33726589 A JP33726589 A JP 33726589A JP 2807515 B2 JP2807515 B2 JP 2807515B2
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
etching
specific gravity
hydrochloric acid
oxidation
replenisher
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Expired - Fee Related
Application number
JP1337265A
Other languages
English (en)
Other versions
JPH03197335A (ja
Inventor
忠雄 高畑
義次 石塚
明彦 竹田
英一 岡野
吉勝 久保田
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Adeka Corp
Original Assignee
Asahi Denka Kogyo KK
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Asahi Denka Kogyo KK filed Critical Asahi Denka Kogyo KK
Priority to JP1337265A priority Critical patent/JP2807515B2/ja
Publication of JPH03197335A publication Critical patent/JPH03197335A/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP2807515B2 publication Critical patent/JP2807515B2/ja
Anticipated expiration legal-status Critical
Expired - Fee Related legal-status Critical Current

Links

Landscapes

  • Surface Treatment Of Glass (AREA)
  • ing And Chemical Polishing (AREA)

Description

【発明の詳細な説明】 〔産業上の利用分野〕 本発明は改良された透明導電性酸化物のエッチング加
工法に関するものである。
〔従来の技術及び発明が解決しようとする課題〕
透明導電性酸化物の薄膜は液晶ディスプレイなどの表
示素子、タッチパネルなどの入力装置の透明電極として
使用されている。
上記、透明導電性酸化物としては、酸化錫、酸化イン
ジュウム、酸化錫−酸化インジュウムが使用されてい
る。
これらの透明導電性酸化物のエッチング液としては、
通常、塩化第二鉄と塩酸の混合物の水溶液が用いられて
いるが、これまではエッチング液の制御装置がなく、時
間経過に従い、塩酸及び水の蒸散、あるいは空気酸化に
よるエッチング液の酸化還元電位の上昇などが起こり、
液組成が常に変化していた。
この結果エッチング液の性能が変わり製品の仕上がり
に影響を与え、不良率の増大、信頼性の低下をもたらし
ている。
近年、表示素子や入力素子は大型化するとともに、高
密度化、微細化が行われており、上記の傾向はより顕著
に顕れ、精度の高いエッチング加工技術が求められてい
る。
従って、本発明の目的は、エッチング製品の不良率の
増大、信頼性の低下を防止し、精度の高いエッチング加
工を可能にするエッチング方法を提供することにある。
〔課題を解決するための手段〕
本発明者らは上記課題を解決すべく、鋭意研究の結
果、本発明を完成するに到った。
即ち、本発明は、基材表面上の酸化錫、酸化インジュ
ウム、酸化錫−酸化インジュウムのうち少なくとも一つ
を塩化第二鉄、塩酸混合液でエッチングするにあたり、
エッチング液の酸化還元電位、比重、塩酸濃度のうち少
なくとも酸化還元電位及び比重を測定し、この測定結果
に基づきエッチング液に塩酸、塩化第一鉄、水、場合に
