KR20170002932A - 스트리퍼 조성액 - Google Patents

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KR20170002932A
KR20170002932A KR1020150092881A KR20150092881A KR20170002932A KR 20170002932 A KR20170002932 A KR 20170002932A KR 1020150092881 A KR1020150092881 A KR 1020150092881A KR 20150092881 A KR20150092881 A KR 20150092881A KR 20170002932 A KR20170002932 A KR 20170002932A
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최한영
고경준
김성식
이유진
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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

본 발명은 박리속도가 빨라지며, 부식 방지성을 향상시킬 수 있는 스트리퍼 조성물에 관한 것으로, 보다 상세하게는 고리형 카바메이트, 알칸올 아민 및 부식 방지제를 포함하는 것을 특징으로 한다.

Description

스트리퍼 조성액{Stripper composition}
본 발명은 스트리퍼 조성액에 관한 것이다.
포토 레지스트(photo-resist)는 포토리소그라피 공정에 필수적으로 사용되는 물질이며, 이러한 포토리소그라피 공정은 마스크(mask)에 설계된 패턴을 가공할 박막이 형성된 기판 상에 전사시키는 일련의 사진공정으로, 집적회로(integrated circuit, IC), 고집적회로(large scale integration, LSI), 초고집적회로(very large scale integration, VLSI) 등과 같은 반도체 장치와 액정표시장치(liquid crystal display,LCD) 및 평판표시장치(plasma display device, PDP) 등과 같은 화상 구현 장치 등을 제작하기 위해 일반적으로 사용되는 공정 중 하나이다.
포토리소그라피 공정에서는 감광성 물질인 포토레지스트를 박막이 형성된 유리 기판상에 도포(coating)하고, 상기 포토레지스트가 도포된 기판 상에 마스크를 배치하고 노광(exposure)한 후, 상기 포토레지스트를 현상(develop)하여 포토레지스트 패턴을 형성한다. 상기 박막은 예를 들어, 금속막, 절연막 등일 수 있다. 상기 포토레지스트 패턴을 식각 방지막으로 이용하여 상기 박막을 식각한 후, 상기 포토레지스트 패턴을 포토레지스트 패턴 제거용 조성물인 박리제(stripper)를 이용하여 제거한다. 이에 따라, 상기 박막이 패터닝 되어 박막 패턴을 형성할 수 있다.
보다 상세하게, 포토리소그라피 공정(photo-lithography processing) 후 레지스트는 제거용액에 의해 높은 온도에서 제거되며, 이러한 고온에서 레지스트가 제거되면서 하부에 있는 금속막질이 제거용액에 의해 빠르게 부식되는 문제가 발생할 수 있다. 즉, 금속배선이 상기 레지스트 제거용액에 의해 그 부식정도가 가속화되는 문제가 있다.
대한민국등록특허 제10-184307호는 포지형 포토레지스트 박리액 조성물에 관한 것으로, 지방족 아민 10∼30중량%, 에틸렌글리콜모노알킬에테르 0∼70중량%, 비양자성 극성용제 20∼90중량%, 및 상기 3성분의 총중량을 기준으로 0.01∼10중량%의 알킬아릴폴리옥시에틸렌에테르를 포함하는 것을 특징으로 한다.
대한민국등록특허 제10-173090호는 포토레지스트용 박리액 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트 박리 방법에 관한 것으로, (a) 히드록실아민류 2 내지 30 중량%, (b) 물 2 내지 35 중량 %, (c) 25℃ 의 수용액에 있어서 산해리정수 (PKa) 가 7.5 내지 13 인 아민류 2 내지 20 중량%, (d) 수용성 유기 용매 35 내지 80 중량%, 및 (e) 방식제 2 내지 20 중량% 로 이루어진 것을 특징으로 한다.
대한민국등록특허 제10-0674387호는 포토레지스트용 박리액 및 이것을 사용한 포토레지스트박리방법에 관한 것으로, (a) 불화수소산과 금속이온을 함유하지 않는 염기와의 염, (b) 수용성 유기용매, (c) 염기성 물질, 및 (d) 물을 배합하여 포토레지스트용 박리액으로 사용하는 것을 특징으로 한다.
상기 특허들은 포토레지스트의 박리속도를 향상시키기 위해서 용제로 아마이드류를 주로 포함하고 있으나, 아마이드의 특성상 극성이 충분히 크지 못하여 박리속도 향상에 한계가 있다.
