JP2015014791A - ドライフィルムレジスト剥離剤組成物及びそれを用いたドライフィルムレジストの除去方法 - Google Patents

ドライフィルムレジスト剥離剤組成物及びそれを用いたドライフィルムレジストの除去方法 Download PDF

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Abstract

【課題】ドライフィルムレジストを完全に除去するとともに、金属層の腐食を防止することができ、且つ剥離剤の再使用が可能であるドライフィルムレジスト剥離剤組成物及びそれを用いたドライフィルムレジストの除去方法の提供。【解決手段】ヒドロキシド系化合物と、鎖状アミン化合物と、トリアゾール化合物と、純水と、を含むドライフィルムレジスト剥離剤組成物。及び、所定の回路パターン１０が形成された基板１００上にドライフィルム２０をラミネートする段階と、前記ラミネートされたドライフィルム２０を部分的に露光する段階と、ドライフィルム非露光部２１を現像及び除去することで開口部を形成する段階と、前記開口部が形成された回路パターン１０上に半田ボール３０を設ける段階と、前記ドライフィルムレジスト剥離剤組成物をドライフィルム露光部２２に接触させる段階と、を含むドライフィルムレジストの除去方法。【選択図】図１

Description

本発明は、ドライフィルムレジスト剥離剤組成物及びそれを用いたドライフィルムレジストの除去方法に関する。
ボールグリッドアレイ（Ｂａｌｌ Ｇｒｉｄ Ａｒｒａｙ、ＢＧＡ）製品の高性能化、小型化、及び薄膜化の要求の増大により、フリップチップチップスケールパッケージ（Ｆｌｉｐ Ｃｈｉｐ Ｃｈｉｐ Ｓｃａｌｅ Ｐａｃｋａｇｅ、ＦＣＣＳＰ）が開発されており、優れた性能のため、その需要が徐々に増大する傾向にある。
ＦＣＣＳＰは、チップ（ｃｈｉｐ）と印刷回路基板（Ｐｒｉｎｔｅｄ Ｃｉｒｃｕｉｔ Ｂｏａｒｄ、ＰＣＢ）とをワイヤボンディング（ｗｉｒｅ ｂｏｎｄｉｎｇ）でなくバンプ（ｂｕｍｐ）を用いて連結する方式を利用する。
一方、従来は、メタルマスク印刷（Ｍｅｔａｌ Ｍａｓｋ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ、ＭＭＰ）法を用いてバンプを製作していたが、最近、バンプピッチ（ｐｉｔｃｈ）の微細化及び生産性の確保のために、ドライフィルムレジスト（Ｄｒｙ Ｆｉｌｍ Ｒｅｓｉｓｔ、ＤＦＲ）を用いたブルーステンシル印刷（Ｂｌｕｅ Ｓｔｅｎｃｉｌ Ｐｒｉｎｔｉｎｇ、ＢＳＰ）法が開発された。
前記ＢＳＰ法は、バンプの形成や生産性の確保には有利であるが、ドライフィルム及び強アルカリ溶液を使用する場合、ＭＭＰ法に比べ有機物の汚染不良が増加し、金属が損傷するなどの問題点があった。したがって、このＢＳＰ法に適する新しい剥離剤の開発が強く要求されている状況である。
一方、特許文献１には、印刷回路基板用剥離剤組成物が開示されているが、ドライフィルムレジストでなく、フォトレジストを剥離するためのものであって、除去物質を完全に除去できず、基板上に残渣が残るという問題点があった。
韓国公開特許第２０００−００４６４８０号公報
そこで、本発明者らは、ヒドロキシド系化合物、鎖状アミン化合物、及びトリアゾール化合物を含むドライフィルムレジスト剥離剤組成物を提供することにより、基板上のドライフィルムレジスト残渣が残ることを防止し、金属層の腐食を最小化することができることを見出し、本発明を成すに至った。
したがって、本発明の第１の目的は、基板上のドライフィルムレジスト残渣を完全に除去するとともに、金属層の腐食を最小化するために、ヒドロキシド系化合物、鎖状アミン化合物、及びトリアゾール化合物を含むドライフィルムレジスト剥離剤組成物を提供することにある。
本発明の第２の目的は、前記ドライフィルムレジスト剥離剤組成物を用いてドライフィルムレジストを除去する方法を提供することにある。
前記第１の目的を達成するための本発明の代表的な具現例によるドライフィルムレジスト剥離剤組成物（以下、「第１発明」）は、ヒドロキシド系化合物と、鎖状アミン化合物と、トリアゾール化合物と、純水（Ｈ２Ｏ）と、を含む。
第１発明において、前記組成物は、０．５〜１５重量％のヒドロキシド系化合物、１〜４０重量％の鎖状アミン化合物、０．５〜５重量％のトリアゾール化合物、及び残部の純水を含有することを特徴とする。
第１発明において、前記組成物は、０．５〜５重量％のヒドロキシド系化合物、５〜１５重量％の鎖状アミン化合物、０．５〜５重量％のトリアゾール化合物、及び残部の純水を含有することを特徴とする。
第１発明において、前記組成物は、グリコール、有機酸、界面活性剤、有機溶媒、消泡剤、またはこれらの混合物をさらに含むことを特徴とする。
