CN1724626A - 用于从基片上除去光致抗蚀剂和/或蚀刻残留物的组合物及其应用 - Google Patents

用于从基片上除去光致抗蚀剂和/或蚀刻残留物的组合物及其应用 Download PDF

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Abstract

含有一些有机溶剂和季铵化合物的组合物能够将残留物例如光致抗蚀剂和/或蚀刻残留物从物品上除去，其中所述有机溶剂包含至少505重量的二醇醚。

Description

用于从基片上除去光致抗蚀剂和/或蚀刻残留物的组合物及其应用
                       发明背景
在微电子结构的制造过程中涉及很多步骤。在集成电路的制造方案中，有时需要将半导体的不同表面选择性地蚀刻。历史上，在不同程度上，已经成功地使用了多种显著不同类型蚀刻方法来选择性地除去材料。此外，微电子结构内不同层的选择性蚀刻被视为集成电路制造工艺中的关键决定性步骤。
对于导孔(via)、金属线和沟槽形成期间的图案(pattern)传递，反应性离子蚀刻(RIE)正不断地成为所选择的方法。例如，需要多层互联线路后端的复杂半导体装置例如高级DRAMS和微处理器利用RIE来产生导孔、金属线和沟槽结构。通过绝缘夹层，导孔被用于提供硅、硅化物或金属线路的一个电平与线路的下一个电平之间的接触。金属线是用作装置互连的传导结构。沟槽结构用于形成金属线结构。导孔、金属线和沟槽结构通常暴露出金属和合金例如Al，Al和Cu合金，Cu，Ti，TiN，Ta，TaN，W，TiW，硅或硅化物，例如钨、钛或钴的硅化物。RIE方法通常会留下残留物(复合混合物)，所述残留物可包括再溅射的氧化材料以及可能的有机材料，残留物来自用于平版印刷限定导孔、金属线和/或沟槽的光致抗蚀剂和抗反射涂层材料。
因此希望提供能够除去残留物例如残留光致抗蚀剂和/或加工残留物，例如由于使用等离子体和/或RIE的选择性蚀刻所致的残留物的选择性清洁组合物和方法。此外，希望提供能够除去残留物例如光致抗蚀剂和蚀刻残留物的选择性清洁组合物和方法，相对于可能也暴露于清洁组合物的金属、高κ绝缘材料、硅、硅化物和/或电平间绝缘材料，包括低κ绝缘材料，例如沉积的氧化物，这样的组合物对于残留物表现出高选择性。希望提供与敏感性低κ膜例如HSQ、MSQ、FQx、黑金刚石和TEOS(四乙基硅酸酯)相容并且可以与这样的膜一起使用的组合物。
                       发明概述
本发明公开的组合物能够从基片上选择性地除去残留物例如光致抗蚀剂和加工残留物，同时不会在不需要程度上侵蚀可能也暴露于组合物的金属、低κ和/或高κ绝缘材料。此外，本发明公开的组合物可表现出一些绝缘材料例如二氧化硅的极小蚀刻速度。
在一个方面，本发明提供了用于除去残留物的组合物，所述组合物包含至少约50％重量的有机溶剂，其中至少约50％的包含在组合物中的有机溶剂是二醇醚；和至少约0.5％重量的季铵化合物。
在另一个方面，本发明组合物还可以包含辅助溶剂，包括至少一种二元醇和/或多元醇。在另一个方面，本发明组合物还包含水和任选腐蚀抑制剂。
本发明还公开了用于从基片上除去残留物，包括光致抗蚀剂和/或蚀刻残留物的方法，所述方法包括将基片与上述本发明组合物接触。
                       实施本发明的各种最佳方式
