JPH0511277A - マトリツクスアレイ基板の製造方法 - Google Patents
マトリツクスアレイ基板の製造方法Info
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- JPH0511277A JPH0511277A JP16709191A JP16709191A JPH0511277A JP H0511277 A JPH0511277 A JP H0511277A JP 16709191 A JP16709191 A JP 16709191A JP 16709191 A JP16709191 A JP 16709191A JP H0511277 A JPH0511277 A JP H0511277A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】この発明は、Ｔａの密着性が良好で、工程中や
製品使用時に膜剥がれに起因する欠陥の発生が防止出
来、大規模且つ高精細の液晶表示装置の実用化に有効な
マトリックスアレイ基板の製造方法を提供することを目
的とする。 【構成】この発明のマトリックスアレイ基板の製造方法
は、複数の表示画素及びその各々に電気的に接続した第
１の金属層１４−絶縁体層１５−第２の金属層１８の３
層構造をなす非線形抵抗素子を基板上に形成する際、透
明基板１１上に透明絶縁膜を形成し、その表面を僅かに
スパッタ−・エッチングし、引き続き真空を破らずに、
その上に２００℃以下の基板温度でＴａ膜をスパッタリ
ング法にて形成することにより、上記第１の金属層を設
け、この第１の金属層を陽極酸化することにより上記絶
縁体層を形成するものであり、上記の目的を達成するこ
とが出来る。
製品使用時に膜剥がれに起因する欠陥の発生が防止出
来、大規模且つ高精細の液晶表示装置の実用化に有効な
マトリックスアレイ基板の製造方法を提供することを目
的とする。 【構成】この発明のマトリックスアレイ基板の製造方法
は、複数の表示画素及びその各々に電気的に接続した第
１の金属層１４−絶縁体層１５−第２の金属層１８の３
層構造をなす非線形抵抗素子を基板上に形成する際、透
明基板１１上に透明絶縁膜を形成し、その表面を僅かに
スパッタ−・エッチングし、引き続き真空を破らずに、
その上に２００℃以下の基板温度でＴａ膜をスパッタリ
ング法にて形成することにより、上記第１の金属層を設
け、この第１の金属層を陽極酸化することにより上記絶
縁体層を形成するものであり、上記の目的を達成するこ
とが出来る。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、スイッチング素子と
して金属層−絶縁体層−金属層の３層構造をなす非線形
抵抗素子を用いたマトリックスアレイ基板の製造方法に
係り、特にその非線形抵抗素子の第１の金属層及び絶縁
体層の形成方法に関する。
して金属層−絶縁体層−金属層の３層構造をなす非線形
抵抗素子を用いたマトリックスアレイ基板の製造方法に
係り、特にその非線形抵抗素子の第１の金属層及び絶縁
体層の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、液晶表示装置は、時計，電卓，計
測機器等の比較的簡単なものから、パ−ソナル・コンピ
ュ−タ，ワ−ド・プロセッサ，更にＯＡ用の端末機器，
ＴＶ画像表示等の大容量情報表示用として使用されてき
ている。
測機器等の比較的簡単なものから、パ−ソナル・コンピ
ュ−タ，ワ−ド・プロセッサ，更にＯＡ用の端末機器，
ＴＶ画像表示等の大容量情報表示用として使用されてき
ている。
【０００３】この種の液晶表示装置における駆動方法と
しては、単純マルチプレックス駆動方式が、２階調表示
品として使用されるワ−ド・プロセッサなどに対して一
般に採用されてきた。しかし、液晶表示装置に対してよ
