KR20100125109A - 구리용 레지스트 제거용 조성물 - Google Patents

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KR20100125109A
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Abstract

본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, (A) 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 고리형 화합물 0.1 내지 30 중량%; 및 (B) 유기용매 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리용 레지스트 제거용 조성물에 관한 것이다.
<화학식 1>
Figure 112009030325859-PAT00001
<화학식 2>
Figure 112009030325859-PAT00002
고리형 화합물, 포토레지스트, 구리, 박리

Description

구리용 레지스트 제거용 조성물 {STRIPPER COMPOSITION FOR COPPER OR COPPER ALLOY}
본 발명은 반도체소자 또는 평판표시소자 제조공정 중 사용되는 구리용 레지스트 제거용 조성물에 관한 것으로서, 더 상세하게는, 포토레지스트를 제거 시, 배선으로 이용되는 금속인 구리의 부식을 방지할 수 있는 구리용 레지스트 제거용 조성물에 관한 것이다.
반도체소자의 집적회로 또는 평판표시소자의 미세회로 제조공정은 기판 상에 형성된 도전성 금속막 또는 절연막 상에 포토레지스트를 균일하게 도포하고, 선택적으로 노광하고, 현상처리하여 포토레지스트 패턴을 형성한다. 여기서, 도전성 금속막은 알루미늄 또는 알루미늄 합금, 구리 또는 구리합금 등이고, 절연막은 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등이다. 이어서, 패턴화된 포토레지스트막을 마스크로 하여 상기 도전성 금속막 또는 절연막을 습식 또는 건식으로 식각하여 미세 회로 패턴을 포토레지스트 하부층에 전사한 후, 불필요한 포토레지스트층을 포토레지스트 박리액(스트리퍼) 조성물로 제거하는 과정으로 진행된다.
상기 미세회로 제조공정에서 발생한 포토레지스트를 제거하기 위해서, 레 지스트 제거용 조성물은 저온에서 단시간 내에 포토레지스트를 박리할 수 있어야 한다. 또한, 세척(rinse)한 후 기판 상에 포토레지스트 잔류물을 남기지 않아야 하는 우수한 박리능력을 가져야 한다. 더불어, 포토레지스트 하부층의 금속막 또는 절연막을 손상시키지 않는 저부식성을 가져야 한다. 이와 같은 조건들을 충족시키기 위해 다양한 레지스트 제거용 조성물이 연구, 개발되어 왔으며, 그 예는 다음과 같다.
일본공개특허공보 소51-72503호는 탄소수 10 내지 20개의 알킬 벤젠 설폰산 및 비점이 150℃ 이상인 비할로겐화 방향족 탄화수소를 포함하는 레지스트 제거용 조성물에 대하여 개시하고 있다. 또한, 일본공개특허공보 소57-84456호는 디메틸설폭사이드 또는 디에틸설폭사이드와 유기 설폰화합물을 포함하는 레지스트 제거용 조성물에 대하여 개시하고 있다. 또한 미국특허 제4,256,294호는 알킬아릴 설폰산, 탄소수 6 내지 9 개의 친수성 방향족 설폰산 및 비점이 150℃ 이상인 비할로겐화 방향족 탄화수소를 포함하는 레지스트 제거용 조성물에 대하여 개시하고 있다.
그러나 상기와 같은 종래 레지스트 제거용 조성물들은 알루미늄, 구리 또는 구리 합금 등의 도전성 금속막에 대한 부식이 심하고, 강한 독성으로 환경오염문제가 있어 사용이 곤란하다는 문제점이 있다. 상기와 같은 문제점을 해결하기 위해, 수용성 알칸올 아민을 필수성분으로 여러 유기용매에 혼합시켜 포토레지스트 박리액 조성물을 제조하는 기술들이 제안되어 왔고, 그 예는 다음과 같다.