대한민국등록특허 제10-0184307호(1998년12월18일, 동진화성공업주식회사) 대한민국등록특허 제10-0173090호(1998년10월27일, 도오꾜 오오까 고오교 가부시끼가이샤) 대한민국등록특허 제10-0674387호(2007년01월19일, 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤)
본 발명은 상기와 같은 문제를 해결하기 위한 것으로서, 고리형 카바메이트, 알칸올 아민 및 부식 방지제를 포함함으로써, 박리속도가 빨라지며, 부식 방지성을 향상시킬 수 있는 스트리퍼 조성액을 제공하는 데 그 목적이 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 스트리퍼 조성액은 고리형 카바메이트, 알칸올 아민 및 부식 방지제를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 고리형 카바메이트는 하기 화학식 1로 표시되는 N-알킬옥사졸리돈일 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00001
(화학식 1에서, R은 치환되지 않거나, 히드록시기, 알콕시(-OR2), 디알킬아미노기(-NR3R4)가 치환된, C1 내지 C4의 지방족탄화수소기이며, 상기 R2~R4는 각각 독립적으로, C1~C4의지방족 탄화수소이다.)
[화학식 2]
Figure pat00002
(화학식 2에서, n은 1 내지 3이다.)
또한, 상기 부식 방지제는 하기 화학식 3으로 표시될 수 있다.
[화학식 3]
Figure pat00003
(화학식 3에서, R은 수소, 메틸 또는 카르복실산이다.)
상기한 바와 같이 본 발명에 따른 스트리퍼 조성액은 고리형 카바메이트, 알칸올 아민 및 부식 방지제를 포함함으로써, 박리속도를 빠르게 할 뿐만 아니라, 부식 방지성을 향상시킬 수 있는 효과가 있다.
본 발명의 스트리퍼 조성액은 고리형 카바메이트, 알칸올 아민 및 부식 방지제를 포함하며, 이하, 본 발명을 자세히 설명하기로 한다.
고리형 카바메이트는 아마이드보다 극성(polarity)이 크며, 특히 고리형 카바메이트는 카바메이트 중에서도 극성이 큰 특징이 있기 때문에 알칸올 아민이 포토레지스트 패턴 내부로 침투하여 포토레지스트 패턴을 제거하는 속도를 향상시킬 수 있다.
바람직하기로, 본 발명에 따른 고리형 카바메이트는 하기 화학식 1로 표시되는 N-알킬옥사졸리돈일 수 있다.
[화학식 1]
Figure pat00004
(화학식 1에서, R은 치환되지 않거나, 히드록시기, 알콕시(-OR2), 디알킬아미노기(-NR3R4)가 치환된, C1 내지 C4의 지방족탄화수소기이며, 상기 R2~R4는 각각 독립적으로, C1~C4의지방족 탄화수소이다.)
상기 고리형 카바메이트는 스트리퍼 조성물 100중량%에 대하여 5 내지 50중량% 포함할 수 있다. 고리형 카바메이트의 함량이 5중량% 미만이면 박리 속도가 느려지며, 50중량%를 초과하게 되면 박리속도는 점점 빨라지나, 가격이 상승하고, 질소를 포함하고 있기 때문에 폐기 처리 비용도 상승할 우려가 있다.
본 발명에 따른 알칸올 아민은 포토레지스트를 제거하는 기능을 수행하는 주요 성분으로, 모노에탄올아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 디에탄올 아민, 트리에탄올 아민, 아미노에톡시에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올, 디메틸에탄올 아민, N,N-디에틸에탄올 아민, N-메틸에탄올 아민, N-에틸에탄올 아민, N-부틸에탄올 아민, N-메틸디에탄올 아민, 모노이소프로판올 아민, 디이소프로판올 아민, 트리이소프로판올 아민, 테트라메틸하이드록시아민, 테트라에틸하이드록시아민, 테트라부틸하이드록시아민 및 테트라부틸하이드록시아민으로 이루어진 군에서 선택된 1종을 포함할 수 있다.
본 발명에 따른 알칸올 아민 화합물은 바람직하게는 하기 화학식 2로 표시될 수 있고, 더욱 바람직하게는 모노에탄올아민(MEA), 2-(2-아미노에톡시)에탄올(DGA)로부터 선택되는 1종 이상을 사용할 수 있다.
[화학식 2]
Figure pat00005
(화학식 2에서, n은 1 내지 3이다.)
상기 알칸올 아민은 스트리퍼 조성물 100중량%에 대하여 1 내지 10중량% 포함할 수 있다. 알칸올 아민의 함량이 1 중량% 미만이면 세정속도가 저하되며, 10중량%를 초과하게 되면 속도는 빨라지는 반면 구리 부식이 심해지고, 가격이 상승하여 가격 대비 성능면에서 비효율적인 문제점이 있다.