り大画面，高解像度，高精細度が求められるようにな
り、これまでのマルチプレックス駆動方式の欠点とされ
ていたコントラスト比を向上させるための駆動方法が、
様々行なわれている。その１つが個々の画素を直接にス
イッチ駆動するものであり、スイッチング素子に薄膜ト
ランジスタや非線形抵抗素子を用いている。このうち非
線形抵抗素子は、薄膜トランジスタの３端子に比べて基
本的に２端子であるために構造が簡単であり、製造が容
易である。このため、製造歩留まりの向上が期待出来、
コスト低下の利点がある。
しては、単純マルチプレックス駆動方式が、２階調表示
品として使用されるワ−ド・プロセッサなどに対して一
般に採用されてきた。しかし、液晶表示装置に対してよ
り大画面，高解像度，高精細度が求められるようにな
り、これまでのマルチプレックス駆動方式の欠点とされ
ていたコントラスト比を向上させるための駆動方法が、
様々行なわれている。その１つが個々の画素を直接にス
イッチ駆動するものであり、スイッチング素子に薄膜ト
ランジスタや非線形抵抗素子を用いている。このうち非
線形抵抗素子は、薄膜トランジスタの３端子に比べて基
本的に２端子であるために構造が簡単であり、製造が容
易である。このため、製造歩留まりの向上が期待出来、
コスト低下の利点がある。
【０００４】このような非線形抵抗素子は、薄膜トラン
ジスタと同様の材料を用いて接合形成したダイオ−ドの
型、酸化亜鉛を用いたバリスタの型、電極間に絶縁物を
挾んだ金属層−絶縁体層−金属層（ＭＩＭ）の型、更に
は金属電極間に半導電性の層を用いた型等が開発されて
いる。このうちＭＩＭ型は、構造が最も簡単なものの１
つで、現在、既に実用化されている。さて、図６は従来
のＭＩＭ型の非線形抵抗素子を有するマトリックスアレ
イ基板の１画素部分の一例を示す断面図であり、製造工
程に従って説明する。
ジスタと同様の材料を用いて接合形成したダイオ−ドの
型、酸化亜鉛を用いたバリスタの型、電極間に絶縁物を
挾んだ金属層−絶縁体層−金属層（ＭＩＭ）の型、更に
は金属電極間に半導電性の層を用いた型等が開発されて
いる。このうちＭＩＭ型は、構造が最も簡単なものの１
つで、現在、既に実用化されている。さて、図６は従来
のＭＩＭ型の非線形抵抗素子を有するマトリックスアレ
イ基板の１画素部分の一例を示す断面図であり、製造工
程に従って説明する。
【０００５】先ず、ガラス基板１上にＴａ膜２をスパッ
タリング法や真空蒸着法等の薄膜形成法により形成し、
写真蝕刻法によりパタ−ニングする。これにより、配線
（デ−タ線）とこれに一体化した非線形抵抗素子の第１
の金属層が得られる。次に、Ｔａ膜２をクエン酸水溶液
中で陽極酸化法により化成し、非線形抵抗素子の絶縁体
層を構成する酸化膜３を形成する。この場合、化成液の
温度は室温付近であり、電流密度は１．０ｍＡ／ｃｍ2
である。続いて、非線形抵抗素子の第２の金属層として
Ｃｒ膜４を、薄膜形成・加工法にて形成することによ
り、非線形抵抗素子５が完成する。更に、ガラス基板１
上に、画像表示用の透明電極６をＣｒ膜４と接続するよ
うに形成すれば良い。こうした基本的な製造技術は特公
昭５５−１６１２７３号公報に開示され、その改良技術
が特開昭５８−１７８３２０号公報等に開示されてい
る。
タリング法や真空蒸着法等の薄膜形成法により形成し、
写真蝕刻法によりパタ−ニングする。これにより、配線
（デ−タ線）とこれに一体化した非線形抵抗素子の第１
の金属層が得られる。次に、Ｔａ膜２をクエン酸水溶液
中で陽極酸化法により化成し、非線形抵抗素子の絶縁体
層を構成する酸化膜３を形成する。この場合、化成液の
温度は室温付近であり、電流密度は１．０ｍＡ／ｃｍ2
である。続いて、非線形抵抗素子の第２の金属層として
Ｃｒ膜４を、薄膜形成・加工法にて形成することによ
り、非線形抵抗素子５が完成する。更に、ガラス基板１
上に、画像表示用の透明電極６をＣｒ膜４と接続するよ