本发明组合物和方法都包括选择性地除去残留物，例如光致抗蚀剂和/或加工残留物，例如通过蚀刻，特别是反应性离子蚀刻产生的残留物。在涉及物品例如用于微电子装置的基片的清洗方法中，欲除去的典型污染物可包括例如有机化合物，如暴露的光致抗蚀剂材料、光致抗蚀剂残留物、UV或X-射线硬化的光致抗蚀剂、含有C-F的聚合物、低和高分子量聚合物以及其它有机蚀刻残留物；无机化合物，例如金属氧化物、来自CMP浆液的陶瓷颗粒以及其它无机蚀刻残留物；含有金属的化合物，例如有机金属残留物和金属有机化合物；离子和中性、轻和重无机(金属)种类、含水和不溶性材料，包括通过加工例如平面化和蚀刻处理而产生的颗粒。在一个具体的实施方案中，所除去的残留物是加工残留物例如通过反应性离子蚀刻产生的残留物。
此外，光致抗蚀剂和/或加工残留物通常存在于还包括以下材料的物品中：金属，硅，硅酸盐和/或夹层绝缘材料例如沉积的氧化硅和衍生化的氧化硅例如HSQ、MSQ、FOX、TEOX和Spin-On Glass，和/或高κ材料例如硅酸铪、氧化铪、钡锶钛(BST)、Ta2O5和TiO2，其中光致抗蚀剂和/或残留物和金属、硅、硅化物、夹层绝缘材料和/或高κ材料都将与清洁组合物接触。本发明所提供的组合物和方法能选择性地除去残留物，同时不显著侵蚀金属、硅、二氧化硅、夹层绝缘材料和/或高κ材料。在一个实施方案中，本发明组合物可适于包含敏感性低κ膜的结构。在一些实施方案中，基片可含有金属，例如但不限于铜、铜合金、钛、氮化钛、钨、钛/钨、铝和/或铝合金。本发明组合物可包含至少约50％重量的有机溶剂，其中至少约50％的包含在组合物中的有机溶剂是二醇醚；和至少约0.5％重量的季铵化合物。在一些实施方案中，组合物可包含约50％-约70％的二醇醚，或约50％-约60％的二醇醚。
二醇醚通常可以与水混溶，并且可包括二醇一(C1-C6)烷基醚和二醇二(C1-C6)醚，例如但不限于(C1-C20)烷二醇(C1-C6)烷基醚和(C1-C20)烷二醇二(C1-C6)烷基醚。
二醇醚的实例是乙二醇一甲醚、乙二醇一乙醚、乙二醇一丁醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、二甘醇一甲醚、二甘醇一乙醚、二甘醇一丙醚、二甘醇一异丙醚、二甘醇一丁醚、二甘醇一异丁醚、二甘醇一苄醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、三甘醇一甲醚、三甘醇二甲醚、丙二醇一甲醚、二甘醇甲乙醚、三甘醇一甲醚乙酸酯、乙二醇一乙醚乙酸酯、丙二醇一甲醚、丙二醇二甲醚、丙二醇一丁醚、丙二醇一丙醚、一缩二丙二醇一甲醚、一缩二丙二醇一丙醚、一缩二丙二醇一异丙醚、一缩二丙二醇一丁醚、一缩二丙二醇二异丙醚、二缩三丙二醇一甲醚、1-甲氧基-2-丁醇、2-甲氧基-1-丁醇、2-甲氧基-2-甲基丁醇、1，1-二甲氧基乙烷和2-(2-丁氧基乙氧基)乙醇。
二醇醚的更典型实例是丙二醇一甲醚、丙二醇一丙醚、二缩三丙二醇一甲醚和2-(2-丁氧基乙氧基)乙醇。
如上所述，本发明组合物还包括一种或多种季铵化合物。季铵化合物的实例包括低级烷基(例如(C1-C4))季铵化合物，并且包括氢氧化四甲基铵(TMAH)、氢氧化四乙基铵、氢氧化四丁基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化三甲基乙基铵、氢氧化(2-羟基乙基)三甲基铵、氢氧化(2-羟基乙基)三乙基铵、氢氧化(2-羟基乙基)三丙基铵和氢氧化(1-羟基丙基)三甲基铵。在一些实施方案中，将季铵化合物以游离碱或氢氧化物的形式加到组合物中。季铵化合物的含量为约0.5％-15％。在一些实施方案中，本发明组合物可包含约0.5％-约5％或者约1％-约5％季铵化合物。
