JPH01151237A - 透明導電性膜のエツチング方法 - Google Patents
透明導電性膜のエツチング方法Info
- Publication number
- JPH01151237A JPH01151237A JP31137587A JP31137587A JPH01151237A JP H01151237 A JPH01151237 A JP H01151237A JP 31137587 A JP31137587 A JP 31137587A JP 31137587 A JP31137587 A JP 31137587A JP H01151237 A JPH01151237 A JP H01151237A
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- Japan
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- film
- etching
- transparent conductive
- conductive film
- ammonium persulfate
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
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Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、透明導電性膜のエツチング方法に関するもの
であり、具体的には液晶表示装置等に用いられる透明導
電性膜のエツチング方法に関するものである。
であり、具体的には液晶表示装置等に用いられる透明導
電性膜のエツチング方法に関するものである。
第４図は例えば刊行物（Ｔｈｉｎ Ｓｏｌ ｌｄ Ｆｉ
１ｍｓ 、１４１（１９８６） Ｌ８８）に示された
従来の透明導電性膜であるＩＴＯのエツチングに用いる
りん酸水溶液のエツチング特性を示したグラフである。
１ｍｓ 、１４１（１９８６） Ｌ８８）に示された
従来の透明導電性膜であるＩＴＯのエツチングに用いる
りん酸水溶液のエツチング特性を示したグラフである。
また、第３図■〜Ｃは、第４図に特性を記載したエツチ
ング液を用いて透明導電性膜をパターン形成する方法を
工程順に示す断面図である。図において、（１１は基板
、１２）は基板１１）上にパターン形成された下層配線
、（３１は下層配線（２）上に形成された透明導電性膜
、（４）は透明導電性膜上にパターン形成され九レジス
トである。
ング液を用いて透明導電性膜をパターン形成する方法を
工程順に示す断面図である。図において、（１１は基板
、１２）は基板１１）上にパターン形成された下層配線
、（３１は下層配線（２）上に形成された透明導電性膜
、（４）は透明導電性膜上にパターン形成され九レジス
トである。
次にエツチング方法について説明する。ガラス等の基板
＋１１上に透明導電性膜（３）、例えばここではＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）膜（３）を１０
０〜５０００Ａ形成する。ＩＴＯｇ （３１上にレジス
ト（４１を写真製版技術等を用いて所望のパターンにパ
ターン形成する（第３図１）。しかる後、この基板を例
えば６０℃に加湿したりん酸水溶液（りん酸：水−１：
３）に浸漬し、ＩＴＯ膜（３）をエツチングする（纂３
図ｂ）。
＋１１上に透明導電性膜（３）、例えばここではＩＴＯ
（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−Ｏｘｉｄｅ）膜（３）を１０
０〜５０００Ａ形成する。ＩＴＯｇ （３１上にレジス
ト（４１を写真製版技術等を用いて所望のパターンにパ
ターン形成する（第３図１）。しかる後、この基板を例
えば６０℃に加湿したりん酸水溶液（りん酸：水−１：
３）に浸漬し、ＩＴＯ膜（３）をエツチングする（纂３
図ｂ）。
この時、６０℃は３．ＯＸ ｔｏ−ａ Ｋ−１に相当す
るので、第４図のグラフからエツチングレートｆｌ ｊ
ｎＶ−１，５となり約８３０Ａ ／ ｍｌｎが得られる
のが分るので、ＩＴＯ膜（３）の膜厚に応じてエツチン
グ時間を算出し、所定の時間エツチングを行う。
るので、第４図のグラフからエツチングレートｆｌ ｊ
ｎＶ−１，５となり約８３０Ａ ／ ｍｌｎが得られる
のが分るので、ＩＴＯ膜（３）の膜厚に応じてエツチン
グ時間を算出し、所定の時間エツチングを行う。
しかる後、レジスト膜（４）を除去し、ＩＴＯ膜（３）
のパターンを得る（第３図Ｃ）。
のパターンを得る（第３図Ｃ）。