うに形成すれば良い。こうした基本的な製造技術は特公
昭５５−１６１２７３号公報に開示され、その改良技術
が特開昭５８−１７８３２０号公報等に開示されてい
る。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】一般に、金属層−絶縁
体層−金属層の３層構造をなす非線形抵抗素子を用いた
マトリックスアレイ基板を作る際、陽極酸化法を用い
る。これは、絶縁体層を形成するのに最も均一に簡便に
出来る方法であり、素子特性からも好ましい結果をもた
らしている。このため実用化され、デバイスとして発表
されているＭＩＭ型液晶表示装置は、この方法を用いて
絶縁体層となる酸化膜を形成している。特に安定した陽
極酸化膜が得られ、良好な電流−電圧スイッチング特性
を示す材料として、Ｔａが唯一研究開発が進み、実用化
されている。
体層−金属層の３層構造をなす非線形抵抗素子を用いた
マトリックスアレイ基板を作る際、陽極酸化法を用い
る。これは、絶縁体層を形成するのに最も均一に簡便に
出来る方法であり、素子特性からも好ましい結果をもた
らしている。このため実用化され、デバイスとして発表
されているＭＩＭ型液晶表示装置は、この方法を用いて
絶縁体層となる酸化膜を形成している。特に安定した陽
極酸化膜が得られ、良好な電流−電圧スイッチング特性
を示す材料として、Ｔａが唯一研究開発が進み、実用化
されている。
【０００７】ところが、この陽極酸化膜は大きな内部応
力を有するため、剥がれ易く、ピンホ−ルの発生も多か
った。この結果、表示欠陥を生じ、製品の製造歩留まり
を低めていた。剥がれを防止するためには、膜形成時に
基板温度を２５０℃以上に高めたり、Ｃｕなどの金属接
着層を下に形成しておくなどの方法が試みられたが、２
００℃を越える基板温度の上昇は、電流−電圧スイッチ
ング特性を損なう結果が出ており好ましくない。
力を有するため、剥がれ易く、ピンホ−ルの発生も多か
った。この結果、表示欠陥を生じ、製品の製造歩留まり
を低めていた。剥がれを防止するためには、膜形成時に
基板温度を２５０℃以上に高めたり、Ｃｕなどの金属接
着層を下に形成しておくなどの方法が試みられたが、２
００℃を越える基板温度の上昇は、電流−電圧スイッチ
ング特性を損なう結果が出ており好ましくない。
【０００８】又、接着層の形成は、その上に形成される
Ｔａの結晶化（結晶型が変わる）に大きく作用すること
から、慎重に扱わなければならない。素子の電流−電圧
スイッチング特性を損なわず、簡便に密着性を向上する
工夫が求められていた。
Ｔａの結晶化（結晶型が変わる）に大きく作用すること
から、慎重に扱わなければならない。素子の電流−電圧
スイッチング特性を損なわず、簡便に密着性を向上する
工夫が求められていた。
【０００９】この発明は、上記事情に鑑みなされたもの
で、良好な密着性を有するＴａの形成方法と良好な素子
特性を共に満足させたマトリックスアレイ基板の製造方
法を提供することを目的とする。
で、良好な密着性を有するＴａの形成方法と良好な素子
特性を共に満足させたマトリックスアレイ基板の製造方
法を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】この発明は、複数の表示
画素及びその各々に電気的に接続した第１の金属層−絶
縁体層−第２の金属層の３層構造をなす非線形抵抗素子
を、透明基板上に形成するマトリックスアレイ基板の製
造方法において、
画素及びその各々に電気的に接続した第１の金属層−絶
縁体層−第２の金属層の３層構造をなす非線形抵抗素子
を、透明基板上に形成するマトリックスアレイ基板の製
造方法において、
【００１１】上記透明基板上に透明絶縁膜を形成し、そ
の表面を僅かにスパッタ−・エッチングし、引き続き真
空を破らずに、その上に２００℃以下の基板温度でＴａ
膜をスパッタリング法にて形成することにより、上記第
