JPH0462518A - 絶縁性遮光膜パターン及びその形成方法 - Google Patents
絶縁性遮光膜パターン及びその形成方法Info
- Publication number
- JPH0462518A JPH0462518A JP2174183A JP17418390A JPH0462518A JP H0462518 A JPH0462518 A JP H0462518A JP 2174183 A JP2174183 A JP 2174183A JP 17418390 A JP17418390 A JP 17418390A JP H0462518 A JPH0462518 A JP H0462518A
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- Japan
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- light
- film
- copper oxide
- oxide film
- shielding film
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- Pending
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- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
本発明は、液晶デイスプレー等に用いるのに好適な絶縁
性遮光膜パターンとその形成方法に関する。
性遮光膜パターンとその形成方法に関する。
液晶デイスプレー（ＬＣＤ）における一つの技術として
、透光性基板上への遮光膜の成膜技術がある。この遮光
膜は、主としてデイスプレーの外枠部分のマスクとして
使用されるものであり、遮光性の高いＮｉやＣｒ等の金
属が、スッパッタリング法や真空蒸着法により、透光性
基板上に成膜して形成される。 一方、カラーＬＣＤや大型ＬＣＤの開発と普及に伴い、
画面をより鮮明にするための技術として、透光性基板上
に細い遮光膜パターンを形成する技術が必要となった。 この遮光誤パターンは、透光性基板上に数ミクロンの細
いラインを輪状あるいは格子状に形成するもので、その
効果を明確にするために、同遮光膜パターンは絶縁性を
存することが要求される。 従来、このような絶縁性と遮光性とを共に育するパター
ンとして、酸化物薄膜の採用が検討されている。しかし
、多くの酸化物薄膜は、膜厚が薄いと、透光性が高（、
遮光性に問題がある。そこで、遮光性の高い金属膜を形
成して、これをパターニングした後、その上に絶縁性の
高い酸化物薄膜を形成し、これをパターニングするとい
う手段により、全体として遮光性及び絶縁性の双方を満
足する絶縁性遮光膜パターンを形成する技術が検討され
ている。
、透光性基板上への遮光膜の成膜技術がある。この遮光
膜は、主としてデイスプレーの外枠部分のマスクとして
使用されるものであり、遮光性の高いＮｉやＣｒ等の金
属が、スッパッタリング法や真空蒸着法により、透光性
基板上に成膜して形成される。 一方、カラーＬＣＤや大型ＬＣＤの開発と普及に伴い、
画面をより鮮明にするための技術として、透光性基板上
に細い遮光膜パターンを形成する技術が必要となった。 この遮光誤パターンは、透光性基板上に数ミクロンの細
いラインを輪状あるいは格子状に形成するもので、その
効果を明確にするために、同遮光膜パターンは絶縁性を
存することが要求される。 従来、このような絶縁性と遮光性とを共に育するパター
ンとして、酸化物薄膜の採用が検討されている。しかし
、多くの酸化物薄膜は、膜厚が薄いと、透光性が高（、
遮光性に問題がある。そこで、遮光性の高い金属膜を形
成して、これをパターニングした後、その上に絶縁性の
高い酸化物薄膜を形成し、これをパターニングするとい
う手段により、全体として遮光性及び絶縁性の双方を満
足する絶縁性遮光膜パターンを形成する技術が検討され
ている。
すなわち、本発明では、前記課題を解決するため、透光
性基板上に形成された絶縁性遮光膜からなるパターンで
あって、該パターンを形成する絶縁性遮光膜が酸化銅か
らなる絶縁性遮光膜パターンを提供する。 さらに、透光性基板上に絶縁性遮光膜からなるパターン
を形成する方法において、透光性基板上に酸化銅膜を形
成する工程と、該酸化銅膜をパターニングする工程とを
有する絶縁性遮光膜パターンの形成方法を提供する。
性基板上に形成された絶縁性遮光膜からなるパターンで
あって、該パターンを形成する絶縁性遮光膜が酸化銅か
らなる絶縁性遮光膜パターンを提供する。 さらに、透光性基板上に絶縁性遮光膜からなるパターン
を形成する方法において、透光性基板上に酸化銅膜を形
成する工程と、該酸化銅膜をパターニングする工程とを