부식 방지제는 포토레지스트 하부층의 도전성 금속막 또는 절연막이 손상되지 않도록 하는 화합물이 바람직하며, 보다 상세하게는 상기 부식 방지제의 반응기가 구리와 물리적, 화학적으로 흡착하여 구리의 부식을 억제할 수 있다.
상기 부식 방지제는 화학식 3으로 표시되는 벤조트리아졸인 것이 보다 바람직하다.
[화학식 3]
Figure pat00006
(화학식 3에서, R은 수소, 메틸 또는 카르복실산이다.)
상기 화학식 3으로 표시되는 부식방지제는 트리아졸 고리에 존재하는 풍부한 질소 원자의 비공유 전자쌍이 구리와 전자적 결합을 하여 금속 부식을 제어한다. 이러한 화학식 3으로 표시되는 부식방지제는 기존에 구리막의 부식방지제로도 널리 사용되어온 톨릴트리아졸 등에 비해 부식방지 성능이 획기적으로 개선되어, 소량 첨가시에도 포토레지스트 하부층의 구리 또는 구리 합금막 등의 도전성 금속막의 부식을 일으키지 않을 뿐만 아니라 경화된 포토레지스트의 잔류물을 제거하는 데에도 매우 효과적으로 작용한다.
즉, 상기 부식방지제는 중간 세정액인 이소프로판올을 사용하지 않고 바로 물에 세정하더라도 알루미늄 또는 알루미늄 합금막과 같은 도전성 금속막 또는 절연막의 부식을 방지한다. 일반적으로 중간 세정액인 이소프로판올을 사용하지 않고 바로 물에 세정하면, 스트리퍼 조성물 내의 아민 성분과 같은 스트리핑능을 갖는 성분이 물과 혼합하여 부식성이 강한 알칼리의 히드록시드 이온이 생기게 되어 금속부식을 촉진시킨다. 그러나, 본 발명에서는 부식방지제를 사용함으로써, 알칼리 상태에서도 알루미늄과 착화합물을 형성하고, 알루미늄 표면에 흡착되어 보호막을 형성하므로, 히드록시드 이온에 의한 부식을 방지할 수 있다.
상기 부식 방지제는 상기 화학식 3으로 표시되는 화합물 이외에 구리 부식을 방지할 수 있는 톨릴트리아졸(TTA), 메르캅토벤조티아졸(MBT), 2,2’-[[[벤조트리아졸]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1-수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메탄올, 2,2’-[[[에틸-1-수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1-수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1-수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스카르복시산, 2,2’-[[[메틸-1-수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메틸아민, 2,2’-[[[아민-1-수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올과 같은 아졸계 화합물 등을 들 수 있으며, 이들은 단독으로 또는 2종이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명에 따른 부식 방지제는 스트리퍼 조성물 100중량%에 대하여 0.001 내지 0.1중량% 포함할 수 있다. 부식 방지제의 함량이 0.001중량% 미만이면 박리하고자 하는 기판이 장시간 박리액과 접촉할 때 부식이 심해질 수 있으며, 0.1중량%를 초과하면 스트리핑 후에 구리 배선 표면에 부식방지제의 잔존의 우려가 증가하고, 포토레지스트 제거력에 비해 스트리퍼 조성물의 제조 가격 등을 고려한 공업적 견지에서 비경제적일 수 있다.
본 발명에 따른 스트리퍼 조성물은 글리콜 화합물을 더 포함할 수 있다.
글리콜 화합물은 극성(polarity) 및 양성자성(protic)을 갖고, 알칸올 아민에 의해 겔(gel)화된 포토레지스트 패턴이 용해될 수 있으며, 스트리퍼 조성물이 휘발되는 것을 방지할 수 있다. 또한, 글리콜 화합물은 계면활성제의 역할을 수행하여 용액의 표면장력을 떨어뜨리며 침투력을 향상시켜 비교적 저온에서 박리 용액의 박리 능력을 강화시킬 수 있다.
글리콜 화합물의 예로서는, 에틸렌글리콜 메틸에테르, 에틸렌글리콜 에틸에테르, 에틸렌글리콜 부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노메틸에테르, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르, 디에틸렌글리콜모노프로필에테르, 트리에틸렌글리콜 메틸에테르, 트리에틸렌글리콜 에틸에테르 및 트리에틸렌글리콜 부틸에테르 등을 들 수 있으나, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르인 것이 더욱 바람직하다.