在一些实施方案中，本发明组合物可包含一种或多种辅助性有机溶剂。在这些实施方案中，有机溶剂可以与水混溶，并且包括二元醇和多元醇，例如二醇和多元醇，如(C2-C20)烷二醇和(C3-C20)烷三醇，环状醇和取代的醇。这些辅助溶剂的具体实例是丙二醇、四氢呋喃甲醇，双丙酮醇和1，4-环己烷二甲醇。在这些实施方案中，辅助有机助溶剂的含量为0.1％-约40％或0.1％-20％重量。
本发明组合物可任选包含最高达约40％重量的水或最高达约35％重量的水或最高达约10％重量的水。在其中向组合物内加入水的实施方案中，水是去离子水。
本发明组合物还可以任选包含最高达约20％重量或约0.2％-约19％重量的腐蚀抑制剂。腐蚀抑制剂的实例包括但不限于有机酸、有机酸盐、儿茶酚、没食子酸、苯并三唑(BZT)、间苯二酚、其它酚、酸或三唑类化合物，和更常用的羟基胺化合物或其酸式盐。优选的羟基胺化合物是二乙基羟基胺和乳酸与柠檬酸及其盐。在现有技术中，由于其能够侵蚀，通常认为羟基胺化合物与铜不相容。然而，在本发明组合物中，它们令人惊奇地抑制铜腐蚀。
在一些实施方案中，本发明组合物可包括含氟化合物。含氟化合物可包括通式R1R2R3R4NF化合物，其中R1、R2、R3和R4分别独立地为氢、醇基团、烷氧基、烷基及其混合物。这样的化合物的实例是氟化铵、氟化四甲基铵和氟化四乙基铵。含氟化合物的其它实例包括氟硼酸、氢氟酸和胆碱氟化物。在这些实施方案中，含氟化合物或其混合物以占组合物总重量0.1％-约20％或者0.1％-10％的量存在。在一些实施方案中，将含氟化合物以氟化物盐的形式加到本发明组合物中。
本发明组合物还包含一种或多种下列添加剂：表面活性剂、螯合剂、化学调节剂、染料、杀生物剂和其它添加剂。某些代表性实例包括炔醇(非离子烷氧基化和/或自乳化炔二醇表面活性剂)及其衍生物、醇、季铵和二季铵、酰胺(包括非质子溶剂例如二甲基甲酰胺和二甲基乙酰胺)、烷基链烷醇胺(例如二乙醇乙基胺)和螯合剂例如β-二酮、β-酮亚胺、羧酸、基于苹果酸和酒石酸的酯和二酯及其衍生物和叔胺、二叔胺和三叔胺。
本发明组合物与低κ膜，例如HSQ、(FOx)、MSQ、SiLK等，包括含有氟化物的那些相容。本发明制剂还在低温下有效地剥离光致抗蚀剂，包括正性和负性光致抗蚀剂和等离子体蚀刻残留物例如有机残留物、有机金属残留物、无机残留物、金属氧化物或光致抗蚀剂复合物，同时对含有铝、铜、钛的基片的侵蚀力非常低。此外，本发明组合物与多种不同的高介电常数材料相容。
在制造期间，将光致抗蚀剂层涂布在基片上。使用光刻法，在光致抗蚀剂层上限定图案。由此将加上图案的光致抗蚀剂层进行等离子体蚀刻，这样图案就传递到基片上。在蚀刻阶段产生了蚀刻残留物。某些在本发明中使用的基片被灰化，某些没有被灰化。当基片被灰化时，欲清除或剥离的主要残留物是蚀刻剂残留物。如果基片没有被灰化，则欲清除或剥离的主要残留物是蚀刻残留物和光致抗蚀剂。
本发明组合物可用于在低温除去蚀刻后蚀刻剂和灰分、有机和无机残留物以及半导体基片，同时具有低侵蚀力。使用本发明组合物的剥离和清除方法一般这样来进行：在25℃至85℃范围内的一个或多个温度下将基片在剥离剂/清洁剂组合物内浸泡3分钟至1小时。然而，本发明组合物可用于本领域已知的任何方法，所述方法使用清洁液来除去光致抗蚀剂、灰分或蚀刻残留物和/或残余物。
提供以下非限制性实例来进一步举例说明本发明。
在以下实施例中的光致抗蚀剂被施以一个如下所述的方法。
将正性光致抗蚀剂旋转涂布在基片上。正性光致抗蚀剂包含重氮萘醌和酚醛清漆树脂。涂布后，将光致抗蚀剂在约90℃烘焙约90秒。通过经由带图案的面模暴露于i-线(365nm)射线，然后展开来在光致抗蚀剂上限定图案。然后通过等离子体蚀刻将图案传递到基片上。