有する絶縁性遮光膜パターンの形成方法を提供する。
後に詳細に説明するように、酸化銅膜は、それ自体が高
い絶縁性を存すると同時に、遮光性が高い。例えば、波
長５５０ｎｍの光に対する膜厚８０００オングストロー
ムの酸化銅膜の光の透過率は、０．３％以下である。さ
らに、その酸化銅膜のシート抵抗は、約２．５Ｘ１０６
Ω／口であり、実用上充分な遮光性と絶縁性が得られる
。 そして、この酸化銅膜をパターニングすることにより、
絶縁性遮光膜パターンが形成されることから、パターニ
ングが一度で済むため、精密なパターニングが実現でき
、細密なパターンが容易に得られる。
い絶縁性を存すると同時に、遮光性が高い。例えば、波
長５５０ｎｍの光に対する膜厚８０００オングストロー
ムの酸化銅膜の光の透過率は、０．３％以下である。さ
らに、その酸化銅膜のシート抵抗は、約２．５Ｘ１０６
Ω／口であり、実用上充分な遮光性と絶縁性が得られる
。 そして、この酸化銅膜をパターニングすることにより、
絶縁性遮光膜パターンが形成されることから、パターニ
ングが一度で済むため、精密なパターニングが実現でき
、細密なパターンが容易に得られる。
次に本発明の実施例について、詳細に説明する。
第１図は、液晶デイスプレーの要部の断面を示すもので
、ガラス板等の透光性基板Ｌ １の対向する面に各々
、酸化インジウム錫膜や酸化錫膜等の透明導電膜からな
らる透明電極３．４が各々形成され、この間に液晶５が
封入されている。本発明による絶縁性遮光膜パターン６
は、酸化銅膜からなり、第１図の実施例では、同パター
ン６が前記一方の透光性基板１側に形成された透明電極
３の縁に形成されている。 このような透明電極３と絶縁性遮光膜パターン６を形成
する方法の例を、第４図により説明すると、先ず同図（
ａ）で示されたように、スプレー法や霧状の原料溶液を
加熱された基板に吹き付けて成膜させる、いわゆる化学
的霧成膜法（ＣＭＤ法）により、透光性基板１の上に酸
化インジウム錫膜や酸化錫膜等からなる透明導電Ｗｉ３
’を一様に成膜する。そして、この透明導電膜３′の上
に、所定のパターンに従ってエツチングレジスト７を印
刷し、透明導電膜３′をエツチングし、パターンニング
された透明電極３．３・・・を形成する。 前記エツチングレジスト７を除去した後、この上に一様
に酸化銅膜６′を成膜する。そして、この酸化銅膜６′
の上に、所定のパターンに従ってエツチングレジスト８
を印刷し、酸化銅膜６′をエツチングして、パターンニ
ングされた絶縁性遮光膜パターン６．６・・・を形成す
る。最後にエツチングレジスト８を除去することにより
、本発明の絶縁性遮光膜パターン６．６・・・を有する
透光性基板１が完成する。 前記酸化銅膜６′を形成する一般的な方法の第一は、有
機銅の溶液を霧化し、これを加熱されたガラス基板の表
面に接触させる方法である。 例えば、ナフテン酸銅の２〜５％のエタノール溶液を霧
化し、これを３００〜５００℃に加熱されたガラス基板
の表面に接触させる。すると、を機銅に含まれる金属銅
成分が、空気中や溶液中の酸素と反応すると共に、ガラ
ス基板の表面に堆積し、酸化銅の薄膜が形成される。 前記酸化銅膜６′を形成する方法の第二の例は、いわゆ
るデイツプ法によるものである。例えば、金厘銅約５％
を含むナフテン酸銅のトルエン溶液を用意し、これにガ
ラス基板を浸漬した後、速度２０ｍｍ／ｍ ｉ ｎで引
き上げる。その後、ガラス基板の表面に付着したナフテ
ン酸銅溶液を空気中において３００〜５００℃の温度で
１０分間加熱し、ガラス基板の表面に酸化銅１！６’を
形成する。この方法では、熱処理時に、ガラス基板の表
面に付着したナフテン酸銅の金属銅成分が、空気中や溶
液中の酸素と反応し、ガラス基板の表面に酸化銅膜６′
が形成される。 この方法では、透光性基板１を溶液に浸漬し、さらに熱
処理するサイクルを何度が繰り返すことにより、所要の
膜厚の酸化銅膜６′が形成できる。例えば、前述の方法
で酸化銅膜６′を形成する場合、１回のデイツプ毎に約
１３００オングストロームの膜厚が形成される。そして
、その膜厚により、遮光性や絶縁性に違いが見られる。 例えば第２図は、前述のデイツプ法で形成された酸化銅
膜６′の光の透過率（％）と、デイツプ回数（回）との
関係を示すグラフである。デイツプ回数６回で約７８０
０オングストロームの膜厚が得られ、６００ｎｍの光の
透過率は０．５％である。また第３図は、酸化銅膜６′
のシート抵抗値（Ω／口）とデイツプ回数（回）との関
係を示すグラフであり、デイツプ回数６回の酸化銅１１
！６’のシート抵抗は、２゜７Ｘ１０５Ω／口である。 酸化銅膜を形成する他の方法としては、佇機銅溶液をス
ピンコード法やロールコート法で塗布し、これを加熱処
理する方法等も挙げられる。 次に、この酸化銅膜を所定のパターンでエツチングする
