CN101750916A - 光刻胶剥离剂用组合物及薄膜晶体管阵列基板的制造方法 - Google Patents
光刻胶剥离剂用组合物及薄膜晶体管阵列基板的制造方法 Download PDFInfo
- Publication number
- CN101750916A CN101750916A CN200910253786A CN200910253786A CN101750916A CN 101750916 A CN101750916 A CN 101750916A CN 200910253786 A CN200910253786 A CN 200910253786A CN 200910253786 A CN200910253786 A CN 200910253786A CN 101750916 A CN101750916 A CN 101750916A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- glycol
- ether
- weight
- compound
- composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Granted
Links
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 98
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 52
- 239000000758 substrate Substances 0.000 title claims abstract description 41
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 14
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title abstract description 12
- -1 amine compound Chemical class 0.000 claims abstract description 50
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 claims abstract description 33
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 claims abstract description 33
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 24
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 13
- 239000012153 distilled water Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 23
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N ethylene glycol Natural products OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 20
- 238000002161 passivation Methods 0.000 claims description 13
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 12
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 9
- CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N Ascorbic acid Chemical compound OC[C@H](O)[C@H]1OC(=O)C(O)=C1O CIWBSHSKHKDKBQ-JLAZNSOCSA-N 0.000 claims description 8
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N gallic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC(O)=C(O)C(O)=C1 LNTHITQWFMADLM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N phthalic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1C(O)=O XNGIFLGASWRNHJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N salicylic acid Chemical compound OC(=O)C1=CC=CC=C1O YGSDEFSMJLZEOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 1-aminopropan-2-ol Chemical compound CC(O)CN HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WFCSWCVEJLETKA-UHFFFAOYSA-N 2-piperazin-1-ylethanol Chemical compound OCCN1CCNCC1 WFCSWCVEJLETKA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- UIKUBYKUYUSRSM-UHFFFAOYSA-N 3-morpholinopropylamine Chemical compound NCCCN1CCOCC1 UIKUBYKUYUSRSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 4-methyl-2h-benzotriazole Chemical compound CC1=CC=CC2=NNN=C12 CMGDVUCDZOBDNL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N benzotriazole Chemical compound C1=CC=C2N[N][N]C2=C1 QRUDEWIWKLJBPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000012964 benzotriazole Substances 0.000 claims description 5
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N pyrogallol Chemical compound OC1=CC=CC(O)=C1O WQGWDDDVZFFDIG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- PVOAHINGSUIXLS-UHFFFAOYSA-N 1-Methylpiperazine Chemical compound CN1CCNCC1 PVOAHINGSUIXLS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 2-(2-butoxyethoxy)ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCO OAYXUHPQHDHDDZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- QHTUMQYGZQYEOZ-UHFFFAOYSA-N 2-(4-methylpiperazin-1-yl)ethanol Chemical compound CN1CCN(CCO)CC1 QHTUMQYGZQYEOZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LJDSTRZHPWMDPG-UHFFFAOYSA-N 2-(butylamino)ethanol Chemical compound CCCCNCCO LJDSTRZHPWMDPG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCOCCOCCOCCO WFSMVVDJSNMRAR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 2-butoxyethanol Chemical compound CCCCOCCO POAOYUHQDCAZBD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 2-diethylaminoethanol Chemical compound CCN(CC)CCO BFSVOASYOCHEOV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JOMNTHCQHJPVAZ-UHFFFAOYSA-N 2-methylpiperazine Chemical compound CC1CNCCN1 JOMNTHCQHJPVAZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RJWLLQWLBMJCFD-UHFFFAOYSA-N 4-methylpiperazin-1-amine Chemical compound CN1CCN(N)CC1 RJWLLQWLBMJCFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N D-glucitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)[C@H](O)CO FBPFZTCFMRRESA-JGWLITMVSA-N 0.000 claims description 4
- WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N Glucose Natural products OC[C@H]1OC(O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-GASJEMHNSA-N 0.000 claims description 4
- UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N N-dimethylaminoethanol Chemical compound CN(C)CCO UEEJHVSXFDXPFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N N-methylethanolamine Chemical compound CNCCO OPKOKAMJFNKNAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N Phthalic anhydride Natural products C1=CC=C2C(=O)OC(=O)C2=C1 LGRFSURHDFAFJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N Propanolamine Chemical compound NCCCO WUGQZFFCHPXWKQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N Triisopropanolamine Chemical compound CC(O)CN(CC(C)O)CC(C)O SLINHMUFWFWBMU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- TVXBFESIOXBWNM-UHFFFAOYSA-N Xylitol Natural products OCCC(O)C(O)C(O)CCO TVXBFESIOXBWNM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 150000008065 acid anhydrides Chemical class 0.000 claims description 4
- LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N aminoethylethanolamine Chemical compound NCCNCCO LHIJANUOQQMGNT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N aminoethylpiperazine Chemical compound NCCN1CCNCC1 IMUDHTPIFIBORV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229960005070 ascorbic acid Drugs 0.000 claims description 4
- 235000010323 ascorbic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000011668 ascorbic acid Substances 0.000 claims description 4
- WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N beta-D-glucose Chemical compound OC[C@H]1O[C@@H](O)[C@H](O)[C@@H](O)[C@@H]1O WQZGKKKJIJFFOK-VFUOTHLCSA-N 0.000 claims description 4
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims description 4
- JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N butyl 2,2-difluorocyclopropane-1-carboxylate Chemical compound CCCCOC(=O)C1CC1(F)F JHIWVOJDXOSYLW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 claims description 4
- GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N diethylenediamine Natural products C1CNCCN1 GLUUGHFHXGJENI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N diglyme Chemical compound COCCOCCOC SBZXBUIDTXKZTM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N diisopropanolamine Chemical compound CC(O)CNCC(C)O LVTYICIALWPMFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229940043276 diisopropanolamine Drugs 0.000 claims description 4
- POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N dipropyl ether Chemical compound CCCOCCC POLCUAVZOMRGSN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229940074391 gallic acid Drugs 0.000 claims description 4
- 235000004515 gallic acid Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000008103 glucose Substances 0.000 claims description 4
- 229940102253 isopropanolamine Drugs 0.000 claims description 4
- HEBKCHPVOIAQTA-UHFFFAOYSA-N meso ribitol Natural products OCC(O)C(O)C(O)CO HEBKCHPVOIAQTA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N methyl diethanolamine Chemical compound OCCN(C)CCO CRVGTESFCCXCTH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N papa-hydroxy-benzoic acid Natural products OC(=O)C1=CC=C(O)C=C1 FJKROLUGYXJWQN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- YZTJYBJCZXZGCT-UHFFFAOYSA-N phenylpiperazine Chemical compound C1CNCCN1C1=CC=CC=C1 YZTJYBJCZXZGCT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 claims description 4
- 229960004889 salicylic acid Drugs 0.000 claims description 4
- 150000005846 sugar alcohols Chemical class 0.000 claims description 4
- UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N tetraethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCOCCO UWHCKJMYHZGTIT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol Chemical compound OCCOCCOCCO ZIBGPFATKBEMQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N triethylene glycol monomethyl ether Chemical compound COCCOCCOCCO JLGLQAWTXXGVEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- HEBKCHPVOIAQTA-SCDXWVJYSA-N xylitol Chemical compound OC[C@H](O)[C@@H](O)[C@H](O)CO HEBKCHPVOIAQTA-SCDXWVJYSA-N 0.000 claims description 4
- 229960002675 xylitol Drugs 0.000 claims description 4
- 235000010447 xylitol Nutrition 0.000 claims description 4
- 239000000811 xylitol Substances 0.000 claims description 4
- 239000010408 film Substances 0.000 description 36
- 230000006378 damage Effects 0.000 description 19
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 15
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 15
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 13
