KR20190120996A - 드라이필름 레지스트 박리액 조성물 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 70
- 239000007788 liquid Substances 0.000 title description 14
- -1 azole compound Chemical class 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 24
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical group OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- FLFWJIBUZQARMD-UHFFFAOYSA-N 2-mercapto-1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC(S)=NC2=C1 FLFWJIBUZQARMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 1-aminopropan-2-ol Chemical compound CC(O)CN HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 14
- YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydrobenzimidazole-2-thione Chemical group C1=CC=C2NC(S)=NC2=C1 YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 1H-pyrrole Natural products C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 11
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 11
- XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 4-methylimidazole Chemical compound CC1=CNC=N1 XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 claims description 10
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 claims description 7
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 7
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 claims description 6
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- QQWOBTZNLVCPMY-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-benzothiadiazole-4-thiol Chemical compound SC1=CC=CC2=C1N=NS2 QQWOBTZNLVCPMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- FQXRXTUXSODUFZ-UHFFFAOYSA-N 1h-imidazol-2-ylmethanethiol Chemical compound SCC1=NC=CN1 FQXRXTUXSODUFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 claims description 4
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- DEJNSFSRLMHALC-UHFFFAOYSA-N 2-amino-1-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOC(O)CN DEJNSFSRLMHALC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 3
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 3
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 claims description 3
- BIGYLAKFCGVRAN-UHFFFAOYSA-N 1,3,4-thiadiazolidine-2,5-dithione Chemical compound S=C1NNC(=S)S1 BIGYLAKFCGVRAN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- MGRVRXRGTBOSHW-UHFFFAOYSA-N (aminomethyl)phosphonic acid Chemical compound NCP(O)(O)=O MGRVRXRGTBOSHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- FMVOPJLFZGSYOS-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CCOC(C)COC(C)COC(C)CO FMVOPJLFZGSYOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- HXMVNCMPQGPRLN-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyputrescine Chemical compound NCCC(O)CN HXMVNCMPQGPRLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 206010040844 Skin exfoliation Diseases 0.000 description 35
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 29
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 29
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 18
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 16
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 16
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 13
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 12
- 230000008569 process Effects 0.000 description 12
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 8
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 7
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 7
- OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M N,N,N-Trimethylmethanaminium chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)C OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 6
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 6
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 6
- 101001045744 Sus scrofa Hepatocyte nuclear factor 1-beta Proteins 0.000 description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 4
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 4
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 4
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 4
- 101001134276 Homo sapiens S-methyl-5'-thioadenosine phosphorylase Proteins 0.000 description 3
- 102100022050 Protein canopy homolog 2 Human genes 0.000 description 3
- 150000003863 ammonium salts Chemical class 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229940043237 diethanolamine Drugs 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N ether Substances CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000002443 hydroxylamines Chemical class 0.000 description 3
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 3
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 3
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 3
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 3
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 2
- 238000005536 corrosion prevention Methods 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 2
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 2
- GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 1-(2-butoxyethoxy)butane Chemical compound CCCCOCCOCCCC GDXHBFHOEYVPED-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- KZQJDPGJTFNOGX-UHFFFAOYSA-N 2-amino-1-methoxyethanol Chemical compound COC(O)CN KZQJDPGJTFNOGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- GOJUJUVQIVIZAV-UHFFFAOYSA-N 2-amino-4,6-dichloropyrimidine-5-carbaldehyde Chemical group NC1=NC(Cl)=C(C=O)C(Cl)=N1 GOJUJUVQIVIZAV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 101100037762 Caenorhabditis elegans rnh-2 gene Proteins 0.000 description 1
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QJJZTHVFIXLYPD-UHFFFAOYSA-N [S].C1=CC=C2NC(S)=NC2=C1 Chemical compound [S].C1=CC=C2NC(S)=NC2=C1 QJJZTHVFIXLYPD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 1
- 229940031098 ethanolamine Drugs 0.000 description 1
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 1
- 150000004679 hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- BEVGWNKCJKXLQC-UHFFFAOYSA-N n-methylmethanamine;hydrate Chemical compound [OH-].C[NH2+]C BEVGWNKCJKXLQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 1
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 1
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 1
- 230000002522 swelling effect Effects 0.000 description 1
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 1
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 1
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 1
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- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
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- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
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- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
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- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3218—Alkanolamines or alkanolimines
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
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- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/50—Solvents
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- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
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Abstract
본 발명은 미세회로를 형성하는 PCB 제조용, 특히 다층 연성 PCB(Flexible Multi-layer Printed Circuit Board) 제조 공정에 적용 가능한 드라이필름 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.
Description
본 발명은 드라이필름 레지스트 박리액 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 미세회로를 형성하는 PCB 제조용, 특히 다층 연성 PCB(Flexible Multi-layer Printed Circuit Board) 제조 공정에 적용 가능한 드라이필름 레지스트 박리액 조성물에 관한 것이다.