第１発明において、前記ヒドロキシド系化合物は、無機アルカリヒドロキシドまたはアルキルアンモニウムヒドロキシドであることを特徴とする。
第１発明において、前記アルキルアンモニウムヒドロキシドは、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキシド、またはこれらの混合物であることを特徴とする。
第１発明において、前記アルキルアンモニウムヒドロキシドは、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドであることを特徴とする。
第１発明において、前記鎖状アミン化合物は、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、プロパノールアミン、ジプロパノールアミン、トリプロパノールアミン、イソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノールアミン、及びＮ−メチルエタノールアミンからなる群から選択される一つ以上であることを特徴とする。
第１発明において、前記鎖状アミン化合物は、モノエタノールアミンであることを特徴とする。
第１発明において、前記トリアゾール化合物は、トリルトリアゾールであることを特徴とする。
第１発明において、前記純水（Ｈ２Ｏ）は、１８（ＭΩ）以上の比抵抗を有することを特徴とする。
本発明の第２の目的を達成するためのドライフィルムレジストの除去方法（以下、「第２発明」）は、所定の回路パターンが形成された基板上にドライフィルムをラミネートする段階と、前記ラミネートされたドライフィルムを部分的に露光することでドライフィルム露光部及びドライフィルム非露光部を形成する段階と、前記ドライフィルム露光部を現像及び除去することで開口部を形成する段階と、前記開口部が形成された回路パターン上に半田ボールを設ける段階と、前記本発明の多様な具現例によるドライフィルムレジスト剥離剤組成物を前記ドライフィルム非露光部に接触させる段階と、を含む。
第２発明において、前記ドライフィルムレジストの除去方法は、前記接触させる段階の後に、ドライフィルムレジスト残渣を水洗する段階をさらに含むことを特徴とする。
本発明の多様な具現例によるドライフィルムレジスト剥離剤組成物は、前記剥離剤と接触される金属層の腐食を最小化するとともに、ドライフィルムレジストを完全に除去することができる、優れた効果を有する。
本発明の一具現例によるドライフィルムレジスト剥離剤組成物を用いてドライフィルムレジストを除去する方法を示す工程図である。 通常の金パッド（Ａｕ ｐａｄ）を示す写真である。 本発明の実施例３によるドライフィルムレジスト剥離液を用いて金パッド上のドライフィルムレジストを剥離した結果を示す写真である。 本発明の比較例２によるドライフィルムレジスト剥離液を用いて金パッド上のドライフィルムレジストを剥離した結果を示す写真である。 通常の半田ボール（Ｓｎ／Ｐｂ）を示す写真である。 本発明の実施例３によるドライフィルムレジスト剥離液を用いてドライフィルムレジストを除去した後の半田ボール表面の腐食有無を測定した結果を示す写真である。 本発明の比較例２によるドライフィルムレジスト剥離液を用いてドライフィルムレジストを除去した後の半田ボール表面の腐食有無を測定した結果を示す写真である。 通常の銅パッド（Ｃｕ ｐａｄ）を示す写真である。 本発明の実施例３によるドライフィルムレジスト剥離液を用いてドライフィルムレジストを除去した後の銅パッド表面の腐食有無を測定した結果を示す写真である。 本発明の比較例２によるドライフィルムレジスト剥離液を用いてドライフィルムレジストを除去した後の銅パッド表面の腐食有無を測定した結果を示す写真である。
本発明の目的、特定の長所及び新規の特徴は、添付図面に係る以下の詳細な説明及び好ましい実施例によってさらに明らかになるであろう。本明細書において、各図面の構成要素に参照番号を付け加えるに際し、同一の構成要素に限っては、たとえ異なる図面に示されても、できるだけ同一の番号を付けるようにしていることに留意しなければならない。また、「一面」、「他面」、「第１」、「第２」などの用語は、一つの構成要素を他の構成要素から区別するために用いられるものであり、構成要素が前記用語によって限定されるものではない。以下、本発明を説明するにあたり、本発明の要旨を不明瞭にする可能性がある係る公知技術についての詳細な説明は省略する。
以下、添付図面を参照して、本発明の好ましい実施例を詳細に説明する。
本発明の代表的な具現例によるドライフィルムレジスト剥離剤組成物は、ヒドロキシド系化合物と、鎖状アミン化合物と、トリアゾール化合物と、純水と、を含む。
