CN1752852A - 用于剥离光刻胶的组合物及薄膜晶体管阵列面板制造方法 - Google Patents

用于剥离光刻胶的组合物及薄膜晶体管阵列面板制造方法 Download PDF

Info

Publication number
CN1752852A
CN1752852A CNA2005101051321A CN200510105132A CN1752852A CN 1752852 A CN1752852 A CN 1752852A CN A2005101051321 A CNA2005101051321 A CN A2005101051321A CN 200510105132 A CN200510105132 A CN 200510105132A CN 1752852 A CN1752852 A CN 1752852A
Authority
CN
China
Prior art keywords
layer
light carving
rubber stripper
carving rubber
drain electrode
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
CNA2005101051321A
Other languages
English (en)
Other versions
CN1752852B (zh
Inventor
朴弘植
郑宗铉
尹锡壹
金圣培
金玮溶
许舜范
金柄郁
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Samsung Display Co Ltd
Original Assignee
Samsung Electronics Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Samsung Electronics Co Ltd filed Critical Samsung Electronics Co Ltd
Publication of CN1752852A publication Critical patent/CN1752852A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN1752852B publication Critical patent/CN1752852B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
    • G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
    • H01L21/3105—After-treatment
    • H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
    • H01L21/31127—Etching organic layers
    • H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
    • H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
    • H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
    • H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
    • H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
    • H01L29/43—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by the materials of which they are formed
    • H01L29/45—Ohmic electrodes
    • H01L29/456—Ohmic electrodes on silicon
    • H01L29/458—Ohmic electrodes on silicon for thin film silicon, e.g. source or drain electrode

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Liquid Crystal (AREA)
  • Thin Film Transistor (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
  • Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Abstract

本发明提供了一种光刻胶剥离剂，包括：约5wt％至20wt％的醇胺、约40wt％至70wt％的乙二醇醚、约20wt％至40wt％的N－甲基吡咯烷酮、以及约0.2wt％至6wt％的螯合剂。