본 발명에서 글리콜 화합물은 스트리퍼 조성물 100중량%에서 잔부로 포함될 수 있으나, 40 내지 90중량%로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 글리콜 화합물이 40중량% 미만이면 알칸올 아민의 함량이 증가해 구리 부식이 발생할 수 있으며, 90중량%를 초과하면 세정력이 저하될 수 있다.
본 발명의 스트리퍼 조성물은 상기 화합물들을 특정량으로 혼합할 수 있으며, 혼합방법은 특별히 제한되는 것은 아니며 여러가지 방법을 적용할 수 있다.
본 발명에 따른 스트리퍼 조성액은 고리형 카바메이트, 알칸올 아민 및 부식 방지제를 포함함으로써, 박리 속도를 향상시킬 뿐만 아니라, 부식 방지성을 향상시킬 수 있는 특징이 있다. 또한, 본 발명의 박리액 조성물의 사용 방법은 특별히 한정되지 않고, 레지스트 패턴의 불량이 발생한 경우에, 경화된 레지스트 기판을 스트리퍼 조성물에 침지하거나, 스트리퍼 조성물을 기판에 도포하는 등의 방법으로 사용될 수 있다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
< 실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 6>
하기 표 1에 기재되어 있는 성분과 조성비를 이용하고, 상온에서 2시간 동안 교반한 후 0.1㎛로 여과하여 스트리퍼 조성액을 제조하였다.
LCD(liquid crystal display)의 TFT(thin film transistor) 회로 제작에서 게이트 공정을 거친 유리 기판 위에 Mo/Ti로 이루어진 이종금속 합금을 300Å, 상부에 Cu층을 2,000Å으로 형성한 후, 포지티브 포토레지스트를 도포 및 건조하여 포토리소그라피에 의해 패턴을 형성하고, 습식식각까지 완료한 상태의 시편을 준비하였다
실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 6의 스트리퍼 조성액을 이용하여 하기와 같은 방법으로 구리 배선에 대한 박리속도 및 부식방지성을 측정하여 하기 표 2에 나타내었다.
1. 박리시간 평가
베어 글래스(Bare glass)에 일반적인 액정 표시 장치용 포지티브 포토레지스트를 2㎛을 스핀코팅한 후, 접촉식 핫 플레이트(hot plate)를 이용하여 90℃에서 100초 동안 프리 베이킹을 수행한 후, 140℃에서 210초 동안 포스트 베이킹을 수행하고, 상기 실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 6에서 제조한 스트리퍼 조성물을 이용하여 박리시간을 진행하였다. 박리조건은 60℃에서 조성별로 딥(dip) 방식으로 박리하여, 상기 포토레지스트가 전부 제거되는 시간을 측정하였다.
2. 부식방지성 평가
실시예 1 내지 7 및 비교예 1 내지 6의 스트리퍼 조성액을 각각 60℃로 유지하면서, 박막 시편을 20분간 침적시킨 후, 순수로 약 30초간 세정하고, 질소 가스를 이용하여 약 10초 동안 건조하였다. 상기 건조된 실험 시편은 전계방사 주사전자현미경(Field Emission Scanning Electron Microscope, FESEM)으로 시편의 표면 및 단면부식을 관찰하고, 그 결과를 하기 표 2에 나타내었다. 이때, 상기 부식 정도는 하기와 같은 기준으로 평가하였다.
◎ : 구리층 표면과 측면에 부식이 전혀 없는 경우
○ : 구리층 표면과 측면에 약간의 부식이 있는 경우
△ : 구리층 표면과 측면에 부분적인 부식이 있는 경우
× : 구리층 표면과 측면에 전체적으로 심한 부식이 일어난 경우
구분 아마이드 화합물 아민 화합물 부식 방지제 글리콜 화합물
성분 중량% 성분 중량% 성분 중량% 성분 중량%
실시예 1 화학식 4 10 MEA 5 화학식6 0.01 DEGEE 84.99
실시예 2 화학식 4 20 MEA 5 화학식6 0.01 DEGEE 74.99
실시예 3 화학식 4 40 MEA 5 화학식6 0.01 DEGEE 54.99
실시예 4 화학식 5 10 MEA 5 화학식 6 0.01 DEGEE 84.99
실시예 5 화학식 4 10 DGA 5 화학식6 0.01 DEGEE 84.99
실시예 6 화학식 4 10 DGA 5 TTA 0.01 DEGEE 84.99
실시예 7 화학식 4 10 DGA 5 BTA 0.01 DEGEE 84.99
비교예 1 DMF 10 MEA 5 화학식6 0.01 DEGEE 84.99
비교예 2 DMAc 10 MEA 5 화학식6 0.01 DEGEE 84.99
비교예 3 NMP 10 DGA 5 화학식6 0.01 DEGEE 84.99
비교예 4 화학식 1 10 MEA 5 화학식6 - DEGEE 85
비교예 5 화학식 1 10 MOPA 5 화학식 6 0.01 DEGEE 84.99
비교예 6 화학식 7 10 MEA 5 화학식 6 0.01 DEGEE 84.99
화학식 1:
Figure pat00007

