JP2007027768A - 薄膜トランジスタ基板の製造方法 - Google Patents
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- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 56
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 34
- 239000010408 film Substances 0.000 claims abstract description 114
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 58
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims abstract description 55
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims abstract description 55
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 36
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 31
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 28
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 25
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 88
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 12
- 239000011651 chromium Substances 0.000 claims description 11
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 10
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000002356 single layer Substances 0.000 claims description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 9
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 6
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 6
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 claims description 4
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000002245 particle Substances 0.000 abstract description 4
- 206010070834 Sensitisation Diseases 0.000 abstract 3
- 230000008313 sensitization Effects 0.000 abstract 3
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 12
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 11
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 7
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 6
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 5
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 4
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 3
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 3
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 3
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 3
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 3
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 3
- 229910000667 (NH4)2Ce(NO3)6 Inorganic materials 0.000 description 2
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 2
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 2
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 2
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 2
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 2
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 239000007888 film coating Substances 0.000 description 1
- 238000009501 film coating Methods 0.000 description 1
- 230000005525 hole transport Effects 0.000 description 1
- 238000007689 inspection Methods 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000010030 laminating Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000011259 mixed solution Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N silicide(4-) Chemical compound [Si-4] FVBUAEGBCNSCDD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical group O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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- G02—OPTICS
- G02F—OPTICAL DEVICES OR ARRANGEMENTS FOR THE CONTROL OF LIGHT BY MODIFICATION OF THE OPTICAL PROPERTIES OF THE MEDIA OF THE ELEMENTS INVOLVED THEREIN; NON-LINEAR OPTICS; FREQUENCY-CHANGING OF LIGHT; OPTICAL LOGIC ELEMENTS; OPTICAL ANALOGUE/DIGITAL CONVERTERS
- G02F1/00—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics
- G02F1/01—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour
- G02F1/13—Devices or arrangements for the control of the intensity, colour, phase, polarisation or direction of light arriving from an independent light source, e.g. switching, gating or modulating; Non-linear optics for the control of the intensity, phase, polarisation or colour based on liquid crystals, e.g. single liquid crystal display cells
- G02F1/133—Constructional arrangements; Operation of liquid crystal cells; Circuit arrangements
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- G02F1/1362—Active matrix addressed cells
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
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- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
- H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
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- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
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- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
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Abstract
【課題】パーティクルを効率的に除去して、金属薄膜の品質を向上させる薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁基板上にゲート金属層を形成する段階と、前記ゲート金属層上に感光膜パターンを形成する段階と、前記感光膜パターンを利用して、前記ゲート金属層をエッチングしてゲート配線を形成する段階と、前記感光膜パターンをストリップして、前記ゲート配線を露出させる段階と、前記露出したゲート配線を硝酸を含む洗浄液で洗浄する段階とを有する。
【選択図】 図５
【解決手段】絶縁基板上にゲート金属層を形成する段階と、前記ゲート金属層上に感光膜パターンを形成する段階と、前記感光膜パターンを利用して、前記ゲート金属層をエッチングしてゲート配線を形成する段階と、前記感光膜パターンをストリップして、前記ゲート配線を露出させる段階と、前記露出したゲート配線を硝酸を含む洗浄液で洗浄する段階とを有する。
