JP2006096984A - 残留物を除去するための組成物及び方法 - Google Patents

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Abstract

【課題】 フォトレジストやエッチング残留物などの残留物を除去できる選択的クリーニング組成物およびクリーニング方法を提供する。
【解決手段】 少なくとも50wt%のグリコールエーテルを含む特定の有機溶媒と少なくとも0.5%の第四級アンモニウム化合物とを含む組成物により、フォトレジスト及び/又はエッチング残留物などの残留物を物品から除去する方法であり、基材をその組成物と接触させることを含む方法。
【選択図】 なし

Description

マイクロエレクトロニクス構造体の製造には多くの工程が関わっている。集積回路を製造する製造スキームの中では、半導体のいろいろな表面の選択的エッチングが時として必要になる。従来より、物質を選択的に除去するためにいくつかの大きく異なるタイプのエッチングプロセスが、程度の差はあれ、うまく利用されている。更に、マイクロエレクトロニクス構造体中のいろいろな層の選択的エッチングは、集積回路製造プロセスにおける重要で決定的な工程であると考えられている。
反応性イオンエッチング(RIE)は、ビア、金属ライン、及びトレンチを形成するときのパターン転写のための最良のプロセスとしてますます多く選択されるようになっている。例えば、先端的なDRAM及びマイクロプロセッサーなどのような、相互接続配線のバックエンドの多重層を必要とする複雑な半導体デバイスは、RIEを用いてビア、金属ライン、及びトレンチ構造を製作している。ビアは、層間絶縁膜を通して、一つのレベルのシリコン、ケイ化物又は金属配線と次のレベルの配線とを連絡するのに利用されている。金属ラインは、デバイスの配線として用いられる導電性構造体である。トレンチ構造体は、金属ライン構造体を形成する際に用いられる。ビア、金属ライン、及びトレンチ構造体は、一般的に、Al、AlとCuとの合金、Cu、Ti、TiN、Ta、TaN、W、TiW、シリコン、又はケイ化物、例えばタングステン、チタンもしくはコバルトのケイ化物、などの金属や合金を露出させる。RIEプロセスは、一般的に、残留物(複雑な混合物の)を残し、それには再スパッタされた酸化物材料や、ことによっては、リソグラフィーでビア、金属ライン及び/又はトレンチ構造を画定するために用いられたフォトレジスト及び反射防止コーティング材料から生じた有機物質を含めることができる。
従って、残留物、例えば残っているフォトレジスト及び/又は処理の残留物、例えばプラズマ及び/又はRIEを利用する選択的エッチングから生じた残留物、などを除去することができる選択的クリーニング組成物及び方法を提供することが望ましい。更に、やはりクリーニング組成物にさらされることのある金属、高k誘電体材料、シリコン、ケイ化物及び/又は被着された酸化物などの低k誘電体を含む層間絶縁材料などと比べて残留物に対して高い選択性を示す、フォトレジストやエッチング残留物などの残留物を除去できる選択的クリーニング組成物及び方法を提供することが望ましい。HSQ、MSQ、FOx、ブラックダイアモンド、及びTEOS(テトラエチルシリケート)などの敏感な低k膜との相性がよく、且つそれらとともに使用することができる組成物を提供することが望ましい。
ここに開示される組成物は、フォトレジストやプロセス残留物などの残留物を基材から選択的に除去することができ、やはり当該組成物にさらされることのある金属、低k及び/又は高k誘電体材料を不所望なほどに攻撃しない。更に、ここに開示される組成物は、酸化シリコンなどの特定の誘電体物質のエッチング速度を最小にすることができる。
一つの側面において、残留物を除去するための組成物であって、少なくとも約50wt%の有機溶媒、及び少なくとも約0.5wt%の第四級アンモニウム化合物を含み、含有する有機溶媒の少なくとも約50%はグリコールエーテルである組成物が提供される。
もう一つの側面において、組成物は更に、補助的な有機溶媒を含むことができ、そしてそれは二価アルコール及び/又は多価アルコールのうちの少なくとも一つを含む。更に別の側面では、組成物は水を含むことができ、随意的に腐食防止剤を含むことができる。