미국특허 제4,617,251호는 모노에탄올아민(MEA), 2-(2-아미노에톡시)-1-에탄올(AEE) 등의 유기아민화합물과 디메틸포름아미드(DMF), 디메틸아세트아미 드(DMAc), N-메틸피롤리돈(NMP), 디메틸설폭사이드(DMSO), 카비톨 아세테이트, 프로필렌글리콜 모노메틸에테르 아세테이트(PGMEA) 등의 극성용매를 포함하는 2 성분계 레지스트 제거용 조성물에 대하여 개시하고 있다. 또한 미국특허 제4,770,713호는 유기아민 화합물과 N-메틸아세트아미드, 디메틸포름아미드(DMF), 디메틸아세트아미드(DMAc), N-메틸-N-에틸프로피온아미드, 에틸아세트아미드(DEAc), 디프로필아세트아미드(DPAc), N,N-디메틸프로피온아미드, N,N-디메틸부틸아미드 등의 아마이드 용매를 포함하는 2 성분계 레지스트 제거용 조성물에 대하여 개시하고 있다. 뿐만 아니라, 일본공개특허공보 소62-49355호는 알칸올 아민 및 에틸렌디아민에 에틸렌옥사이드를 도입한 알킬렌 폴리아민 설폰 화합물과 글리콜 모노알킬에테르를 포함하는 레지스트 제거용 조성물에 대하여 개시하고 있다. 또한, 일본공개특허공보 소63-208043호는 수용성 알칸올 아민과 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논(DMI)을 포함하는 레지스트 제거용 조성물에 대하여 개시하고 있다. 또한, 일본공개특허공보 소63-231343호는 아민 화합물, 극성용매류, 및 계면활성제를 포함하는 포지티브형 포토레지스트 제거용 조성물에 대하여 개시하고 있다. 또한 일본공개특허공보 소64-42653호는 디메틸설폭사이드(DMSO), 디에틸렌글리콜 모노알킬에테르, 디에틸렌글리콜 디알킬에테르, 감마부티로락톤, 및 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논으로부터 선택된 1 종 이상의 용매, 및 모노에탄올아민 등의 함질소 유기히드록시 화합물을 포함하는 레지스트 제거용 조성물에 대하여 개시하고 있다. 또한, 일본공개특허공보 평4-124668호는 유기 아민, 인산에스테르 계면활성제, 2-부틴-1,4-디올, 디에틸렌글리콜 디알킬에테르, 및 비양자성 극성용매류를 포함하는 레지스트 제거용 조성물에 대하여 개시하고 있다.
그러나, 상기 레지스트 박리액 조성물은 구리, 구리 다중막 및 구리 합금막에 대한 부식방지력이 약하여 박리 공정 중에 심한 부식을 유발할 수 있으며, 후 공정인 게이트 절연막 증착 시 불량을 발생시킬 수 있다는 문제점이 있다.
본 발명의 목적은 딥방식, 매엽식 및 분무식 박리공정에 모두 적용할 수 있는 레지스트 제거용 조성물을 제공하는 것이다.
본 발명의 목적은 가혹한 포토리소그라피 공정 및 습식식각 공정에 의해 변질 경화된 포토레지스트막을 저온에서도 단시간 내에 용이하고 깨끗이 제거할 수 있는 레지스트 제거용 조성물을 제공하는 것이다.
또한 본 발명의 목적은 중간세정액인 이소프로판올을 사용하지 않고도 포토레지스트 하부층인 도전성 금속막과 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등의 절연막에 대한 부식을 동시에 최소화할 수 있는 레지스트 제거용 조성물을 제공하는 것이다.
상기의 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 조성물 총 중량에 대하여, (A) 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 고리형 화합물 0.1 내지 30 중량%; 및 (B) 유기용매 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리용 레지스트 제거용 조성물을 제공한다.
<화학식 1>
Figure 112009030325859-PAT00003
<화학식 2>
Figure 112009030325859-PAT00004
상기 화학식 1 및 2에서, R1, R2는 R4 각각 독립적으로 수소, C1~C10의 직쇄 또는 사슬형 알킬기, C6~C10의 아릴기, C1~C10의 직쇄 또는 사슬형 알킬아미노기, C1~C10의 직쇄 또는 사슬형 히드록시알킬기, C1~C10의 직쇄 또는 사슬형 알킬벤젠기 또는 아미노기이고, R3 및 R5는 수소, C1~C10의 직쇄 또는 사슬형 알킬기, C6~C10의 아릴기, C1~C10의 직쇄 또는 사슬형 알킬아미노기 또는 아미노기이고, X1은 C, S, O 또는 N이고, n1은 1 또는 2의 정수이고, n2는 1 내지 4의 정수이다.
