KR100429920B1

KR100429920B1 - 포토레지스트용 박리액 및 이것을 사용한 포토레지스트 박리방법

Info

Publication number: KR100429920B1
Application number: KR10-2000-0084140A
Authority: KR
Inventors: 와끼야가즈마사; 고바야시마사까즈
Original assignee: 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤
Priority date: 1999-12-28
Filing date: 2000-12-28
Publication date: 2004-05-03
Also published as: US20010021489A1; US20030134234A1; TWI261734B; KR20010062828A; JP2001188363A; JP3514435B2

Abstract

본 발명은 (a) 질소함유 유기히드록시 화합물, (b) 수용성 유기용매 (c) 물, 및 (d) 특정의 벤조트리아졸계 화합물을 함유하여 이루어지는 포토레지스트용 박리액, 및 이것을 사용한 포토레지스트 박리방법에 관한 것이고, 특히 액정표시소자 등에 사용하는 SiO₂기판을 사용하는 분야에서 금속배선, 특별하게는 Cu 배선을 형성한 기판, 또는 금속배선과 폴리실리콘막 등의 무기재료층을 형성한 기판의 방식성이 우수하고, 포토레지스트층, 변질막의 박리성이 우수한 포토레지스트용 박리액, 및 이것을 사용한 포토레지스트 박리방법을 제공하는 것이다.

Description

포토레지스트용 박리액 및 이것을 사용한 포토레지스트 박리방법 {PHOTORESIST STRIPPING SOLUTION AND A METHOD OF STRIPPING PHOTORESISTS USING THE SAME}

본 발명은 포토레지스트용 박리액 및 이것을 사용한 포토레지스트 박리방법에 관한 것이다. 보다 상세하게는 포토레지스트 박리성과, 금속배선, 특별하게는 구리(Cu)배선이 형성된 기판, 또는 금속배선과 무기재료층이 형성된 기판에의 방식성이 우수한 포토레지스트용 박리액 및 이것을 사용한 포토레지스트 박리방법에 관한 것이다. 본 발명은 IC 나 LSI 등의 반도체소자 또는 액정패널소자의 제조에 적절하게 적용되는 것이다.

IC 나 LSI 등의 반도체소자나 액정패널소자는 기판상에 CVD 증착등에 의해 형성된 산화주석막 등의 도전성 금속막이나 SiO₂막 등의 절연막 상에 포토레지스트를 균일하게 도포하고, 이것을 선택적으로 노광, 현상처리를 하여 포토레지스트 패턴을 형성하고, 이 패턴을 마스크로서 상기 금속막이나 절연막이 형성된 기판을 선택적으로 에칭하고, 미세회로를 형성한 후, 불필요한 포토레지스트층을 박리액으로제거하여 제조된다.

또한, 오늘날의 반도체 디바이스나 액정 디바이스의 제조공정에서는, 드라이 에칭, 애싱, 이온주입 등으로 제공된 포토레지스트층을 박리하는 것도 필요하게 되었다. 이들의 처리에 따라, 처리후의 포토레지스트층은 변질막으로 된다. 최근, 이들의 처리조건은 보다 엄격하게되고, 변질막은 유기막에서 무기적 성질을 갖는 막으로 되어 왔다. 특히, 애싱처리에 제공한 경우, 포토레지스트 변질막의 다른 금속 디포지션등의 애싱잔사가 생김으로써, 이들 애싱후의 잔사물의 박리도 필요하게 된다.

또, 최근 반도체소자의 고집적화와 칩사이즈의 축소화와 더블어, 배선회로의 미세화 및 다층화가 진보하는 가운데 반도체소자에서는 사용하는 금속막의 저항(배선저항)과 배선용량에 기인하는 배선지연 등이 문제시 되고 있다. 배선저항을 개선하려면은, 배선재료로서 종래에 주로 사용하여온 알루미늄(Al)보다도 저항이 작은 금속, 예컨대 구리(Cu)등을 사용하는 것이 제안되고, 현재 실용화의 단계에 있다.

아울러, 현재의 포토리소그래피 기술에 있어서, 포토레지스트막을 박리하는 기술은 패턴의 미세화, 기판의 다층화의 진행, 기판표면에 형성되는 재질의 변화에 대응하고, 보다 심한 조건을 만족하는 것이 요구되고 있다.

특히 액정표시소자제조에 있어서는 금속배선과, 아닐(annealing)처리된 폴리실리콘막, 무정형 실리콘막 등의 무기재료 층이 형성된 기판을 사용하는 것으로부터, 이들 금속배선, 무기재료 층의 양자에 부식이 생기지 않고 박리 할 수 있는 박리액의 개발이 요구되고 있다.

이와 같은 상황에 있어서, 현재 포토레지스트 박리성이나 기판에의 방식성등의 점에서, 유기아민계의 박리액이 다량 사용되고 있다. 이들의 박리액으로서는, 예컨대 유기아민류, 특정의 계면활성제, 비프로톤 제조 극성용매, 및 물을 배합한 레지스트용 박리액 조성물(일본공개특허공보 평7-64297호), 질소함유 유기히드록시 화합물과 특정의 방향족히드록시 화합물, 추가로는 여기에서 원하는 트리아졸 화합물, 수용성 유기용매를 배합한 포지티브형 포토레지스트용 박리액(일본공개특허공보 평7-120937호), N,N-디에틸히드록실아민을 함유하는 포지티브형 레지스트용 박리액(일본공개특허공보 평7-271057호), pKa 가 7.5 ~ 13 의 아민류, 히드록실아민류, 수용성 유기용매, 방식제, 및 물을 특정량 배합한 레지스트용 박리액 조성물(일본특허 제2911792호)등을 들 수 있다. 또, 미국특허 제5648324호에는, 유기극성용매와, 알칸올아민류와, 2, 2'-[[(메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노]비스에탄올을 소정량으로 배합한 포토레지스트용 박리액 조성물이 개시되어 있다. 또한, 미국특허 제5597678호에는, 특정의 수용성 유기용매, 방식제에, 알칸올아민, 물, 및 수용성 계면활성제를 함유하는 박리액 조성물이 개시되어 있다.

그러나, 상기 종래의 박리액 조성물에서는 금속배선, 특히 Cu 배선이 형성된 기판, 또는 금속배선과 무기재료가 형성된 기판의 부식방지와, 포토레지스트막, 포토레지스트 변질막의 박리성을 함께 균형 있게 달성하는 것이 매우 어려웠다.