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 13
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 11
- 239000011368 organic material Substances 0.000 description 10
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 9
- 238000005984 hydrogenation reaction Methods 0.000 description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 7
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 6
- 230000008569 process Effects 0.000 description 6
- 208000027418 Wounds and injury Diseases 0.000 description 5
- 238000013461 design Methods 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 5
- 208000014674 injury Diseases 0.000 description 5
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 5
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 4
- 230000008859 change Effects 0.000 description 4
- 239000012212 insulator Substances 0.000 description 4
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 3
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000003321 amplification Effects 0.000 description 2
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N indium;tin;hydrate Chemical compound O.[In].[Sn] MRNHPUHPBOKKQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 description 2
- 238000000623 plasma-assisted chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 2
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 2
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 2
- 238000004626 scanning electron microscopy Methods 0.000 description 2
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003860 storage Methods 0.000 description 2
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 2
- NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 1,2-bis(ethenyl)benzene;1-ethenyl-2-ethylbenzene;styrene Chemical compound C=CC1=CC=CC=C1.CCC1=CC=CC=C1C=C.C=CC1=CC=CC=C1C=C NWUYHJFMYQTDRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004411 aluminium Substances 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 description 1
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000011161 development Methods 0.000 description 1
- AQEFLFZSWDEAIP-UHFFFAOYSA-N di-tert-butyl ether Chemical compound CC(C)(C)OC(C)(C)C AQEFLFZSWDEAIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 1
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 1
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 1
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 1
- 239000000975 dye Substances 0.000 description 1
- 238000004043 dyeing Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 230000005684 electric field Effects 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 238000011049 filling Methods 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 1
- 230000008595 infiltration Effects 0.000 description 1
- 238000001764 infiltration Methods 0.000 description 1
- 238000002347 injection Methods 0.000 description 1
- 239000007924 injection Substances 0.000 description 1
- 239000003456 ion exchange resin Substances 0.000 description 1
- 229920003303 ion-exchange polymer Polymers 0.000 description 1
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 1
- 238000003475 lamination Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 1
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229920000620 organic polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000003973 paint Substances 0.000 description 1
- 238000011056 performance test Methods 0.000 description 1
- 239000000049 pigment Substances 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 description 1
- 230000002459 sustained effect Effects 0.000 description 1
- 238000007669 thermal treatment Methods 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
- YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N zinc indium(3+) oxygen(2-) Chemical compound [O--].[Zn++].[In+3] YVTHLONGBIQYBO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/124—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs with a particular composition, shape or layout of the wiring layers specially adapted to the circuit arrangement, e.g. scanning lines in LCD pixel circuits
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/12—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body
- H01L27/1214—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being other than a semiconductor body, e.g. an insulating body comprising a plurality of TFTs formed on a non-semiconducting substrate, e.g. driving circuits for AMLCDs
- H01L27/1259—Multistep manufacturing methods
- H01L27/1288—Multistep manufacturing methods employing particular masking sequences or specially adapted masks, e.g. half-tone mask