최근, 전자기기의 박형·경량·소형화되는 경향에 따라, 인쇄회로기판(Printed Circuit Board : PCB)은 보다 고밀도의 배선 형성이 요구되어, 단면에서 양면 또는 다층 PCB로, 미세회로가 구현된 PCB로서의 발전을 해오고 있으며, 특히, 접을 수 있을 정도의 얇은 배선판으로 구현된 연성 PCB((Flexible Printed Circuit Board; FPCB)는 많은 전자기기에 이용되고 있어, 최근 그 수요가 점차 확대되고 있다.
한편, PCB의 회로패턴을 형성하는 방법은 일반적으로 어디티브 공법(Additive process), 서브트랙티브 공법(Subtractive process), 세미-어디티브 공법(Semi-additive process, SAP), 수정 세미-어디티브 공법(Modified semi-additive process, MSAP) 등이 있으며, 일반적으로 불필요한 부분을 에칭 가공하여 제거하는 서브트랙티브 공법이 주로 이용되나, 이 방법은 회로가공이 간편하다는 이점 이면에 미세가공에 한계를 갖는다. 따라서 미세회로가공을 위해 SAP 공법이 유리하다. 또한 FPCB는 양면화, 다층화 및 정밀화를 목표로 레이저빔을 이용한 MSAP 공법이 사용되는 것이 최근 경향으로 볼 수 있다. 하지만, 이들 SAP 및 MSAP 공법은 도금 레지스트에 해당하는 드라이필름의 박리 공정 난이도가 높다는 단점이 있다.
통상, PCB는 기판 위에 드라이필름을 도포하고, 노광, 현상 공정을 진행한 후, 식각을 실시하여 회로를 형성한다. 이후, 기판 상부로부터 상기 드라이필름을 애싱(ashing)하거나, 박리액을 이용하여 박리하여 상기 드라이필름을 제거한 다음, 남은 드라이필름 잔사(殘渣)를 박리하는 방법으로 제조된다.
그런데, 상기 박리 과정에서 박리액은 필연적으로 구리 배선과 접촉하여 전기 화학적으로 부식을 일으키는 인자가 되므로 특히 주의가 필요하다(하기 화학반응식 참조).
(1) 수용액 상태에서의 아민과 구리 부식반응
RNH2 + H2O → RNH3 + OH-
Cu 2+ + 2OH- → Cu(OH)2(s)
Cu(OH)(s)+ 4RNH3+ → [Cu(RNH2)4]
(2) 유기용액 상태에서의 아민과 구리 부식반응
Cu + 4RNH2 → Cu(RNH2)4
드라이필름을 기판 위로부터 혹은 드라이필름 잔사를 박리하기 위해, 종래부터 여러가지 드라이필름 박리액이 제안되어 왔다.
대한민국 등록특허 제10-0364885호에서는 하이드록실아민(Hydroxylamine)류, 초순수, 모노에탄올아민(Monoethanolamine), 디에탄올아민(Diethanolamine) 중에서 선택되는 어느 1종 이상, 디메틸설폭사이드(Dimethylsulfoxide), 방향족 하이드록실 화합물(Aromatic hydroxyl compound)로 이루어진 포토레지스트용 박리액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리 방법을 개시하고 있다.
또한, 대한민국 등록특허 제10-173090호에서는 하이드록실아민류, 초순수, 산해리정수(Pka)가 7,5 내지 13인 아민류, 수용성 유기용매, 방식제로 이루어진 포토레지스트용 박리액 조성물 및 이것을 사용한 포토레지스트 박리방법을 개시하고 있다.
상기와 같이, 종래 드라이필름을 제거하는 박리액 조성물로 수산화물 및 알칼리금속 아민류를 이용한 조성물이 이용되어 왔으나, 박리성 향상에 따른 금속 패턴의 부식 및 이로 인한 변색 및 하부 침식 등의 문제가 있다. 특히 하이드록실아민류는 독성 및 환경오염의 문제가 있는 조성물로 작업자 안전 및 환경적 측면에서 개선이 필요하며, 이에 대응할 수 있는 조성물이 요구되는 실정이다.
이에 본 발명자들은 포토레지스트용 박리액 또는 드라이필름 레지스트 박리액 조성물이 가지는 종래 문제점을 해결하기 위하여, 박리성이 우수하면서도 구리 배선의 부식은 최소화하고, 작업 안정성 및 환경오염의 문제를 개선할 수 있는 포토레지스트용 박리액 또는 드라이필름 레지스트 박리액 조성물을 개발함으로써, 본 발명을 완성하였다.
본 발명은 전술한 문제점을 해결하기 위한 것으로, 우수한 박리성을 갖는 동시에 종래 박리액 대비 동(Cu) 배선에 대한 부식을 최소화하는 드라이필름 레지스트 박리액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
상기한 목적을 달성하기 위하여, 본 발명은 종래 하이드록실아민류를 대체한 친환경 아민류 및 부식방지제로서 설퍼를 포함하는 아졸계 화합물을 포함하는 드라이필름 레지스트 박리액 조성물을 제공한다.
