CN109074005A - 抗蚀剂的剥离液 - Google Patents
抗蚀剂的剥离液 Download PDFInfo
- Publication number
- CN109074005A CN109074005A CN201780026501.9A CN201780026501A CN109074005A CN 109074005 A CN109074005 A CN 109074005A CN 201780026501 A CN201780026501 A CN 201780026501A CN 109074005 A CN109074005 A CN 109074005A
- Authority
- CN
- China
- Prior art keywords
- resist
- stripper
- substrate
- manufacturing
- implemented
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
提供一种抗蚀剂的剥离液,其特征为:含有季铵盐、与链烷醇胺和脂肪族胺,利用这种抗蚀剂的剥离液,即使经过长期使用而有碳酸溶解,其性能也难以降低。
Description
技术领域
本发明涉及能够从实施有抗蚀剂的基材上剥离抗蚀剂的抗蚀剂的剥离液。
背景技术
在印刷线路板的制造、主要是在半加成法中所用的抗蚀剂(干膜)的剥离液中,随着微细布线化而使用胺系的剥离液。
但是,已知现有的胺系的抗蚀剂的剥离液伴随空气中的二氧化碳的溶解,碳酸盐类累积,由此剥离性能降低。
因此,为了解决该剥离性能降低的问题,报告有如下技术:使剥离液电解再生,向剥离处理室送入除去了二氧化碳的空气,抑制剥离液的性能降低等(专利文献1、2)。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2012-79830号公报
专利文献2:日本特开2013-183080号公报
发明内容
但是,这些技术不能防止碳酸向抗蚀剂的剥离液中的溶解,因此本发明的课题为,提供一种即使碳酸溶解,性能也难以降低的剥离液。
本发明者们为了解决上述课题而锐意研究,其结果发现,作为至今用于抗蚀剂的剥离液的胺,通过使用结构不同的两种,即使是碳酸溶解,性能也不会比现有的剥离液有所降低,从而完成了本发明。
即,本发明是一种抗蚀剂的剥离液,其特征在于,含有季铵盐、与链烷醇胺和脂肪族胺。
另外,本发明是一种抗蚀剂的剥离液套件,其特征在于,含有含链烷醇胺和脂肪族胺的第一液、和含季铵盐的第二液。
此外,本发明是一种电镀抗蚀剂的除去方法,其特征在于,用上述抗蚀剂的剥离液,对实施有抗蚀剂的基材进行处理。
此外,本发明是一种印刷线路板、半导体基板、平板显示器或引线框的制造方法,其特征在于,是含有从实施有抗蚀剂的基材上除去抗蚀剂的的工序的印刷线路板、半导体基板、平板显示器或引线框的制造方法,使用上述抗蚀剂的剥离液进行抗蚀剂的除去。
本发明的抗蚀剂的剥离液,即使经过长期使用,碳酸溶解于液中,性能也不会比现有的剥离液有所降低。
另外,本发明的抗蚀剂的剥离液,即使经过长期使用后,只要补充消耗成分(例如,季铵盐),性能也会恢复。
具体实施方式
本发明的抗蚀剂的剥离液(以下,仅称为“本发明剥离液”)所使用的季铵盐,没有特别限定,例如,可列举氢氧化四乙铵、氢氧化四甲铵等。这些季铵盐能够使用一种或两种以上。本发明剥离液中的季铵盐的含量没有特别限定,例如,为1~25g/L,优选为5~20g/L。
本发明剥离液所使用的链烷醇胺没有特别限定,例如,可列举单乙醇胺、三乙醇胺、2-(二甲基氨基)乙醇等。这些链烷醇胺能够使用一种或两种以上。本发明剥离液中的链烷醇胺的含量没有特别限定,例如,为10~150g/L,优选为40~100g/L。
本发明剥离液所使用的脂肪族胺没有特别限定,例如,可列举乙二胺、三乙胺、六亚甲基二胺等。这些脂肪族胺能够使用一种或两种以上。本发明剥离液中的脂肪族胺的含量没有特别限定,例如,为0.5~40g/L,优选为8~25g/L。
在本发明剥离液中,上述链烷醇胺和脂肪族胺的组合没有特别限定,例如,优选上述链烷醇胺是单乙醇胺,脂肪族胺是三乙胺或乙二胺,更优选乙二胺。
本发明剥离液中,也可以还含有有机溶剂。本发明剥离液所使用的有机溶剂没有特别限定,例如,可列举亚砜类、二醇类、内酰胺类等。
作为上述亚砜类,例如,可列举二甲基亚砜等。本发明剥离液中的亚砜类的含量没有特别限定,例如,为1~40g/L,优选为3.5~10g/L。
作为上述二醇类,例如,可列举丙二醇、二乙二醇单乙醚等,本发明剥离液中的二醇类的含量没有特别限定,例如,为10~100g/L,优选为20~60g/L。
作为上述内酰胺类,例如,可列举N-甲基吡咯烷酮等。本发明剥离液中的内酰胺类的含量没有特别限定,例如,为10~800g/L,优选为10~50g/L。
