JPH0385523A - 透明電極の欠陥修正方法 - Google Patents
透明電極の欠陥修正方法Info
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- JPH0385523A JPH0385523A JP22407889A JP22407889A JPH0385523A JP H0385523 A JPH0385523 A JP H0385523A JP 22407889 A JP22407889 A JP 22407889A JP 22407889 A JP22407889 A JP 22407889A JP H0385523 A JPH0385523 A JP H0385523A
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- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 11
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- 229910003437 indium oxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N indium(iii) oxide Chemical compound [O-2].[O-2].[O-2].[In+3].[In+3] PJXISJQVUVHSOJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 5
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
（イ）産業上の利用分野
二の発明は、透明電極の欠陥、修正方法に関する。
（ロ）従来の技術
従来、液晶素子（ＬＣＤ）の透明電極は、ガラス基板上
に、例えば電子線蒸着法によって、酸化インジウムと酸
化スズとの混合酸化物（ＩＴｏ）薄膜を堆積し、このＩ
ＴＯ８ｊ上にポジ型フォトレジスト溶液を塗布し、予備
加熱してレジスト膜を形成し、フナトマスクを介して光
を照射しレジスト膜を所定のパターンで露光し、次にこ
のレジスト膜をアルカリによって現像してレジストパタ
ーンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてＩ
ＴＯ！［をエツチングしてＩＴＯ電極を形成し、レジス
トパターンを剥離して作製されている。
に、例えば電子線蒸着法によって、酸化インジウムと酸
化スズとの混合酸化物（ＩＴｏ）薄膜を堆積し、このＩ
ＴＯ８ｊ上にポジ型フォトレジスト溶液を塗布し、予備
加熱してレジスト膜を形成し、フナトマスクを介して光
を照射しレジスト膜を所定のパターンで露光し、次にこ
のレジスト膜をアルカリによって現像してレジストパタ
ーンを形成し、このレジストパターンをマスクとしてＩ
ＴＯ！［をエツチングしてＩＴＯ電極を形成し、レジス
トパターンを剥離して作製されている。
（ハ）発明か解決しようとする課題
従来の液晶素子の透明電極は、フォトプロセスの過程で
、［ＴＯ＠面の異物やレジストのピンホール等、種々の
原因で透明電極に欠陥を生じることがある。この欠陥を
有する透明電極を用いた液晶素子は表示が不鮮明になっ
たり、断線に至るものらあり、不良品として廃棄されろ
。従来、これらの不良品の発生を解消する方法はなかっ
た。
、［ＴＯ＠面の異物やレジストのピンホール等、種々の
原因で透明電極に欠陥を生じることがある。この欠陥を
有する透明電極を用いた液晶素子は表示が不鮮明になっ
たり、断線に至るものらあり、不良品として廃棄されろ
。従来、これらの不良品の発生を解消する方法はなかっ
た。
この発明は、前記不良品の発生を解消するためにムされ
たちのてあって、欠陥部を有する透明電極を修正するこ
とによって欠陥のはい透明電極に変換しようとするもの
である。
たちのてあって、欠陥部を有する透明電極を修正するこ
とによって欠陥のはい透明電極に変換しようとするもの
である。
（ニ）課題を解決するための手段
この発明によれば、ガラス基板上に、酸化インジウムと
酸化スズとの混合酸化物を気相堆積しホトリソグラフィ
法によって所定のパターンにエツチングして透明電極を
形成し、この透明電極に電圧を印加することによって欠
陥部を有する透明電極を選択し、この欠陥部に有機イン
ジウム化合物を塗布し、この有機インジウム化合物の塗
膜を３００〜４５０℃に加熱することによって導電層に
変換して透明電極の欠陥部を修正することを特徴とする
