KR0173090B1 - 포토레지스트용 박리액 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트 박리 방법 - Google Patents

포토레지스트용 박리액 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트 박리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은
(a) 히드록실아민류 2 내지 30 중량%,
(b) 물 2 내지 35 중량 %,
(c) 25℃ 의 수용액에 있어서 산해리정수 (PKa) 가 7.5 내지 13 인 아민류 2 내지 20 중량%,
(d) 수용성 유기 용매 35 내지 80 중량%, 및
(e) 방식제 2 내지 20 중량% 로 이루어진 포토레지스트용 박리액 조성물 및 이것을 사용한 포토레지스트 박리 방법이다.
본 발명에 의해, 보다 과혹한 조건의 드라이 에칭, 앗싱, 이온 주입등의 처리에 의해 형성된 변질막의 박리성에 우수하며, Al 또는 Al합금이 형성된 기판, 또는 Ti 가 형성된 기판의 양자에 대한 부식방지효과에 우수한 레지스트용 박리액 조성물 및 이것을 사용한 포토레지스트 박리 방법이 제공이 된다.

Description

포토레지스트용 박리액 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트 박리 방법
본 발명은 포토레지스트용 박리액 조성물 및 이것을 사용한 포토레지스트 박리 방법에 관한 것이다. 좀더 구체적으로는, IC 나 LSI 등의 반도체 소자 또는 액정 패널 소자의 제조에 적합하게 사용이 되는, 박리성, 방식성에 우수한 포토레지스트용 박리액 조성물 및 이것을 사용한 포토레지스트 박리 방법에 관한 것이다.
IC 나 LSI 등의 반도체 소자나 액정 패널 소자는, 기판상에 증착등에 의해 형성된 금속막이나 SiO2 막등의 절연막상에 포토레지스트를 균일하게 도포하여, 이것을 노광, 현상처리를 하여 포토레지스트 패턴을 형성시켜, 이 패턴을 마스크로서 상기 도전성 금속막이나 절연막을 선택적으로 에칭하여, 미세회로를 형성시킨후, 불필요한 포토레지스트층을 박리액으로 제거하여 제조한다. 여기서 상기 금속막으로서, 알루미늄 (Al); 알루미늄-규소(Al-Si), 알루미늄-규소-구리(Al-Si-Cu) 등의 알루미늄 합금 (Al합금) ; 티탄 (Ti) ; 티탄나이트라이드(TiN), 티탄텅스텐 (TiW) 등의 티탄합금 (Ti합금) 이 사용되며, 이들은 단층∼복수층으로 기판상에 형성이 된다.
상기 포토레지스트층을 제거하는 박리액 조성물로서, 최근까지는, 알카놀아민류를 사용한 포토레지스트용 박리액 조성물이 사용되어 왔다 (일본 특개소 62-49,355 호 공보, 특개소 63-208,043 호 공보, 등). 최근의 반도체 디바이스나 액정 디바이스의 제조 공정에 있어서는, 드라이에칭, 앗싱, 이온 주입등의 처리가 채택되고 있으나, 이들의 처리에 의해, 처리후의 레지스트막은 변질막으로 된다. 최근에, 이들의 처리 조건은 보다 엄격하게 되어, 변질막은 유기막에서 무기적 성질을 갖는 막이 되기 때문에, 알카놀아민류를 사용한 박리액 조성물은, 이 변질막의 박리성에 불충분하다.
