JP2000241991A - ホトレジスト用剥離液組成物およびこれを用いたホトレジスト剥離方法 - Google Patents
ホトレジスト用剥離液組成物およびこれを用いたホトレジスト剥離方法Info
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- JP2000241991A JP2000241991A JP35170099A JP35170099A JP2000241991A JP 2000241991 A JP2000241991 A JP 2000241991A JP 35170099 A JP35170099 A JP 35170099A JP 35170099 A JP35170099 A JP 35170099A JP 2000241991 A JP2000241991 A JP 2000241991A
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- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 特に液晶パネル素子の製造に好適に使用され
る、ホトレジスト膜の剥離性に優れるとともに、金属配
線、無機材料層の両者を形成した基板の防食性に優れる
ホトレジスト用剥離液組成物、およびこれを用いたホト
レジスト剥離方法を提供する。 【解決手段】 （ａ）アルカノールアミン類、（ｂ）糖
類、（ｃ）水溶性有機溶媒、（ｄ）ベンゾトリアゾール
またはその誘導体、および（ｅ）水を含有してなるホト
レジスト用剥離液組成物、およびこれを用いたホトレジ
スト剥離方法。
る、ホトレジスト膜の剥離性に優れるとともに、金属配
線、無機材料層の両者を形成した基板の防食性に優れる
ホトレジスト用剥離液組成物、およびこれを用いたホト
レジスト剥離方法を提供する。 【解決手段】 （ａ）アルカノールアミン類、（ｂ）糖
類、（ｃ）水溶性有機溶媒、（ｄ）ベンゾトリアゾール
またはその誘導体、および（ｅ）水を含有してなるホト
レジスト用剥離液組成物、およびこれを用いたホトレジ
スト剥離方法。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はホトレジスト用剥離
液組成物およびこれを用いたホトレジスト剥離方法に関
する。さらに詳しくは、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子あ
るいは液晶パネル素子の製造に好適に使用される、ホト
レジスト膜の剥離性に優れ、基板への防食性に優れたホ
トレジスト用剥離液組成物およびこれを用いたホトレジ
スト剥離方法に関する。
液組成物およびこれを用いたホトレジスト剥離方法に関
する。さらに詳しくは、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子あ
るいは液晶パネル素子の製造に好適に使用される、ホト
レジスト膜の剥離性に優れ、基板への防食性に優れたホ
トレジスト用剥離液組成物およびこれを用いたホトレジ
スト剥離方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネ
ル素子は、基板上に蒸着等により形成された導電性金属
膜や絶縁膜上にホトレジストを均一に塗布し、これを選
択的に露光、現像処理をしてホトレジストパターンを形
成し、このパターンをマスクとして上記導電性金属膜や
絶縁膜を選択的にエッチングし、微細回路を形成した
後、不要のホトレジスト層を剥離液で除去して製造され
る。
ル素子は、基板上に蒸着等により形成された導電性金属
膜や絶縁膜上にホトレジストを均一に塗布し、これを選
択的に露光、現像処理をしてホトレジストパターンを形
成し、このパターンをマスクとして上記導電性金属膜や
絶縁膜を選択的にエッチングし、微細回路を形成した
後、不要のホトレジスト層を剥離液で除去して製造され
る。
【０００３】現在のホトリソグラフィ技術において、ホ
トレジスト膜を剥離する技術は、パターンの微細化、基
板の多層化の進行、基板表面に形成される材質の変化に
対応し、より厳しい条件を満たすものが要求されるよう
になってきている。
トレジスト膜を剥離する技術は、パターンの微細化、基
板の多層化の進行、基板表面に形成される材質の変化に
対応し、より厳しい条件を満たすものが要求されるよう
になってきている。
【０００４】特に液晶表示素子製造においては、金属配
線と、ポリシリコン膜、アモルファスシリコン膜等の無
機材料層とが形成された基板を用いることから、これら
金属配線、無機材料層の両者に腐食を起こさせることな
く剥離することができるような剥離液の開発が望まれて
いる。
線と、ポリシリコン膜、アモルファスシリコン膜等の無
機材料層とが形成された基板を用いることから、これら
金属配線、無機材料層の両者に腐食を起こさせることな
く剥離することができるような剥離液の開発が望まれて
いる。
【０００５】従来、ホトレジスト用剥離液組成物として
は、例えば、アルカノールアミン類、アルコキシアルキ
ルアミン類またはアルコキシアルカノールアミン類、グ
リコールモノアルキルエーテル、糖または糖アルコール
類、および水からなるレジスト剥離剤組成物（特開平８
−１９０２０５号公報）、アルカノールアミン類、アル
コキシアルキルアミン類またはアルコキシアルカノール
アミン類、酸アミド類、糖または糖アルコール類、およ
び水からなるレジスト剥離剤組成物（特開平８−２０２
０５１号公報）、アルカノールアミン類、アルコキシア
ルキルアミン類またはアルコキシアルカノールアミン
類、グリコールモノアルキルエーテル、糖または糖アル
コール類、第四級アンモニウム水酸化物、および水から
なるレジスト剥離剤組成物（特開平８−２６２７４６号
公報）、アルカノールアミン類、アルコキシアミン類ま
たはアルコキシアルカノールアミン類、ヒドロキシルア
ミン類、糖または糖アルコール類、界面活性剤、および
水からなるレジスト剥離剤組成物（特開平９−５４４４
２号公報）、アルカノールアミン類、ジエチレングリコ
ールモノアルキルエーテル、糖または糖アルコール類、
Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン、および水からな
るレジスト用剥離液組成物（特開平９−１５２７２１号
公報）、ｐＫａが７．５〜１３のアミン類、ヒドロキシ
ルアミン類、水溶性有機溶媒、防食剤、および水からな
るレジスト用剥離液組成物（特開平９−９６９１１号公
報）等が挙げられる。
