JP2002053775A

JP2002053775A - ホトレジスト用剥離液

Info

Publication number: JP2002053775A
Application number: JP2000240955A
Authority: JP
Inventors: Shigeru Yokoi; 滋横井; Kazumasa Wakiya; 和正脇屋
Original assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Current assignee: Tokyo Ohka Kogyo Co Ltd
Priority date: 2000-08-09
Filing date: 2000-08-09
Publication date: 2002-02-19

Abstract

(57)【要約】【課題】本発明は、剥離性、防食性に優れるととも
に、安全性等の面から取り扱いの容易なホトレジスト用
剥離液を提供する。【解決手段】（ａ）特定のアルキルヒドロキシルアミ
ン類を４５〜８５重量％、（ｂ）水溶性有機溶媒、好ま
しくは特定のアルカノールアミン類を３〜４０重量％、
（ｃ）芳香族ヒドロキシ化合物を３〜２０重量％、およ
び（ｄ）水を残部含有するホトレジスト用剥離液。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明はＮ，Ｎ−ジエチルヒ
ドロキシルアミンに代表されるアルキルヒドロキシルア
ミンを主成分とするホトレジスト用剥離液に関する。さ
らに詳しくは、ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子あるいは液
晶パネル素子の製造に好適に使用される、ホトレジスト
膜の剥離性、金属配線さらにはシリコンウェーハの防
食性に優れるとともに、安全性に優れたホトレジスト用
剥離液に関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣやＬＳＩ等の半導体素子や液晶パネ
ル素子は、シリコンウェーハ等の基板上にＣＶＤ蒸着等
により形成された導電性金属膜やＳｉＯ₂膜等の絶縁膜
上にホトレジストを均一に塗布し、これを選択的に露
光、現像処理をしてホトレジストパターンを形成し、こ
のパターンをマスクとして上記ＣＶＤ蒸着された導電性
金属膜や絶縁膜を選択的にエッチングし、微細回路を形
成した後、不要のホトレジスト層を剥離液で除去して製
造される。かかる不要のホトレジスト層除去には、従
来、安全性、剥離性の点から種々の有機系剥離液が用い
られていた。

【０００３】ここで上記ＣＶＤ蒸着された金属膜として
は、アルミニウム（Ａｌ）；アルミニウム−ケイ素（Ａ
ｌ−Ｓｉ）、アルミニウム−銅（Ａｌ−Ｃｕ）、アルミ
ニウム−ケイ素−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）等のアルミニ
ウム合金（Ａｌ合金）；チタン（Ｔｉ）；チタンナイト
ライド（ＴｉＮ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）等の
チタン合金（Ｔｉ合金）；タンタル（Ｔａ）、窒化タン
タル（ＴａＮ）、タングステン（Ｗ）、窒化タングステ
ン（ＷＮ）、銅（Ｃｕ）等が用いられ、これらは単層〜
複数層にて基板上に形成される。

【０００４】ところで近年の集積回路の高密度化に伴
い、より高密度の微細エッチングが可能なドライエッチ
ングが主流となっている。また、エッチング後の不要な
ホトレジスト層除去に際し、プラズマアッシングが行わ
れている。これらエッチング、アッシング処理により、
パターンの側部や底部等に、変質膜残留物が角状となっ
て残存したり、あるいは他成分由来の残渣物が付着して
残存し、またエッチング時の金属膜を削るときに金属デ
ポジションが発生してしまう。そこでこれらが完全に除
去されないと、半導体製造の歩留まりの低下をきたすな
どの問題を生じる。

【０００５】特に最近の基板のより一層の高集積化、高
密度化においては、エッチング、アッシングの条件もよ
り一層過酷なものとなり、金属配線の防食性、残渣物の
剥離性等に対する要求も従来に比べて格段に高いものと
なっており、従来の剥離液では現在の超微細化プロセス
に対応できなくなっている。