１の金属層を設け、この第１の金属層を陽極酸化するこ
とにより上記絶縁体層を形成するマトリックスアレイ基
板の製造方法である。次に、この発明がなされた理由に
ついて説明する。
の表面を僅かにスパッタ−・エッチングし、引き続き真
空を破らずに、その上に２００℃以下の基板温度でＴａ
膜をスパッタリング法にて形成することにより、上記第
１の金属層を設け、この第１の金属層を陽極酸化するこ
とにより上記絶縁体層を形成するマトリックスアレイ基
板の製造方法である。次に、この発明がなされた理由に
ついて説明する。
【００１２】一般に第１の金属層となるＴａ膜は、成膜
条件による内部応力の変動が大きい。又、内部応力の絶
対値自体も大きく、基板に対する密着性が悪い。とりわ
け、ＭＩＭ型の非線形抵抗素子のように、１０μｍ以下
の微細パタ−ンとなると、その影響が顕著となり、ピン
ホ−ルによる欠陥や加工精度の低下を起こす。更に、Ｍ
ＩＭ型の場合、微細加工したＴａ膜表面に陽極酸化処理
を施して絶縁体層を形成するが、この時に体積の増加が
起こるために、細い線の剥がれが生ずる。
条件による内部応力の変動が大きい。又、内部応力の絶
対値自体も大きく、基板に対する密着性が悪い。とりわ
け、ＭＩＭ型の非線形抵抗素子のように、１０μｍ以下
の微細パタ−ンとなると、その影響が顕著となり、ピン
ホ−ルによる欠陥や加工精度の低下を起こす。更に、Ｍ
ＩＭ型の場合、微細加工したＴａ膜表面に陽極酸化処理
を施して絶縁体層を形成するが、この時に体積の増加が
起こるために、細い線の剥がれが生ずる。
【００１３】発明者の実験によれば、ガラス基板上に厚
さ３０００オングストロ−ム，幅２０ミクロン，長さ２
０ｃｍのＴａ配線を１０００本，２００ミクロンピッチ
で形成し、これを１００基板作ったところ、全体の０．
０６％の線に断線が生じ、１００基板中２７枚が不良
（１本でも断線が生じた）であった。これに対し、スパ
ッタ−によるＴａ膜形成直前に１０〜３０オングストロ
−ムのスパッタ−エッチングを行なって形成した同一形
状のＴａ配線の不良率は０であった。
さ３０００オングストロ−ム，幅２０ミクロン，長さ２
０ｃｍのＴａ配線を１０００本，２００ミクロンピッチ
で形成し、これを１００基板作ったところ、全体の０．
０６％の線に断線が生じ、１００基板中２７枚が不良
（１本でも断線が生じた）であった。これに対し、スパ
ッタ−によるＴａ膜形成直前に１０〜３０オングストロ
−ムのスパッタ−エッチングを行なって形成した同一形
状のＴａ配線の不良率は０であった。
【００１４】しかしながら、ガラス表面を削るため活性
化が起こり、微量含有アルカリ元素が表面に露出してく
るため、アルカリガラスはもとより、低アルカリガラス
でも、このようにして形成した基板を用いて液晶セルを
作ると、液晶が汚染され、特性や寿命の低下をきたし
た。そこで、ガラス上に種々の材料をオ−バ−コ−トし
て用いることが考えられる。
化が起こり、微量含有アルカリ元素が表面に露出してく
るため、アルカリガラスはもとより、低アルカリガラス
でも、このようにして形成した基板を用いて液晶セルを
作ると、液晶が汚染され、特性や寿命の低下をきたし
た。そこで、ガラス上に種々の材料をオ−バ−コ−トし
て用いることが考えられる。
【００１５】発明者は発明に先立ち、スパッタ−による
ＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，ディッ
プコ−トによるＳｉＯ2 を試したが、スパッタ−による
ＳｉＯ2 ，Ｔａ2 Ｏ5 とディップコ−トによるＳｉＯ2
では、その上に形成したＭＩＭの良好な電流−電圧特性
が得られたが、他のものでは電流−電圧特性の双方向対
称性に異常が見られた。又、密着性を向上するためのス
パッタ−エッチングでも、これら２種の下地は異常を生
じなかった（ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 は白濁を生じた）。