。例えば、酸化銅膜の上に感光性エツチングレジスト溶
液をスピンコード法により塗布し、これを９０℃の温度
で５分子備加熱して硬化させた後、これを所定のパター
ンに従い、１３０ｍＪ／ａｍ２の光で露光する。次いで
、この露光したレジスト膜を水酸化カリウム溶液で現像
した後、１５０℃の温度で２０分間本加熱し、塩酸溶液
でエツチングした後、水酸化ナトリウム溶液でレジスト
を剥離する。酸化銅からなる絶縁性遮光膜パターンが得
られる。 【発明の効果コ 以上説明した通り、本発明では、酸化銅膜を１度だけパ
ターニングするだけで必要な絶縁性と遮光性を備えた絶
縁性遮光膜パターンが得られる。このため、パターン精
度が高く、細密な絶縁性遮光膜パターンが提供できる効
果が得られる。
、ガラス板等の透光性基板Ｌ １の対向する面に各々
、酸化インジウム錫膜や酸化錫膜等の透明導電膜からな
らる透明電極３．４が各々形成され、この間に液晶５が
封入されている。本発明による絶縁性遮光膜パターン６
は、酸化銅膜からなり、第１図の実施例では、同パター
ン６が前記一方の透光性基板１側に形成された透明電極
３の縁に形成されている。 このような透明電極３と絶縁性遮光膜パターン６を形成
する方法の例を、第４図により説明すると、先ず同図（
ａ）で示されたように、スプレー法や霧状の原料溶液を
加熱された基板に吹き付けて成膜させる、いわゆる化学
的霧成膜法（ＣＭＤ法）により、透光性基板１の上に酸
化インジウム錫膜や酸化錫膜等からなる透明導電Ｗｉ３
’を一様に成膜する。そして、この透明導電膜３′の上
に、所定のパターンに従ってエツチングレジスト７を印
刷し、透明導電膜３′をエツチングし、パターンニング
された透明電極３．３・・・を形成する。 前記エツチングレジスト７を除去した後、この上に一様
に酸化銅膜６′を成膜する。そして、この酸化銅膜６′
の上に、所定のパターンに従ってエツチングレジスト８
を印刷し、酸化銅膜６′をエツチングして、パターンニ
ングされた絶縁性遮光膜パターン６．６・・・を形成す
る。最後にエツチングレジスト８を除去することにより
、本発明の絶縁性遮光膜パターン６．６・・・を有する
透光性基板１が完成する。 前記酸化銅膜６′を形成する一般的な方法の第一は、有
機銅の溶液を霧化し、これを加熱されたガラス基板の表
面に接触させる方法である。 例えば、ナフテン酸銅の２〜５％のエタノール溶液を霧
化し、これを３００〜５００℃に加熱されたガラス基板
の表面に接触させる。すると、を機銅に含まれる金属銅
成分が、空気中や溶液中の酸素と反応すると共に、ガラ
ス基板の表面に堆積し、酸化銅の薄膜が形成される。 前記酸化銅膜６′を形成する方法の第二の例は、いわゆ
るデイツプ法によるものである。例えば、金厘銅約５％
を含むナフテン酸銅のトルエン溶液を用意し、これにガ
ラス基板を浸漬した後、速度２０ｍｍ／ｍ ｉ ｎで引
き上げる。その後、ガラス基板の表面に付着したナフテ
ン酸銅溶液を空気中において３００〜５００℃の温度で
１０分間加熱し、ガラス基板の表面に酸化銅１！６’を
形成する。この方法では、熱処理時に、ガラス基板の表
面に付着したナフテン酸銅の金属銅成分が、空気中や溶
液中の酸素と反応し、ガラス基板の表面に酸化銅膜６′
が形成される。 この方法では、透光性基板１を溶液に浸漬し、さらに熱
処理するサイクルを何度が繰り返すことにより、所要の
膜厚の酸化銅膜６′が形成できる。例えば、前述の方法
で酸化銅膜６′を形成する場合、１回のデイツプ毎に約
１３００オングストロームの膜厚が形成される。そして
、その膜厚により、遮光性や絶縁性に違いが見られる。 例えば第２図は、前述のデイツプ法で形成された酸化銅
膜６′の光の透過率（％）と、デイツプ回数（回）との
関係を示すグラフである。デイツプ回数６回で約７８０
０オングストロームの膜厚が得られ、６００ｎｍの光の
透過率は０．５％である。また第３図は、酸化銅膜６′
のシート抵抗値（Ω／口）とデイツプ回数（回）との関
係を示すグラフであり、デイツプ回数６回の酸化銅１１
！６’のシート抵抗は、２゜７Ｘ１０５Ω／口である。 酸化銅膜を形成する他の方法としては、佇機銅溶液をス
ピンコード法やロールコート法で塗布し、これを加熱処
理する方法等も挙げられる。 次に、この酸化銅膜を所定のパターンでエツチングする
。例えば、酸化銅膜の上に感光性エツチングレジスト溶
液をスピンコード法により塗布し、これを９０℃の温度
で５分子備加熱して硬化させた後、これを所定のパター
ンに従い、１３０ｍＪ／ａｍ２の光で露光する。次いで
、この露光したレジスト膜を水酸化カリウム溶液で現像
した後、１５０℃の温度で２０分間本加熱し、塩酸溶液
でエツチングした後、水酸化ナトリウム溶液でレジスト
を剥離する。酸化銅からなる絶縁性遮光膜パターンが得
られる。 【発明の効果コ 以上説明した通り、本発明では、酸化銅膜を１度だけパ