Description

用于剥离光刻胶的组合物及 薄膜晶体管阵列面板制造方法
相关申请的交叉引用
本发明要求2004年9月24日提交的韩国专利申请第10-2004-0077501号的优选权，其全部内容结合于此作为参考。
技术领域
本发明涉及用于光刻胶的剥离剂及利用该剥离剂的薄膜晶体管阵列面板的制造方法。
背景技术
液晶显示器(LCD)是目前使用最广泛的平板显示器之一。LCD包括置于两个设置有场产生电极的面板之间的液晶(LC)层。通过向场产生电极施加电压以在LC层中产生电场(该电场取向LC层中的LC分子，以调整入射光的极化)LCD显示图像。
包括两个设置有场产生电极的面板的LCD在LCD市场上占主导地位，其中，在一个面板上具有排成矩阵的多个像素电极，并且另一个面板具有覆盖面板的整个表面的共电极。
LCD通过对各个像素电极施加不同电压而显示图像。为此，用于转换施加于像素电极的电压的具有三个端子的TFT连接到像素电极。另外，在薄膜晶体管阵列面板上形成有传输用于控制该薄膜晶体管的信号的栅极线和传输施加到像素电极的电压的数据线。
TFT是响应于来自栅极线的扫描信号将来自数据线的图像信号传输到像素电极的开关元件。TFT应用于有源矩阵有机发光显示器以控制发光元件。
考虑到LCD尺寸渐增的趋势，由于栅极线及数据线的长度也随着LCD的尺寸增加而增加，因此需要一种具有低电阻率的材料。
铝是具有足够低的电阻率并且可以用于LCD的金属。然而，这种金属具有低的耐化学性，因此，其容易受到用于图样化薄膜图样的蚀刻剂和光刻胶剥离剂的破坏。由此，由铝制成的数据线通常具有诸如底切和悬垂等带有缺陷的轮廓。
发明内容
本发明提供了一种光刻胶剥离剂，用于溶解和剥离光刻胶涂层并且不腐蚀光刻胶之下的金属线。
本发明还提供了一种使用光刻胶剥离剂制造TFT阵列面板的方法。
本发明的其余特征将在以下的描述中进行阐释，并且部分地通过以下的描述将会显而易见，或者通过本发明的实践而获得。
本发明公开了一种光刻胶剥离剂，包括：约5wt％至约20wt％的醇胺、约40wt％至约70wt％的乙二醇醚、约20wt％至约40wt％的N-甲基吡咯烷酮、以及约0.2wt％至约6wt％的螯合剂。
本发明还公开了一种光刻胶剥离剂，包括：约5wt％至约20wt％的N-单乙醇胺、约40wt％至约70wt％的丁基二甘醇(butyl diglycol)、约20wt％至约40wt％的N-甲基吡咯烷酮、约0.1wt％至约3wt％的棓酸甲酯(methyl gattate)以及大约0.1wt％至3wt％的羟乙基哌嗪(hydroxyl ethyl piperasane)。
本发明还公开了一种使用光刻胶剥离剂制造TFT阵列面板的方法，该方法包括：在绝缘基片上形成具有栅电极的栅极线；在栅极线上沉积栅极绝缘层、半导体层、和欧姆接触层；图样化半导体层和欧姆接触层，并在栅极绝缘层和欧姆接触层上形成漏电极和具有源电极的数据线，其中，漏电极和源电极相对并且在其中间具有缝隙。该方法还包括：形成具有用于露出漏电极的接触孔的钝化层，以及在钝化层上形成连接到穿过接触孔的漏电极上的像素电极。形成栅极线、形成漏电极和数据线的步骤中的至少一个包括使用光刻胶剥离剂剥离光刻胶层的步骤，该光刻胶剥离剂包括约5wt％至约20wt％的醇胺、约40wt％至约70wt％的乙二醇醚、约20wt％至约40wt％的N-甲基吡咯烷酮、以及约0.2wt％至约6wt％的螯合剂。
应当明白，上文中的描述和下文中的详细描述都是实例性的和说明性的，其目的是为了提供对本发明的进一步解释。
附图说明
图1是根据本发明的示例性实施例的用于LCD的TFT阵列面板的布局图。
图2是沿图1中的II-II′线截取的TFT阵列面板的截面图；
图3、图4、图5、图6B、图7B、图8、图9、图10、11B、和图12B是顺序示出了根据图1和图2所示实施例的用于LCD的TFT阵列面板的制造步骤的截面图；
图6A、图7A、图11A、和图12A是顺序示出了根据图1和图2所示实施例的用于LCD的TFT阵列面板的制造步骤的布局图；
图13是根据本发明另一示例性实施例的用于LCD的TFT阵列面板的布局图；
图14是沿图13中的XIV-XIV′线截取的TFT阵列面板的截面图；
图15、图16、图17、图18B、图19、图20、图21B、和图22B是顺序示出了根据图13和图14所示实施例的用于LCD的TFT阵列面板的制造步骤的截面图；
图18A、图21A、图22A是顺序示出了根据图13和图14所示实施例的用于LCD的TFT阵列面板的制造步骤的布局图；
图23A是示出了使用传统的光刻胶剥离剂的铝层的腐蚀特征的视图；
图23B是示出了根据本发明的示例性实施例的使用光刻胶剥离剂时的铝层腐蚀特征的视图。
具体实施方式
根据本发明的光刻胶剥离剂具有良好的剥离功能并且不会腐蚀金属。另外，该光刻胶剥离剂防止了信号线具有诸如底切和悬垂等不合格的轮廓。
本发明提供了一种光刻胶剥离剂，包括：约5wt％至约20wt％的醇胺、约40wt％至约70wt％的乙二醇醚、约20wt％至约40wt％的N-甲基吡咯烷酮、以及约0.2wt％至约6wt％的螯合剂。
该醇胺可以包括但不限于单异丙醇胺(CH3CH(OH)CH2NH2)或N-单乙醇胺(HO(CH2)2NH2)。醇胺优选是N-单乙醇胺(HO(CH2)2NH2)。光刻胶剥离剂可以包含约5wt％至约20wt％的醇胺。当光刻胶剥离剂包含小于5wt％的醇胺时，由于醇胺随着剥离处理的进行而挥发，因此光刻胶剥离剂的剥离功能衰减。由此，光刻胶的微粒仍然残留在图样后的薄膜上。当光刻胶剥离剂包含超过20wt％的醇胺时，光刻胶剥离剂与光刻胶层的接触角过大。由此，光刻胶剥离剂没有很好地吸收到光刻胶中。
将乙二醇醚添加到光刻胶剥离剂中以溶解光刻胶并控制表面张力。乙二醇醚可以包括但不限于卡必醇(C2H5O(CH2CH2O)2H)，甲基二甘醇(CH3O(CH2CH2O)2H)，和丁基二甘醇(C4H9O(CH2CH2O)2H)等。乙二醇醚优选是丁基二甘醇。光刻胶剥离剂包括大约40wt％至70wt％的乙二醇醚。当光刻胶剥离剂包含的乙二醇醚小于40wt％时，其与光刻胶层的接触角过大。当光刻胶剥离剂包含的乙二醇醚超过70wt％时，其光刻胶剥离功能下降。
将N-甲基吡咯烷酮(C5H9NO)添加到光刻胶剥离剂以同乙二醇醚一起溶解光刻胶。因为N-甲基吡咯烷酮具有较强的极性(ploarity)，所以能够在光刻胶剥离剂反复剥离的情况下保存其剥离能力。光刻胶剥离剂包含约20wt％至约40wt％的N-甲基吡咯烷酮。当光刻胶剥离剂包含的N-甲基吡咯烷小于20wt％时，其溶解光刻胶的能力非常弱。当光刻胶剥离剂包含的N-甲基吡咯烷超过40wt％时，其具有过强的极性，这需要额外量的醇胺。
螯合剂降低诸如铝的具有弱耐化学性金属的电化腐蚀。当铝和钼的双金属层被光刻胶剥离剂浸透时，电子从铝层向钼层移动以通过电化腐蚀来腐蚀铝层。当光刻胶剥离剂包含螯合剂时，该螯合剂降低电化腐蚀以阻止铝层产生底切。优选地，光刻胶剥离剂包含棓酸甲酯、羟乙基哌嗪(HEP)、及其混合物作为螯合剂。
光刻胶剥离剂可以包含约0.2wt％至约6wt％的螯合剂。当光刻胶剥离剂包含的螯合剂小于0.2wt％时，其抑制电化腐蚀的作用不明显。当光刻胶剥离剂包含的螯合剂超过6wt％时，可以对金属层产生反作用。