は、例えば、アルカノールアミン類、アルコキシアルキ
ルアミン類またはアルコキシアルカノールアミン類、グ
リコールモノアルキルエーテル、糖または糖アルコール
類、および水からなるレジスト剥離剤組成物（特開平８
−１９０２０５号公報）、アルカノールアミン類、アル
コキシアルキルアミン類またはアルコキシアルカノール
アミン類、酸アミド類、糖または糖アルコール類、およ
び水からなるレジスト剥離剤組成物（特開平８−２０２
０５１号公報）、アルカノールアミン類、アルコキシア
ルキルアミン類またはアルコキシアルカノールアミン
類、グリコールモノアルキルエーテル、糖または糖アル
コール類、第四級アンモニウム水酸化物、および水から
なるレジスト剥離剤組成物（特開平８−２６２７４６号
公報）、アルカノールアミン類、アルコキシアミン類ま
たはアルコキシアルカノールアミン類、ヒドロキシルア
ミン類、糖または糖アルコール類、界面活性剤、および
水からなるレジスト剥離剤組成物（特開平９−５４４４
２号公報）、アルカノールアミン類、ジエチレングリコ
ールモノアルキルエーテル、糖または糖アルコール類、
Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン、および水からな
るレジスト用剥離液組成物（特開平９−１５２７２１号
公報）、ｐＫａが７．５〜１３のアミン類、ヒドロキシ
ルアミン類、水溶性有機溶媒、防食剤、および水からな
るレジスト用剥離液組成物（特開平９−９６９１１号公
報）等が挙げられる。
【０００６】しかしながら、上記各公報に記載の組成物
では、金属配線とポリシリコン膜等の無機材料層の両者
を形成した基板上のホトレジスト層を剥離するには、基
板へのダメージがあり好ましくない。
では、金属配線とポリシリコン膜等の無機材料層の両者
を形成した基板上のホトレジスト層を剥離するには、基
板へのダメージがあり好ましくない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明は、特に、金属
配線とポリシリコン膜等の無機材料層の両者を形成して
なる基板上に設けたホトレジスト層の剥離性に特に優れ
るとともに、該基板の防食性に優れるホトレジスト用剥
離液組成物、およびこれを用いたホトレジスト剥離方法
を提供することを目的とする。
配線とポリシリコン膜等の無機材料層の両者を形成して
なる基板上に設けたホトレジスト層の剥離性に特に優れ
るとともに、該基板の防食性に優れるホトレジスト用剥
離液組成物、およびこれを用いたホトレジスト剥離方法
を提供することを目的とする。
【０００８】
【課題を解決するための手段】すなわち本発明は、
（ａ）アルカノールアミン類、（ｂ）糖類、（ｃ）水溶
性有機溶媒、（ｄ）ベンゾトリアゾールまたはその誘導
体、および（ｅ）水を含有してなるホトレジスト用剥離
液組成物に関する。
（ａ）アルカノールアミン類、（ｂ）糖類、（ｃ）水溶
性有機溶媒、（ｄ）ベンゾトリアゾールまたはその誘導
体、および（ｅ）水を含有してなるホトレジスト用剥離
液組成物に関する。
【０００９】また本発明は、金属配線と無機材料層とが
形成された基板上に設けられたホトレジストの剥離のた
めの、上記ホトレジスト用剥離液組成物の使用に関す
る。
形成された基板上に設けられたホトレジストの剥離のた
めの、上記ホトレジスト用剥離液組成物の使用に関す
る。
【００１０】さらに本発明は、（I）基板上にホトレジ
スト層を設ける工程、（II）該ホトレジスト層を選択的
に露光する工程、（III）露光後のホトレジスト層を現
像してホトレジストパターンを設ける工程、（IV）該ホ
トレジストパターンをマスクとして該基板をエッチング
する工程、および（V）エッチング工程後のホトレジス
トパターンを、上記ホトレジスト用剥離液組成物を用い
て基板より剥離する工程を含むホトレジスト剥離方法に
関する。
スト層を設ける工程、（II）該ホトレジスト層を選択的
に露光する工程、（III）露光後のホトレジスト層を現
像してホトレジストパターンを設ける工程、（IV）該ホ
トレジストパターンをマスクとして該基板をエッチング
する工程、および（V）エッチング工程後のホトレジス
トパターンを、上記ホトレジスト用剥離液組成物を用い
て基板より剥離する工程を含むホトレジスト剥離方法に
関する。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下に、本発明のホトレジスト用
剥離液組成物について詳述する。
剥離液組成物について詳述する。
【００１２】（ａ）成分のアルカノールアミン類として
は、具体的には、例えばモノエタノールアミン、ジエタ
ノールアミン、トリエタノールアミン、エチルアミノエ
タノール、ジメチルアミノエタノール、ジエチルアミノ
エタノール、２−（２−アミノエトキシ）エタノール等
が挙げられ、中でもモノエタノールアミン、２−（２−
アミノエトキシ）エタノールが好適に用いられる。これ
らは単独で用いてもよく、あるいは２種以上を組み合わ
せて用いてもよい。
は、具体的には、例えばモノエタノールアミン、ジエタ
ノールアミン、トリエタノールアミン、エチルアミノエ
タノール、ジメチルアミノエタノール、ジエチルアミノ
エタノール、２−（２−アミノエトキシ）エタノール等
が挙げられ、中でもモノエタノールアミン、２−（２−
アミノエトキシ）エタノールが好適に用いられる。これ
らは単独で用いてもよく、あるいは２種以上を組み合わ
せて用いてもよい。
【００１３】（ｂ）成分としての糖類は、一般にＣ
n（Ｈ2Ｏ）mで表されるいわゆる糖や、これら糖のカル
ボニル基を還元して得られる糖アルコール等が用いら
れ、具体的にはＤ−ソルビトール、アラビトール、マン
ニトール、キシリトール、ショ糖、デンプン等が挙げら
れ、中でもキシリトール、Ｄ−ソルビトールが好まし
い。これらは単独で用いてもよく、あるいは２種以上を
組み合わせて用いてもよい。
n（Ｈ2Ｏ）mで表されるいわゆる糖や、これら糖のカル
ボニル基を還元して得られる糖アルコール等が用いら
れ、具体的にはＤ−ソルビトール、アラビトール、マン
ニトール、キシリトール、ショ糖、デンプン等が挙げら
れ、中でもキシリトール、Ｄ−ソルビトールが好まし
い。これらは単独で用いてもよく、あるいは２種以上を
組み合わせて用いてもよい。
【００１４】（ｃ）成分としての水溶性有機溶媒は、水
と混和性のある有機溶媒であればよく、他の（ａ）、
（ｂ）、（ｄ）成分を溶解させるものであれば任意に使
用することができる。このような水溶性有機溶媒として
は、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類；ジメチ
ルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロキシ
エチル）スルホン、テトラメチレンスルホン等のスルホ
ン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホル
ムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル
アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアミ
ド類；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−
ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒド
ロキシメチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエチル
−２−ピロリドン等のラクタム類；１，３−ジメチル−
２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダ
ゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミダゾリ
ジノン等のイミダゾリジノン類；エチレングリコール、
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリ
コールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブ
チルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルア
セテート、ジエチレングリコールや、ジエチレングリコ
ールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエ
チルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエー
テル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルなどの
ジエチレングリコールモノアルキルエーテル（アルキル
は炭素原子数１〜６の低級アルキル）等の多価アルコー
ル類、およびその誘導体が挙げられる。これらは単独で
用いてもよく、あるいは２種以上を組み合わせて用いて
もよい。これらの中で、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン、ジエチレングリコールモノブチ
ルエーテルの中から選ばれる少なくとも１種が、より一
層の剥離性能等の点から好ましく用いられる。さらに
は、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ンあるいはそれらの混合溶媒が、特に高温状態での剥離
液の保存安定性を考慮するとより好ましい。
と混和性のある有機溶媒であればよく、他の（ａ）、
（ｂ）、（ｄ）成分を溶解させるものであれば任意に使
用することができる。このような水溶性有機溶媒として
は、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類；ジメチ
ルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロキシ
エチル）スルホン、テトラメチレンスルホン等のスルホ
ン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホル
ムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル
アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアミ
ド類；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−
ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒド
ロキシメチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエチル
−２−ピロリドン等のラクタム類；１，３−ジメチル−
２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダ
ゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミダゾリ
ジノン等のイミダゾリジノン類；エチレングリコール、
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリ
コールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブ
チルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルア
セテート、ジエチレングリコールや、ジエチレングリコ
ールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエ
チルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエー
テル、ジエチレングリコールモノブチルエーテルなどの
ジエチレングリコールモノアルキルエーテル（アルキル
は炭素原子数１〜６の低級アルキル）等の多価アルコー
ル類、およびその誘導体が挙げられる。これらは単独で
用いてもよく、あるいは２種以上を組み合わせて用いて
もよい。これらの中で、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メ
チル−２−ピロリドン、ジエチレングリコールモノブチ
ルエーテルの中から選ばれる少なくとも１種が、より一
層の剥離性能等の点から好ましく用いられる。さらに
は、ジメチルスルホキシド、Ｎ−メチル−２−ピロリド
ンあるいはそれらの混合溶媒が、特に高温状態での剥離
液の保存安定性を考慮するとより好ましい。
【００１５】（ｄ）成分としてのベンゾトリアゾールま
たはその誘導体としては、下記一般式（Ｉ）
たはその誘導体としては、下記一般式（Ｉ）
【００１６】
【化３】
【００１７】〔式中、Ｑは水素原子、水酸基、置換若し
くは非置換の炭素原子数１〜１０の炭化水素基（ただ
し、その構造中にアミド結合、エステル結合を有してい