（ヒドロキシド系化合物）
本発明の代表的な具現例によるドライフィルムレジスト剥離剤組成物中のヒドロキシド系化合物は、無機アルカリヒドロキシドまたはアルキルアンモニウムヒドロキシドである。前記アルキルアンモニウムヒドロキシドとしては、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド（Ｔｅｔｒａｅｔｈｙｌ ａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（Ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ ａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド（Ｔｅｔｒａｂｕｔｙｌ ａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキシド（ｔｒｉｍｅｔｈｙｌｂｅｎｚｉｌ ａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）、またはこれらの混合物を用いることができ、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドを用いることが最も好適である。
前記剥離剤組成物中のヒドロキシド系化合物は、特に制限されないが、０．５〜１５重量％含有させることができ、特に、０．５〜５重量％含有させることが好適である。前記ヒドロキシド系化合物の使用量が０．５重量％未満であると、ドライフィルムレジストを構成している高分子物質への浸透能力が劣るため、前記ドライフィルムレジストを完全に除去することが困難となる恐れがあり、１５重量％を超過すると、ドライフィルムレジストの除去時間が長くなって、金属膜が腐食するなどの悪影響を与える恐れがある。
（鎖状アミン化合物）
本発明の代表的な具現例によるドライフィルムレジスト剥離剤組成物中の鎖状アミン化合物としては、モノエタノールアミン（ｍｏｎｏｅｔｈａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）、ジエタノールアミン（ｄｉｅｔｈａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）、トリエタノールアミン（ｔｒｉｅｔｈａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）、プロパノールアミン（ｐｒｏｐａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）、ジプロパノールアミン（ｄｉｐｒｏｐａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）、トリプロパノールアミン（ｔｒｉｐｒｏｐａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）、イソプロパノールアミン（ｉｓｏｐｒｏｐａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）、ジイソプロパノールアミン（ｄｉｉｓｏｐｒｏｐａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）、トリイソプロパノールアミン（ｔｒｉｉｓｏｐｒｏｐａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）、２−（２−アミノエトキシ）エタノール（２−（２−ａｍｉｎｏｅｔｈｏｘｙ）ｅｔｈａｎｏｌ）、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール（２−（２−ａｍｉｎｏｅｔｈｙｌａｍｉｎｏ）ｅｔｈａｎｏｌ）、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン（Ｎ，Ｎ−ｄｉｍｅｔｈｙｌｅｔｈａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン（Ｎ，Ｎ−ｄｉｅｔｈｙｌｅｔｈａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）、Ｎ−メチルエタノールアミン（Ｎ−ｍｅｔｈｙｌｅｔｈａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）、Ｎ−エチルエタノールアミン（Ｎ−ｅｔｈｙｌｅｔｈａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）、Ｎ−ブチルエタノールアミン（Ｎ−ｂｕｔｙｌｅｔｈａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）、及びＮ−メチルエタノールアミン（Ｎ−ｍｅｔｈｙｌｅｔｈａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）からなる群から選択される一つ以上を用いることができ、モノエタノールアミンを用いることが最も好適である。