透明ＩＥ極の欠陥修正方法が提供される。
酸化スズとの混合酸化物を気相堆積しホトリソグラフィ
法によって所定のパターンにエツチングして透明電極を
形成し、この透明電極に電圧を印加することによって欠
陥部を有する透明電極を選択し、この欠陥部に有機イン
ジウム化合物を塗布し、この有機インジウム化合物の塗
膜を３００〜４５０℃に加熱することによって導電層に
変換して透明電極の欠陥部を修正することを特徴とする
透明ＩＥ極の欠陥修正方法が提供される。
この発明においては、ガラス基板上に、酸化インジウム
と酸化スズとの混合酸化物（ＩＴＯ）を気相堆積しホト
リソグラフィ法によって所定のパターンにエツチングし
て透明電極を形成する。この透明電極は、例えばＬＣＤ
、ＥＬ、プラズマデイスプレィ等の表示素子に電圧を印
加するためのらのであってＩＴＯ膜をホトリソグラフィ
法によりてエツチングして、通常、線幅５０〜５００μ
ｍ１厚さｌｏｏ 〜＋ｏｏｏＡ、線間隔ｔｏ−１００μ
ｍに形成して用いることができる。
と酸化スズとの混合酸化物（ＩＴＯ）を気相堆積しホト
リソグラフィ法によって所定のパターンにエツチングし
て透明電極を形成する。この透明電極は、例えばＬＣＤ
、ＥＬ、プラズマデイスプレィ等の表示素子に電圧を印
加するためのらのであってＩＴＯ膜をホトリソグラフィ
法によりてエツチングして、通常、線幅５０〜５００μ
ｍ１厚さｌｏｏ 〜＋ｏｏｏＡ、線間隔ｔｏ−１００μ
ｍに形成して用いることができる。
この発明においては、この透明電極に電圧を印加するこ
とによって欠陥部を有する透明電極を選択する。この欠
陥部は、欠陥の無い透明電極と比較して電圧の印加によ
って測定される抵抗値が高い部分であって、透明電極に
、例えば断線、くびれ、ピンホール等の欠陥を有してな
り、例えばＩＴＯＩ１１面の異物の混入やレジストのピ
ンホール等の原因で生じるものであり電圧の印加によっ
て選択することができる。
とによって欠陥部を有する透明電極を選択する。この欠
陥部は、欠陥の無い透明電極と比較して電圧の印加によ
って測定される抵抗値が高い部分であって、透明電極に
、例えば断線、くびれ、ピンホール等の欠陥を有してな
り、例えばＩＴＯＩ１１面の異物の混入やレジストのピ
ンホール等の原因で生じるものであり電圧の印加によっ
て選択することができる。
この発明においては、この欠陥部に有機インジウム化合
物を塗布する。この有機インジウム化合物は、例えばＣ
Ｈｓｌｎ（ＯＦ［）ｔ、 Ｉｎ（ＣＨｓ）ｓ、 Ｉｎ（
ＣｔＨｓ）ｓ。
物を塗布する。この有機インジウム化合物は、例えばＣ
Ｈｓｌｎ（ＯＦ［）ｔ、 Ｉｎ（ＣＨｓ）ｓ、 Ｉｎ（
ＣｔＨｓ）ｓ。
Ｉｎ（ＣｓＨｔ）ｓ、 Ｉｎ（ＣａＨｓ）＋、 Ｉｎ（
ＣＨｓＯ）ｓ、 ｔｎ（ｃｔｕｓｏ）ｓ。
ＣＨｓＯ）ｓ、 ｔｎ（ｃｔｕｓｏ）ｓ。
Ｉｎ（ＣａＨｔＯ）３． Ｉｎ（ＣＪｓＯ）ｔ、 ［１
ｎ（ＣＨ＊）＊］ｔｏ。
ｎ（ＣＨ＊）＊］ｔｏ。
Ｉｎ（ＣＪ＋５ＣＯｔ）ｓ等で表わされる化合物を用い
ることができ、また市販の、例えばアトロンＮｒｎ（日
本曹達（＊）社製）、ニツカオクチックスインジウム（
日本化学産業（味）社製）等を用いてもよい。
ることができ、また市販の、例えばアトロンＮｒｎ（日
本曹達（＊）社製）、ニツカオクチックスインジウム（
日本化学産業（味）社製）等を用いてもよい。
この発明においては、この有機インジウム化合物の塗膜
を３００〜４５０℃に加熱することによって導電層に変
換して透明’Ｉ極の欠陥部を修正する。
を３００〜４５０℃に加熱することによって導電層に変
換して透明’Ｉ極の欠陥部を修正する。
この加熱は、有機インジウム化合物の塗膜を導電層に変
換するためのものであって、３００〜４５０℃、好まし
くは３５０〜４００℃で行うのが適しており、３００℃
未満では有機インジウム化合物の反応が遅く効率的に導
電層が得られず、高温では高抵抗値となるため好ましく
ない。
換するためのものであって、３００〜４５０℃、好まし
くは３５０〜４００℃で行うのが適しており、３００℃
未満では有機インジウム化合物の反応が遅く効率的に導
電層が得られず、高温では高抵抗値となるため好ましく
ない。
このようにして得られた透明１！極を有するガラス基板
は、例えば、ＬＣＤ、ＥＬ及びプラズマデイスプレィ等
の製造に用いることができる。
は、例えば、ＬＣＤ、ＥＬ及びプラズマデイスプレィ等
の製造に用いることができる。
（ホ）作用
有機インジウム化合物が欠陥部に塗布され焼成されろこ
とによって導電層に変換され透明電極の欠陥部を修正す
る。
とによって導電層に変換され透明電極の欠陥部を修正す
る。
（へ）実施例