그러나, 최근에 이르러, 보다 박리성이 우수한 포토레지스트용 박리액 조성물로서, 히드록실아민류를 포함한 포토레지스트용 박리액 조성물이 제안되었다. 예컨대 특개평 4-289,866 호 공보에는, 히드록실아민과 알카놀아민을 함유하여 이루어진 포토레지스트용 박리액 조성물이 기재되어 있다. 또 특개평 6-266,119 호 공보에는, 히드록실아민과 알카놀아민에, 더우기 카테콜등의 킬레이트제 (방식제) 를 함유시킨 포토레지스트용 박리액 조성물이 기재되어 있다. 이들 히드록실아민류를 함유한 박리액 조성물은, 상기 알카놀아민류를 사용한 박리액에 비하여, 변질막의 박리성이 향상되기 때문에, Al 또는 Al-Si, Al-Si-Cu 등의 Al합금이 증착된 기판이나, Ti 가 증착된 기판에 대하여 부식이 나타나는 문제가 있다.
Al 또는 Al-Si, Al-Si-Cu 등의 Al합금에 대한 부식에 대하여는, 카테콜등의 킬레이트제 (방식제) 가 어느 정도 방식 효과를 보여 종래부터 사용되어 왔으나, 그 효과는 반드시 충분한 정도로 만족스러운 것은 아니다.
한편, Ti 에 대한 부식은, 히드록실아민류를 사용한 박리액의 특유의 것이며, 상기 Al 또는 Al합금의 부식과는 다르며, 카테콜등을 사용하여도 방식효과를 얻지 못한다는 문제가 있다.
또한, 본 발명에서 말하는 「티탄 (Ti)」이란 「순티탄」을 의미하며, 티탄나이트라이드(TiN) 이나, 티탄텅스텐 (TiW) 등의 티탄합금을 함유하는 것은 아니다. 실제로, 상기 특개평 6-266,119 호 공보에 기재된 박리액에서는, 티탄 합금에 대하여는 부식을 방지할 수 있으나, 순티탄에 대하여는 방지할 수 없고, 부식이 발생한다는 문제가 있다.
따라서, 변질막에 대한 우수한 박리성을 가지는 동시에, Al 또는 Al합금, Ti 를 형성시켜 이루어진 기판에 대하여서도 부식을 유효하게 방지할 수 있는 레지스트용 박리액의 개발이 요망되었다.
본 발명자들은, 이러한 과제를 해결하기 위해 예의 연구를 거듭한 결과, 히드록실아민, 물, 특정의 아민류, 수용성 유기용매, 및 방식제를 특정비율로 배합시킴으로서, 상기 과제를 해결 할 수 있는 것을 발견하여, 이것에 의거하여 본 발명을 완성하기에 이르렀다.
본 발명의 목적은, 히드록실아민류를 사용한 포토레지스트용 박리액 조성물의 박리성을 손상함이 없이, Al 또는 Al합금이 형성된 기판 또는 Ti 가 형성된 기판의 양자에 대하여 부식 방지 효과가 우수한 포토레지스트용 박리액 조성물 및 이것을 사용한 포토레지스트 박리 방법을 제공하는 것에 있다.
즉, 본 발명은, (a) 히드록실아민류 2 내지 30 중량%, (b) 물 2 내지 35 중량 %, (c) 25℃ 의 수용액에 있어서 산해리정수 (pKa) 가 7.5 내지 13 인 아민류 2 내지 20 중량%, (d) 수용성 유기 용매 35 내지 80 중량%, 및 (e) 방식제 2 내지 20 중량% 로 이루어진 포토레지스터용 박리액 조성물에 관한 것이다.
또 본 발명은, (I) 티탄층을 가지는 기판상에 포토레지스트층을 설치하는 공정, (II) 그 포토레지스트층을 노광, 현상하여 포토레지스트 패턴을 설치하는 공정, (III) 그 포토레지스트 패턴을 드라이 에칭한후, 이어서 불필요한 포토레지스트 및 포트레지스트 변질막을 박리 처리하는 공정으로 이루어진 포토레지스트 박리 방법에 있어서, 불필요한 포토레지스트 및 포토레지스트 변질막을 박리 처리하는 박리액은, (a) 히드록실아민류 2 내지 30 중량%, (b) 물 2 내지 35 중량 %, (c) 25℃ 의 수용액에 있어서 산해리정수 (pKa) 가 7.5 내지 13 인 아민류 2 내지 20 중량%, (d) 수용성 유기 용매 35 내지 80 중량%, 및 (e) 방식제 2 내지 20 중량% 로 이루어진 포토레지스트 박리 방법에 관한 것이다.