てもよい）、アリール基、または下記化４
くは非置換の炭素原子数１〜１０の炭化水素基（ただ
し、その構造中にアミド結合、エステル結合を有してい
てもよい）、アリール基、または下記化４
【００１８】
【化４】
【００１９】（化４中、Ｒ3は炭素原子数１〜６のアル
キル基を示し；Ｒ4、Ｒ5は、それぞれ独立に、水素原
子、水酸基、または炭素原子数１〜６のヒドロキシアル
キル基若しくはアルコキシアルキル基を示す）で表され
る基を示し；Ｒ1、Ｒ2は、それぞれ独立に水素原子、置
換若しくは非置換の炭素原子数１〜１０の炭化水素基、
カルボキシル基、アミノ基、水酸基、シアノ基、ホルミ
ル基、スルホニルアルキル基、またはスルホ基を示す〕
で表される化合物が好ましく用いられる。
キル基を示し；Ｒ4、Ｒ5は、それぞれ独立に、水素原
子、水酸基、または炭素原子数１〜６のヒドロキシアル
キル基若しくはアルコキシアルキル基を示す）で表され
る基を示し；Ｒ1、Ｒ2は、それぞれ独立に水素原子、置
換若しくは非置換の炭素原子数１〜１０の炭化水素基、
カルボキシル基、アミノ基、水酸基、シアノ基、ホルミ
ル基、スルホニルアルキル基、またはスルホ基を示す〕
で表される化合物が好ましく用いられる。
【００２０】「炭化水素基」は、炭素原子と水素原子か
らなる有機基である。本発明において、上記基Ｑ、
Ｒ1、Ｒ2の各定義中、炭化水素基としては、芳香族炭化
水素基または脂肪族炭化水素基のいずれでもよく、また
飽和、不飽和結合を有していてもよく、さらに直鎖、分
岐鎖のいずれでもよい。置換炭化水素基としては、例え
ばヒドロキシアルキル基、アルコキシルアルキル基等が
例示される。
らなる有機基である。本発明において、上記基Ｑ、
Ｒ1、Ｒ2の各定義中、炭化水素基としては、芳香族炭化
水素基または脂肪族炭化水素基のいずれでもよく、また
飽和、不飽和結合を有していてもよく、さらに直鎖、分
岐鎖のいずれでもよい。置換炭化水素基としては、例え
ばヒドロキシアルキル基、アルコキシルアルキル基等が
例示される。
【００２１】また、上記一般式（Ｉ）中、Ｑとしては特
に上記化４で表される基のものが好ましい。中でも化４
中、Ｒ4、Ｒ5として、それぞれ独立に、炭素原子数１〜
６のヒドロキシアルキル基若しくはアルコキシアルキル
基を選択するのが好ましい。なお、Ｒ4、Ｒ5の少なくと
もいずれか一方が炭素原子数１〜６のアルキル基である
場合、かかる組成のベンゾトリアゾールおよびその誘導
体の物性は、水溶性に乏しくなるが、該化合物を溶解せ
しめる他成分が剥離液中に存在する場合、好ましく用い
られる。
に上記化４で表される基のものが好ましい。中でも化４
中、Ｒ4、Ｒ5として、それぞれ独立に、炭素原子数１〜
６のヒドロキシアルキル基若しくはアルコキシアルキル
基を選択するのが好ましい。なお、Ｒ4、Ｒ5の少なくと
もいずれか一方が炭素原子数１〜６のアルキル基である
場合、かかる組成のベンゾトリアゾールおよびその誘導
体の物性は、水溶性に乏しくなるが、該化合物を溶解せ
しめる他成分が剥離液中に存在する場合、好ましく用い
られる。
【００２２】また、上記一般式（Ｉ）中、Ｑとして、水
素原子、炭素原子数１〜３のアルキル基（すなわち、メ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基）、炭
素原子数１〜３のヒドロキシアルキル基、水酸基等も好
ましく用いられる。
素原子、炭素原子数１〜３のアルキル基（すなわち、メ
チル基、エチル基、プロピル基、イソプロピル基）、炭
素原子数１〜３のヒドロキシアルキル基、水酸基等も好
ましく用いられる。
【００２３】ベンゾトリアゾールおよびその誘導体とし
ては、具体的には、例えばベンゾトリアゾール、５，６
−ジメチルベンゾトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾ
トリアゾール、１−メチルベンゾトリアゾール、１−ア
ミノベンゾトリアゾール、１−フェニルベンゾトリアゾ
ール、１−ヒドロキシメチルベンゾトリアゾール、１−
ベンゾトリアゾールカルボン酸メチル、５−ベンゾトリ
アゾールカルボン酸、１−メトキシ−ベンゾトリアゾー
ル、１−（２，２−ジヒドロキシエチル）−ベンゾトリ
アゾール、１−（２，３−ジヒドロキシプロピル）ベン
ゾトリアゾール、あるいは「イルガメット」シリーズと
してチバ・スペシャリティー・ケミカルズより市販され
ている、２，２’−｛［（４−メチル−１Ｈ−ベンゾト
リアゾール−１−イル）メチル］イミノ｝ビスエタノー
ル、２，２’−｛［（５−メチル−１Ｈ−ベンゾトリア
ゾール−１−イル）メチル］イミノ｝ビスエタノール、
２，２’−｛［（４−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾー
ル−１−イル）メチル］イミノ｝ビスエタン、または
２，２’−｛［（４−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾー
ル−１−イル）メチル］イミノ｝ビスプロパン等を挙げ
ることができる。これらの中でも、ベンゾトリアゾー
ル、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、１−メトキシ
ベンゾトリゾール、１−（２，２−ジヒドロキシエチ
ル）ベンゾトリアゾール、１−（１，２−ジヒドロキシ
プロピル）ベンゾトリアゾール、１−（２，３−ジヒド
ロキシプロピル）ベンゾトリアゾール、２，２’−
｛〔（４−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イ
ル）メチル〕イミノ｝ビスエタノール、および２，２’
−｛〔（５−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−
イル）メチル〕イミノ｝ビスエタノール等が、金属配線
とポリシリコン膜等の無機材料層の両者を形成した基板
の防食効果、剥離性の効果などの点から好ましく用いら
れる。
ては、具体的には、例えばベンゾトリアゾール、５，６
−ジメチルベンゾトリアゾール、１−ヒドロキシベンゾ
トリアゾール、１−メチルベンゾトリアゾール、１−ア
ミノベンゾトリアゾール、１−フェニルベンゾトリアゾ
ール、１−ヒドロキシメチルベンゾトリアゾール、１−
ベンゾトリアゾールカルボン酸メチル、５−ベンゾトリ
アゾールカルボン酸、１−メトキシ−ベンゾトリアゾー
ル、１−（２，２−ジヒドロキシエチル）−ベンゾトリ
アゾール、１−（２，３−ジヒドロキシプロピル）ベン