本发明还提供了一种使用上述的光刻胶剥离剂的TFT阵列面板的制造方法。
以下将参照附图对根据本发明的优选实施例进行详细地描述，其中，附图示出了根据本发明的优选实施例。然而，本发明可以多种不同的形式来实现而并不局限于在此所示出的实施例。更确切地，所提供的这些实施例仅是使本发明的公开更加完整和充分，并且本领域的技术人员可充分理解本发明的覆盖范围。
附图中，为清楚起见，扩大了层、薄膜、和区域的厚度。整个附图中，相同的标号指向相同的元件。应该可以理解，当诸如层、薄膜、区域、或基片的元件位于另一个元件“之上”时，是指该元件直接位于另一个元件上，或在其间存在干涉元件。
实施例1及实施例2：
在实施例1及实施例2中，将根据本发明的光刻胶剥离剂的剥离能力和铝腐蚀度与普通的光刻胶剥离剂进行比较。根据表1提供了包含醇胺、醇胺溶剂、和其他元素的光刻胶剥离剂。
本实施例中，N-单乙醇胺(N-MEA)作为剥离光刻胶的醇胺使用。丁基二甘醇(BDG)及N-甲基吡咯烷酮(NMP)作为溶剂使用。棓酸甲酯(MG)和羟乙基哌嗪(HEP)作为螯合剂使用。传统的包括N-MEA、BDG、和NMP、或N-MEA、二甲基甲酰胺(DMSO)和脱盐水(DI)的光刻胶剥离剂作为参考例。
表1
  单位(wt％)  实施例1  实施例2  参考例1  参考例2
  N-MEA   15   18   10   30
  BDG   47   51   35   -
  NMP   35   25   55   -
  DMSO   -   -    -   50
  MG   1.5   3    -   -
  HEP   1.5   3    -   -
  DI    -   -    -   20
对根据所述实施例1、实施例2、参考例1、和参考例2测量光刻胶剥离剂的剥离能力和铝腐蚀性。
A.剥离能力的测试
在4个尺寸为10cm×10cm的原玻璃(bare glass)板上旋转涂布厚度为2.0μm的光刻胶层。在约65℃温度下分别将实施例1、实施例2、参考例1、和参考例2的光刻胶剥离剂喷射到四个光刻胶层上，持续超过180秒，然后用去离子水清洗30秒。接下来，可以由肉眼和通过显微镜观察四个玻璃板。
结果发现，实施例1及实施例2的光刻胶剥离剂显示了高的剥离功能，并且参考例1的光刻胶剥离剂显示的剥离功能同实施例1及实施例2相比略微下降。参考例2的光刻胶剥离剂显示出较差的剥离能力。
B.铝腐蚀度测试
使用光刻胶层在3个尺寸为10cm×10cm的原玻璃板上形成包括铝层和钼层的双层金属图样。分别将实施例1、实施例2、参考例1、和参考例2的光刻胶剥离剂喷射到四个光刻胶层上，持续超过150秒，然后用去离子水洗净30秒，然后干燥。
如图23B所示，用于实施例1和实施例2的光刻胶剥离剂的金属图样在不腐蚀铝的底层的情况下具有良好的轮廓。然而，如图23A所示的用于参考例1的光刻胶剥离剂的金属图样具有包括铝的底层的1434nm的底切的不合格轮廓。
这样，根据本发明的实施例1及实施例2的光刻胶剥离剂同传统的光刻胶剥离剂相比，具有非常高的剥离能力并且对铝具有非常弱的腐蚀性。
实施例3
结合附图详细描述使用实施例1的光刻胶剥离剂和实施例2的光刻胶剥离剂构成的TFT阵列面板及其制造方法。
图1是根据本发明的示例性实施例的用于LCD的TFT阵列面板的布局图，以及图2是沿图1中的II-II′线截取的TFT阵列面板的截面图。
在绝缘基片110上形成多个用于传输栅极信号的多条栅极线121。栅极线121主要在水平方向上形成，并且其一部分成为多个栅电极124。而且，其在较低方向延伸的不同部分成为多个扩张部127。
栅极线121具有底层124a和127a以及顶层124b和127b。底层124a和127a可以含有但不限于诸如纯铝或铝-钕(Al-Nd)的含铝金属。顶层124b和127b可以含有但不限于钼。
顶层124b和127b以及底层124a和127a的侧面相对于基片110的表面倾斜，倾角在约30度到约80度的范围内。
在栅极线121上形成优选地包含氮化硅(SiNx)的栅极绝缘层140。
在栅极绝缘层140上形成优选地包含氢化非晶硅(“a-Si”)的半导体带151。每个半导体带151大致在纵向延伸并周期性地弯曲。每个半导体带151具有多个朝栅电极124扩展的突起部(extension)154。每个半导体带151的宽度在栅极线121附近增加，因此半导体带151覆盖栅极线121的大片区域。
在半导体带151上形成优选地由硅化物或重参杂n型杂质的n+氢化非晶硅组成的多个欧姆接触带161和岛165。每个欧姆接触带161包括多个突起部163，并且突起部163和欧姆接触岛165成对地位于半导体带151的突起部154上。
半导体带151和欧姆接触层161和165的边缘表面是锥形的，从而半导体带151和欧姆接触层161和165的边缘表面的倾角优选地在约30度到约80度的范围内。
在欧姆接触层161、165及栅极绝缘层140上形成多条数据线171、多个漏电极175、及多个储能电容器导体177。
传输数据电压的数据线171大致在纵向延伸并与栅极线121交叉以限定排列成矩阵的像素区域。各数据线171的朝漏电极175突起的多条分枝形成多个源电极173。每对源电极173和漏电极175在栅电极124上彼此分离，并彼此相对。
数据线171、漏电极175、和储能电容器导体177分别具有第一层171a、175a和177a，第二层171b、175b和177b，第三层171c、175c和177c。第一层171a、175a和177a以及第三层171c、175c和177c分别置于第二层171b、175b和177b的底部和上部。第一层171a、175a和177a以及第三层171c、175c和177c包括含钼金属。第二层171b、175b和177b包括含铝金属。
由于具有低阻抗的铝或铝合金层置于两个钼合金层之间，从而防止了具有低阻抗的数据线171和铝或铝合金层与半导体和像素电极的可能引起不良接触的接触。由此，防止了由于不良接触引起的TFT的退化。
栅电极124、源电极173、及漏电极175与半导体带151的突起部154共同形成具由通道(channel沟道)的TFT，该通道形成在置于源电极173和漏电极175之间的突起部154上。储能电容器导体177与栅极线121的扩张部127重叠。
数据线171、漏电极175、及储能电容器导体177具有锥形的边缘表面，因此边缘表面的倾角在约30度到约80的范围内。
欧姆接触层161、165夹置于半导体带151和数据线之间以及漏电极175和半导体带151的突起部154之间，以降低其间的接触阻抗。半导体带151在源电极173和漏电极175之间的地方，以及没有被数据线171和漏电极175覆盖的其他地方部分地外露。半导体带151的大部分比数据线171窄，但是半导体带151的宽度在半导体带151与栅极线121交叉的附近变宽以防止数据线171断开。
在数据线171、漏电极175、及储能电容器导体177、和半导体带151的外露部分上形成有钝化层180。钝化层180包括具有大致平面化特性和光敏性的有机材料，或诸如a-Si:C:O、a-Si:O:F的具有低介电常数的绝缘材料。该钝化层180由加强的等离子化学汽相沉积(PECVD)形成。为了防止钝化层180的有机材料与半导体带151在数据线171和漏电极175之间外露部分接触，可以形成钝化层180，从而在有机材料层之下另外形成包括SiNx或SiO2的绝缘层。