将负性光致抗蚀剂旋转涂布在基片上。涂布后，将光致抗蚀剂在约90℃烘焙约90秒。通过经由带图案的面模暴露于深紫外线(248nm)，然后展开来在光致抗蚀剂上限定图案。然后通过等离子体蚀刻将图案传递到基片上。
本发明剥离剂和清洁剂组合物一般是通过将组分在容器中于室温混合在一起直至所有固体溶解而制得的。含水剥离剂和清洁剂组合物的实例列在表I中。蚀刻速度数据和清洁数据的总结分别列在表II和III中。
在制造期间，将光致抗蚀剂层涂布在基片上。使用光刻法，在光致抗蚀剂层上限定图案。由此将加上图案的光致抗蚀剂层进行等离子体蚀刻，这样图案就传递到基片上。在蚀刻阶段产生了蚀刻残留物。某些在本发明中使用的基片被灰化，某些没有被灰化。当基片被灰化时，欲清除的主要残留物是蚀刻剂残留物。如果基片没有被灰化，则欲清除或剥离的主要残留物是蚀刻残留物和光致抗蚀剂。
表I中的所有实例都能非常有效地剥离和清除光致抗蚀剂、蚀刻剂和灰化残留物。处理温度通常为40℃或更低，每一实例可在成批的清洁处理、喷雾工具和单片工具中使用。
对于下表，除非另有说明，否则所有的量都是以重量百分比给出，剥去加至100％重量。金属蚀刻速度是用CDE ResMap 273 Four PointProbe(E-M-DGLAB-007)测定的。将500ml测试溶液置于600ml烧杯中，搅拌，如果需要的话加热至特定温度。如果所测试的金属是钛，则开始时需要浸在磷酸中。使用CDE ResMap 273 Four Point Probe测定片的初始厚度。测定初始厚度之后，将测试片浸在测试溶液中。如果仅测试一个测试片，则向溶液中加入假片。5分钟后，把测试片从测试溶液中取出来，用去离子水洗涤洗涤3分钟，然后在氮气下完全干燥。如果使用负性剥离剂溶液，则在水洗之前，将测试片在溶剂例如DMAC或IPA(异丙醇)中进行3分钟的中间洗涤。测定每一个片的厚度，如果需要的话，在测试片上重复进行该操作。
使用Nanospec AFT 181(E-M-DGLAB-0009)测定氧化物蚀刻速度。将200ml测试溶液置于250ml烧杯中，搅拌，如果需要的话加热至特定温度。将三个物品在欲测试的每个片上划线。在每个片上标记的区域是将进行测定的区域。取每个片的初始测定值。初始测定之后，将片在测试溶液中浸泡5分钟。如果含有溶液的烧杯中仅放置一个片，则在烧杯中放置一个假片。5分钟后，将每个测试片用去离子水洗涤3分钟，并在氮气下干燥。如果使用负性剥离剂溶液，则在水洗涤之前，使用DMAC、IPA或另一合适的溶剂来将测试片洗涤3分钟。取在每个片上的划线区域的测定值，并且如果需要的话，重复该操作。
表I：样本制剂
  实施例A   实施例B   实施例C   实施例A1
  BEETBAHp-TSAMEA水   920.62.813.6   BEETBAHp-TSAMEA水   890.62.813.63   THFATMAHp-TSAMEA水PGME   4852.8113.230   pGME水TBAHTEA/p-TSADEHA间苯二酚   57.620.91.12.453
  实施例D   实施例E   实施例F   实施例A2
  PGMETBAHp-TSAMEA水   920.62.813.6   PGMETMAHp-TSAMEA水   755.52.8115.7   PGMETMAHp-TSAMEA水柠檬酸   765.541.410.13   PGMEDI水TMAF乳酸TEAH   62.725138.3
  实施例G   实施例H   实施例I   实施例A3