ゾトリアゾール、あるいは「イルガメット」シリーズと
してチバ・スペシャリティー・ケミカルズより市販され
ている、２，２’−｛［（４−メチル−１Ｈ−ベンゾト
リアゾール−１−イル）メチル］イミノ｝ビスエタノー
ル、２，２’−｛［（５−メチル−１Ｈ−ベンゾトリア
ゾール−１−イル）メチル］イミノ｝ビスエタノール、
２，２’−｛［（４−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾー
ル−１−イル）メチル］イミノ｝ビスエタン、または
２，２’−｛［（４−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾー
ル−１−イル）メチル］イミノ｝ビスプロパン等を挙げ
ることができる。これらの中でも、ベンゾトリアゾー
ル、１−ヒドロキシベンゾトリアゾール、１−メトキシ
ベンゾトリゾール、１−（２，２−ジヒドロキシエチ
ル）ベンゾトリアゾール、１−（１，２−ジヒドロキシ
プロピル）ベンゾトリアゾール、１−（２，３−ジヒド
ロキシプロピル）ベンゾトリアゾール、２，２’−
｛〔（４−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イ
ル）メチル〕イミノ｝ビスエタノール、および２，２’
−｛〔（５−メチル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−
イル）メチル〕イミノ｝ビスエタノール等が、金属配線
とポリシリコン膜等の無機材料層の両者を形成した基板
の防食効果、剥離性の効果などの点から好ましく用いら
れる。
【００２４】（ｄ）成分は単独で用いてもよく、あるい
は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
は２種以上を組み合わせて用いてもよい。
【００２５】（ｅ）成分としての水は、（ａ）成分等に
必然的に含まれているものも有効であるが、さらに加え
てその配合量を調整してもよい。
必然的に含まれているものも有効であるが、さらに加え
てその配合量を調整してもよい。
【００２６】上記（ａ）〜（ｅ）成分を含む本発明ホト
レジスト剥離液組成物中、各成分の配合量は以下のとお
りである。
レジスト剥離液組成物中、各成分の配合量は以下のとお
りである。
【００２７】（ａ）成分の配合量の上限は４０重量％が
好ましく、特には３０重量％が好ましい。また下限は５
重量％が好ましく、特には１０重量％が好ましい。
好ましく、特には３０重量％が好ましい。また下限は５
重量％が好ましく、特には１０重量％が好ましい。
【００２８】（ｂ）成分の配合量の上限は３０重量％が
好ましく、特には２５重量％が好ましい。また下限は２
重量％が好ましく、特には５重量％が好ましい。
好ましく、特には２５重量％が好ましい。また下限は２
重量％が好ましく、特には５重量％が好ましい。
【００２９】（ｃ）成分の配合量の上限は５０重量％が
好ましく、特には４０重量％が好ましい。また下限は５
重量％が好ましい。
好ましく、特には４０重量％が好ましい。また下限は５
重量％が好ましい。
【００３０】（ｄ）成分の配合量の上限は５重量％が好
ましく、特には３重量％が好ましい。また下限は０．０
１重量％が好ましく、特には０．０５重量％が好まし
い。
ましく、特には３重量％が好ましい。また下限は０．０
１重量％が好ましく、特には０．０５重量％が好まし
い。
【００３１】なお、（ｅ）成分は残部を占める。
【００３２】本発明では、（ａ）〜（ｅ）成分を上述し
た配合割合範囲とすることにより、ホトレジスト剥離
性、金属配線およびポリシリコン膜等の無機材料層に対
する防食性のより一層優れた効果を奏することができ
る。
た配合割合範囲とすることにより、ホトレジスト剥離
性、金属配線およびポリシリコン膜等の無機材料層に対
する防食性のより一層優れた効果を奏することができ
る。
【００３３】特にこの中でも、（ｂ）成分および（ｄ）
成分の配合量を上記範囲内とすることにより、金属配線
および無機材料層に対する腐食防止を、より一層効果的
に達成し得る。
成分の配合量を上記範囲内とすることにより、金属配線
および無機材料層に対する腐食防止を、より一層効果的
に達成し得る。
【００３４】本発明剥離液組成物は、上記（ａ）〜
（ｅ）成分に加えて、所望により、ホトレジスト膜に対
する剥離性のより一層の向上のために、さらにヒドロキ
シルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン〔Ｎ
（Ｃ2Ｈ5）2ＯＨ〕を本発明の他の効果を損なわない範
囲で配合してもよい。
（ｅ）成分に加えて、所望により、ホトレジスト膜に対
する剥離性のより一層の向上のために、さらにヒドロキ
シルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン〔Ｎ
（Ｃ2Ｈ5）2ＯＨ〕を本発明の他の効果を損なわない範
囲で配合してもよい。
【００３５】本発明のホトレジスト用剥離液組成物は、
ネガ型およびポジ型ホトレジストを含めてアルカリ水溶
液で現像可能なホトレジストに有利に使用できる。この
ようなホトレジストとしては、（i）ナフトキノンジア
ジド化合物とノボラック樹脂を含有するポジ型ホトレジ
スト、（ii）露光により酸を発生する化合物、酸により
分解しアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する化合物
およびアルカリ可溶性樹脂を含有するポジ型ホトレジス
ト、（iii）露光により酸を発生する化合物、酸により
分解しアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する基を有
するアルカリ可溶性樹脂を含有するポジ型ホトレジス
ト、および（iv）光により酸を発生する化合物、架橋剤
およびアルカリ可溶性樹脂を含有するネガ型ホトレジス
ト等が挙げられるが、これらに限定されるものではな
い。
ネガ型およびポジ型ホトレジストを含めてアルカリ水溶
液で現像可能なホトレジストに有利に使用できる。この
ようなホトレジストとしては、（i）ナフトキノンジア
ジド化合物とノボラック樹脂を含有するポジ型ホトレジ
スト、（ii）露光により酸を発生する化合物、酸により
分解しアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する化合物
およびアルカリ可溶性樹脂を含有するポジ型ホトレジス
ト、（iii）露光により酸を発生する化合物、酸により