보다 구체적으로, 본 발명은 일실시예에서, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(Tetramethylammonium hydroxide, TMAH), 테트라메틸암모늄 펜타플루오로옥세네이트(Tetramethylammonium pentafluoroxenate, TMAPF) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 제4급 암모늄염 수용액 10~30중량%, 알칸올 아민계 화합물 30~60중량%, 양자성 극성 유기 용제 10~30중량% 및 설퍼를 포함하는 아졸계 화합물 0.1~5중량%를 포함하는 드라이필름 레지스트 박리액 조성물을 제공한다.
본 발명의 드라이필름 레지스트 박리액 조성물은 50 ℃ 가량의 비교적 낮은 공정 조건에서도 수분 이내로 드라이필름을 박리 가능한 우수한 폴리머 제거력을 갖는 동시에, 종래 박리액 대비 탁월한 동 배선의 부식을 효과적으로 방지할 수 있다.
아울러, 공정 환경 및 필름 경화 조건 등 필요에 따라, 본 발명에 따른 상기 박리액 조성물을 초순수에 희석하여 사용 가능함으로써, 공정 원가의 절감 효과가 있고, 작업자의 안전 및 환경적 측면에서도 우수하다.
도 1은 FPCB 기판상에 도포된 드라이 필름을 박리하기 전후의 모습을 나타내는 실물 사진으로, (a)는 드라이필름이 도포되어 있는 기판, (b)는 본 발명의 일 실시예에서 제조된 박리액 조성물을 이용하여 상기 드라이필름을 박리한 후의 기판을 나타낸다.
도 2는 FPCB 기판상에 도포된 드라이 필름을 박리하기 전후의 모습을 촬영한 광학현미경 사진으로, (a)는 드라이필름이 도포되어 있는 기판, (b)는 실시예 1에서 제조된 박리액 조성물을 이용하여 드라이필름을 박리한 후의 기판, 및 (c)는 실시예 3에서 제조된 박리액 조성물을 이용하여 드라이필름을 박리한 후의 기판을 나타낸다.
도 3은 FPCB 기판상에 도포된 드라이 필름을 박리하기 전후의 모습을 촬영한 광학현미경 및 전자주사현미경 사진으로, (a) 및 (d)는 드라이필름이 도포되어 있는 기판, (b) 및 (e)는 실시예 4에서 제조된 박리액 조성물을 이용하여 드라이필름을 박리한 후의 기판, (c) 및 (f)는 비교예 1에서 제조된 박리액 조성물을 이용하여 드라이필름을 박리한 후의 기판 사진이다.
도 2는 FPCB 기판상에 도포된 드라이 필름을 박리하기 전후의 모습을 촬영한 광학현미경 사진으로, (a)는 드라이필름이 도포되어 있는 기판, (b)는 실시예 1에서 제조된 박리액 조성물을 이용하여 드라이필름을 박리한 후의 기판, 및 (c)는 실시예 3에서 제조된 박리액 조성물을 이용하여 드라이필름을 박리한 후의 기판을 나타낸다.
도 3은 FPCB 기판상에 도포된 드라이 필름을 박리하기 전후의 모습을 촬영한 광학현미경 및 전자주사현미경 사진으로, (a) 및 (d)는 드라이필름이 도포되어 있는 기판, (b) 및 (e)는 실시예 4에서 제조된 박리액 조성물을 이용하여 드라이필름을 박리한 후의 기판, (c) 및 (f)는 비교예 1에서 제조된 박리액 조성물을 이용하여 드라이필름을 박리한 후의 기판 사진이다.
이하, 본 발명을 상세히 설명한다.
본 발명은 일 실시예에서, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(Tetramethylammonium hydroxide, TMAH), 테트라메틸암모늄 펜타플루오로옥세네이트(Tetramethylammonium pentafluoroxenate, TMAPF) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 제4급 암모늄염 수용액 10~30중량%, 알칸올 아민계 화합물 30~60중량%, 양자성 극성 유기 용제 10~30중량% 및 설퍼를 포함하는 아졸계 화합물 0.1~5중량%를 포함하는 드라이필름 레지스트 박리액 조성물을 제공한다.
본 발명에 따른 조성물에 있어서, 상기 제4급 암모늄염은 고형 성분 또는 초순수에 희석하여 사용 가능한 것으로, 알칼리성을 보이는 것이라면 어느 것이든 사용 가능하지만, 우수한 박리성 및 부식 방지 효과를 동시에 충족시키기 위해서는, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 (Tetramethylammonium hydroxide, TMAH), 테트라메틸암모늄 펜타플루오로옥세네이트(Tetramethylammonium pentafluoroxenate, TMAPF) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군에서 선택된 것이 바람직하다. 상기 제4급 암모늄염 수용액은 상기 조성물에 10 내지 30중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 10중량% 미만으로 포함될 경우 충분한 드라이필름 박리성을 확보하기 어렵고, 50중량%를 초과하여 포함될 경우 첨가 중량 대비 박리성 향상의 효과를 기대하기 어려우며 오히려 각종 금속층에 부식을 가중시킬 수 있다.
