JP2020519915A - ドライフィルムレジスト剥離液組成物 - Google Patents
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- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 127
- WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M tetramethylammonium hydroxide Chemical compound [OH-].C[N+](C)(C)C WGTYBPLFGIVFAS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 48
- -1 amine compound Chemical class 0.000 claims description 25
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 21
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N Sulfur Chemical compound [S] NINIDFKCEFEMDL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 229910052717 sulfur Inorganic materials 0.000 claims description 18
- 239000011593 sulfur Substances 0.000 claims description 18
- KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 1H-pyrrole Natural products C=1C=CNC=1 KAESVJOAVNADME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical group OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 150000003242 quaternary ammonium salts Chemical class 0.000 claims description 15
- FLFWJIBUZQARMD-UHFFFAOYSA-N 2-mercapto-1,3-benzoxazole Chemical compound C1=CC=C2OC(S)=NC2=C1 FLFWJIBUZQARMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 14
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 claims description 13
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 claims description 13
- YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 1,3-dihydrobenzimidazole-2-thione Chemical compound C1=CC=C2NC(S)=NC2=C1 YHMYGUUIMTVXNW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 1-aminopropan-2-ol Chemical compound CC(O)CN HXKKHQJGJAFBHI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N diethanolamine Chemical compound OCCNCCO ZBCBWPMODOFKDW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 239000003495 polar organic solvent Substances 0.000 claims description 10
- 229940028356 diethylene glycol monobutyl ether Drugs 0.000 claims description 7
- JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N oxolane-2,4-dione Chemical compound O=C1COC(=O)C1 JCGNDDUYTRNOFT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- QQWOBTZNLVCPMY-UHFFFAOYSA-N 1,2,3-benzothiadiazole-4-thiol Chemical compound SC1=CC=CC2=C1N=NS2 QQWOBTZNLVCPMY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 1-butoxypropan-2-ol Chemical compound CCCCOCC(C)O RWNUSVWFHDHRCJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- FQXRXTUXSODUFZ-UHFFFAOYSA-N 1h-imidazol-2-ylmethanethiol Chemical compound SCC1=NC=CN1 FQXRXTUXSODUFZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-butoxyethoxy)ethoxy]ethanol Chemical compound CCCCOCCOCCOCCO COBPKKZHLDDMTB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- DEJNSFSRLMHALC-UHFFFAOYSA-N 2-amino-1-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOC(O)CN DEJNSFSRLMHALC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 2-ethoxyethanol Chemical compound CCOCCO ZNQVEEAIQZEUHB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N Triethanolamine Chemical compound OCCN(CCO)CCO GSEJCLTVZPLZKY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 claims description 4
- MGRVRXRGTBOSHW-UHFFFAOYSA-N (aminomethyl)phosphonic acid Chemical compound NCP(O)(O)=O MGRVRXRGTBOSHW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- FMVOPJLFZGSYOS-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-ethoxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CCOC(C)COC(C)COC(C)CO FMVOPJLFZGSYOS-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 2-[2-(2-hydroxypropoxy)propoxy]propan-1-ol Chemical compound CC(O)COC(C)COC(C)CO LCZVSXRMYJUNFX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- BTVHBWGDJWUNKL-UHFFFAOYSA-N SC=1SC(=NN1)S.SC=1SC(=NN1)S Chemical compound SC=1SC(=NN1)S.SC=1SC(=NN1)S BTVHBWGDJWUNKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 150000003851 azoles Chemical class 0.000 claims description 3
- QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N tetramethylammonium Chemical compound C[N+](C)(C)C QEMXHQIAXOOASZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 2
- HXMVNCMPQGPRLN-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxyputrescine Chemical compound NCCC(O)CN HXMVNCMPQGPRLN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- ZAOSVPLMYOIGOB-UHFFFAOYSA-N 5-methyl-1H-imidazole Chemical compound CC=1N=CNC1.CC=1N=CNC1 ZAOSVPLMYOIGOB-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N methylimidazole Natural products CC1=CNC=N1 XLSZMDLNRCVEIJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 12
- 238000010586 diagram Methods 0.000 abstract 1
- 150000003071 polychlorinated biphenyls Chemical class 0.000 abstract 1
- 238000000034 method Methods 0.000 description 44
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 41
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 41
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 37
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 31
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 31
- 230000008569 process Effects 0.000 description 28
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 25
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 25
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 16
- OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M N,N,N-Trimethylmethanaminium chloride Chemical compound [Cl-].C[N+](C)(C)C OKIZCWYLBDKLSU-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 15
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 15
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 13
- 101001045744 Sus scrofa Hepatocyte nuclear factor 1-beta Proteins 0.000 description 12
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 12
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 12
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 12
- 239000012895 dilution Substances 0.000 description 9
- 238000010790 dilution Methods 0.000 description 9
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 8
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 description 8
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 8
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 8
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 7
- 101001134276 Homo sapiens S-methyl-5'-thioadenosine phosphorylase Proteins 0.000 description 6
- 102100022050 Protein canopy homolog 2 Human genes 0.000 description 6
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 6
- 238000005536 corrosion prevention Methods 0.000 description 6
- 150000002443 hydroxylamines Chemical class 0.000 description 6
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 6
- 230000009257 reactivity Effects 0.000 description 6
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 4
- 238000007865 diluting Methods 0.000 description 4
- 238000003912 environmental pollution Methods 0.000 description 4
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 4
- 238000000879 optical micrograph Methods 0.000 description 4
- 230000003405 preventing effect Effects 0.000 description 4
- 239000012266 salt solution Substances 0.000 description 4
- 230000008961 swelling Effects 0.000 description 4
- 238000002845 discoloration Methods 0.000 description 3
- 230000003628 erosive effect Effects 0.000 description 3
- WZZBNLYBHUDSHF-DHLKQENFSA-N 1-[(3s,4s)-4-[8-(2-chloro-4-pyrimidin-2-yloxyphenyl)-7-fluoro-2-methylimidazo[4,5-c]quinolin-1-yl]-3-fluoropiperidin-1-yl]-2-hydroxyethanone Chemical compound CC1=NC2=CN=C3C=C(F)C(C=4C(=CC(OC=5N=CC=CN=5)=CC=4)Cl)=CC3=C2N1[C@H]1CCN(C(=O)CO)C[C@@H]1F WZZBNLYBHUDSHF-DHLKQENFSA-N 0.000 description 2
