CN1901169A - 制造薄膜晶体管基板的方法 - Google Patents

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Abstract

一种制造TFT基板的方法，包括：在绝缘基板上形成栅极金属层；在栅极金属层上形成光敏层图案；使用光敏层图案；通过蚀刻栅极金属层来形成栅极布线；通过剥去光敏层图案来暴露栅极布线；以及使用包含硝酸的清洗剂来清洗暴露的栅极布线。因而，本发明提供了一种制造TFT基板的方法，该方法通过有效地去除微粒，提高了薄金属层的质量。

Description

制造薄膜晶体管基板的方法
本申请在35U.S.C.§119下要求2005年7月20日申请的韩国专利申请No.2005-0065841的优先权和及其所有权益，将其内容一并在此作为参考。
技术领域
本发明涉及一种制造薄膜晶体管(“TFT”)基板的方法，更具体地，涉及一种使用改进清洗工艺来制造TFT基板的方法，该清洗工艺用于清洗TFT基板中的金属布线。
背景技术
液晶显示器(“LCD”)装置在TFT基板和滤色器基板之间包括注入了液晶的LCD面板。因为LCD面板是一种非发光元件，所以在TFT基板的背面放置了用于提供光的背光单元。对于从背光单元照射的光，LCD面板的透射光的量由液晶的排列状态进行调节，可由在TFT基板和滤色器基板之间产生的电场改变。
在TFT基板上形成例如栅极布线、数据布线等的薄金属层。每一个薄金属层都是经过沉积、涂覆光敏膜、曝光、显影、蚀刻工艺等形成的。在蚀刻工艺之后，在进入例如无机膜沉积处理的下一个工艺之前，执行清洗处理。清洗工艺是为了去除在蚀刻处理期间产生的微粒。然而，传统的清洗工艺存在不能完全去除微粒的问题。
发明内容
因此，本发明的典型实施例提供了一种制造典型TFT基板的典型方法，该方法通过有效地去除薄金属层的蚀刻处理所产生的微粒，提高了薄金属层的质量。
可以通过提供一种用于制造TFT基板的典型方法来实现本发明典型实施例的上述和/或其它方面，该方法包括：在绝缘基板上形成栅极金属层；在栅极金属层上形成光敏层图案；使用光敏层图案，通过蚀刻栅极金属层来形成栅极布线；通过剥去光敏层图案来暴露栅极布线；以及使用包含硝酸的清洗剂来清洗暴露的栅极布线。
根据本发明的方面，清洗剂中硝酸的含量范围在8％到12％内。
根据本发明的方面，清洗剂由占清洗剂8％到12％的硝酸和占清洗剂剩余百分比的去离子水组成。
根据本发明的方面，对栅极金属层进行蚀刻处理包括选择蚀刻剂，该蚀刻剂包含硝酸以及以下中的至少一种：磷酸、乙酸、氟酸和(NH4)2Ce(NO3)6。
根据本发明的方面，该方法还包括在栅极布线上形成由氮化硅构成的栅极绝缘层。
根据本发明的方面，栅极布线还包括栅极焊盘，而且该方法还包括：通过去除栅极焊盘上的栅极绝缘层来暴露栅极焊盘，以及在栅极焊盘的暴露部分上形成透明导电层。
根据本发明的方面，栅极金属层包括铬层，且透明导电层与铬层相接触。
根据本发明的方面，透明导电层由氧化铟锡(“ITO”)和氧化铟锌(“IZO”)之一组成。
根据本发明的方面，栅极金属层被形成为单一层。
根据本发明的方面，清洗暴露的栅极布线包括给栅极布线的表面赋予亲水性，该方法还包括在栅极布线上形成栅极绝缘层，该栅极绝缘层具有亲水性，增加了栅极布线和栅极绝缘层之间的粘合强度。
