KR20190006483A - 레지스트 박리액 - Google Patents

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Abstract

제4급 암모늄염과 알칸올아민 및 지방족 아민을 함유하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액에 의해 사용 일수가 경과하여 탄산이 용해하여도 성능이 저하되지 않는 레지스트 박리액을 제공한다.

Description

레지스트 박리액
본 발명은 레지스트가 행하여진 기판으로부터 레지스트를 박리할 수 있는 레지스트 박리액에 관한 것이다.
프린트 배선판의 제조, 주로 세미애디티브법에서 사용되는 레지스트(드라이 필름)의 박리액은 미세 배선화에 따라 아민계의 박리액이 이용되고 있다.
그러나 종래의 아민계의 레지스트 박리액은 공기 중의 탄산가스의 용해에 수반하여 탄산염류가 축적함으로 박리성능이 저하되는 것으로 알려져 있다.
그 때문에, 이러한 박리성능 저하 문제를 해결하기 위하여, 박리액을 전해 재생하는, 박리처리 챔버에 이산화탄소를 제거한 공기를 집어넣어 박리액의 성능저하를 억제하는 등의 기술이 보고되어있다(특허문헌 1, 2).
1. 일본국 특허공개 2012-79830호 공보 2. 일본국 특허공개 2013-183080호 공보
그러나 이들 기술에서는 레지스트 박리액 중으로 탄산이 용해되어 들어가는 것은 방지할 수 없기 때문에 탄산이 용해하여도 성능이 저하되지 않는 어려운 박리액을 제공하는 것을 본 발명의 과제로 한다.
본 발명자들은 상기 과제를 해결하기 위해 예의 연구한 결과, 지금까지 레지스트 박리액으로 이용되어 온 아민으로서 구조가 다른 2종류의 것을 사용함으로써 탄산이 용해하여도 성능이 종래의 박리액 정도 저하하지 않는 것을 발견하고, 본 발명을 완성하였다.
즉, 본 발명은 제4급 암모늄염과 알칸올아민 및 지방족 아민을 함유하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액이다.
또한, 본 발명은 알칸올아민 및 지방족 아민을 포함하는 제1 액과 제4급 암모늄염을 포함하는 제2 액을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 키트이다.
또한, 본 발명은 레지스트가 행하여진 기판을 상기 레지스트 박리액으로 처리하는 것을 특징으로 하는 도금 레지스트의 제거방법이다.
또한, 본 발명은 레지스트가 행하여진 기판으로부터 레지스트를 제거하는 공정을 포함하는 프린트 배선판, 반도체 기판, 플랫 패널 디스플레이 또는 리드 프레임의 제조방법에 있어서, 레지스트 제거를 상기 레지스트 박리액을 사용하여 행하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판, 반도체 기판, 플랫 패널 디스플레이 또는 리드 프레임의 제조방법이다.
본 발명의 레지스트 박리액은 사용 일수가 경과하여, 액 중에 탄산이 용해해도 성능이 종래의 박리액만큼 저하하지 않는다.
또한, 본 발명의 레지스트 박리액은 사용 일수가 경과한 후에도, 소비 성분(예를 들어, 제4급 암모늄염)을 공급하는 것만으로 성능을 회복된다.
본 발명의 레지스트 박리액(이하 "본 발명의 박리액"이라 한다.)에 사용되는 제4급 암모늄염은 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 수산화테트라에틸암모늄, 수산화테트라메틸암모늄 등을 들 수 있다. 이러한 제4급 암모늄염은 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다. 본 발명의 박리액의 제4급 암모늄염의 함량은 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 1~25g/L, 바람직하게는 5~20g/L이다.
발명의 박리액에 사용되는 알칸올아민은 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 모노에탄올아민, 트리에탄올아민, 2-(디메틸아미노)에탄올 등을 들 수 있다. 이러한 알칸올아민은 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다. 본 발명의 박리액에서, 알칸올아민의 함량은 특히 한정되지 않지만, 예를 들어 10~150g/L, 바람직하게는 40~100g/L이다.
본 발명의 박리액에 이용되는 지방족 아민은 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 에틸렌디아민, 트리에틸아민, 헥사메틸렌디아민 등을 들 수 있다. 이러한 지방족 아민은 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있다. 본 발명의 박리액의 지방족 아민의 함량은 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 0.5~40g/L, 바람직하게는 8~25g/L이다.
본 발명의 박리액에서는 상기 알칸올아민과 지방족 아민의 조합은 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 상기 알칸올아민이 모노에탄올아민이며, 지방족 아민이 트리에틸아민 또는 에틸렌디아민인 것이 바람직하고, 에틸렌디아민이 보다 바람직하다.
본 발명의 박리액은 또한 유기 용매를 함유하고 있다. 본 발명의 박리액에 사용되는 유기 용매는 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 술폭시드류, 글리콜류, 락탐류 등을 들 수 있다.
상기 술폭시드류로는 예를 들면, 디메틸술폭시드 등을 들 수 있다. 본 발명의 박리액에서, 술폭시드류의 함량은 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 1~40g/L, 바람직하게는 3.5~10g/L이다.
상기 글리콜류로는, 예를 들면, 프로필렌글리콜, 디에틸렌글리콜모노에틸에테르 등을 들 수 있다 본 발명의 박리액의 글리콜류의 함량은 특히 한정되지 않지만, 예를 들어 10~100g/L, 바람직하게는 20~60g/L이다.
