CN104903794B - 用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物及使用其的光致抗蚀剂的剥离方法 - Google Patents

Abstract

本发明涉及一种用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物和一种使用其剥离光致抗蚀剂的方法，其中所述用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物在移除和剥离光致抗蚀剂中表现出优异的性能，并可有效地抑制污点在含铜下膜等上的产生和残留。用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物包含至少一种胺化合物；极性有机溶剂；亚烷基二醇系溶剂；和腐蚀抑制剂。

Description

用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物及使用其的光致抗蚀剂 的剥离方法

技术领域

本公开内容涉及用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法，所述剥离剂组合物可表现出优异的光致抗蚀剂移除和剥离性能，并有效地抑制污点或异物在含铜下膜(lower film)等上的产生和残留。

背景技术

液晶显示装置的微电路工艺或半导体集成电路制造工艺中包括以下的许多过程：形成各种不同的下膜，例如铝、铝合金、铜、铜合金、钼、钼合金等的导电金属膜，或如氧化硅膜、氮化硅膜、丙烯酸绝缘体膜等绝缘体膜；将光致抗蚀剂均匀地涂布在下膜上；选择性地将其曝光并显影以形成光致抗蚀剂图案；然后，利用该图案作为掩模将下膜图案化。在图案化过程后，进行移除下膜上的残留光致抗蚀剂的步骤，且在该过程中使用用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物。

包含胺化合物、极性质子溶剂和极性非质子溶剂等的剥离剂组合物是熟知的，特别是，广泛使用包含亚烷基二醇单烷基醚作为极性质子溶剂的剥离剂组合物。已知所述剥离剂组合物表现出某定程度的移除和剥离性能。

同时，近来随着大面积、超精细和高分辨率TFT-LCD的发展，人们尝试使用含铜布线图案(wiring pattern)作为栅电极或信号电极等。然而，由于铜的特性，当使用光致抗蚀剂图案经光刻法将含铜层图案化，然后使用先前已知的剥离剂组合物剥离并移除含铜层上残留的光致抗蚀剂图案时，含铜层上会产生和残留大量微小的污点或异物。这被认为是由于铜的疏水性造成的。

所述微小污点或异物可劣化TFT-LCD的显示性，其在近来具有高分辨率和超精细像素的TFT-LCD中成为更加重要的问题。

因此，持续需要开发一种具有优异光致抗蚀剂剥离性能而不在含铜下膜上产生和留下污点或异物的剥离剂组合物或相关技术。

发明内容

[技术问题]

本发明的目的是提供一种用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物和一种使用其剥离光致抗蚀剂的方法，所述剥离剂组合物可表现出优异的光致抗蚀剂移除和剥离性能，且有效地抑制污点或异物在含铜下膜等上的产生和残留。

[技术方案]

本发明提供一种用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其包含至少一种胺化合物；极性有机溶剂；亚烷基二醇溶剂；和防腐蚀剂。

本发明还提供一种用于剥离光致抗蚀剂的方法，其包括：在形成有含铜下膜的基板上形成光致抗蚀剂图案；使用光致抗蚀剂图案将下膜图案化；并使用上述剥离剂组合物剥离光致抗蚀剂。

在下文中，将说明根据本发明具体实施方案的用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物和使用其剥离光致抗蚀剂的方法。

根据本发明一个实施方案，提供一种用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其包含至少一种胺化合物；极性有机溶剂；亚烷基二醇溶剂；和防腐蚀剂。

根据试验结果，发明人证实了，通过使用亚烷基二醇溶剂如二(2-羟基乙基)醚等，与极性溶剂如质子极性溶剂和/或非质子极性溶剂一起，则在含铜下膜等上基本上不产生和残留污点或异物，同时表现出优异的光致抗蚀剂剥离和移除性能，进而完成本发明。