  PGMETBAHp-TSAMEA水PGPE   555.541.414.120   PGMETBAHp-TSAMEA水DEHA   695.541.410.110   PGMETMAH水柠檬酸DEHA   805.55.527   PGPEPGME水TBAHMEA/p-TSADEHA间苯二酚   363121.31.7253
  实施例J   实施例K   实施例L   实施例A4
  PGPEPGTMAHDEHAp-TSA乳酸MEA水   66105.573215.5   PGPEt-PGME水TBAHp-TSAMEA   56390.40.631   PGPEt-PGME水TBAHp-TSAMEA   5635.500.562   PGMEDI水TMAFTES-tos乳酸TEAH   54.7291438.3
  实施例M   实施例N   实施例O   实施例A5
  t-PGME水TBAHp-TSAMEA   91.50.20.362   PGPEPGTMAHDEHAp-TSA乳酸水   66105.58325.5   PGPEPGTMAHDEHA水乳酸   66135.585.52   PGMETMAHDEHA水乳酸   5764312
  实施例P   实施例Q   实施例R   实施例S
  t-PGMEPGTMAHDEHA水乳酸   66135.585.52   水t-PGMEt-BATBAHp-TSAMEA   0.980101.162   t-PGMEDI水氟化铵PGDEHATMAH   4332.20.81581   PGPEPGTMAHDEHATMAF乳酸DI水   58232.580.825.7
表I中使用的缩写如下：
PGME    丙二醇甲醚
THFA    四氢呋喃甲醇
PG      丙二醇
BEE     2-(2-丁氧基)乙醇
PGPE    丙二醇丙醚
DEHA    二羟基胺
t-BA    三丁基胺
t-PGME  二缩三丙二醇一甲醚
TMAH    氢氧化四甲基铵
TBAH    氢氧化四丁基铵
p-TSA   对甲苯磺酸
MEA     乙醇胺
TMAF    氟化四甲基铵
TEAH    氢氧化四乙基铵
TEA/p-TSA  对甲苯磺酸三乙醇铵
MEA/p-TSA  对甲苯磺酸乙醇铵
                     实施例A
如表I所示，实施例A的组合物由92％重量的BEE、0.6％重量的TBAH、3.6％重量的去离子水、2.8％重量的p-TSA和1％重量的MEA组成。实施例A是用于从金属线和导孔中除去蚀刻残留物和光致抗蚀剂的清洁和剥离组合物。
                     实施例C
实施例C的组合物由48％重量的THFA、5％重量的TMAH、30％重量的PGME、2.8％重量的p-TSA、1％重量的MEA和13.2％重量的去离子水组成。实施例C是用于从过渡金属基片和高κ材料上除去蚀刻残留物和光致抗蚀剂的清洁和剥离组合物。
                     实施例E
实施例E的组合物由75％重量的PGME、5.5％重量的TBAH、2.8％重量的p-TSA、1％重量的MEA和13.2％重量的去离子水组成。实施例E是用于从过渡金属基片和高κ材料上除去蚀刻残留物和光致抗蚀剂的清洁和剥离组合物。
                     实施例H
实施例H的组合物由69％重量的PGME、5.5％重量的TBAH、10％重量的DEHA、4％重量的p-TSA、1.4％重量的MEA和10.1％重量的去离子水组成。实施例H是用于从过渡金属基片和高κ材料上除去蚀刻残留物和光致抗蚀剂的清洁和剥离组合物。
