JPH01189631A - 液晶パネル電極の製造方法 - Google Patents
液晶パネル電極の製造方法Info
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- JPH01189631A JPH01189631A JP1483988A JP1483988A JPH01189631A JP H01189631 A JPH01189631 A JP H01189631A JP 1483988 A JP1483988 A JP 1483988A JP 1483988 A JP1483988 A JP 1483988A JP H01189631 A JPH01189631 A JP H01189631A
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- crystal panel
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Links
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Landscapes
- Liquid Crystal (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は液晶パネル電極の製造方法に関するものであり
、特に電極段７差により著しい配向敏感な、ＳＴＮ、Ｎ
ＴＮ、強誘電性液晶等の電極の製造方法に関するもので
ある。
、特に電極段７差により著しい配向敏感な、ＳＴＮ、Ｎ
ＴＮ、強誘電性液晶等の電極の製造方法に関するもので
ある。
Ｓ Ｔ、Ｎ 、 Ｎ Ｔ Ｎ 、強誘電性液晶等の表示
モードは液晶の表示容量を増大させ、その結果大型高容
量表示体としての位置付けを得つつある。表示の大型高
容量化にともない透明電極の低抵抗化は重要な問題とな
ってくるが、現在のところ量産的には工ＴＯ電極で２×
１０−〇・ｍ の比抵抗であり限界に近づきつつある。
モードは液晶の表示容量を増大させ、その結果大型高容
量表示体としての位置付けを得つつある。表示の大型高
容量化にともない透明電極の低抵抗化は重要な問題とな
ってくるが、現在のところ量産的には工ＴＯ電極で２×
１０−〇・ｍ の比抵抗であり限界に近づきつつある。
そのため電極としての低抵抗化はもっばら電極厚みを厚
くする方向（従来は５００１〜１０００１であったが１
５００裏〜〜２０００Ｋ又はそれ以上）により解決手段
を得ていた。
くする方向（従来は５００１〜１０００１であったが１
５００裏〜〜２０００Ｋ又はそれ以上）により解決手段
を得ていた。
しかしながら前記液晶表示モードはセルギャップの配向
依存性が大きく（例えばＳ Ｔ Ｎ 、、Ｎ Ｔ Ｎで
は数μ±０．１〜０．２μが必要だと言われている。）
このような基板と電極の段差により配向不良、動作不良
をおこしやすかった。
依存性が大きく（例えばＳ Ｔ Ｎ 、、Ｎ Ｔ Ｎで
は数μ±０．１〜０．２μが必要だと言われている。）
このような基板と電極の段差により配向不良、動作不良
をおこしやすかった。
本発明は従来技術のこのような決定にかんがみ電極の平
担化を目的としたものであり、必要なだけどんなに透明
電極を厚くしても配向不良をおこさせないようにした電
極の製造方法を提供することにある。
担化を目的としたものであり、必要なだけどんなに透明
電極を厚くしても配向不良をおこさせないようにした電
極の製造方法を提供することにある。
本発明の液晶パネル電極の製造方法は、（ａ）ガラス基
板上に被覆された透２明電極上にパターニングされたレ
ジストを塗布する工程（ｂ）透明電極をエツチングする
工程 （ｃ）エツチングされ露出したガラス基板上に絶縁性の
皮膜を透明電極の厚みとほぼ同程度に成長させる工程 （ｄ）レジストをハク離する工程 を少なくとも経て平担化されたことを特徴とする。
板上に被覆された透２明電極上にパターニングされたレ
ジストを塗布する工程（ｂ）透明電極をエツチングする
工程 （ｃ）エツチングされ露出したガラス基板上に絶縁性の
皮膜を透明電極の厚みとほぼ同程度に成長させる工程 （ｄ）レジストをハク離する工程 を少なくとも経て平担化されたことを特徴とする。
本発明の液晶パネル電極の製造方法について詳しく述べ
ると、 （ａ＞ガラス基板上に被覆された透明電極上にパターニ
ングされたレジストを塗布する工程ここでレジストはフ
ォトレジスト又はスクリーン印刷、オフセット印刷等の
レジストを用いることができる。
ると、 （ａ＞ガラス基板上に被覆された透明電極上にパターニ
ングされたレジストを塗布する工程ここでレジストはフ
ォトレジスト又はスクリーン印刷、オフセット印刷等の
レジストを用いることができる。
（ｂ）透明電極をエツチングする工程
＜ｃ＞エツチングされ露出したガラス基板上に、絶縁性
の皮膜を透明電極の厚みとほぼ同程度に成長させる工程 ここで絶縁性の皮膜の成長に対して前記エツツチング用
レジストはこの工程のレジストとしての作用をする。又
このような選択的成長には、特開昭６０−１７６９４７
．特開昭６０−２１８１０゜ＵＳＰ２４Ｂ６４５１ 、
ＵＳＰ２４９０６６２のような方法によるＳ１０．系の
被覆技術。
の皮膜を透明電極の厚みとほぼ同程度に成長させる工程 ここで絶縁性の皮膜の成長に対して前記エツツチング用
レジストはこの工程のレジストとしての作用をする。又
このような選択的成長には、特開昭６０−１７６９４７
．特開昭６０−２１８１０゜ＵＳＰ２４Ｂ６４５１ 、
ＵＳＰ２４９０６６２のような方法によるＳ１０．系の
被覆技術。
Ｍ、Ａｂｅ ａｎｄ Ｙ、Ｔａｍａｕｒａ：、ｒｐｎ、
、Ｔ、Ａｐｐｌ ｐｈｙｓ、、２２． Ｌ５１１（１９
８５）によるようなフェライト系被覆技術を用いること
ができる。
