JPH089711Y2 - 透明電極の製造装置 - Google Patents

Description

【考案の詳細な説明】 〈産業上の利用分野〉 本考案は、液晶表示装置、カラー液晶表示装置プラズ
マデイスプレイ、エレクトロルミネッセンスデイスプレ
イ、及び各種ライトバルブ等に用いられる透明電極の製
造装置に関する。

〈従来の技術〉 従来、酸化インジウムと酸化スズを主たる成分とする
導電膜（以下ITOと略する）をパタンニングする場合に
は、ITOの上にフォトレジストによるレジストパターン
を形成せしめたガラス、樹脂等の基板を、塩酸、塩酸及
び塩化第二鉄液の混酸、塩酸と硝酸の混酸、臭化水素
酸、沃化水素酸、硝酸の高濃度のエッチング槽中に侵漬
してエッチングしている。このときのレジストパターン
は、ITOのエッチング後に、有機溶剤やアルカリにより
剥膜する。

このときの製造装置は、高濃度の酸のエッチング槽と
前記酸の80〜0.05％濃度の酸のリンス槽と水洗槽が連設
され構成されていた。

〈考案が解決しようとする課題〉 近時、ITOのパターンとして、30μｍ〜数μｍのギャ
ップや100μｍ以下のパターンピッチが必要になってき
た。ところがITOは、ハーフエッチと呼ばれるエッチン
グ残りを生じ易くパターン間の電気的短絡を起こした
り、短絡しないまでもITOの残膜がディスプレイの電極
として表示に影響を与え、好ましくない。

こうしたエッチング残りを除去するため、エッチング
時間を長くせざるを得ないが、この結果、残膜が無い部
分ではエッチング時間を長くした分だけオーバーエッチ
となり、数μｍのサイドエッチが入いり、パターン寸法
不良やパターン形状不良につながり易い。

この対策として高濃度の酸によるエッチング時に超音
波の併用が考えられるが、レジストにダメージを与え易
く、レジスト剥れやピンホールなどの欠けを生じた。

従って、レジストを傷める事なく導電膜の残膜のみを
適切に除去できる装置が望まれていた。

〈課題を解決するための手段〉 本考案は、ITOが全面形成された基板にパターンエッ
チングを行う透明電極の製造装置において、少くとも高
濃度の酸のエッチング槽と、超音波発振源を有する前記
酸の80〜0.05％濃度の酸の超音波リンス槽と、水洗槽が
直接もしくは搬送装置を介して上記の順に連設されて構
成される透明電極の製造装置である。

本考案で用いる酸の例としては、塩酸、塩酸及び塩化
第二鉄液の混酸、塩酸と硝酸の混酸、臭化水素酸、ヨウ
化水素酸、硝酸、硫酸、臭化水素酸または沃化水素酸に
次亜りん酸や次亜塩素酸等の還元剤を少量添加したも
の、塩酸や硝酸や硫酸等の酸に過酸化水素水を加えたも
の、これらの酸に、若干量の水を加えたもの等がある。

また、エッチングレートを高めるため30°〜70℃程度
への加温するための加温装置や測定装置、制御装置類を
付加しても良い。

本考案において、先にエッチング槽と超音波リンス槽
と水洗槽の最小構成を示したが、これらの槽の前後にカ
セット等を有するローダー・アンローダー装置、また、
種々の洗浄や乾燥装置、加えてレジストコーターや露光
機、現像槽やオーブンを直列・並列に配設しても良い。
洗浄槽、現像槽、エッチング槽、超音波リンス槽、水洗
槽は枚葉処理の形でも良いし、キャリヤ（orカセット）
など複数枚の基板を同時に処理するバッチ式の連続槽で
も良い。枚葉送りの場合、コロ、ベルト、メカニカル搬
送等搬送方式を問わない。さらに、膜付装置や電子部品
の実装装置などを加えても良い。

本考案はこうした付加設備の有無は問うものでない。
超音波の出力装置はその出力方法や周波数は限定するも
のではない。

〈作用〉 本考案により、サイドエッチの小さい高精度のITOパ
ターンが形成できる。低濃度の酸の超音波リンスは20秒
から５分、場合によっては10分間処理してもサイドエッ
チがきわめて小さく、作業マージンが広いという特徴が
ある。

〈実施例〉 エッチング槽（20）は、60lの本浴槽、ポンプ、循環
配管（図示せず）、本浴槽付属の温度制御装置（具体的
にはセンサーとヒーターよりなる）（図示せず）、本浴
槽内の搬送装置（21）からなっている。このうち、本浴
槽、ポンプ（図示せず）、循環配管（図示せず）、本浴
槽内の搬送装置（21）のうち直接エッチング液と接する
露出部分はPETにより構成されている。また、搬送装置
（21）は、搬入口から搬出口まで本浴槽内の侵漬部を経
由して連続して構成されている。

超音波リンス槽（30）はエッチング槽（20）とほぼ同
じ構成であるが、このほか、本浴槽に付属して底面に40
0×400mm₂の超音波発振源（32）を配設した。超音波発
振源（32）は28kHz、1kWを用いた。エッチング時間は30
秒、超音波リンス時間は60秒とした。さらに、エッチン
グ槽（20）の搬入口の前にローダー（10）、超音波リン
ス槽（30）の搬出口の後に水切り（40）、アンローダー
（50）を設けてある。また、エッチング槽（20）の搬出
口と超音波リンス槽（30）の搬入口は直接接している。
なお、上記超音波発振源（32）は周波数や出力を限定す
るものではない。

次に、上記装置の運用例を示す。

400mm×300mm、厚さ1mmのガラスの基板に、スパッタ
リング装置にて80℃以下の低温で形成したITOの膜2400
Åを形成した基板を枚葉で上記製造装置に流した、な
お、このときのエッチング液は、エッチング槽が18％塩
酸で、超音波リンス槽が０。５％塩酸である。

ITO膜の上に、ポジ型のフォトレジストで100μｍ幅、
10μｍギャップのストライプパターンを2000本パタニン
グの透明電極が得られた。

〈考案の効果〉 本考案により、レジストをいためる事なく導電膜の残
膜のみを適切に除去する事が可能となり、また、オーバ
ーエッチ時間を少なくする事が可能となった。従って、
残膜や膜欠落がないのみならず再現性の良いパターン形
状を効率よく生産する事が可能となった。

【図面の簡単な説明】

第１図は、考案明の一実施例の概略側面図である。 10……ローダー 20……エッチング槽 30……超音波リンス槽 40……水切り 50……アンローダー 21,31……搬送装置 32……超音波発信源

Claims (1)

【実用新案登録請求の範囲】
1. 【請求項１】酸化インジウムと酸化スズを主たる成分と
   する導電膜を全面形成した基板に対し、パターンエッチ
   ングを行う透明電極の製造装置において、少くとも高濃
   度の酸のエッチング槽と、超音波発振源を有する前記酸
   の80〜0.05％濃度の酸の超音波リンス槽と、水洗槽が直
   接もしくは搬送装置を介して上記の順に連設されて構成
   される透明電極の製造装置。