【選択図】 図５
Description
本発明は、薄膜トランジスタ基板の製造方法に関し、より詳細には硝酸を含む洗浄液を用いる薄膜トランジスタ基板の製造方法に関する。
液晶表示装置は、薄膜トランジスタ基板とカラーフィルタ基板の間に液晶が注入されている液晶表示パネルを含む。液晶表示パネルは、非発光素子であるため、薄膜トランジスター基板の後面には光を供給するバックライトユニットが位置している。バックライトから照射された光は液晶の配列状態により透過量が調整される。
薄膜トランジスタ基板には、ゲート配線、データ配線などの金属薄膜が形成されている。金属薄膜は、蒸着、感光膜塗布、露光、現像、エッチングなどの工程を経て形成される。エッチング後の無機膜蒸着などの次の工程に進行される前に洗浄が行われるが、洗浄はエッチング工程で発生したパーティクルを除去する役割を果たす。しかし、従来のＴＭＡＨ（ｔｅｔｒａ ｍｅｔｈｙｌ ａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）を使用した洗浄はパーティクルを十分に除去できないという問題があった。
そこで、本発明は上記従来の薄膜トランジスタ基板の製造方法における問題点に鑑みてなされたものであって、本発明の目的は、パーティクルを効率的に除去して、金属薄膜の品質を向上させる薄膜トランジスタ基板の製造方法を提供することにある。
上記目的を達成するためになされた本発明による薄膜トランジスタ基板の製造方法は、絶縁基板上にゲート金属層を形成する段階と、前記ゲート金属層上に感光膜パターンを形成する段階と、前記感光膜パターンを利用して、前記ゲート金属層をエッチングしてゲート配線を形成する段階と、前記感光膜パターンをストリップして、前記ゲート配線を露出させる段階と、前記露出したゲート配線を硝酸を含む洗浄液で洗浄する段階とを有することを特徴とする。
前記洗浄液の硝酸含有量は、８〜１２％であることが好ましい。
前記洗浄液は、８〜１２％の硝酸と、残りは超純水であることが好ましい。
前記ゲート配線上に窒化ケイ素で形成されたゲート絶縁膜を形成する段階をさらに含むことが好ましい。
前記ゲート配線は、ゲートパッドをさらに含み、前記ゲートパッド上の前記ゲート絶縁膜を除去して、前記ゲートパッドを露出させる段階と、前記露出したゲートパッド上に透明電導膜を形成する段階とをさらに含むことが好ましい。
前記ゲート金属層は、クロム層を含み、前記透明電導膜は前記クロム層に接することが好ましい。
前記透明電導膜は、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）又はＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）のうち、いずれか一つであるのが好ましい。
前記ゲート金属層は単一層であることが好ましい。
前記洗浄液は、８〜１２％の硝酸と、残りは超純水であることが好ましい。
前記ゲート配線上に窒化ケイ素で形成されたゲート絶縁膜を形成する段階をさらに含むことが好ましい。
前記ゲート配線は、ゲートパッドをさらに含み、前記ゲートパッド上の前記ゲート絶縁膜を除去して、前記ゲートパッドを露出させる段階と、前記露出したゲートパッド上に透明電導膜を形成する段階とをさらに含むことが好ましい。
前記ゲート金属層は、クロム層を含み、前記透明電導膜は前記クロム層に接することが好ましい。
前記透明電導膜は、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）又はＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）のうち、いずれか一つであるのが好ましい。
前記ゲート金属層は単一層であることが好ましい。
また、上記目的を達成するためになされた本発明による薄膜トランジスタ基板の製造方法は、絶縁基板上にゲート配線を形成する段階と、前記ゲート配線上にゲート絶縁膜、半導体層、抵抗接触層を形成する段階と、前記抵抗接触層上にデータ金属層を形成する段階と、前記データ金属層上に感光膜パターンを形成する段階と、前記感光膜パターンを利用して、前記データ金属層をエッチングしてデータ配線を形成する段階と、前記感光膜パターンをストリップして、前記データ配線を露出させる段階と、前記露出した前記データ配線を硝酸を含む洗浄液で洗浄する段階とを有することを特徴とする。
前記洗浄液の硝酸含有量は、８〜１２％であることが好ましい。
前記洗浄液は、８〜１２％の硝酸と、残りは超純水であることが好ましい。
前記データ配線上に窒化ケイ素で形成された保護膜を形成する段階をさらに含むことが好ましい。
前記データ配線をマスクとして、前記抵抗接触層を乾式エッチングして、チャンネル部を形成する段階をさらに含み、前記洗浄時、前記チャンネル部は露出していることが好ましい。
前記データ金属層は単一層であることが好ましい。
前記洗浄液は、８〜１２％の硝酸と、残りは超純水であることが好ましい。
前記データ配線上に窒化ケイ素で形成された保護膜を形成する段階をさらに含むことが好ましい。
前記データ配線をマスクとして、前記抵抗接触層を乾式エッチングして、チャンネル部を形成する段階をさらに含み、前記洗浄時、前記チャンネル部は露出していることが好ましい。
前記データ金属層は単一層であることが好ましい。
また、上記目的を達成するためになされた本発明による薄膜トランジスタ基板の製造方法は、絶縁基板上にゲート配線を形成する段階と、前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成する段階と、前記ゲート絶縁膜上にドレイン電極を含むデータ配線を形成する段階と、前記データ配線上に保護膜を形成する段階と、前記保護膜上に感光膜パターンを形成する段階と、前記感光膜パターンを利用して、前記保護膜をエッチングして前記ドレイン電極を露出させる接触孔を形成する段階と、前記感光膜パターンをストリップして、前記保護膜を露出させる段階と、前記露出した前記保護膜を硝酸を含む洗浄液で洗浄する段階と、前記保護膜上に前記接触孔を介して、前記ドレイン電極と接する透明電導膜を形成する段階とを有することを特徴とする。