前記剥離剤組成物中の鎖状アミン化合物は、特に制限されないが、１〜４０重量％含有させることができ、特に、５〜１５重量％含有させることが好適である。前記鎖状アミン化合物の使用量が１重量％未満であると、ドライフィルムレジストを完全に除去することが困難となる恐れがあり、４０重量％を超過すると、前記剥離剤組成物に含有される他の物質の含量が減少するため、ドライフィルムレジストの除去時間が長くなって、金属膜が腐食する恐れがある。
（トリアゾール化合物）
本発明の代表的な具現例によるドライフィルムレジスト剥離剤組成物中のトリアゾール化合物は、腐食防止剤として用いられるものであって、前記トリアゾール化合物に含有されている官能基が金属膜に化学的または物理的に結合する。前記トリアゾール化合物により、電解質の役割をする剥離剤と金属膜との間で電子が交換されることが根本的に防止されるため、金属膜が酸化されず、腐食が発生しない。前記トリアゾール化合物としては、トリルトリアゾール（ｔｏｌｙｌｔｒｉａｚｏｌｅ）を用いることが最も好適である。
前記剥離剤組成物中のトリアゾール化合物は、特に制限されないが、０．５〜５重量％含有させることが好適である。前記トリアゾール化合物の使用量が０．５重量％未満であると、アミン化合物が含有されたドライフィルムレジスト剥離液で腐食防止の役割を果たすことができない恐れがあり、５重量％を超過すると、前記剥離剤組成物に含有される他の物質の含量が減少するため、ドライフィルムレジストを完全に除去できず、経済性が低下する恐れがある。
（純水（Ｈ２Ｏ））
本発明の代表的な具現例によるドライフィルムレジスト剥離剤組成物中の純水としては、イオン交換樹脂によって濾過された純水を用いることができ、１８（ＭΩ）以上の比抵抗を有することが好適である。
前記剥離剤組成物中の純水の使用量は、特に制限されないが、上述の他の組成物の組成比に影響を与えない程度の量を用いることができる。
ドライフィルムレジスト剥離剤組成物は、本発明の効果を損なわない範囲内で、他の成分をさらに含むことができる。この成分として、グリコール、有機酸、界面活性剤、有機溶媒、消泡剤、またはこれらの混合物を含むことができる。
前記グリコールとしては、エチレングリコールモノブチルエーテル（ｅｔｈｙｌｅｎｅｇｌｙｃｏｌ ｍｏｎｏｂｕｔｙｌ ｅｔｈｅｒ）、ジエチレングリコールモノメチルエーテル（ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ ｍｏｎｏｍｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒ）、ジエチレングリコールモノブチルエーテル（ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ ｍｏｎｏｂｕｔｙｌｅｔｈｅｒ）、ジエチレングリコールモノエチルエーテル（ｄｉｅｔｈｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ ｍｏｎｏｅｔｈｙｌｅｔｈｅｒ）、エチレングリコール（ｅｔｈｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ）、ヘキシレングリコール（ｈｅｘｙｌｅｎｅ ｇｌｙｃｏｌ）、及びグリセロール（ｇｌｙｃｅｒｏｌ）からなる群から選択される一つ以上を用いることができる。
前記有機酸としては、酢酸（ａｃｅｔｉｃ ａｃｉｄ）、クエン酸（ｃｉｔｒｉｃ ａｃｉｄ）、シュウ酸（ｏｘａｌｉｃ ａｃｉｄ）、及びカプリル酸（ｃａｐｒｙｌｉｃ ａｃｉｄ）からなる群から選択される一つ以上を用いることができる。
前記有機溶媒としては、ジメチルスルホキシド（ｄｉｍｅｔｈｙｌｓｕｌｆｏｘｉｄｅ）を用いることが最も好適である。
本発明の代表的な具現例による剥離剤組成物を用いてドライフィルムレジストを除去する方法は、図１に図示された工程図を参照すれば分かる。先ず、所定の回路パターン１０が形成された基板１００上にドライフィルム２０をラミネートした後、ラミネートされた前記ドライフィルムを部分的に露光することで、ドライフィルム露光部２２及びドライフィルム非露光部２１を形成する。次いで、前記ドライフィルム非露光部２１を、現像液を用いて除去することで開口部を形成した後、前記開口部の回路パターン１０上に半田ボール３０を形成する。その後、本発明のドライフィルムレジスト剥離剤組成物を用いてドライフィルム露光部２２を除去する。