可以通过提供一种用于制造TFT基板的典型方法来实现本发明典型实施例的上述和/或其它方面，该方法包括：在绝缘基板上形成栅极布线；在栅极布线上形成栅极绝缘层、半导体层和欧姆接触层；在欧姆接触层上形成数据金属层；在数据金属层上形成光敏层图案；使用光敏层图案，通过蚀刻数据金属层来形成数据布线；通过剥去光敏层图案来暴露数据布线；以及使用包含硝酸的清洗剂来清洗暴露的数据布线。
根据本发明的方面，清洗剂中硝酸的含量范围在8％到12％内。
根据本发明的方面，清洗剂由占清洗剂8％到12％的硝酸和占清洗剂剩余百分比的去离子水组成。
根据本发明的方面，对数据金属层进行蚀刻处理包括选择蚀刻剂，该蚀刻剂包含硝酸以及以下中的至少一种：磷酸、乙酸、氟酸和(NH4)2Ce(NO3)6。
根据本发明的方面，该方法还包括在数据布线上形成由氮化硅构成的保护层。
根据本发明的方面，该方法还包括使用数据布线作为掩模，通过干法刻蚀欧姆接触层来形成沟道部分，其中，当进行清洗时，沟道部分被暴露出来。
根据本发明的方面，数据金属层被形成为单一层。
根据本发明的方面，清洗暴露的数据布线包括给数据布线表面赋予亲水性，该方法还包括在数据布线上形成保护层，所述保护层具有亲水性，增加了数据布线和保护层之间的粘合强度。
可以通过提供一种用于制造TFT基板的典型方法来实现本发明典型实施例的上述和/或其它方面，该方法包括：在绝缘基板上形成栅极布线；在栅极布线上形成栅极绝缘层；在栅极绝缘层上形成包含漏电极的数据布线；在数据布线上形成保护层；在保护层上形成光敏层图案；使用光敏层图案，通过蚀刻保护层来形成暴露漏电极的第一接触孔；通过剥去光敏层图案来暴露保护层；使用包含硝酸的清洗剂来清洗暴露的保护层；以及形成通过保护层、经由第一接触孔与漏电极相接触的透明导电层。
根据本发明的方面，清洗剂中硝酸的含量范围在8％到12％内。
根据本发明的方面，清洗剂由占清洗剂8％到12％的硝酸和占清洗剂剩余百分比的去离子水组成。
根据本发明的方面，栅极布线包括栅极焊盘，并且该方法还包括在蚀刻保护层的同时，通过蚀刻栅极绝缘层来形成暴露栅极焊盘的第二接触孔，并且透明导电层通过第二接触孔与栅极焊盘接触。
根据本发明的方面，数据布线还包括数据焊盘，并且该方法还包括在蚀刻保护层的同时，形成暴露数据焊盘的第二接触孔，并且透明导电层通过第二接触孔与栅极焊盘相接触。
根据本发明的方面，栅极布线和数据布线各自形成为单一层。
也可以通过提供一种用于制造TFT基板的典型方法来实现本发明典型实施例的上述和/或其它方面，所述TFT基板具有金属布线，用于将信号传输至TFT基板的象素区域，该方法包括：形成金属布线；以及使用包含硝酸的清洗剂来清洗金属布线。
根据本发明的方面，清洗剂还包括去离子水。
根据本发明的方面，清洗金属布线的处理包括从金属布线表面去除金属氧化层。
根据本发明的方面，清洗金属布线包括去除先前蚀刻和抛光处理中残留在金属布线上的微粒和蚀刻剂。
根据本发明的方面，清洗金属布线包括给金属布线的暴露表面赋予亲水性。
根据本发明的方面，该方法还包括使用具有亲水性的层来覆盖金属布线的暴露表面，增加了金属布线和该层之间的粘合强度。
在TFT基板上形成栅极布线、数据布线等的薄金属层，这些薄金属层具有预定的图案。一种用于形成图案的典型方法如下。