前記洗浄液の硝酸含有量は、８〜１２％であることが好ましい。
前記洗浄液は、８〜１２％の硝酸と、残りは超純水であることが好ましい。
前記ゲート配線はゲートパッドを含み、前記保護膜をエッチングする段階では、前記ゲート絶縁膜を共にエッチングして前記ゲートパッドを露出する接触孔を形成し、前記透明電導膜は、前記接触孔を介して前記ゲートパッドと接することが好ましい。
前記データ配線はデータパッドをさらに含み、前記保護膜をエッチングする段階では前記データパッドを露出する接触孔を形成し、前記透明電導膜は、前記接触孔を介して前記ゲートパッドと接することが好ましい。
前記ゲート配線とデータ配線は単一層であることが好ましい。
前記洗浄液は、８〜１２％の硝酸と、残りは超純水であることが好ましい。
前記ゲート配線はゲートパッドを含み、前記保護膜をエッチングする段階では、前記ゲート絶縁膜を共にエッチングして前記ゲートパッドを露出する接触孔を形成し、前記透明電導膜は、前記接触孔を介して前記ゲートパッドと接することが好ましい。
前記データ配線はデータパッドをさらに含み、前記保護膜をエッチングする段階では前記データパッドを露出する接触孔を形成し、前記透明電導膜は、前記接触孔を介して前記ゲートパッドと接することが好ましい。
前記ゲート配線とデータ配線は単一層であることが好ましい。
薄膜トランジスタ基板にはゲート配線、データ配線などの金属薄膜が形成されている。この金属薄膜は所定のパターンを有し、このパターンを形成する方法を説明する。
まず、各金属薄膜をスパッタリング等の方法で蒸着する。蒸着された金属薄膜上に感光膜をコーティングして露光して感光膜パターンを形成する。後に感光膜パターンをマスクとして、金属薄膜をエッチングして感光膜パターンと同じパターンを有する金属薄膜を製造する。エッチングは、エッチング液を用いる等方性エッチングの湿式エッチングと、プラズマなどを用いる異方性エッチングの乾式エッチングを適用してもよい。
まず、各金属薄膜をスパッタリング等の方法で蒸着する。蒸着された金属薄膜上に感光膜をコーティングして露光して感光膜パターンを形成する。後に感光膜パターンをマスクとして、金属薄膜をエッチングして感光膜パターンと同じパターンを有する金属薄膜を製造する。エッチングは、エッチング液を用いる等方性エッチングの湿式エッチングと、プラズマなどを用いる異方性エッチングの乾式エッチングを適用してもよい。
以後、感光膜パターンをアッシング（ａｓｈｉｎｇ）して除去し、この時パターニングされた金属薄膜が露出される。パターニングされた金属薄膜は、次の工程に進行する前に洗浄工程を経る。洗浄工程ではエッチングとアッシングから発生した金属パーティクル、感光膜、エッチング液などを除去する。
本発明は、露出された金属薄膜の洗浄のため、硝酸を含む洗浄液を用いることを特徴とする。洗浄液は、硝酸８〜１２％と、残りは超純水（ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ ｗａｔｅｒ）である。
本発明は、露出された金属薄膜の洗浄のため、硝酸を含む洗浄液を用いることを特徴とする。洗浄液は、硝酸８〜１２％と、残りは超純水（ｄｅｉｏｎｉｚｅｄ ｗａｔｅｒ）である。
本発明の洗浄液をゲート配線とデータ配線と同じ金属層の洗浄に用いると、金属層の表面がエッチングされながら、金属パーティクル、エッチング液などが除去される。また、金属層に親水性が与えられて、以後蒸着されるゲート絶縁膜または保護膜などの無機膜との接着性が向上される。金属層と無機膜の向上した接着性によりステップカバレッジ（ｓｔｅｐ ｃｏｖｅｒａｇｅ）が優秀となり、オープン（ｏｐｅｎ）発生が減少するという効果がある。
また、ゲートパッドやデータパッドのように外部に露出される部分の酸化膜がエッチングされて、透明電極との接触抵抗が低くなる効果がある。データ配線の場合、チャンネル部の汚染物除去効率が向上してオン電流及びオフ電流が向上されるという効果がある。
次に、本発明に係る薄膜トランジスタ基板の製造方法を実施するための最良の形態の具体例を図面を参照しながら説明する。
図１は、本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ基板の平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図である。また、図３乃至図１３は、本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ基板の製造工程を説明するための断面図である。
図１は、本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ基板の平面図であり、図２は、図１のＩＩ−ＩＩ線に沿って切断した断面図である。また、図３乃至図１３は、本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ基板の製造工程を説明するための断面図である。
図１及び図２を参照すると、絶縁基板１０の上にゲート配線（２２、２４、２６）が形成されている。ここでゲート配線（２２、２４、２６）は単一層で形成されてクロム層で形成する。
ゲート配線（２２、２４、２６）は、横方向に延びているゲート線２２、ゲート線２２に連結されている薄膜トランジスタのゲート電極２６、ゲート線２２の端部のゲートパッド２４を含む。ここでゲートパッド２４は外部の回路との連結のため、幅が拡張されている。