更具体而言，亚烷基二醇溶剂可从根本上降低剥离剂组合物的表面张力从而改善光致抗蚀剂润湿性，并表现出优异的光致抗蚀剂溶解性。此外，亚烷基二醇溶剂可表现出与构成剥离剂组合物的其他有机溶剂的优异的相容性。因此，本发明的一个实施方案的包含亚烷基二醇溶剂的剥离剂组合物可表现出优异的光致抗蚀剂剥离和移除性能。

此外，即使是用于含铜的疏水性下膜等，亚烷基二醇溶剂也可改善剥离剂组合物的润湿性。因此，一个实施方案的包含亚烷基二醇溶剂的剥离剂组合物可对含铜下膜表现出优异的冲洗性能，因此，即使在使用剥离剂组合物处理后，下膜上也基本上不会产生和残留污点或异物，并可有效地移除污点和异物。

因此，一个实施方案的剥离剂组合物可克服现有剥离剂组合物的问题，其可表现出优异的光致抗蚀剂剥离性能，而基本上不会在含铜下膜上产生和残留污点和异物。

此外，由于一个实施方案的剥离剂组合物同时包括防腐蚀剂和上述组分，因此可抑制在使用其剥离光致抗蚀剂的过程中因剥离剂组合物(例如胺化合物)而导致的含铜下膜等的腐蚀。因此，可抑制铜布线图案等的电特性劣化，并可提供具有改善特性的器件。

在下文中，将详细地说明一个实施方案的剥离剂组合物的每一组分。

根据一个实施方案的剥离剂组合物包括具有光致抗蚀剂剥离性的胺化合物。所述胺化合物可起到溶解光致抗蚀剂并将其移除的作用。

就一个实施方案的剥离剂组合物的优异的剥离性能而言，胺化合物可包括选自链状胺化合物和环状胺化合物的至少一种。更具体而言，对于链状胺化合物，可使用至少一种选自如下的化合物：(2-氨基乙氧基)-1-乙醇(AEE)、氨基乙基乙醇胺(AEEA)、单甲醇胺、单乙醇胺、N-甲基乙基胺(N-MEA)、1-氨基异丙醇(AIP)、甲基二甲胺(MDEA)、二亚乙基三胺(DETA)和三亚乙基四胺(TETA)，其中，可合适地使用(2-氨基乙氧基)-1-乙醇或氨基乙基乙醇胺。并且，对于环状胺化合物，可使用至少一种选自如下的化合物：咪唑基-4-乙醇(IME)、氨基乙基哌嗪(AEP)、羟基乙基哌嗪(HEP)，且可合适地使用咪唑基-4-乙醇。

环状胺化合物可表现出更优异的光致抗蚀剂剥离性能，链状胺化合物可合适地移除下膜，例如在含铜膜上的自然氧化物膜，以进一步改善含铜膜与其上的绝缘膜(例如氮化硅膜)之间的粘附性等，并同时表现出光致抗蚀剂剥离性能。

就一个实施方案的剥离剂组合物的优异的剥离性能和自然氧化物膜移除性能而言，链状胺化合物：环状胺化合物的重量比可约为5∶1至1∶5，或约为3∶1至1∶3。

可包括含量约为0.1至10重量％、或约0.5至7重量％、或约1至5重量％、或约1.5至3重量％的胺化合物，基于全部组合物计。当所述胺化合物在所述含量范围内时，一个实施方案的剥离剂组合物可使因为胺过量所导致的工艺的经济效率的降低最小化并可减少废液的产生等，同时表现出优异的剥离性能。如果包括了过量的胺，则其可导致下膜(例如含铜下膜)的腐蚀，为了避免该问题，可能需要使用大量的防腐蚀剂。在这种情况下，大量的防腐蚀剂将被吸附并残留在下膜的表面上，从而降低含铜下膜等的电特性。

同时，一个实施方案的剥离剂组合物包括极性有机溶剂。极性有机溶剂可令人满意地溶解胺化合物，并使剥离剂组合物适当地渗透通过待移除的光致抗蚀剂图案和下膜，因此确保了剥离剂组合物的优异剥离性能和冲洗性能。