首先，通过溅射等方法沉积每一个金属层。在沉积的薄金属层上，涂覆光敏层并曝光以形成光敏层图案。之后，使用光敏层图案作为掩模，对薄金属层进行蚀刻，得到与光敏层图案相同的图案。在蚀刻处理中，可以采用使用蚀刻剂的湿法蚀刻或者使用等离子体等的干法蚀刻，其中湿法蚀刻是一种各向同性的蚀刻方法，而干法蚀刻是一种各向异性的蚀刻方法。然后，通过抛光处理去除光敏层图案，从而暴露形成了图案的金属层。在进行下一步处理前，要对形成了图案的金属层进行清洗处理。在清洗处理中，去除了在蚀刻处理和抛光处理期间产生的金属微粒、光敏层和蚀刻剂。
根据本发明的典型实施例，用于清洗暴露的金属层的清洗剂包含硝酸。清洗剂可以由占清洗剂8％到12％的硝酸和占清洗剂剩余百分比的去离子水组成。
当根据本发明典型实施例的清洗剂被用于清洗例如栅极布线、数据布线等的金属层时，蚀刻金属层的表面以去除金属微粒、蚀刻剂等。此外，给金属层赋予亲水性来获得对以后要沉积的例如栅极绝缘层、保护层等的无机膜的增强粘着性。金属层对无机膜的增强粘着性提高了台阶覆盖，减小了开口(opening)。
此外，因为蚀刻了暴露在外面的例如栅极焊盘或数据焊盘的部分氧化层，所以减小了与透明电极的接触电阻。对于数据布线，因为更有效地去除了杂质和污染物，所以改进了导通电流(on-current)和截止电流(off-current)。
附图说明
参考附图，根据下面典型实施例的描述，本发明的上述和/或其它方面和优点将会变得显而易见并且更加易于理解，附图中：
图1是根据本发明典型实施例的典型TFT基板的平面图；
图2是沿图1中II-II线的截面图；以及
图3至图13是示出了根据本发明典型实施例的典型TFT基板的典型制造过程的截面图。
具体实施方式
下面参考示出了本发明实施例的附图，更全面地描述本发明。然而，本发明可以以多种不同形式实现，并且不应理解为限制于此处提出的实施例。此外，提供这些实施例使得本公开彻底而完整，并且向本领域的技术人员完整地传达本发明的范围。全文中，类似的参考数字指代类似元件。
可以理解，当元件被称为“在另一元件上”时，它能够直接位于其它元件上，或者可以在之间存在居间元件。相反地，当元件被称为“直接在另一元件上”时，不存在居间元件。如此处所使用的，术语“和/或”包括相关所列项目中的一个或多个的任何及所有组合。
可以理解，尽管此处将术语第一、第二、第三用于描述不同元件、组件、区域、层和/或部分，但是这些元件、组件、区域、层和/或部分不应该局限于这些术语。这些术语仅用于将一个元件、组件、区域、层或部分与另一个元件、组件、区域、层或部分区分开来。因而，在不偏离本发明的教导的情况下，可以将下面讨论的第一元件、组件、区域、层或部分称为第二元件、组件、区域、层或部分。
此处使用的术语仅出于描述特定实施例的目的，并不意味着限制本发明。如此处使用的单数形式“一个”、“一种”及“这个”等，除非上下文明确地指出，否则也包括复数形式。还可以理解，当在本说明书中使用时，术语“包括”和/或“包含”特指所陈述的特征、区域、整数、步骤、操作、元件和/或组件的存在，但不排除一个或多个其它特征、区域、整数、步骤、操作、元件、组件和/或其组合的存在或添加。
此处可以使用诸如“在...之下”、“在...下面”、“下”、“在...之上”、“上”及其它空间相对术语，以易于描述附图中示出的一个元件或特征与另一元件或特征的关系。可以理解，除了附图中所描述的取向之外，空间相对术语意欲包括所使用或操作的设备的不同取向。例如，如果翻转附图中的设备，则描述为在其它元件或特征“下面”或“之下”的元件将改变方向为在其它元件或特征“之上”。因而，示例性术语“在...下面”既包括向上的取向又包括向下的取向。设备可以取其它方向(旋转90度或在其它方向上)，并且相应地解释所使用的空间相对描述符。