従来の透明導電性膜のエツチング方法は以上のように構
成されているので、アルミニウム膜、クロム嗅、モリブ
デン嗅等、他の金属膜との選択性が急く、金属配線パタ
ーンのオーブン欠陥を誘発し易いなどの問題点があった
。
成されているので、アルミニウム膜、クロム嗅、モリブ
デン嗅等、他の金属膜との選択性が急く、金属配線パタ
ーンのオーブン欠陥を誘発し易いなどの問題点があった
。
この発明は上記のような問題点を解消するためになされ
たもので、クロム膜、モリブデン膜、アルミニウム膜等
の他の金属配線パターンのオープン欠陥などを訪発しに
く透明導電性膜のエツチング方法を得ることを目的とす
る。
たもので、クロム膜、モリブデン膜、アルミニウム膜等
の他の金属配線パターンのオープン欠陥などを訪発しに
く透明導電性膜のエツチング方法を得ることを目的とす
る。
この発明に係る透明導電性膜のエツチング方法は、エツ
チング溶液として過硫酸アンモニウムを含む溶液を使用
するものである。
チング溶液として過硫酸アンモニウムを含む溶液を使用
するものである。
この発明における透明導電性膜のエツチング方法は、エ
ツチング液に含まれる過硫酸アンモニウムによりアルミ
ニウム膜、クロム嗅、モリブデン膜等の金属膜のエツチ
ングレートを低減させ、高選択比を有した状態で透明導
電性膜をエツチング加工するものである。
ツチング液に含まれる過硫酸アンモニウムによりアルミ
ニウム膜、クロム嗅、モリブデン膜等の金属膜のエツチ
ングレートを低減させ、高選択比を有した状態で透明導
電性膜をエツチング加工するものである。
以下、この発明の一実施例を図について説明する。第２
図は過硫酸アンモニウム水溶液（２Ｑｗｔ％）にＩＴＯ
膜を浸漬した場合のエツチング液温とエツチングレート
の関係を表わす特性図である。第１図ａ〜ｃ Ｉｒｅ
ｍ ２図に特性を示したエツチング液（過硫酸アンモニ
ウム水溶液）を用いて、透明導電性膜をエツチングする
方法鵞工程順に示す断面図である。ＷＩＪ１図において
、＋（１）！基板で、例えばガラス基板、ｌ？！ｌｌｊ
ガラス基板１１．１上に形成された下層配線体で、例え
ば厚さ５００〜５０００Ａのクロム膜、（３）ハクロム
膜（２）上に形成された透明導電性膜で、例えば厚さ５
００〜５０００ＡのＩＴＯ膜、（４）はＩＴＯ膜（３１
上に形成されたレジストで、例えば写真製版技術を用い
て所望のパターンに形成されたフオトレジス） ０ＦＰ
Ｒ−８００（東京応化社製）（以下フォトレジストと略
す）である。
図は過硫酸アンモニウム水溶液（２Ｑｗｔ％）にＩＴＯ
膜を浸漬した場合のエツチング液温とエツチングレート
の関係を表わす特性図である。第１図ａ〜ｃ Ｉｒｅ
ｍ ２図に特性を示したエツチング液（過硫酸アンモニ
ウム水溶液）を用いて、透明導電性膜をエツチングする
方法鵞工程順に示す断面図である。ＷＩＪ１図において
、＋（１）！基板で、例えばガラス基板、ｌ？！ｌｌｊ
ガラス基板１１．１上に形成された下層配線体で、例え
ば厚さ５００〜５０００Ａのクロム膜、（３）ハクロム
膜（２）上に形成された透明導電性膜で、例えば厚さ５
００〜５０００ＡのＩＴＯ膜、（４）はＩＴＯ膜（３１
上に形成されたレジストで、例えば写真製版技術を用い
て所望のパターンに形成されたフオトレジス） ０ＦＰ
Ｒ−８００（東京応化社製）（以下フォトレジストと略
す）である。
次にこの発明の一実施例による透明導電性膜の具体的な
エツチング方法を説明する。第１図において、ガラス基
板（１）上にＩＴＯ膜（３）を形成する。この時、ＩＴ
Ｏｌｌｌ［（３１の下層にクロム膜（２）が形成されて
いても良い。ＩＴＯ膜（３１上にフォトレジスト（４）
全所望のパターンに形成する（第１図ａ）、、この基板
を例えば７０℃に加温した過（Ｉ＋！酸アンモニウム水
溶液（２０ｗｔ％）に浸漬する。ＩＴＯ膜（３）のエツ
チングレートは第２図よシ分るので、ＩＴＯ膜（３）の
膜厚に応じてエツチングに要する時間を算出し、所定の
時間エツチングする（＠１図ｂ）。この時、クロム膜（
２）ハ過硫酸アンモニウムに対し、不働態化し、ダメー
ジを受けない。しかる後、レジスト（４）を除去し、Ｉ
ＴＯ膜（３）のパターンを得る（ｆｊｇ１図Ｃ）。
エツチング方法を説明する。第１図において、ガラス基
板（１）上にＩＴＯ膜（３）を形成する。この時、ＩＴ
Ｏｌｌｌ［（３１の下層にクロム膜（２）が形成されて
いても良い。ＩＴＯ膜（３１上にフォトレジスト（４）
全所望のパターンに形成する（第１図ａ）、、この基板
を例えば７０℃に加温した過（Ｉ＋！酸アンモニウム水
溶液（２０ｗｔ％）に浸漬する。ＩＴＯ膜（３）のエツ
チングレートは第２図よシ分るので、ＩＴＯ膜（３）の