更具体而言，极性有机溶剂可包括非质子极性溶剂、质子极性溶剂(例如亚烷基二醇单烷基醚)和其混合物。

非质子极性溶剂包括至少一种选自如下的化合物：N-甲基甲酰胺(NMF)、二甲基亚砜(DMSO)、二甲基乙酰胺(DMAc)、二丙二醇单甲醚(DPM)、二乙基亚砜、二丙基亚砜、环丁砜、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、二丙二醇单乙基醚(DPE)和N，N’-二烷基甲酰胺，以及其他已知可用于剥离剂组合物的非质子极性溶剂。

然而，其中，可优选使用N，N’-二烷基甲酰胺，如N，N’-二乙基甲酰胺或N-甲基甲酰胺等，特别地，可最优选使用N，N’-二乙基甲酰胺。

通过使用N，N’-二烷基甲酰胺或N-甲基甲酰胺，一个实施方案的剥离剂组合物可更好地在下膜上渗透，因此使剥离剂组合物获得更优异的光致抗蚀剂剥离性能和冲洗性能。

然而，其中，已知N-甲基甲酰胺和N，N’-二甲基甲酰胺表现出体内毒性，它们可导致胺随时间的分解，从而随时间降低剥离剂组合物的剥离性能和冲洗性能。相反，包含N，N’-二乙基甲酰胺的剥离剂组合物基本上不表现出体内毒性，同时表现出的光致抗蚀剂剥离性能和冲洗性能等于或优于包含N-甲基甲酰胺或N，N’-二甲基甲酰胺的组合物。

此外，N，N’-二乙基甲酰胺基本上不会导致胺的分解，即使当残留的光致抗蚀剂溶解于剥离剂组合物时，其也基本上不会导致胺化合物的分解。因此，在包含N，N’-二乙基甲酰胺的剥离剂组合物中，可使剥离性能等随时间的降低最小化，因此，可最优选使用N，N’-二乙基甲酰胺作为非质子极性溶剂。

不像N，N’-二乙基甲酰胺，对于先前在剥离剂组合物中大量使用的其他非质子极性溶剂(例如N-甲基甲酰胺、N，N’-二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺)，由于会产生生殖或体内毒性的问题，使得所述非质子极性溶剂在显示器或器件工艺中的使用受到限制，特别是，已证实N，N’-二甲基甲酰胺具有生殖毒性和特定的目标器官毒性并与白血病有关，因此其使用受到限制。并且，先前在剥离剂组合物中使用的非质子极性溶剂N-甲基吡咯烷酮(NMP)与N，N’-二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺等一起在EU归类为SVHC(极高担心物质)，且对限制其使用的审查正在进行中。此外，N-甲基甲酰胺、N，N’-二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺、N-甲基吡咯烷酮等在国家被分类并控管为表现出生殖毒性的1B类物质(GHS标准)。相反，非质子有机溶剂如N，N’-二乙基甲酰胺可为剥离剂组合物提供优异的剥离性能等而不表现出生殖和体内毒性。

同时，所述剥离剂组合物可包含质子极性溶剂，如亚烷基二醇单烷基醚等。质子极性溶剂使一个实施方案的剥离剂组合物可更好地渗透至所述下膜上，因此有助于剥离剂组合物优异的剥离性能。质子极性溶剂可为与下文描述的亚烷基二醇溶剂不同的种类。

作为质子极性溶剂，可使用二乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丁醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丙醚、二乙二醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚、二丙二醇单丙醚、二丙二醇单丁醚、三乙二醇单甲醚、三乙二醇单乙醚、三乙二醇单丙醚、三乙二醇单丁醚、三丙二醇单甲醚、三丙二醇单乙醚、三丙二醇单丙醚、三丙二醇单丁醚或其结合物。并且，就优异的润湿性以及所产生的改善的剥离性而言，可合适地使用二乙二醇单乙醚(MDG)或二乙二醇单丁醚(BDG)作为质子极性溶剂。