、Ｔ、Ａｐｐｌ ｐｈｙｓ、、２２． Ｌ５１１（１９
８５）によるようなフェライト系被覆技術を用いること
ができる。
〔実施例１〕
ＳｉＯ□でパシベイション処理されたソーダガラスにス
パッタリング法により工Ｔｏ透明電極を２０００Ｘ被覆
した。シート抵抗は１０Ω／口であった。次にフォト工
程を経てポジ型しジス゛トを所定のパターンに形成した
。
パッタリング法により工Ｔｏ透明電極を２０００Ｘ被覆
した。シート抵抗は１０Ω／口であった。次にフォト工
程を経てポジ型しジス゛トを所定のパターンに形成した
。
次に塩酸塩化第２鉄溶液で工ＴＯ透明電極をエツチング
しパターニングした。レジストをハク離することな・く
次工程に供した。
しパターニングした。レジストをハク離することな・く
次工程に供した。
次に前記阿部らによる方法（金属表面技術、１Ｖｏ１．
５Ｂ、Ｎｏ、９ 、１９８７ ）のうちスプレー、スピ
ンコード法によりフェライト被膜を約５分かけ、約２０
００Ｘ（透明電極の厚み）形成した。次にレジストをア
ルカリでハク離し、１００℃で１０分間キュアして液晶
パネル基板を得た。所定の配向処理を経て２４０° ツ
イストのＳＴＮ表示モードの液晶パネルを組み立てた。
５Ｂ、Ｎｏ、９ 、１９８７ ）のうちスプレー、スピ
ンコード法によりフェライト被膜を約５分かけ、約２０
００Ｘ（透明電極の厚み）形成した。次にレジストをア
ルカリでハク離し、１００℃で１０分間キュアして液晶
パネル基板を得た。所定の配向処理を経て２４０° ツ
イストのＳＴＮ表示モードの液晶パネルを組み立てた。
一方比較例として本発明のような平担化電極構造を有し
ない透明電極厚みが２０００１液晶パネルを組み立てた
。液晶を注入したところ本発明品はドメインは全４り！
発生しなかった。一方比較例ではいたるところに電極段
差によってディスクリネイションラインが存在しドメイ
ンが形成され配向不良となった。
ない透明電極厚みが２０００１液晶パネルを組み立てた
。液晶を注入したところ本発明品はドメインは全４り！
発生しなかった。一方比較例ではいたるところに電極段
差によってディスクリネイションラインが存在しドメイ
ンが形成され配向不良となった。
〔実施例２〕
実施例１において３０００＾の工ＴＯ（シート抵抗５Ω
／口）を用いた。レジストで所定のパターニングを行な
った後特開昭６０−３３２３３実施例１の方法に基ずい
て約１ 、ＯＨｒの処理をし６０００又のＳ１０．を成
長させ工Ｔ Ｏ，ｉ！極の平担化を行なった。次にポリ
イミド配向膜を塗布。
／口）を用いた。レジストで所定のパターニングを行な
った後特開昭６０−３３２３３実施例１の方法に基ずい
て約１ 、ＯＨｒの処理をし６０００又のＳ１０．を成
長させ工Ｔ Ｏ，ｉ！極の平担化を行なった。次にポリ
イミド配向膜を塗布。
キュアーラビングしＳＴＮ液晶モードのパネルを組み立
てた。比較例として平担化しないパネルを作成し、２４
０°ツイスト液晶で配向状態を観察した。本発明の平担
化電極を有する液晶パネルはセル全面に均一な配向状態
が得られた。一方従来パネルはいたるところに電極の段
差部にそってディスクリネイションラインが存在し配向
不良となった。本発明では、６４０Ｘ４００．１１００
Ｘ８００のような１／２０−０ ”−’／４ｏＯｄｕｔ
ｙ の大型パネルにおいても良好な表示特性を示した
。従来セルの配向状態が維持できるような工ＴＯ電極厚
み１５００１以下では表示画面のちらつき、コントラス
トのむら等がみられた。これは電極抵抗の大きいことに
よる現象であった。
てた。比較例として平担化しないパネルを作成し、２４
０°ツイスト液晶で配向状態を観察した。本発明の平担
化電極を有する液晶パネルはセル全面に均一な配向状態
が得られた。一方従来パネルはいたるところに電極の段
差部にそってディスクリネイションラインが存在し配向
不良となった。本発明では、６４０Ｘ４００．１１００
Ｘ８００のような１／２０−０ ”−’／４ｏＯｄｕｔ
ｙ の大型パネルにおいても良好な表示特性を示した
。従来セルの配向状態が維持できるような工ＴＯ電極厚
み１５００１以下では表示画面のちらつき、コントラス
トのむら等がみられた。これは電極抵抗の大きいことに
よる現象であった。
本発明の液晶パネル電極の製造方法により、ＳＴＮ、Ｎ
ＴＮ、強誘電性液晶等の大型高容量表示が可能となった
工業的意義は大きい。５−ＴＮ。
ＴＮ、強誘電性液晶等の大型高容量表示が可能となった
工業的意義は大きい。５−ＴＮ。
ＮＴＮでは電気特性的には／’ｓｏｏ ｄｕｔ７ ＃
／１０００ｄｕｔｙ まで可能であることはわかっ
ていても、大型表示に適用するとなると電極抵抗上の制
約を受けて実際には／２００ （ｌｕｔｙ 程度が限界
であったが本発明により、それぞれの表示モードのパフ
ォーマンスを十分に引き出せるようになった工業的効果
は大きい。
／１０００ｄｕｔｙ まで可能であることはわかっ
ていても、大型表示に適用するとなると電極抵抗上の制
約を受けて実際には／２００ （ｌｕｔｙ 程度が限界
であったが本発明により、それぞれの表示モードのパフ
ォーマンスを十分に引き出せるようになった工業的効果
は大きい。
以上
出願人 セイコーエプソン株式会社
代理人 弁理士 最上務（他１名）
（７） （−１“り
゛・、ニー、／
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 （ａ）ガラス基板上に被覆された透明電極上にパターニ
ングされたレジストを塗布する工程 （ｂ）透明電極をエッチングする工程 （ｃ）エッチングされ露出したガラス基板上に絶縁性の
皮膜を透明電極の厚みとほぼ同程度に成長させる工程 （ｄ）レジストをハク離する工程 を少なくとも経て平担化されたことを特徴とする液晶パ