ゲート配線（２２、２４、２６）は、横方向に延びているゲート線２２、ゲート線２２に連結されている薄膜トランジスタのゲート電極２６、ゲート線２２の端部のゲートパッド２４を含む。ここでゲートパッド２４は外部の回路との連結のため、幅が拡張されている。
絶縁基板１０の上には窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）などで形成されたゲート絶縁膜３０がゲート配線（２２、２４、２６）を覆っている。
ゲート電極２６のゲート絶縁膜３０の上部には、非晶質シリコンなどの半導体で形成された半導体層４０が形成され、半導体層４０の上部にはシリサイドまたはｎ型不純物が高濃度でドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質で形成された抵抗性接触（オーミックコンタクト）層５５、５６が各々形成されている。
ゲート電極２６のゲート絶縁膜３０の上部には、非晶質シリコンなどの半導体で形成された半導体層４０が形成され、半導体層４０の上部にはシリサイドまたはｎ型不純物が高濃度でドーピングされているｎ＋水素化非晶質シリコンなどの物質で形成された抵抗性接触（オーミックコンタクト）層５５、５６が各々形成されている。
抵抗性接触層５５、５６及びゲート絶縁膜３０の上には、データ配線（６２、６５、６６、６８）が形成されている。データ配線（６２、６５、６６、６８）も単一層で形成されていてクロム層で形成される。
データ配線（６２、６５、６６、６８）は、縦方向で形成されてゲート線２２と交差し、画素を定義するデータ線６２、データ線６２から分枝されて抵抗性接触層５５の上部まで延びているソース電極６５、ソース電極６５と分離されてゲート電極２６を中心にソース電極６５の反対側、抵抗性接触層５６の上部に形成されているドレイン電極６６、データ線６２の端部のデータパッド６８を含む。この時、データパッド６８は外部回路との連結のために幅が拡張されている。
データ配線（６２、６５、６６、６８）は、縦方向で形成されてゲート線２２と交差し、画素を定義するデータ線６２、データ線６２から分枝されて抵抗性接触層５５の上部まで延びているソース電極６５、ソース電極６５と分離されてゲート電極２６を中心にソース電極６５の反対側、抵抗性接触層５６の上部に形成されているドレイン電極６６、データ線６２の端部のデータパッド６８を含む。この時、データパッド６８は外部回路との連結のために幅が拡張されている。
データ配線（６２、６５、６６、６８）及びこれらが覆わない半導体層４０の上部には、窒化ケイ素（ＳｉＮｘ）等で形成された保護膜７０が形成されている。
保護膜７０にはドレイン電極６６及びデータパッド６８を各々露出する接触孔７６、７８が形成されており、ゲート絶縁膜３０と共にゲートパッド２４を露出する接触孔７４が形成されている。
保護膜７０にはドレイン電極６６及びデータパッド６８を各々露出する接触孔７６、７８が形成されており、ゲート絶縁膜３０と共にゲートパッド２４を露出する接触孔７４が形成されている。
保護膜７０の上には、接触孔７６を介してドレイン電極６６と電気的に連結されて画素領域に位置する画素電極８２が形成されている。また、保護膜７０の上には、接触孔７４、７８を介して、各々ゲートパッド２４及びデータパッド６８と連結される接触補助部材８６、８８が形成されている。ここで、画素電極８２と接触補助部材８６、８８は、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）やＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）などの透明電導膜で形成されている。
ここで、画素電極８２は、ゲート線２２と重なって維持蓄電器（キャパシタ）を成し、維持容量が足りない場合には、ゲート配線（２２、２４、２６）と同一層にさらに維持容量用配線を追加することもできる。
ここで、画素電極８２は、ゲート線２２と重なって維持蓄電器（キャパシタ）を成し、維持容量が足りない場合には、ゲート配線（２２、２４、２６）と同一層にさらに維持容量用配線を追加することもできる。
本発明の一実施形態による薄膜トランジスタ基板の製造方法を説明すると、
まず、図３に示すように、絶縁基板１０の上にゲート金属層２０と感光膜パターン９２を形成する。ゲート金属層２０は、絶縁基板１０の上面にかけて形成され、スパッタリング方法を使用することができる。感光膜パターン９２は、感光膜をゲート金属層２０上にコーティングした後、露光及び現像して形成できる。感光膜パターン９２は、ゲート配線（２２、２４、２６）が形成される部分の上部に形成される。
ここで、ゲート金属層２０は単一層でありうる。ゲート金属層２０が多重層である場合、硝酸を含む洗浄液で洗浄する時に腐食が発生される。これは洗浄液が電解質の役割を果たすことによって、ガルバニック効果を引き起こすためである。
まず、図３に示すように、絶縁基板１０の上にゲート金属層２０と感光膜パターン９２を形成する。ゲート金属層２０は、絶縁基板１０の上面にかけて形成され、スパッタリング方法を使用することができる。感光膜パターン９２は、感光膜をゲート金属層２０上にコーティングした後、露光及び現像して形成できる。感光膜パターン９２は、ゲート配線（２２、２４、２６）が形成される部分の上部に形成される。
ここで、ゲート金属層２０は単一層でありうる。ゲート金属層２０が多重層である場合、硝酸を含む洗浄液で洗浄する時に腐食が発生される。これは洗浄液が電解質の役割を果たすことによって、ガルバニック効果を引き起こすためである。
次に、図４に示すようにゲート金属層２０をエッチングしてゲート配線（２２、２４、２６）を形成する。ゲート金属層２０がクロム（Ｃｒ）の場合、エッチング液として（ＮＨ４）２Ｃｅ（ＮＯ３）６と硝酸の混合液が、アルミニウム（Ａｌ）やモリブデン（ＭＯ）の場合、リン酸と硝酸と酢酸の混合液が、タンタル（Ｔａ）の場合、フッ酸と硝酸の混合液が用いられる。