この発明の実施例を図を用いて説明する。
まず、第４図に示すようにガラス基板ｌの上に、電子ビ
ーム蒸着法、スパッタリング法等によってＩＴＯ膜を気
相堆積し、この上にポジ型ホトレジスト溶液をスピンオ
ン法、ロールコータ−法等によって塗布し予備加熱して
レジスト膜５Ａを形成する。
ーム蒸着法、スパッタリング法等によってＩＴＯ膜を気
相堆積し、この上にポジ型ホトレジスト溶液をスピンオ
ン法、ロールコータ−法等によって塗布し予備加熱して
レジスト膜５Ａを形成する。
次に、この基板の上に、マスク板６を介在させて近紫外
線を照射することによりレジスト膜５Ａに所定のパター
ンに露光し、アルカル液によって現像してレジストパタ
ーン５を形成する。
線を照射することによりレジスト膜５Ａに所定のパター
ンに露光し、アルカル液によって現像してレジストパタ
ーン５を形成する。
次に、このレジストパターン５をマスクとしてエツチン
グ液によってＩＴＯＩ［２をエツチングし、レジストパ
ターン５を剥離して［ＴＯ電極２を形成する。
グ液によってＩＴＯＩ［２をエツチングし、レジストパ
ターン５を剥離して［ＴＯ電極２を形成する。
得られたＩＴＯ電極２に電圧を印加して抵抗値の大きい
ＩＴＯ電極を有する基板を選択したところ、一部の基板
に第１図に示すような［ＴＯ１！極の欠陥部３が存在す
ることが分かった。
ＩＴＯ電極を有する基板を選択したところ、一部の基板
に第１図に示すような［ＴＯ１！極の欠陥部３が存在す
ることが分かった。
次に、第２図に示すようにＩＴＯｔ極パターンの欠陥部
３に有機インジウム化合物の溶液（日本曹達（株）社製
、アトロンＮ１ｎ）を先の細い筆を用いて拡大鏡で目視
しながら塗布し、３５０℃〜４００℃で３０分間加熱す
ることにより有機インノウム化合物の塗膜を導電層に変
換し、第３図に示すように［ＴＯ電極の欠陥部３を修正
した。修正しｆこＩＴＯ電極は、再び電圧を印加して抵
抗値を測定したところ良品と同様の低い抵抗値を示し、
欠陥部が修正されたことを確認した。
３に有機インジウム化合物の溶液（日本曹達（株）社製
、アトロンＮ１ｎ）を先の細い筆を用いて拡大鏡で目視
しながら塗布し、３５０℃〜４００℃で３０分間加熱す
ることにより有機インノウム化合物の塗膜を導電層に変
換し、第３図に示すように［ＴＯ電極の欠陥部３を修正
した。修正しｆこＩＴＯ電極は、再び電圧を印加して抵
抗値を測定したところ良品と同様の低い抵抗値を示し、
欠陥部が修正されたことを確認した。
（ト）発明・の効果
この発明によれば、欠陥部を有する透明電極を修正し欠
陥のない透明電極に変換することのできる透明電極の欠
陥修正方法を提供することができる。ガラス基板等上に
ｒＴＯ等の透明電極に形成する時、透明電極の欠陥によ
り断線や抵抗値の上昇等の不良品が生じた場合その基板
は不良品として廃棄されていたが、この発明により修正
再生でき良品として用いることができる。
陥のない透明電極に変換することのできる透明電極の欠
陥修正方法を提供することができる。ガラス基板等上に
ｒＴＯ等の透明電極に形成する時、透明電極の欠陥によ
り断線や抵抗値の上昇等の不良品が生じた場合その基板
は不良品として廃棄されていたが、この発明により修正
再生でき良品として用いることができる。
第１図〜第３図は、この発明の実施例で修正した透明電
極の欠陥及びその修正方法の説明図、第４図は、この発
明の実施例で作製した透明電極パターンの製産工程の説
明図である。 ｌ・・・・・ガラス基板、２・・・・・・ＩＴＯ電極、
２Ａ・・・・・ＩＴＯ＠、３・・・・・・ＩＴＯ電極の
欠陥部、４・・・・・・修正部、 ５・・・・・・
レノストパターン、５Ａ・・・・・・レジスト膜、６・
・・・・・マスク板。
極の欠陥及びその修正方法の説明図、第４図は、この発
明の実施例で作製した透明電極パターンの製産工程の説
明図である。 ｌ・・・・・ガラス基板、２・・・・・・ＩＴＯ電極、
２Ａ・・・・・ＩＴＯ＠、３・・・・・・ＩＴＯ電極の
欠陥部、４・・・・・・修正部、 ５・・・・・・
レノストパターン、５Ａ・・・・・・レジスト膜、６・
・・・・・マスク板。
Claims (1)
- １、ガラス基板上に、酸化インジウムと酸化スズとの混
合酸化物を気相堆積しホトリソグラフィ法によって所定
のパターンにエッチングして透明電極を形成し、この透
明電極に電圧を印加することによって欠陥部を有する透
明電極を選択し、この欠陥部に有機インジウム化合物を
塗布し、この有機インジウム化合物の塗膜を３００〜４
５０℃に加熱することによって導電層に変換して透明電
極の欠陥部を修正することを特徴とする透明電極の欠陥