본 발명은, 특히 액정표시소자등에 사용되는 SiO₂기판을 사용하는 분야에서, 금속배선, 특히 구리(Cu)배선이 형성된 기판, 또는 금속배선과 무기재료층이 형성된 기판에의 방식성이 우수하고, 포토레지스트층, 변질막의 박리성이 우수한 포토레지스트용 박리막, 및 이것을 사용한 포토레지스트 박리방법을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기문제를 해결하기 위하여 본 발명은 (a) 질소함유 유기히드록시 화합물, (b) 수용성 유기용매, (c) 물, 및 (d) 하기 화학식 1 :

[식 중, Q 는 수소원자, 수산기, 치환 또는 비치환의 탄소 원자수 1 ~ 10 의 탄화 수소기(단, 그 구조 중에 아미드 결합, 에스테르 결합을 갖어도 됨), 아릴기, 또는 하기 화학식 :

(식 중, R³는 탄소 원자수 1 ~ 6 의 알킬기를 나타내고; R⁴, R⁵는 각각 독립적으로 수소원자, 수산기, 또는 탄소 원자수 1 ~ 6 의 히드록시알킬기 또는 알콕시알킬기를 나타냄)

으로 표시되는 기를 나타내고 ; R¹, R²는 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환의 탄소 원자수 1 ~ 10 의 탄화수소기, 카르복실기, 아미노기, 수산기, 시아노기, 포르밀기, 술포닐알킬기, 또는 술포기를 나타냄]

로 나타내는 벤조트리아졸계 화합물을 함유하여 이루어지는 포토레지스트용 박리액을 제공하는 것이다.

또, 본 발명은 금속배선, 또는 금속배선과 무기재료층이 형성된 기판상에 설치한 포토레지스트 패턴을 마스크로서, 상기 기판에 에칭처리한 후, 상기 포토레지스트용 박리액을 사용하여 포토레지스트 패턴을 박리하는 포토레지스트 박리방법을 제공하는 것이다.

또한, 본 발명은 금속배선, 또는 금속배선과 무기재료층이 형성된 기판상에 설치한 포토레지스트 패턴을 마스크로서, 상기 기판에 에칭처리하고, 이어서 애싱처리한 후, 상기 포토레지스트용 박리액을 사용하여 애싱 잔사물을 박리하는 포토레지스트 박리방법을 제공하는 것이다.

이하, 본 발명에 대해서 상술한다.

본 발명의 박리 중, (a) 성분의 질소함유 유기히드록시 화합물로서는, 분자 중에 질소원자를 갖는 유기히드록시 화합물이라면 임의로 사용할 수 있지만, 금속배선(예컨대, Cu, Al, Al 합금 등), 또는 상기 금속배선과 무기재료층(예컨대, 폴리실리콘막, 무정형 실리콘막 등)이 형성된 기판에 대한 방식효과인 점에서, 25 ℃의 수용액에서의 산 해리정수(pKa)가 7.5 ~ 13 의 아민류를 사용하는 것이 바람직하다. 이와 같은 아민류로서, 알칸올아민류가 바람직하게 사용된다.

상기 알칸올아민류로서, 구체적으로는 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, N, N-디메틸에탄올아민, N, N-디에틸에탄올아민, N, N-디부틸에탄올아민, N-메틸에탄올아민, N-에틸에탄올아민, N-부틸에탄올아민, N-메틸디에탄올아민, 모노이소프로판올아민, 디이소프로판올아민, 트리이소프로판올아민 등을 들 수 있다. 이 중에서도 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 2-(2-아미노에폭시)에탄올이 특히 바람직하게 사용된다. (a) 성분은 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다.

(b) 성분의 수용성 유기용매로서는, 물과 혼화성인 유기용매라면 되고, 또 상기 (a), (d) 성분을 용해시키는 것이라면 임의로 사용할 수 있다. 이와 같이 수용성 유기용매로서는, 디메틸술폭사이드 등의 술폭사이드류 ; 디메틸술폰, 디에틸술폰, 비스(2-히드록시에틸)술폰, 테트라메틸렌술폰 등의 술폰류 ; N, N-디메틸포름아미드, N-메틸포름아미드, N, N-디메틸아세토아미드, N-메틸아세토아미드, N, N-디에틸아세토아미드 등의 아미드류 ; N-메틸-2-피롤리돈, N-에틸-2-피롤리돈, N-프로필-2-피롤리돈, N-히드록시메틸-2-피롤리돈, N-히드록시에틸-2-피롤리돈 등의 락탐류 ; 1, 3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1, 3-디에틸-2-이미다졸리디논, 1, 3-디이소프로필-2-이미다졸리디논 등의 이미다졸리디논류 ; 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 등의 디에틸렌글리콜모노알킬에테르(알킬은 탄소 원자수 1 ~ 6 의 저급알킬기) 등의 다가 알코올류, 및 그 유도체를 들 수 있다. 이들 중에, 디메틸술폭사이드, N-메틸-2-피롤리돈, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르 중에서 선택되는 1 종 이상이, 보다 한층의 박리성능 등으로써 바람직하게 사용되고 있다. 그 중에서도, 디메틸술폭사이드, N-메틸-2-피롤리돈이 특히 바람직하다. (b) 성분은 1 종 또는 2 종 이상을 사용할 수 있다.

(d) 성분으로는 하기 화학식 1 :

[화학식 1]

으로 나타내는 기를 나타내고 ; R¹, R²는 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환의 탄소 원자수 1 ~ 10 의 탄화수소기, 카르복실기, 아미노기, 수산기, 시아노기, 포르밀기, 술포닐알킬기, 또는 술포기를 나타냄]

로 나타내는 화합물이 바람직하게 사용된다.

「탄화수소기」는 탄소원자와 수소원자로 이루어진 유기기이다. 본 발명에서, 상기 기 Q, R¹, R²의 각 정의 중, 탄화수소기로서는 방향족 탄화수소기 또는 지방족 탄화수소기의 어느 것이라도 되고, 또는 포화, 불포화 결합을 갖고 있어도 되고, 또한 직쇄, 분지쇄 어느 것이라도 된다. 치환탄화수소기로서는, 예컨대 히드록시알킬기, 알콕실알킬기 등을 들 수 있다.