본 발명에 사용되는 (a) 성분으로서의 히드록실아민류는 하기의 화학식 1 으로 나타낸다 :
(식중, R1, R2 는, 각각 독립적으로 수소원자, 탄소수 1 내지 6 의 저급 알킬기를 나타낸다).
여기서, 상기 탄소수 1 내지 6 의 저급 알킬기로서는 메틸기, 에틸기, 프로필기, 이소프로필기, 부틸기, 이소부틸기, sec-부틸기, t-부틸기, 펜틸기, 이소펜틸기, 네오펜틸기, t-펜틸기, 헥실기, 이소헥실기, 3-메틸펜틸기, 2,2-디메틸 부틸기 또는 2,3-디메틸부틸기등이 각각 예시된다. R1, R2 는 동일하거나 상이할 수 있다.
상기 히드록실아민류로서는 구체적으로, 히드록실아민 (NH2OH), N-메틸히드록실아민, N,N-디메틸히드록실아민, N,N-디에틸히드록실아민등을 들 수 있다. 그중에서도 히드록실아민이 적합하게 사용이 된다. 이들 히드록실아민류는 단독으로 사용하여도 좋고, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.
(b) 성분으로서의 물은, (a) 성분에 필연적으로 포함되어 있는 것이나, 또한 그의 배합량을 조정하여도 좋다.
(c) 성분으로서의 아민류는, 25℃ 의 수용액에 있어서 산해리정수 (pKa) 가 7.5 내지 13 의 것이다. 산해리정수 (pKa) 가 7.5 미만에서는 Ti 에 대한 방식효과가 나타나지 않고, 한편 13 을 초과하면 Al, Al 합금에 대한 부식이 생긴다. 이와 같은 아민류로서는, 구체적으로는 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, N,N-디메틸에틸아민, N,N-디에틸에탄올아민, N,N-디부틸에탄올아민, N-메틸에탄올아민, N-에틸에탄올아민, N-부틸에탄올아민, N-메틸디에탄올아민, 모노이소프로판올아민, 디이소프로판올아민, 트리이소프로판올아민등의 알카놀아민류; 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 프로필렌디아민, N,N-디에틸에틸렌디아민, N,N'-디에틸에틸렌디아민, 1,4-부탄디아민, N-에틸-에틸렌디아민, 1,2-프로판디아민, 1,3-프로판디아민, 1,6-헥산디아민등의 폴리알킬렌폴리아민류 ; 2-에틸-헥실아민, 디옥틸아민, 트리부틸아민, 트리프로필아민, 트리아릴아민, 헵틸아민, 시클로헥실아민등의 지방족아민류 ; 벤질아민, 디페닐아민등의 방향족 아민류 ; 피페라딘, N-메틸-피페라딘, 메틸-피페라딘, 히드록실에틸피페라딘등의 환상아민류등을 들 수 있다. 이들 중에서도, 티탄에 대한 방식효과에서 상기 pKa 가 8.5 내지 11.5 의 것이 바람직하고, 구체적으로는 모노에탄올아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 시클로헥실아민, 피페라딘등이 특히 바람직하다. 또, 박리처리때에 가열하는 경우가 있으므로, 레지스트용 박리액으로 했을때 안정성등의 점에서 인화점이 30 ℃ 이상, 특히는 50 ℃ 이상의 것이 바람직하다. 이런점과 박리액 조성물을 계속 사용한 경우의 박리액 조성물의 안전성도 고려하면, 트리에틸렌테트라민이 가장 바람직하다.