DMF: 다이메틸폼아마이드
DMAc: 디메틸아세트아마이드
NMP: N-메틸피롤리돈
MEA: 모노에탄올아민
DGA: 2-(2-아미노에톡시)에탄올
MOPA: 메톡시프로필아민
화학식4:
Figure pat00008

화학식 5:
Figure pat00009

화학식 6:
Figure pat00010

화학식 7:
Figure pat00011

TTA: 톨릴트리아졸
BTA: 벤조트리아졸
DEGEE: 디에틸렌글리콜모노에틸 에테르
구분 레지스트 박리 시간(초) 부식 방지성
실시예 1 32 ○
실시예 2 30 ○
실시예 3 27 ○
실시예 4 35 ○
실시예 5 45 ◎
실시예 6 42 ○
실시예 7 46 ○
비교예 1 84 ○
비교예 2 80 ○
비교예 3 85 ◎
비교예 4 30 ×
비교예 5 97 ◎
비교예 6 78 ○
표 2를 참조하면, 본 발명에 따라 고리형 카바메이트를 포함하고, 부식 방지제로 화학식 6, TTA 또는 BTA를 포함한 실시예 1 내지 7은 박리 시간이 평균 36.7초로 매우 빠르며, 부식 방지성도 우수한 것을 알 수 있다.
반면에, 고리형 카바메이트를 사용하지 않은 비교예 1, 2, 3, 5 및 6은 박리 시간이 평균 84.8초로 매우 느리나, 부식 방지제로 화학식 6을 포함함으로써, 부식 방지성은 우수한 것을 알 수 있다.
그러나, 비교예 4는 고리형 카바메이트를 포함함으로써, 박리 시간은 30초로 매우 빠르나, 부식 방지제를 포함하지 않아, 부식 방지성이 좋지 않은 것을 알 수 있다.