极性有机溶剂包括含量约为20至80重量％的非质子极性溶剂和质子极性溶剂，基于全部组合物计。并且，在同时包括非质子极性溶剂和质子极性溶剂的情况下，可包括含量约10至65重量％，或约15至60重量％的非质子极性溶剂，并可包括含量约5至60重量％，或约10至55重量％的质子极性溶剂。在极性溶剂的含量范围内，可确保一个实施方案的剥离剂组合物的优异的剥离性能等。

同时，一个实施方案的剥离剂组合物除了上述极性有机溶剂外还可包含水，并可用作含水剥离剂组合物。在包括水的情况下，其含量可在极性有机溶剂含量范围内的适当的范围内确定。

并且，一个实施方案的剥离剂组合物除了上述胺化合物和极性有机溶剂外还可包含亚烷基二醇溶剂。亚烷基二醇溶剂是一种质子性有机溶剂，但可作为与上述质子性有机溶剂(例如亚烷基二醇单烷基醚等)不同种类的溶剂包括于其中。如上所述，由于一个实施方案的剥离剂组合物中包含亚烷基二醇溶剂，因此可降低剥离剂组合物的表面张力，并可改善待移除的光致抗蚀剂和含铜下膜的润湿性等。并且，亚烷基溶剂可表现出优异的光致抗蚀剂溶解性，以及与构成剥离剂组合物的其他有机物质的优异的相容性。因此，一个实施方案的包含亚烷基二醇溶剂的剥离剂组合物可表现出优异的光致抗蚀剂剥离和移除性能，并同时表现出对下膜的优异的冲洗性能，因此，即使在用剥离剂组合物处理后，下膜上也基本上不会产生并留有污点或异物，并可有效地移除污点或异物。

亚烷基二醇溶剂可包括双(2-羟基乙基)醚、二醇双(羟基乙基)醚和[2-(2-羟基乙氧基)乙氧基]乙醇和其混合物，但也可使用其他不同的亚烷基二醇溶剂。其中，就对光致抗蚀剂和下膜的优异的润湿性、以及所产生的剥离剂组合物的优异的剥离性能和冲洗性能而言，优选使用双(2-羟基乙基)醚。

可包括含量约为10至70重量％，或约20至60重量％，或约30至50重量％的上述亚烷基二醇溶剂，基于全部组合物计。在所述含量范围内，一个实施方案的剥离剂组合物可具有优异的剥离性能和冲洗性能，以及特别是对含铜下膜上的污点和异物的优异的移除性等。

同时，一个实施方案的剥离剂组合物还可包含防腐蚀剂。当使用剥离剂组合物移除光致抗蚀剂图案时，防腐蚀剂可抑制含金属下膜(例如含铜膜)的腐蚀，从而抑制因剥离剂组合物、特别是其中包含的胺化合物而导致的下膜电特性的劣化。

为了有效抑制下膜的腐蚀，可使用三唑系化合物、四唑系化合物、如下化学式1或2的化合物作为防腐蚀剂。

[化学式1]

在化学式1中，R9为氢或具有1至4个碳原子的烷基，

R10和R11彼此相同或不同，且独立地为具有1至4个碳原子的羟基烷基，以及

a为1至4的整数，

[化学式2]

在化学式2中，R12为氢或具有1至4个碳原子的烷基，以及

b为1至4的整数，

防腐蚀剂的更具体的实例可包括三唑系化合物(例如苯并三唑、四氢甲苯基三唑等)、四唑系化合物(例如5-氨基四唑或其水合物)、化学式1的化合物(其中R9为甲基，R10和R11独立地为羟基乙基，且a为1)和化学式2的化合物(其中R12为甲基，且b为1)，并且通过使用这些化合物可有效地抑制含金属下膜的腐蚀，并且可保持所述剥离剂组合物的优异的剥离性能。