除非作出定义，否则，这里使用的所有术语(包括技术的或科学的术语)都具有与本发明所属领域的普通技术人员通常所理解的相同的意思。还可以理解，应当将诸如那些在通常使用的字典中定义的术语解释为具有与在相关技术的背景中一致的意思，并且除非此处进行了清楚地定义，否则将不以理想的或过度正式的意思来解释这些术语。现在将详细参考本发明的实施例，在附图中示出了本发明的示例，全部附图中类似的数字指代类似的元件。下面，通过参考附图来描述实施例，以便解释本发明。
图1是根据本发明典型实施例的典型TFT基板的正视图。图2是沿图1中II-II线的截面图，图3至图13是示出了根据本发明典型实施例的典型TFT基板的典型制造过程的截面图。
在绝缘基板10上形成栅极布线22、24、26。此处，栅极布线22、24、26被形成为单一层，并可以由铬层组成。可选地，栅极布线22、24、26可以由铝Al、钼Mo、钽Ta等组成。
栅极布线22、24、26包括：沿水平方向(第一方向)延伸的栅极线22、与栅极线22相连的TFT的栅电极26以及作为栅极线22末端的栅极焊盘24。此处，加宽栅极焊盘24的宽度以用于与外部电路相连。尽管关于单根栅极线22描述了栅极布线22、24、26，应该理解到，可以在绝缘基板10上设置多个栅极线22和相应的栅电极26以及栅极焊盘24，其中栅极线22实质上彼此平行地延伸。
由氮化硅(SiNx)等组成的栅极绝缘层30覆盖绝缘基板10上的栅极布线22、24、26，并且还可以覆盖在绝缘基板10上未由栅极布线22、24、26覆盖的暴露区域。
在栅极绝缘层30上的栅电极26上形成由诸如无定形硅a-Si之类的半导体组成的半导体层40。在半导体层40上形成由例如硅化物或掺杂了高密度n型杂质的n+氢化无定形硅等材料组成的欧姆接触层55、56，并且欧姆接触层55、56彼此隔开，用以暴露半导体层40的沟道区域。
在欧姆接触层55、56和栅极绝缘层30上形成数据布线62、65、66、68。数据布线62、65、66、68被形成为单一层，并且可以由铬层组成。可选地，数据布线62、65、66、68可以由铝Al、钼Mo、钽Ta等组成。
数据布线62、65、66、68包括：沿垂直方向(实质上与第一方向垂直的第二方向)形成的并且通过与栅极线22相交来限定象素的数据线62；作为数据线62的分支并且延伸到欧姆接触层55向上一侧的源电极65；与源电极65分离并且在欧姆接触层56向上一侧上形成的漏电极66，当将栅电极26定义为中心时其与源电极65相对；以及作为数据线62末端的数据焊盘68。此时，加宽数据焊盘68的宽度以用于与外部电路相连。尽管关于单根数据线62描述了数据布线62、65、66、68，应该理解到，可以在栅极绝缘层30和欧姆接触层55、56上设置多根数据线62和相应的源电极65、漏电极66以及数据焊盘68，其中数据线62实质上彼此平行地延伸。
在数据布线62、65、66、68向上一侧上并且在半导体层40上未由数据线62、65、66、68覆盖的暴露部分上形成由SiNx等组成的保护层70。
在保护层70中形成接触孔76、78，用以分别暴露漏电极66和数据焊盘68。此外，通过保护层70和栅极绝缘层30形成用于暴露栅极焊盘24的接触孔74。