본 발명의 구리용 레지스트 제거용 조성물은 딥방식, 분무식 및 매엽식 박리공정에 모두 적용할 수 있다. 또한, 가혹한 포토리소그라피 공정 및 습식식각 공정에 의해 변질경화된 포토레지스트막을 고온 및 저온에서도 단시간 내에 용이하고 깨끗이 제거할 수 있다. 한편, 일반적으로 중간 세정액인 이소프로판올을 사용하지 않고 바로 물에 세정할 경우, 포토레지스트 박리액 조성물 내의 아민 성분이 물과 혼합하면서 부식성이 강한 알칼리의 히드록시 이온이 생기게 되어 구리, 또는 구리 합금 등의 도전성 금속막의 부식을 촉진시킨다. 하지만, 본 발명에 따른 구리용 레지스트 제거용 조성물은 이소프로판올 없이도, 포토레지스트 하부층인, 구리, 구리합금배선 등의 도전성 금속막과 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등의 절연막에 대한 부식을 동시에 최소화 할 수 있다.
이하 본 발명을 상세하게 설명한다.
본 발명의 구리용 레지스트 제거용 조성물은 (A) 고리형 화합물 및 (B) 유기용매를 포함한다.
본 발명의 구리용 레지스트 제거용 조성물에 포함되는 (A) 고리형 화합물은 하기 화학식1과 화학식2로 표시된다.
<화학식 1>
Figure 112009030325859-PAT00005
<화학식 2>
Figure 112009030325859-PAT00006
상기 화학식 1 및 2에서, R1, R2는 R4 각각 독립적으로 수소, C1~C10의 직쇄 또는 사슬형 알킬기, C6~C10의 아릴기, C1~C10의 직쇄 또는 사슬형 알킬아미노기, C1~C10의 직쇄 또는 사슬형 히드록시알킬기, C1~C10의 직쇄 또는 사슬형 알킬벤젠기 또는 아미노기이고, R3 및 R5는 수소, C1~C10의 직쇄 또는 사슬형 알킬기, C6~C10의 아릴기, C1~C10의 직쇄 또는 사슬형 알킬아미노기 또는 아미노기이고, X1은 C, S, O 또는 N이고, n1은 1 또는 2의 정수이고, n2는 1 내지 4의 정수이다.
상기 (A) 고리형 화합물은 조성물 총 중량에 대하여, 0.1 내지 30중량%로 포함되고, 바람직하게는 1 내지 10중량%로 포함된다. 상술한 범위를 만족하면, 변성된 포토레지스트에 대한 박리력이 우수하고, 포토레지스트 하부층인 도전성 금속막의 부식을 방지한다.
상기 (A) 고리형 화합물로는 N-(2-히드록시에틸)-에틸렌우레아, N-(3-히드록시프로필)-2-피롤리돈, 히드록시메틸피롤리돈, 히드록시에틸피롤리돈 및 N-피페리딘에탄올으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 구리용 레지스트 제거용 조성물에 포함되는 (B) 유기용매는 본 발명의 조성물이 총 중량이 100중량%가 되도록 잔량 포함된다. 상기 (B) 유기용매는 술폭사이드류, 술폰류, 아미드류, 락탐류, 이미다졸리디논류, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르, 다가 알코올류 및 이들의 유도체로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다. 여기서 디에틸렌글리콜모노알킬에테르의 경우, 알킬은 탄소 원자수 1 내지 6의 저급알킬기를 말한다.
상기 술폭사이드류로의 예로는 디메틸술폭사이드 등을 들 수 있고, 상기 술폰류의 예로는 디메틸술폰, 디에틸술폰, 비스(2-히드록시에틸)술폰, 테트라메틸렌술폰 등을 들 수 있다. 상기 아미드류의 예로는 N,N-디메틸포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸아세토아미드, N,N-디에틸아세토아미드 등을 들 수 있고, 상기 락탐류의 예로는 N-메틸-2-피롤리돈, N-에틸-2-피롤리돈, N-프로필-2-피롤리돈, N-히드록시메틸-2-피롤리돈, N-히드록시에틸-2-피롤리돈 등을 들 수 있다. 상기 이미다졸리디논류의 예로는 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디에틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디이소프로필-2-이미다졸리디논 등을 들 수 있다. 또한, 디에틸렌글리콜모노알킬에테르의 예로는 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르 및 디에틸렌글리콜모노부틸에테르를 들 수 있다.
본 발명의 구리용 레지스트 제거용 조성물은 (C) 첨가제를 더 포함할 수 있는데, 상기 (C) 첨가제는 포토레지스트 하부의 도전성 금속막과 절연막의 부식을 최소화한다. 상기 첨가제는 아졸계 화합물, 히드록시 벤젠계 화합물, 환원제 및 착화합물로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다.