在钝化层180上分别形成露出漏极175、储能电容器导体177及数据线171末端部分的多个接触孔185、187、182。
在钝化层180上形成由铟锌氧化物(IZO)或铟锡氧化物(ITO)制成的多个像素电极190及多个接触辅助件82。
由于像素电极190分别通过接触孔185和187与漏电极175及储能电容器导体177连接，像素电极190接收来自漏电极175的数据电压，并将其传输到储能电容器导体177中。
被供给数据电压的像素电极190与被供给共电压的相对面板(未示出)的共电极(未示出)一起产生电场，从而可以排列液晶层中的液晶分子。
而且，如上所述，像素电极190和共电极组成电容器，以在TFT关闭之后存储和保持接收的电压。该电容器称为“液晶电容器”。为了加强电压存储能力，另一个与液晶电容器并联的电容器称之为“储能电容器”。储能电容器在像素电极190和与之相邻的栅极线121(称为“之前栅极线”)的重叠部形成。设置栅极线121的扩张部127以确保最大可能的重叠并因此增加储能电容器的存储能力。另外，储能电容器导体177与像素电极190连接并且与扩张部127重叠，并被设置在钝化层180的底部，因此像素电极190变得接近之前栅极线121。
像素电极190可以和相邻的栅极线121及邻近的数据线171重叠以提高孔径比。
接触辅助件82补充数据线171端部和诸如驱动集成电路的外部装置之间的粘接性，并保护它们。由于接触辅助件82不是基本元件，因此可选择性的对其进行应用。
下面参照图3、图4、图5、图6A、图7A、图7B、图8、图9、图10、图11A、图11B、图12A、图12B以及图1和图2详细说明TFT阵列面板的制造方法。
如图3所示，在绝缘基片110上依次沉积第一金属层120a和第二金属层120b。第一金属层120a和第二金属层120b可以由如下执行的共同溅射(Co-sputtering)沉积。
在同一溅射室安装有两个靶用于共同溅射。一个靶包括铝或铝-钕，并且另一个靶包括钼合金。
首先，向铝(或铝-钕)靶施供电而不向钼合金靶供电，以沉积铝(或铝-钕)的底层。该底层的厚度优选地为约2500。
然后，向钼合金靶供电而不向铝(或铝-钕)靶供电，以沉积上层。
然后，如图4所示，光刻胶层40涂布在第二金属层120b上并通过光掩膜50曝光。然后，光刻胶层40被显像。
接着，如图5所示，用蚀刻剂蚀刻第一金属层120a及第二金属层120b没有被光刻胶图样40a覆盖的部分。该蚀刻剂优选地含有预定比例的磷酸、硝酸、醋酸、及脱盐水。
然后，使用本发明的实施例1中的光刻胶剥离剂剥离光刻胶图样40a。在约50℃至约80℃的温度下将光刻胶剥离剂喷射至光刻胶图样40a，并且保持约60秒至300秒。
在本实施例中，该光刻胶剥离剂包括15wt％的N-单乙醇胺(N-MEA)、47wt％的丁基二甘醇(BDG)、35wt％的N-甲基吡咯烷酮(NMP)、1.5wt％的棓酸甲酯(MG)、以及1.5wt％的羟乙烷基哌嗪(HEP)。然而，光刻胶剥离剂的成分的比例可以在如下范围内变化：约5wt％至约20wt％的醇胺、约40wt％至约70wt％的乙二醇醚、约20wt％至约40wt％的N-甲基吡咯烷酮、以及约0.2wt％至约6wt％的螯合剂。
在本实施例中，光刻胶剥离剂包含N-MEA作为醇胺、BDG作为乙二醇醚、以及MG和HEP作为螯合剂。然而，这些组合物仅是例示性的，也可以使用其他的材料。例如，可以使用单异丙醇胺(CH3CH(OH)CH2NH2)作为醇胺，并且也可以使用卡必醇(C2H5O(CH2CH2O)2H)或甲基二甘醇(CH3O(CH2CH2O)2H)作为乙二醇醚。
通过如图6A及图6B所示的上述处理，形成具有多个栅电极124和扩张部127的多条栅极线121。
参照图7A及图7B，在依次沉积栅极绝缘层140、内部a-Si层、和外部a-Si层后，外部a-Si层和内部a-Si层被光蚀刻以形成分别具有突起部164和154的多个外部半导体带161和多个内部半导体带151。栅极绝缘层140优选的具有厚度为约2,000至约5,000的氮化硅，并且沉积温度优选地在约125℃到约500℃的范围内。
然后，如图8所示，在外部半导体带161上依次沉积钼合金的第一层、铝(或铝合金)第二层、以及钼合金的第三层。三个层的厚度优选地为约3000。溅射温度优选地为约150℃。
接着，如图9所示，光刻胶层41旋转涂布在第三金属层170c上，并利用光掩膜51将光刻胶层41曝光并将其显像。
然后，如图10所示，用蚀刻剂蚀刻第三到第一金属层170的未被光刻胶图样41a覆盖的部分。蚀刻剂优选地含有预定比例的磷酸、硝酸、醋酸、和脱盐水。
然后，用实施例1中的光刻胶剥离剂剥离光刻胶图样41a，并且当光刻胶图样40a被剥离时在该第三实施例中较早。光刻胶剥离剂在约50℃至约80℃的温度下向光刻胶图样41a喷射约60秒至300秒。
通过如图11A和11B所示的上述处理，形成具有多个源电极173、多个漏电极175、以及储能电容器导体177的多条数据线171。
接着，通过蚀刻除去外部半导体带161的未被数据线171和漏电极175覆盖的部分，以完成多个欧姆接触层161和165以及露出内部半导体带154部分。其后，实施氧等离子处理以稳定半导体带151的外露表面。
参照图12A及图12B，钝化层180同栅极绝缘层140一起被沉积和干蚀刻，以形成多个接触孔185、187、和182。优选地，在具有大致相同的蚀刻比的蚀刻条件下蚀刻栅极绝缘层140和钝化层180。
当钝化层含有光敏材料时，可以通过光刻法形成接触孔。
最后，如图1及图2所示，通过溅射和光蚀刻IZO层或ITO层形成多个像素电极190和多个接触辅助件82。
本实施例描述了都具有含钼层和含铝层的栅极线121及数据线171。然而，栅极线121及数据线171中可能只有一个具有多层。
实施例4
在第一实施例中通过利用不同的光掩膜的不同光蚀刻处理形成数据线和半导体。然而，可以通过使用相同的光掩膜的光蚀刻处理同步形成数据线和半导体，以降低生产成本。下面将参照附图详细的描述这样的实施例。
图13是根据本发明另一实施例的用于LCD的TFT阵列面板的布局图，以及图14是沿图13中所示的XIV-XIV′截取的TFT阵列面板的截面图。
从图13及图14中可以看出，本实施例的层结构与图1及图2示出的TFT阵列面板的层结构非常相似。
也即，具有栅电极124的栅极线121形成在绝缘基片110上。在栅极线121上依次形成栅极绝缘层140、具有突起部154的半导体带151、和欧姆接触层163和165。在欧姆接触层163和165以及栅极绝缘层140上形成具有源电极173的多条数据线171和多个漏电极175。数据线171和漏电极175具有三个金属层，包括：含有含钼金属的第一金属层171a、175a，含有含铝金属的第二金属层171b、175b，以及含有含钼金属的第三金属层171c、175c。在数据线171和源电极173上形成钝化层180。钝化层180具有多个接触孔182和185。在钝化层180上形成多个像素电极190和多个接触辅助件82。