基材からフォトレジスト及び/又はエッチング残留物を含む残留物を除去する方法であって、基材を上記の組成物と接触させることを含む方法も開示される。
例えば、フォトレジスト及び/又はプロセス残留物、例えばエッチング、特に反応性イオンエッチングによって発生する残留物、などの残留物を選択的に除去するための組成物及びそれを含む方法。マイクロエレクトロニクスデバイスのために有用な基材などの物品に関わるクリーニングプロセスでは、除去すべき典型的な汚染物質として、例えば、露光されたフォトレジスト材料、フォトレジスト残留物、紫外線又はX線で硬化したフォトレジスト、C−F含有ポリマー、低及び高分子量ポリマー、その他の有機エッチング残留物、などの有機化合物や、金属酸化物、CMPスラリーからのセラミック粒子、及びその他の無機のエッチング残留物、などの無機化合物や、有機金属残留物及び金属有機化合物などの金属含有化合物や、イオン性及び中性の、軽質及び重質無機(金属)種、水分、及び平坦化やエッチングプロセスなどの処理によって生ずる粒子を含む不溶物質、などが挙げられる。一つの特定の態様では、除去される残留物は反応性イオンエッチングによって生ずる残留物などのプロセス残留物である。
更に、フォトレジスト及び/又はプロセス残留物は、金属、シリコン、ケイ酸性塩、及び/又は層間絶縁材料、例えば被着されたシリコン酸化物など、及びHSQ、MSQ、FOX、TEOS、及びスピンオンガラスなどのシリコン酸化物誘導体、及び/又は高k材料、例えばケイ酸ハフニウム、酸化ハフニウム、バリウムストロンチウムチタン(BST)、Ta25、及びTiO2、などをも含む物品に一般的に存在しており、フォトレジスト及び/又は残留物も、金属、シリコン、ケイ化物、層間絶縁材料及び/又は高k材料も、クリーニング組成物と接触することになる。ここに開示される組成物と方法は、金属、シリコン、二酸化シリコン、層間絶縁材料及び/又は高k材料を有意に攻撃することなく、残留物を選択的に除去するようにする。一つの態様では、ここに開示される組成物は敏感な低k膜を含む構造体にとって適切であることができる。特定の態様では、基材は、銅、銅合金、チタン、窒化チタン、タンタル、窒化タンタル、タングステン、チタン/タングステン、アルミニウム及び/又はアルミニウム合金などの、とは言えそれらに限定はされない、金属を含むことができる。ここに開示される組成物は、少なくとも約50wt%の有機溶媒と、少なくとも約0.5wt%の第四級アンモニウム化合物を含むことができ、含有する有機溶媒の少なくとも約50%はグリコールエーテルである。一部の態様では、組成物は約50〜約70%のグリコールエーテル、又は約50〜約60%のグリコールエーテルを含むことができる。
グリコールエーテルは、一般的に水と混和性であり、そしてそれとしては、グリコールモノ(C1〜C6)アルキルエーテル及びグリコールジ(C1〜C6)アルキルエーテルを挙げることができ、限定されることなくその例を挙げると、(C1〜C20)アルカンジオール、(C1〜C6)アルキルエーテル、及び(C1〜C20)アルカンジオールジ(C1〜C6)アルキルエーテルなどである。
グリコールエーテルの例は、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジエチレングリコールモノベンジルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、モノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジプロピレンモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールジイソプロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、1−メトキシ−2−ブタノール、2−メトキシ−1−ブタノール、2−メトキシ−2−メチルブタノール、1,1−ジメトキシエタン、及び2−(2−ブトキシエトキシ)エタノールである。
グリコールエーテルのもっと典型的な例は、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、トリ(プロピレングリコール)モノメチルエーテル、及び2−(2−ブトキシエトキシ)エタノールである。