                     实施例K
实施例K的组合物由56％重量的PGPE、0.6％重量的TBAH、39％重量的t-PGME、3％重量的p-TSA、1％重量的MEA和0.4％重量的去离子水组成。实施例K是用于从过渡金属基片和高κ材料上除去蚀刻残留物和光致抗蚀剂的清洁和剥离组合物。
                     实施例N
实施例N的组合物由66％重量的PGPE、5.5％重量的TMAH、10％重量的PG、3％重量的p-TSA、8％重量的DEHA、2％重量的乳酸和5.5％重量的去离子水组成。实施例N是用于从过渡金属基片和高κ材料上除去蚀刻残留物和光致抗蚀剂的清洁和剥离组合物。
                     实施例O
实施例O的组合物由66％重量的PGPE、5.5％重量的TMAH、13％重量的PG、8％重量的DEHA、2％重量的乳酸和5.5％重量的去离子水组成。实施例O是用于从过渡金属基片和高κ材料上除去蚀刻残留物和光致抗蚀剂的清洁和剥离组合物。
                     实施例P
实施例P的组合物由66％重量的PGPE、5.5％重量的TMAH、13％重量的PG、8％重量的DEHA、2％重量的乳酸和5.5％重量的去离子水组成。实施例P是用于从过渡金属基片和高κ材料上除去蚀刻残留物和光致抗蚀剂的清洁和剥离组合物。
                     实施例Q
实施例Q的组合物由80％重量的t-PGME、1.1％重量的TBAH、10％重量的t-BA、6％重量的p-TSA、2％重量的MEA和0.9％重量的去离子水组成。实施例Q是用于从金属线和导孔中除去蚀刻残留物和光致抗蚀剂的清洁和剥离组合物。
                     实施例A1
实施例A1的组合物由57.6％重量的PGME、1.1％重量的TBAH、2.4％重量的对甲苯磺酸三乙醇铵、5％重量的DEHA、3％重量的间苯二酚和20.9％重量的去离子水组成。实施例A1是用于从金属基片、低κ材料和高κ材料上除去蚀刻残留物和光致抗蚀剂的清洁和剥离组合物。
                     实施例A2
实施例A2的组合物由62.7％重量的PGME、1.6％重量的TEAH、1％重量的氟化四甲基铵、3％重量的乳酸和31.7％重量的去离子水组成。实施例A2是用于从金属基片、低κ材料和高κ材料上除去蚀刻残留物和光致抗蚀剂的清洁和剥离组合物。
                     实施例A5
实施例A5的组合物由57％重量的PGME、6％重量的TMAH、4％重量的DEHA、2％重量的乳酸和31％重量的去离子水组成。实施例A5是用于从金属基片、低κ材料和高κ材料上除去蚀刻残留物和光致抗蚀剂的清洁和剥离组合物。
                       表II：蚀刻速度数据的总结
  实施例   温度(℃)   Al(A/分钟)   Cu(A/分钟)   Ti(A/分钟)   W(A/分钟)
  A   65   ＜1   Nt   ～1   Nt
  B   65   ＜1   Nt   ～1   Nt
  C   65   ＞500   nt   Nt   Nt
  D   65   ～1   ～8   Nt   Nt
  E   65   ＞500   ～5   Nt   Nt
  F   65   ＞500   Nt   Nt   Nt
  G   65   ＞500   Nt   Nt   Nt
  H   65   ＞500   ～5   Nt   Nt