본 발명에 따른 조성물에 있어서, 상기 알칸올 아민계 화합물은 상기 제4급 암모늄염 수용액의 작용을 증진시키고, 드라이필름 내 고분자로의 침투 및 팽윤을 가속화시켜 필름의 박리를 돕는 것으로, 본 발명에서 상기 알칸올 아민계 화합물은 구체적으로, 모노이소프로판올아민(Monoisopropanolamine, MIPA), 2-아미노-2-메틸-1-프로판올아민(2-Amino-2-methyl-1-propanolamine, AMPA), 2-아미노 에톡시에탄올아민(2-Amino ethoxyethanolamine, AEEA), 트리에탄올아민(triethanolamine, TEA), 모노에탄올아민(Monoethanolamine, MEA) 및 디에탄올아민(Diethanolamine, DEA) 으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있다. 상기 알칸올 아민계 화합물은 상기 조성물에 30 내지 60중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 30중량% 미만으로 포함될 경우 드라이필름의 박리 속도가 저하되고, 60 중량%를 초과하여 포함될 경우, 고분자로의 침투 및 팽윤 효과가 충분히 발휘되지 못하는 문제가 있다.
본 발명에 따른 조성물에 있어서, 상기 양자성 극성 유기 용제는 양자성계 글리콜류를 하나 또는 하나 이상으로 혼합하여 포토레지스트를 박리시키는데 효과적으로 보조할 수 있다. 글리콜류는 용해된 포토레지스트를 박리제에 잘 퍼지게 하는 역할을 하여 신속히 제거하는데 도움을 준다. 본 발명에서 상기 양자성 극성 유기 용제는 구체적으로, 에틸렌글리콜(Etylene glycol, EG), 프로필렌글리콜(Propylene glycol, PG), 디에틸렌글리콜모노에틸에테르(Diethylene glycol monoethyl ether, EDG), 디에틸렌글리콜모노부틸에테르(Diethylene glycol monobutyl ether, BDG), 디에틸렌글리콜모노메틸에테르(Diethylene glycol monomethyl ether, MDG), 에틸렌글리콜모노에틸에테르(Ethylene glycol mono ethyl ether, EEG), 프로필렌글리콜모노부에테르(propylene glycol monobutyl ether, PGMBE), 트리프로판올글리콜모노에틸에테르(tripropylene glycol monoethyl ether, TPGMEE) 및 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르(Triethylene glycol monobutyl ether, TEGMBE) 로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있다.
본 발명에 따른 조성물에 있어서, 상기 설퍼를 포함하는 아졸계 화합물은 비교적 안정적인 부식 방지 및 드라이필름 레지스트 박리 능력이 있는 것으로, 본 발명에서는 부식방지제로 사용된다. 구체적으로, 상기 설퍼를 포함하는 아졸계 화합물은 메르캅토벤조이미다졸 (Mercaptobenzimidazole, MBI) 메르캅토벤조씨아디아졸(Mercaptobenzothiadiazole, MBT), 메르캅토벤지미다졸(Mercaptobenzimidazole), 메르캅토벤조옥사졸(Mercaptobenzoxazole, MBO), 메르캅토메틸이미다졸(Mercaptomethylimidazole, MMI), 4-메틸이미다졸(4-Methylimidazole, 4-MI) 및 2,5-디메르캅토-1,3,4-씨아디아졸(2,5-Dimercapto-1,3,4-thiadiazole) 로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상일 수 있다. 상기 설퍼를 포함하는 아졸계 화합물은 상기 조성물에 0.1 내지 5중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 0.1중량% 미만으로 포함될 경우 금속 배선막에 대한 부식방지 효과가 거의 나타나지 않으며, 5중량%를 초과하여 포함될 경우 드라이필름 레지스트 박리 능력이 떨어지는 문제가 있다.
본 발명은 일 실시예에서, 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(Tetramethylammonium hydroxide, TMAH) 10~30중량%, 모노이소프로판올아민(Monoisopropanolamine, MIPA) 또는 2-아미노 에톡시에탄올아민(2-Amino ethoxyethanolamine, AEEA) 30~60중량%, 디에틸렌글리콜모노부틸에테르(Diethylene glycol monobutyl ether, BDG) 10~30중량% 및 메르캅토벤조이미다졸(Mercaptobenzimidazole, MBI) 또는 메르캅토벤조옥사졸(Mercaptobenzoxazole, MBO) 0.1~5중량%를 포함하는 드라이필름 레지스트 박리액 조성물을 제공한다.
아울러, 본 발명의 상기 조성물은 초순수와 1:2 내지 1:50의 중량비로 혼합하여 희석하여 사용가능하며, 희석 배율에 따라 박리 및 부식 정도를 제어할 수 있다. 본 발명의 일 실시예에 따르면, 조성물에 대하여 희석 배율이 높아질수록 드라이필름의 박리성이 저하되나 부식 제어 측면에서는 유리하며, 반대로 희석배율이 낮아질수록, 박리성은 우수하나 부식 제어 측면에서는 불리하다.