前述したように、組成物は更に、1種以上の第四級アンモニウム化合物を含む。第四級アンモニウム化合物の例としては、低級アルキル(例えば(C1〜C4)第四級アンモニウム化合物が挙げられ、そして水酸化テトラメチルアンモニウム(TMAH)、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化トリメチルエチルアンモニウム、水酸化(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウム、水酸化(2−ヒドロキシエチル)トリエチルアンモニウム、水酸化(2−ヒドロキシエチル)トリプロピルアンモニウム、及び水酸化(1−ヒドロキシプロピル)トリメチルアンモニウムが挙げられる。一部の態様では、第四級アンモニウム化合物は遊離塩基又は水酸化物の形で組成物に加えられる。第四級アンモニウム化合物は約0.5〜15%の範囲の量で存在する。一部の態様では、組成物は約0.5%〜約5%、又は約1%〜約5%を含む。
一部の態様では、組成物は1種以上の補助有機溶媒を含むことができる。これらの態様では、有機溶媒は水と混和性であることができ、そしてそれには、ジオールやポリオールなどの二価及び多価アルコール、例えば(C2〜C20)アルカンジオール、(C3〜C20)アルカントリオールなどや、環状アルコール、及び置換アルコールが含まれる。これらの補助有機溶媒の特定の例は、プロピレングリコール、テトラヒドロフルフリルアルコール、ジアセトンアルコール、及び1,4−シクロヘキサンジメタノールである。これらの態様では、補助有機溶媒は0.1〜約40wt%、又は0.1〜20wt%の範囲の量で存在する。
組成物は、随意的に、約40wt%以下の水、又は約35wt%以下の水、又は約10wt%以下の水を含むことができる。組成物に水が加えられる態様では、水は脱イオン水である。
本発明の組成物は、随意的に、約20wt%以下、又は約0.2〜約19wt%の腐食防止剤を含むこともできる。腐食防止剤の例としては、有機酸、有機酸性塩、カテコール、没食子酸、ベンゾトリアゾール(BZT)、レソルシノール、その他のフェノール類、酸、又はトリアゾール類、もっと一般的にはヒドロキシルアミン及びその酸性塩、などが挙げられるが、それらに限定はされない。好ましいヒドロキシルアミンは、ジエチルヒドロキシルアミンと、その乳酸及びクエン酸性塩である。通常、ヒドロキシルアミンは、そのエッチング能力のために、銅と相性がよいとは見なされない。しかし、本発明の組成物においては、驚くべきことにそれらは銅の腐食を抑制する。
一部の態様では、組成物はフッ素含有化合物を含むことができる。フッ素含有化合物としては、一般式R1234NFのものを挙げることができ、この式におけるR1、R2、R3、及びR4はそれぞれ独立に、水素、アルコール基、アルコキシ基、アルキル基、及びそれらの混合物である。このような組成物の例は、フッ化アンモニウム、フッ化テトラメチルアンモニウム、及びフッ化テトラエチルアンモニウムである。フッ素含有化合物の更に別の例としては、ホウフッ化水素酸、フッ化水素酸、及びフッ化コリンが挙げられる。これらの態様では、フッ素含有化合物又はその混合物は、組成物の全重量を基準として0.1〜20wt%、又は0.1〜10wt%の量で存在する。一部の態様では、フッ素化合物はフッ素塩の形で組成物に加えられる。
組成物はまた、以下に挙げる添加剤の1種以上を含むこともでき、その添加剤とは、界面活性剤、キレート化剤、化学改質剤、染料、殺生剤、及びその他の添加剤である。代表的なものの例をいくつか挙げると、アセチレン列アルコール及びその誘導体、アセチレン列ジオール(非イオン性アルコキシル化及び/又は自己乳化性アセチレン列ジオール界面活性剤)及びその誘導体、アルコール、第四級アミン及びジアミン、アミド(ジメチルホルムアミド及びジメチルアセトアミドなどの非プロトン性溶媒を含む)、アルキルアルカノールアミン(例えばジエタノールエチルアミンなど)、及びキレート化剤、例えばβ−ジケトン、β−ケトイミン、カルボン酸、リンゴ酸及び酒石酸をベースとするエステル及びジエステルとその誘導体、そして第三級アミン、ジアミン及びトリアミン、である。