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Liquid Crystal (AREA)
- Thin Film Transistor (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
根据一个或多个实施方法提供光刻胶剥离剂用组合物及薄膜晶体管阵列基板的制造方法。在一个或多个实施方式中，所述组合物包括约5-30重量％的链状胺化合物、约0.5-10重量％的环状胺化合物、约10-80重量％的二醇醚化合物、约5-30重量％的蒸馏水和约0.1-5重量％的腐蚀抑制剂。
Description
相关申请的交叉引用
本申请要求2008年12月17日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请No.10-2008-0128684的优先权，将其公开内容全部引入本文作为参考。
技术领域
本发明的实施方式大体上涉及用于光刻胶剥离剂的组合物及薄膜晶体管(TFT)阵列基板的制造方法。
背景技术
目前，液晶显示器(LCD)是最广泛使用的平板显示器中的一些。LCD具有其上形成有场产生电极的两个基板、以及介于所述基板之间的液晶层。在LCD中，向电极施加电压以使LCD的液晶分子重新排列，从而控制透射光的量。
目前统治着LCD市场的LCD为其中两个基板具有场产生电极的LCD。具体而言，通常所用类型的LCD具有：一个具有多个薄膜晶体管(TFT)和以矩阵排列的像素电极的基板，以及另一个其上形成有红色、绿色和蓝色滤色器及覆盖所述基板的整个表面的公共电极的基板。然而，在LCD中，将所述像素电极和滤色器形成在不同基板上，从而在所述像素电极和滤色片之间可出现未对准(misalignment)。为了克服该缺点，已经提出了在同一基板上形成有滤色片和像素电极的阵列上滤色片(CoA)型LCD。
在CoA型LCD中，在形成滤色片之后形成薄膜例如像素电极。此处，滤色片暴露于用于将薄膜例如像素电极图案化的光刻胶剥离剂。通常，由有机材料制成的光刻胶剥离剂具有高的溶解(melting)滤色片的能力。因此，可导致滤色片中与光刻胶剥离剂接触的部分溶胀。在此情况下，滤色片可具有不平坦的表面，从而使滤色片与上覆盖该滤色片的另一薄膜之间的粘附性恶化，这可导致该上覆盖的薄膜松散或者破裂。此外，可存在填充有液晶的部分的厚度根据位置而变化，导致显示质量的恶化。因此，期望开发能够将光刻胶剥离而不对在下面的膜造成损伤的剥离剂。
发明内容
本发明的实施方式提供用于光刻胶剥离剂的组合物，其可在剥离光刻胶时防止在下面的膜受到损伤。
本发明的实施方式还提供使用所述用于光刻胶剥离剂的组合物制造薄膜晶体管(TFT)阵列基板的方法。
本公开内容的以上和其它目的将描述在以下一个或多个实施方式的描述中或从其明晰。
根据本发明的一个实施方式，提供用于光刻胶剥离剂的组合物，包括5-30重量％的链状胺化合物、0.5-10重量％的环状胺化合物、10-80重量％的二醇醚化合物、5-30重量％的蒸馏水、和0.1-5重量％的腐蚀抑制剂。
根据本发明的另一实施方式，提供制造薄膜晶体管阵列基板的方法，所述方法包括：在基板的像素区域上形成包含栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管(TFT)，在所述TFT上形成钝化层，和在所述钝化层上形成与所述漏电极连接的像素电极，其中，当在各步骤中使用光刻胶图案时，所述光刻胶图案通过光刻胶剥离剂剥离，用于所述光刻胶剥离剂的组合物包括5-30重量％的链状胺化合物、0.5-10重量％的环状胺化合物、10-80重量％的二醇醚化合物、5-30重量％的蒸馏水和0.1-5重量％的腐蚀抑制剂。
附图说明
通过参照附图详细地描述本公开内容的一个或多个实施方式，本公开内容的以上和其它特征和优点将变得更加明晰，其中：
图1A为根据本发明示例性实施方式的TFT阵列基板的设计图；
图1B为在根据实施方式的图1中所示的“A”部分的放大的设计图；
图2为根据实施方式的示于图1B中的TFT阵列基板沿线I-I’所取的截面图；
图3A-图3H为顺序说明根据本发明示例性实施方式制造TFT阵列基板的截面图。
具体实施方式
通过参照一个或多个实施方式的以下具体描述和附图，本公开内容的优点和特征以及实现本公开内容的方法可更易理解。然而，本公开内容可以许多不同的形式体现并且不应解释为限于本文中所阐述的实施方式。相反，提供这些实施方式使得该公开内容彻底且完整并且向本领域技术人员全面转达本公开内容的构思，并且本公开内容仅由所附权利要求所限定。在整个说明书中，相同的附图标记始终表示相同的元件。在附图中，为了清楚起见，放大了层和区域的厚度。
应理解，当一个元件或者层被称为“在”另一元件或者层“上”时，其可直接在所述另一元件或者层上，或者可存在中间元件或者层。相反，当一个元件被称为“直接在”另一元件或者层“上”时，则不存在中间元件或者层。本文中所使用的术语“和/或”包括相关列举项目中的一个或者多个项目的任意组合和全部组合。
为了便于描述，在本文中可使用空间相对术语，例如“在......之下”、“在......下面”、“下部”、“在......上方”、“上部”等来描述如图中所示的一个元件或特征与另外的一个或多个元件或特征的关系。应理解，除图中所示的方位以外，空间相对术语还意图包括在使用或工作中的器件的不同方位。
本文中参照横截面图对本发明的示例性实施方式进行描述，横截面图是本发明的理想化实施方式(和中间结构)的示意图。这样，预期有由于例如制造技术和/或公差导致的与图示形状的偏差。因此，本发明的示例性实施方式不应解释为限于本文中所图示的区域的特定形状，而是包括由于例如制造所导致的形状上的偏差。
下文中，将对根据本发明实施方式的用于光刻胶剥离剂的组合物进行具体描述。此外，将参照附图对使用根据本发明实施方式的组合物制造薄膜晶体管(TFT)阵列基板的方法进行具体描述。
本发明的实施方式涉及用于光刻胶剥离剂的组合物，其可使有机膜或者金属线的腐蚀最小化。此处，所述腐蚀可由用于将光刻法过程中的光刻胶膜除去的剥离剂造成。
根据本发明一个或者多个实施方式的组合物包括5-30重量％的链状胺化合物、0.5-10重量％的环状胺化合物、10-80重量％的二醇醚化合物、5-30重量％的蒸馏水、和0.1-5重量％的腐蚀抑制剂。
首先将根据实施方式对所述组合物的链状胺化合物进行描述。
根据本发明一个或多个实施方式的链状胺化合物为展现出强碱性质的有机胺。此外，所述链状胺化合物高度倾向于渗入到聚合物基体，该聚合物基体在例如干法或者湿法蚀刻、灰化(ashing)、离子注入等的各种加工条件下变性，通过光而固化或者交联。由于所述链状胺化合物能够破坏或者削弱分子内键或者分子间键，因此光刻胶可容易地被含有所述链状胺化合物的剥离剂所除去。即，所述链状胺化合物在所述组合物中主要充当剥离剂。
根据本发明一个或多个实施方式的链状胺化合物的量为约5-30重量％，基于所述组合物的总量。如果所述链状胺化合物的量小于约5重量％，则使在该过程中变性或交联的光刻胶(包括正性光刻胶和负性光刻胶)溶解的能力可降低。因此，光刻胶无法完全除去。另一方面，如果所述链状胺化合物的量大于约30重量％，则可使在光刻胶下面的有机或无机膜或金属线严重损伤。例如，可损伤由有机材料制成的滤色片、数据线、栅极线、像素电极等。具体而言，滤色片的溶胀可使所述滤色片和其它膜之间的粘附性恶化。此外，还可在形成于溶胀的滤色片上的其它膜上产生裂纹。而且，可在将形成于该滤色片上的液晶层中形成空隙，并且液晶可不均匀地填充所述液晶层，导致差的显示质量。
根据本公开内容一个或多个实施方式的链状胺化合物可为选自如下的至少一种：单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、丙醇胺、二丙醇胺、三丙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、2-(2-氨基乙基氨基)乙醇、N，N-二甲基乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺和N-甲基二乙醇胺。
接着，将对根据本发明一个或多个实施方式的用于光刻胶剥离剂的组合物中所含的环状胺化合物进行描述。
根据本发明一个或多个实施方式的环状胺化合物可在保持光刻胶剥离能力的同时防止由有机材料制成的滤色片或者由无机材料制成的绝缘膜和金属线受到损伤。因此，可使对滤色片的损伤最小化，从而防止由于滤色片的溶胀而引起的恶化。
根据本发明一个或多个实施方式的环状胺化合物的量为约0.5-10重量％，基于所述组合物的总量。如果所述环状胺化合物的量小于约0.5重量％，则防止由有机材料制成的滤色片或者由无机材料制成的绝缘膜和金属线受到损伤可为相当困难的。因此，如上所述，无法防止滤色片的溶胀，导致LCD的差的显示质量。如果所述环状胺化合物的量大于约10重量％，则所述环状胺化合物的光刻胶剥离能力可降低，使得无法将光刻胶完全剥离。
根据本公开内容一个或多个实施方式的环状胺化合物可为选自如下的至少一种：1-(2-羟基乙基)哌嗪、1-(2-氨基乙基)哌嗪、1-(2-羟基乙基)-4-甲基哌嗪、N-(3-氨基丙基)吗啉、2-甲基哌嗪、1-甲基哌嗪、4-氨基-1-甲基哌嗪、1-苄基哌嗪和1-苯基哌嗪。
接着，将对根据本发明一个或多个实施方式的用于光刻胶剥离剂的组合物中所含的二醇醚化合物进行描述。
根据本发明一个或多个实施方式的二醇醚化合物渗入到光刻胶的有机聚合物中以改善溶解能力，从而改善后洗涤步骤中的洗涤能力。此外，根据本发明一个或多个实施方式的二醇醚化合物使光刻胶和在所述光刻胶下面的有机膜或者金属线之间的表面张力降低，从而有利于光刻胶的剥离。而且，根据本发明一个或多个实施方式的二醇醚化合物能够溶解所剥离的光刻胶。
根据本发明一个或多个实施方式的二醇醚化合物的量为约10-80重量％，基于所述组合物的总量。如果所述二醇醚化合物的量小于约10重量％，则所述光刻胶溶解能力未处于令人满意的水平。因此，不易将光刻胶剥离。如果所述二醇醚化合物的量大于约80重量％，则可对滤色片造成损伤，导致显示质量的恶化。
根据本发明一个或多个实施方式的二醇醚化合物具有160℃或更高的沸点。所述二醇醚化合物为选自如下的至少一种：乙二醇乙基醚、乙二醇丁基醚、二甘醇甲基醚、二甘醇乙基醚、二甘醇丙基醚、二甘醇丁基醚、三甘醇甲基醚、三甘醇乙基醚、三甘醇丁基醚、三甘醇和四甘醇。
接着，将对根据本发明一个或多个实施方式的用于光刻胶剥离剂的组合物中所含的蒸馏水进行描述。