(d) 성분의 수용성 유기 용매로서는, 물과의 혼화성이 있는 유기 용매라면 어느 것도 좋고, 종래의 유기 아민계 박리액에 사용되는 수용성 유기용매를 임의로 사용할 수가 있다. 이와 같은 수용성 유기 용매로서는, 디메틸술폭시드등의 술폭시드류 ; 디메틸술폰, 디에틸술폰, 비스 (2-히드록시에틸)술폰, 테트라메틸렌술폰등의 술폰류 ; N,N-디메틸포름아미드, N-메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸아세트아미드, N,N-디에틸아세트아미드등의 아미드류 ; N-메틸-2-피롤리돈, N-에틸-2-피롤리돈, N-프로필-2-피롤리돈, N-히드록시메틸-2-피롤리돈, N-히드록시에틸-2-피롤리돈등의 락탐류 ; 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디에틸-2-이미다졸리디논, 1,3-디이소프로필-2-이미다졸리디논등의 이미다졸리디논류 ; 에틸렌글리콜, 에틸렌글리콜모노메틸에테르, 에틸렌글리콜모노에틸에테르, 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 에틸렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 에틸렌글리콜모노에틸에테르아세테이트, 디에틸렌글리콜, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르등의 다가알코올류 및 그의 유도체를 들 수 있다. 이들은 단독으로 사용하여도 좋고, 또는 2 종 이상을 조합하여도 좋다. 이들중에서, 디메틸술폭시드, N,N-디메틸포름아미드, N,N-디메틸아세트아미드, N-메틸-2-피롤리돈, 1,3-디메틸-2-이미다졸리디논, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르가 변질막의 박리성에 우수함으로 바람직하다. 그중에서도, 디메틸술폭시드가 기판에 대한 방식효과에도 우수하기 때문에 바람직하다.
(e) 성분으로서의 방식제는, 종래의 유기아민계 박리액에 사용되고 있는 방식제를 임의로 사용할수가 있으나, 특히, 방향족히드록시화합물, 아세틸렌알코올, 카르복실기 함유 유기 화합물 및 그의 무수물, 및 트리아졸 화합물로이루어진 군에서 선택되는 적어도 1 종이 바람직하게 사용이 된다.
상기 방향족히드록시화합물로서는, 페놀, 크레졸, 크실레놀, 피로카테콜, 레졸시놀, 히드로퀴논, 피로갈롤, 1,2,4-벤젠트리올, 살리실알코올, p-히드록시벤질알코올, o-히드록시벤질알코올, p-히드록시펜에틸알코올, p-아미노페놀, m-아미노페놀, 디아미노페놀, 아미노레졸시놀, p-히드록시벤조산, o-히드록시벤조산, 2,4-디히드록시벤조산, 2,5-디히드록시벤조산, 3,4-디히드록시벤조산, 3,5-디히드록시벤조산등을 들수가 있으며, 그중에서도 피로카테콜이 적합하다. 이들의 화합물은 단독으로 사용하여도 좋고, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.
상기 아세틸렌알코올로서는, 2-부틸-1, 4-디올, 3,5-디메틸-1-헥신-3-올, 2-메틸-3-부틴-2-올, 3-메틸-1-펜틴-3-올, 3,6-디메틸-4-옥틴-3, 6-디올, 2,4,7,9-테트라메틸-5-데신-4,7-디올, 2,5-디메틸-3-헥신-2,5-디올등을 들 수가 있으며, 그중에서도 2-부틴-1,4-디올이 적합하다. 이들의 아세틸렌알코올은 단독으로 사용하여도 좋고, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.