この結果、下地材料，スパッタ−エッチング，Ｔａ成膜
の組み合わせは、素子特性・歩留まりに好ましいことが
実証され、この発明に至った。
ＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 ，Ｔａ2 Ｏ5 ，ディッ
プコ−トによるＳｉＯ2 を試したが、スパッタ−による
ＳｉＯ2 ，Ｔａ2 Ｏ5 とディップコ−トによるＳｉＯ2
では、その上に形成したＭＩＭの良好な電流−電圧特性
が得られたが、他のものでは電流−電圧特性の双方向対
称性に異常が見られた。又、密着性を向上するためのス
パッタ−エッチングでも、これら２種の下地は異常を生
じなかった（ＴｉＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 は白濁を生じた）。
この結果、下地材料，スパッタ−エッチング，Ｔａ成膜
の組み合わせは、素子特性・歩留まりに好ましいことが
実証され、この発明に至った。
【００１６】
【作用】この発明によれば、第１の金属層となるＴａ膜
の密着性が良好で、製造工程中や製品使用時に膜剥がれ
に起因する欠陥の発生を防止出来る。この結果、大規模
且つ高精細のマトリックス型液晶表示装置の実用化に非
常に有効である。
の密着性が良好で、製造工程中や製品使用時に膜剥がれ
に起因する欠陥の発生を防止出来る。この結果、大規模
且つ高精細のマトリックス型液晶表示装置の実用化に非
常に有効である。
【００１７】
【実施例】以下、図面を参照して、この発明の一実施例
を詳細に説明する。
を詳細に説明する。
【００１８】この発明によるマトリックスアレイ基板の
製造方法は図１〜図５に示すように構成され、先ず、図
１に示すように、例えば厚さ１０００オングストロ−ム
のディップコ−トＳｉＯ2 のアルカリ防御被膜を表面部
に備えた１．１ｍｍ厚のガラス基板１１を用意する。デ
ィップコ−トは、シリコン・アルコキシドの溶液にガラ
スをディップした後、大気中５００℃で１時間ベ−キン
グして行なった。
製造方法は図１〜図５に示すように構成され、先ず、図
１に示すように、例えば厚さ１０００オングストロ−ム
のディップコ−トＳｉＯ2 のアルカリ防御被膜を表面部
に備えた１．１ｍｍ厚のガラス基板１１を用意する。デ
ィップコ−トは、シリコン・アルコキシドの溶液にガラ
スをディップした後、大気中５００℃で１時間ベ−キン
グして行なった。
【００１９】次に、ガラス基板１１を真空チャンバ−に
入れ、スパッタ−エッチングを行ない、ディップコ−ト
ＳｉＯ2 の表面を厚さ１０〜３０オングストロ−ムだけ
削る。引き続き、ディップコ−トＳｉＯ2 上に、厚さ３
０００オングストロ−ムのＴａからなる薄膜１２を、ス
パッタリング法により形成する。この時の基板温度は１
００〜１５０℃として、素子特性への悪影響は避けた。
入れ、スパッタ−エッチングを行ない、ディップコ−ト
ＳｉＯ2 の表面を厚さ１０〜３０オングストロ−ムだけ
削る。引き続き、ディップコ−トＳｉＯ2 上に、厚さ３
０００オングストロ−ムのＴａからなる薄膜１２を、ス
パッタリング法により形成する。この時の基板温度は１
００〜１５０℃として、素子特性への悪影響は避けた。
【００２０】次に、この薄膜１２上にレジスト（感光性
樹脂）を全面塗布した後、フォトマスクを用いて露光
し、現像してレジストパタ−ン１３を形成する。続い
て、ケミカルドライエッチング法により薄膜１２のエッ
チングを行なう。ここでは、ＣＦ4 とＯ2 ガスを等量混
合したプラズマ中でエッチングを行ない、パタ−ン周辺
（エッジ）部にテ−パ−形状が形成される。引き続き、
レジストパタ−ン１３を除去すると、図２に示すように
Ｔａからなる第１の金属層１４が得られる。
樹脂）を全面塗布した後、フォトマスクを用いて露光
し、現像してレジストパタ−ン１３を形成する。続い