【０００６】今日、ホトレジスト剥離液やアッシング後
の変質膜除去液として、ＡｌやＣｕ等を含む基板の腐食
防止効果に優れることなどから、有機アミン系剥離液が
広く使用されている。有機アミン系剥離液の中でも特に
ヒドロキシルアミン類を含む剥離液は、剥離性に極めて
優れることから従来多用されている。ヒドロキシルアミ
ン類を含む剥離液としては、例えば、アルカノールアミ
ン類、アルコキシアミン類またはアルコキシアルカノー
ルアミン類、ヒドロキシルアミン類、糖または糖アルコ
ール類、界面活性剤、および水からなるホトレジスト剥
離液組成物（特開平９−５４４４２号公報）、ヒドロキ
シルアミン類等の求核アミン化合物、有機溶剤、および
水からなる剥離剤（特開平６−２６６１１９号公報）、
アルカノールアミン類、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシル
アミン、糖類、特定の有機溶剤、および水からなるホト
レジスト用剥離液（特開２０００−４７４００号公
報）、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルアミン、アミノア
ルコール化合物、水溶性有機溶剤、キレート剤を含むポ
ジ型ホトレジスト用剥離液（特開平７−２７１０５７号
公報）、ヒドロキシルアミン類、水、特定の酸解離定数
（ｐＫａ）を有するアミン類、水溶性有機溶媒、および
防食剤からなるホトレジスト用剥離液（特許第２９１１
７９２号公報）等が挙げられる。

【０００７】上記各公報記載の剥離液のうち、特開平９
−５４４４２号公報、特開平６−２６６１１９号公報、
特許第２９１１７９２号公報に記載の剥離液は、好適に
はヒドロキシルアミン（ＮＨ₂ＯＨ）を主成分として含
むものであり、これらはホトレジスト膜の剥離効果に優
れるものの、輸送中あるいは使用中にガスが発生しやす
く、その取り扱いにやや注意を要する。他方、特開２０
００−４７４００号公報、特開平７−２７１０５７号公
報に記載の剥離液は、Ｎ，Ｎ−ジエチルヒドロキシルア
ミンを主成分として含むものであり、これらはヒドロキ
シルアミンを含む場合のような上記問題点はないもの
の、ホトレジストの剥離効果、金属や基板の防食効果の
点においてより一層の向上が望まれている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、ホトレジス
ト膜の剥離性、金属配線さらにはシリコンウェーハの防
食性に優れるとともに、安全性等の面から取り扱いの容
易なホトレジスト用剥離液を提供することを目的とす
る。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明は、（ａ）下記一般式（I）

【００１０】

【００１１】（式中、Ｒ¹、Ｒ²は、それぞれ独立に水素
原子、炭素原子数１〜４のアルキル基を示す。ただしＲ
¹、Ｒ²が同時に水素原子となる場合を除く）で表される
アルキルヒドロキシルアミン類を４５〜８５重量％、
（ｂ）水溶性有機溶媒を３〜４０重量％、（ｃ）芳香族
ヒドロキシ化合物を３〜２０重量％、および（ｄ）水を
残部含有する、ホトレジスト用剥離液を提供する。

【００１２】ここで、（ｂ）成分としては下記一般式
（II）

【００１３】

【００１４】（式中、Ｒ³、Ｒ⁴は、それぞれ独立に水素
原子、炭素原子数１〜５のアルキル基を示し、ｎは１〜
１０の整数である）で表されるアルカノールアミン類で
あるのが好ましい。