然而，根据本实施例的TFT阵列面板包括多个从栅极线121分离并与漏电极175重叠以形成储能电容器的储能电极线131。储能电极线131代替图1和图2所示的TFT阵列面板的扩张部127。
通过使像素电极190和储能线131重叠形成储能存储器。储能电极线131被供给诸如共电压的预定电压。如果通过使像素电极190和栅极线121重叠产生的储能电容足够时，可以省略储能电极线131。可以在像素边缘形成储能电极线131以提高孔径比。
数据线171和漏电极175具有与欧姆接触层163和165大致相同的平面图样。除了突起部154之外，半导体带151具有与欧姆接触层163和165的平面图样大致相同的平面图样。半导体带151具有置于源电极173和漏电极175之间未被其覆盖的外露部分。
现在参照图15、图16、图17、图18A、图19、图20、图21A、图21B、图22A、和图22B以及图13和图14详细说明图13和图14所示的TFT阵列面板的制造方法。
如图15所示，通过溅射在绝缘基片110上依次形成第一金属层120a和第二金属层120b。第一金属层120a包括铝或铝合金。第二金属层120b包括钼或钼合金。
然后，如图16所示，光刻胶层42被旋转涂布在第二金属层120b上并通过光掩膜52被曝光。然后，光刻胶层40被显像。
接着，如图17所示，用蚀刻剂蚀刻第一金属层120a及第二金属层120b的未被光刻胶图样42a覆盖的部分。优选地，蚀刻剂包括预定比例的磷酸、硝酸、醋酸、及脱盐水。
然后，通过根据本发明的实施例2的光刻胶剥离剂剥离光刻胶图样42a。在约50℃至约80℃的温度下向光刻胶图样42a喷射光刻胶剥离剂约60秒至300秒。
在本实施例中，光刻胶剥离剂包括约18wt％的N-单乙醇胺(N-MEA)、约51wt％的丁基二甘醇(BDG)、约25wt％的N-甲基吡咯烷酮(NMP)、约3.0wt％的没食子酸甲酯(MG)、以及约3.0wt％的羟乙基哌嗪(HEP)。然而，光刻胶剥离剂的成分可以在如下范围内变化，包括约5wt％至约20wt％的醇胺、约40wt％至约70wt％的乙二醇醚、约20wt％至约40wt％的N-甲基吡咯烷酮、以及约0.2wt％至约6wt％的螯合剂。
在本实施例中，光刻胶剥离剂包含N-MEA作为醇胺、BDG作为乙二醇醚、以及MG和HEP作为螯合剂。然而，这些材料仅是例示性的，也可以使用其他的材料。例如，可以使用单异丙醇胺(CH3CH(OH)CH2NH2)作为醇胺，并且也可以使用卡必醇(C2H5O(CH2CH2O)2H)或甲基二甘醇(CH3O(CH2CH2O)2H)作为乙二醇醚。
通过如图18A及图18B所示的上述处理，形成具有多个栅电极124和储能电极线131的多条栅极线121。
参照图19，依次沉积包含SiNx的栅极绝缘层140、内部半导体层150、和外部半导体层160。内部半导体层150优选地包括氢化a-Si，而外部半导体层160优选地包括硅化物或重参杂n型杂质的n+氢化a-Si。
然后，在外部半导体层160上依次沉积包括钼的第一金属层170a、包括铝的第二金属层170b、及包括钼的第三金属层170c。
在第三层170c上涂布光刻胶薄膜。光刻胶薄膜通过光掩膜(未示出)曝光并显像，因此被显像的光刻胶具有如图19所示的取决于位置的厚度。被显像的光刻胶包括多个第一到第三部分。第一部分54位于通道区域B以及第二部分52位于数据线区域A。因为位于其余部分C的第三部分的厚度基本上为零，所以没有用标号加以表示。这里，可以根据随后处理步骤中的处理情形调整第一部分54和第二部分52的厚度比。优选地，第一部分54厚度等于或小于第二部分52厚度的一半。
可以通过若干工艺实现光刻胶的取决于位置的厚度，例如，在光掩膜上设置半透明区域以及透明区域和遮光区域(light blockingarea)。在半透明区域可以但不限于具有狭缝图样、晶格状图样、或中间透射率或中间厚度的薄膜。当使用狭缝图样时，优选地，狭缝的宽度或狭缝之间的间距比用于蚀刻法的曝光器的分辨率小。
另一个实例是使用可以回流的光刻胶。如果使用只具有透明区域和不透明区域的普通曝光掩膜形成的可回流材料制成的光刻胶，则该光刻胶容易进行流向没有光刻胶的区域的回流处理，从而形成薄部。
如图20所示，然后蚀刻光刻胶薄膜52和54以及底层，从而数据线171、漏电极175、和底层残留在数据区域A，只有内部半导体层残留在沟槽区域B，并且栅极绝缘线140外露在其余区域C上。
然后，当光刻胶图样42a被剥离时，在早于该第四实施例，通过实施例2的光刻胶剥离剂剥离光刻胶图样52和54。如前所述，光刻胶剥离剂在约50℃至约80℃的温度下向光刻胶图样52和54喷射约60秒至300秒。
如图21A和图21B所示，通过上述的处理，形成多个具有源电极173、漏电极175、欧姆接触层163和165、以及半导体带151的数据线171。
现在描述用于形成这样的结构的方法。
参照图20，去除区域C上的第一、第二、和第三层170a、170b和170c，以露出外部半导体带160的底部。
然后，通过干蚀刻除去区域C上的外部半导体带160的外露部分和内部半导体带150的底部以及光刻胶图样52和54，以露出区域B上的源极和漏极(S/D)金属层174。
通道区域B的光刻胶图样54可以通过蚀刻在去除外部半导体带160和内部半导体带150同时被去除，或者通过单独的蚀刻处理被去除。通道区域B内的光刻胶图样54的残留物通过灰化去除。在此步骤中，完全形成半导体带151。
可以通过干蚀刻来蚀刻数据导体层170以及欧姆接触层160和a-Si层150，以简化制造程序。在这种情况下，可以在干蚀刻室内依次蚀刻三层170、160、150，该方法称为“原位”(in-situ)方法。
然后，如图21A及图21B所示，通过蚀刻去除S/D金属层174的部分以及位于通道区域B的外部半导体层160的底部。此时，可以蚀刻半导体154的外露部分以使其厚度减小，而且，也可以部分地去除光刻胶图样的第二部分52。
由此，源电极173和漏电极175彼此分离，并且，其下的数据线和欧姆接触层163和165被完成。
然后，如图22A及图22B所示，形成钝化层180，以覆盖数据线171、漏电极175、以及半导体带151的未被数据线171和漏电极175覆盖的外露部分。优选地，钝化层180包含具有良好的平面特性的光敏有机材料，诸如通过PECVD形成的a-Si:C:O和a-Si:O:F等具有4.0以下的低介电常数的绝缘材料，或者诸如氮化硅或氧化硅的无机材料。
然后，光蚀刻钝化层180以形成多个接触孔185和182。当钝化层180包含光敏材料时，可以用光蚀刻法形成接触孔185和182。
最后，如先前图13及图14所示，通过溅射或光蚀刻IZO层或ITO层形成多个像素电极190和多个接触辅助件82。像素电极190和接触辅助件82分别通过接触孔185和182与漏电极175和数据线171的末端连接。
本实施例中描述的栅极线121及数据线171都具有含钼层和含铝层。然而，栅极线121和数据线171中可以只有一个具有多层。
以上所述仅为本发明的优选实施例而已，并不用于限制本发明，对于本领域的技术人员来说，本发明可以有各种更改和变化。凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。