상기 아졸계 화합물은 트리아졸 고리를 포함하는 것이 바람직하다. 상기 트리아졸 고리에 존재하는 질소 원자의 비공유전자쌍이 구리와 전자적으로 결합하여 금속 부식을 제어한다. 또한 상기 히드록시 벤젠계 화합물은 벤젠고리에 직접 치환된 히드록시기와 금속이 흡착하여 염기성 용액에 의한 금속 부식을 제어한다.
상기 아졸계 화합물은 톨리트리아졸, 1,2,3-벤조트리아졸, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 3-아미노-1,2,4-트리아졸, 4-아미노-4H-1,2,4-트리아졸, 1-히드록시벤조트리아졸, 1-메틸벤조트리아졸, 2-메틸벤조트리아졸, 5-메틸벤조트리아졸, 벤조트리아졸-5-카르본산, 니트로벤조트리아졸 및 2- (2H-벤조트리아졸-2-일)-4,6-디-ｔ-부틸페놀으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람 직하다.
상기 히드록시 벤젠계 화합물은 카테콜, 히드로퀴논, 피로가롤, 갈산, 메틸갈레이트, 에틸갈레이트, n-프로필갈레이트, 이소프로필갈레이트 및 n-부틸갈레이트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다.
상기 환원제는 엘리소르빈산, 비타민 C 및 알파 토코페롤로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것이 바람직하다.
본 발명의 구리용 레지스트 제거용 조성물은 (D)물을 더 포함할 수 있다. 상기 (D) 물을 탈이온수를 의미하며 반도체 공정용을 사용하며, 바람직하게는 18㏁/㎝ 이상의 물을 사용한다.
본 발명의 구리용 레지스트 제거용 조성물은 딥방식, 분무식 및 매엽식 박리공정에 모두 적용할 수 있다. 또한, 가혹한 포토리소그라피 공정 및 습식식각 공정에 의해 변질경화된 포토레지스트막을 고온 및 저온에서도 단시간 내에 용이하고 깨끗이 제거할 수 있다. 한편, 일반적으로 중간 세정액인 이소프로판올을 사용하지 않고 바로 물에 세정할 경우, 포토레지스트 박리액 조성물 내의 아민 성분이 물과 혼합하면서 부식성이 강한 알칼리의 히드록시 이온이 생기게 되어 구리, 또는 구리 합금 등의 도전성 금속막의 부식을 촉진시킨다. 하지만, 본 발명에 따른 구리용 레지스트 제거용 조성물은 이소프로판올 없이도, 포토레지스트 하부층인, 구리, 구리합금배선 등의 도전성 금속막과 실리콘 산화막, 실리콘 질화막 등의 절연막에 대한 부식을 동시에 최소화 할 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 하기 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 본 발명의 범위가 하기 실시예에 한정되는 것은 아니다.
실시예1 내지 5 및 비교예1 내지 6: 포토레지스트 박리액 조성물의 제조
하기 표 1에 기재된 성분 및 조성비에 따라 구리용 레지스트 제거용 조성물을 제조하였다.
구분 아민화합물
(중량%)		 용매
(중량%)		 첨가제
(중량%)
종류 양 종류 양 종류 양 종류 양 종류 양 종류 양
실시예1 HEP 8 NMP 10 DMAc 50 DMF 32 - - - -
실시예2 NPE 5 NMP 20 DMAc 30 NMF 45 - - - -
실시예3 HEP 8 NMP 10 DMAc 50 DMF 31 TTA 1 - -
실시예4 HEP 5 NMP 25 - - NMF 69.9 TTA 0.1
실시예5 NPE 5 NMP 20 DMAc 30 NMF 44.5 TTA 0.5 - -
실시예6 HPP 3 NMP 20 DMAc 50 NMF 26 CAT 0.5 BTA 0.5
실시예7 HMP 5 NMP 15 DMAc 40 DMF 38 GA 1 TTA 1
비교예1 MEA 10 BDG 20 DMAc 40 NMF 28 CAT 2 - -
비교예2 MEA 8 TEG 20 DMAc 40 NMP 30 CAT 1 BTA 1
비교예3 NMEA 8 BDG 24 NMP 32 NMF 35 GA 1 - -
비교예4 TEA 7 NMP 12 DMAc 40 NMF 40 CAT 0.3 TTA 0.7
비교예5 DMEA 8 NMP 10 DMAc 50 DMF 30 GA 1 TTA 1
비교예6 DGA 10 BDG 30 DMAc 30 NMF 28 CAT 1 TTA 1
[주]
HEP: 히드록시에틸피롤리돈 NPE: N-피페리딘에탄올
HPP: N-(3-히드록시프로필)-2-피롤리돈 HMP: 히드록시메틸피롤리돈
TEA: 트리에탄올아민 DMEA: 디에틸에탄올아민
MEA: 모노에탄올아민 NMAE: N-메틸아미노에탄올
DGA: 디글리콜아민 NMP: N-메틸피롤리돈
DMF: 디메포름아마이드 BDG: 부틸디글리콜
TEG: 트리에틸렌클리콜 DMAc: 디메틸아세트아마이드
NMF: N-메틸포름아마이드 CAT: 카테콜
GA: 갈산 TTA: 톨리트리아졸
BTA: 1,2,3-벤조트리아졸 BDG: 부틸디글리콜
시험예: 식각 특성 평가
실시예1 내지 7 및 비교예1 내지 6에서 제조한 구리용 레지스트 제거용 조성물을 이용하여 하기와 같은 방법으로 구리 배선에 대한 박리력과 부식정도를 측정하였다.