ここに開示される組成物は、フッ素を含有するものも含めて、HSQ(FOx)、MSQ、SiLKなどの低k膜との相性がよい。これらの配合物はまた、ポジ型及びネガ型フォトレジストを含めたフォトレジスト、及び有機残留物、有機金属残留物、無機残留物、金属酸化物などのプラズマエッチ残留物、又はフォトレジスト複合体を、低温で、アルミニウム、銅、チタンを含む基材の腐蝕を非常にわずかに腐食するだけで、除去するのに有効である。更に、これらの組成物はいろいろな高誘電率材料との相性がよい。
製造プロセスの際に、フォトレジスト層が基材に塗布される。フォトリソグラフィー法を用いて、フォトレジスト層にパターンが画定される。パターン化されたフォトレジスト層にプラズマエッチングが施され、それによってパターンが基材に転写される。このエッチング段階でエッチング残留物が発生する。本発明において使用される基材の一部にはアッシングされるものがあり、その一方アッシングされないものもある。基材がアッシングされる場合、除去すべき残留物の主なものはエッチング剤残留物である。基材がアッシングされない場合、除去又は剥離すべき残留物の主なものはエッチング残留物とフォトレジストの両方である。
ここに開示される組成物は、エッチングとアッシング後に、有機及び無機残留物、並びにポリマー残留物を半導体基材から低温で、ほとんど腐食なしに、除去するために用いられる。一般に、ここに開示された組成物を用いる除去及びクリーニングのプロセスは、基材を除去剤/クリーナー組成物に25〜88℃の範囲の一つ以上の温度で3分から1時間までの範囲の時間浸漬することによって行われる。しかし、この組成物は、フォトレジスト、アッシュ又はエッチング残留物、及び/又は残留物を除去するためのクリーニング液を用いる技術分野において知られている任意の方法で用いることができる。
以下の非限定的な例を、本発明を更に説明するために提示する。
以下の例におけるフォトレジストは、次に述べるようなプロセスのうちの一つを受ける。
ポジ型フォトレジストを基材にスピンコートする。このポジ型フォトレジストはジアゾナフトキノン及びノボラック樹脂を含む。塗布後のフォトレジストを約90℃で約90秒間ベークする。パターンが形成されたマスクを通してi線(365nm)に暴露し、続いて現像することによって、フォトレジストにパターンが画定される。このパターンを次にプラズマエッチによって基材に転写する。
ネガ型フォトレジストを基材にスピンコートする。塗布後のフォトレジストを約90℃で約90秒間ベークする。パターンが形成されたマスクを通してi線(365nm)に暴露し、続いて現像することによって、フォトレジストにパターンが画定される。このパターンを次にプラズマエッチによって基材に転写する。
ポジ型フォトレジストを基材にスピンコートする。塗布したフォトレジストを90℃で90秒間ベークする。パターンが形成されたマスクを通して深紫外線(248nm)に暴露し、続いて現像することによって、フォトレジストにパターンが画定される。このパターンを次にプラズマエッチによって基材に転写する。
本発明の剥離液及びクリーナー組成物は一般に、全ての固形分が溶解するまで成分を室温の容器内で一緒に混合することによって調製される。水性の剥離剤及びクリーナー組成物の例を表Iに示す。エッチング速度データ及びクリーニングデータをまとめたものを、それぞれ表IIとIIIに提示する。
製造プロセスにおいて、フォトレジスト層を基材上に塗布する。フォトリソグラフィー法を用いて、フォトレジスト層にパターンを画定する。パターン化したフォトレジスト層にプラズマエッチングを施し、それによってパターンを基材に転写する。このエッチ段階でエッチ残留物が発生する。ここでの説明において用いられる基材の一部はアッシングされる一方、一部はアッシングされない。基材がアッシングされる場合、クリーニングされる残留物の主なものはエッチング残留物である。基材がアッシングされない場合、クリーニング又は除去される残留物の主なものはエッチング残留物とフォトレジストの両方である。
表Iの例の全ては、フォトレジスト、エッチング残留物及びアッシングされた残留物を除去しクリーニングするのに非常に効果的であった。処理温度は一般的に40℃以下であり、そしてこれらの例のおのおのを、バッチクリーニングプロセス、スプレー用具、及び単一ウエハ用具で用いることができる。