Claims (19)

1.一种光刻胶剥离剂，包括：
约5wt％至约20wt％的醇胺；
约40wt％至约70wt％的乙二醇醚；
约20wt％至约40wt％的N-甲基吡咯烷酮；以及
约0.2wt％至约6wt％的螯合剂。
2.根据权利要求1所述的光刻胶剥离剂，
其中，所述醇胺是单异丙醇胺(CH3CH(OH)CH2NH2)、
N-单乙醇胺(HO(CH2)2NH2)、及其混合物中的一种。
3.根据权利要求1所述光刻胶剥离剂，
其中，所述乙二醇醚是卡必醇[C2H5O(CH2CH2O)2H]、甲基二甘醇[CH3O(CH2CH2O)2H]、丁基二甘醇[C4H9O(CH2CH2O)2H]、及其混合物中的一种。
4.根据权利要求1所述的光刻胶剥离剂，
其中，所述醇胺是单异丙醇胺(CH3CH(OH)CH2NH2)，并且所述乙二醇醚是丁基二甘醇[C4H9O(CH2CH2O)2H]。
5.根据权利要求1所述的光刻胶剥离剂，
其中，所述螯合剂是棓酸甲酯、羟乙基哌嗪、及其混合物中的一种。
6.根据权利要求5所述的光刻胶剥离剂，
其中，所述棓酸甲酯及羟乙基哌嗪的浓度大致相同。
7.一种光刻胶剥离剂，包括：
N-单乙醇胺；
丁基二甘醇；
N-甲基吡咯烷酮；以及
螯合剂。
8.一种光刻胶剥离剂，包括：
约5wt％至20wt％的N-单乙醇胺；
约40wt％至约70wt％的丁基二甘醇；
约20wt％至约40wt％的N-甲基吡咯烷酮；
约0.1wt％至约3wt％的棓酸甲酯；以及
约0.1wt％至约3wt％的羟乙基哌嗪。
9.一种薄膜晶体管阵列面板的制造方法，包括：
在基片上形成具有栅电极的栅极线；
在所述栅极线上沉积栅极绝缘层、半导体层、及欧姆接触层；
图样化所述半导体层和所述欧姆接触层；
在所述栅极绝缘层和所述欧姆接触层上形成漏电极和包括源电极的数据线，所述漏电极与所述源电极相对且其间具有缝隙；
形成具有用于露出所述漏电极的接触孔的钝化层；以及
形成通过所述钝化层上的所述接触孔与所述漏电极连接的像素电极；
其中，形成所述栅极线和形成所述漏电极和数据线的步骤中的至少一个包括：使用含有约5wt％至约20wt％的醇胺、约40wt％至约70wt％的乙二醇醚、约20wt％至约40wt％的N-甲基吡咯烷酮、及约0.2wt％至约6wt％的螯合剂的光刻胶剥离剂剥离光刻胶层的步骤。
10.根据权利要求9所述的方法，其中，所述形成栅极线的步骤还包括：
沉积包括含铝金属的第一金属层和包括含钼金属的第二金属层；以及
光蚀刻所述第一金属和所述第二金属层。
11.根据权利要求10所述的方法，
其中，所述第一金属层包括铝-钕。
12.根据权利要求9所述的方法，
其中，所述形成所述漏电极和所述数据线的步骤还包括：
依次沉积含钼金属的第一金属层、含铝金属的第二金属层、及含钼金属的第三金属层；以及
光蚀刻所述第一金属层、所述第二金属层和所述第三金属层。
13.根据权利要求9所述的方法，
其中，在约50℃至约80℃下进行光刻胶层的剥离。
14.根据权利要求9所述的方法，
其中，所述光刻胶层的剥离进行约60秒至约300秒。
15.根据权利要求9所述的方法，
其中，所述光刻胶剥离剂被喷射到所述光刻胶层上。
16.根据权利要求9所述的方法，
其中，形成所述栅极线以及形成所述漏电极和所述数据线的步骤中的至少一个包括：利用含有磷酸、硝酸、醋酸、以及去离子水的蚀刻剂进行蚀刻的步骤。
17.根据权利要求9所述的方法，
其中，所述醇胺是N-单乙醇胺，
其中，所述乙二醇醚是丁基二甘醇，以及
其中，所述螯合剂包含约0.1wt％至3wt％的棓酸甲酯以及约0.1wt％至3wt％的羟乙基哌嗪。
18.根据权利要求9所述的方法，
其中，通过使用具有第一部分、比所述第一部分厚的第二部分、以及比所述第一部分薄的第三部分的光刻胶图样进行光蚀刻而形成所述数据线和所述半导体层。
19.根据权利要求18所述的方法，
其中，将所述第一部分置于所述源电极和所述漏电极之间，以及
其中，将所述第二部分置于所述数据线和所述漏电极上。
CN2005101051321A 2004-09-24 2005-09-22 用于剥离光刻胶的组合物及薄膜晶体管阵列面板制造方法 Active CN1752852B (zh)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR10-2004-0077501 2004-09-24
KR1020040077501A KR101136026B1 (ko) 2004-09-24 2004-09-24 포토레지스트용 박리제 및 상기 박리제를 이용한 박막트랜지스터 표시판의 제조 방법
KR1020040077501 2004-09-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN1752852A true CN1752852A (zh) 2006-03-29
CN1752852B CN1752852B (zh) 2012-02-01