修正方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22407889A JPH0385523A (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | 透明電極の欠陥修正方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP22407889A JPH0385523A (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | 透明電極の欠陥修正方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0385523A true JPH0385523A (ja) | 1991-04-10 |
Family
ID=16808214
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP22407889A Pending JPH0385523A (ja) | 1989-08-29 | 1989-08-29 | 透明電極の欠陥修正方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0385523A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6331348B1 (en) | 1997-10-20 | 2001-12-18 | Alps Electric Co., Ltd. | Substrate having repaired metallic pattern and method and device for repairing metallic pattern on substrate |
| WO2003069023A1 (fr) * | 2002-02-14 | 2003-08-21 | Hyper Photon Systems, Inc. | Procede et appareil de reparation de structure fine |
| JP2007135698A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Lumica Corp | 抽選具 |
| CN106950758A (zh) * | 2017-03-03 | 2017-07-14 | 惠科股份有限公司 | 一种显示面板及其制程和显示装置 |
-
1989
- 1989-08-29 JP JP22407889A patent/JPH0385523A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6331348B1 (en) | 1997-10-20 | 2001-12-18 | Alps Electric Co., Ltd. | Substrate having repaired metallic pattern and method and device for repairing metallic pattern on substrate |
| US6875952B2 (en) | 1997-10-20 | 2005-04-05 | Alps Electric Co., Ltd. | Substrate having repaired metallic pattern and method and device for repairing metallic pattern on substrate |
| WO2003069023A1 (fr) * | 2002-02-14 | 2003-08-21 | Hyper Photon Systems, Inc. | Procede et appareil de reparation de structure fine |
| JP2007135698A (ja) * | 2005-11-15 | 2007-06-07 | Lumica Corp | 抽選具 |
| CN106950758A (zh) * | 2017-03-03 | 2017-07-14 | 惠科股份有限公司 | 一种显示面板及其制程和显示装置 |
| WO2018157507A1 (zh) * | 2017-03-03 | 2018-09-07 | 惠科股份有限公司 | 一种显示面板及其制程 |
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