分解しアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する基を有
するアルカリ可溶性樹脂を含有するポジ型ホトレジス
ト、および（iv）光により酸を発生する化合物、架橋剤
およびアルカリ可溶性樹脂を含有するネガ型ホトレジス
ト等が挙げられるが、これらに限定されるものではな
い。
【００３６】本発明のホトレジスト剥離方法は、（I）
基板上にホトレジスト層を設ける工程、（II）該ホトレ
ジスト層を選択的に露光する工程、（III）露光後のホ
トレジスト層を現像してホトレジストパターンを設ける
工程、（IV）該ホトレジストパターンをマスクとして該
基板をエッチングする工程、および（V）エッチング工
程後のホトレジストパターンを、上記ホトレジスト用剥
離液組成物を用いて基板より剥離する工程を含む。
基板上にホトレジスト層を設ける工程、（II）該ホトレ
ジスト層を選択的に露光する工程、（III）露光後のホ
トレジスト層を現像してホトレジストパターンを設ける
工程、（IV）該ホトレジストパターンをマスクとして該
基板をエッチングする工程、および（V）エッチング工
程後のホトレジストパターンを、上記ホトレジスト用剥
離液組成物を用いて基板より剥離する工程を含む。
【００３７】本発明では、特に、金属配線と無機材料層
とが形成された基板上に形成されたホトレジストの剥離
において、ホトレジストの剥離性、基板の防食性の両者
に優れるという特有の効果を有する。
とが形成された基板上に形成されたホトレジストの剥離
において、ホトレジストの剥離性、基板の防食性の両者
に優れるという特有の効果を有する。
【００３８】金属配線としては、アルミニウム（Ａ
ｌ）；アルミニウム−ケイ素（Ａｌ−Ｓｉ）、アルミニ
ウム−ケイ素−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）等のアルミニウ
ム合金（Ａｌ合金）；純チタン（Ｔｉ）；チタンナイト
ライド（ＴｉＮ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）等の
チタン合金（Ｔｉ合金）；純銅（Ｃｕ）等が挙げられる
が、これらに限定されるものでない。
ｌ）；アルミニウム−ケイ素（Ａｌ−Ｓｉ）、アルミニ
ウム−ケイ素−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）等のアルミニウ
ム合金（Ａｌ合金）；純チタン（Ｔｉ）；チタンナイト
ライド（ＴｉＮ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）等の
チタン合金（Ｔｉ合金）；純銅（Ｃｕ）等が挙げられる
が、これらに限定されるものでない。
【００３９】無機材料層としては、特に液晶素子製造の
場合、ポリシリコン膜、アモルファスポリシリコン膜等
の半導体材料からなる層が挙げられるが、これら例示に
限定されるものでない。従来の剥離液組成物では、ホト
レジストの剥離性と、金属配線およびこれら無機材料か
らなる層を有する基板の防食性の両立が困難であった
が、本発明ではこれら効果の両立を達成することができ
た。
場合、ポリシリコン膜、アモルファスポリシリコン膜等
の半導体材料からなる層が挙げられるが、これら例示に
限定されるものでない。従来の剥離液組成物では、ホト
レジストの剥離性と、金属配線およびこれら無機材料か
らなる層を有する基板の防食性の両立が困難であった
が、本発明ではこれら効果の両立を達成することができ
た。
【００４０】本発明では、特に、上記ホトレジスト剥離
の工程の（V）剥離工程時、金属配線および無機材料層
と剥離液との接触において本発明効果が有利に奏され
る。
の工程の（V）剥離工程時、金属配線および無機材料層
と剥離液との接触において本発明効果が有利に奏され
る。
【００４１】ホトレジスト層の形成、露光、現像、およ
びエッチング処理は、いずれも慣用的な手段であり、特
に限定されない。エッチングはウェットエッチング、ド
ライエッチングのいずれも用いられ得るが、本発明剥離
液組成物は、ウェットエッチング後のホトレジスト膜の
剥離に特に好適に用いられ得る。特に液晶パネル素子等
に用いられるガラス基板等においては、エッチング液
（エッチャント）としては、リン酸、硝酸、酢酸等の酸
性エッチング液が好まく用いられる。
びエッチング処理は、いずれも慣用的な手段であり、特
に限定されない。エッチングはウェットエッチング、ド
ライエッチングのいずれも用いられ得るが、本発明剥離
液組成物は、ウェットエッチング後のホトレジスト膜の
剥離に特に好適に用いられ得る。特に液晶パネル素子等
に用いられるガラス基板等においては、エッチング液
（エッチャント）としては、リン酸、硝酸、酢酸等の酸
性エッチング液が好まく用いられる。
【００４２】なお、上記（III）の現像工程、（V）の剥
離工程の後、慣用的に施されている純水や低級アルコー
ル等を用いたリンス処理および乾燥処理を施してもよ
い。
離工程の後、慣用的に施されている純水や低級アルコー
ル等を用いたリンス処理および乾燥処理を施してもよ
い。
【００４３】剥離処理は通常、浸漬法、シャワー法によ
り施される。剥離時間は、剥離される十分な時間であれ
ばよく、特に限定されるものではない。
り施される。剥離時間は、剥離される十分な時間であれ
ばよく、特に限定されるものではない。
【００４４】
【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。なお、配合量は特記しない限り重量％
である。
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。なお、配合量は特記しない限り重量％
である。
【００４５】（実施例１〜１３、比較例１〜３）Ａｌ合
金配線およびポリシリコン膜が形成されたＳｉＯ2基板
上に、ナフトキノンジアジド化合物とノボラック樹脂か
らなるポジ型ホトレジストであるＴＨＭＲ−ｉＰ３３０
０（東京応化工業（株）製）をスピンナーで塗布し、９
０℃にて９０秒間プリベークを施し、膜厚２．０μｍの
ホトレジスト層を形成した。このホトレジスト層をＮＳ
Ｒ−２００５ｉ１０Ｄ（ニコン（株）製）を用いてマス
クパターンを介して露光し、２．３８重量％テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液にて現
像し、ホトレジストパターンを形成した。次いで１２０
℃で９０秒間のポストベークを行った。
金配線およびポリシリコン膜が形成されたＳｉＯ2基板
上に、ナフトキノンジアジド化合物とノボラック樹脂か