또, 순수 Cu 배선이 형성된 기판의 경우, 상기 화학식 1 중, Q 로서는 특히 하기 화학식 :

(식 중, R³, R⁴, R⁵는 각각 상기의 정의와 동일함)

으로 나타내는 기가 바람직하다. 이 중에서도 상기 식 중, R⁴, R⁵로서 각각 독립으로 탄소 원자수 1 ~ 6 의 히드록시알킬기 또는 알콕시알킬기를 선택하는 것이 바람직하다. 또한, R⁴, R⁵의 적어도 어느 한쪽이 탄소 원자수 1 ~ 6 의 알킬기인 경우, 이러한 조성의 벤조트리아졸계 화합물의 특성은 수용성에 부족하게 되지만, 상기 화합물을 용해시킬 수 있는 다른 성분이 박리액 중에 존재하는 경우에 바람직하게 사용된다.

또, 상기 화학식 1 중, Q 로서 수용성의 기를 나타내는 것도 바람직하게 사용된다. 구체적으로는 수소원자, 탄소 원자수 1 ~ 3 의 알킬기(즉, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기), 탄소 원자수 1 ~ 3 의 히드록시알킬기, 수산기등이, 무기재료층의 방식성으로서 바람직하다.

(d) 성분으로서의 벤조트리아졸계 화합물로서는, 구체적으로 예컨대 벤조트리아졸, 5, 6-디메틸벤조트리아졸, 1-히드록시벤조트리아졸, 1-메틸벤조트리아졸, 1-아미노벤조트리아졸, 1-페닐벤조트리아졸, 1-히드록시메틸벤조트리아졸, 1-벤조트리아졸카르복실산 메틸, 5-벤조트리아졸카르복실산, 1-메톡시벤조트리아졸, 1-(2, 2-디히드록시에틸)벤조트리아졸, 1-(2, 3-디히드록시프로필)벤조트리아졸, 또는 「이루가메트」시리즈로서 찌바ㆍ스페살리티ㆍ케미칼즈 에서 시판되고 있는 2, 2'-{[(4-메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노}비스에탄올, 2, 2'-{[(5-메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노}비스에탄올, 2, 2'-{[(4-메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노}비스에탄, 또는 2, 2'-{[(4-메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노}비스프로판 등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 1-(2, 3-디히드록시프로필)벤조트리아졸, 2, 2'-{[(4-메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노}비스에탄올, 2, 2'-{[(5-메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노}비스에탄올 등이 바람직하게 사용되고 있다.

상기 (a), (b), (d) 성분, 및 (c) 성분으로서의 물을 함유하는 본 발명의 포토레지스트 박리액 중, 각 성분의 배합량은 이하와 같다.

(a) 성분의 배합량의 상한은 65 중량% 가 바람직하고, 특히, 60 중량% 가 바람직하다. 또, 하한은 10 중량% 가 바람직하고, 특히 30 중량% 가 바람직하다. 상기 배합량 범위내에서 각각의 고유의 산 해리정수(pKa) 값에 따라서, 최적의 배합량을 적절하게 결정하여 사용하는 것이 바람직하다. (a) 성분의 배합량이 많으면, Cu 배선을 사용한 기판에서 부식이 발생하기 쉽다.

(b) 성분의 배합량의 상한은 60 중량% 가 바람직하고, 특히 40 중량% 가 바람직하다. 또, 하한은 20 중량% 가 바람직하고, 특히 10 중량% 가 바람직하다.

(c) 성분의 배합량의 상한은 50 중량% 가 바람직하고, 특히 40 중량% 가 바람직하다. 또, 하한은 5 중량% 가 바람직하고, 특히 10 중량% 가 바람직하다.

(d) 성분의 배합량의 상한은 10 중량% 가 바람직하고, 특히 5 중량% 가 바람직하다. 또, 하한은 0.1 중량% 가 바람직하고, 특히 0.5 중량% 가 바람직하다. (d) 성분은 특별하게는 방식제로서의 역할을 다하고, 그 배합량이 상기 범위미만에서는 Cu 에 대한 방식의 효과가 충분하게 얻을 수 없고, 한편 상기 범위를 초과한 경우는 포토레지스트막의 박리성이 악화된다.

본 발명은 (a) ~ (d) 성분을 상술한 배합비율범위로 함으로써, 포토레지스트막 및 애싱후 잔사물(포토레지스트 변질막, 금속 디포지션)의 박리성, 금속배선, 또는 폴리실리콘막 등의 무기재료층에 대한 방식성보다 한층 우수한 효과를 이룰 수 있다.

특히 이중에서도, (a) 성분, (d) 성분의 배합량을 상기 범위내로 함으로써, 금속배선, 특히 Cu 배선, 또는 무기재료층에 대한 방식방지를 보다 한층 효과적으로 달성할 수 있다.

본 발명의 박리액은 (d) 성분이외의 통상의 아민계 박리액으로 사용되는 방식제를 실질적으로 함유하지 않아도 되고, Cu 등의 금속배선, 또는 무정형 실리콘, 폴리실리콘 등의 무기재료층에 대하여 우수한 방식성을 갖고 있다. 이와 같은 방식제의 대표예로서는, 피로카테콜, 피로갈롤, 히드록시벤조산 등에 대표되는 방향족 히드록시 화합물 등을 들 수 있다. 본 발명의 박리액에서, 이들의 방향족 히드록시 화합물의 배합은, 특히 금속배선으로서 Cu 를 사용한 기판에서의 포토레지스트 박리성의 저하가 발생하여 바람직하지 않다.

본 발명의 박리액은 상기 (a) ~ (d) 성분에 첨가하여 본 박리액의 침투성을 향상시켜, 포토레지스트막이나 포토레지스트 변질막 등의 애싱 잔사물에 대한 박리성을 보다 한층 향상시키기 위하여, 원하는 하기 화학식 2 :

(식 중, R⁶은 탄소 원자수 6 ~ 20 의 알킬기를 나타냄)

으로 나타나는 N-알킬-2-피롤리돈, 및 아세틸렌알코올ㆍ알킬렌옥사이드 부가물 중에서 선택되는 1 종 이상의 화합물을 배합하여도 된다.

N-알킬-2-피롤리돈 및 아세틸렌알코올ㆍ알킬렌옥사이드 부가물은 계면활성제로서 그 자체는 공지의 물질이다.

상기 화학식 2 에 나타나는 N-알킬-2-피롤리돈의 구체예로서는 N-헥실-2-피롤리돈, N-헵틸-2-피롤리돈, N-옥틸-2-피롤리돈, N-노닐-2-피롤리돈, N-데실-2-피롤리돈, N-운데실-2-피롤리돈, N-도데실-2-피롤리돈, N-트리데실-2-피롤리돈, N-테트라데실-2-피롤리돈, N-펜타데실-2-피롤리돈, N-헥사데실-2-피롤리돈, N-헵타데실 -2-피롤리돈, N-옥타데실-2-피롤리돈 등을 들 수 있다. 이 중에서도 N-옥틸-2-피롤리돈, N-도데실-2-피롤리돈이 각각「SURFADONE LP 100」, 「SURFADONE LP 300」(이상, 모두 아이에스피ㆍ재팬 사 제조) 으로서 시판되고 있고, 적절하게 사용되고 있다.