膜厚に応じてエツチングに要する時間を算出し、所定の
時間エツチングする（＠１図ｂ）。この時、クロム膜（
２）ハ過硫酸アンモニウムに対し、不働態化し、ダメー
ジを受けない。しかる後、レジスト（４）を除去し、Ｉ
ＴＯ膜（３）のパターンを得る（ｆｊｇ１図Ｃ）。
なお、上記実施例では基板１ｊ＋としてガラス基板を用
いた場合について説明したが、これに限るものではなく
、例えばシリコン等地のものであってもよい。
いた場合について説明したが、これに限るものではなく
、例えばシリコン等地のものであってもよい。
また、上記実施例では下層金属膜（２）がクロム膜であ
る場合について説明、したが、アルミニウム膜やモリブ
デン膜等の金属膜であってもよく、またこれらの多層膜
であってもよい。たたし、銅膜やニッケルーりん膜は適
さない。
る場合について説明、したが、アルミニウム膜やモリブ
デン膜等の金属膜であってもよく、またこれらの多層膜
であってもよい。たたし、銅膜やニッケルーりん膜は適
さない。
また、透明導電性膜（３）についても上記実施例で用い
たＩＴＯ膜以外に５ｎ０２膜やＹ２Ｏ５膜等が挙げられ
、さらにこれらの多層膜であってもよい。
たＩＴＯ膜以外に５ｎ０２膜やＹ２Ｏ５膜等が挙げられ
、さらにこれらの多層膜であってもよい。
また、上記実施例ではレジスト（４）にフォトレジスト
０ＦＰＲ−８００（東京応化社製）を用いた場合につい
て説明したが、これに限るものでになく、他のフォトレ
ジストであってもよ＜、サラにＥＢ Ｌ／シスト等であ
ってもよい。
０ＦＰＲ−８００（東京応化社製）を用いた場合につい
て説明したが、これに限るものでになく、他のフォトレ
ジストであってもよ＜、サラにＥＢ Ｌ／シスト等であ
ってもよい。
また、上記実施例でげエツチング液として２０ｗｔチの
過硫酸アンモニウム水浴液を用いた場合について説明し
たが、２ｗｔ％以上の過硫酸アンモニウムを含む溶液で
あればよく、硫酸や塩酸や酢酸等の他の酸等が含まれて
いてもよい。ただし、過硫酸アンモニウムの含有量が２
ｗｔ％より少ないと、透明導電性膜（３）と他の金纏膜
（２）との選択性が悪くなる。
過硫酸アンモニウム水浴液を用いた場合について説明し
たが、２ｗｔ％以上の過硫酸アンモニウムを含む溶液で
あればよく、硫酸や塩酸や酢酸等の他の酸等が含まれて
いてもよい。ただし、過硫酸アンモニウムの含有量が２
ｗｔ％より少ないと、透明導電性膜（３）と他の金纏膜
（２）との選択性が悪くなる。
さらに、第２図に示すように、エツチング液温が５０′
ｃより低い場合はエツチングレートが低く実用的でない
。
ｃより低い場合はエツチングレートが低く実用的でない
。
以上のように、この発明によれば、エツチング溶液とし
て過硫酸アンモニウムを含む溶液を使用するので、他の
金属膜との選択性良くエツチングでき、金属配線膜等の
オーブン欠陥を誘発しにくい透明導電性膜の工゛ンチン
グ方法が得られる効果がある。
て過硫酸アンモニウムを含む溶液を使用するので、他の
金属膜との選択性良くエツチングでき、金属配線膜等の
オーブン欠陥を誘発しにくい透明導電性膜の工゛ンチン
グ方法が得られる効果がある。
第１図（、）〜（Ｃ）はこの発明の一実施例による透明
導電性膜のエツチング方法を工程順に示す断面図、８１
！２図はこの発明の一実施例に係るＩＴＯ膜のエツチン
グ特性を示す特性図、第３図（、）〜（Ｃ）Ｈ従来の透
明導電性膜のエツチング方法を工程順に示す断面図、第
４図は従来のＩＴＯ膜のエツチング特性を示す特性図で
ある。 図において、（１）に基板、（２１は下層配線体、（３
１は透明導電性膜、（４）にレジストである。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
導電性膜のエツチング方法を工程順に示す断面図、８１
！２図はこの発明の一実施例に係るＩＴＯ膜のエツチン
グ特性を示す特性図、第３図（、）〜（Ｃ）Ｈ従来の透
明導電性膜のエツチング方法を工程順に示す断面図、第
４図は従来のＩＴＯ膜のエツチング特性を示す特性図で
ある。 図において、（１）に基板、（２１は下層配線体、（３
１は透明導電性膜、（４）にレジストである。 なお、各図中、同一符号は同一または相当部分を示す。
Claims (4)
- （１）基板上に形成された透明導電性膜のエッチング方
法において、エッチング溶液として過硫酸アンモニウム
を含む溶液を使用することを特徴とする透明導電性膜の
エッチング方法。 - （２）透明導電性膜はＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ−Ｔｉｎ−
Ｏｘｉｄｅ）、ＳｎＯ＿２およびＹ＿２Ｏ＿３のうちの