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 2
- 230000009471 action Effects 0.000 description 2
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 2
- 230000010485 coping Effects 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000011161 development Methods 0.000 description 2
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- 238000006056 electrooxidation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000007613 environmental effect Effects 0.000 description 2
- 238000011156 evaluation Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M hydroxide Chemical compound [OH-] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 description 2
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 2
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 150000003141 primary amines Chemical class 0.000 description 2
- 238000001878 scanning electron micrograph Methods 0.000 description 2
- 150000003335 secondary amines Chemical class 0.000 description 2
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 2
- 238000003756 stirring Methods 0.000 description 2
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 2
- 230000001988 toxicity Effects 0.000 description 2
- 231100000419 toxicity Toxicity 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
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- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
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- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
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- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
- C11D7/32—Organic compounds containing nitrogen
- C11D7/3218—Alkanolamines or alkanolimines
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
- C11D7/22—Organic compounds
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- C11—ANIMAL OR VEGETABLE OILS, FATS, FATTY SUBSTANCES OR WAXES; FATTY ACIDS THEREFROM; DETERGENTS; CANDLES
- C11D—DETERGENT COMPOSITIONS; USE OF SINGLE SUBSTANCES AS DETERGENTS; SOAP OR SOAP-MAKING; RESIN SOAPS; RECOVERY OF GLYCEROL
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- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
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Abstract
Description
(1)水溶液状態でのアミンと銅の腐食反応
RNH2+H2O→RNH3+OH−
Cu2++2OH−→Cu(OH)2(s)
Cu(OH)(s)+ 4RNH3+→[Cu(RNH2)4]
(2)有機溶液状態でのアミンと銅の腐食反応
Cu+4RNH2→Cu(RNH2)4
第4級アンモニウム塩水溶液としてのテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、アルカノールアミン系化合物、プロトン性グリコール類、サルファーを含むアゾール系化合物で構成された実施例1乃至10のドライフィルムレジスト剥離液組成物を製造した。各組成物の構成成分および含量は、下の表1にまとめて示した。
第4級アンモニウム塩水溶液としてのテトラメチルアンモニウムクロリド水溶液、アルカノールアミン系化合物、プロトン性グリコール類、サルファーを含むアゾール系化合物で構成された比較例1乃至4のドライフィルムレジスト剥離液組成物を製造した。各組成物の含量は上記実施例と類似の範囲であるが、上記アルカノールアミン系化合物又はプロトン性グリコール類の成分を異にして配合した。各組成物に対する構成成分および含量は、下の表1にまとめて示した。
上記一実施例で製造された剥離液組成物のドライフィルム剥離性を評価するために、パターン形成のためのエッチング及び現像工程の後、配線の形成されたFPCB基板で銅配線上部膜にドライフィルムが塗布された試験片を製作し、これを剥離液組成物に浸漬させた。
(1)水溶液状態でのアミンと銅の腐食反応
RNH2+H2O→RNH3+OH−
Cu2++2OH−→Cu(OH)2(s)
Cu(OH)(s)+ 4RNH3+→[Cu(RNH2)4]
(2)有機溶液状態でのアミンと銅の腐食反応
Cu+4RNH2→Cu(RNH2)4
第4級アンモニウム塩水溶液としてのテトラメチルアンモニウムヒドロキシド水溶液、アルカノールアミン系化合物、プロトン性グリコール類、サルファーを含むアゾール系化合物で構成された実施例1乃至10のドライフィルムレジスト剥離液組成物を製造した。各組成物の構成成分および含量は、下の表1にまとめて示した。
第4級アンモニウム塩水溶液としてのテトラメチルアンモニウムクロリド水溶液、アルカノールアミン系化合物、プロトン性グリコール類、サルファーを含むアゾール系化合物で構成された比較例1乃至4のドライフィルムレジスト剥離液組成物を製造した。各組成物の含量は上記実施例と類似の範囲であるが、上記アルカノールアミン系化合物又はプロトン性グリコール類の成分を異にして配合した。各組成物に対する構成成分および含量は、下の表1にまとめて示した。
上記一実施例で製造された剥離液組成物のドライフィルム剥離性を評価するために、パターン形成のためのエッチング及び現像工程の後、配線の形成されたFPCB基板で銅配線上部膜にドライフィルムが塗布された試験片を製作し、これを剥離液組成物に浸漬させた。
肉眼および光学顕微鏡測定時
○:PCB基板上でドライフィルムが完全剥離される。
△:PCB基板上でドライフィルムが残存する。
×:PCB基板上でドライフィルムが全然除去されていない。
肉眼、光学顕微鏡及び走査電子顕微鏡測定時
○:銅配線の腐食現象なし。
△:銅配線の変色などが観察される。
×:銅配線の腐食が明白に観察される。
Claims (5)