【００１５】

【発明の実施の形態】以下に、本発明について詳述す
る。

【００１６】（ａ）成分としてのアルキルヒドロキシル
アミン類は上記一般式（I）（式中、Ｒ¹、Ｒ²は上記で
定義したとおり）で表される。具体的には、Ｎ−メチル
ヒドロキシルアミン、Ｎ−エチルヒドロキシルアミン、
Ｎ，Ｎ−ジメチルヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチ
ルヒドロキシルアミン、Ｎ，Ｎ−ジプロピルヒドロキシ
ルアミン、Ｎ−メチル−Ｎ−エチルヒドロキシルアミ
ン、Ｎ−メチル−Ｎ−プロピルヒドロキシルアミン、Ｎ
−エチル−Ｎ−メチルヒドロキシルアミン、Ｎ−エチル
−Ｎ−プロピルヒドロキシルアミン、Ｎ−プロピル−Ｎ
−メチルヒドロキシルアミン、Ｎ−プロピル−Ｎ−エチ
ルヒドロキシルアミン、Ｎ−ｔ−ブチルヒドロキシルア
ミン等が挙げられる。中でもＮ，Ｎ−ジエチルヒドロキ
シルアミンが特に好ましい。（ａ）成分は１種または２
種以上を用いることができる。

【００１７】（ａ）成分の配合量は、本発明剥離液中４
５〜８５重量％であり、好ましくは５０〜８０重量％で
ある。（ａ）成分の配合量が４５重量％未満では剥離性
に劣る。

【００１８】（ｂ）成分としての水溶性有機溶媒は、水
と混和性のある有機溶媒であればよく、従来の有機アミ
ン系剥離液に用いられる水溶性有機溶媒を任意に使用す
ることができる。このような水溶性有機溶媒としては、
具体的にはモノエタノールアミン、ジエタノールアミ
ン、トリエタノールアミン、２−（２−アミノエトキ
シ）エタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタールアミン、
Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチル
エタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−
エチルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノールアミ
ン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、モノイソプロパノ
ールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロ
パノールアミン等のアルカノールアミン類；ジエチレン
トリアミン、トリエチレンテトラミン、プロピレンジア
ミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−
ジエチルエチレンジアミン、１，４−ブタンジアミン、
Ｎ−エチル−エチレンジアミン、１，２−プロパンジア
ミン、１，３−プロパンジアミン、１，６−ヘキサンジ
アミン等のポリアルキレンポリアミン類；２−エチル−
ヘキシルアミン、ジオクチルアミン、トリブチルアミ
ン、トリプロピルアミン、トリアリルアミン、ヘプチル
アミン、シクロヘキシルアミン等の脂肪族アミン類；ベ
ンジルアミン、ジフェニルアミン等の芳香族アミン類；
ピペラジン、Ｎ−メチル−ピペラジン、メチル−ピペラ
ジン、ヒドロキシルエチルピペラジン等の環状アミン
類；ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類；ジメチ
ルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロキシ
エチル）スルホン、テトラメチレンスルホン等のスルホ
ン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホル
ムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチル
アセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアミ
ド類；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−
ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒド
ロキシメチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエチル
−２−ピロリドン等のラクタム類；１，３−ジメチル−
２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダ
ゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミダゾリ
ジノン等のイミダゾリジノン類；エチレングリコール、
エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリ
コールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブ
チルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテル
アセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルア
セテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコー
ルモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチ
ルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテ
ル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピ
レングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコ
ールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノ
ブチルエーテル等の多価アルコール類およびその誘導体
などが挙げられる。

【００１９】本発明では、（ｂ）成分として上記一般式
（II）（式中、Ｒ³、Ｒ⁴、ｎは上記で定義したとおり。
ただし、Ｒ³、Ｒ⁴に示されるアルキル基は好ましくは直
鎖または分岐鎖状のアルキル基である）で表される、２
級アミンを用いたアルカノールアミン類が好ましい。こ
のようなアルカノールアミン類としては、具体的には、
Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールア
ミン、Ｎ−ブチルエタノールアミン、モノイソプロパノ
ールアミン等が挙げられる。かかるアルカノールアミン
類を用いることにより、シリコンウェーハ（Ｓｉ基板）
の腐食を効果的に抑止し得る。中でもＮ−メチルエタノ
ールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン等が好まし
く、特にはＮ−メチルエタノールアミンが好ましい。
（ｂ）成分は１種または２種以上を用いることができ
る。