一種である特許請求の範囲第１項記載の透明導電性膜の
エッチング方法。 - （３）エッチング溶液は、少なくとも２ｗｔ％の過硫酸
アンモニウムを含む水溶液である特許請求の範囲第１項
または第２項記載の透明導電性膜のエッチング方法。 - （４）エッチング溶液は５０℃以上に保つて使用される
特許請求の範囲第１項ないし第３項のいずれかに記載の
透明導電性膜のエッチング方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31137587A JPH01151237A (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | 透明導電性膜のエツチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP31137587A JPH01151237A (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | 透明導電性膜のエツチング方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH01151237A true JPH01151237A (ja) | 1989-06-14 |
Family
ID=18016421
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP31137587A Pending JPH01151237A (ja) | 1987-12-08 | 1987-12-08 | 透明導電性膜のエツチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH01151237A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002140021A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-17 | Techno Semichem Co Ltd | 透明導電膜のエッチング液組成物 |
| KR100415319B1 (ko) * | 2000-10-19 | 2004-01-16 | 테크노세미켐 주식회사 | 투명도전막의 에칭액 조성물 |
| KR100765140B1 (ko) * | 2001-05-30 | 2007-10-15 | 삼성전자주식회사 | 알루미늄과 아이티오를 동시에 식각하기 위한 식각액 조성물 |
| CN103713473A (zh) * | 2013-12-29 | 2014-04-09 | 陕西师范大学 | 一种利用受限光催化氧化改性ito的方法及其应用 |
Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60186019A (ja) * | 1984-03-05 | 1985-09-21 | Mitsubishi Electric Corp | Ｉｔｏのエツチング方法 |
-
1987
- 1987-12-08 JP JP31137587A patent/JPH01151237A/ja active Pending
Patent Citations (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS60186019A (ja) * | 1984-03-05 | 1985-09-21 | Mitsubishi Electric Corp | Ｉｔｏのエツチング方法 |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002140021A (ja) * | 2000-10-19 | 2002-05-17 | Techno Semichem Co Ltd | 透明導電膜のエッチング液組成物 |
| KR100415319B1 (ko) * | 2000-10-19 | 2004-01-16 | 테크노세미켐 주식회사 | 투명도전막의 에칭액 조성물 |
| KR100765140B1 (ko) * | 2001-05-30 | 2007-10-15 | 삼성전자주식회사 | 알루미늄과 아이티오를 동시에 식각하기 위한 식각액 조성물 |
| CN103713473A (zh) * | 2013-12-29 | 2014-04-09 | 陕西师范大学 | 一种利用受限光催化氧化改性ito的方法及其应用 |
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