位于栅极线22和数据线62的相交对之间的象素区域内的象素电极82通过接触孔76与漏电极66电连接，并且位于保护层70上。此外，在保护层70上形成分别通过接触孔74、78与栅极焊盘24和数据焊盘68相连的接触支撑构件86、88。此处，象素电极82和支撑构件86、88包括例如但并不局限于氧化铟锡(“ITO”)或氧化铟锌(“IZO”)的透明导电层。
在图示的实施例中，象素电极82在栅极线22上交迭，从而形成存储电容。可选地，如果存储电容不足，则可以在与栅极布线22、24、26相同的层上为存储电容布置附加电路。
在根据本发明典型实施例的制造典型TFT基板的典型方法中，如图3所示，在绝缘基板10上形成栅极金属层20和光敏层图案92。在绝缘基板10的整个表面上或绝缘基板10的基本整个表面上，形成栅极金属层20，并且可以应用溅射方法。通过在栅极金属层20上涂覆光敏层、曝光光敏层、然后显影光敏层，来形成光敏层图案92。光敏层图案92被形成在要形成栅极布线22、24、26的栅极金属层20向上一侧上。
此处，栅极金属层20可以被形成为单一层。如果栅极金属层20被形成为多层，如下面将进一步描述的，当使用包含酸(例如硝酸)的清洗剂进行清洗处理时，会发生腐蚀。这种现象可能发生的原因在于清洗剂起到电解液的作用，会引起电化学效应。
接下来，如图4所示，通过蚀刻栅极金属层20来形成栅极布线22、24、26。如果栅极金属层20由铬组成，则可以使用硝酸和(NH4)2Ce(NO3)6的混合溶液作为蚀刻剂。如果栅极金属层20由Al或Mo组成，则可以使用磷酸、硝酸和醋酸的混合溶液作为蚀刻剂。如果栅极金属层20由Ta组成，则可以使用硝酸和氟酸的混合溶液作为蚀刻剂。尽管描述了特定蚀刻剂对于特定栅极金属层有效，在这些实施例范围内，可以对于由各种材料组成的栅极金属层选择使用可选适当的蚀刻剂。
接下来，如图5所示，在通过抛光去除光敏层图案92之后，通过使用包含酸(例如硝酸)的清洗剂来清洗暴露的栅极布线22、24、26，在清洗剂中，硝酸的含量范围在例如8％至12％内，其它清洗剂成分(例如去离子水)占清洗剂的剩余百分比。通过清洗处理来去除形成在暴露的栅极布线22、24、26之上的金属氧化物层，并且给暴露的栅极布线22、24、26的表面赋予亲水性。此外，在清洗处理期间还去除在蚀刻和抛光处理中产生的微粒和蚀刻剂。
接下来，如图6所示，形成栅极绝缘层30。栅极绝缘层30可以由氮化硅等形成，并且可以通过化学气相沉积(“CVD”)来形成。因为栅极绝缘层30也具有亲水性，所以它对于在清洗处理中被赋予亲水性的栅极布线22、24、26具有非常良好的粘着性，因此提高了台阶覆盖。
接下来，如图7所示，在栅电极26上的栅极绝缘层30上形成具有岛屿形状的半导体层40和欧姆接触层50。可以依次形成栅极绝缘层30、半导体层40和欧姆接触层50。
接下来，如图8所示，形成数据金属层60和光敏层图案94。数据金属层60形成于绝缘基板10的整个表面或基本整个表面上，而且也可以应用溅射方法。通过在数据金属层60上涂覆光敏层、曝光光敏层、然后显影光敏层，来形成光敏层图案94。光敏层图案94被形成在要形成数据布线62、65、66、68的数据金属层60向上一侧上。
此处，数据金属层60可以被形成为单一层。如果数据金属层被形成为多层，则当使用包含酸(例如硝酸)的清洗剂进行清洗时，会发生腐蚀。这种现象可能发生的原因在于清洗剂起到电解液的作用，会引起电化学效应。