次に、図５に示すように感光膜パターン９２をアッシングして除去した後、硝酸を含む洗浄液を用いて露出されたゲート配線（２２、２４、２６）を洗浄する。洗浄により、ゲート配線（２２、２４、２６）の表面に形成されている金属酸化膜が除去されて表面に親水性が与えられる。またエッチング及びアッシング工程で発生した金属パーティクルとエッチング液なども除去される。
次に、図６に示すように、ゲート絶縁膜３０を形成する。ゲート絶縁膜３０は窒化ケイ素で形成されて化学気相蒸着（ＣＶＤ）方法を使用して形成される。窒化ケイ素で形成されたゲート絶縁膜３０は、親水性があるため親水性が与えられたゲート配線（２２、２４、２６）との接着力が優れて、これによりステップカバレッジが向上する。
次に、図７に示すように、ゲート絶縁膜３０の上に島形態の半導体層４０と抵抗性接触層５０を形成する。ゲート絶縁膜３０、半導体層４０、抵抗性接触層５０は連続的に形成される。
次に、図８に示すように、データ金属層６０と感光膜パターン９４を形成する。データ金属層２０は、絶縁基板１０の上面にかけて形成されて、スパッタリング方法を使用できる。感光膜パターン９４は、感光膜をデータ金属層６０上にコーティング後、露光及び現像して形成できる。感光膜パターン９４はデータ配線（６２、６５、６６、６８）が形成される部分の上部に形成される。
ここで、データ金属層６０は単一層でありうる。データ金属層６０が多重層である場合、硝酸を含む洗浄液で洗浄する時に腐食が発生する。これは洗浄液が電解質の役割を果たすことによって、ガルバニックの効果を引き起こすためである。
ここで、データ金属層６０は単一層でありうる。データ金属層６０が多重層である場合、硝酸を含む洗浄液で洗浄する時に腐食が発生する。これは洗浄液が電解質の役割を果たすことによって、ガルバニックの効果を引き起こすためである。
次に、図９に示すように、データ金属層６０をエッチングしてデータ配線（６２、６５、６６）を形成する。続いて、データ配線（６２、６５、６６、６８）で覆わない抵抗性接触層５０をエッチングしてゲート電極２６を中心に両側に分離させる一方、両側の抵抗性接触層５５、５６の間の半導体層４０を露出させる。露出された半導体層４０の表面を安定化させるために、酸素プラズマを実施することが望ましい。抵抗性接触層５０のエッチングは、プラズマを利用した乾式エッチング法を使用してもよい。
次に、図１０に示すように、感光膜パターン９４をアッシングして除去した後、硝酸を含む洗浄液を使用して露出されたデータ配線（６２、６５、６６、６８）を洗浄する。洗浄により、データ配線（６２、６５、６６、６８）の表面に形成されている金属酸化膜が除去されて表面に親水性が与えられる。また、エッチング工程で発生した金属パーティクルとエッチング液なども除去されて、特に、露出された半導体層５０に残る異物及び汚染物が除去されて、薄膜トランジスタのオン電圧及びオフ電圧特性が良くなる。洗浄工程では抵抗接触層５０のエッチングに使われたエッチング気体の残余物も除去される。
また、データ金属層６０としてクロムを用いる場合、（ＮＨ４）２Ｃｅ（ＮＯ３）６と硝酸を含むエッチング液を用いると、エッチング後チャンネル部にはＣｅＯ３、Ｃｅ（ＯＨ）などの汚染物が存在しうる。この汚染物は、硝酸を含む洗浄液により除去されて、後工程の進行時にＣｅイオンによる副産物生成が抑制される。
また、データ金属層６０としてクロムを用いる場合、（ＮＨ４）２Ｃｅ（ＮＯ３）６と硝酸を含むエッチング液を用いると、エッチング後チャンネル部にはＣｅＯ３、Ｃｅ（ＯＨ）などの汚染物が存在しうる。この汚染物は、硝酸を含む洗浄液により除去されて、後工程の進行時にＣｅイオンによる副産物生成が抑制される。
次に、図１１に示すように、保護膜７０と感光膜パターン９６を形成する。保護膜７０は、窒化ケイ素で形成されて化学気相蒸着法を使用して形成される。窒化ケイ素で形成された保護膜７０は親水性であるので、親水性が与えられたデータ配線（６２、６５、６６、６８）との接着力が優れ、これによりステップカバセッジが向上する。感光膜パターン９６は、感光膜を保護膜７０上にコーティングした後に露光及び現像して形成できる。感光膜パターン９６には接触孔７３、７５、７７が形成されており、各々ゲートパッド２４、ドレーン電極６６、データパッド６８の上部に位置する。
次に、図１２に示すように、ゲート絶縁膜３０と共に保護膜７０をエッチングしてゲートパッド２４、ドレイン電極６６及びデータパッド６８を露出する接触孔７４、７６、７８を形成する。
次に、図１３に示すように、感光膜パターン９６をアッシングして除去した後、硝酸を含む洗浄液を用いて露出されたゲートパッド２４、ドレイン電極６６及びデータパッド６８を洗浄する。洗浄により露出された金属層２４、６６、６８の表面に形成されている金属酸化膜が除去されて親水性が与えられる。また、エッチングとアッシング工程で発生した金属パーティクルとエッチング液なども除去される。
そして、図１及び図２に示したように、ＩＴＯまたはＩＺＯなどの透明電導膜を蒸着及び写真エッチングを実施して、接触孔７６を介してドレイン電極６６と連結する画素電極８２と接触孔７４、７８を介して、ゲートパッド２４及びデータパッド６８と各々連結されている接触補助部材８６、８８を各々形成する。ＩＴＯまたはＩＺＯを積層する前の予熱工程で使用する気体は窒素であるのが望ましい。
ここで透明電導膜と接する金属層２４、６６、６８には、酸化膜と不純物が除去されて透明電導膜と金属層２４、６６、６８間の接触抵抗が減少する。また、金属層２４、６６、６８の表面に親水性が与えられて、透明電導膜との接着力も向上する。
以上の実施形態は多様に変形可能である。ゲート絶縁膜３０は酸化ケイ素層を含むこともでき、保護膜７０は有機膜を含むことができる。
