JPS5826121B2 - 透明導電膜精密パタ−ン形成法 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は精密なパターンの透明導電膜の形成法に関する
。

本発明の目的は精密なる透明導電膜パターンを容易に形
成することにある。

本発明の他の目的は透明導電膜パターンの形成に何らの
影響をおよぼさないキノンジアジド形ホトレジストを使
い精密なパターンを作ることにある。

光を透過し、しかも電気伝導性を示す膜としては古くか
らＴｉ、Ａｕ等の蒸着薄膜が知られているが、最近は電
気伝導性が優れているうえに光透過率も大きい酸化スズ
や、酸化インジウム等の金属酸化物被膜がしばしば用い
られる様になってきている。

特に最近、液晶の研究が進むにつれて、これらの透明導
電膜は液晶表示駆動電極材料として注目されている。

更にまた金属酸化物の結晶や磁器などでＫｅ ｒ ｒ効
果等の電気光学効果を示す材料用の電極としても欠かせ
ないものとなってきている。

しかし、この様な用途に用いられる場合、透明導電膜は
複雑なパターンを要求されることが多く、その精度も高
度なものが要求される。

一般にこの条件を満たすための従来の透明導電膜パター
ンの形成方法は基板を５００℃付近の加熱炉に入れ、塩
化第一スズ、氷酢酸、エタノールを混合した液を吹き付
けにより吹き付けた後、炉から取り出しホトレジストで
パターンを作製し、レジストパターン以外の不用部分は
Ｚｎ粉末を散布し、ＨＣ１溶液と反応させエツチング除
去して必要なパターンを得ている。

この方法ではＺｎの駒側羽体１〜２μあり、実際に散布
する時には空気中の水分等の影響により、粒径が５μ位
になってしまうため精密なる微細パターンを作り出すこ
とは非常に困難である。

また膜自身吹き付けによるものであるため膜厚が不均一
になり、エツチングにも高度の技術が要求される。

また他の方法としてはまず基板にＣｒｔ蒸着せしめ、ホ
トレジストで陰画パターンを作製する。

レジストパターン以外の不用部分のクロムは赤血塩のア
ルカリ溶液でエツチングし、レジストパターンしてまず
クロムの陰画パターンを形成し、酸化スズ等の透明導電
膜を前記方法で付着させた後、Ｃｒをエツチング除去し
、同時に不用導電膜も除去し透明導電膜パターンを作製
するという方法もあるが、この方式ではクロムを蒸着し
た際にクロム膜の表面が酸化物状態となり、酸化スズ等
を付着させると基板あるいは酸化スズ等と酸化物どうし
、強力に結合しクロム膜のエツチングか困難であるばか
りでなく、ややもするとエツチングできない状態に陥る
ことになる。

更に他の方法として基板に５φ程度の酸化スズを含む酸
化インジウムを真空蒸着により付着させた後、熱処理を
しネガタイプのホトレジストによりパターンを作製し、
レジストパターン以外を修酸等によりエツチングする方
式があるが、この方法では導電膜が完全な酸化物膜とし
て安定しているため完全なエツチング除去には長時間エ
ツチング液中に浸さなければならないため困難なばかり
かややもするとオーバーエツチングを起こしたり、レジ
ストパターンもエツチング液によりはがれたりする。

また前記方法により蒸着せしめ熱処理前にネガタイプホ
トレジストによりパターンを作製し、レジストパターン
以外の導電膜を修酸によりエツチングするものもあるが
、この方式ではエツチングは容易に行なえるがレジスト
除去の際、導電膜がまだ安定な状態でないためフェノー
ル系の剥離液に犯され、レジストと同時に剥離され、パ
ターンが崩れてしまう。

更にまたレジスト剥離の容易な方法として酸化インジウ
ムを真空蒸着により付着させて熱処理を行なったものに
アセトン等で容易に剥離のできるキノンジアジド系ホト
レジストによりパターンを作製し、塩酸、酢酸、リン酸
の混合液によりレジストパターン以外の透明導電膜をエ
ツチング除去する方式もあるがキノンジアジド系フォト
レジストはＡ１等の金属のホトエツチングにはきわめて
有効であるが酸化膜、ＣＶＤ膜などはややもすれば親水
性表面になりやすい基板に対して耐エツチング性は不十
分であるため、この方法での酸化インジウム等の透明導
電膜の精密パターン形成は適していない。

本発明は以上の様な従来法の欠点は全く持たず酸化物透
明導電膜の精密パターンを容易に、しかもエツチングや
レジスト剥離の際にも伺等問題を起こさずに作成し得る
方法を提供するものである。

本発明を第１図に於て説明する。

まず、第１図ａの如く基板に酸化スズあるいは酸化イン
ジウムを真空蒸着により付着させ、ｂの様にキノンジア
ジド系ホトレジストをスピンナーにより塗布し、マスク
アラ、イメントで露光後現像を行ない、Ｃの如きレジス
トパターンを作成する。

ｄはレジストパターン以外の不用部分を塩酸、酢酸、リ
ン酸を混合した液でエツチング除去したものを示す。

ｅはレジストを剥離後の状態で、剥離にはアセトンを使
用する。

ｆは蒸着時の着色および完全酸化を目的とするために熱
処理後の状態である。

このように熱処理前に導電膜のエツチングを行なえば膜
が完全に酸化か終了せず金属性が残っているため、キノ
ンジアジド系ホトレジストも適している。

また耐エツチング性も十分であり、レジスト除去にも剥
離液を用いないですむために導電膜に伺らの影響もなく
容易にできる。

この方法を用いれば５μ以下の精密パターンも容易に作
製できる。

以下、本発明について実施例で説明する。

実施例 １ ガラス板に真空蒸着により酸化スズを６００Ａ７蒸着に
より付着し、キノンジアジド系ホトレジストＡＺ−１３
５０ｔ−スピンナーにより塗布した。

塗布後、レジスト中の溶媒を蒸発させ、しかも温度によ
る架橋を生じない程度の温度７０℃で２０分乾燥し、マ
スクアライメントにより２０ＳｅＣ露光を行ない、現像
液に３９ｓｅｃ侵し、第１図の如きレジストパターンを
作製した。

レジストパターン以外の不用部分の膜は、しゆう酸によ
りエツチング除去した。

レジスト剥離にはアセトン溶液中に３Ｑｓｅｃ侵しレジ
ス）１溶解除去した後、完全に酸化終了させ、膜を透明
とするために４５０℃で巧分熱処理を行なった。

実施例 ２ ＰＬＺＴ；仮に真空蒸着により、酸化インジウムを８０
ＯＡ’蒸着しキノンジアジド系ホトレジスト０ＦＰＩス
ピンナーにより塗布する。

塗布後、レジスト中の溶媒を蒸発させ、しかも温度によ
る架橋を生じない程度の温度８５℃で２０分乾燥しマス
クアライメントにより１５ｓｅｃ露光を行ない、現像し
て第２図の如きレジストのパターンを作製した。

レジストパターン以外の不要部分は塩酸１０ｃｃ、酢酸
３０ｃｃとリン酸４９ｃｃとを混合した液により３０秒
液中に浸し、エツチング除去した。

レジスト剥離にはアセトン液中に２０ｓｅｃ浸し、溶解
除去した。

これによりできた透明導電膜パターンは蒸着時の着色が
残っているばかりか、膜としても非常に不安定な状態に
あるため５００℃で６分熱処理を行ない透明導電膜とし
て安定させた。

本実施例の精密導電膜を施したＰＬＺＴ；仮を時刻表示
に用いると第３図の如き完全固体化電子時計が完成する
。

以上、実施例で示す如く透明導電膜の熱処理前にキノン
ジアジド系ホトレジストでパターンを作製し、エツチン
グを行なえば容易に高精度精密パターンが形成できる。

【図面の簡単な説明】

第１図は本発明の方法を示した図である。 １は蒸着時の導電膜、２は基板、３はキノンジアジド系
ホトレジスト、４は熱処理後の透明導電膜。 第２図はレジストの精密パターンである。 第３図は本発明により得られたものを時計に組み込んだ
ものである。

Claims (1)

1. 【特許請求の範囲】 １ 以下の工程からなることを特徴とする透明導電膜精
   密パターン形成法。 （１）基板上に酸化スズあるいは酸化インジウムの薄膜
   を真空蒸着により形成する工程。 （２）前記薄膜上にキノンジアジド系ホトレジストを塗
   布する工程。 （３）前記キノンジアジド系ホトレジストを露光、現像
   して所定のレジストパターンを形成する工程。 （４）前記レジストパターン以外の不用部分をエツチン
   グ除去する工程。 （５）前記レジストパターンをアセトン液中に浸漬して
   剥離する工程。 （６）前記薄膜に熱処理を施こして完全酸化させる工程
   。