상기 락탐류로는 예를 들어, N-메틸-2-피롤리돈 등을 들 수 있다. 본 발명의 박리액에서, 락탐류의 함량은 특히 한정되지 않지만, 예를 들어 10~800g/L, 바람직하게는 10~50g/L이다.
상기 유기 용매는 1종 또는 2종 이상을 사용할 수 있지만, 적어도 술폭시드류를 사용하는 것이 바람직하고, 술폭시드류와 글리콜을 사용하는 것이 보다 바람직하고, 특히 디메틸술폭시드 및 프로필렌글리콜을 이용하는 것이 바람직하다.
또한, 본 발명의 박리액은 상기 성분만으로 구성되는 것이 바람직하지만, 본 발명의 효과를 해치지 않는 한, 예를 들면, 소포제 등을 함유시켜도 좋다. 또한, 본 발명의 박리액은 본 발명의 효과를 손상시키기 때문에 발포성이 있는 계면활성제 등은 함유시키지 않는 편이 좋다.
이상 설명한 본 발명의 박리액은 상기 성분을 물에 용해하여 조제할 수 있다.
본 발명의 박리액은 전체 성분을 미리 물에 용해시켜 조제한 것이어도 좋고, 알칸올아민 및 지방족 아민을 포함하는 제1 액(필요에 따라 유기 용매), 제4급 암모늄염을 포함하는 제2 액을 포함하는 레지스트 박리액 키트를 이용하여 사용 시에 조제할 수 있다.
본 발명의 박리액을 사용하여 레지스트가 행하여진 기재를 처리함으로써 레지스트가 미세 분쇄된 레지스트를 제거할 수 있다.
레지스트가 행하여진 기재를 본 발명의 박리액으로 처리하는 조건은 특히 한정되지 않지만, 예를 들어 10~80℃에서 한 본 발명의 박리액에 기재를 1~60분 정도 침지하는 조건이나, 10~80℃로 한 본 발명의 박리액을 기재에 1~60분 정도 분무하는 조건을 들 수 있다. 또한, 침지할 때에는 기재를 쉐이킹하거나, 본 발명의 박리액에 초음파를 걸어도 좋다.
레지스트의 종류는 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 알칼리에 용해 가능한 타입의 것이 바람직하다. 이러한 알칼리 용해 가능한 타입의 레지스트로서는, 예를 들어, UFG-258(SAP용 25㎛ 두께)(아사히카세이주식회사 제) 등을 들 수 있다.
레지스트가 행하여진 기재는 특히 한정되지 않지만, 예를 들면, 프린트 배선판, 반도체 기판, 플랫 패널 디스플레이, 리드 프레임에 사용되는 각종 금속 및 합금으로 형성된 박막 기판, 부품 등을 들수 있다
상기와 같이 하여 본 발명의 박리액은 레지스트가 행하여진 기판으로부터 레지스트를 제거할 수 있기 때문에, 이와 같은 레지스트를 제거하는 공정을 포함하는 프린트 배선판, 반도체 기판, 플랫 패널 디스플레이, 리드 프레임 등의 제조방법에 사용할 수 있다.
상기 제조방법 중에서도 레지스트가 행하여진 기재에서 레지스트를 제거하는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조방법이 바람직하고, 특히 세미애디티브법에 의한 프린트 배선판의 제조방법이 바람직하다.
[실시예]
이하, 본 발명을 실시예를 들어 상세히 설명하나, 본 발명은 이러한 실시예에 하등 한정되는 것은 아니다.
실시예 1
박리액의 조제 :
다음 표 1에 기재된 성분을 물에 용해하여 박리액을 조제하였다.
조성 제4급 암모늄염 알칸올아민 지방족 아민 유기 용매
글리콜류 기타
1 TMAH(20) MEA(70) PG(45) DMSO(5)
2 TMAH(13) MEA(70) EDA(25) PG(45) DMSO(5)
3 TMAH(20) TEA(120) EDA(11) PG(15) DMSO(10)
4 TMAH(20) DMEA(65) EDA(15) PG(20) DMSO(5)
5 TMAH(20) MEA(55) TEN(18.5) PG(30) DMSO(5)
6 TMAH(20) MEA(55) EDA(11) DGME(52.9) DMSO(5)
() 내의 수치는 g/L이다.
TMAH: 수산화테트라메틸암모늄
MEA: 모노에탄올아민
TEA: 트리에탄올아민
DMAE: 2-(디메틸아미노)에탄올
TEN: 트리에틸아민
PG: 프로필렌글리콜
DGME: 디에틸렌글리콜모노에틸에테르
DMSO: 디메닐술폭시드
실시예 2
박리액의 성능 :
(1) 박리시험
동장(銅張) 적층판(후루카와덴코(주) 제: CCL: 전해 동박 GTS 35㎛ 포일) 위에 드라이 필름(아사히카세이 제: UFG-258(SAP용): 25㎛ 두께)을 라미네이트에서 노광을 실시한 기판을 이용하고, 50×50㎟로 자른 것을 시험편으로 했다.
액온(液溫)을 50℃로 한 각 박리액에 상기 시편을 침지하여 1왕복/1초로 기판을 요동시켜 완전히 드라이 필름이 박리될 때까지의 시간 및 박리 후의 박리편 사이즈(길이 변)을 측정했다.
(2) 내탄산가스성
박리액(1L)에 대하여 액온 50℃를 유지하면서 에어 유량 1L/min로 공기 버블링을 192시간(8일) 실시했다. 버블링 후에 (1)과 동일하게 박리시험을 행했다.
(3) 회복성
(2)의 버블링 후에, 적정분석에서 소비성분을 분석한 결과, 제4급 암모늄염이 소비되는 것으로 나타났다. 그래서 제4급 암모늄염을 표 1의 조성으로 되돌리는 양으로 보급했다. 보급 후에 (1)과 동일하게 박리시험을 행했다.
(4) 결과
상기 시험 결과를 표 2에 나타냈다.
조성 건욕 직후 버블링 8일 후 소비 성분 보금 후
박리시간 박리사이즈 박리시간 박리사이즈 박리시간 박리사이즈
1 20.69초 3㎜ 44.65초 50㎜ 30.99초 4㎜
2 16.92초 4㎜ 52.96초 24㎜ 30.33초 3㎜
3 36.07초 4㎜ 49.82초 7㎜ 53.54초 2㎜
4 25.93초 4㎜ 46.89초 2㎜ 48.75초 7㎜
5 16.47초 2㎜ 42.82초 36㎜ 30.2초 3㎜
6 20.88초 9㎜ 55.79초 35㎜ 37.7초 8㎜
이상의 결과로부터, 아민류로 알칸올아민과 지방족 아민을 2종류 사용함으로써 버블링 8일 후에도 종래의 박리액 정도 성능(특히 박리 사이즈)이 하락하지 않았다. 또한, 소비 성분을 공급함으로써 박리액은 원래의 성능에 가까운 상태로 되었다. 상기 박리액 중에서도 실제 라인에서의 사용을 고려하면, 박리 시간과 크기에서 조성 2 및 5가 바람직하고, 특히, 버블링 8일 후의 성능에서 조성 2가 바람직한 것을 알았다.
[산업상 이용 가능성]
본 발명은 레지스트가 행하여진 기판으로부터 레지스트를 제거하는 공정을 포함하는 프린트 배선판, 반도체 기판, 플랫 패널 디스플레이 또는 리드 프레임의 제조방법에 이용할 수 있다.