이하, 실시예를 통하여 본 발명을 더욱 상세히 설명하고자 한다. 이들 실시예는 오로지 본 발명을 예시하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 이들 실시예에 의해 제한되는 것으로 해석되지 않는 것은 당업계에서 통상의 지식을 가진 자에게 있어서 자명할 것이다.
실시예 1 내지 10. 드라이필름 레지스트 박리액 조성물의 제조
제4급 암모늄염 수용액으로 테트라메틸암모늄 하이드록사이드 수용액, 알칸올 아민계 화합물, 양자성 글리콜류, 설퍼를 포함하는 아졸계 화합물로 구성된 실시예 1 내지 10의 드라이필름 레지스트 박리액 조성물을 제조하였다. 각 조성물의 구성성분 및 함량은 하기 표 1에 정리하여 나타내었다.
비교예 1 내지 4.
제4급 암모늄염 수용액으로 테트라메틸암모늄 클로라이드 수용액, 알칸올 아민계 화합물, 양자성 글리콜류, 설퍼를 포함하는 아졸계 화합물로 구성된 비교예 1 내지 4의 드라이필름 레지스트 박리액 조성물을 제조하였다. 각 조성물의 함량은 상기 실시예와 유사한 범위이나, 상기 알칸올 아민계 화합물 또는 양자성 글리콜류의 성분을 달리 배합하였다. 각 조성물에 대한 구성성분 및 함량은 하기 표 1에 정리하여 나타내었다.
| 구분 | 구성성분 | 함량 (단위: 중량%) | |||||||
| 암모늄염 | 알칸올아민 | 양자성 글리콜 |
설퍼계 아졸화합물 | 암모늄염 | 알칸올아민 | 양자성 글리콜 |
설퍼계 아졸화합물 | DI 희석 배율 |
|
| 실시예 1 | TMAH | AEEA | BDG | MBI | 30 | 50 | 19 | 1.0 | - |
| 실시예 2 | TMAH | MIPA | BDG | MBO | 30 | 50 | 19 | 1.0 | - |
| 실시예 3 | TMAH | DEA | EDG | BMI | 30 | 50 | 19 | 1.0 | - |
| 실시예 4 | TMAH | DEA | EDG | MBO | 30 | 50 | 19 | 1.0 | - |
| 실시예 5 | TMAH | DEA | PGMBE | MBO | 20 | 60 | 34 | 1.0 | - |
| 실시예 6 | TMAH | DEA | BDG | MBO | 20 | 60 | 34 | 1.0 | - |
| 실시예 7 | TMAH | MIPA | BDG | MBO | 30 | 50 | 19 | 1.0 | 2배 |
| 실시예 8 | TMAH | MIPA | BDG | MBO | 30 | 50 | 19 | 1.0 | 10배 |
| 실시예 9 | TMAH | MIPA | BDG | MBO | 30 | 50 | 19 | 1.0 | 20배 |
| 실시예 10 | TMAH | MIPA | BDG | MBO | 30 | 50 | 19 | 1.0 | 30배 |
| 비교예 1 | TMACl | MEA | EDG | MBO | 30 | 50 | 19 | 1.0 | - |
| 비교예 2 | TMACl | MEA | EG | 4-MI | 30 | 50 | 19 | 1.0 | - |
| 비교예 3 | TMACl | AEE | PG | MBI | 20 | 60 | 34 | 1.0 | - |
| 비교예 4 | TMACl | MIPA | PG | MBI | 20 | 60 | 34 | 1.0 | - |
TMAH : Tetramethylammonium hydroxide
TMACl : Tetramethylammonium chloride
AEEA : 2-Aminoethoxy-ethanol amine
MIPA : Monoisopropanol amine
DEA : Diethanol amine
MEA : Monoethanol amine
BDG : Diethylene glycol monobutyl ether
EDG : Diethylene glycol monoethyl ether
PGMBE : Propylene glycol monobuthyl ether
EG : Etylene glycol
PG : Propylene glycol
MBI : Mercaptobenzimidazole
MBO : Mercaptobezoxazole
4-MI : 4-methyl imidazole
실험예 1. 박리성 평가
상기 일 실시예에서 제조된 박리액 조성물의 드라이필름 박리성을 평가하기 위하여, 패턴 형성을 위한 에칭 및 현상 공정 후, 배선이 형성된 FPCB 기판에서 동 배선 상부막에 드라이필름이 도포된 시편을 제작하고, 이를 박리액 조성물에 침적시켰다.
구체적으로, 박리액 조성물 1ℓl를 비이커에 넣고, 마그네틱바를 사용하여 100 rpm으로 교반하면서 50℃의 온도로 가열하였다. 가열된 박리액 조성물에 드라이필름막(약10μ)이 도포된 시편을 300초 동안 침적하여 상기 드라이필름막을 박리시켰다. 이어서 상기 시편을 꺼내 초순수로 세척, 건조한 후, 드라이필름막의 잔존 여부를 분석하였다.