- テトラメチルアンモニウムヒドロキシド(Tetramethylammonium hydroxide, TMAH)、ペンタフルオロキセノン酸テトラメチルアンモニウム(Tetramethylammonium pentafluoroxenate, TMAPF)、及びこれらの混合物からなる群より選ばれた第4級アンモニウム塩水溶液10〜30重量%、アルカノールアミン系化合物30〜60重量%、プロトン性(陽性子性)極性有機溶剤10〜30重量%、およびサルファーを含むアゾール系化合物0.1〜5重量%を含む、ドライフィルムレジスト剥離液組成物。
- 上記アルカノールアミン系化合物は、モノイソプロパノールアミン(Monoisopropanolamine, MIPA)、2−アミノ−2−メチル−1−プロパノールアミン(2-Amino-2-methyl-1-propanolamine,AMPA)、2−アミノエトキシエタノールアミン(2-Amino ethoxyethanolamine,AEEA)、トリエタノールアミン(Triethanolamine,TEA)、モノエタノールアミン(Monoethanolamine,MEA)、及びジエタノールアミン(Diethanolamine,DEA)からなる群より選択された何れか一つ以上である、請求項1に記載のドライフィルムレジスト剥離液組成物。
- 上記プロトン性極性有機溶剤は、エチレングリコール(Etylene glycol,EG)、プロピレングリコール(Propylene glycol, PG)、ジエチレングリコールモノエチルエーテル(Diethylene glycol monoethyl ether, EDG)、ジエチレングリコールモノブチルエーテル(Diethylene glycol monobutyl ether,BDG)、ジエチレングリコールモノメチルエーテル(Diethylene glycol monomethyl ether,MDG)、エチレンクリゴールモノエチルエーテル(Ethylene glycol monoethyl ether, EEG)、プロピレングリコールモノブチルエーテル(Propylene glycol monobutyl ether,PGMBE)、トリプロピレングリコールモノエチルエーテル(Tripropylene glycol monoethyl ether,TPGMEE)、およびトリエチレングリコールモノブチルエーテル(Triethylene glycol monobutyl ether,TEGMBE)からなる群より選ばれた何れか一つ以上である、請求項1に記載のドライフィルムレジスト剥離液組成物。
- 上記サルファーを含むアゾール系化合物は、メルカプトベンゾイミダゾール(Mercaptobenzimidazole,MBI)、メルカプトベンゾチアジアゾール(Mercaptobenzothiadiazole,MBT)、メルカプトベンゾオキサゾール(Mercaptobenzoxazole,MBO)、メルカプトメチルイミダゾール(Mercaptomethylimidazole,MMI)、4−メチルイミダゾール(4-Methylimidazole,4-MI)、および2,5−ジメルカプト−1,3,4−チアジアゾール(2,5-Dimercapto-1,3,4-thiadiazole)からなる群より選択された何れか一つ以上である、請求項1に記載のドライフィルムレジスト剥離液組成物。
- 上記の組成物を超純水と1:2乃至1:50の重量比で混合して希釈することを特徴とする、請求項1に記載のドライフィルムレジスト剥離液組成物。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR10-2018-0044429 | 2018-04-17 | ||
KR1020180044429A KR102224907B1 (ko) | 2018-04-17 | 2018-04-17 | 드라이필름 레지스트 박리액 조성물 |
PCT/KR2019/004560 WO2019203529A1 (ko) | 2018-04-17 | 2019-04-16 | 드라이필름 레지스트 박리액 조성물 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2020519915A true JP2020519915A (ja) | 2020-07-02 |
JP6888846B2 JP6888846B2 (ja) | 2021-06-16 |
Family
ID=68239787
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2019545939A Active JP6888846B2 (ja) | 2018-04-17 | 2019-04-16 | ドライフィルムレジスト剥離液組成物 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US11092895B2 (ja) |
EP (1) | EP3617801A4 (ja) |
JP (1) | JP6888846B2 (ja) |
KR (1) | KR102224907B1 (ja) |
CN (1) | CN110622071A (ja) |
WO (1) | WO2019203529A1 (ja) |
Families Citing this family (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102444014B1 (ko) | 2019-02-05 | 2022-09-15 | 가부시키가이샤 도쿠야마 | 실리콘 에칭액 및 상기 에칭액을 이용한 실리콘 디바이스의 제조방법 |
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JP3773227B2 (ja) | 1997-10-16 | 2006-05-10 | 東京応化工業株式会社 | レジスト用剥離液組成物およびこれを用いたレジスト剥離方法 |
KR100518714B1 (ko) | 2002-02-19 | 2005-10-05 | 주식회사 덕성 | 레지스트 박리액 조성물 |
JP4159929B2 (ja) * | 2003-05-28 | 2008-10-01 | 花王株式会社 | レジスト用剥離剤組成物 |
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2018
- 2018-04-17 KR KR1020180044429A patent/KR102224907B1/ko active IP Right Grant
-
2019
- 2019-04-16 US US16/487,905 patent/US11092895B2/en active Active
- 2019-04-16 WO PCT/KR2019/004560 patent/WO2019203529A1/ko unknown
- 2019-04-16 EP EP19752067.9A patent/EP3617801A4/en not_active Withdrawn
- 2019-04-16 CN CN201980001421.7A patent/CN110622071A/zh active Pending
- 2019-04-16 JP JP2019545939A patent/JP6888846B2/ja active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
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CN110622071A (zh) | 2019-12-27 |
EP3617801A4 (en) | 2020-12-23 |
KR102224907B1 (ko) | 2021-03-09 |
US20200272056A1 (en) | 2020-08-27 |
US11092895B2 (en) | 2021-08-17 |
JP6888846B2 (ja) | 2021-06-16 |
WO2019203529A1 (ko) | 2019-10-24 |
KR20190120996A (ko) | 2019-10-25 |
EP3617801A1 (en) | 2020-03-04 |
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