상기 아세틸렌알코올ㆍ알킬렌옥사이드 부가물에 있어서, 이 부가물을 형성하는 아세틸렌알코올로서는 하기 화학식 3 :

(식 중, R⁷은 수소원자 또는을 나타내고 ; R⁸, R⁹, R¹⁰, R¹¹은 각각 독립적으로 수소원자, 탄소 원자수 1 ~ 6 의 알킬기를 나타냄)

로 나타나는 화합물이 바람직하게 사용된다. 여기서 탄소 원자수 1 ~ 6 의 알킬기로서는, 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, tert-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, tert-펜틸기, 헥실기, 이소헥실기, 3-메틸펜틸기, 2, 2-디메틸부틸기, 2, 3-디메틸부틸기 등을 들 수 있다.

이 아세틸렌알코올은, 예컨대 「사피노르」, 「오루핀」(이상 모두 Air Product and Chemicals Inc. 제조) 등의 시리즈로서 시판되고 있고, 적절하게 사용된다. 이 중에서도 그 물성면에서 「사피노르 104」, 「사피노르 82」또는 이들의 혼합물이 매우 적절하게 사용된다. 그 외에 「오루핀 B」, 「오루핀 P」, 「오루핀 Y」등도 사용할 수 있다.

상기 아세틸렌알코올에 부가되는 알킬렌옥사이드로서는 에틸렌옥사이드, 프로필렌옥사이드 또는 그의 혼합물이 바람직하게 사용된다.

본 발명에서는 아세틸렌알코올ㆍ알킬렌옥사이드 부가물로서, 하기 화학식 4 :

(식 중, R¹²은 수소원자 또는을 나타내고 ; R¹³, R¹⁴, R¹⁵, R¹⁶은 각각 독립적으로 수소원자, 탄소 원자수 1 ~ 6 의 알킬기를 나타냄)

로 나타나는 화합물이 바람직하게 사용된다. 여기서 (n + m)은 1 ~ 30 까지의 정수를 나타내고, 이 에틸렌옥사이드의 부가물에 따라서 물에의 용해성, 표면장력 등의 특성이 미묘하게 변화된다.

아세틸렌알코올ㆍ알킬렌옥사이드 부가물은, 「사피노르 」(Air Product and Chemicals Inc. 제조)의 시리즈, 또는 「아세치레노르」(가와껭 화인케미칼(주) 제조)의 시리즈 등으로서 시판되고 있고, 적절하게 사용된다. 이 중에서도 에틸렌옥사이드의 부가수에 의한 물에의 용해성, 표면장력 등의 특성의 변화 등을 고려하면, 「사피노르 440」(n + m = 3.5), 「사피노르 465」(n + m = 10), 「사피노르 485」(n + m = 30), 「아세치레노르 EL」(n + m = 4), 「아세치레노르 EH」(n + m = 10), 또는 그들의 혼합물이 적절하게 사용되고 있다. 특히 「아세치레노르 EL」과 「아세치레노르 EH」의 혼합물이 바람직하게 사용되고 있다. 이 중에서도, 「아세치레노르 EL」과 「아세치레노르 EH」을 2 : 8 ~ 4 : 6 (중량비)의 비율로 혼합한 것이 특히 바람직하게 사용된다.

본 발명 박리액 중, 이들 박리액의 침투성을 향상시키기 위하여 첨가할 수 있는 화합물의 배합량은, 상한이 1 중량% 가 바람직하고, 특히 0.5 중량% 이다. 또 하한은 0.01 중량% 가 바람직하고, 특히 0.015 중량% 이다.

본 발명의 포토레지스트용 박리액은 네가티브형 및 포지티브형 포토레지스트를 함유하는 알칼리 수용액으로 현상 가능한 포토레지스트에 유리하게 사용할 수 있다. 이와 같은 포토레지스트로서는, (i) 나프토퀴논디아지드 화합물과 노볼락 수지를 함유하는 포지티브형 포토레지스트, (ii) 노광에 의해 산을 발생하는 화합물, 산에 의해 분해되어 알칼리 수용액에 대한 용해성이 증대하는 화합물 및 알칼리가용성수지를 함유하는 포지티브형 포토레지스트, (iii) 노광에 의해 산이 발생하는 화합물, 산에 의해 분해되어 알칼리 수용액에 대한 용해성이 증대하는 기를 갖는 알칼리가용성수지를 함유하는 포지티브형 포토레지스트, 및 (iv) 광에 의해 산을 발생하는 화합물, 가교제 및 알칼리가용성수지를 함유하는 네가티브형 포토레지스트 등을 들 수 있지만, 이들로 한정되는 것은 아니다.

본 발명의 포토레지스트 박리방법은, 리소그래피법에 의해 수득한 포토레지스트 패턴을 형성하고, 이것을 마스크로서 도전성 금속막이나 절연막을 선택적으로 에칭하고, 미세회로를 형성한 후, ① 포토레지스트 패턴을 박리하는 경우와, ② 에칭 공정후의 포토레지스트 패턴을 플라즈마 애싱처리하고, 이 플라즈마 애싱 후의 변질막(포토레지스트 잔사), 금속 디포지션 등을 박리하는 경우로 나눌 수 있다.

전자의 에칭공정후의 포토레지스트막을 박리하는 경우의 예로서,

(I) 기판상에 포토레지스트층을 설치하는 공정,

(II) 상기 포토레지스트층을 선택적으로 노광하는 공정,

(III) 노광후의 포토레지스트층을 현상하여 포토레지스트 패턴을 설치하는 공정,

(IV) 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로서 상기 기판을 에칭하는 공정, 및

(V) 에칭공정후의 포토레지스트 패턴을, 상기 본 발명의 포토레지스트용 박리액을 사용하여 기판으로부터 박리하는 공정

을 포함하는 포토레지스트 박리방법을 들 수 있다.