1. 구리 배선에 대한 평가
LCD의 TFT 회로 제작에서 유리기판 위에 단일 금속막 및 다중합금을 200 내지 500Å, 상부에 Cu층을 3,000Å으로 형성하였다. 그 후, 포지티브 포토레지스트를 도포 및 건조하여 포토리소그라피에 의해 패턴을 형성하고, 습식식각까지 완료한 상태의 시편을 준비하였다.
1) 박리력
실시예1 내지 7 및 비교예1 내지 6에서 제조한 구리용 레지스트 제거용 조성물을 50℃로 유지시키고, 여기에 상기 준비한 시편을 각각 10분간 침적시켜 레지스트 패턴을 제거하였다. 그 후, 초순수에서 60초간 세척하고 질소로 건조하였다. 건조 완료 후, 각각의 시편을 40,000 내지 80,000 배율의 전자현미경(FE-SEM)으로 포토레지스트의 박리정도를 관찰하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다.
2) 부식평가-1
실시예1 내지 7 및 비교예1 내지 6에서 제조한 구리용 레지스트 제거용 조성물을 70℃로 유지시키고, 여기에 상기 준비한 시편을 10분 동안 침적시킨 후, 초순수에 30 초간 세척하고 질소로 건조하였다. 건조 완료 후 40,000 내지 80,000 배율의 전자현미경(FE-SEM)으로 시편의 표면, 측면, 및 단면의 부식 정도를 관찰하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다. 이때, 상기 부식 정도는 하기와 같은 기준으로 평가하였다.
3) 부식평가-2
실시예1 내지 7 및 비교예1 내지 6에서 제조한 구리용 레지스트 제거용 조성물을 70℃로 유지시키고, 여기에 상기 준비한 시편을 각각 10 분간 침적시켰다. 그 후, 초순수에 30초간 세척하고 질소로 건조하였다. 상기 스트립 공정을 3회 연속으로 실시한 후, 40,000 내지 80,000 배율의 전자현미경(FE-SEM)으로 시편의 표면, 측면, 및 단면의 부식정도를 관찰하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다. 이때, 상기 부식정도는 하기와 같은 기준으로 평가하였다.
구분 박리력(50℃) 부식평가 1 부식평가 2
실시예1 ◎ ◎ ○
실시예2 ◎ ◎ ◎
실시예3 ○ ◎ ○
실시예4 ○ ◎ ◎
실시예5 ◎ ◎ ◎
실시예6 ◎ ◎ ◎
실시예7 ◎ ◎ ◎
비교예1 ◎ Х Х
비교예2 ◎ Х Х
비교예3 ○ X X
비교예4 ○ △ △
비교예5 ○ △ △
비교예6 ○ X Х
※ 박리평가기준
◎: 박리성능 우수 ○: 박리성능 양호
△: 박리성능 양호하지 못함 Х: 박리성능 불량
※ 부식평가기준
◎: Cu층, 하부 금속막 및 합금막 표면과 측면에 부식이 전혀 없음
○: Cu층, 하부 금속막 및 합금막 표면과 측면에 약간의 부식
△: Cu층, 하부 금속막 및 합금막 표면과 측면에 부분적인 부식
Х: Cu층, 하부 금속막 및 합금막 표면과 측면에 전체적으로 심한 부식
표 2를 참조하면, 실시예1 내지 7의 구리용 레지스트 제거용 조성물을 적용한 시편의 표면, 측면, 및 단면에 부식이 전혀 없이 깨끗한 패턴을 얻을 수 있었다.