よっては更に塩化第二鉄を供給し、エッチング液の組成
を一定に保つことを特徴とする、信頼性の高い、煩雑な
液交換作業をなくすことのできるエッチング方法に係わ
るものである。
本発明においてエッチング液の組成測定項目は、酸化
還元電位、比重、塩酸濃度のうちの少なくとも酸化還元
電位及び比重であり、好ましくは三つとも測定すること
が良い。
三つとも測定する場合においては測定された比重、塩
酸濃度、酸化還元電位に基づいてそれぞれ比重調整用補
給液、塩酸濃度調整用補給液、酸化還元電位調整用補給
液を、これら比重、塩酸濃度、酸化還元電位が一定とな
るように供給すればよい。
比重、塩酸濃度、酸化還元電位のうちの二つ又は一つ
を測定する場合は、残りの測定しない一つ又は二つの測
定項目と、測定する二つ又は一つの測定項目との関係を
予め明らかにした後、この関係に基づいて二つ又は一つ
の測定項目に対応した補給液に、測定しない一つ又は二
つの項目に対応した補給液を混合しておけば良い。
上記、測定結果に基づき送入される補給液は塩酸、塩
化第一鉄の水溶液および水の単独あるいは混合物であ
り、これらは上記のように目的に応じて適宜混合すれば
よく、三つとも測定する場合においても必ずしも単独で
送入する必要はない。
ここで送入される補給液には、場合によっては塩化第
二鉄をさらに含有することができるが、塩化第二鉄は
錫、インジュウムイオンの増加を防ぐためのものであり
必要としない場合もある。
本発明においてはエッチング液組成を一定に保つ為
に、直接的には比重、塩酸濃度、酸化還元電位を一定と
するべく補給液を制御するわけであるが、比重、塩酸濃
度、酸化還元電位の値は、エッチング液組成により任意
に決まるものであるから、比重、塩酸濃度、酸化還元電
位の値は使用するエッチング液組成に応じて適宜決定す
れば良い。
〔実施例〕
以下に実施例を挙げ本発明をさらに具体的に説明する
が、本発明はこれらに限定されるものではない。
実施例−1 第1図に示される装置を使用して以下の条件で透明導
電性酸化物のエッチングを行った。
第1図において、1はエッチング液の送液ポンプ、2
は比重調整用補給液の送液ポンプ、3は酸化還元電位調
整用補給液の送液ポンプ、12は比重検出部、13は酸化還
元電位検出部、22は比重調整用補給液貯槽、23は酸化還
元電位調整用補給液貯槽、1′はエッチング液送り管、
1″はエッチング液戻り管、2′は比重調整用補給液送
り管、3′は酸化還元電位調整用補給液送り管、5′は
オーバーフロー用排出管、12′,13′は制御信号配線で
ある。
エッチング機としてはスプレー式(エッチング有効距
離2m、エッチング循環液量300)を使用し、これにエ
ッチング液のコントロールの為の比重検出器(富士電機
製)と酸化還元電位検出器(英国、フォックス社製)を
接続させた。
スクリーン法でエッチングレジストをパターニングし
た透明導電性酸化物(ガラス板、インジュウム錫酸化物
膜厚さ500Å、320mm×400mm)をエッチング液温度45
℃、スプレー圧力1.5kg/cm2、コンベア速度2.0m/分でエ
ッチングした。
エッチング液は40゜Be塩化第二鉄:34%塩酸=2重量
部:1重量部の混合物を使用した。補給液は、比重調整用
補給液として塩酸を18%及び塩化第二鉄を10%含有する
混合水溶液を使用し、酸化還元電位調整用補給液として
塩酸を18%及び塩化第一鉄を0.8%含有する混合水溶液
を使用した。
制御部の設定値は比重1.34、酸化還元電位620とし
た。
上記、被エッチング板4230枚処理したところ、比重1.
34、酸化還元電位625となったのでコントロール装置を
稼働させた。
その後同条件でエッチングを続け、45000枚の処理を
行ったが、エッチングに起因する不良品は発生しなかっ
た。この間に使用した補給液の使用量は比重調整用補給
液480kg、酸化還元電位調整用補給液75kgであった。
なお、処理枚数毎のエッチング液分析結果は表1のよ
うになり、ほぼ同じ組成を保っていることがわかる。
実施例−2 第2図に示される装置を使用して以下の条件で透明導
電性酸化物のエッチングを行った。
第2図において、1はエッチング液の送液ポンプ、2