らなるポジ型ホトレジストであるＴＨＭＲ−ｉＰ３３０
０（東京応化工業（株）製）をスピンナーで塗布し、９
０℃にて９０秒間プリベークを施し、膜厚２．０μｍの
ホトレジスト層を形成した。このホトレジスト層をＮＳ
Ｒ−２００５ｉ１０Ｄ（ニコン（株）製）を用いてマス
クパターンを介して露光し、２．３８重量％テトラメチ
ルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液にて現
像し、ホトレジストパターンを形成した。次いで１２０
℃で９０秒間のポストベークを行った。
【００４６】次に、上記の条件で形成したホトレジスト
パターンを有する基板を、リン酸、硝酸、酢酸の混酸系
のエッチャントによりウェットエッチング処理し、その
後、純水で洗浄した。
パターンを有する基板を、リン酸、硝酸、酢酸の混酸系
のエッチャントによりウェットエッチング処理し、その
後、純水で洗浄した。
【００４７】上記処理済み基板に対し、表１に示す各組
成の剥離液組成物（６０℃に保持）をシャワー法により
吹き付けることにより、それぞれホトレジスト膜剥離処
理を行った。剥離処理後の基板を純水で十分にリンス処
理し、このときのホトレジスト膜の剥離性、Ａｌ配線の
腐食の状態、およびポリシリコン膜の腐食の状態をＳＥ
Ｍ（走査型電子顕微鏡）写真の観察により評価した。結
果を表２に示す。
成の剥離液組成物（６０℃に保持）をシャワー法により
吹き付けることにより、それぞれホトレジスト膜剥離処
理を行った。剥離処理後の基板を純水で十分にリンス処
理し、このときのホトレジスト膜の剥離性、Ａｌ配線の
腐食の状態、およびポリシリコン膜の腐食の状態をＳＥ
Ｍ（走査型電子顕微鏡）写真の観察により評価した。結
果を表２に示す。
【００４８】なお、Ａｌ合金配線およびポリシリコン膜
の腐食の状態は、それぞれ以下のように評価した。 ［Ａｌ合金配線およびポリシリコン膜の腐食の状態］ Ａ： 腐食がみられない Ｂ： 腐食がみられる
の腐食の状態は、それぞれ以下のように評価した。 ［Ａｌ合金配線およびポリシリコン膜の腐食の状態］ Ａ： 腐食がみられない Ｂ： 腐食がみられる
【００４９】
【表１】
【００５０】なお、表１中、ＭＥＡはモノエタノールア
ミンを；ＡＥＥは２−（２−アミノエトキシ）エタノー
ルを；ＮＭＰはＮ−メチル−２−ピロリドンを；ＤＭＳ
Ｏはジメチルスルホキシドを；ＤＭＢＥはジエチレング
リコールモノブチルエーテルを；ＢＴ−ＧＬは１−
（１，２−ジヒドロキシプロピル）ベンゾトリアゾール
を；ＢＴ−ＯＨは１−ヒドロキシベンゾトリアゾール
を；ＢＴはベンゾトリアゾールを；ＢＴ−ＭＴは１−メ
トキシベンゾトリアゾールを；ＤＥＨＡはＮ，Ｎ−ジエ
チルヒドロキシルアミンを；ＨＡはヒドロキシルアミン
を；「イルガメット−４２」は２，２'−｛［（４−メ
チル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イル）メチル］
イミノ｝ビスエタノールを、それぞれ示す。
ミンを；ＡＥＥは２−（２−アミノエトキシ）エタノー
ルを；ＮＭＰはＮ−メチル−２−ピロリドンを；ＤＭＳ
Ｏはジメチルスルホキシドを；ＤＭＢＥはジエチレング
リコールモノブチルエーテルを；ＢＴ−ＧＬは１−
（１，２−ジヒドロキシプロピル）ベンゾトリアゾール
を；ＢＴ−ＯＨは１−ヒドロキシベンゾトリアゾール
を；ＢＴはベンゾトリアゾールを；ＢＴ−ＭＴは１−メ
トキシベンゾトリアゾールを；ＤＥＨＡはＮ，Ｎ−ジエ
チルヒドロキシルアミンを；ＨＡはヒドロキシルアミン
を；「イルガメット−４２」は２，２'−｛［（４−メ
チル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イル）メチル］
イミノ｝ビスエタノールを、それぞれ示す。
【００５１】
【表２】
【００５２】表２の結果から明らかなように、実施例１
〜１３ではＡｌ合金、ポリシリコンの両者の防食性に優
れることが確認された。一方、比較例１〜３のいずれに
おいても、Ａｌ合金、ポリシリコンの両者の防食効果は
得られなかった。なお、実施例１〜１３、比較例１〜３
のいずれにおいても良好なホトレジスト剥離性を示し
た。
〜１３ではＡｌ合金、ポリシリコンの両者の防食性に優
れることが確認された。一方、比較例１〜３のいずれに
おいても、Ａｌ合金、ポリシリコンの両者の防食効果は
得られなかった。なお、実施例１〜１３、比較例１〜３
のいずれにおいても良好なホトレジスト剥離性を示し
た。
【００５３】
【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、ホ
トレジストの剥離性に優れるとともに、金属配線、無機
材料層の両者を形成した基板の防食性に優れるホトレジ
スト用剥離液組成物およびこれを用いたホトレジスト剥
離方法が提供される。本発明は特に、液晶パネル素子の
製造等に用いられる基板上に形成されたホトレジスト層
の剥離に好適に使用される。
トレジストの剥離性に優れるとともに、金属配線、無機
材料層の両者を形成した基板の防食性に優れるホトレジ
スト用剥離液組成物およびこれを用いたホトレジスト剥
離方法が提供される。本発明は特に、液晶パネル素子の
製造等に用いられる基板上に形成されたホトレジスト層
の剥離に好適に使用される。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｃ１１Ｄ 17/00 Ｃ１１Ｄ 17/00 17/08 17/08 Ｈ０１Ｌ 21/027 Ｈ０１Ｌ 21/30 ５７２Ｂ
Claims (8)
- 【請求項１】 （ａ）アルカノールアミン類、（ｂ）糖
類、（ｃ）水溶性有機溶媒、（ｄ）ベンゾトリアゾール
またはその誘導体、および（ｅ）水を含有してなる、ホ
トレジスト用剥離液組成物。 - 【請求項２】 （ｃ）成分がジエチレングリコールモノ
アルキルエーテル、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、およ
びジメチルスルホキシドの中から選ばれる少なくとも１
種である、請求項１記載のホトレジスト用剥離液組成
物。 - 【請求項３】 （ｄ）成分が下記一般式（Ｉ） 【化１】 〔式中、Ｑは水素原子、水酸基、置換若しくは非置換の
炭素原子数１〜１０の炭化水素基（ただし、その構造中
にアミド結合、エステル結合を有していてもよい）、ア
リール基、または下記化２ 【化２】 （化２中、Ｒ3は炭素原子数１〜６のアルキル基を示
し；Ｒ4、Ｒ5は、それぞれ独立に、水素原子、水酸基、
または炭素原子数１〜６のヒドロキシアルキル基若しく