接下来，如图9所示，通过蚀刻数据金属层60来形成数据布线62、65、66、68。该蚀刻处理与蚀刻栅极金属层20所采用的处理类似。然后，通过蚀刻，将未由数据布线62、65、66、68覆盖的欧姆接触层50以栅电极26为中心分为两部分。然后，暴露欧姆接触层55和56之间的半导体层40，从而形成沟道部分。随后，优选地使用氧等离子体来稳定被暴露的半导体层40的表面。此外，还可以采用使用等离子体的干法蚀刻方法来蚀刻欧姆接触层50。
接下来，如图10所示，在通过抛光去除光敏层图案94之后，通过使用包含酸(例如硝酸)的清洗剂来清洗暴露的数据布线62、65、66、68。通过清洗，去除了形成于暴露的数据布线62、65、66、68之上的金属氧化物层，而且给暴露的数据布线62、65、66、68的表面赋予了亲水性。此外，去除了在蚀刻和抛光处理中产生的金属微粒和蚀刻剂。具体地，去除了存在于暴露的半导体层40上、处于源电极和漏电极65、66之间以及欧姆接触层55、56之间的沟道部分内的杂质和污染物。因此，显著地提高了TFT的导通电压(on-voltage)特性和截止电压(off-voltage)特性。此外，在清洗处理期间，也去除了在蚀刻欧姆接触层50中使用的蚀刻气体的残留物。
如果铬被用作数据金属层60，则可以使用包含(NH4)2Ce(NO3)6和硝酸的蚀刻剂。在蚀刻之后，例如CeO3和Ce(OH)的污染物可能存在于半导体层40暴露部分上的沟道部分中。通过典型实施例的清洗剂来去除这些污染物，从而抑制了在后处理中由于Ce离子而导致的副产品的产生。
接下来，如图11所示，形成保护层70和光敏层图案96。保护层70可以由氮化硅等形成，而且可以通过使用CVD方法来形成。因为氮化硅的保护层70具有亲水性，所以对也具有亲水性的数据布线62、65、66、68的粘着性非常良好，从而提高了台阶覆盖。可以通过在保护层70上涂覆光敏层、曝光光敏层、然后显影光敏层，来形成光敏层图案96。形成接触孔73、75、77，其通过光敏层图案96，并分别位于栅极焊盘24、漏电极66和数据焊盘68上。
接下来，如图12所示，通过蚀刻栅极绝缘层30和/或保护层70来形成用于暴露栅极焊盘24、漏电极66和数据焊盘68的接触孔74、76、78。
接下来，如图13所示，在抛光并去除了光敏层图案96之后，使用包含酸(例如硝酸)的清洗剂来清洗暴露的栅极焊盘24、漏电极66和数据焊盘68。通过清洗，去除了形成在暴露的金属层24、66、68的表面上的金属氧化物层，并给金属层24、66、68赋予了亲水性。此外，也去除了在抛光和蚀刻期间所产生的金属微粒和蚀刻剂。
接下来，如图1和图2所示，沉积然后通过光刻工艺来处理由ITO、IZO等组成的透明导电层。因此，形成了通过接触孔76与漏电极66相连的象素电极82以及分别通过接触开口74、78与栅极焊盘24和数据焊盘68相连的接触支撑构件86、88。优选地在堆叠由ITO、IZO等组成的透明导电层之前，采用氮气作为在预热过程中使用的气体。
此处，因为在与透明导电层相连的栅极焊盘24、漏电极66和数据焊盘68中已经去除了氧化层和杂质，所以减小了透明导电层和栅极焊盘24、漏电极66、数据焊盘68之间的接触电阻。此外，由于金属层24，66，68的表面在例如清洗处理中被赋予了亲水性，所以增强了对透明导电层的粘着性。