以上の実施形態は多様に変形可能である。ゲート絶縁膜３０は酸化ケイ素層を含むこともでき、保護膜７０は有機膜を含むことができる。
（実験形態１）
クロムで形成された金属層を対象に従来のＴＭＡＨ水溶液と本発明による硝酸を含む洗浄液で各々洗浄した後、ＩＺＯとの接触抵抗を測定した。洗浄液中の硝酸の含有量は１０％であった。
各方法を用いて２回ずつ実験し、実験結果は以下の表１の通りである。従来のＴＭＡＨ水溶液を使用した場合に比べて、接触抵抗が約３オーダー程度低くなったことが明らかになった。
クロムで形成された金属層を対象に従来のＴＭＡＨ水溶液と本発明による硝酸を含む洗浄液で各々洗浄した後、ＩＺＯとの接触抵抗を測定した。洗浄液中の硝酸の含有量は１０％であった。
各方法を用いて２回ずつ実験し、実験結果は以下の表１の通りである。従来のＴＭＡＨ水溶液を使用した場合に比べて、接触抵抗が約３オーダー程度低くなったことが明らかになった。
（実験形態２）
クロムで形成されたデータ配線を形成した後、本発明による硝酸を含む洗浄液で洗浄した。完成された薄膜トランジスター基板を対象に従来のＴＭＡＨ水溶液を使用して洗浄した場合のように光学検査を行って、金属を伴ったシード（ｓｅｅｄ）型欠点数を確認した。
確認結果、硝酸を含む洗浄液を適用した場合の欠点数は２１、従来のＴＭＡＨ水溶液を使用した場合の欠点数は４９個だった。これはデータ配線がオープンされる不良が減少することを意味する。
クロムで形成されたデータ配線を形成した後、本発明による硝酸を含む洗浄液で洗浄した。完成された薄膜トランジスター基板を対象に従来のＴＭＡＨ水溶液を使用して洗浄した場合のように光学検査を行って、金属を伴ったシード（ｓｅｅｄ）型欠点数を確認した。
確認結果、硝酸を含む洗浄液を適用した場合の欠点数は２１、従来のＴＭＡＨ水溶液を使用した場合の欠点数は４９個だった。これはデータ配線がオープンされる不良が減少することを意味する。
本発明による薄膜トランジスタ基板は、液晶表示装置または有機電気発光装置等の表示装置に使われる。
有機電気発光装置は、電気信号を受けて、発光する有機物を利用した自己発光型素子である。有機電気発光装置には、陰極層（画素電極）、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、両極層（対向電極）が積層される。本発明による薄膜トランジスタ基板のドレーン電極は、陰極層と電気的に連結されてデータ信号を印加できる。
有機電気発光装置は、電気信号を受けて、発光する有機物を利用した自己発光型素子である。有機電気発光装置には、陰極層（画素電極）、ホール注入層、ホール輸送層、発光層、電子輸送層、電子注入層、両極層（対向電極）が積層される。本発明による薄膜トランジスタ基板のドレーン電極は、陰極層と電気的に連結されてデータ信号を印加できる。
１０ 絶縁基板
２２ ゲート線
２４ ゲートパッド
２６ ゲート電極
３０ ゲート絶縁膜
４０ 半導体層
５５、５６ 抵抗性接触層
６２ データ線
６５ ソース電極
６６ ドレイン電極
６８ データパッド
７０ 保護膜
８２ 画素電極
８６、８８ 接触補助部材
９２、９４、９６ 感光膜パターン
２２ ゲート線
２４ ゲートパッド
２６ ゲート電極
３０ ゲート絶縁膜
４０ 半導体層
５５、５６ 抵抗性接触層
６２ データ線
６５ ソース電極
６６ ドレイン電極
６８ データパッド
７０ 保護膜
８２ 画素電極
８６、８８ 接触補助部材
９２、９４、９６ 感光膜パターン
Claims (20)
- 絶縁基板上にゲート金属層を形成する段階と、
前記ゲート金属層上に感光膜パターンを形成する段階と、
前記感光膜パターンを利用して、前記ゲート金属層をエッチングしてゲート配線を形成する段階と、
前記感光膜パターンをストリップして、前記ゲート配線を露出させる段階と、
前記露出したゲート配線を硝酸を含む洗浄液で洗浄する段階とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記洗浄液の硝酸含有量は、８〜１２％であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記洗浄液は、８〜１２％の硝酸と、残りは超純水であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記ゲート配線上に窒化ケイ素で形成されたゲート絶縁膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記ゲート配線はゲートパッドをさらに含み、
前記ゲートパッド上の前記ゲート絶縁膜を除去して、前記ゲートパッドを露出させる段階と、
前記露出したゲートパッド上に透明電導膜を形成する段階とをさらに含むことを特徴とする請求項４に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記ゲート金属層はクロム層を含み、前記透明電導膜は、前記クロム層に接することを特徴とする請求項５に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記透明電導膜は、ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）又はＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）のうち、いずれか一つであることを特徴とする請求項５に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記ゲート金属層は単一層であることを特徴とする請求項１に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 絶縁基板上にゲート配線を形成する段階と、
前記ゲート配線上にゲート絶縁膜、半導体層、抵抗接触層を形成する段階と、
前記抵抗接触層上にデータ金属層を形成する段階と、