【００２０】（ｂ）成分の配合量は、本発明剥離液中３
〜４０重量％であり、好ましくは５〜３０重量％であ
る。（ａ）成分の配合量が３重量％未満では剥離性が不
足し、一方、４０重量％超では剥離性と防食性のバラン
スをとるのが難しい。

【００２１】（ｃ）成分としての芳香族ヒドロキシ化合
物は、おもに防食効果向上のために用いられるものであ
り、具体的には、フェノール、クレゾール、キシレノー
ル、ピロカテコール、レゾルシノール、ヒドロキノン、
ピロガロール、１，２，４−ベンゼントリオール、サリ
チルアルコール、ｐ−ヒドロキシベンジルアルコール、
ｏ−ヒドロキシベンジルアルコール、ｐ−ヒドロキシフ
ェネチルアルコール、ｐ−アミノフェノール、ｍ−アミ
ノフェノール、ジアミノフェノール、アミノレゾルシノ
ール、ｐ−ヒドロキシ安息香酸、ｏ−ヒドロキシ安息香
酸、２，４−ジヒドロキシ安息香酸、２，５−ジヒドロ
キシ安息香酸、３，４−ジヒドロキシ安息香酸、３，５
−ジヒドロキシ安息香酸、没食子酸等を挙げることがで
きる。中でも没食子酸、ピロガロール、ピロカテコール
等が好適である。（ｃ）成分は１種または２種以上を用
いることができる。

【００２２】（ｃ）成分の配合量は、本発明剥離液中３
〜２０重量％であり、好ましくは５〜１５重量％であ
る。（ｃ）成分の配合量が３重量％未満では金属層の腐
食が大きくなり、一方、２０重量％超では剥離性に劣
る。

【００２３】（ｄ）成分としての水は、（ｂ）成分等に
必然的に含まれているものであるが、さらに加えてその
配合量を調整してもよい。（ｄ）成分の配合割合は、本
発明剥離液中、上記（ａ）〜（ｃ）成分の配合量の残部
である。

【００２４】本発明では、（ａ）〜（ｄ）成分を上述し
た配合割合範囲とすることにより、剥離性、安全性、防
食性により一層優れた効果を奏することができる。

【００２５】本発明のホトレジスト用剥離液は、ネガ型
およびポジ型ホトレジストを含めてアルカリ水溶液で現
像可能なホトレジストに有利に使用できる。このような
ホトレジストとしては、（i）ナフトキノンジアジド化
合物とノボラック樹脂を含有するポジ型ホトレジスト、
（ii）露光により酸を発生する化合物、酸により分解し
アルカリ水溶液に対する溶解性が増大する化合物および
アルカリ可溶性樹脂を含有するポジ型ホトレジスト、
（iii）露光により酸を発生する化合物、酸により分解
しアルカリ水溶液に対する溶解性が増大する基を有する
アルカリ可溶性樹脂を含有するポジ型ホトレジスト、お
よび（iv）光により酸を発生する化合物、架橋剤および
アルカリ可溶性樹脂を含有するネガ型ホトレジスト等が
挙げられるが、これらに限定されるものではない。

【００２６】上記本発明のホトレジスト用剥離液を用い
たホトレジスト剥離方法としては、例えば以下の方法が
挙げられる。（I）金属層を形成した基板上にホトレジスト層を設け
る工程、（II）該ホトレジスト層を選択的に露光する工
程、（III）露光後のホトレジスト層を現像してホトレ
ジストパターンを設ける工程、（IV）該ホトレジストパ
ターンをマスクとして該基板をエッチングする工程、お
よび（V）エッチング工程後のホトレジストパターン
を、上記の本発明ホトレジスト用剥離液を用いて基板よ
り剥離する工程、を含むホトレジスト剥離方法。