ターニングするだけで必要な絶縁性と遮光性を備えた絶
縁性遮光膜パターンが得られる。このため、パターン精
度が高く、細密な絶縁性遮光膜パターンが提供できる効
果が得られる。
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の絶縁性遮光膜パターンの使用状態の
要部断面図、第２図は、同絶縁性遮光展パターンを形成
する酸化銅膜のＷＩ厚と光の透過率との関係を示すグラ
フ、第３図は、同絶縁性遮光膜パターンを形成する酸化
銅膜の膜厚とシート抵抗との関係を示すグラフ、第４図
（ａ）〜（ｄ）は、本発明の絶縁性遮光膜パターンの形
成方法による透光性基板の状態を示す要部断面図である
。 １、 ２・・・透光性基板 ６・・・絶縁性遮光膜パタ
ーン
要部断面図、第２図は、同絶縁性遮光展パターンを形成
する酸化銅膜のＷＩ厚と光の透過率との関係を示すグラ
フ、第３図は、同絶縁性遮光膜パターンを形成する酸化
銅膜の膜厚とシート抵抗との関係を示すグラフ、第４図
（ａ）〜（ｄ）は、本発明の絶縁性遮光膜パターンの形
成方法による透光性基板の状態を示す要部断面図である
。 １、 ２・・・透光性基板 ６・・・絶縁性遮光膜パタ
ーン
Claims (2)
- （１）透光性基板上に形成された絶縁性遮光膜からなる
パターンであって、該パターンを形成する絶縁性遮光膜
が酸化銅からなることを特徴とする絶縁性遮光膜パター
ン。 - （２）透光性基板上に絶縁性遮光膜からなるパターンを
形成する方法において、透光性基板上に酸化銅膜を形成
する工程と、該酸化銅膜をパターニングする工程とを有
することを特徴とする絶縁性遮光膜パターンの形成方法
。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2174183A JPH0462518A (ja) | 1990-06-30 | 1990-06-30 | 絶縁性遮光膜パターン及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2174183A JPH0462518A (ja) | 1990-06-30 | 1990-06-30 | 絶縁性遮光膜パターン及びその形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0462518A true JPH0462518A (ja) | 1992-02-27 |
Family
ID=15974170
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2174183A Pending JPH0462518A (ja) | 1990-06-30 | 1990-06-30 | 絶縁性遮光膜パターン及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0462518A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6785211B2 (en) | 2001-02-07 | 2004-08-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Automatic power control apparatus of disc drive |
| US7411886B2 (en) | 2000-05-11 | 2008-08-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Device and method of recording information on an optical disc |
-
1990
- 1990-06-30 JP JP2174183A patent/JPH0462518A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7411886B2 (en) | 2000-05-11 | 2008-08-12 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Device and method of recording information on an optical disc |
| US6785211B2 (en) | 2001-02-07 | 2004-08-31 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Automatic power control apparatus of disc drive |
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