并且，可包括含量为0.01至0.5重量％，或约0.05至0.3重量％，或约0.1至0.2重量％的防腐蚀剂，基于全部组合物计。在所述含量范围内，可有效抑制下膜的腐蚀，并且，可使因防腐蚀剂过量而导致的剥离剂组合物物理性质的劣化最小化。如果包括过量的防腐蚀剂，则相当量的防腐蚀剂可被吸附并残留在下膜上，因此使含铜下膜的电特性等劣化。

此外，一个实施方案的剥离剂组合物还可包含用于增强清洁性的表面活性剂。

作为表面活性剂，可使用硅系非离子型表面活性剂。由于硅系非离子型表面活性剂包括胺化合物，即使在强碱性剥离剂组合物中也可稳定地保持而不会产生化学变化、改性或分解，并表现出与上文所述的非质子性极性溶剂或质子性极性溶剂或亚烷基二醇溶剂等的优异的相容性。因此，硅系非离子型表面活性剂可与其他组分很好地混合以降低所述剥离剂组合物的表面张力，并为剥离剂组合物提供待移除的光致抗蚀剂和下膜的优异的润湿性。因此，根据一个实施方案，包含表面活性剂的剥离剂组合物可表现出优异的下膜冲洗性能和优异的光致抗蚀剂剥离性能，并因此，下膜上基本不会产生污点或异物，并可有效地移除污点和异物。

此外，硅系非离子型表面活性剂可以非常小的量来实现上述效果，且可使因其改性或分解而导致的副产物的产生最小化。

作为表面活性剂，可使用先前已知的或市售的含硅非离子型表面活性剂而无特殊限制，例如包含聚硅氧烷系聚合物的表面活性剂。表面活性剂的具体实例可包括聚醚改性的丙烯酰基官能聚二甲基硅氧烷、聚醚改性的硅氧烷、聚醚改性的聚二甲基硅氧烷、聚乙基烷基硅氧烷、芳烷基改性的聚甲基烷基硅氧烷、聚醚改性的羟基官能基聚二甲基硅氧烷、聚醚改性的二甲基聚硅氧烷、改性的丙烯酰基官能聚二甲基硅氧烷和其溶液。并且，表面活性剂可降低剥离剂组合物的表面张力并增加下膜的表面能，以使剥离剂组合物对光致抗蚀剂和下膜具有更加改善的润湿性。

并且，可包括含量为0.0005至0.1重量％，或约0.001至0.09重量％，或约0.001至0.01重量％的硅系非离子型表面活性剂，基于全部组合物计。如果表面活性剂的含量太低，则加入表面活性剂所引起的剥离剂组合物的改善的剥离性能和冲洗性能的效果不能充分获得，而如果含量太高，则当使用剥离剂组合物进行剥离过程时，高压下可能产生气泡，进而在下膜上产生污点或导致传感器故障。

并且，一个实施方案的剥离剂组合物还可根据需要包含常规添加剂，其种类和含量是本领域普通技术员所熟知的。

并且，一个实施方案的剥离剂组合物可通过混合上述组分的常规方法来制备，所述方法无特殊限制。剥离剂组合物可基本上防止含铜下膜上污点和/或异物的产生和残留，同时表现出优异的光致抗蚀剂剥离性能等。因此，可抑制器件(例如高分辨TFT-LCD)因污点和/或异物导致的显示性的劣化。

根据本发明的另一个实施方案，提供一种使用上述剥离剂组合物移除光致抗蚀剂的方法。所述剥离方法可包括：在形成有含铜下膜的基板上形成光致抗蚀剂图案；使用光致抗蚀剂图案将下膜图案化；以及使用上述剥离剂组合物剥离光致抗蚀剂。