可使用通过离子交换树脂过滤的纯净水作为根据本发明一个或多个实施方式的蒸馏水。而且，可使用具有18MΩ/cm或更大的电阻率的超纯净水。根据本发明一个或多个实施方式的蒸馏水的量为约5-30重量％，基于所述组合物的总量。如果蒸馏水的量小于约5重量％，则可对滤色片或者绝缘膜造成损伤。此外，所述剥离剂组合物的粘度可升高，从而降低剥离剂的渗入效率。如果蒸馏水的量大于约30重量％，则剥离剂组合物可变得过度稀释，从而降低剥离能力。
最后，将对根据本发明一个或多个实施方式的用于光刻胶剥离剂的组合物中所含的腐蚀抑制剂进行描述。
根据本发明一个或多个实施方式的腐蚀抑制剂防止与所述剥离剂组合物接触的滤色片和金属线的腐蚀，这允许使得在腐蚀抑制剂中所含的极性官能团与滤色片的有机材料或者金属线之间形成以化学或物理的弱结合。即，如果所述腐蚀抑制剂与滤色片的有机材料或者金属线以弱的结合强度化学或者物理地结合，则从根本上防止在作为电解质的用于除去光刻胶的剥离剂与滤色片的有机材料或者金属线之间的电子交换，使得滤色片的有机材料或者金属线未被氧化，从而防止腐蚀。
根据本发明一个或多个实施方式的腐蚀抑制剂的量为约0.1-5重量％，基于所述组合物的总量。如果所述腐蚀抑制剂的量小于约0.1重量％，则含有所述腐蚀抑制剂的光刻胶剥离剂不能恰当地发挥腐蚀防止作用。如果所述腐蚀抑制剂的量大于约5重量％，则可在腐蚀抑制剂和光刻胶之间以及在腐蚀抑制剂和滤色片的有机材料或者金属线之间形成化学或者物理的弱结合，从而进一步降低所述剥离剂将光刻胶除去的能力。
根据本发明一个或多个实施方式的腐蚀抑制剂可为选自以下的至少一种：葡萄糖、糖醇、芳族羟基化合物、炔醇、羧酸化合物和其酐、以及三唑化合物。具体而言，在所列材料中，所述腐蚀抑制剂可为选自如下的至少一种：山梨糖醇、木糖醇、邻苯二酚、焦性没食子酸、没食子酸、2-丁炔-1，4-二醇、邻苯二甲酸、邻苯二甲酸酐、水杨酸、抗坏血酸、甲苯基三唑和苯并三唑。
前述根据本发明一个或多个实施方式的用于光刻胶剥离剂的组合物以通常方式制备，并且然后可经受LCD制造方法中的光刻法过程以用于除去光刻胶(包括正性光刻胶和负性光刻胶)。具体而言，现有的有机光刻胶剥离剂可导致滤色片溶胀，最终导致显示质量的恶化。相反，根据本发明一个或多个实施方式的基于水的剥离剂不导致这样的问题。而且，与常规剥离剂基本上相同的剥离能力可在根据本发明一个或多个实施方式的组合物中得以保持而不恶化。
下文中，将参照以下实施例和对比例更详细地解释本发明的实施方式。然而，这些实施例为说明目的而给出并且不意图对本公开内容进行限制。除非另有说明，百分比和混合比表示重量百分比和重量比。
实施例
实施例1-8和对比例1-5
根据本发明一个或多个实施方式的用于光刻胶剥离剂的组合物通过如下制备：在配有搅拌器的混合罐中将各组分在200-600rpm下在室温下搅拌0.3-3小时，所述各组分的比例列于表1中。
表1
APM：N-(3-氨基丙基)吗啉
HEP：1-(2-羟基乙基)哌嗪
AEE：2-(2-氨基乙氧基)乙醇
MIPA：单异丙醇胺
MEA：单乙醇胺
BDG：二甘醇单丁基醚
BT：苯并三唑
PY：焦性没食子酸
TT：甲苯基三唑
(测试实施例)
在实施例和对比例中制备的根据本发明一个或多个实施方式的用于光刻胶剥离剂的组合物的各种性能测试以如下方式评价。
试样1的制备
为了评价由实施例和对比例中制备的组合物对滤色片和绝缘膜所造成的损伤程度，使用等离子体气相沉积(PVD)设备在玻璃基板上形成各约2μm的滤色片和绝缘膜。之后，将所形成的滤色片和绝缘膜在烘箱中在约200℃的条件下烘焙100秒。
试样2的制备
为了评价由实施例和对比例中制备的根据本发明一个或多个实施方式的用于光刻胶剥离剂的组合物对金属线所造成的损伤程度，使用PVD设备在玻璃基板上形成约200nm厚度的铝(Al)膜和钼(Mo)膜。
试样3的制备
为了评价由实施例和对比例中制备的根据本发明一个或多个实施方式的用于光刻胶剥离剂的组合物的光刻胶剥离能力的程度，在玻璃基板上施加铬(Cr)，并且在其上形成普通的负性光刻胶(SDN-03，由Dongjin Semichem，Korea制造)至约1.5μm的厚度。此处，所述负性光刻胶在2500rpm下旋涂。之后，将所述负性光刻胶在90℃下软烘焙90秒。接着，使所述负性光刻胶经历曝光和显影，之后在130℃下硬烘焙150秒，从而获得题述试样。
试样4的制备
为了形成变性的光刻胶，将在试样3的制备中所制备的试样进行干法蚀刻。在此情况下，Cr和光刻胶之间的粘附性最大化。如果向光刻胶提供干燥的蚀刻气体，则可引起所述光刻胶变形，使光刻胶剥离效率恶化。因此，不易使用剥离剂将所述光刻胶剥离，并且由此形成的光刻胶可适合地用作用于测试光刻胶剥离能力的试样。
损伤评价
为了评价实施例和对比例中制备的根据本发明一个或多个实施方式的用于光刻胶剥离剂的组合物对滤色片、绝缘膜和金属线所造成的损伤程度，将试样1和2浸入各组合物中5分钟。接着，将试样1和2从组合物中取出、洗涤和干燥。之后，通过肉眼和显微镜对所得试样进行观察，并且结果示于表2中。
剥离能力的评价
对在实施例和对比例中制备的根据本发明一个或多个实施方式的用于光刻胶剥离剂的组合物的剥离能力进行评价。为此，将试样3和4浸入到所制备的组合物中30秒。接着，将试样3和4从组合物中取出、洗涤和干燥。之后，使用SEM(扫描电子显微镜法)检验各光刻胶是否残留以评价光刻胶剥离能力。结果示于表2中。
表2
*对滤色片和绝缘膜的损伤：◎(无溶胀)，○(轻微溶胀)，△(明显溶胀)，X(严重溶胀)
*对金属线的损伤：◎(无腐蚀)，○(轻微腐蚀)，△(严重腐蚀)，X(完全腐蚀)
*光刻胶剥离能力：◎(优异)，○(一般)，△(差)，X(无)
参照表2，根据本发明一个或多个实施方式在实施例中制备的组合物呈现无溶胀，通过所述溶胀可确定滤色片和绝缘膜的损伤程度。此外，根据本发明一个或多个实施方式在实施例中制备的组合物展现出对光刻胶和改性光刻胶(例如，试样4)的优异的剥离能力。如果对比例中制备的组合物具有优异的光刻胶剥离能力，则对滤色片或绝缘膜的损伤严重。相反，轻微损伤的滤色片或者绝缘膜显示出差的光刻胶剥离能力。因此，如果使用根据本发明一个或多个实施方式的组合物制造LCD，则可防止滤色片或者绝缘膜的溶胀，使得在滤色片或者绝缘膜和另一薄膜之间的界面处的粘附特性可改善，从而均匀地调整填充有液晶的部分的厚度。此外，可防止在液晶层中在用液晶填充的部分处形成空隙，从而避免显示质量的恶化。
接着，将对使用根据本发明一个或多个实施方式的组合物制造TFT阵列基板的方法进行简要描述。
图1A为根据本发明示例性实施方式的TFT阵列基板的设计图，图1B为在根据实施方式的图1中所示的“A”部分的放大的设计图，图2为示于图1B中的TFT阵列基板沿线I-I’所取的截面图，和图3A-3H为顺序说明根据本发明示例性实施方式制造TFT阵列基板的截面图。
参照图1A和1B，根据本发明实施方式的TFT阵列基板包括以矩阵类型排列的多个像素以及多个用于各像素的薄膜晶体管(TFT)。沿着像素的边界延伸的多个栅极线22排列在像素行方向上和沿着像素边界延伸的多个数据线62排列在像素列方向上。在各栅极线22和各数据线62的相交处形成具有栅电极24、源电极65和漏电极66的薄膜晶体管(TFT)。像素电极92被栅极线22和数据线62围绕并且占据大部分像素区域。像素电极92还与TFT的漏电极66连接以通过TFT施加像素电压。参照图1B，可形成像素电极92以具有多个畴。此外，所述多个畴各自包括在预定方向上平行地排列的多个微电极92_1、92_2、92_3和92_4。此处，术语“畴”是指由液晶分子所构成的区域，所述液晶分子的指向矢通过形成于像素电极92和公共电极(未示出)之间的电场成群地在预定方向上倾斜。
各像素包括呈现出红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)之一的有机彩色膜。当将图1A的实施方式中所示的颜色排列在像素行中时，红色、绿色和蓝色交替出现。此处，属于相同列的像素可包括呈现相同颜色的有机膜。
根据一个或多个实施方式，参照图1A-图2对TFT阵列基板的结构进行详细描述。
TFT阵列基板的底板(base plate)可无限制地为绝缘基板10，其由例如玻璃、石英或者塑料制成。
在绝缘基板10上形成由导电材料制成的栅极线22以及与栅极线22连接的栅电极24。虽然未直接示出，但是可在与设置在绝缘基板10上的栅极线22和栅电极24相同的层上进一步形成存储电极线(未示出)。
栅极绝缘层30设置在栅极线22和栅电极24上。栅极绝缘层30可为由例如氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)制成的单层，其叠层等。
在栅极绝缘层30上设置可由氢化的无定形硅制成的半导体层44和可由n+氢化的无定形硅制成并且用n型杂质重度掺杂的欧姆接触层55和56。半导体层44以及欧姆接触层55和56与栅电极24重叠。将欧姆接触层55和56在沟道区中彼此隔开以使在欧姆接触层55和56之下的半导体层44暴露。
在欧姆接触层55和56上形成由导电材料制成的数据线结构(62、65、66)。数据线结构(62、65、66)包括数据线62、源电极65和漏电极66。源电极65从数据线62向着栅电极24分叉。漏电极66与源电极65间隔开，相对于栅电极24，其与源电极65相对。源电极65和漏电极66具有至少一些与半导体层44和栅电极24重叠的部分。如上所述，栅电极24、源电极65和漏电极66构成薄膜晶体管。设置在源电极65和漏电极66之间的栅电极24和半导体层44形成TFT沟道。设置在半导体层44和源电极65之间以及半导体层44和漏电极66之间的欧姆接触层55和56降低其间的接触电阻。
呈现红色(R)、绿色(G)和蓝色(B)的红色、绿色或者蓝色有机膜72形成于绝缘基板10的像素区域中。彩色有机膜72在像素列方向上彼此连接但是在像素行方向上彼此隔开。即，彩色有机膜72与栅极线22重叠但是不与数据线结构(62、65、66)重叠。此外，彩色有机膜72由于数据线62而彼此隔开。在图1A所示的实例中，交替变化颜色由隔开的彩色有机膜表现。
在彩色有机膜72上形成钝化层82。钝化层82形成于数据线结构(62、65、66)上以及彩色有机膜72上。钝化层82由例如氮化硅制成。在钝化层82中形成将漏电极66的至少一部分暴露的接触孔86。
在钝化层82上形成由透明导电材料例如氧化铟锡(ITO)或者氧化铟锌(IZO)制成的像素电极92。像素电极92与各像素隔开并且通过接触孔86与漏电极66电连接。像素电极92包括多个畴，并且所述多个畴各自包括在预定方向上彼此平行排列的多个微电极92_1、92_2、92_3和92_4。在所述多个微电极92_1、92_2、92_3和92_4各个之间形成微狭缝(micro-slit)93_1、93_2、93_3和93_4。