て、ケミカルドライエッチング法により薄膜１２のエッ
チングを行なう。ここでは、ＣＦ4 とＯ2 ガスを等量混
合したプラズマ中でエッチングを行ない、パタ−ン周辺
（エッジ）部にテ−パ−形状が形成される。引き続き、
レジストパタ−ン１３を除去すると、図２に示すように
Ｔａからなる第１の金属層１４が得られる。
【００２１】次に、陽極酸化法により絶縁体層を形成す
るが、第１の金属層１４を陽極とし、白金板を陰極にし
て、陽極酸化液（電解液で０．０１重量％クエン酸水溶
液）中で化成を行なう。この時の電圧をコントロ−ルす
ることによりＴａからなる第１の金属層１４の表面に、
絶縁体層１５を所望の厚さに形成する（図３参照）。こ
の実施例では、４２Ｖの電圧を印加し、厚さ７００オン
グストロ−ムの絶縁体層１５を得ている。
るが、第１の金属層１４を陽極とし、白金板を陰極にし
て、陽極酸化液（電解液で０．０１重量％クエン酸水溶
液）中で化成を行なう。この時の電圧をコントロ−ルす
ることによりＴａからなる第１の金属層１４の表面に、
絶縁体層１５を所望の厚さに形成する（図３参照）。こ
の実施例では、４２Ｖの電圧を印加し、厚さ７００オン
グストロ−ムの絶縁体層１５を得ている。
【００２２】この場合、陽極酸化液に対し露出している
Ｔａでは、膜厚２８０オングストロ−ムの金属が膜厚７
００オングストロ−ムのＴａ2 Ｏ5 に変化する。この陽
極酸化の時に被覆部材を使用して、パッド部を陽極酸化
液から隔絶する。
Ｔａでは、膜厚２８０オングストロ−ムの金属が膜厚７
００オングストロ−ムのＴａ2 Ｏ5 に変化する。この陽
極酸化の時に被覆部材を使用して、パッド部を陽極酸化
液から隔絶する。
【００２３】次に、図４に示すように全面に膜厚１５０
０オングストロ−ムのＴｉからなる薄膜１６を形成す
る。この上に、レジスト（感光性樹脂）を全面塗布した
後、フォトマスクを用いて露光し、現像にてレジストパ
タ−ン１７を形成する。続いて、ＥＤＴＡ（エチレンジ
アミン・テトラ・アセティック・アシッド）９ｇと水４
００ｃｃ、過酸化水素２１６ｃｃ、アンモニア水３０ｍ
ｌの割合で混ぜ、室温に保って、薄膜１６をエッチン
グ、レジストを除去する。これにより、非線形抵抗素子
の基板から遠い側の第２の金属層１８（図５参照）が形
成される。この実施例では、Ｔｉを用いたが、Ｃｒ、Ａ
ｌ、更にはＴａを再度積層して第２の金属層１８として
も同一の結果が得られる。
０オングストロ−ムのＴｉからなる薄膜１６を形成す
る。この上に、レジスト（感光性樹脂）を全面塗布した
後、フォトマスクを用いて露光し、現像にてレジストパ
タ−ン１７を形成する。続いて、ＥＤＴＡ（エチレンジ
アミン・テトラ・アセティック・アシッド）９ｇと水４
００ｃｃ、過酸化水素２１６ｃｃ、アンモニア水３０ｍ
ｌの割合で混ぜ、室温に保って、薄膜１６をエッチン
グ、レジストを除去する。これにより、非線形抵抗素子
の基板から遠い側の第２の金属層１８（図５参照）が形
成される。この実施例では、Ｔｉを用いたが、Ｃｒ、Ａ
ｌ、更にはＴａを再度積層して第２の金属層１８として
も同一の結果が得られる。
【００２４】次に、図５に示すように、１０００オング
ストロ−ムのＩＴＯからなる透明導電膜１９をスパッタ
リング法により形成、その後、透明導電膜１９上にレジ
スト（感光性樹脂）を全面塗布した後、フォトマスクを
用いて露光し、現像にてレジストパタ−ン２０を形成す
る。
ストロ−ムのＩＴＯからなる透明導電膜１９をスパッタ
リング法により形成、その後、透明導電膜１９上にレジ
スト（感光性樹脂）を全面塗布した後、フォトマスクを
用いて露光し、現像にてレジストパタ−ン２０を形成す
る。
【００２５】続いて、水、塩酸、硝酸を１：１：０．１
の割合（容量比）に混合し、３０℃に加熱したエッチン
グ液によりレジストパタ−ン２０と同一のＩＴＯパタ−
ン（図示せず）を形成し、レジストパタ−ン２０を除去