  I   65   ＞500   ～5   Nt   Nt
  J   65   ～20   ～2   Nt   Nt
  K   65   ～10   ～7   Nt   Nt
  L   65   ～1   ～5   Nt   Nt
  M   65   ～3   ～7   Nt   Nt
  N   65   ＞500   ～2   Nt   Nt
  O   65   ＞500   ～1   Nt   Nt
  P   65   ＞500   ～2   Nt   Nt
  Q   65   ～3   ～9   Nt   Nt
  R   25   ＞500   ～7   Nt   Nt
  S   40   ＞500   ～3   Nt   Nt
  A1   65   ～1   ～2   ＜1   ～2
  A2   25   ＞500   ～2   ～1   ＜1
  A2   50   ＞1000   ～6   ＞100   ～7
  A3   65   Nt   ～4   Nt   Nt
  A4   25   ＞500   Nt   Nt   Nt
  A5   65   ＞500   ～5   Nt   Nt
表III：清洁数据的总结
  实施例   基片A   基片B
  温度(℃)   金属线   通路   注解   温度(℃)   灰化的   未灰化的  注解
  A   50   √   ×   Part.Corr.   Nt   nt
  B   Nt   Nt   60   √   ×
  C   50   √   ×   Nt   Nt
  D   55   √   ×   Nt   Nt
  E   Nt   Nt   60   √   √
  F   Nt   Nt   60   √   ×
  G   Nt   Nt   60   √   ×
  H   Nt   Nt   60   √   ×
  K   50   √   √   Corr.   65   ×   ×
N   Nt   Nt   65   √   √
  Nt   Nt   75   √   √
  O   nt   nt   65   √   √
  Nt   Nt   75   √   √
  Nt   Nt   85   √   √
  P   Nt   Nt   65   √   ×
  Q   55   ×   ×   Nt   Nt
  A1   55   √   √   Nt   Nt
  A1   65   √   √   Nt   Nt
  A2   Nt   Nt   40   √   ×
  A5   Nt   Nt   65   √   √  Corr.
Nt＝未测试；Part.Corr.＝部分金属腐蚀；Corr.＝金属腐蚀；
√＝部分清洁的；√＝完全清洁的；×＝未清洁的。

Claims (29)

1.用于除去残留物的组合物，所述组合物包含：
a)至少约50％重量的有机溶剂，其中至少约50％的有机溶剂是二醇醚；和
b)至少约0.5％重量的季铵化合物。
2.权利要求1的组合物，其中所述二醇醚包含二醇一(C1-C6)烷基醚。
3.权利要求1的组合物，其中所述二醇醚包含(C1-C20)烷二醇(C1-C6)烷基醚或(C1-C20)烷二醇二(C1-C6)烷基醚。