は比重調整用補給液の送液ポンプ、3は酸化還元電位調
整用補給液の送液ポンプ、4は塩酸濃度調整用補給液の
送液ポンプ、12は比重検出部、13は酸化還元電位検出
部、14は塩酸濃度検出部、22は比重調整用補給液貯槽、
23は酸化還元電位調整用補給液貯槽、24は塩酸濃度調整
用補給液貯槽、1′はエッチング液送り管、1″はエッ
チング液戻り管、2′は比重調整用補給液送り管、3′
は酸化還元電位調整用補給液送り管、4′は塩酸濃度調
整用補給液送り管、5′はオーバーフロー用排出管、1
2′,13′,14′は制御信号配線である。
エッチング機としてはスプレー式(エッチング有効距
離2m、エッチング循環液量300)を使用し、これにエ
ッチング液のコントロールの為の浮子式比重検出器、酸
化還元電位検出器及び塩酸濃度検出器を接続させた。
実施例−1と同様な透明導電性酸化物をエッチング液
温度40℃、スプレー圧力1.5kg/cm2、コンベア速度2.2m/
分でエッチングした。
エッチング液は40゜Be塩化第二鉄:34%塩酸=1重量
部:1重量部の混合物を使用した。補給液は、比重調整用
補給液として水を使用し、酸化還元電位調整用補給液と
して塩酸を20%及び塩化第一鉄を0.8%含有する混合水
溶液を使用し、塩酸濃度調整用補給液として20%塩酸水
溶液を使用した。
制御部の設定値は比重1.31、酸化還元電位615、塩酸
濃度13%とした。
エッチングの経緯は実施例−1と同様となり、被エッ
チング板80000枚処理したがエッチング不足による不良
品の発生はなかった。
比較例−1 実施例−1と同様の処理をコントロール装置を稼働さ
せずに行った。
結果は9200枚処理したところでエッチング不足による
不良品が発生した。
この時のエッチング液の組成分析結果は表2のとおり
であった。
比較例−2 第1図に示される装置を使用し、比重と塩化第二鉄濃
度を制御した他は、実施例1と同様にしてエッチングを
行った。なお、塩化第二鉄濃度の制御は、適宜エッチン
グ液を抜き取って濃度を測定し、必要に応じて塩化第二
鉄溶液を補給することにより行った。
6000枚のエッチングを行った場合のエッチング液の組
成分析結果は、表3のとおりであった。エッチング枚数
の増加とともに酸化還元電位が上昇し、次第にエッチン
グが不良となって、5000枚目辺りから回路断面形状が悪
化し、製品としては不適となった。
〔発明の効果〕 本発明の効果は、エッチング液の組成が一定に保た
れ、エッチング性能が常に一定となり、透明導電性酸化
物のエッチング製品の不良率、信頼性低下を防止し、精
度が高く、且つ、エッチング液の交換作業がなくなるた
め、省力化、廃液量の低減化を可能にするエッチング方
法を提供したことにある。
【図面の簡単な説明】
第1図は本発明方法を実施するための装置の一例を示す
図である。第2図は本発明方法を実施するための装置の
他の一例を示す図である。 1……エッチング液の送液ポンプ 2……比重調整用補給液の送液ポンプ 3……酸化還元電位調整用補給液の送液ポンプ 4……塩酸濃度調整用補給液の送液ポンプ 12……比重検出部 13……酸化還元電位検出部 14……塩酸濃度検出部 22……比重調整用補給液貯槽 23……酸化還元電位調整用補給液貯槽 24……塩酸濃度調整用補給液貯槽 1′……エッチング液送り管 1″……エッチング液戻り管 2′……比重調整用補給液送り管 3′……酸化還元電位調整用補給液送り管 4′……塩酸濃度調整用補給液送り管 5′……オーバーフロー用排出管 12′,13′,14′……制御信号配線
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 岡野 英一 東京都荒川区東尾久7丁目2番35号 旭 電化工業株式会社内 (72)発明者 久保田 吉勝 東京都荒川区東尾久7丁目2番35号 旭 電化工業株式会社内 (56)参考文献 特開 平1−189631(JP,A) 特開 昭62−55896(JP,A) 特開 昭62−177188(JP,A) 特開 昭62−174390(JP,A) 実開 昭57−106764(JP,U) (58)調査した分野(Int.Cl.6,DB名) C03C 15/00 - 23/00