虽然未直接示出，但是可在像素电极92上进一步设置定向膜(未示出)。
前述根据一个或多个实施方式的TFT阵列基板可用作LCD的显示面板。即，所述TFT阵列基板可作为第一显示面板，和具有公共电极的基板可作为第二显示面板。所述第一和第二显示面板可彼此相对设置并且液晶显示层介于其间，从而完成LCD。
接着，将参照图3A-图3H对制造TFT阵列基板的方法进行描述，图3A-图3H为说下说明根据本发明一个或多个示例性实施方式的TFT阵列基板的制造方法的横截面图。
参照图3A，将导电材料堆叠在由透明材料例如玻璃、石英或者塑料制成的绝缘基板10上并且图案化以形成栅极线22和栅电极24。在形成存储电极线(未示出)的情况下，其可在该阶段中形成。接着，在具有栅极线22和栅电极24的绝缘基板10的整个表面上堆叠氮化硅以形成栅极绝缘膜30。栅极绝缘膜30的形成可例如通过CVD(化学气相沉积)、PECVD(等离子体增强化学气相沉积)等进行。
参照图3B，在栅极绝缘层30上顺次形成氢化的无定形硅层40和用n型杂质重度掺杂的n+氢化的无定形硅层50。随后，为了通过将n+氢化的无定形硅层50和氢化的无定形硅层40图案化而形成欧姆接触层54和半导体层44，在无定形硅层50上与栅电极24重叠的部分上形成光刻胶图案100。无定形硅层50上的光刻胶图案100可使用用于将曝光部分除去的正性光刻胶形成。或者，所述光刻胶图案100可使用用于将未曝光部分除去的负性光刻胶形成。形成光刻胶图案100，使得首先在无定形硅层50的整个表面上形成光刻胶膜，然后使用光掩模将所述光刻胶膜选择性地曝光。
此处，在其中光刻胶膜由正性光刻胶制成的情况下所使用的光掩模可为能够使与待除去的光刻胶膜相对应的部分的光透过并且阻挡其它部分的光的掩模。通过光掩模选择性曝光的光刻胶膜在其光化学结构上变化并且显影，产生所需的光刻胶图案100。
参照图3C，使用光刻胶图案100作为蚀刻掩模对n+氢化的无定形硅层50和氢化的无定形硅层40进行图案化以形成欧姆接触层54和半导体层44。此处，欧姆接触层54尚未与半导体层44分离，但是以与在下面的半导体层44基本上相同的图案形成。
接着，使用根据本发明一个或多个实施方式的剥离剂组合物将光刻胶图案100从欧姆接触层54剥离。例如，光刻胶图案100的剥离可通过将具有该光刻胶图案100的基板10浸在剥离剂中进行。或者，光刻胶图案100的剥离可通过将剥离剂喷在该光刻胶图案100上进行。
参照图3D，在示于图3C中的所得结构上形成由导电材料制成的数据传导层60。接着，在该数据传导层60上形成限定数据线的光刻胶图案100。由于根据实施方式形成光刻胶和光刻胶图案100的方法可与在图3C中所述的基本相同，因此不重复描述。
参照图3E，使用光刻胶图案100作为蚀刻掩模对数据传导层60进行蚀刻，从而完成具有数据线62、源电极65和漏电极66的数据线结构。此处，当图案化源电极65和漏电极66时，在下面的欧姆接触层54被部分地暴露。接着，使用光刻胶图案100和/或数据线结构(62、65、66)作为蚀刻掩模对所暴露的欧姆接触层55和56进行蚀刻。
之后，将光刻胶图案100从数据线62、源电极65和漏电极66剥离。由于根据实施方式将光刻胶图案100剥离的方法与图3C中所述的基本相同，因此不重复描述。
参照图3F，在示于图3E中的所得结构上形成滤色片72。根据一个或多个实施方式，可使用制造染料型滤色片的方法或者制造颜料型滤色片的方法形成滤色片72。前一方法包括染色过程、染料分散过程等。后一方法包括颜料分散过程、印刷过程、粘附过程等。将用于形成滤色片72的彩色有机材料使用所列方法之一施加到基板10上、干燥和固化。干燥和固化方法可例如热处理或者紫外(UV)辐照。干燥和固化方法在像素区域中提供滤色片72。像素区域中的滤色片72可形成为红色、绿色或者蓝色有机膜。
参照图3G，在示于图3F中的所得结构的整个表面上形成由氮化硅制成的钝化层82。接着，形成将漏电极66的至少一部分暴露的接触孔86。为此，在钝化层82上形成光刻胶图案100。形成接触孔86后，将钝化层82上的光刻胶图案100剥离。
参照图3H，将透明导电材料如ITO或IZO堆叠在示于图3G中的所得结构上并且图案化以形成通过接触孔86与漏电极66电连接的像素电极92。之后，为了改善液晶的驱动功率，可将像素电极92分成微电极92_1、92_2、92_3和92_4。为此，在像素电极92上形成光刻胶图案100，然后将像素电极92图案化。此处，其中形成光刻胶图案100的像素电极92的部分变成微电极92_1、92_2、92_3和92_4，和像素电极92的其它部分变成微狭缝93_1、93_2、93_3和93_4。同时，用于将像素电极92图案化以形成微电极92_1、92_2、92_3和92_4的光刻胶图案100可为负性光刻胶。当将负性光刻胶曝光时，其趋于固化。另一方面，在形成微型图案时，可使用正性光刻胶代替负性光刻胶。为了形成微型图案，必须使光刻胶图案在目标上以精细的间距排列。在使用光刻胶以形成微型图案的情况下，正性光刻胶相对弱的固化趋势可导致以精细的间距排列的光刻胶图案彼此粘连，导致低劣的微型图案化。因此，为了在形成微电极92_1、92_2、92_3和92_4时避免低劣的微型图案化，可使用具有相对高的固化趋势的负性光刻胶。
回头参照图2，将光刻胶图案100从示于图3H中的所得结构剥离，从而完成TFT阵列基板的制造。此处，可使用根据本发明一个或多个实施方式的光刻胶剥离剂将光刻胶图案100剥离。具体而言，如果在图3H中光刻胶图案100由负性光刻胶制成，则可使用根据本发明一个或多个实施方式的组合物将光刻胶图案100剥离，其对于负性光刻胶呈现出优异剥离能力。根据本发明一个或多个实施方式的光刻胶剥离剂可使在光刻胶剥离过程中可造成的对滤色片、绝缘膜和金属线的损伤最小化。因此，可使用根据本发明一个或多个实施方式的组合物制造具有优异质量的TFT阵列基板，最终实现具有改善的显示质量的LCD。
虽然已经参照本公开内容的示例性实施方式具体呈现和描述了本公开内容，然而本领域普通技术人员应理解，在不偏离由所附权利要求所限定的本公开内容的精神和范围的情况下，可在其中进行形式和细节上的各种变化。因此，所期望的是，本实施方式在所有方面都应被认为是说明性而不是限制性的，参照所附权利要求而不是以上描述来表明本公开内容的范围。
Claims (22)
1.用于光刻胶剥离剂的组合物，包括：
约5-30重量％的链状胺化合物；
约0.5-10重量％的环状胺化合物；
约10-80重量％的二醇醚化合物；
约5-30重量％的蒸馏水；和
约0.1-5重量％的腐蚀抑制剂。
2.权利要求1的组合物，其中所述链状胺化合物为选自如下的至少一种：单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、丙醇胺、二丙醇胺、三丙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、2-(2-氨基乙基氨基)乙醇、N，N-二甲基乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺和N-甲基二乙醇胺。
3.权利要求1的组合物，其中所述环状胺化合物为选自如下的至少一种：1-(2-羟基乙基)哌嗪、1-(2-氨基乙基)哌嗪、1-(2-羟基乙基)-4-甲基哌嗪、N-(3-氨基丙基)吗啉、2-甲基哌嗪、1-甲基哌嗪、4-氨基-1-甲基哌嗪、1-苄基哌嗪和1-苯基哌嗪。
4.权利要求1的组合物，其中所述二醇醚化合物具有160℃或更高的沸点。
5.权利要求4的组合物，其中所述二醇醚化合物为选自如下的至少一种：乙二醇乙基醚、乙二醇丁基醚、二甘醇甲基醚、二甘醇乙基醚、二甘醇丙基醚、二甘醇丁基醚、三甘醇甲基醚、三甘醇乙基醚、三甘醇丁基醚、三甘醇和四甘醇。
6.权利要求1的组合物，其中所述腐蚀抑制剂为选自以下的至少一种：葡萄糖、糖醇、芳族羟基化合物、炔醇、羧酸化合物及其酐、和三唑化合物。
7.权利要求6的组合物，其中所述腐蚀抑制剂为选自如下的至少一种：山梨糖醇、木糖醇、邻苯二酚、焦性没食子酸、没食子酸、2-丁炔-1，4-二醇、邻苯二甲酸、邻苯二甲酸酐、水杨酸、抗坏血酸、甲苯基三唑和苯并三唑。
8.制造薄膜晶体管阵列基板的方法，所述方法包括：
在基板的像素区域上形成包含栅电极、源电极和漏电极的薄膜晶体管(TFT)；
在所述TFT上形成钝化层；和
在所述钝化层上形成与所述漏电极连接的像素电极，
其中当在形成所述TFT、所述钝化层和所述像素电极的各个中使用光刻胶图案时，所述光刻胶图案通过光刻胶剥离剂剥离，用于所述光刻胶剥离剂的组合物包括约5-30重量％的链状胺化合物、约0.5-10重量％的环状胺化合物、约10-80重量％的二醇醚化合物、约5-30重量％的蒸馏水和约0.1-5重量％的腐蚀抑制剂。
9.权利要求8的方法，进一步包括在所述基板的像素区域上形成彩色有机膜。
10.权利要求8的方法，其中所述链状胺化合物为选自如下的至少一种：单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、丙醇胺、二丙醇胺、三丙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、2-(2-氨基乙基氨基)乙醇、N，N-二甲基乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺和N-甲基二乙醇胺。
11.权利要求8的方法，其中所述环状胺化合物为选自如下的至少一种：1-(2-羟基乙基)哌嗪、1-(2-氨基乙基)哌嗪、1-(2-羟基乙基)-4-甲基哌嗪、N-(3-氨基丙基)吗啉、2-甲基哌嗪、1-甲基哌嗪、4-氨基-1-甲基哌嗪、1-苄基哌嗪和1-苯基哌嗪。
12.权利要求8的方法，其中所述二醇醚化合物具有160℃或更高的沸点。
13.权利要求12的方法，其中所述二醇醚化合物为选自如下的至少一种：乙二醇乙基醚、乙二醇丁基醚、二甘醇甲基醚、二甘醇乙基醚、二甘醇丙基醚、二甘醇丁基醚、三甘醇甲基醚、三甘醇乙基醚、三甘醇丁基醚、三甘醇和四甘醇。
14.权利要求8的方法，其中所述腐蚀抑制剂为选自以下的至少一种：葡萄糖、糖醇、芳族羟基化合物、炔醇、羧酸化合物及其酐、和三唑化合物。
15.权利要求14的方法，其中所述腐蚀抑制剂为选自如下的至少一种：山梨糖醇、木糖醇、邻苯二酚、焦性没食子酸、没食子酸、2-丁炔-1，4-二醇、邻苯二甲酸、邻苯二甲酸酐、水杨酸、抗坏血酸、甲苯基三唑和苯并三唑。
16.权利要求8的方法，其中所述像素电极包括多个畴，并且所述多个畴各自包括在预定方向上彼此平行排列的多个微电极。