또, 후자의 플라즈마 애싱 처리후의 변질막, 금속 디포지션 등을 박리하는 경우의 예로서,

(I) 기판상에 포토레지스트층을 설치하는 공정,

(II) 상기 포토레지스트층을 선택적으로 노광하는 공정,

(IV) 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로서 상기 기판을 에칭하는 공정,

(V) 포토레지스트 패턴을 플라즈마 애싱하는 공정, 및

(VI) 플라즈마 애싱후의 포토레지스트 변질막을, 상기 본 발명의 포토레지스트용 박리액을 사용하여 기판으로부터 박리하는 공정

을 포함하는 포토레지스트 박리방법을 들 수 있다.

본 발명에서는, 특히 금속배선, 또는 금속배선과 무기재료층이 형성된 기판상에 형성된 포토레지스트의 박리에서, 포토레지스트막 및 변질막의 박리성, 기판의 방식성 모두가 우수하다는 특유의 효과를 갖고 있다.

금속배선으로는 알루미늄(Al) 배선이나 구리(Cu) 배선등을 사용할 수 있지만, 본 발명에서는 특히 Cu 배선을 사용한 경우의 방식성에 의해 우수한 효과를 나타낸다.

또한, 본 발명에서 Cu 배선이란, Cu 를 주성분(예컨대, 함량 90 중량% 이상 정도)으로 한 Al 등의 다른 금속을 함유하는 Cu 합금배선이거나, 또 순수 Cu 배선이라도 된다.

무기재료층으로는, 특히 액정소자제조의 경우, 폴리실리콘막, 무정형 실리콘막 등의 반도체 재료로 이루어지는 층을 들 수 있지만, 이들 예시로 한정되는 것은 아니다. 종래의 박리액에서는 포토레지스트의 박리성과, 금속배선(특히 Cu 배선), 또는 금속배선과 무기재료로 이루어지는 층을 갖는 기판의 방식성의 양립이 곤란하였지만, 본 발명에서는 이들의 효과의 양립을 달성할 수 있었다.

또한, 기판상에 금속배선과, 무정형 실리콘이나 폴리실리콘 등의 무기재료층의 양자를 형성하는 경우, 금속배선으로는 Al 이나 Al 합금을 사용하는 경우가 많지만, 본 발명의 박리액에서는, 이와 같은 경우 Al 이나 Al 합금에 대해서도 무기재료층에 대해서도 우수한 방식성을 갖는다.

상기 후자의 박리방법에서는 플라즈마 애싱후, 기판표면에 포토레지스트 잔사(포토레지스트 변질막)나 금속막 에칭시에 발생한 금속 디포지션이 잔사물로서 부착, 잔존한다. 이들의 잔사물을 본 발명의 박리액에 접촉시켜 기판상의 잔사물을 박리 제거한다. 본래, 플라즈마 애싱은 포토레지스트 패턴을 제거하는 방법이지만, 플라즈마 애싱에 의해 포토레지스트 패턴이 일부 변질막으로 남는 것이 다수이어서, 본 발명은 특히 이와 같은 경우의 포토레지스트 변질막의 완전한 제거로서 유효하다.

포토레지스트층의 형성, 노광, 현상, 및 에칭처리는 모두 관용적 수단이고 특히 한정되지는 않는다. 에칭은 웨트 에칭, 드라이 에칭을 모두 사용할 수 있지만, 본 발명의 박리액은 웨트 에칭 후의 포토레지스트막의 박리에 특히 적절하게 사용될 수 있다. 특히 액정패널소자 등에 사용되는 유리기판 등에서는,에칭액(에찬트)로서는 인산, 질산, 아세트산 등의 산성 에칭액이 바람직하게 사용된다.

또한, 상기 (III)의 현상공정, (V) 또는 (VI)의 박리공정후, 관용적으로 행하고 있는 증류수나 저급알코올 등을 사용한 린스처리 및 건조처리를 행하여도 된다.

또, 포토레지스트의 종류에 따라서는, 화학증폭형 포토레지스트로 통상적으로 행하는 포스트엑스포저 베이크인 노광후의 가열처리를 행하여도 된다. 또한, 포토레지스트 패턴을 형성한 후의 포스트 베이크를 행하여도 된다.

박리처리는 통상, 침지법, 샤워법에 의해 행해진다. 박리시간은 박리된 충분한 시간이라면 되고, 특히 한정되는 것은 아니지만, 통상적으로 10 ~ 20 분간 정도이다.

또한, 금속배선으로서 특히 구리(Cu)가 형성한 기판을 사용한 경우, 본 발명의 박리방법으로는 이하에 나타나는 듀얼더머신프로세스에 의한 박리방법이 예시되어 있다.

즉,

(I) Cu 배선을 형성하여 이루어지는 기판상에 에칭스토퍼층, 또한 그 상층에 층간 절연층을 설치하는 공정,

(II) 상기 층간 절연층상에 포토레지스트층을 설치하는 공정,

(III) 상기 포토레지스트층을 선택적으로 노광하는 공정,

(IV) 노광후의 포토레지스트층을 현상하여 포토레지스트 패턴을 설치하는 공정,

(V) 상기 포토레지스트 패턴을 마스크로서 층간 절연층을, 에칭스토퍼층을 잔존시켜서 에칭하는 공정,

(VI) 에칭공정후의 포토레지스트 패턴을, 상기 본 발명의 박리액을 사용하여 층간 절연층으로부터 박리하는 공정, 및

(VII) 잔존하는 에칭스토퍼층을 제거하는 공정을 함유하는 포토레지스트 박리방법이 예시된다.

또, 플라즈마 애싱처리를 실시하는 경우는,

(III) 상기 포토레지스트층을 선택적으로 노광하는 공정,

(VI) 포토레지스트 패턴을 플라즈마 애싱하는 공정,

(VII) 애싱공정후의 포토레지스트 변질막을, 상기 본 발명의 박리액을 사용하여 층간 절연층으로부터 박리하는 공정, 및

(VIII) 잔존하는 에칭스토퍼층을 제거하는 공정

을 포함하는 포토레지스트 박리방법을 들 수 있다.

또한, 상기 (IV)의 현상공정, (VII) 또는 (VIII)의 에칭스토퍼 제거공정후, 관용적으로 행하고 있는 증류수나 저급알코올 등을 사용한 린스처리 및 건조처리를 행하여도 된다.

상기 듀얼더머신프로세스에 있어서, 에칭스토퍼층으로는, 예컨대 SiN 등의 질화막 등을 들 수 있다. 여기서 에칭스토퍼층을 잔존시켜서 층간 절연층을 에칭함으로써, 후속공정의 플라즈마 애싱처리의 영향을 Cu 배선이 실질적으로 받지 않는다.