上述有机溶剂能够使用一种或两种以上,但优选至少使用亚砜类,更优选使用亚砜类和二醇类,特别是优选使用二甲基亚砜和丙二醇。
此外,本发明剥离液优选只由上述成分构成,但只要不损害本发明的效果,例如,也可以使之含有消泡剂等。还有,本发明剥离液中,因为会损害本发明的效果,所以最好不使之含有带发泡性的表面活性剂等。
以上说明的本发明剥离液,能够通过将上述成分溶解于水而制备。
本发明剥离液可以使全部成分预先溶解于水而进行制备,也可以利用含有含链烷醇胺和脂肪族胺的第一液(根据需要含有机溶剂),和含季铵盐的第二液的抗蚀剂的剥离液套件,在使用时进行制备。
通过使用本发明剥离液对实施有抗蚀剂的基材进行处理,由此抗蚀剂被细小地粉碎,能够除去抗蚀剂。
以本发明剥离液对实施有抗蚀剂的基材进行处理的条件没有特别限定,例如,可列举在处于10~80℃的本发明剥离液中,浸渍基材1~60分钟左右的条件、对基材喷雾处于10~80℃的本发明剥离液1~60分钟左右的条件。还有,浸渍时,也可以摇动基材,或对本发明剥离液施加超声波。
抗蚀剂的种类没有特别限定,例如,优选碱可溶型的。作为这样的碱可溶型的抗蚀剂,例如,可列举UFG-258(SAP用25μm厚)(旭化成株式会社制)等。
实施有抗蚀剂的基材没有特别限定,例如,可列举用印刷线路板、半导体基板、平板显示器、引线框所使用的各种金属和合金所形成的薄膜、基板、零件等。
如上述,本发明剥离液能够从实施有抗蚀剂的基材上除去抗蚀剂,因此能够用于这样的含有除去抗蚀剂的工序的印刷线路板、半导体基板、平板显示器、引线框等的制造方法。
在上述制造方法之中,也优选含有从实施有抗蚀剂的基材上除去抗蚀剂的工序的印刷线路板的制造方法,特别是优选由半加成法进行的印刷线路板的制造方法。
实施例
以下,列举实施例详细地说明本发明,但本发明不受这些实施例任何限定。
实施例1
剥离液的制备:
将以下的表1所述的成分溶解于水,制备剥离液。
[表1]
()的数值是g/L。
TMAH:氢氧化四甲铵
MEA:单乙醇胺
TEA:三乙醇胺
DMAE:2-(二甲基氨基)乙醇
EDA:乙二胺
TEN:三乙胺
PG:丙二醇
DGME:二乙二醇单乙醚
DMSO:二甲基亚砜
实施例2
剥离液的性能:
(1)剥离试验
使用在覆铜层叠板(古河电工(株)制:CCL:电解铜箔GTS 35μm箔)上层压干膜(旭化成制:UFG-258(SAP用):25μm厚)之后实施了曝光的基板,切成50×50mm2作为试验片。
在液温处于50℃的各剥离液中浸渍上述试验片,以1次往返/1秒的方式使基板揺动,测量直至干膜完全剥离的时间和剥离后的剥离片尺寸(长边)。
(2)抗二氧化碳性
对于剥离液(1L),一边保持液温50℃一边以空气流量1L/min实施空气鼓泡192小时(8天)。鼓泡后进行与(1)同样的剥离试验。
(3)恢复性
在(2)的鼓泡后,以滴定分析对消耗成分进行分析时,可知季铵盐被消耗。因此以回归至表1的组成的量补给季铵盐。补给后进行与(1)同样的剥离试验。
(4)结果
上述试验的结果显示在表2中。
[表2]
由以上的结果可知,作为胺类,通过使用两种链烷醇胺和脂肪族胺,即使鼓泡8天后,性能(特别是剥离尺寸)也不会比现有的剥离液有所降低。另外,通过补给消耗成分,剥离液成为接近原本性能的状态。上述剥离液之中,若考虑在实际的生产线上的使用,则从剥离时间和尺寸出发,优选组成2和5,特别是从鼓泡8天后的性能考虑,则优选组成2。
产业上的可利用性
本发明能够利用于含有从实施有抗蚀剂的基材上除去抗蚀剂的工序的印刷线路板、半导体基板、平板显示器或引线框的制造方法。
Claims (10)
1.一种抗蚀剂的剥离液,其特征在于,含有季铵盐、与链烷醇胺和脂肪族胺。
2.根据权利要求1所述的抗蚀剂的剥离液,其中,链烷醇胺是单乙醇胺,脂肪族胺是乙二胺。
3.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂的剥离液,其中,还含有有机溶剂。
4.根据权利要求3所述的抗蚀剂的剥离液,其中,作为有机溶剂,是至少使用亚砜类的溶剂。
5.一种抗蚀剂的剥离液套件,其特征在于,含有含链烷醇胺和脂肪族胺的第一液、和含季铵盐的第二液。
6.一种抗蚀剂的除去方法,其特征在于,对实施有抗蚀剂的基材用权利要求1~4中任一项所述的抗蚀剂的剥离液进行处理。
7.一种印刷线路板的制造方法,其特征在于,是包含从实施有抗蚀剂的基材上除去抗蚀剂的工序的印刷线路板的制造方法,用权利要求1~4中任一项所述的抗蚀剂的剥离液进行抗蚀剂的除去。
8.一种半导体基板的制造方法,其特征在于,是包含从实施有抗蚀剂的基材上除去抗蚀剂的工序的半导体基板的制造方法,用权利要求1~4中任一项所述的抗蚀剂的剥离液进行抗蚀剂的除去。
9.一种平板显示器的制造方法,其特征在于,是包含从实施有抗蚀剂的基材上除去抗蚀剂的工序的平板显示器的制造方法,用权利要求1~4中任一项所述的抗蚀剂的剥离液进行抗蚀剂的除去。