상기 카르복실기 함유 유기화합물 및 그의 무수물로서는, 포름산, 아세트산, 프로피온산, 부틸산, 이소부틸산, 옥살산, 말론산, 숙신산, 글루타르산, 말레인산, 푸말산, 벤조산, 푸탈산, 1,2,3-벤젠트리카르복시산, 글리콜산, 락트산, 말산, 시트르산, 무수아세트산, 무수푸탈산, 무수말레인산, 무수숙신산, 살리실산등을 들 수가 있다. 그중에서도 포름산, 푸탈산, 벤조산, 무수푸탈산, 및 살리실산이 바람직하고, 특히 푸탈산, 무수푸탈산 및 살리실산이 보다 바람직하다. 이들의 화합물은 단독으로, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.
상기 트리아졸 화합물로서는, 벤조트리아졸, o-트리트리아졸, m-트리트리아졸, p-트리트리아졸, 카르복시벤조트리아졸, 1-히드록시벤조트리아졸, 니트로벤조트리아졸, 디히드록시프로필벤조트리아졸등을 들 수가 있으며, 그중에서도 벤조트리아졸이 적합하다. 이들의 화합물은 단독으로 사용하여도 좋고, 또는 2 종 이상을 조합하여 사용하여도 좋다.
이들 방식제는, 사용되는 포토레지스트 조성물, 박리조건, 앗싱, 이온주입, 플라즈마 처리등에 의한 포토레지스트 변질막의 생성조건, 또는 후공정의 린스 처리 조건등에 따라서 1 종 또는 2 종 이상을 적절이 조합하여 사용할 수가 있으나, 방향족히드록시화합물이 보다 적합하게 사용이 되며, 그중에서도 피로카테콜이 특히 바람직하다.
상기 (a) 내지 (e) 성분의 배합 비율은, (a) 성분이 2 내지 30 중량 %, 바람직하게는 5 내지 20 중량 %, (b) 성분이 2 내지 35 중량 %, 바람직하게는 5 내지 25 중량 %, (c) 성분이 2 내지 20 중량 %, 바람직하게는 5 내지 15 중량 %, (d) 성분이 35 내지 80 중량 %, 바람직하게는 40 내지 70 중량 %, (e) 성분이 2 내지 20 중량 %, 바람직하게는 3 내지 10 중량% 이다. 본 발명에 있어서는, 상기 (a) 내지 (e) 성분의 배합 비율이 특히 중요하며, 각 성분이 상기 범위를 일탈하면, Al 또는 Al 합금, Ti 가 형성된 양기판에 대한 충분한 방식효과가 얻어지지 못하고, 또 변질막 박리 능력이 저하함으로 바람직하지 않다.
본 발명의 포토레지스트용 박리액 조성물은, 네가형 및 포지형 포토레지스트를 포함하여 알칼리 수용액으로 현상 가능한 포토레지스트에 유리하게 사용할 수가 있다. 이와 같은 포토레지스트로서는, (i) 나프토퀴논디아지드 화합물과 노볼락수지를 함유하는 포지형 포토레지스트, (ii) 노광에 의해 산이 발생되는 화합물, 산에 의해 분해되어 알칼리 수용액에 대한 용해성이 증대하는 화합물 및 알칼리 가용성 수지를 함유하는 포지형 포토레지스트, (iii) 노광에 의해 산이 발생되는 화합물, 산에 의해 분해되어 알칼리 수용액에 대한 용해성이 증대하는 기를 가지는 알칼리 가용성 수지를 함유하는 포지형 포토레지스트, 및 (iv) 광에 의해 산이 발생되는 화합물, 가교제 및 알칼리 가용성 수지를 함유하는 네가형 포토레지스트등을 들 수 있으나, 이것들에 한정되는 것은 아니다.
본 발명의 박리 방법은, 상기 포토레지스트를 티탄층을 가지는 기판상에 도포하여 포토레지스트층을 설치하고, 이어서 포토레지스트층을 통상의 방법에 의해 노광, 현상하여 포토레지스트패턴을 형성한 후, 이 포토레지스트패턴을 공지의 방법으로 드라이 에칭, 또한 소망에 따라, 앗싱, 이온주입등의 처리를 행한 후, 그 기판을 상기 본 발명의 포토레지스트용 박리액 조성물에 침지등의 방법에 의해 접촉시켜, 불필요한 포토레지스트 및 포토레지스트 변질막을 박리하는 것으로 이루어진다.