여기서, Cu 합금배선이거나, 상술한 바와 같이 Cu 를 주성분으로 Al 등의 다른 금속을 함유하는 Cu 합금배선이거나 또 순수 Cu 배선이라도 된다.

상기 듀얼더머신프로세스에 의한 박리방법으로서, 애싱처리를 함유하는 경우를 예를 들면, 예컨대 구체적으로는 이하와 같이 행할 수 있다.

우선, 실리콘웨이퍼, 유리등의 기판상에, Cu 배선을 형성하고, 이 위에 원하는 SiN 막등으로 이루어진 에칭스토퍼층을 설치하고, 이어서 그 위층에 층간 절연층(유기SOG 층 등)을 형성한다.

이어서, 포토레지스트 조성물을 층간 절연층상에 도포, 건조후, 노광, 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성한다. 노광, 현상조건은 목적에 따라서 사용하는 포토레지스트에 의해 적절하게 선택할 수 있다. 노광은, 예컨대 자외선, 원자외선, 엑시머레이저, X 선, 전자선 등의 활성광선을 발광하는 광원, 예컨대 저압수은등, 고압수은등, 초고압수은등, 퀴세논 램프등에 의해 원하는 마스크 패턴을 삽입하여 포토레지스트층을 노광하거나, 또는 전자선을 조작하면서 포토레지스트층에 조사한다. 그 후, 필요에 따라서 노광후 가열처리(포스트엑스포져 베이크)를 행한다.

그리고, 포토레지스트용 현상액을 사용하여 패턴현상을 행하고, 소정의 포토레지스트 패턴을 얻을 수 있다. 또한, 현상방법은 특히 한정되지 않고, 예컨대 포토레지스트가 도포된 기판을 현상액으로 일정시간 침지시킨 후, 수세하여 건조하는 침지현상, 도포된 포토레지스트의 표면에 현상액을 적하하고, 일정시간 정치한 후, 수세건조하는 퍼들현상, 포토레지스트 표면에 현상액을 스프레이한 후에 수세건조하는 스프레이 현상등, 목적에 따른 각종의 현상을 행할 수 있다.

이어서, 형성된 포토레지스트 패턴을 마스크로서 에칭스토퍼층을 잔존시켜 층간 절연층을 선택적으로 에칭하여 플라즈마 애싱처리에 의해 불요한 포토레지스트층을 제거한 후, 상기 잔존하는 에칭스토퍼층을 제거하고, 미세회로(홀 패턴)을 형성한다. 플라즈마 애싱처리를 행하는 경우, 애싱후의 포토레지스트 잔사(변질막), 에칭잔사(금속 디포지션)가 기판상에 잔사물로서 부착, 존재하지만, 이들 잔사물을 본 발명의 박리액에 접촉시켜서 기판상의 잔사물을 박리 제거할 수 있다.

에칭은 웨트에칭, 드라이에칭 어느 것이라도 되고, 또 양자를 조합하여 사용하여도 되지만, 본 발명에서는 드라이 에칭이 바람직하게 사용되고 있다.

박리처리는 통상적으로, 침지법, 스프레이법으로 행한다. 박리시간은 박리되는 충분한 시간이라면 되고, 특히 한정되는 것은 아니지만, 통상 10 ~ 20 분간 정도이다.

상기 박리공정후, 유기용매나 물로서 린스처리를 행한다.

그 후, 상기의 방법에서 형성된 패턴, 특히 홀 패턴 내에 Cu 를 도금등의 수단에 의해 파묻어 버리는 것 등으로부터 도전부를 형성하고, 요구에 의해 추가로 상부에 동일하게 하여 층간 절연층, 홀 패턴을 형성하여 도전부를 형성하고, 다층 Cu 배선 기판을 제조할 수 있다.

본 발명의 박리액 및 이것을 사용한 박리방법은 고집적화, 고밀도화 한 기판에서도, 애싱후에 발생한 포토레지스트 막(변질막), 에칭잔사물(금속 디포지션)의 박리에 우수한 효과를 가지고, 또 린스처리시에 대한 각종 금속배선, 금속층 등에 대한 부식을 유효하게 방지할 수 있다.

[실시예]

실시예에 의해 본 발명을 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이들의 예에 따라서 한정되는 것은 아니다. 또한, 배합량은 특별히 기록하지 않는 한 중량% 이다.

실시예 1

[포토레지스트막의 박리성, Cu 배선의 부식상태]

순수 Cu 배선이 노출한 에칭스토퍼층(SiN 층)을 설치하고, 그 위에 유기 SOG 막으로 이루어진 층간 절연막을 형성하고, 포지티브형 포토레지스트 조성물인 TDUR-P015PM(도오꾜오까 고오교 (주) 제조)를 스피너로서 도포하고, 80 ℃에서 90 초간, 프리베이크를 행하고, 막 두께 0.7 ㎛ 의 포토레지스트층을 형성하였다.

이 포토레지스트층을 FPA3000 EX3(캐논 (주) 제조)를 사용하여 마스크 패턴을 삽입하여 노광하고, 2.38 중량% TMAH(테트라메틸암모늄히드록사이드)수용액으로서 현상하고, 포토레지스트 패턴(홀 스패이스 0.25 ㎛)를 형성하였다. 이어서, 110 ℃에서 90 초간의 포스트 베이크를 행하였다.

그리고, 상기조건에서 형성한 포토레지스트 패턴을 갖는 기판을 드라이 에칭처리하여 에칭스토퍼층을 완전하게 제거한 후, 하기 표 1 에 나타나는 조성의 박리액 중에 80 ℃에서 10 분간 침지함으로써 포토레지스트막의 박리를 행하였다.

또한, 이 기판을 이소프로필알코올 용액중에서 23 ℃에서 5 분간 침지하고, 계속해서 순수한 물중에서 23 ℃에서 5 분간 침지함으로써 린스처리를 행하였다.

기판상의 Cu 배선의 부식상태와 포토레지스트막의 박리상태를 SEM(주사형 전자현미경)사진의 관찰에 의해 평가하였다. 그 결과를 표 2 에 나타내었다.

또한, Cu 배선의 부식상태와 포토레지스트막의 박리성은 이하와 같이 평가하였다.