동 배선의 부식 여부를 판단하기 위하여, 먼저 육안으로 시편의 변색 여부를 확인 후 광학현미경 및 전자주사현미경을 이용하여 부식 유무를 면밀히 분석하고, 그 결과를 하기 표 2 및 도 2 내지 3에 나타내었다.
| 구분 | 실시예 1 | 실시예 2 | 실시예 3 | 실시예 4 | 실시예 5 | 실시예 6 | 실시예 7 | 실시예 8 | 실시예 9 | 실시예10 | 비교예1 | 비교예2 | 비교예3 | 비교예4 |
| 박리성 | O | O | △ | △ | △ | △ | O | O | O | △ | O | O | O | O |
| 부식 | O | △ | O | O | O | O | △ | △ | O | O | X | X | X | X |
[드라이필름 박리에 대한 판단 기준]
육안 및 광학현미경 측정 시,
O : PCB기판 상에서 드라이필름이 완전 박리됨.
△ : PCB기판 상에서 드라이필름이 잔존함.
X : PCB기판 상에서 드라이필름이 확연히 제거되지 않음.
[동 배선 부식에 대한 판단 기준]
육안, 광학현미경 및 전자주사현미경 측정 시,
O : 동배선의 부식 현상 없음.
△ : 동배선의 변색 등이 관찰됨.
X : 동배선의 부식이 확연히 관찰됨.
표 1에서 보는 바와 같이, 본 발명의 실시예 1 및 실시예 9에서 제조된 조성물이 박리성이 우수하면서도 동 배선 부식을 최소화한 가장 우수한 특성을 갖는 것을 확인할 수 있다.
반면, 비교예 1 내지 4에서 제조된 조성물을 이용한 박리 시, 시편의 동 배선의 부식 및 침식 현상이 나타나며, 이러한 결과는 박리성이 강한 알칸올아민으로 테트라메틸암모늄 클로라이드 염으로 인하여, 동 배선의 부식 제어가 어려운 것으로 판단된다.
한편, 실시예 7 내지 10에서 제조된 조성물을 이용한 박리 시, 희석 배율에 따른 차이가 있으며, 희석 배율이 높은 조성물의 경우, 드라이필름의 박리성이 저하되나 부식 제어 측면에서는 유리하며, 반대로 희석배율이 낮은 조성물의 경우, 박리성에서는 우수한 결과를 보이나 부식 제어 측면에서는 불리한 것을 관찰할 수 있다.
아울러, 도 2 내지 3은 본 발명의 일 실시예에서 제조된 조성물의 박리성 정도를 평가하기 위하여, 각 조성물을 이용하여 시편을 박리 처리한 후 시편을 광학현미경 또는 전자주사현미경으로 촬영한 사진이다.
도 2를 참고하면, 박리액 조성물의 박리성을 비교해 볼 때, 실시예 3 대비 실시예 1에서 제조된 조성물을 이용한 박리 시, 드라이 필름이 더 깨끗하게 제거된 것을 볼 수 있다.
또한, 도 3을 참고하면, 박리액 조성물의 부식 정도를 비교해 볼 때, 실시예 4 및 비교예 1에서 제조된 조성물을 이용한 박리 시, 광학현미경 사진으로 볼 때 드라이 필름의 제거는 전반적으로 잘 이루어진 것을 볼 수 있다. 그러나, 비교예 1에서 제조된 조성물을 이용한 박리 시, 주사전자현미경 사진으로 볼 때, 동 배선 부분의 변색 및 표면 거칠기가 증가함에 따라 부식이 더 진행된 것을 확인할 수 있다.
이러한 결과는 본 발명의 일 실시예와 비교예에서 제조된 박리액 조성물 중 알칸올 아민계 화합물 성분 차이에 따른 것으로, 2차 아민과 1차 아민의 폴리머 반응성 차에 따른 영향으로 해석될 수 있다. 상기 비교예 1 에서 제조된 조성물의 경우, 아민의 반응성이 강하여 상기 드라이 필름의 박리성이 우수하나 동시에 부식성 또한 강하기 때문에, 본 발명에서 제안하는 박리성이 우수하면서도 부식을 제어할 수 있는 박리액 조성물로는 부적합하다. 반면, 실시예 1에서 제조된 조성물의 경우, 아민의 반응성이 비교적 안정적이기 때문에 박리성과 부식 방지 효과면에서 우수하다.
이제까지 본 발명에 대하여 그 바람직한 실시예들을 중심으로 살펴보았다. 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 본 발명이 본 발명의 본질적인 특성에서 벗어나지 않는 범위에서 변형된 형태로 구현될 수 있음을 이해할 수 있을 것이다.
Claims (5)
- 테트라메틸암모늄 하이드록사이드(Tetramethylammonium hydroxide, TMAH), 테트라메틸암모늄 펜타플루오로옥세네이트(Tetramethylammonium pentafluoroxenate, TMAPF) 및 이들의 혼합물로 이루어진 군으로부터 선택된 제4급 암모늄염 수용액 10~30중량%, 알칸올 아민계 화합물 30~60중량%, 양자성 극성 유기 용제 10~30중량% 및 설퍼를 포함하는 아졸계 화합물 0.1~5중량%를 포함하는 드라이필름 레지스트 박리액 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 알칸올 아민계 화합물은 모노이소프로판올아민(Monoisopropanolamine, MIPA), 2-아미노-2-메틸-1-프로판올아민(2-Amino-2-methyl-1-propanolamine, AMPA), 2-아미노 에톡시에탄올아민(2-Amino ethoxyethanolamine, AEEA), 트리에탄올아민(triethanolamine, TEA), 모노에탄올아민(Monoethanolamine, MEA) 및 디에탄올아민(Diethanolamine, DEA) 으로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 드라이필름 레지스트 박리액 조성물.