Claims (1)

    (57)【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】基材表面上の酸化錫、酸化インジュウム、
    酸化錫−酸化インジュウムのうち少なくとも一つを塩化
    第二鉄、塩酸混合液でエッチングするにあたり、エッチ
    ング液の酸化還元電位、比重、塩酸濃度のうち少なくと
    も酸化還元電位及び比重を測定し、この測定結果に基づ
    きエッチング液に塩酸、塩化第一鉄、水を供給し、エッ
    チング液の組成を一定に保つことを特徴とするエッチン
    グ方法。
JP1337265A 1989-12-25 1989-12-25 エッチング方法 Expired - Fee Related JP2807515B2 (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1337265A JP2807515B2 (ja) 1989-12-25 1989-12-25 エッチング方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP1337265A JP2807515B2 (ja) 1989-12-25 1989-12-25 エッチング方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
JPH03197335A JPH03197335A (ja) 1991-08-28
JP2807515B2 true JP2807515B2 (ja) 1998-10-08

Family

ID=18306993

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP1337265A Expired - Fee Related JP2807515B2 (ja) 1989-12-25 1989-12-25 エッチング方法

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JP2807515B2 (ja)

Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3431931B2 (ja) * 1992-07-16 2003-07-28 旭電化工業株式会社 銅及び銅合金の表面処理方法
US6153535A (en) * 1996-10-23 2000-11-28 Asahi Glass Company Ltd. Method for removing a thin film for a window glass
JP5018581B2 (ja) * 2008-03-21 2012-09-05 東亞合成株式会社 エッチング液を用いた透明導電膜のエッチング方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS57106764U (ja) * 1980-12-22 1982-07-01
JPS6255896A (ja) * 1985-09-04 1987-03-11 松下電器産業株式会社 透明導電膜のパタ−ン形成方法
JPS62174390A (ja) * 1986-01-28 1987-07-31 Canon Inc 基板エツチング装置
JPS62177188A (ja) * 1986-01-31 1987-08-04 Canon Inc 基板エツチング装置
JPH01189631A (ja) * 1988-01-26 1989-07-28 Seiko Epson Corp 液晶パネル電極の製造方法

Also Published As

Publication number Publication date
JPH03197335A (ja) 1991-08-28

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP3869730B2 (ja) 処理液調製供給方法及び装置
TW201331417A (zh) 蝕刻液組成物及蝕刻方法
JP2003526780A5 (ja)
KR20090029441A (ko) Tft-lcd용 금속 배선 형성을 위한 식각액 조성물
KR20090059961A (ko) 박막트랜지스터-액정표시장치용 금속 배선 형성을 위한식각액 조성물
KR20160010328A (ko) 에칭액 관리장치, 용해 금속농도 측정장치 및 용해 금속농도 측정방법
KR20040034464A (ko) 에칭액 관리 방법 및 에칭액 관리 장치
JP2807515B2 (ja) エッチング方法
CN113106454A (zh) 蚀刻液和铜/钼金属线的蚀刻方法
KR20090082772A (ko) 산화 인듐 주석막 식각용 식각액 조성물 및 이를 이용한산화 인듐 주석막 식각 방법
KR100313632B1 (ko) 에칭장치및에칭방법및그방법에의해작성된배선기판
JPH11117080A (ja) 金属酸化物薄膜のエッチング方法
JPH10110281A (ja) 金属酸化物薄膜のエッチング方法
CN115305161B (zh) 一种电解铜箔阳极板清洗剂及其制备方法
JP3406079B2 (ja) 酸化物エッチング製品の製造方法
CN101550341A (zh) Ito导电膜图形蚀刻的蚀刻液组合物
KR20160038236A (ko) 은 나노 와이어의 식각액 조성물
CN116651832A (zh) 一种晶片稳定清洗控制方法
JP3659597B2 (ja) 酸化錫膜のエッチング方法及び装置
JP3456804B2 (ja) 酸化物エッチング製品の製造方法および装置
JP2009019877A (ja) エッチング液成分の濃度測定装置および濃度測定方法
JP2002100555A (ja) レジスト剥離装置およびそれを用いたデバイスの製造方法
JP2780092B2 (ja) エツチング液の能力維持管理法
TWI682067B (zh) 蝕刻液管理裝置、蝕刻液管理方法、及蝕刻液之成分濃度測定方法
JP3599262B2 (ja) 銀薄膜のエッチング方法

Legal Events

Date Code Title Description
S533 Written request for registration of change of name

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313533

R350 Written notification of registration of transfer

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350

LAPS Cancellation because of no payment of annual fees