4.权利要求1的组合物，其中所述二醇醚选自乙二醇一甲醚、乙二醇一乙醚、乙二醇一丁醚、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、二甘醇一甲醚、二甘醇一乙醚、二甘醇一丙醚、二甘醇一异丙醚、二甘醇一丁醚、二甘醇一异丁醚、二甘醇一苄醚、二甘醇二甲醚、二甘醇二乙醚、三甘醇一甲醚、三甘醇二甲醚、丙二醇一甲醚、二甘醇甲乙醚、三甘醇一甲醚乙酸酯、乙二醇一乙醚乙酸酯、丙二醇一甲醚、丙二醇二甲醚、丙二醇一丁醚、丙二醇一丙醚、一缩二丙二醇一甲醚、一缩二丙二醇一丙醚、一缩二丙二醇一异丙醚、一缩二丙二醇一丁醚、一缩二丙二醇二异丙醚、二缩三丙二醇一甲醚、1-甲氧基-2-丁醇、2-甲氧基-1-丁醇、2-甲氧基-2-甲基丁醇、1，1-二甲氧基乙烷和2-(2-丁氧基乙氧基)乙醇。
5.权利要求1的组合物，其中所述二醇醚选自丙二醇一甲醚、丙二醇一丙醚、二缩三丙二醇一甲醚和2-(2-丁氧基乙氧基)乙醇。
6.权利要求1的组合物，其中所述季铵化合物包含C1-C4季铵化合物。
7.权利要求1的组合物，其中所述季铵化合物选自氢氧化四甲基铵、氢氧化四乙基铵、氢氧化四丙基铵、氢氧化四丁基铵、氢氧化三甲基乙基铵、氢氧化(2-羟基乙基)三甲基铵、氢氧化(2-羟基乙基)三乙基铵、氢氧化(2-羟基乙基)三丙基铵和氢氧化(1-羟基丙基)三甲基铵。
8.权利要求1的组合物，其中所述季铵化合物包含氢氧化四甲基铵。
9.权利要求1的组合物，其中所述二醇醚的量为组合物重量的至少50％。
10.权利要求1的组合物，其中所述二醇醚的量为组合物重量的约50％-约70％。
11.权利要求1的组合物，其中所述二醇醚的量为组合物重量的约50％-约60％。
12.权利要求1的组合物，其中所述季铵化合物的量为组合物重量的约0.5％-约15％。
13.权利要求12的组合物，其中所述季铵化合物的量为组合物重量的约0.5％-约5％。
14.权利要求1的组合物，其中所述组合物还包含辅助有机溶剂。
15.权利要求14的组合物，其中所述辅助有机溶剂包含C2-C20烷二醇和C3-C20烷三醇。
16.权利要求14的组合物，其中所述辅助有机溶剂包含丙二醇。
17.权利要求16的组合物，其中丙二醇的量为约0.1％-约40％重量。
18.权利要求1的组合物，其中所述组合物不含有含氟化合物。
19.权利要求1的组合物，其中所述组合物含有含氟化合物。
20.权利要求1的组合物，其中所述组合物还包含最高达约40％重量的水。
21.权利要求1的组合物，其中所述组合物还包含最高达约20％重量的腐蚀抑制剂。
22.权利要求21的组合物，其中所述腐蚀抑制剂包含羟基胺、其酸式盐；有机酸、其盐；及其混合物。
23.权利要求21的组合物，其中所述腐蚀抑制剂包含羟基胺。
24.权利要求23的组合物，其中所述羟基胺包含二乙基羟基胺。
25.用于将光致抗蚀剂或蚀刻残留物或二者从基片上除去的方法，其中所述方法包括将所述基片与所述组合物接触，所述组合物包含：
a)至少约50％重量的有机溶剂，其中至少约50％的有机溶剂是二醇醚；和
b)至少约0.5％重量的季铵化合物。
26.权利要求25的方法，其中所述基片还包括选自下列的材料：金属、硅、硅酸盐、夹层绝缘材料和高κ绝缘材料。
27.用于限定图案的方法，其中所述方法包括将光致抗蚀剂层涂布在基片上，
使用光刻法在光致抗蚀剂层上限定图案，
将图案传递到基片上，
通过将基片与组合物接触来将光致抗蚀剂或蚀刻残留物或二者从基片上除去，所述组合物包含：
a)至少约50％重量的有机溶剂，其中至少约50％的有机溶剂是二醇醚；和
b)至少约0.5％重量的季铵化合物。
28.权利要求27的方法，其中所述光致抗蚀剂是正性光致抗蚀剂。
29.权利要求27的方法，其中所述光致抗蚀剂是负性光致抗蚀剂。
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