Claims (10)

  1. 제4급 암모늄염과 알칸올아민 및 지방족 아민을 함유하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액.
  2. 청구항 1에 있어서,
    알칸올아민이 모노에탄올아민이고, 지방족 아민이 에틸렌디아민인 레지스트 박리액.
  3. 청구항 1 또는 2에 있어서, 다시 유기용매를 함유하는 것인 레지스트 박리액.
  4. 청구항 3에 있어서, 유기용매로서 적어도 술폭시드류를 사용하는 것인 레지스트 박리액.
  5. 알칸올아민 및 지방족 아민을 포함하는 제1 액과 제4급 암모늄염을 함유하는 제2 액을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 박리액 키트.
  6. 레지스트가 행하여진 기재를 청구항 1~4의 어느 하나에 기재된 레지스트 박리액으로 처리하는 것을 특징으로 하는 레지스트의 제거방법.
  7. 레지스트가 행하여진 기재에서 레지스트를 제거하는 공정을 포함하는 프린트 배선판의 제조방법에 있어서, 레지스트 제거를 청구항 1~4의 어느 하나에 기재된 레지스트 박리액을 이용하여 행하는 것을 특징으로 하는 프린트 배선판의 제조방법.
  8. 레지스트가 행하여진 기재에서 레지스트를 제거하는 공정을 포함하는 반도체 기판의 제조방법에 있어서, 레지스트 제거를 청구항 1~4의 어느 하나에 기재된 레지스트 박리액을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 반도체 기판의 제조방법.
  9. 레지스트가 행하여진 기재에서 레지스트를 제거하는 공정을 포함하는 플랫 패널 디스플레이의 제조방법에 있어서, 레지스트 제거를 청구항 1~4의 어느 하나에 기재된 레지스트 박리액을 이용하여 행하는 것을 특징으로 하는 플랫 패널 디스플레이의 제조방법.
  10. 레지스트가 행하여진 기재에서 레지스트를 제거하는 공정을 포함하는 리드 프레임의 제조방법에 있어서, 레지스트 제거를 청구항 1~4의 어느 하나에 기재된 레지스트 박리액을 사용하여 수행하는 것을 특징으로 하는 리드 프레임의 제조방법.
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