在所述剥离方法中，首先，光致抗蚀剂图案可经光刻法形成于基板上，所述基板上形成有待图案化的含铜下膜。其中含铜下膜可为单层铜层或可具有包括其他金属层(例如另一个铜层以及钼层等)的多层结构。然后，使用光致抗蚀剂图案作为掩模将下膜图案化，并可使用上述剥离剂组合物剥离光致抗蚀剂。在上述过程中，光致抗蚀剂图案的形成和下膜的图案化可通过常规的器件制造过程进行，在此省略额外的说明。

同时，如果使用剥离剂组合物剥离光致抗蚀剂，则基本不会在下膜上产生或残留微小的污点和/或异物，并且在剥离过程中可抑制下膜的腐蚀。

有益效果

根据本发明，提供一种用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，所述剥离剂组合物表现出优异的光致抗蚀剂剥离和移除性能，且基本不会在含铜下膜等上产生和残留污点或异物。换言之，通过使用剥离剂组合物，可有效地移除在含铜下膜上的光致抗蚀剂，且同时可显示出优异的冲洗性能，因此，即使在使用剥离剂组合物处理后，下膜上也基本不会产生和残留污点或异物，且可有效地移除污点和异物。

并且，当用剥离剂组合物处理下膜时，可有效地抑制下膜的腐蚀。

附图说明

图1和图2为示出了使用实施例2和9的剥离剂组合物处理铜栅图案之后的表面形状的FE-SEM图。

具体实施方式

在下文中，本发明将参照实施例和对比实施例进行阐述。然而，这些实施例仅为了说明本发明，本发明的范围不限于此。

<实施例和对比实施例>用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物的制备

根据下表1和2的组成，将各成分混合以制备根据实施例1至11和对比实施例1至2的用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物。

[表1]

[表2]

＊LGA：咪唑基-4-乙醇(IME)

＊AEE：(2-氨基乙氧基)-1-乙醇

＊DMAC：二甲基乙酰胺

＊NMF：N-甲基甲酰胺

＊DCA：N，N’-二乙基甲酰胺

＊BDG：二乙二醇单丁醚

＊HEE：双(2-羟基乙基)醚

＊防腐蚀剂1：2，2’-[[(甲基-1H-苯并三唑-1-基)甲基]亚氨基]二乙醇

＊防腐蚀剂2：5-氨基四唑单水合物

＊防腐蚀剂3：苯并三唑

[实验实施例]剥离剂组合物的物理性质评价

1.剥离剂组合物的剥离力的评价

实施例和对比实施例的剥离剂组合物的剥离力评价如下。

首先，将3.5ml的光致抗蚀剂组合物(产品名：JC-800：已知能形成具有相对较强强度的光致抗蚀剂)滴在100mm x 100mm的玻璃基板上，并用旋转涂布机以400rpm涂布光致抗蚀剂组合物10秒。将玻璃基板安装在热板上，并在165℃的温度下进行硬烘烤10分钟以形成光致抗蚀剂。

将形成有光致抗蚀剂的玻璃基板在室温下进行气冷形成，然后，切割成30mm x30mm的尺寸以制备用于评价剥离力的样品。

在实施例和对比实施例中各自准备500g的剥离剂组合物，使用所述剥离剂组合物处理玻璃基板上的光致抗蚀剂，同时升高温度至50℃。测量将光致抗蚀剂完全剥离和移除的所需时间以评价剥离力。其中利用UV光照射玻璃基板后观察是否有光致抗蚀剂残留以确证光致抗蚀剂的剥离。

通过上述方法，评价实施例1至9和对比实施例1和2的剥离剂组合物的剥离力并示于下表3中。其根据光致抗蚀剂的硬烘烤条件进行评估。

[表3]