Claims (9)

  1. 조성물 총 중량에 대하여,
    (A) 하기 화학식 1 또는 화학식 2로 표시되는 고리형 화합물 0.1 내지 30 중량%; 및
    (B) 유기용매 잔량을 포함하는 것을 특징으로 하는 구리용 레지스트 제거용 조성물:
    <화학식 1>
    Figure 112009030325859-PAT00007
    <화학식 2>
    Figure 112009030325859-PAT00008
    상기 화학식 1 및 2에서,
    R1, R2는 R4 각각 독립적으로 수소, C1~C10의 직쇄 또는 사슬형 알킬기, C6~C10의 아릴기, C1~C10의 직쇄 또는 사슬형 알킬아미노기, C1~C10의 직쇄 또는 사슬형 히드록시알킬기, C1~C10의 직쇄 또는 사슬형 알킬벤젠기 또는 아미노기이고,
    R3 및 R5는 수소, C1~C10의 직쇄 또는 사슬형 알킬기, C6~C10의 아릴기, C1~C10의 직쇄 또는 사슬형 알킬아미노기 또는 아미노기이고,
    X1은 C, S, O 또는 N이고,
    n1은 1 또는 2의 정수이고,
    n2는 1 내지 4의 정수이다.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 (A) 3차 고리형 아민 화합물은 N-(2-히드록시에틸)-에틸렌우레아, N-(3-히드록시프로필)-2-피롤리돈, 히드록시메틸피롤리돈, 히드록시에틸피롤리돈 및 N-피페리딘에탄올으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것인 것을 특징으로 하는 구리용 레지스트 제거용 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서,
    상기 (B) 유기용매는 디메틸술폭사이드, 디메틸술폰, 디에틸술폰, 비스(2-히드록시에틸)술폰, 테트라메틸렌술폰, N,N-디메틸포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸아세토아미드, N,N-디에틸아세토아미드, N-메틸-2-피롤리돈, N-에틸-2-피롤리돈, N-프로필-2-피롤리돈, N-히드록시메틸-2-피롤리돈, N-히드록시에틸-2-피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디에틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디이소프로필-2-이미다졸리디논, 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르 및 디에틸렌글리콜모노부틸에테르로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 구리용 레지스트 제거용 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서,
    상기 구리용 레지스트 제거용 조성물은 아졸계 화합물, 히드록시 벤젠계 화합물 및 환원제로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 구리용 레지스트 제거용 조성물.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 아졸계 화합물은 톨리트리아졸, 1,2,3-벤조트리아졸, 1,2,3-트리아졸, 1,2,4-트리아졸, 3-아미노-1,2,4-트리아졸, 4-아미노-4H-1,2,4-트리아졸, 1-히드록시벤조트리아졸, 1-메틸벤조트리아졸, 2-메틸벤조트리아졸, 5-메틸벤조트리아졸, 벤조트리아졸-5-카르본산, 니트로벤조트리아졸 및 2- (2H-벤조트리아졸-2-일)- 4,6-디-ｔ-부틸페놀으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 구리용 레지스트 제거용 조성물.
  6. 청구항 4에 있어서,
    상기 히드록시 벤젠계 화합물은 카테콜, 히드로퀴논, 피로가롤, 갈산, 메틸갈레이트, 에틸갈레이트, n-프로필갈레이트, 이소프로필갈레이트 및 n-부틸갈레이트로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 구리용 레지스트 제거용 조성물.
  7. 청구항 4에 있어서,
    상기 환원제는 엘리소르빈산, 비타민 C 및 알파 토코페롤으로 이루어진 군에서 선택되는 1종 또는 2종 이상인 것을 특징으로 하는 구리용 레지스트 제거용 조성물.
  8. 청구항 1에 있어서,
    상기 구리용 레지스트 제거용 조성물은 물을 추가로 포함하는 것을 특징으로 하는 구리용 레지스트 제거용 조성물.
  9. 청구항 1 기재의 구리용 레지스트 제거용 조성물을 사용하여 10~100?의 온도에서 30초~40분 동안 침적, 분무, 또는 침적 및 분무하여 포토레지스트를 제거하 는 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20170010532A (ko) * 2015-07-20 2017-02-01 동우 화인켐 주식회사 세정액 조성물

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