다음에 실시예에 의해 본 발명을 더우기 상세하게 설명을 하나 본 발명은 이들의 예에 의하여 하등 한정되는 것은 아니다.
[실시예 1 내지 7]
실리콘 웨이퍼상에 제 1 층으로서 Ti 층을 가지며, 더우기 이 제 1 층상에 제 2 층으로서 Al-Si 층을 가지는 기판상에 나프토퀴논디아지드 화합물과 노볼락수지로 이루어진 포지형 포토레지스트인 THMR-iP 3300 (도오꾜 오오카고오교 (주) 제) 를 스피너로 도포하고, 90 ℃ 에서 90 초간 프리베이크를 시행하여 막두께 2.0㎛의 포토레지스트층을 형성시킨다. 이 포토레지스트층을 NSR-2005i10D (니콘 (주) 제) 를 사용하여 마스크패턴을 통하여 노광시키고, 2.38 중량 % 테트라메틸암모늄히드록시드 (TMAM) 수용액으로 현상하여 포토레지스트 패턴을 형성시킨후, 이어서 120℃ 에서 90 초간 포스트베이크를 시행한다.
다음에, 상기의 조건에서 형성된 포토레지스트패턴을 가지는 실리콘 웨이퍼를 통상의 방법에 의해 에칭 처리하고, 이어서 포토레지스트 패턴을 플라즈마 앗싱 처리하였으나, 앗싱잔사가 있었다.
이어서, 상기 처리가 끝난 실리콘 웨이퍼를, 표 1 에 표시한 조성의 박리액으로 65 ℃, 20 분간 침지처리하여, 각각 박리 처리를 행하였다. 박리 처리후의 기판을 순수 (純水) 로 린스 처리하여, 실리콘 웨이퍼의 앗싱잔사의 박리 상태 (변질막의 박리성), 및 제 1 층의 Ti 층과 제 2 층의 Al-Si 층의 부식의 상태를 SEM (주사형 전자현미경) 사진의 관찰에 의해 평가하였다.
결과를 표 1 에 표시함.
또한, 변질막의 박리성은 이하와 같이 평가하였다.
O : 박리성 양호
X : 불완전한 박리
또, 부식의 상태는 이하와 같이 평가하였다.
O : 부식없음
△ : 약간 부식이 있음
X : 다수의 부식이 있음
주) DMSO: 디메틸술폭시드
DMI : 디메틸이미다졸리디논
NMP : N-메틸-2-피롤리돈
BDA : 2-부틴-1,4-디올
BT : 벤조트리아졸
[실시예 1 내지 6]
실시예 1 에 있어서, 사용한 박리액의 조성을 표 2 에 도시한 바와 같이 대체한 이외에는 실시예 1 과 같이 하여 변질막의 박리성 및 부식성의 평가를 행하였다.
주) DMSO : 디메틸술폭시드
NMP : N-메틸-2-피롤리돈
TMAH aq : 테트라메틸암모늄히드록시드의 75 % 수용액
이상 상세히 기술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 보다 과혹한 조건의 드라이에칭, 앗싱, 이온주입등의 처리에 의해 형성된 변질막의 박리성에 우수하며, Al 또는 Al 합금이 형성된 기판, 혹은 Ti 이 형성된 기판의 양자에 대한 부식 방지 효과에 우수한 포토레지스트용 박리액 조성물 및 이것을 사용한 포토레지스트 박리 방법을 제공할 수가 있다는 효과를 나타낸다.