【００２７】また、上記本発明のホトレジスト剥離液を
用いて、エッチング、それに続くアッシングを行った後
のホトレジスト剥離方法としては、例えば以下の方法が
挙げられる。（I）金属層を形成した基板上にホトレジスト層を設け
る工程、（II）該ホトレジスト層を選択的に露光する工
程、（III）露光後のホトレジスト層を現像してホトレ
ジストパターンを設ける工程、（IV）該ホトレジストパ
ターンをマスクとして該基板をエッチングする工程、
（V）ホトレジストパターンをプラズマアッシングする
工程、および（VI）アッシング後のホトレジストパター
ンを、上記の本発明ホトレジスト用剥離液を用いて基板
より剥離する工程、を含むホトレジスト剥離方法。

【００２８】基板としては、例えば金属層を形成したシ
リコンウェーハ等が挙げられる。金属層としては、アル
ミニウム（Ａｌ）；アルミニウム−ケイ素（Ａｌ−Ｓ
ｉ）、アルミニウム−銅（Ａｌ−Ｃｕ）、アルミニウム
−ケイ素−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）等のアルミニウム合
金（Ａｌ合金）；チタン（Ｔｉ）；チタンナイトライド
（ＴｉＮ）、チタンタングステン（ＴｉＷ）等のチタン
合金（Ｔｉ合金）；タンタル（Ｔａ）、窒化タンタル
（ＴａＮ）、タングステン（Ｗ）、窒化タングステン
（ＷＮ）、銅（Ｃｕ）アルミニウム（Ａｌ）；アルミニ
ウム−ケイ素（Ａｌ−Ｓｉ）、アルミニウム−銅（Ａｌ
−Ｃｕ）、アルミニウム−ケイ素−銅（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃ
ｕ）等のアルミニウム合金（Ａｌ合金）；チタン（Ｔ
ｉ）；チタンナイトライド（ＴｉＮ）、チタンタングス
テン（ＴｉＷ）等のチタン合金（Ｔｉ合金）；タンタル
（Ｔａ）、窒化タンタル（ＴａＮ）、タングステン
（Ｗ）、窒化タングステン（ＷＮ）、銅（Ｃｕ）、窒化
シリコン（ＳｉＮ）、コバルトシリサイド（ＣｏＳｉ）
等が挙げられるが、これらに限定されるものでない。

【００２９】塗布、乾燥、露光、現像、およびエッチン
グ処理は、いずれも慣用的な手段であり、特に限定され
ない。エッチングはウェットエッチング、ドライエッチ
ングのいずれでもよく、また両者を組み合わせて用いて
もよいが、本発明剥離液はドライエッチング後のホトレ
ジスト膜の剥離に好適に用いられ得る。

【００３０】なお、上記剥離方法において、現像工程後
や、ホトレジスト層あるいは変質膜は剥離工程後、慣用
的に施されている純水や低級アルコール等を用いたリン
ス処理および乾燥処理を施してもよい。

【００３１】剥離処理は通常、浸漬法（ディップ法）、
スプレー法により施される。剥離時間は、剥離される十
分な時間であればよく、特に限定されるものではない
が、通常、１０〜２０分間程度である。

【００３２】本発明剥離液を用いることにより、金属配
線およびシリコンウェ−ハ（基板）の防食効果を高める
ことができる。特にディップ法等により剥離処理を行う
場合、基板全体を剥離液に浸漬させるが、その際に金属
層形成面と反対面のＳｉ面が露出したシリコンウェーハ
裏面の腐食を有効に防止することができる。

【００３３】

【実施例】次に、実施例により本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明はこれらの例によってなんら限定され
るものではない。