- 제1항에 있어서,
상기 양자성 극성 유기 용제는 에틸렌글리콜(Etylene glycol, EG), 프로필렌글리콜(Propylene glycol, PG), 디에틸렌글리콜모노에틸에테르(Diethylene glycol monoethyl ether, EDG), 디에틸렌글리콜모노부틸에테르(Diethylene glycol monobutyl ether, BDG), 디에틸렌글리콜모노메틸에테르(Diethylene glycol monomethyl ether, MDG), 에틸렌글리콜모노에틸에테르(Ethylene glycol mono ethyl ether, EEG), 프로필렌글리콜모노부에테르(propylene glycol monobutyl ether, PGMBE), 트리프로판올글리콜모노에틸에테르(tripropylene glycol monoethyl ether, TPGMEE) 및 트리에틸렌글리콜모노부틸에테르(Triethylene glycol monobutyl ether, TEGMBE) 로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 드라이필름 레지스트 박리액 조성물.
- 제 1항에 있어서,
상기 설퍼를 포함하는 아졸계 화합물은 메르캅토벤조이미다졸 (Mercaptobenzimidazole, MBI) 메르캅토벤조씨아디아졸(Mercaptobenzothiadiazole, MBT), 메르캅토벤지미다졸(Mercaptobenzimidazole), 메르캅토벤조옥사졸(Mercaptobenzoxazole, MBO), 메르캅토메틸이미다졸(Mercaptomethylimidazole, MMI), 4-메틸이미다졸(4-Methylimidazole, 4-MI) 및 2,5-디메르캅토-1,3,4-씨아디아졸(2,5-Dimercapto-1,3,4-thiadiazole) 로 이루어진 군에서 선택된 어느 하나 이상인 드라이필름 레지스트 박리액 조성물.
- 제 1항에 있어서,
상기 조성물은 초순수와 1:2 내지 1:50의 중량비로 혼합하여 희석한 것인 드라이필름 레지스트 박리액 조성물.
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180044429A KR102224907B1 (ko) | 2018-04-17 | 2018-04-17 | 드라이필름 레지스트 박리액 조성물 |
| US16/487,905 US11092895B2 (en) | 2018-04-17 | 2019-04-16 | Peeling solution composition for dry film resist |
| PCT/KR2019/004560 WO2019203529A1 (ko) | 2018-04-17 | 2019-04-16 | 드라이필름 레지스트 박리액 조성물 |
| EP19752067.9A EP3617801A4 (en) | 2018-04-17 | 2019-04-16 | STRIPPING COMPOSITION FOR DRY FILM RESIST |
| CN201980001421.7A CN110622071A (zh) | 2018-04-17 | 2019-04-16 | 干膜光阻剥离液组合物 |
| JP2019545939A JP6888846B2 (ja) | 2018-04-17 | 2019-04-16 | ドライフィルムレジスト剥離液組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1020180044429A KR102224907B1 (ko) | 2018-04-17 | 2018-04-17 | 드라이필름 레지스트 박리액 조성물 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20190120996A true KR20190120996A (ko) | 2019-10-25 |
| KR102224907B1 KR102224907B1 (ko) | 2021-03-09 |
Family
ID=68239787
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020180044429A KR102224907B1 (ko) | 2018-04-17 | 2018-04-17 | 드라이필름 레지스트 박리액 조성물 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11092895B2 (ko) |
| EP (1) | EP3617801A4 (ko) |
| JP (1) | JP6888846B2 (ko) |
| KR (1) | KR102224907B1 (ko) |
| CN (1) | CN110622071A (ko) |
| WO (1) | WO2019203529A1 (ko) |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR102444014B1 (ko) | 2019-02-05 | 2022-09-15 | 가부시키가이샤 도쿠야마 | 실리콘 에칭액 및 상기 에칭액을 이용한 실리콘 디바이스의 제조방법 |
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| KR100364885B1 (ko) | 1997-10-16 | 2003-05-09 | 도오꾜오까고오교 가부시끼가이샤 | 포토레지스트용박리액조성물및이를이용한포토레지스트박리방법 |
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| KR20170100974A (ko) * | 2016-02-26 | 2017-09-05 | 삼영순화(주) | 포토레지스트 박리액 조성물 |
Family Cites Families (24)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP3372903B2 (ja) | 1999-06-21 | 2003-02-04 | ニチゴー・モートン株式会社 | フォトレジスト剥離剤 |
| KR100518714B1 (ko) | 2002-02-19 | 2005-10-05 | 주식회사 덕성 | 레지스트 박리액 조성물 |
| JP4159929B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2008-10-01 | 花王株式会社 | レジスト用剥離剤組成物 |