Claims (18)

  1. (a) 히드록실아민류 2 내지 30 중량 %,
    (b) 물 2 내지 35 중량 %,
    (c) 25℃ 의 수용액에 있어서 산해리정수 (pKa) 가 7.5 내지 13 인 아민류 2 내지 20 중량 %,
    (d) 수용성 유기 용매 35 내지 80 중량 %, 및
    (e) 방식제 2 내지 20 중량 % 로 이루어진 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 박리액 조성물.
  2. 제 1 항에 있어서, (a) 성분이 히드록실아민 (NH2OH) 인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 박리액 조성물.
  3. 제 1 항에 있어서, (c) 성분에 있어서 산해리정수 (pKa) 가 8.5 내지 11.5 인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 박리액 조성물.
  4. 제 1 항에 있어서, (c) 성분은 모노에탄올아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 시클로헥실아민, 피페라딘 중에서 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 박리액 조성물.
  5. 제 4 항에 있어서, (c) 성분이 트리에틸렌테트라민인 것을 특징으로하는 포토레지스트용 박리액 조성물.
  6. 제 1 항에 있어서, (d) 성분이 디메틸술폭시드, 디메틸이미다졸리디논, N-메틸-2-피롤리돈, 부틸카르비톨 중에서 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로하는 포토레지스트용 박리액 조성물.
  7. 제 6 항에 있어서, (d) 성분이 디메틸술폭시드인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 박리액 조성물.
  8. 제 1 항에 있어서, (e) 성분이 피로카테콜, 2-부틴-1,4-디올, 벤조트리아졸, 살리실산중에서 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 포토레지스트용 박리액 조성물.
  9. 제 8 항에 있어서, (e) 성분이 피로카테콜인것을 특징으로 하는 포토레지스트용 박리액 조성물.
  10. (I) 티탄층을 가지는 기판상에 포토레지스트층을 설치하는 공정,
    (II) 그 포토레지스트층을 노광, 현상하여 포토레지스트패턴을 설치하는 공정,
    (III) 그 포토레지스트패턴을 드라이에칭한 후, 이어서 불필요한 포토레지스트 및 포토레지스트 변질막을 박리 처리하는 공정으로 이루어진 포토레지스트 박리 방법에 있어서, 불필요한 포토레지스트 및 포토레지스트 변질막을 박리 처리하는 박리액은,
    (a) 히드록실아민류 2 내지 30 중량 %,
    (b) 물 2 내지 35 중량 %,
    (c) 25 ℃ 의 수용액에 있어서 산해리 정수 (pKa) 가 7.5 내지 13 인 아민류 2 내지 20 중량 %,
    (d) 수용성 유기 용매 35 내지 80 중량 %, 및
    (e) 방식제 2 내지 20 중량 % 로 이루어진 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리 방법.
  11. 제 10 항에 있어서, (a) 성분이 히드록실아민 (NH2OH) 인 것을 특징으로하는 포토레지스트 박리 방법.
  12. 제 10 항에 있어서, (c) 성분에 있어서 산해리정수 (pKa) 가 8.5 내지 11.5 인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리 방법.
  13. 제 10 항에 있어서, (c) 성분은 모노에탄올아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 디에틸렌트리아민, 트리에틸렌테트라민, 시클로헥실아민, 피페라딘 중에서 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리 방법.
  14. 제 13 항에 있어서, (c) 성분이 트리에틸렌테트라민인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리 방법.
  15. 제 10 항에 있어서, (d) 성분은 디메틸술폭시드, 디메틸이미다졸리디논, N-메틸-2-피롤리돈, 부틸카르비톨 중에서 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리 방법.
  16. 제 15 항에 있어서, (d) 성분이 디메틸술폭시드인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리 방법.
  17. 제 10 항에 있어서, (e) 성분은 피로카테콜, 2-부틴-1,4-디올, 벤조트리아졸, 살리실산의 중에서 선택되는 1 종 이상인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리 방법.
  18. 제 17 항에 있어서, (e) 성분이 피로카테콜인 것을 특징으로 하는 포토레지스트 박리 방법.
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