以下の表において、全ての量は重量パーセントで表されており、そして特に断らない限り、合計して100重量パーセントになる。金属のエッチ速度は、CDE ResMap 273四点プローブ(E−M−DGLAB−0007)を用いて測定した。500mlのテスト溶液を600mlのビーカーに、撹拌しながら、そして必要ならば規定の温度に加熱しながら入れた。テストされる金属がチタンの場合、最初にリン酸に浸漬する必要があった。ウエハの最初の厚さを、CDE ResMap 273四点プローブを用いて測定した。最初の厚さを測定後、テストウエハをテスト溶液に浸漬した。テストウエハを1枚だけ調べる場合には、ダミーのウエハを溶液に加えた。5分後、テストウエハをテスト溶液から取り出し、脱イオン水で3分間すすぎ洗いし、そして窒素下で完全に乾燥させた。ネガ型の除去液を用いる場合には、DMAC又はIPA(イソプロピルアルコール)などの溶媒でテストウエハの中間的なすすぎ洗いを3分間行ってから、水で洗浄した。各ウエハの厚さを測定し、必要ならばテストウエハに対してこの手順を繰り返した。
酸化物のエッチ速度を、NanospecのAFT 181 (E−M−DGLAB−0009)を用いて測定した。200mlのテスト溶液を250mlのビーカーに、撹拌しながら、そして必要ならば規定の温度に加熱しながら入れた。テストしようとするウエハのおのおのに3つの円をけがきした。各ウエハのこれらの印を付けた領域は、測定を行おうとする領域であった。各ウエハの最初の測定を行った。この最初の測定後に、ウエハをテスト溶液に5分間浸漬した。溶液を入れたビーカーにウエハを1枚だけ入れる場合には、ビーカーにダミーのウエハを入れた。5分後、各テストウエハを脱イオン水で3分間洗い、そして窒素下で乾燥させた。ネガ型の除去液を用いる場合には、DMAC、IPA又は別の適当な溶媒を用いてテストウエハを3分間すすぎ洗いしてから水で洗浄した。各ウエハのけがきした領域の測定を行い、必要ならばこの手順を繰り返した。
Figure 2006096984
Figure 2006096984
以下は、表Iで用いられている頭字語である。
Figure 2006096984
〔例A〕
表Iが示すように、例Aの組成物は、92wt%のBEE、0.6wt%のTBAH、3.6wt%の脱イオン水、2.8wt%のp−TSA、及び1wt%のMEAからなる。例Aは、金属ラインとビアからエッチング残留物とフォトレジストを除去するためのクリーニング及び剥離用組成物である。
〔例C〕
例Cの組成物は、48wt%のTHFA、5wt%のTMAH、30wt%のPGME、2.8wt%のp−TSA、1wt%のMEA、及び13.2wt%の脱イオン水からなる。例Cは、遷移金属基材と高k材料からエッチング残留物及びフォトレジストを除去するためのクリーニング及び剥離用組成物である。
〔例E〕
例Eの組成物は、75wt%のPGME、5.5wt%のTBAH、2.8wt%のp−TSA、1wt%のMEA、及び13.2wt%の脱イオン水からなる。例Eは、遷移金属基材と高k材料からエッチング残留物及びフォトレジストを除去するためのクリーニング及び剥離用組成物である。
〔例H〕
例Hの組成物は、69wt%のPGME、5.5wt%のTBAH、10wt%のDEHA、4wt%のp−TSA、1.4wt%のMEA、及び10.1wt%の脱イオン水からなる。例Hは、遷移金属基材と高k材料からエッチング残留物及びフォトレジストを除去するためのクリーニング及び剥離用組成物である。
〔例K〕
例Kの組成物は、56wt%のPGPE、0.6wt%のTBAH、39wt%のt−PGME、3wt%のp−TSA、1wt%のMEA、及び0.4wt%の脱イオン水からなる。例Kは、遷移金属基材と高k材料からエッチング残留物及びフォトレジストを除去するためのクリーニング及び剥離用組成物である。
〔例N〕
例Nの組成物は、66wt%のPGPE、5.5wt%のTMAH、10wt%のPG、3wt%のp−TSA、8wt%のDEHA、2wt%の乳酸、及び5.5wt%の脱イオン水からなる。例Nは、遷移金属基材と高k材料からエッチング残留物及びフォトレジストを除去するためのクリーニング及び剥離用組成物である。
〔例O〕
例Oの組成物は、66wt%のPGPE、5.5wt%のTMAH、13wt%のPG、8wt%のDEHA、2wt%の乳酸、及び5.5wt%の脱イオン水からなる。例Oは、遷移金属基材と高k材料からエッチング残留物及びフォトレジストを除去するためのクリーニング及び剥離用組成物である。