ネル電極の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1483988A JPH01189631A (ja) | 1988-01-26 | 1988-01-26 | 液晶パネル電極の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1483988A JPH01189631A (ja) | 1988-01-26 | 1988-01-26 | 液晶パネル電極の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01189631A true JPH01189631A (ja) | 1989-07-28 |
Family
ID=11872203
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1483988A Pending JPH01189631A (ja) | 1988-01-26 | 1988-01-26 | 液晶パネル電極の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01189631A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03197335A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-28 | Asahi Denka Kogyo Kk | エッチング方法 |
| US6071374A (en) * | 1996-06-26 | 2000-06-06 | Lg Electronics Inc. | Apparatus for etching glass substrate |
| US6197209B1 (en) | 1995-10-27 | 2001-03-06 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Method of fabricating a substrate |
| US6228211B1 (en) | 1998-09-08 | 2001-05-08 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Apparatus for etching a glass substrate |
| US6558776B1 (en) | 1998-10-22 | 2003-05-06 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Glass substrate for liquid crystal display device |
| US6955840B2 (en) | 1997-10-20 | 2005-10-18 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display device having thin glass substrate on which protective layer formed and method of making the same |
| US8043466B1 (en) | 1997-03-21 | 2011-10-25 | Lg Display Co., Ltd | Etching apparatus |
-
1988
- 1988-01-26 JP JP1483988A patent/JPH01189631A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03197335A (ja) * | 1989-12-25 | 1991-08-28 | Asahi Denka Kogyo Kk | エッチング方法 |
| US6197209B1 (en) | 1995-10-27 | 2001-03-06 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Method of fabricating a substrate |
| US6071374A (en) * | 1996-06-26 | 2000-06-06 | Lg Electronics Inc. | Apparatus for etching glass substrate |
| US8043466B1 (en) | 1997-03-21 | 2011-10-25 | Lg Display Co., Ltd | Etching apparatus |
| US6955840B2 (en) | 1997-10-20 | 2005-10-18 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Liquid crystal display device having thin glass substrate on which protective layer formed and method of making the same |
| US6228211B1 (en) | 1998-09-08 | 2001-05-08 | Lg. Philips Lcd Co., Ltd. | Apparatus for etching a glass substrate |
| US6558776B1 (en) | 1998-10-22 | 2003-05-06 | Lg.Philips Lcd Co., Ltd. | Glass substrate for liquid crystal display device |
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