可以对上述实施例进行各种修改。例如，栅极绝缘层30可以包括氧化硅层，保护层70可以包括有机层。
实验1
对于包含铬的金属层，在分别使用根据本发明典型实施例具有硝酸的清洗剂和使用常规氢氧化四甲铵(“TMAH”)溶液来清洗金属层之后，测量对于IZO的接触电阻。硝酸在清洗剂中的含量为10％。
在每一种情况下，实验进行了两次，并且在表1中示出了结果。当使用包含硝酸的清洗剂时，与使用常规TMAH溶液时相比，接触电阻降低大约3个数量级。
表1
  清洗方法   接触电阻(kΩ)
  TMAH   1   22,400,000
  2   37,100,000
  硝酸+去离子水   1   21,800
  2   32,600
实验2
在形成铬的数据布线之后，进行使用根据本发明典型实施例而包含硝酸的清洗剂的清洗处理。对于完成的TFT基板，通过执行光学检查和使用常规TMAH溶液的清洗，确定包括金属的晶种(seed)类型的缺陷数目。
作为确定结果，在包含硝酸的清洗剂的情况下，缺陷数目是21，在使用常规TMAH溶液的清洗剂的情况下，缺陷数目是49。这表明减少了数据布线开路(open)的问题。
根据本发明的TFT基板可以被用于显示设备，例如LCD装置或有机发光二极管等。
有机发光二极管是一种使用在接收到电信号后发光的有机发光材料来自动发光的元件。阳极层(象素层)、空穴注入层、空穴迁移层、发光层、电子迁移层、电子注入层和阴极层(反电极)被堆叠在有机发光二极管中。根据本发明的TFT基板的漏电极在与阳极层电连接时能够提供数据信号。
如上所述，根据本发明，可以提供一种TFT基板的制造方法，该方法通过有效地去除在制造过程中产生的微粒，提高了薄金属层的质量。
尽管已经示出并描述了本发明的几个典型实施例，本领域的技术人员可以认识到，在不背离本发明的原则和精神下，可以对具体实施例进行改变，在所附权利要求及其等效物中限定了本发明的范围。

Claims (30)

1.一种制造TFT基板的方法，该方法包括：
在绝缘基板上形成栅极金属层；
在栅极金属层上形成光敏层图案；
使用光敏层图案，通过蚀刻栅极金属层来形成栅极布线；
通过剥去光敏层图案来暴露栅极布线；以及
利用包含硝酸的清洗剂来清洗暴露的栅极布线。
2.根据要求1所述的方法，其中，清洗剂中硝酸的含量范围在8％至12％之间。
3.根据要求1所述的方法，其中，清洗剂由占清洗剂8％到12％的硝酸和占清洗剂剩余百分比的去离子水组成。
4.根据要求1所述的方法，其中，蚀刻栅极金属层包括：选择蚀刻剂，该蚀刻剂包含硝酸以及以下中的至少一种：磷酸、乙酸、氟酸和(NH4)2Ce(NO3)6。
5.根据要求1所述的方法，还包括：在栅极布线上形成由氮化硅组成的栅极绝缘层。
6.根据要求5所述的方法，其中，栅极布线包括栅极焊盘，以及
该方法还包括：通过去除栅极焊盘上的栅极绝缘层来暴露栅极焊盘，以及在栅极焊盘的暴露部分上形成透明导电层。
7.根据要求6所述的方法，其中，栅极金属层包括铬层，以及
透明导电层与铬层相接触。
8.根据要求6所述的方法，其中，透明导电层由氧化铟锡和氧化铟锌之一组成。
9.根据要求1所述的方法，其中，栅极金属层被形成为单一层。
10.根据要求1所述的方法，其中，清洗清洗暴露的栅极布线包括：给栅极布线的表面赋予亲水性，该方法还包括：在栅极布线上形成栅极绝缘层，所述栅极绝缘层具有亲水性，增加了栅极布线和栅极绝缘层之间的粘合强度。
11.一种制造TFT基板的方法，该方法包括：