如表3所示，可证实实施例的剥离剂组合物相比于对比实施例的剥离剂组合物，表现出优异的光致抗蚀剂剥离性能(快速的剥离时间)。

2.剥离剂组合物的冲洗力的评价

实施例和对比实施例的剥离剂组合物的冲洗力的评价如下。

准备500g的剥离剂组合物，将温度升高至50℃，将光致抗蚀剂粉末在150℃下硬烘烤4小时并溶解(含量为1至5重量％)。在由氮化硅所形成的绝缘玻璃基板上形成铜单层，并在铜单层上形成光致抗蚀剂图案并用剥离剂组合物处理。然后，将玻璃基板上的液体移除，滴加几滴超纯水，并将基板静置30至90秒。再次用超纯水清洗，并用显微镜观察铜单层上的污点和异物，以测量在3x 3cm²的面积范围内所产生污点和由光致抗蚀剂产生的异物的光致抗蚀剂浓度。

评价实施例1至9和对比实施例1和2的剥离剂组合物的冲洗性能并示于下表4中。

[表4]

如表4所示，与比较实施例相比，可证实当使用实施例的剥离剂组合物时，与对比实施例相比，少量的污点和异物在铜单层上产生并残留，因此表现出改善的冲洗力。特别地，可证实通过同时使用含量分别为20至30重量％的质子性极性溶剂(例如BDG)和亚烷基二醇溶剂，冲洗力得到显著改善。并且，可证实当亚烷基二醇和质子性极性溶剂的总含量为45至55重量％时，冲洗力更优异。

3.铜膜表面腐蚀的评价

使用实施例2和9的剥离剂组合物将形成有铜栅图案的玻璃基板在70℃下处理10分钟。处理后，通过扫描电子显微镜(FE-SEM)分析表面形状。除了分析表面形状外，也测量了铜栅图案表面的粗糙度以判断是否发生腐蚀，用于分析表面形状及测量粗糙度的方法和具体评价标准如下。

(1)铜栅表面粗糙度的分析

使用AFM测量铜栅表面的粗糙度以判断是否发生腐蚀。在使用剥离剂组合物处理之前和之后用AFM测量栅表面。测量条件包括测量面积为5x 5cm²，扫秒速度为1Hz。处理后，当表面粗糙度在2.3nm时，评价为未发生腐蚀；当表面粗糙度为2.3至3.0nm时，评价为发生低度腐蚀；当表面粗糙度为3.0至4.0nm时，评价为发生中度的腐蚀；当表面粗糙度为4.0至5.0nm时，评价为发生高度腐蚀；且当表面粗糙度为5.0nm时，评价为发生严重腐蚀。该评价结果示于表5中。

(2)铜栅表面形状的分析

用肉眼观察FE-SEM图以确证是否发生表面损伤。如下图所示以肉眼确证表面损伤，以评价是否发生表面腐蚀。使用实施例2和9的剥离剂组合物处理后的FE-SEM图如图1和图2所示。

主要考虑(1)的结果并辅以(2)的结果，可判断是否发生腐蚀。

[表5]

	处理前	实施例2	实施例9
				粗糙度(nm)	2.019	2.031	2.082
表面损伤	无	无	无
				腐蚀度	无腐蚀	无腐蚀	无腐蚀

如上表5、图1和图2所示，可证实，实施例的剥离剂组合物在用其处理铜栅图案时，基本上不会产生铜栅图案的腐蚀。

Claims (17)

1.一种用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其包含：

至少一种胺化合物；

极性有机溶剂；

亚烷基二醇溶剂；和

防腐蚀剂，

其中所述亚烷基二醇溶剂包括选自双(2-羟基乙基)醚、二醇双(羟基乙基)醚和[2-(2-羟基乙氧基)乙氧基]乙醇中的至少一者。

2.权利要求1的用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中所述胺化合物包括选自链状胺化合物和环状胺化合物的至少一种。

3.权利要求2的用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中所述链状胺化合物包括至少一种选自如下的化合物：(2-氨基乙氧基)-1-乙醇(AEE)、氨基乙基乙醇胺(AEEA)、单甲醇胺、单乙醇胺、N-甲基乙基胺(N-MEA)、1-氨基异丙醇(AIP)、甲基二甲胺(MDEA)、二亚乙基三胺(DETA)和三亚乙基四胺(TETA)。