Family

ID=36232831

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN2005101051321A Active CN1752852B (zh) 2004-09-24 2005-09-22 用于剥离光刻胶的组合物及薄膜晶体管阵列面板制造方法

Country Status (6)

Country Link
US (3) US7294518B2 (zh)
EP (1) EP1640806B1 (zh)
JP (1) JP4653517B2 (zh)
KR (1) KR101136026B1 (zh)
CN (1) CN1752852B (zh)
TW (1) TWI463276B (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101750916A (zh) * 2008-12-17 2010-06-23 三星电子株式会社 光刻胶剥离剂用组合物及薄膜晶体管阵列基板的制造方法
CN102315279A (zh) * 2011-09-29 2012-01-11 深圳市华星光电技术有限公司 一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、液晶显示装置
CN110109323A (zh) * 2019-05-23 2019-08-09 西南交通大学 新型光刻胶、其制备方法、应用和医用材料表面的改性方法

Families Citing this family (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101136026B1 (ko) * 2004-09-24 2012-04-18 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트용 박리제 및 상기 박리제를 이용한 박막트랜지스터 표시판의 제조 방법
KR20070075808A (ko) * 2006-01-16 2007-07-24 삼성전자주식회사 표시 기판의 제조 방법 및 이를 이용하여 제조한 표시 기판
KR101229277B1 (ko) * 2006-10-12 2013-02-04 삼성디스플레이 주식회사 박막 트랜지스터 기판의 제조 방법
TWI330406B (en) * 2006-12-29 2010-09-11 Au Optronics Corp A method for manufacturing a thin film transistor
KR101890425B1 (ko) * 2011-07-14 2018-08-22 삼성디스플레이 주식회사 포토레지스트 박리용 조성물 및 이를 이용한 표시 기판의 제조 방법
KR101857807B1 (ko) 2011-08-22 2018-06-19 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트의 박리방법
US8883699B2 (en) 2011-10-25 2014-11-11 Dongwoo Fine-Chem Co., Ltd. Resist stripping composition and method of stripping resist using the same
KR101880302B1 (ko) 2011-10-25 2018-07-20 동우 화인켐 주식회사 레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 레지스트 박리방법
TW201335724A (zh) * 2012-02-23 2013-09-01 Chi Mei Corp 光阻剝離液組成物及其應用
KR102002765B1 (ko) * 2012-11-13 2019-07-24 삼성디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치 및 그것의 제조 방법
KR102032321B1 (ko) 2012-11-13 2019-10-15 동우 화인켐 주식회사 얼룩 발생 방지용 레지스트 박리액 조성물
KR102296739B1 (ko) 2014-10-27 2021-09-01 삼성전자 주식회사 포토마스크용 세정 조성물을 이용한 집적회로 소자 제조 방법
KR20190116211A (ko) 2019-10-01 2019-10-14 동우 화인켐 주식회사 얼룩 발생 방지용 레지스트 박리액 조성물
KR102324927B1 (ko) 2019-10-01 2021-11-12 동우 화인켐 주식회사 얼룩 발생 방지용 레지스트 박리액 조성물