Claims (10)

  1. 고리형 카바메이트, 알칸올 아민 및 부식 방지제를 포함하는 것을 특징으로 하는 스트리퍼 조성물.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 고리형 카바메이트는 하기 화학식 1로 표시되는 N-알킬옥사졸리돈인 것을 특징으로 하는 스트리퍼 조성물.
    [화학식 1]
    Figure pat00012

    (화학식 1에서, R은 치환되지 않거나, 히드록시기, 알콕시(-OR2), 디알킬아미노기(-NR3R4)가 치환된, C1 내지 C4의 지방족탄화수소기이며, 상기 R2~R4는 각각 독립적으로, C1~C4의지방족 탄화수소이다.)
  3. 제1항에 있어서,
    상기 알칸올 아민은 하기 화학식 2로 표시되는 것을 특징으로 하는 스트리퍼 조성물.
    [화학식 2]
    Figure pat00013

    (화학식 2에서, n은 1 내지 3이다.)
  4. 제3항에 있어서,
    상기 알칸올 아민은 모노에탄올아민(MEA) 또는 2-(2-아미노에톡시)에탄올(DGA)로부터 선택되는 1종 이상인 것을 특징으로 하는 스트리퍼 조성물.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 알칸올 아민은 모노에탄올아민, 2-(2-아미노에톡시)에탄올, 디에탄올 아민, 트리에탄올 아민, 아미노에톡시에탄올, 2-(2-아미노에틸아미노)에탄올, 디메틸에탄올 아민, N,N-디에틸에탄올 아민, N-메틸에탄올 아민, N-에틸에탄올 아민, N-부틸에탄올 아민, N-메틸디에탄올 아민, 모노이소프로판올 아민, 디이소프로판올 아민, 트리이소프로판올 아민, 테트라메틸하이드록시아민, 테트라에틸하이드록시아민, 테트라부틸하이드록시아민 및 테트라부틸하이드록시아민으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상을 포함하는 것을 특징으로 하는 스트리퍼 조성물.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 부식 방지제는 하기 화학식 3으로 표시되는 것을 특징으로 하는 스트리퍼 조성물.
    [화학식 3]
    Figure pat00014

    (화학식 3에서, R은 수소, 메틸 또는 카르복실산이다.)
  7. 제1항에 있어서,
    상기 부식 방지제는 톨릴트리아졸(TTA), 메르캅토벤조티아졸(MBT), 2,2’-[[[벤조트리아졸]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1-수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메탄올, 2,2’-[[[에틸-1-수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1-수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올, 2,2’-[[[메틸-1-수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스카르복시산, 2,2’-[[[메틸-1-수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스메틸아민, 2,2’-[[[아민-1-수소-벤조트리아졸-1-일]메틸]이미노]비스에탄올과 같은 아졸계화합물 및 이들의 조합으로 이루어진 군에서 선택된 1종 이상인 것을 특징으로 하는 스트리퍼 조성물.
  8. 제1항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 스트리퍼 조성물의 전체 중량을 기준으로 상기 고리형 카바메이트 5 내지 50중량%, 알칸올 아민 1 내지 10중량% 및 부식 방지제 0.001 내지 0.1중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 스트리퍼 조성물.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 스트리퍼 조성물은 글리콜 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 스트리퍼 조성물.
  10. 제9항에 있어서,
    상기 스트리퍼 조성물의 전체 중량을 기준으로 상기 글리콜 화합물은 40 내지 90중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 스트리퍼 조성물.
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KR0173090B1 (ko) 1995-09-29 1999-03-20 나까네 히사시 포토레지스트용 박리액 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트 박리 방법
KR0184307B1 (ko) 1996-06-24 1999-04-01 이부섭 포토레지스트 박리액 조성물
KR100674387B1 (ko) 1999-09-10 2007-01-26 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 포토레지스트용 박리액 및 이것을 사용한 포토레지스트박리방법

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