| US7384900B2 (en) * | 2003-08-27 | 2008-06-10 | Lg Display Co., Ltd. | Composition and method for removing copper-compatible resist |
| KR101488265B1 (ko) * | 2007-09-28 | 2015-02-02 | 삼성디스플레이 주식회사 | 박리 조성물 및 박리 방법 |
| JP2010121148A (ja) | 2008-11-17 | 2010-06-03 | Ube Ind Ltd | ビアリール化合物を含有する防食剤又は剥離剤。 |
| CN102422228B (zh) * | 2009-05-07 | 2015-01-21 | 巴斯夫欧洲公司 | 抗蚀剂剥离组合物和生产电气装置的方法 |
| US8110535B2 (en) | 2009-08-05 | 2012-02-07 | Air Products And Chemicals, Inc. | Semi-aqueous stripping and cleaning formulation for metal substrate and methods for using same |
| KR20110049066A (ko) | 2009-11-04 | 2011-05-12 | 동우 화인켐 주식회사 | 컬러 레지스트 박리액 조성물 |
| JP5498768B2 (ja) | 2009-12-02 | 2014-05-21 | 東京応化工業株式会社 | リソグラフィー用洗浄液及び配線形成方法 |
| KR101089211B1 (ko) | 2010-12-02 | 2011-12-02 | 엘티씨 (주) | 1차 알칸올 아민을 포함하는 ｌｃｄ 제조용 포토레지스트 박리액 조성물 |
| CN102411269A (zh) * | 2011-11-18 | 2012-04-11 | 西安东旺精细化学有限公司 | 光致抗蚀剂膜的剥离液组合物 |
| US20140100151A1 (en) | 2012-10-08 | 2014-04-10 | Air Products And Chemicals Inc. | Stripping and Cleaning Compositions for Removal of Thick Film Resist |
| JP2014157339A (ja) | 2013-02-18 | 2014-08-28 | Lion Corp | レジスト剥離剤組成物 |
| KR101420571B1 (ko) | 2013-07-05 | 2014-07-16 | 주식회사 동진쎄미켐 | 드라이필름 레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 드라이필름 레지스트의 제거방법 |
| JP2015018957A (ja) | 2013-07-11 | 2015-01-29 | 株式会社日立ハイテクノロジーズ | 半導体処理液、及びそれを用いた処理方法 |
| JP6464578B2 (ja) * | 2013-08-01 | 2019-02-06 | 三菱瓦斯化学株式会社 | プリント配線板の製造方法 |
| JP6277511B2 (ja) | 2013-10-18 | 2018-02-14 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | レジスト剥離液 |
| TWI690780B (zh) * | 2014-12-30 | 2020-04-11 | 美商富士軟片電子材料美國股份有限公司 | 用於自半導體基板去除光阻之剝離組成物 |
| KR101567407B1 (ko) | 2015-03-27 | 2015-11-10 | 주식회사 심텍 | 열경화성 솔더마스크 제거용 조성물과 이를 이용한 레지스트 패턴의 형성 방법 |
| KR102183400B1 (ko) * | 2015-06-23 | 2020-11-26 | 주식회사 이엔에프테크놀로지 | 세정액 조성물 |
| KR20170097256A (ko) | 2016-02-17 | 2017-08-28 | 삼성전기주식회사 | 드라이필름 레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 드라이필름 레지스트의 제거방법 |
| KR102508822B1 (ko) | 2016-04-28 | 2023-03-10 | (주)덕산테코피아 | 포토레지스트 박리액 조성물 |
| WO2017195453A1 (ja) | 2016-05-13 | 2017-11-16 | 株式会社Ｊｃｕ | レジストの剥離液 |
-
2018
- 2018-04-17 KR KR1020180044429A patent/KR102224907B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-04-16 WO PCT/KR2019/004560 patent/WO2019203529A1/ko unknown
- 2019-04-16 EP EP19752067.9A patent/EP3617801A4/en not_active Withdrawn
- 2019-04-16 CN CN201980001421.7A patent/CN110622071A/zh active Pending
- 2019-04-16 US US16/487,905 patent/US11092895B2/en active Active
- 2019-04-16 JP JP2019545939A patent/JP6888846B2/ja active Active
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| KR20170100974A (ko) * | 2016-02-26 | 2017-09-05 | 삼영순화(주) | 포토레지스트 박리액 조성물 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP6888846B2 (ja) | 2021-06-16 |
| JP2020519915A (ja) | 2020-07-02 |
| WO2019203529A1 (ko) | 2019-10-24 |
| US11092895B2 (en) | 2021-08-17 |
| US20200272056A1 (en) | 2020-08-27 |
| CN110622071A (zh) | 2019-12-27 |
| EP3617801A1 (en) | 2020-03-04 |
| EP3617801A4 (en) | 2020-12-23 |
| KR102224907B1 (ko) | 2021-03-09 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant |