JPS5823735B2 - 薄膜コンデンサ−ないし薄膜抵抗用のタンタルから成る層の製法 - Google Patents
薄膜コンデンサ−ないし薄膜抵抗用のタンタルから成る層の製法Info
- Publication number
- JPS5823735B2 JPS5823735B2 JP51034115A JP3411576A JPS5823735B2 JP S5823735 B2 JPS5823735 B2 JP S5823735B2 JP 51034115 A JP51034115 A JP 51034115A JP 3411576 A JP3411576 A JP 3411576A JP S5823735 B2 JPS5823735 B2 JP S5823735B2
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- thin film
- layer
- tantalum
- rack
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/005—Electrodes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
- H01G4/00—Fixed capacitors; Processes of their manufacture
- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
- H01G4/06—Solid dielectrics
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10D—INORGANIC ELECTRIC SEMICONDUCTOR DEVICES
- H10D84/00—Integrated devices formed in or on semiconductor substrates that comprise only semiconducting layers, e.g. on Si wafers or on GaAs-on-Si wafers
- H10D84/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N97/00—Electric solid-state thin-film or thick-film devices, not otherwise provided for
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- Materials For Photolithography (AREA)
- Weting (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は、サブストレート上にタンタル層、次いでフォ
トラック層を施し、次いでそうして製造されたものを乾
燥、露光、現像、水中での洗浄処理し、ラックを硬化さ
せ、次いでタンタル層を硝酸と弗化水素酸の混合物から
成るエツチング溶液によってラックマスクによって被わ
れていない個所をエツチングしかつ次いで水中で洗浄し
、ラックマスクの溶離及び更に洗浄処理を行うことによ
って薄膜コンデンサないし薄膜抵抗用のタンタルから成
る層を製造する方法に関する。
トラック層を施し、次いでそうして製造されたものを乾
燥、露光、現像、水中での洗浄処理し、ラックを硬化さ
せ、次いでタンタル層を硝酸と弗化水素酸の混合物から
成るエツチング溶液によってラックマスクによって被わ
れていない個所をエツチングしかつ次いで水中で洗浄し
、ラックマスクの溶離及び更に洗浄処理を行うことによ
って薄膜コンデンサないし薄膜抵抗用のタンタルから成
る層を製造する方法に関する。
薄膜コンデンサないし薄膜抵抗のタンタル層を所定の範
囲で弗化水素酸／硝酸混合物中でエツチングすることは
公知である。
囲で弗化水素酸／硝酸混合物中でエツチングすることは
公知である。
この場合には、エツチング除去されない個所にはフォト
リトグラフィーによってラックマスクが施される。
リトグラフィーによってラックマスクが施される。
しかしながら、ラックマスクの接着は屡屡不十分であり
、従ってその都度タンタル層の状態及び厚さに基づいて
エラチン工程の終了前にラックマスクの強度のアンダー
エツチング及び／又は遊離が生じる場合がある。
、従ってその都度タンタル層の状態及び厚さに基づいて
エラチン工程の終了前にラックマスクの強度のアンダー
エツチング及び／又は遊離が生じる場合がある。
前記欠点を回避するためには、通常サブストレートの加
熱によるフォトラックの接着力は特殊なラック添加物又
は助剤によって高められる。
熱によるフォトラックの接着力は特殊なラック添加物又
は助剤によって高められる。
しかしながら、この種の手段はタンタル層においては実
施不可能である。
施不可能である。
タンタル層の場合には、即ち１５０℃以上で乾燥させる
と問題が生じる、それというのもこの場合には既に拡散
現象並びに表面酸化が生じるからである。
と問題が生じる、それというのもこの場合には既に拡散
現象並びに表面酸化が生じるからである。
それに対して、公知のラック添加物はタンタル薄膜技術
の分野に適用するには不十分であるかあるいは高い作業
経費を必要とする。
の分野に適用するには不十分であるかあるいは高い作業
経費を必要とする。
本発明の課題は、電極配位に相応して除去すべき範囲を
エツチングし、その場合にラックマスクの侵食ないしア
ンダーエツチングが回避される、タンタルから成る層の
製法を提供することである。
エツチングし、その場合にラックマスクの侵食ないしア
ンダーエツチングが回避される、タンタルから成る層の
製法を提供することである。
本発明方法は、約４０％の弗化水素酸と約６５係の硝酸
の混合物から成るエツチング溶液に酢酸を添加しかつ混
合物の成分比が相互に約１＝３：３になるように選択す
ることを特徴とする。
の混合物から成るエツチング溶液に酢酸を添加しかつ混
合物の成分比が相互に約１＝３：３になるように選択す
ることを特徴とする。
酢酸添加が行われたエツチング溶液は実際に公知である
。
。
しかしながら、この場合には酢酸添加は専ら緩衝のため
に行われる。
に行われる。
ラックマスクのアンダーエツチング及び／又は遊離を回
避するだめに行われた従来公知の努力は、電極ラックマ
スクの状態又は処理に向けられた。
避するだめに行われた従来公知の努力は、電極ラックマ
スクの状態又は処理に向けられた。
ところで本発明方法に基づき驚異的にもラックマスクの
最大可能な保護が行われる。
最大可能な保護が行われる。
従って、前述の欠点のために問題がある高い温度での加
熱は行う必要がない。
熱は行う必要がない。
エツチング剤のだめの酢酸から成る添加物は更に公知ラ
ック添加物の効果よりも数倍も優れている。
ック添加物の効果よりも数倍も優れている。
同時に、酸作の公知の緩衝−及び希釈効果が利用される
。
。
次に実施例につき本発明を詳説する。
この実施例はタンタール薄膜コンデンサの基礎電極の製
法に関する。
法に関する。
基礎材料は硬質ガラスサブストレートから成り、この材
料にカソードスパッタリングによって約４５００Ａのタ
ンタル層を被覆する。
料にカソードスパッタリングによって約４５００Ａのタ
ンタル層を被覆する。
次いで、被覆された硬質ガラスサブストレートを特別に
乾燥させることなく厚さ約２μのフォトラック層を散布
により施す。
乾燥させることなく厚さ約２μのフォトラック層を散布
により施す。
引続いて、循環空気炉内で８０℃半時間乾燥させる。
次いでその製品を２００Ｗの露光器で約１２秒間露光し
かつ希釈したアルカリ現像液で約５０秒間現像する。
かつ希釈したアルカリ現像液で約５０秒間現像する。
水洗（１０分間）及び循環空気炉内１５０℃考時間のラ
ックの硬化後、その製品を室温で、１：３：３０割合で
４０係の弗化水素酸、６５％の硝酸及び酢酸から成る混
合物中に浸漬する。
ックの硬化後、その製品を室温で、１：３：３０割合で
４０係の弗化水素酸、６５％の硝酸及び酢酸から成る混
合物中に浸漬する。
この場合に、被われていない個所のタンタル層は９０秒
間で完全にエツチング除去される。
間で完全にエツチング除去される。
引続いて１０分間水中で洗浄へラックマスクをアセトン
中で例えば８０℃の温度で１分間溶離させかつ水中で洗
浄する。
中で例えば８０℃の温度で１分間溶離させかつ水中で洗
浄する。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １ サブストレート上にタンタル層、次いでフォ；・ラ
ック層を施し、次いでそうして製造されたものを乾燥、
露光、現像、水中での洗浄処理し、ラックを硬化させ、
次いでタンタル層を硝酸と弗化水素酸の混合物から成る
エツチング溶液によってラックマスクによって被われて
いない個所をエツチングしかつ次いで水中で洗浄し、ラ
ックマスクの溶離及び更に洗浄処理を行うことによって
、薄膜コンデンサないし薄膜抵抗用のタンタルかう成る
層を製造する方法において、約４０％の弗化采。 素酸と約６５係の硝酸の混合物から成るエツチング溶液
に酢酸を添加しかつ混合物の成分比が相互に約１：３：
３になるように選択することを特徴とする薄膜コンデン
サないし薄膜抵抗用のタンタルから成る層の製法
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE19752513860 DE2513860C3 (de) | 1975-03-27 | Verfahren zur Herstellung einer aus Tantal bestehenden Schicht für Dünnschichtkondensatoren bzw. Dünnschichtwiderständen |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS51121174A JPS51121174A (en) | 1976-10-22 |
| JPS5823735B2 true JPS5823735B2 (ja) | 1983-05-17 |
Family
ID=5942665
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP51034115A Expired JPS5823735B2 (ja) | 1975-03-27 | 1976-03-26 | 薄膜コンデンサ−ないし薄膜抵抗用のタンタルから成る層の製法 |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS5823735B2 (ja) |
| BE (1) | BE840074A (ja) |
| CH (1) | CH604352A5 (ja) |
| DK (1) | DK141107C (ja) |
| FR (1) | FR2305838A1 (ja) |
| GB (1) | GB1504264A (ja) |
| IT (1) | IT1058515B (ja) |
| NL (1) | NL7603138A (ja) |
| SE (1) | SE7602902L (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH0722075B2 (ja) * | 1987-01-23 | 1995-03-08 | 日通工株式会社 | 固体電解コンデンサの半導体層形成方法 |
| US4934033A (en) * | 1987-01-23 | 1990-06-19 | Nitsuko Corporation | Method of manufacturing a solid electrolytic capacitor |
| US4805074A (en) * | 1987-03-20 | 1989-02-14 | Nitsuko Corporation | Solid electrolytic capacitor, and method of manufacturing same |
| CN109881204B (zh) * | 2017-12-06 | 2021-07-09 | 深圳新宙邦科技股份有限公司 | 一种镁银合金清洗剂及清洗方法 |
-
1976
- 1976-01-27 CH CH96476A patent/CH604352A5/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-02-27 SE SE7602902A patent/SE7602902L/xx unknown
- 1976-03-02 DK DK89176A patent/DK141107C/da not_active IP Right Cessation
- 1976-03-16 GB GB10433/76A patent/GB1504264A/en not_active Expired
- 1976-03-24 IT IT21523/76A patent/IT1058515B/it active
- 1976-03-24 FR FR7608510A patent/FR2305838A1/fr active Granted
- 1976-03-25 NL NL7603138A patent/NL7603138A/xx not_active Application Discontinuation
- 1976-03-26 BE BE165593A patent/BE840074A/xx not_active IP Right Cessation
- 1976-03-26 JP JP51034115A patent/JPS5823735B2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| FR2305838B1 (ja) | 1981-02-13 |
| DE2513860A1 (de) | 1976-09-30 |
| DK89176A (da) | 1976-09-28 |
| DK141107C (da) | 1980-07-07 |
| BE840074A (fr) | 1976-09-27 |
| DK141107B (da) | 1980-01-14 |
| GB1504264A (en) | 1978-03-15 |
| CH604352A5 (ja) | 1978-09-15 |
| IT1058515B (it) | 1982-05-10 |
| DE2513860B2 (de) | 1977-06-08 |
| NL7603138A (nl) | 1976-09-29 |
| FR2305838A1 (fr) | 1976-10-22 |
| JPS51121174A (en) | 1976-10-22 |
| SE7602902L (sv) | 1976-09-28 |
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