する。このようにして、マトリックスアレイ基板が完成
する。尚、このマトリックスアレイ基板を用いて液晶表
示装置を形成するには、例えば次のようにすれば良い。
の割合（容量比）に混合し、３０℃に加熱したエッチン
グ液によりレジストパタ−ン２０と同一のＩＴＯパタ−
ン（図示せず）を形成し、レジストパタ−ン２０を除去
する。このようにして、マトリックスアレイ基板が完成
する。尚、このマトリックスアレイ基板を用いて液晶表
示装置を形成するには、例えば次のようにすれば良い。
【００２６】先ず、マトリックスアレイ基板の非線形抵
抗素子形成面にポリミイド樹脂からなる配向膜を塗布・
焼成し、ラビングすることにより液晶配向方向を規制す
る。対向用基板にも同様の処理を行ない、一方の液晶表
示用基板より約９０°捩じった方向にラビングを行な
う。上記２種類の基板を用意し、液晶の分子長軸方向が
両基板間で約９０°捩じれるように、５〜１０μｍの間
隔を保って保持させ、液晶を注入し液晶セルを構成す
る。そして、液晶セルの外側に偏光軸を約９０°捩じっ
た形で偏光板を配置すれば良い。
抗素子形成面にポリミイド樹脂からなる配向膜を塗布・
焼成し、ラビングすることにより液晶配向方向を規制す
る。対向用基板にも同様の処理を行ない、一方の液晶表
示用基板より約９０°捩じった方向にラビングを行な
う。上記２種類の基板を用意し、液晶の分子長軸方向が
両基板間で約９０°捩じれるように、５〜１０μｍの間
隔を保って保持させ、液晶を注入し液晶セルを構成す
る。そして、液晶セルの外側に偏光軸を約９０°捩じっ
た形で偏光板を配置すれば良い。
【００２７】
【発明の効果】この発明によれば、第１の金属層となる
Ｔａ膜の密着性が良好で、製造工程中や製品使用時に膜
剥がれに起因する欠陥の発生を防止出来る。この結果、
大規模且つ高精細のマトリックス型液晶表示装置の実用
化に非常に有効である。
Ｔａ膜の密着性が良好で、製造工程中や製品使用時に膜
剥がれに起因する欠陥の発生を防止出来る。この結果、
大規模且つ高精細のマトリックス型液晶表示装置の実用
化に非常に有効である。
【図１】この発明の一実施例に係るマトリックスアレイ
基板の製造方法を示す断面図。
基板の製造方法を示す断面図。
【図２】この発明の一実施例に係るマトリックスアレイ
基板の製造方法を示す斜視図。
基板の製造方法を示す斜視図。
【図３】この発明の一実施例に係るマトリックスアレイ
基板の製造方法を示す断面図。
基板の製造方法を示す断面図。
【図４】この発明の一実施例に係るマトリックスアレイ
基板の製造方法を示す断面図。
基板の製造方法を示す断面図。
【図５】この発明の一実施例に係るマトリックスアレイ
基板の製造方法を示す断面図。
基板の製造方法を示す断面図。
【図６】従来のマトリックスアレイ基板の一画素部分の
一例を示す断面図。
一例を示す断面図。
１１…ガラス基板、１２，１６…薄膜、１３，１７，２
０…レジストパタ−ン、１４…第１の金属層、１５…絶
縁体層、１８…第２の金属層、１９…透明導電膜。
０…レジストパタ−ン、１４…第１の金属層、１５…絶
縁体層、１８…第２の金属層、１９…透明導電膜。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 【請求項１】 複数の表示画素及びその各々に電気的に
接続した第１の金属層−絶縁体層−第２の金属層の３層
構造をなす非線形抵抗素子を、透明基板上に形成するマ
トリックスアレイ基板の製造方法において、 上記透明基板上に透明絶縁膜を形成し、その表面を僅か
にスパッタ−・エッチングし、引き続き真空を破らず
に、その上に２００℃以下の基板温度でＴａ膜をスパッ
タリング法にて形成することにより、上記第１の金属層
を設け、この第１の金属層を陽極酸化することにより上
記絶縁体層を形成することを特徴とするマトリックスア