4.权利要求2的用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中所述环状胺化合物包括至少一种选自如下的化合物：咪唑基-4-乙醇(IME)、氨基乙基哌嗪(AEP)和羟基乙基哌嗪(HEP)。

5.权利要求1的用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中包括含量为0.1至10重量％的胺化合物，基于全部组合物计。

6.权利要求1的用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中所述极性有机溶剂包括非质子极性溶剂、质子极性溶剂或其混合物。

7.权利要求6的用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中所述非质子极性溶剂包括至少一种选自如下的化合物：N-甲基甲酰胺(NMF)、二甲基亚砜(DMSO)、二甲基乙酰胺(DMAc)、二丙二醇单甲醚(DPM)、二乙基亚砜、二丙基亚砜、环丁砜、N-甲基-2-吡咯烷酮(NMP)、吡咯烷酮、N-乙基吡咯烷酮、二丙二醇单乙基醚(DPE)和N,N’-二烷基甲酰胺。

8.权利要求6的用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中所述质子极性溶剂包括至少一种选自如下的亚烷基二醇单烷基醚溶剂：二乙二醇单甲醚、乙二醇单乙醚、乙二醇单丁醚、丙二醇单甲醚、丙二醇单乙醚、丙二醇单丁醚、二乙二醇单乙醚、二乙二醇单丙醚、二乙二醇单丁醚、二丙二醇单甲醚、二丙二醇单乙醚、二丙二醇单丙醚、二丙二醇单丁醚、三乙二醇单甲醚、三乙二醇单乙醚、三乙二醇单丙醚、三乙二醇单丁醚、三丙二醇单甲醚、三丙二醇单乙醚、三丙二醇单丙醚以及三丙二醇单丁醚。

9.权利要求1的用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中包括含量为20至80重量％的极性有机溶剂，基于全部组合物计。

10.权利要求1的用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中包括含量为10至70重量％的亚烷基二醇溶剂，基于全部组合物计。

11.权利要求1的用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中所述防腐蚀剂包括三唑系化合物、四唑系化合物以及如下化学式1或2的化合物，

[化学式1]

在化学式1中，R9为氢或具有1至4个碳原子的烷基，

R10和R11彼此相同或不同，独立地为具有1至4个碳原子的羟基烷基，且

a为1至4的整数，

[化学式2]

在化学式2中，R12为氢或具有1至4个碳原子的烷基，且

b为1至4的整数。

12.权利要求9的用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中包括含量为0.01至0.5重量％的防腐蚀剂，基于全部组合物计。

13.权利要求1的用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，还包含硅系非离子型表面活性剂。

14.权利要求13的用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中硅系非离子型表面活性剂包括聚硅氧烷系聚合物。

15.权利要求13的用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中所述硅系非离子型表面活性剂包括至少一种选自如下的化合物：聚醚改性的丙烯酰基官能聚二甲基硅氧烷、聚醚改性的硅氧烷、聚醚改性的聚二甲基硅氧烷、聚乙基烷基硅氧烷、芳烷基改性的聚甲基烷基硅氧烷、聚醚改性的羟基官能聚二甲基硅氧烷、聚醚改性的二甲基聚硅氧烷以及改性的丙烯酰基官能聚二甲基硅氧烷。

16.权利要求13的用于移除光致抗蚀剂的剥离剂组合物，其中包括含量为0.0005至0.1重量％的硅系非离子型表面活性剂，基于全部组合物计。

17.一种用于剥离光致抗蚀剂的方法，其包含：

在形成有含铜下膜的基板上形成光致抗蚀剂图案；

使用光致抗蚀剂图案将下膜图案化；和

使用权利要求1的剥离剂组合物剥离光致抗蚀剂。