在绝缘基板上形成栅极布线；
在栅极布线上形成栅极绝缘层、半导体层和欧姆接触层；
在欧姆接触层上形成数据金属层；
在数据金属层上形成光敏层图案；
使用光敏层图案，通过蚀刻数据金属层来形成数据布线；
通过剥去光敏层图案来暴露数据布线；以及
使用包含硝酸的清洗剂来清洗暴露的数据布线。
12.根据要求11所述的方法，其中，清洗剂中硝酸的含量范围在8％至12％之间。
13.根据要求11所述的方法，其中，清洗剂由占清洗剂8％到12％的硝酸和占清洗剂剩余百分比的去离子水组成。
14.根据要求11所述的方法，其中，蚀刻数据金属层包括：选择蚀刻剂，该蚀刻剂包含硝酸以及以下中的至少一种：磷酸、乙酸、氟酸和(NH4)2Ce(NO3)6。
15.根据要求11所述的方法，还包括：在数据布线上形成由氮化硅组成的保护层。
16.根据要求11所述的方法，还包括：使用数据布线作为掩模，通过干法蚀刻欧姆接触层来形成沟道部分，
其中，当进行清洗时，沟道部分被暴露出来。
17.根据要求11所述的方法，其中，数据金属层被形成为单一层。
18.根据要求11所述的方法，其中，清洗暴露的数据布线包括：给数据布线表面赋予亲水性，该方法还包括：在数据布线上形成保护层，所述保护层具有亲水性，增加了数据布线和保护层之间的粘合强度。
19.一种制造TFT基板的方法，该方法包括：
在绝缘基板上形成栅极布线；
在栅极布线上形成栅极绝缘层；
在栅极绝缘层上形成包含漏电极的数据布线；
在数据布线上形成保护层；
在保护层上形成光敏层图案；
使用光敏层图案，通过蚀刻保护层来形成暴露漏电极的第一接触孔；
通过剥去光敏层图案来暴露保护层；
使用包含硝酸的清洗剂来清洗暴露的保护层；以及
形成通过保护层、经由第一接触孔与漏电极相接触的透明导电层。
20.根据要求19所述的方法，其中，清洗剂中硝酸的含量范围在8％至12％之间。
21.根据要求19所述的方法，其中，清洗剂由占清洗剂8％到12％的硝酸和占清洗剂剩余百分比的去离子水组成。
22.根据要求19所述的方法，其中，栅极布线包括栅极焊盘，以及
该方法还包括：在蚀刻保护层的同时，通过蚀刻栅极绝缘层来形成暴露栅极焊盘的第二接触孔，并且透明导电层通过第二接触孔与栅极焊盘相接触。
23.根据要求19所述的方法，其中，数据布线还包括数据焊盘，以及
在蚀刻保护层的同时，形成暴露数据焊盘的第二接触孔，并且透明导电层通过第二接触孔与栅极焊盘相接触。
24.根据要求19所述的方法，其中，栅极布线和数据布线各自被形成为单一层。
25.一种制造TFT基板的方法，该基板具有金属布线，用于将信号传输至TFT基板的象素区域，所述方法包括：
形成金属布线；以及，
使用包含硝酸的清洗剂来清洗金属布线。
26.根据要求25所述的方法，其中，清洗剂还包括去离子水。
27.根据要求25所述的方法，其中，清洗金属布线包括：从金属布线表面去除金属氧化物层。
28.根据要求25所述的方法，其中，清洗金属布线包括：去除先前蚀刻和抛光处理中残留在金属布线上的微粒和蚀刻剂。
29.根据要求25所述的方法，其中，清洗金属布线包括：给金属布线的暴露表面赋予亲水性。
30.根据要求29所述的方法，还包括：使用具有亲水性的层来覆盖金属布线的暴露表面，增加了金属布线和该层之间的粘合强度。
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