レイ基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16709191A JPH0511277A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | マトリツクスアレイ基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16709191A JPH0511277A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | マトリツクスアレイ基板の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0511277A true JPH0511277A (ja) | 1993-01-19 |
Family
ID=15843259
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16709191A Pending JPH0511277A (ja) | 1991-07-08 | 1991-07-08 | マトリツクスアレイ基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0511277A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10101394B2 (en) | 2013-09-25 | 2018-10-16 | Robert Bosch Gmbh | Method and apparatus for determining the aging of an electronic interrupter element, in particular of a power contactor |
| CN112114460A (zh) * | 2020-09-23 | 2020-12-22 | 北海惠科光电技术有限公司 | 基于阵列基板的绝缘单元及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示机构 |
| KR20210123208A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-13 | 니혼 덴산 산쿄 가부시키가이샤 | 릴레이 장치 |
-
1991
- 1991-07-08 JP JP16709191A patent/JPH0511277A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US10101394B2 (en) | 2013-09-25 | 2018-10-16 | Robert Bosch Gmbh | Method and apparatus for determining the aging of an electronic interrupter element, in particular of a power contactor |
| KR20210123208A (ko) | 2020-04-02 | 2021-10-13 | 니혼 덴산 산쿄 가부시키가이샤 | 릴레이 장치 |
| CN112114460A (zh) * | 2020-09-23 | 2020-12-22 | 北海惠科光电技术有限公司 | 基于阵列基板的绝缘单元及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示机构 |
| CN112114460B (zh) * | 2020-09-23 | 2022-12-23 | 北海惠科光电技术有限公司 | 基于阵列基板的绝缘单元及其制备方法、阵列基板及其制备方法、显示机构 |
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