(Cu 배선의 부식상태)

A : Cu 배선의 부식이 전혀 확인되지 않았다

B : Cu 배선의 부식이 약간 확인되었다

C : Cu 배선의 부식이 대량 확인되었다

(포토레지스트막의 박리성)

A : 포토레지스트막의 박리잔여가 전혀 확인되지 않았다

B : 포토레지스트막의 박리잔여가 약간 확인되었다

C : 포토레지스트막의 박리잔여가 대량 확인되었다

애싱후의 포토레지스트 잔사물의 박리성, Cu 배선의 부식상태

이어서, 애싱후의 포토레지스트 잔사물(변질막)의 박리성, Cu 배선의 부식상태를 평가하기 위하여, 이하의 시험을 행하였다.

즉, 상술한 2.38 중량% TMAH(테트라메틸암모늄히드록사이드)수용액으로서 현상처리, 포스트베이크후, 상기의 드라이 에칭처리한 후, 에칭스토퍼층(SiN 층)을 소정의 두께로 잔존시킨 상태에서 중지하고, 이어서 애싱장치 TCA-38228(도오꾜오까 고오교 (주) 제조)를 사용하고 애싱처리하여 포토레지스트층을 제거한 후, 드라이 에칭을 행하고, 에칭스토퍼층을 완전하게 제거하였다. 이 때의 잔사물에 대하여 표 1 에 나타나는 조성과 동일한 박리액을 사용하여 박리 처리하였다.

이 때의 잔사물의 박리성, Cu 배선의 부식상태의 평가는 각각 상기 포토레지스트막의 박리성, Cu 배선의 부식상태의 평가와 동일한 평가결과가 얻어졌다.

실시예 2 ~ 5

포토레지스트용 박리액을 하기의 표 1 에 나타나는 각 조성의 것으로 대신한 이외에는 실시예 1 과 동일한 방법으로 박리를 행하고, 포토레지스트막의 박리성, Cu 배선의 부식상태의 평가를 행하였다. 그 결과를 표 2 에 나타냈다.

또, 애싱처리에 대해서도, 실시예 1 과 동일한 방법으로 행하고, 잔사물의 박리성, Cu 배선의 부식상태의 평가를 행하였다. 실시예 2 ~ 5 의 각각에 대하여, 이 때의 잔사물의 박리성, Cu 배선의 부식상태의 평가는 각각 포토레지스트막의 박리성, Cu 배선의 부식상태의 평가와 동일한 평가결과가 얻어졌다.

비교예 1 ~ 8

포토레지스트용 박리액을 하기의 표 1 에 나타나는 각 조성의 것으로 대신한 이외에는 실시예 1 과 동일한 방법으로 박리를 행하였고, 포토레지스트막의 박리성, Cu 배선의 부식상태의 평가를 행하였다. 그 결과를 표 2 에 나타냈다.

또, 애싱처리에 대해서도, 실시예 1 과 동일한 방법으로 행하였고, 잔사물의 박리성, Cu 배선의 부식상태의 평가를 행하였다. 비교예 1 ~ 8 의 각각에 대해, 이 때의 잔사물의 박리성, Cu 배선의 부식상태의 평가는 각각 포토레지스트막의 박리성, Cu 배선의 부식상태의 평가와 동일한 평가결과가 얻어졌다.

[폴리실리콘막의 부식상태]

실시예 1 ~ 5, 비교예 1 ~ 8

Al 합금배선 및 폴리실리콘막이 형성된 SiO₂기판상에, 나프토퀴논디아지드 화합물과 노볼락수지로 이루어진 포지티브형 포토레지스트인 THMR-이P3300(도오꾜오까 고오교 (주) 제조)를 스피너로 도포하여, 90 ℃에서 90 초간 프리베이크를 행하여, 막 두께 2.0 ㎛ 의 포토레지스트층을 형성하였다. 이 포토레지스트층을 NSR-2005i 10D(니콘 (주) 제조)를 사용하여 마스크 패턴을 삽입하여 노광하고, 2.38 중량% 테트라메틸암모늄히드록사이드(TMAH)수용액으로서 현상하고, 포토레지스트 패턴을 형성하였다. 이어서 120 ℃에서 90 초간의 포스트베이크를 행하였다.

그리고, 상기의 조건에서 형성한 포토레지스트 패턴을 갖는 기판을, 인산, 질산, 아세트산의 혼합산계의 에찬트에 의해 웨트 에칭처리하고, 그 후 순수한 물로 세정하였다.

상기 처리후의 기판에 대해, 표 1 에 나타나는 각 조성의 박리액(60 ℃로 보존)을 샤워법으로 내뿜음으로써, 각각 포토레지스트막 박리처리를 행하였다. 박리처리후의 기판을 순수한 물로서 충분히 린스처리하고, 이 때의 폴리실리콘막의 부식상태를 SEM(주사형 전자현미경)사진의 관찰에 의해 평가하였다. 그 결과를 표 2 에 나타내었다.

또한, 폴리실리콘막의 부식상태는 이하와 같이 평가하였다.

(폴리실리콘막의 부식상태)

A : 포토레지스트막의 부식이 전혀 확인되지 않았다

B : 포토레지스트막의 부식이 약간 확인되었다

C : 포토레지스트막의 부식이 대량 확인되었다

[표 1]

	포토레지스트용 박리액 (중량%)
	(a)성분	(b)성분	(c)성분	(d)성분	그외의 성분
실시예1	MEA(48)	NMP(30)	물(20)	IR-42(2)	-
실시예2	MEA(39)	NMP(40)	물(20)	IR-42(1)	-
실시예3	MEA(58)	NMP(20)	물(20)	IR-42(2)	-
실시예4	DGA(30)	DMSO(40)	물(29)	BT-GL(1)	-
실시예5	DGA(60)	NMP(20)	물(16)	IR-42(4)	-
비교예1	MEA(35)	DMSO(15)	물(45)	-	A-A(5)
비교예2	MEA(69)	NMP(10)	물(10)	BT(1)	PC(10)
비교예3	DGA(69)	NMP(20)	-	BT(1)	DHA(10)
비교예4	MEA(10)	DMSO(55)	물(15)	-	PC(5),HA(15)
비교예5	DGA(49.95)	NMP(49.95)	-	BT-GL(0.1)	-
비교예6	MEA(17.5)	NMP(17.4)	물(45)	BT-GL(0.1)	자일리톨(20)
비교예7	DEGA(48.5)	HEP(48.5)	-	-	비신(3)
비교예8	MEA(47.5)	NMP(47.5)	-	IR-42(5)	-

또한, 표 1 중에 MEA는 모노에탄올아민을 ; DGA 는 2-(2-아미노에톡시)에탄올을 ; DEGA 는 디에틸렌글리콜아민을 ; NMP 는 N-메틸-2-피롤리돈을 ; DMSO 는 디메틸술폭사이드를 ; HEP 는 N-히드록시에틸-2-피롤리돈을 ; IR-42 는 2, 2'-{[메틸-1H-벤조트리아졸-1-일)메틸]이미노}비스에탄올을 ; BT-GL 은 1, 2-디히드록시프로필벤조트리아졸을 ; BT 는 벤조트리아졸을 ; A-A 는「사피노르-440」(Air Product and Chemicals Inc.)을 ; PC 는 피로카테콜을 ; DHA 는 디에틸히드록실아민을 ; HA 는 히드록실아민을 각각 나타낸다.