【００３４】（実施例１〜３、比較例１〜４）シリコン
ウェーハ上にＳｉＯ₂層を設け、その上に第１層として
ＴｉＮ層、第２層としてＡｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層、第３層と
してＴｉＮ層が形成された基板上に、ナフトキノンジア
ジド化合物とノボラック樹脂からなるポジ型ホトレジス
トであるＴＨＭＲ−ＡＲ８０（東京応化工業（株）製）
をスピンナーで塗布し、９０℃にて９０秒間のプリベー
クを施し、膜厚１．０μｍのホトレジスト層を形成し
た。このホトレジスト層をマスクパターンを介して露光
し、続いて２．３８重量％テトラメチルアンモニウムヒ
ドロキシド（ＴＭＡＨ）水溶液にて現像し、ホトレジス
トパターンを形成した。次いで１１０℃で９０秒間のポ
ストベークを行った。

【００３５】次に、上記の条件で形成したホトレジスト
パターンを有する基板をドライエッチング処理し、続い
て表１に示す各組成の剥離液を用いて８０℃、２０分間
デイップ法により、それぞれホトレジスト膜剥離処理を
行った。

【００３６】剥離処理後の基板を純水で十分にリンス処
理し、さらに乾燥し、このときの基板の状態をＳＥＭ
（走査型電子顕微鏡）写真の観察により評価した。結果
を表２に示す。

【００３７】［ホトレジスト膜の剥離性］Ａ：ホトレジスト残渣が完全に剥離除去されていたＢ：ホトレジスト残渣が基板上に残っていた

【００３８】［金属配線（Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ）の防食
性］Ａ：Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層に腐食が全く認められなかっ
たＢ：Ａｌ−Ｓｉ−Ｃｕ層に腐食が認められた

【００３９】［シリコンウェーハ（Ｓｉ基板）の防食
性］Ａ：シリコンウェーハ（Ｓｉ基板）に腐食が全く認め
られなかったＢ：シリコンウェーハ（Ｓｉ基板）に腐食が認められ
た

【００４０】［安全性］Ａ：剥離液を取り扱う上での危険性が比較的少ないＢ：剥離液を取り扱う上で細心の注意が必要となる

【００４１】

【表１】

【００４２】なお、表１中、ＤＥＨＡはＮ，Ｎ−ジエチ
ルヒドロキシルアミンを；ＮＭＥＡはＮ−メチルエタノ
ールアミンを；ＮＥＥＡはＮ−エチルエタノールアミン
を；ＰＧＥＥはプロピレングリコールモノエチルエーテ
ルを；ＭＥＡはモノエタノールアミンを；ＮＭＰはＮ−
メチル−２−ピロリドンを；ＤＭＳＯはジメチルスルホ
キシドを；ＨＡはヒドロキシルアミン（ＮＨ₂ＯＨ）
を、それぞれ示す。

【００４３】

【表２】

【００４４】

【発明の効果】以上詳述したように本発明によれば、ド
ライエッチング処理等の過酷な処理後のホトレジスト膜
の剥離性、金属配線さらにはシリコンウェーハの防食性
に優れるとともに、取り扱いの安全性にも優れたホトレ
ジスト剥離液が提供される。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（ａ）下記一般式（I）（式中、Ｒ¹、Ｒ²は、それぞれ独立に水素原子、炭素原
子数１〜４のアルキル基を示す。ただしＲ¹、Ｒ²が同時
に水素原子となる場合を除く）で表されるアルキルヒド
ロキシルアミン類を４５〜８５重量％、（ｂ）水溶性有
機溶媒を３〜４０重量％、（ｃ）芳香族ヒドロキシ化合
物を３〜２０重量％、および（ｄ）水を残部含有する、
ホトレジスト用剥離液。
【請求項２】（ｂ）成分が下記一般式（II）（式中、Ｒ³、Ｒ⁴は、それぞれ独立に水素原子、炭素原
子数１〜５のアルキル基を示し、ｎは１〜１０の整数で
ある）で表されるアルカノールアミン類である、請求項
１記載のホトレジスト用剥離液。