本発明の前記剥離剤組成物を用いることにより、ドライフィルム非露光部２１の下層に存在する回路パターン１０及び前記回路パターン１０上の半田ボール３０の腐食を最小化するとともに、ドライフィルム露光部２２を完全に除去することができるという優れた効果がある。また、本発明に適用される前記剥離剤組成物は、ドライフィルム露光部２２を除去する過程で、前記ドライフィルム露光部２２の残渣が剥離剤組成物に溶解されないため、後で前記剥離剤組成物を再使用することができるという長所がある。
また、前記ドライフィルムレジストを除去する方法は、ドライフィルム露光部２２を除去した後、ドライフィルムレジスト残渣を水洗する過程をさらに行うことができる。
以下、実施例及び比較例を用いて本発明をより具体的に説明するが、下記の例が本発明の範囲を限定するものではない。
（実施例１〜１５）
下記表１に記載の成分及び組成比を用いて、常温（２５℃）で約２時間撹拌してドライフィルムレジスト用剥離液を製造した。
（比較例１〜５）
同様に、下記表１に記載の成分及び組成比を用いて、常温（２５℃）で約２時間撹拌してドライフィルムレジスト用剥離液を製造した。
ＴＭＡＨ：テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ｔｅｔｒａｍｅｔｈｙｌ ａｍｍｏｎｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）
ＮＭＰ：１−メチル−２−ピロリドン（１−ｍｅｔｈｙｌ−２−ｐｙｒｒｏｌｉｄｏｎｅ）
ＭＥＡ：モノエタノールアミン（ｍｏｎｏｅｔｈａｎｏｌ ａｍｉｎｅ）
ＴＴ：トリルトリアゾール（ｔｏｌｙｌｔｒｉａｚｏｌｅ）
ＮａＯＨ：ソジウムヒドロキシド（ｓｏｄｉｕｍ ｈｙｄｒｏｘｉｄｅ）
ＨＭＴＡ：ヘキサメチレンテトラアミン（ｈｅｘａｍｅｔｈｙｌｅｎｅｔｅｔｒａ ａｍｉｎｅ）
（剥離力、腐食有無、及び剥離液の老化度の測定試験）
銅回路パターン及び半田ボールが形成された基板上に、ドライフィルムレジストをロール（ｒｏｌｌ）圧縮方式で温度約９５℃、圧力３ｋｇｆ／ｃｍ２でラミネートして試験片を製作した。前記表１に示す実施例及び比較例で製造された剥離液約２ｋｇ及び前記製造された試験片を噴射装置に入れ、約５０℃、１ｋｇｆ／ｃｍ２の条件で約４分間噴射した後、純水（Ｈ２Ｏ）で洗浄し、窒素を用いて乾燥させた。前記試験片を肉眼及び顕微鏡（ＳＥＭ）で観察して剥離力及び腐食有無を測定した。また、銅パッド（ｃｏｐｐｅｒ ｐａｄ）試験片を１００枚まで処理して、剥離液の老化による銅パッドの変色を肉眼で観察した。
（剥離力測定）
前記表２に示したように、剥離力を測定した結果、実施例１〜１５で製造された剥離液を用いた場合が、比較例１〜５で製造された剥離液を用いた場合より優れた効果を示すことが分かる。
図２Ａは、通常の金パッド（Ａｕ ｐａｄ）を示す写真である。
図２Ｂ及び図２Ｃの写真を比較すると、図２Ｂは、実施例３で製造された剥離液を用いてドライフィルムレジストを除去した後の写真であって、表面に残渣がないことが分かる。しかし、図２Ｃは、比較例２で製造された剥離液を用いてドライフィルムレジストを除去した後の写真であって、パッドの外部に残渣が残っていて、パッドの縁部上にも残渣が残っていることを確認することができる。
（腐食有無の測定）
前記表２に示したように、ドライフィルムレジストを除去した後の半田ボール（Ｓｎ／Ｐｂ）及び銅パッド（Ｃｕ ｐａｄ）の腐食有無を測定した結果、実施例１〜１５で製造された剥離液を用いた場合が、比較例１〜５で製造された剥離液を用いた場合より優れた効果を示すことが分かる。
図３Ａ及び図４Ａは、通常の半田ボール及び銅パッドを示す写真である。
図３Ｂ及び図３Ｃの写真を比較すると、図３Ｂは、実施例３で製造された剥離液を用いてドライフィルムレジストを除去した後の半田ボール表面の写真であって、前記表面が腐食されていないことを確認することができる。しかし、図３Ｃは、比較例２で製造された剥離液を用いてドライフィルムレジストを除去した後の半田ボール表面の写真であって、前記表面が腐食されて損傷されたことを確認することができる。
同様に、図４Ｂ及び図４Ｃの写真を比較すると、図４Ｂは、実施例３で製造された剥離液を用いてドライフィルムレジストを除去した後の銅パッド表面の写真であって、前記表面が腐食されていないことを確認することができる。しかし、図４Ｃは、比較例２で製造された剥離液を用いてドライフィルムレジストを除去した後の銅パッド表面の写真であって、前記表面が腐食されて損傷されたことを確認することができる。