〔例P〕
例Pの組成物は、66wt%のPGPE、5.5wt%のTMAH、13wt%のPG、8wt%のDEHA、2wt%の乳酸、及び5.5wt%の脱イオン水からなる。例Pは、遷移金属基材と高k材料からエッチング残留物及びフォトレジストを除去するためのクリーニング及び剥離用組成物である。
〔例Q〕
例Qの組成物は、80wt%のt−PGME、1.1wt%のTBAH、10wt%のt−BA、6wt%のp−TSA、2wt%のMEA、及び0.9wt%の脱イオン水からなる。例Qは、エッチング残留物及びフォトレジストを金属ライン、そしてまたビア除去するためのクリーニング及び剥離用組成物である。
〔例A1〕
例A1の組成物は、57.6wt%のPGME、1.1wt%のTBAH、2.4wt%のトリエタノールアンモニウムp−トシレート、5wt%のDEHA、3wt%のレソルシノール、及び20.9wt%の脱イオン水からなる。例A1は、エッチ残留物及びフォトレジストを金属基材、低k材料、そしてまた高k材料除去するためのクリーニング及び剥離用組成物である。
〔例A2〕
例A2の組成物は、62.7wt%のPGME、1.6wt%のTEAH、1wt%のフッ化テトラメチルアンモニウム、3wt%の乳酸、及び31.7wt%の脱イオン水からなる。例A2は、エッチング残留物及びフォトレジストを金属基材、低k材料、そしてまた高k材料除去するためのクリーニング及び剥離用組成物である。
〔例A5〕
例A5の組成物は、57wt%のPGME、6wt%のTMAH、4wt%のDEHA、2wt%の乳酸、及び31wt%の脱イオン水からなる。例A5は、エッチング残留物及びフォトレジストを金属基材、低k材料、そしてまた高k材料除去するためのクリーニング及び剥離用組成物である。
Figure 2006096984
Figure 2006096984

Claims (29)

  1. a)少なくとも約50wt%の有機溶媒であって、該有機溶媒の少なくとも約50%はグリコールエーテルである有機溶媒、及び
    b)少なくとも約0.5wt%の第四級アンモニウム化合物、
    を含む、残留物を除去するための組成物。
  2. 前記グリコールエーテルがグリコールモノ(C1〜C6)アルキルエーテルを含む、請求項1に記載の組成物。
  3. 前記グリコールエーテルが(C1〜C20)アルカンジオール、(C1〜C6)アルキルエーテル、又は(C1〜C20)アルカンジオールジ(C1〜C6)アルキルエーテルを含む、請求項1に記載の組成物。
  4. 前記グリコールエーテルが、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールジメチルエーテル、エチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールモノイソブチルエーテル、ジエチレングリコールモノベンジルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、トリエチレングリコールジメチルエーテル、ポリエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールメチルエチルエーテル、トリエチレングリコールエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールジメチルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコール、モノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノプロピルエーテル、ジプロピレングリコールモノイソプロピルエーテル、ジプロピレンモノブチルエーテル、ジプロピレングリコールジイソプロピルエーテル、トリプロピレングリコールモノメチルエーテル、1−メトキシ−2−ブタノール、2−メトキシ−1−ブタノール、2−メトキシ−2−メチルブタノール、1,1−ジメトキシエタン、及び2−(2−ブトキシエトキシ)エタノールから選択される、請求項1に記載の組成物。