17.权利要求16的方法，其中所述链状胺化合物为选自如下的至少一种：单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、丙醇胺、二丙醇胺、三丙醇胺、异丙醇胺、二异丙醇胺、三异丙醇胺、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、2-(2-氨基乙氧基)乙醇、2-(2-氨基乙基氨基)乙醇、N，N-二甲基乙醇胺、N，N-二乙基乙醇胺、N-甲基乙醇胺、N-乙基乙醇胺、N-丁基乙醇胺和N-甲基二乙醇胺。
18.权利要求16的方法，其中所述环状胺化合物为选自如下的至少一种：1-(2-羟基乙基)哌嗪、1-(2-氨基乙基)哌嗪、1-(2-羟基乙基)-4-甲基哌嗪、N-(3-氨基丙基)吗啉、2-甲基哌嗪、1-甲基哌嗪、4-氨基-1-甲基哌嗪、1-苄基哌嗪和1-苯基哌嗪。
19.权利要求16的方法，其中所述二醇醚化合物具有160℃或更高的沸点。
20.权利要求19的方法，其中所述二醇醚化合物为选自如下的至少一种：乙二醇乙基醚、乙二醇丁基醚、二甘醇甲基醚、二甘醇乙基醚、二甘醇丙基醚、二甘醇丁基醚、三甘醇甲基醚、三甘醇乙基醚、三甘醇丁基醚、三甘醇和四甘醇。
21.权利要求16的方法，其中所述腐蚀抑制剂为选自以下的至少一种：葡萄糖、糖醇、芳族羟基化合物、炔醇、羧酸化合物及其酐、和三唑化合物。
22.权利要求21的方法，其中所述腐蚀抑制剂为选自如下的至少一种：山梨糖醇、木糖醇、邻苯二酚、焦性没食子酸、没食子酸、2-丁炔-1，4-二醇、邻苯二甲酸、邻苯二甲酸酐、水杨酸、抗坏血酸、甲苯基三唑和苯并三唑。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR128684/08 | 2008-12-17 | ||
| KR1020080128684A KR20100070087A (ko) | 2008-12-17 | 2008-12-17 | 포토레지스트 박리제 조성물 및 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| CN101750916A true CN101750916A (zh) | 2010-06-23 |
| CN101750916B CN101750916B (zh) | 2013-08-14 |
Family
ID=42241020
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| CN2009102537867A Active CN101750916B (zh) | 2008-12-17 | 2009-12-17 | 光刻胶剥离剂用组合物及薄膜晶体管阵列基板的制造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7956393B2 (zh) |
| KR (1) | KR20100070087A (zh) |
| CN (1) | CN101750916B (zh) |
| TW (1) | TWI522751B (zh) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102540776A (zh) * | 2010-12-30 | 2012-07-04 | 苏州瑞红电子化学品有限公司 | 一种去除半导体工艺中残留光刻胶的剥离液 |
| CN104122763A (zh) * | 2013-04-25 | 2014-10-29 | 奇美实业股份有限公司 | 剥离光阻用组成物及其使用方法 |
| CN104903794A (zh) * | 2013-05-07 | 2015-09-09 | 株式会社Lg化学 | 用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物及使用其的光致抗蚀剂的剥离方法 |
| CN105723284A (zh) * | 2013-09-02 | 2016-06-29 | 松下知识产权经营株式会社 | 抗蚀剂剥离液 |
| CN106833941A (zh) * | 2017-01-09 | 2017-06-13 | 盛益腾电子科技无锡有限公司 | 一种中温碱性软化液及其制备方法 |
| CN110777381A (zh) * | 2018-07-26 | 2020-02-11 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 用于TiN硬掩模去除和蚀刻残留物清洁的组合物 |
Families Citing this family (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101152139B1 (ko) * | 2005-12-06 | 2012-06-15 | 삼성전자주식회사 | 표시 장치용 세정제 및 이를 사용하는 박막 트랜지스터표시판의 제조 방법 |
| CN103773626B (zh) * | 2012-10-24 | 2018-01-12 | 安集微电子科技（上海）股份有限公司 | 一种低蚀刻的去除光阻蚀刻残留物的清洗液 |
| WO2014181992A1 (ko) * | 2013-05-07 | 2014-11-13 | 주식회사 엘지화학 | 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트의 박리방법 |
| KR20150018231A (ko) * | 2013-08-09 | 2015-02-23 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박막 트랜지스터 어레이 기판 및 액정 표시 장치의 제조 방법 |
| KR101586453B1 (ko) | 2014-08-20 | 2016-01-21 | 주식회사 엘지화학 | 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법 |
| KR101710171B1 (ko) * | 2014-09-17 | 2017-02-24 | 주식회사 엘지화학 | 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트의 박리방법 |
Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004026696A (ja) * | 2002-06-24 | 2004-01-29 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | オキシメチルアミン化合物 |
| CN1752852A (zh) * | 2004-09-24 | 2006-03-29 | 三星电子株式会社 | 用于剥离光刻胶的组合物及薄膜晶体管阵列面板制造方法 |
| CN1904742A (zh) * | 2005-07-25 | 2007-01-31 | 三星电子株式会社 | 光刻胶去除剂组合物以及用该组合物形成布线结构和制造薄膜晶体管基片的方法 |
| CN1924710A (zh) * | 2005-09-02 | 2007-03-07 | 东进世美肯株式会社 | 用于去除半导体器件的改性光刻胶的光刻胶去除剂组合物 |
| US20070066502A1 (en) * | 2005-07-28 | 2007-03-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Stripper |
| CN101093365A (zh) * | 2006-06-22 | 2007-12-26 | 株式会社东进世美肯 | 抗蚀膜剥离剂组合物 |
Family Cites Families (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7144848B2 (en) * | 1992-07-09 | 2006-12-05 | Ekc Technology, Inc. | Cleaning compositions containing hydroxylamine derivatives and processes using same for residue removal |
| US5561105A (en) * | 1995-05-08 | 1996-10-01 | Ocg Microelectronic Materials, Inc. | Chelating reagent containing photoresist stripper composition |
| US6274296B1 (en) * | 2000-06-08 | 2001-08-14 | Shipley Company, L.L.C. | Stripper pretreatment |
| US6916772B2 (en) * | 2001-07-13 | 2005-07-12 | Ekc Technology, Inc. | Sulfoxide pyrolid(in)one alkanolamine cleaner composition |
-
2008
- 2008-12-17 KR KR1020080128684A patent/KR20100070087A/ko active Search and Examination
-
2009
- 2009-09-21 US US12/564,019 patent/US7956393B2/en active Active
- 2009-12-16 TW TW098143160A patent/TWI522751B/zh active
- 2009-12-17 CN CN2009102537867A patent/CN101750916B/zh active Active
Patent Citations (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004026696A (ja) * | 2002-06-24 | 2004-01-29 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | オキシメチルアミン化合物 |
| CN1752852A (zh) * | 2004-09-24 | 2006-03-29 | 三星电子株式会社 | 用于剥离光刻胶的组合物及薄膜晶体管阵列面板制造方法 |