以上、本発明を具体的な実施例に基づいて詳細に説明したが、これは本発明を具体的に説明するためのものであり、本発明はこれに限定されず、該当分野における通常の知識を有する者であれば、本発明の技術的思想内にての変形や改良が可能であることは明白であろう。
本発明の単純な変形乃至変更はいずれも本発明の領域に属するものであり、本発明の具体的な保護範囲は添付の特許請求の範囲により明確になるであろう。
本発明は、ドライフィルムレジスト剥離剤組成物及びそれを用いたドライフィルムレジストの除去方法に適用可能である。
１０ 回路パターン
２０ ドライフィルム
２１ ドライフィルム非露光部
２２ ドライフィルム露光部
３０ 半田ボール
１００ 基板

Claims (13)

  1. ヒドロキシド系化合物と、
    鎖状アミン化合物と、
    トリアゾール化合物と、
    純水（Ｈ２Ｏ）と、を含むドライフィルムレジスト剥離剤組成物。
  2. 前記組成物は、０．５〜１５重量％のヒドロキシド系化合物、１〜４０重量％の鎖状アミン化合物、０．５〜５重量％のトリアゾール化合物、及び残部の純水を含有することを特徴とする、請求項１に記載のドライフィルムレジスト剥離剤組成物。
  3. 前記組成物は、０．５〜５重量％のヒドロキシド系化合物、５〜１５重量％の鎖状アミン化合物、０．５〜５重量％のトリアゾール化合物、及び残部の純水を含有することを特徴とする、請求項１に記載のドライフィルムレジスト剥離剤組成物。
  4. 前記組成物は、グリコール、有機酸、界面活性剤、有機溶媒、消泡剤、またはこれらの混合物をさらに含むことを特徴とする、請求項１に記載のドライフィルムレジスト剥離剤組成物。
  5. 前記ヒドロキシド系化合物は、無機アルカリヒドロキシドまたはアルキルアンモニウムヒドロキシドであることを特徴とする、請求項１に記載のドライフィルムレジスト剥離剤組成物。
  6. 前記アルキルアンモニウムヒドロキシドは、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルベンジルアンモニウムヒドロキシド、またはこれらの混合物であることを特徴とする、請求項５に記載のドライフィルムレジスト剥離剤組成物。
  7. 前記アルキルアンモニウムヒドロキシドは、テトラメチルアンモニウムヒドロキシドであることを特徴とする、請求項５に記載のドライフィルムレジスト剥離剤組成物。
  8. 前記鎖状アミン化合物は、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、プロパノールアミン、ジプロパノールアミン、トリプロパノールアミン、イソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、２−（２−アミノエチルアミノ）エタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノールアミン、及びＮ−メチルエタノールアミンからなる群から選択される一つ以上であることを特徴とする、請求項１に記載のドライフィルムレジスト剥離剤組成物。
  9. 前記鎖状アミン化合物は、モノエタノールアミンであることを特徴とする、請求項１に記載のドライフィルムレジスト剥離剤組成物。
  10. 前記トリアゾール化合物は、トリルトリアゾールであることを特徴とする、請求項１に記載のドライフィルムレジスト剥離剤組成物。
  11. 前記純水（Ｈ２Ｏ）は、１８（ＭΩ）以上の比抵抗を有することを特徴とする、請求項１に記載のドライフィルムレジスト剥離剤組成物。
  12. 所定の回路パターンが形成された基板上にドライフィルムをラミネートする段階と、
    前記ラミネートされたドライフィルムを部分的に露光することでドライフィルム露光部及びドライフィルム非露光部を形成する段階と、
    前記ドライフィルム非露光部を現像及び除去することで開口部を形成する段階と、
    前記開口部が形成された回路パターン上に半田ボールを設ける段階と、
    請求項１乃至１１の何れか一項に記載のドライフィルムレジスト剥離剤組成物を前記ドライフィルム露光部に接触させる段階と、を含むドライフィルムレジストの除去方法。
  13. 前記接触させる段階の後に、ドライフィルムレジスト残渣を水洗する段階をさらに含むことを特徴とする、請求項１２に記載のドライフィルムレジストの除去方法。
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