はアルコキシアルキル基を示す）で表される基を示し；
Ｒ1、Ｒ2は、それぞれ独立に水素原子、置換若しくは非
置換の炭素原子数１〜１０の炭化水素基、カルボキシル
基、アミノ基、水酸基、シアノ基、ホルミル基、スルホ
ニルアルキル基、またはスルホ基を示す〕で表される化
合物である、請求項１または２に記載のホトレジスト用
剥離液組成物。 - 【請求項４】 （ｄ）成分がベンゾトリアゾール、１−
ヒドロキシベンゾトリアゾール、１−メトキシベンゾト
リゾール、１−（２，２−ジヒドロキシエチル）ベンゾ
トリアゾール、１−（１，２−ジヒドロキシプロピル）
ベンゾトリアゾール、１−（２，３−ジヒドロキシプロ
ピル）ベンゾトリアゾール、２，２’−｛〔（４−メチ
ル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イル）メチル〕イ
ミノ｝ビスエタノール、および２，２’−｛〔（５−メ
チル−１Ｈ−ベンゾトリアゾール−１−イル）メチル〕
イミノ｝ビスエタノールの中から選ばれる少なくとも１
種である、請求項１〜３のいずれか１項に記載のホトレ
ジスト用剥離液組成物。 - 【請求項５】 （ａ）成分が５〜４０重量％、（ｂ）成
分が２〜３０重量％、（ｃ）成分が５〜５０重量％、
（ｄ）成分が０．０１〜５重量％配合され、残部が
（ｅ）成分である、請求項１〜４のいずれか１項に記載
のホトレジスト用剥離液組成物。 - 【請求項６】 金属配線と無機材料層とが形成された基
板上に設けられたホトレジストの剥離のための、請求項
１〜５のいずれか１項に記載のホトレジスト用剥離液組
成物の使用。 - 【請求項７】 （I）基板上にホトレジスト層を設ける
工程、（II）該ホトレジスト層を選択的に露光する工
程、（III）露光後のホトレジスト層を現像してホトレ
ジストパターンを設ける工程、（IV）該ホトレジストパ
ターンをマスクとして該基板をエッチングする工程、お
よび（V）エッチング工程後のホトレジストパターン
を、請求項１〜６のいずれか１項に記載のホトレジスト
用剥離液組成物を用いて基板より剥離する工程を含む、
ホトレジスト剥離方法。 - 【請求項８】 金属配線と無機材料層とが形成された基
板を用いる、請求項７記載のホトレジスト剥離方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35170099A JP4229552B2 (ja) | 1998-12-25 | 1999-12-10 | ホトレジスト用剥離液組成物およびこれを用いたホトレジスト剥離方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP36984698 | 1998-12-25 | ||
| JP10-369846 | 1998-12-25 | ||
| JP35170099A JP4229552B2 (ja) | 1998-12-25 | 1999-12-10 | ホトレジスト用剥離液組成物およびこれを用いたホトレジスト剥離方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000241991A true JP2000241991A (ja) | 2000-09-08 |
| JP4229552B2 JP4229552B2 (ja) | 2009-02-25 |
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ID=26579468
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35170099A Expired - Fee Related JP4229552B2 (ja) | 1998-12-25 | 1999-12-10 | ホトレジスト用剥離液組成物およびこれを用いたホトレジスト剥離方法 |
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP4229552B2 (ja) |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR20030026665A (ko) * | 2001-09-26 | 2003-04-03 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 리무버 조성물 |
| KR100429920B1 (ko) * | 1999-12-28 | 2004-05-03 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 포토레지스트용 박리액 및 이것을 사용한 포토레지스트 박리방법 |
| JP2005336342A (ja) * | 2004-05-27 | 2005-12-08 | Tosoh Corp | 洗浄用組成物 |
| JP2006079093A (ja) * | 2004-09-13 | 2006-03-23 | Dongjin Semichem Co Ltd | フォトレジスト剥離液組成物 |
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| JP2012118502A (ja) * | 2010-12-02 | 2012-06-21 | Ltc Co Ltd | １級アルカノールアミンを含むｌｃｄ製造用フォトレジスト剥離液組成物 |
| JP2013032473A (ja) * | 2011-07-29 | 2013-02-14 | Mitsuhiro Kawada | 水系洗浄剤 |
| CN106444288A (zh) * | 2015-08-04 | 2017-02-22 | 信越化学工业株式会社 | 化学增幅型正型抗蚀剂组合物和图案形成方法 |
-
1999
- 1999-12-10 JP JP35170099A patent/JP4229552B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| JP4496631B2 (ja) * | 2000-09-27 | 2010-07-07 | 富士通株式会社 | 電子デバイスの製造方法 |
| KR20030026665A (ko) * | 2001-09-26 | 2003-04-03 | 주식회사 동진쎄미켐 | 포토레지스트 리무버 조성물 |
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