| CN1904742A (zh) * | 2005-07-25 | 2007-01-31 | 三星电子株式会社 | 光刻胶去除剂组合物以及用该组合物形成布线结构和制造薄膜晶体管基片的方法 |
| US20070066502A1 (en) * | 2005-07-28 | 2007-03-22 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Stripper |
| CN1924710A (zh) * | 2005-09-02 | 2007-03-07 | 东进世美肯株式会社 | 用于去除半导体器件的改性光刻胶的光刻胶去除剂组合物 |
| CN101093365A (zh) * | 2006-06-22 | 2007-12-26 | 株式会社东进世美肯 | 抗蚀膜剥离剂组合物 |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN102540776A (zh) * | 2010-12-30 | 2012-07-04 | 苏州瑞红电子化学品有限公司 | 一种去除半导体工艺中残留光刻胶的剥离液 |
| CN102540776B (zh) * | 2010-12-30 | 2013-07-03 | 苏州瑞红电子化学品有限公司 | 一种去除半导体工艺中残留光刻胶的剥离液 |
| CN104122763A (zh) * | 2013-04-25 | 2014-10-29 | 奇美实业股份有限公司 | 剥离光阻用组成物及其使用方法 |
| CN104903794A (zh) * | 2013-05-07 | 2015-09-09 | 株式会社Lg化学 | 用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物及使用其的光致抗蚀剂的剥离方法 |
| CN104903794B (zh) * | 2013-05-07 | 2019-07-05 | 株式会社Lg化学 | 用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物及使用其的光致抗蚀剂的剥离方法 |
| CN105723284A (zh) * | 2013-09-02 | 2016-06-29 | 松下知识产权经营株式会社 | 抗蚀剂剥离液 |
| CN106200283A (zh) * | 2013-09-02 | 2016-12-07 | 松下知识产权经营株式会社 | 抗蚀剂剥离液 |
| CN105723284B (zh) * | 2013-09-02 | 2017-10-03 | 松下知识产权经营株式会社 | 抗蚀剂剥离液 |
| CN106200283B (zh) * | 2013-09-02 | 2017-11-03 | 松下知识产权经营株式会社 | 抗蚀剂剥离液 |
| CN106833941A (zh) * | 2017-01-09 | 2017-06-13 | 盛益腾电子科技无锡有限公司 | 一种中温碱性软化液及其制备方法 |
| CN110777381A (zh) * | 2018-07-26 | 2020-02-11 | 弗萨姆材料美国有限责任公司 | 用于TiN硬掩模去除和蚀刻残留物清洁的组合物 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20100070087A (ko) | 2010-06-25 |
| US7956393B2 (en) | 2011-06-07 |
| CN101750916B (zh) | 2013-08-14 |
| TWI522751B (zh) | 2016-02-21 |
| TW201039075A (en) | 2010-11-01 |
| US20100151610A1 (en) | 2010-06-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| CN101750916B (zh) | 光刻胶剥离剂用组合物及薄膜晶体管阵列基板的制造方法 | |
| CN100336168C (zh) | 制造薄膜晶体管阵列基板的方法 | |
| US8524438B2 (en) | Etch resist solution, method of fabricating thin film pattern using the same and method of fabricating an LCD device using the same | |
| US8445300B2 (en) | Method of fabricating display device using plastic substrate | |
| JP4718999B2 (ja) | 薄膜トランジスタ基板の製造方法、および、液晶表示装置の薄膜トランジスタ製造方法 | |
| KR100887702B1 (ko) | 액정 디스플레이 제조 방법 | |
| US7754780B2 (en) | Resist for forming pattern and method for forming pattern using the same | |
| CN1773341A (zh) | 制造柔性显示装置的方法 | |
| US8012652B2 (en) | Method of forming a thin film pattern and method of fabricating a liquid crystal display device | |
| CN100507656C (zh) | 液晶显示装置的制造方法 | |
| KR20060134934A (ko) | 액티브 매트릭스 디스플레이 및 플라스틱 기판을 구비하는다른 전자 장치 | |
| US10551695B2 (en) | Manufacturing method of array substrate, array substrate and display apparatus | |
| CN102810571A (zh) | 一种基板、显示装置及该基板的制备方法 | |
| US9040230B2 (en) | Resist ink and method of forming pattern using the same | |
| CN106128962B (zh) | 一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板、显示装置 | |
| KR20050068164A (ko) | 폴리실리콘 액정표시소자 제조방법 | |
| US9017925B2 (en) | Photoresist resin composition and method of forming patterns by using the same | |
| CN101330061B (zh) | 像素结构的制作方法 | |
| KR20100062538A (ko) | 포토레지스트 박리제 조성물 및 박막 트랜지스터 어레이 기판의 제조 방법 | |
| CN104377303B (zh) | 一种有机薄膜晶体管及其制备方法、阵列基板及显示装置 | |
| JP4819016B2 (ja) | 液晶表示装置の製造方法 | |
| KR101856209B1 (ko) | 액정표시장치의 박막트랜지스터 및 그 제조방법 | |
| CN108628025A (zh) | 彩膜基板及其制造方法、显示装置 | |
| KR100616714B1 (ko) | 콘택홀 형성 방법 및 이를 이용한 박막 트랜지스터 제조방법 | |
| KR101686105B1 (ko) | 박막트랜지스터 기판 및 그 제조 방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| C06 | Publication | ||
| PB01 | Publication | ||
| C10 | Entry into substantive examination | ||
| SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
| ASS | Succession or assignment of patent right |
Owner name: SAMSUNG DISPLAY CO., LTD. Free format text: FORMER OWNER: SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. Effective date: 20121109 |
|
| C41 | Transfer of patent application or patent right or utility model | ||
| TA01 | Transfer of patent application right |
Effective date of registration: 20121109 Address after: Gyeonggi Do, South Korea Applicant after: Samsung Display Co., Ltd. Applicant after: Dongjin Semichem Co., Ltd. Address before: Gyeonggi Do, South Korea Applicant before: Samsung Electronics Co., Ltd. Applicant before: Dongjin Semichem Co., Ltd. |
|
| C14 | Grant of patent or utility model | ||
| GR01 | Patent grant | ||
| TR01 | Transfer of patent right | ||
| TR01 | Transfer of patent right |
Effective date of registration: 20210513 Address after: Han Guorenchuanshi Patentee after: DONGJIN SEMICHEM Co.,Ltd. Address before: Han Guojingjidao Patentee before: Samsung Display Co.,Ltd. Patentee before: DONGJIN SEMICHEM Co.,Ltd. |