  5. 前記グリコールエーテルが、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、トリ(プロピレングリコール)モノメチルエーテル、及び2−(2−ブトキシエトキシ)エタノールからなる群から選択される、請求項1に記載の組成物。
  6. 前記第四級アンモニウム化合物がC1〜C4第四級アンモニウム化合物を含む、請求項1に記載の組成物。
  7. 前記第四級アンモニウム化合物が、水酸化テトラメチルアンモニウム、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラプロピルアンモニウム、水酸化テトラブチルアンモニウム、水酸化トリメチルエチルアンモニウム、水酸化(2−ヒドロキシエチル)トリメチルアンモニウム、水酸化(2−ヒドロキシエチル)トリエチルアンモニウム、水酸化(2−ヒドロキシエチル)トリプロピルアンモニウム、及び水酸化(1−ヒドロキシプロピル)トリメチルアンモニウムから選択される、請求項1に記載の組成物。
  8. 第四級アンモニウム化合物が水酸化テトラメチルアンモニウムを含む、請求項1に記載の組成物。
  9. 前記グリコールエーテルの量が組成物の少なくとも50wt%である、請求項1に記載の組成物。
  10. 前記グリコールエーテルの量が組成物の約50〜約70wt%である、請求項1に記載の組成物。
  11. 前記グリコールエーテルの量が組成物の約50〜約60wt%である、請求項1に記載の組成物。
  12. 前記第四級アンモニウム化合物の量が組成物の約0.5〜約15wt%である、請求項1に記載の組成物。
  13. 前記第四級アンモニウム化合物の量が約0.5〜約5wt%である、請求項12に記載の組成物。
  14. 補助的有機溶媒を更に含む、請求項1に記載の組成物。
  15. 前記補助的有機溶媒がC2〜C20アルカンジオール又はC3〜C20アルカントリオールを含む、請求項14に記載の組成物。
  16. 前記補助的有機溶媒がプロピレングリコールを含む、請求項14に記載の組成物。
  17. 前記プロピレングリコールの量が約0.1〜約40wt%である、請求項16に記載の組成物。
  18. フッ素含有化合物を含まない、請求項1に記載の組成物。
  19. フッ素含有化合物を含む、請求項1に記載の組成物。
  20. 約40wt%以下の水を更に含む、請求項1に記載の組成物。
  21. 約20wt%までの腐食防止剤を更に含む、請求項1に記載の組成物。
  22. 前記腐食防止剤がヒドロキシルアミン、その酸性塩、有機酸、その酸性塩、及びそれらの混合物を含む、請求項21に記載の組成物。
  23. 前記腐食防止剤がヒドロキシルアミンを含む、請求項21に記載の組成物。
  24. 前記ヒドロキシルアミンがジエチルヒドロキシルアミンを含む、請求項23に記載の組成物。
  25. 基材からフォトレジストもしくはエッチング残留物又はその両方を除去する方法であって、該基材を、
    a)少なくとも約50wt%の有機溶媒であって、該有機溶媒の少なくとも約50%はグリコールエーテルである有機溶媒、及び
    b)少なくとも約0.5wt%の第四級アンモニウム化合物、
    を含む組成物と接触させることを含む除去方法。
  26. 前記基材が、金属、シリコン、ケイ化物、層間絶縁材料、及び高k誘電材料からなる群から選択される材料をも含む、請求項25に記載の方法。
  27. パターンを画定する方法であって、
    基材にフォトレジストを塗布すること、
    リソグラフィー法によって該フォトレジストにパターンを画定すること、
    該パターンを該基材に転写すること、
    該基材を、
    a)少なくとも約50wt%の有機溶媒であって、該有機溶媒の少なくとも約50%はグリコールエーテルである有機溶媒、及び
    b)少なくとも約0.5wt%の第四級アンモニウム化合物、
    を含む組成物と接触させることにより、該基材からフォトレジストもしくはエッチング残留物又はその両方を除去すること、
    を含むパターン画定方法。
  28. 前記フォトレジストがポジ型フォトレジストである、請求項27に記載の方法。
  29. 前記フォトレジストがネガ型フォトレジストである、請求項27に記載の方法。
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