[표 2]

	폴리실리콘막의 부식상태	Cu 배선의 부식상태	포토레지스트막의 박리성
실시예 1	A	A	A
실시예 2	A	A	A
실시예 3	A	A	A
실시예 4	A	A	A
실시예 5	A	A	A
비교예 1	C	C	A
비교예 2	A	A	B
비교예 3	A	A	C
비교예 4	C	C	A
비교예 5	A	B	C
비교예 6	A	C	A
비교예 7	C	C	C
비교예 8	A	A	C

표 2 의 결과로부터 확인된 것 같이, 실시예 1 ~ 5 에서는 금속배선, 무기재료층의 양자의 부식성이 우수하고, 또한 포토레지스트막의 박리성의 우수함이 확인되었다. 한편, 비교예 1 ~ 8 의 모두에 있어서 금속배선, 무기재료층의 양자의 방식성 및 포토레지스트막의 박리성이 우수하다는 효과는 얻지 못하였다.

이상 상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 금속배선, 특히 Cu 배선을 형성한 기판, 또는 금속배선과 무기재료층을 형성한 기판의 방식성이 우수하고, 포토레지스트층 및 변질막의 박리성에 우수한 포토레지스트용 박리액 및 이것을 사용한 포토레지스트 박리방법이 제공된다. 본 발명은 특히, 액정패널소자의 제조등에 사용되는 기판상에 형성된 포토레지스트층, 변질막의 박리에 적절하게 사용된다.

Claims

실질적으로 (a) 질소함유 유기히드록시 화합물10 ~ 65 중량%, (b) 술폭사이드류, 술폰류, 아미드류, 락탐류, 이미다졸리디논류 및 다가 알코올류로부터 선택되는 1 종 이상의 수용성 유기용매10 ~ 60 중량%, (c) 물5 ~ 50 중량%, 및 (d) 하기 화학식 1 :

[화학식 1]

[식 중, Q 는 수소원자, 수산기, 치환 또는 비치환의 탄소 원자수 1 ~ 10 의 탄화 수소기(단, 그 구조 중에 아미드 결합, 에스테르 결합을 가질 수 있음), 아릴기, 또는 하기 화학식 :

(식 중, R³는 탄소 원자수 1 ~ 6 의 알킬기를 나타내고; R⁴, R⁵는 각각 독립적으로 수소원자, 수산기, 또는 탄소 원자수 1 ~ 6 의 히드록시알킬기 또는 알콕시알킬기를 나타냄)

으로 표시되는 기를 나타내고 ; R¹, R²는 각각 독립적으로 수소원자, 치환 또는 비치환의 탄소 원자수 1 ~ 10 의 탄화수소기, 카르복실기, 아미노기, 수산기, 시아노기, 포르밀기, 술포닐알킬기, 또는 술포기를 나타냄]

로 나타내는 벤조트리아졸계 화합물0.1 ~ 10 중량% 로 이루어지는 포토레지스트용 박리액.
제 1 항에 있어서, (a) 성분이 25 ℃의 수용액에서의 산 해리정수(pKa)가 7.5 ~ 13 의 아민류인 포토레지스트용 박리액.
제 1 항에 있어서, (b) 성분이 N-메틸-2-피롤리돈, 및 디메틸술폭사이드 중에서 선택되는 1 종 이상인 포토레지스트용 박리액.
제 1 항에 있어서, 화학식 1 중, Q 가 하기 화학식 :

(식 중, R³, R⁴, R⁵는 각각 제 1 항에서 정의한 것과 동일함)

으로 나타나는 기, 수소원자, 탄소 원자수 1 ~ 3 의 알킬기, 탄소 원자수 1 ~ 3 의 히드록시알킬기, 또는 수산기인 포토레지스트용 박리액.
삭제
제 1 항에 있어서, 추가로 하기 화학식 2 :

[화학식 2]

(식 중, R⁶은 탄소 원자수 6 ~ 20 의 알킬기를 나타냄)

로 나타내는 N-알킬-2-피롤리돈, 및 아세틸렌알코올ㆍ알킬렌옥사이드 부가물 중에서 선택되는 1 종 이상의 화합물을 함유하여 이루어지는 포토레지스트용 박리액.
제 6 항에 있어서, 아세틸렌알코올ㆍ알킬렌옥사이드 부가물이 하기 화학식 4 :

[화학식 4]

(식 중, R¹²은 수소원자 또는을 나타내고 ; R¹³, R¹⁴, R¹⁵, R¹⁶은 각각 독립적으로 수소원자, 탄소 원자수 1 ~ 6 의 알킬기를 나타냄)

로 나타내는 화합물인 포토레지스트용 박리액.
제 1 항에 있어서, 금속배선, 또는 금속배선과 무기재료층이 형성된 기판상에 설치된 포토레지스트의 박리에 사용되는 포토레지스트용 박리액.
제 8 항에 있어서, 금속배선이 Cu 배선인 포토레지스트용 박리액.
금속배선, 또는 금속배선과 무기재료층이 형성된 기판상에 설치된 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 기판에 에칭처리한 후,제 1 항 내지 제 4 항 및 제 6 항 내지 제 8 항중 어느 한 항에 기재된 포토레지스트용 박리액을 사용하여 포토레지스트 패턴을 박리하는 포토레지스트 박리방법.
제 10 항에 있어서, 금속배선이 Cu 배선인 포토레지스트 박리방법.
금속배선, 또는 금속배선과 무기재료층이 형성된 기판상에 설치한 포토레지스트 패턴을 마스크로 하여, 상기 기판에 에칭처리하고, 이어서 애싱처리한 후,제 1 항 내지 제 4 항 및 제 6 항 내지 제 8 항중 어느 한 항에 기재된 포토레지스트용 박리액을 사용하여 애싱 후의 잔사물을 박리하는 포토레지스트 박리방법.
제 12 항에 있어서, 금속배선이 Cu 배선인 포토레지스트 박리방법.