Family Cites Families (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4791043A (en) 1983-12-20 1988-12-13 Hmc Patents Holding Co., Inc. Positive photoresist stripping composition
JPS60131535A (ja) 1983-12-20 1985-07-13 エッチエムシー・パテンツ・ホールディング・カンパニー・インコーポレーテッド ポジのホトレジスト用のストリツピング組成物
US5988186A (en) * 1991-01-25 1999-11-23 Ashland, Inc. Aqueous stripping and cleaning compositions
JP2911792B2 (ja) 1995-09-29 1999-06-23 東京応化工業株式会社 レジスト用剥離液組成物
US5827757A (en) * 1996-07-16 1998-10-27 Direct Radiography Corp. Fabrication of large area x-ray image capturing element
US6440326B1 (en) * 1998-08-13 2002-08-27 Mitsubishi Gas Chemical Company, Inc. Photoresist removing composition
KR100268108B1 (ko) * 1998-08-25 2000-12-01 윤종용 포토레지스트용 스트리퍼 조성물
JP3328250B2 (ja) * 1998-12-09 2002-09-24 岸本産業株式会社 レジスト残渣除去剤
JP2000199971A (ja) * 1999-01-07 2000-07-18 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd ホトレジスト用剥離液組成物およびこれを用いたホトレジスト剥離方法
TWI270749B (en) * 1999-06-07 2007-01-11 Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd Photoresist stripping liquid composition and a method of stripping photoresists using the same
KR100360985B1 (ko) * 2000-04-26 2002-11-18 주식회사 동진쎄미켐 레지스트 스트리퍼 조성물
US6455479B1 (en) * 2000-08-03 2002-09-24 Shipley Company, L.L.C. Stripping composition
JP2002138272A (ja) 2000-11-01 2002-05-14 Mitsubishi Rayon Co Ltd キレート剤組成物、金属塩製造方法及び洗浄剤組成物
US6916772B2 (en) * 2001-07-13 2005-07-12 Ekc Technology, Inc. Sulfoxide pyrolid(in)one alkanolamine cleaner composition
TWI258641B (en) * 2001-09-12 2006-07-21 Samsung Electronics Co Ltd Stripper composition for photoresist
KR100438015B1 (ko) * 2001-10-10 2004-06-30 엘지.필립스 엘시디 주식회사 구리용 레지스트 제거용 조성물
US20030138737A1 (en) * 2001-12-27 2003-07-24 Kazumasa Wakiya Photoresist stripping solution and a method of stripping photoresists using the same
KR101017738B1 (ko) * 2002-03-12 2011-02-28 미츠비시 가스 가가쿠 가부시키가이샤 포토레지스트 박리제 조성물 및 세정 조성물
JP4304909B2 (ja) 2002-04-03 2009-07-29 東ソー株式会社 洗浄剤及びそれを用いた洗浄方法
KR100878236B1 (ko) 2002-06-12 2009-01-13 삼성전자주식회사 금속 패턴의 형성 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터기판의 제조 방법
KR100890024B1 (ko) * 2002-09-18 2009-03-25 삼성전자주식회사 액정 표시 장치
WO2004027518A2 (en) * 2002-09-19 2004-04-01 Arch Specialty Chemicals, Inc. A method for the removal of an imaging layer from a semiconductor substrate stack
JP4091396B2 (ja) 2002-10-10 2008-05-28 東京応化工業株式会社 フラットパネルディスプレー製造用剥離液及びそれを使用するフラットパネルディスプレー用アルミニウム電極形成方法
KR100503231B1 (ko) * 2002-10-22 2005-07-22 주식회사 엘지화학 반도체 및 ｔｆｔ-ｌｃｄ용 세정제 조성물
JP4110928B2 (ja) 2002-11-01 2008-07-02 東ソー株式会社 洗浄剤
KR100951898B1 (ko) 2002-12-09 2010-04-09 삼성전자주식회사 포토레지스트 제거용 스트리핑 조성물 및 이를 사용한액정 표시 장치의 박막 트랜지스터 기판의 제조방법
JP3940385B2 (ja) * 2002-12-19 2007-07-04 株式会社神戸製鋼所 表示デバイスおよびその製法
KR20050110955A (ko) * 2004-05-20 2005-11-24 금호석유화학 주식회사 포토레지스트용 스트리퍼 조성물 및 이를 포토레지스트박리에 사용하는 방법
KR20060024478A (ko) * 2004-09-13 2006-03-17 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트 박리액 조성물
KR101136026B1 (ko) * 2004-09-24 2012-04-18 주식회사 동진쎄미켐 포토레지스트용 박리제 및 상기 박리제를 이용한 박막트랜지스터 표시판의 제조 방법
KR101160829B1 (ko) * 2005-02-15 2012-06-29 삼성전자주식회사 식각액 조성물 및 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101750916A (zh) * 2008-12-17 2010-06-23 三星电子株式会社 光刻胶剥离剂用组合物及薄膜晶体管阵列基板的制造方法
CN101750916B (zh) * 2008-12-17 2013-08-14 三星显示有限公司 光刻胶剥离剂用组合物及薄膜晶体管阵列基板的制造方法
CN102315279A (zh) * 2011-09-29 2012-01-11 深圳市华星光电技术有限公司 一种薄膜晶体管及其制造方法、阵列基板、液晶显示装置
CN110109323A (zh) * 2019-05-23 2019-08-09 西南交通大学 新型光刻胶、其制备方法、应用和医用材料表面的改性方法
CN110109323B (zh) * 2019-05-23 2020-06-30 西南交通大学 光刻胶、其制备方法、应用和医用材料表面的改性方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP4653517B2 (ja) 2011-03-16
EP1640806A3 (en) 2007-05-23
KR20060028523A (ko) 2006-03-30
EP1640806B1 (en) 2014-04-16
CN1752852B (zh) 2012-02-01
US20060204896A1 (en) 2006-09-14
JP2006091823A (ja) 2006-04-06
US7294518B2 (en) 2007-11-13
US7553710B2 (en) 2009-06-30
EP1640806A2 (en) 2006-03-29
US20080085850A1 (en) 2008-04-10
KR101136026B1 (ko) 2012-04-18
US20080032432A1 (en) 2008-02-07
TWI463276B (zh) 2014-12-01
US8012921B2 (en) 2011-09-06
TW200613935A (en) 2006-05-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN1752852A (zh) 用于剥离光刻胶的组合物及薄膜晶体管阵列面板制造方法
CN100346218C (zh) 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
CN1155058C (zh) 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法和薄膜的光刻方法
CN1165970C (zh) 供液晶显示器用薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
CN1877448A (zh) 蚀刻剂及使用蚀刻剂制造布线及薄膜晶体管基板的方法
TWI452445B (zh) 光阻剝除劑組合物以及使用該組合物形成導線結構及製造薄膜電晶體基板之方法
CN1727976A (zh) 液晶显示器的阵列基板及其制造方法
CN1897269A (zh) 布线结构、布线形成方法、薄膜晶体管基板及其制造方法
CN1575525A (zh) 半导体装置接触部及其制造方法和包括该接触部的用于显示器的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
CN1623117A (zh) 用于显示装置的薄膜晶体管阵列板的制造方法
CN1670909A (zh) 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
CN1728363A (zh) 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
CN1517771A (zh) 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
CN1713057A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法
CN1790160A (zh) 掩模和半导体装置的制造方法以及薄膜晶体管阵列面板
CN1577025A (zh) 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
CN1615452A (zh) 显示器布线及其制造方法与包含该布线的薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
CN1623236A (zh) 金属图案的形成方法及利用该金属图案形成方法的薄膜晶体管阵列面板制造方法
CN1714431A (zh) 用于液晶显示装置的薄膜晶体管基板及其制造方法
CN1627166A (zh) 薄膜晶体管阵列面板
CN1655056A (zh) 光学掩模及利用该掩模的薄膜晶体管阵列面板的制造方法
CN1812109A (zh) Tft阵列面板及其制造方法
CN1959993A (zh) 薄膜晶体管阵列基板及其制造方法与半透射液晶显示装置
CN1627168A (zh) 薄膜晶体管阵列面板及其制造方法
CN1901169A (zh) 制造薄膜晶体管基板的方法

Legal Events

Date Code Title Description
C06 Publication
PB01 Publication
C10 Entry into substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
C14 Grant of patent or utility model
GR01 Patent grant
ASS Succession or assignment of patent right

Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD.

Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD.

Effective date: 20121219

C41 Transfer of patent application or patent right or utility model
TR01 Transfer of patent right

Effective date of registration: 20121219

Address after: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee after: Samsung Display Co., Ltd.

Address before: Gyeonggi Do, South Korea

Patentee before: Samsung Electronics Co., Ltd.