前記データ金属層上に感光膜パターンを形成する段階と、
前記感光膜パターンを利用して、前記データ金属層をエッチングしてデータ配線を形成する段階と、
前記感光膜パターンをストリップして、前記データ配線を露出させる段階と、
前記露出した前記データ配線を硝酸を含む洗浄液で洗浄する段階とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記洗浄液の硝酸含有量は、８〜１２％であることを特徴とする請求項９に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記洗浄液は、８〜１２％の硝酸と、残りは超純水であることを特徴とする請求項９に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記データ配線上に窒化ケイ素で形成された保護膜を形成する段階をさらに含むことを特徴とする請求項９に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記データ配線をマスクとして、前記抵抗接触層を乾式エッチングして、チャンネル部を形成する段階をさらに含み、
前記洗浄時、前記チャンネル部は、露出していることを特徴とする請求項９に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記データ金属層は、単一層であることを特徴とする請求項９に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 絶縁基板上にゲート配線を形成する段階と、
前記ゲート配線上にゲート絶縁膜を形成する段階と、
前記ゲート絶縁膜上にドレイン電極を含むデータ配線を形成する段階と、
前記データ配線上に保護膜を形成する段階と、
前記保護膜上に感光膜パターンを形成する段階と、
前記感光膜パターンを利用して、前記保護膜をエッチングして前記ドレイン電極を露出させる接触孔を形成する段階と、
前記感光膜パターンをストリップして、前記保護膜を露出させる段階と、
前記露出した前記保護膜を硝酸を含む洗浄液で洗浄する段階と、
前記保護膜上に前記接触孔を介して、前記ドレイン電極と接する透明電導膜を形成する段階とを有することを特徴とする薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記洗浄液の硝酸含有量は、８〜１２％であることを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
- 前記洗浄液は、８〜１２％の硝酸と、残りは超純水であることを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスター基板の製造方法。
- 前記ゲート配線はゲートパッドを含み、
前記保護膜をエッチングする段階では、前記ゲート絶縁膜を共にエッチングして前記ゲートパッドを露出する接触孔を形成し、前記透明電導膜は、前記接触孔を介して前記ゲートパッドと接することを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記データ配線はデータパッドをさらに含み、
前記保護膜をエッチングする段階では前記データパッドを露出する接触孔を形成し、
前記透明電導膜は、前記接触孔を介して前記ゲートパッドと接することを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。 - 前記ゲート配線とデータ配線は、単一層であることを特徴とする請求項１５に記載の薄膜トランジスタ基板の製造方法。
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020050065841A KR20070010868A (ko) | 2005-07-20 | 2005-07-20 | 박막트랜지스터 기판의 제조방법 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2007027768A true JP2007027768A (ja) | 2007-02-01 |
Family
ID=37656988
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2006197804A Pending JP2007027768A (ja) | 2005-07-20 | 2006-07-20 | 薄膜トランジスタ基板の製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20070020836A1 (ja) |
| JP (1) | JP2007027768A (ja) |
| KR (1) | KR20070010868A (ja) |
| CN (1) | CN1901169A (ja) |
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN1901169A (zh) | 2007-01-24 |
| US20070020836A1 (en) | 2007-01-25 |
| KR20070010868A (ko) | 2007-01-24 |
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|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
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|
| A02 | Decision of refusal |
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