10.一种引线框的制造方法,其特征在于,是包含从实施有抗蚀剂的基材上除去抗蚀剂的工序的引线框的制造方法,用权利要求1~4中任一项所述的抗蚀剂的剥离液进行抗蚀剂的除去。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016096955 | 2016-05-13 | ||
JP2016-096955 | 2016-05-13 | ||
PCT/JP2017/009760 WO2017195453A1 (ja) | 2016-05-13 | 2017-03-10 | レジストの剥離液 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
CN109074005A true CN109074005A (zh) | 2018-12-21 |
Family
ID=60267145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
CN201780026501.9A Pending CN109074005A (zh) | 2016-05-13 | 2017-03-10 | 抗蚀剂的剥离液 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2017195453A1 (zh) |
KR (1) | KR20190006483A (zh) |
CN (1) | CN109074005A (zh) |
TW (1) | TW201807189A (zh) |
WO (1) | WO2017195453A1 (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPWO2019111479A1 (ja) * | 2017-12-07 | 2020-12-10 | 株式会社Jcu | レジストの剥離液 |
TWI677543B (zh) * | 2018-01-19 | 2019-11-21 | 南韓商Mti股份有限公司 | 切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑 |
KR102224907B1 (ko) * | 2018-04-17 | 2021-03-09 | 엘티씨 (주) | 드라이필름 레지스트 박리액 조성물 |
CN115066104A (zh) * | 2022-07-09 | 2022-09-16 | 南通群安电子材料有限公司 | 针对厚光阻抗蚀剂的剥除液 |
Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101226346A (zh) * | 2007-12-27 | 2008-07-23 | 周伟 | 光致抗蚀剂的脱膜工艺及在该工艺中使用的第一组合物、第二组合物和脱膜剂水溶液 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4224651B2 (ja) * | 1999-02-25 | 2009-02-18 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト剥離剤およびそれを用いた半導体素子の製造方法 |
JP2002062668A (ja) * | 2000-08-14 | 2002-02-28 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | フォトレジストの剥離方法 |
JP4035701B2 (ja) * | 2002-03-12 | 2008-01-23 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト剥離剤及びその使用方法 |
US9217929B2 (en) * | 2004-07-22 | 2015-12-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for removing photoresist and/or etching residue from a substrate and use thereof |
JP2009075285A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Fujifilm Corp | 半導体デバイスの剥離液、及び、剥離方法 |
KR20100076999A (ko) * | 2007-10-31 | 2010-07-06 | 이케이씨 테크놀로지, 인코포레이티드 | 포토레지스트 박리를 위한 화합물 |
CN101354543B (zh) * | 2008-07-29 | 2011-04-20 | 广东东硕科技有限公司 | 一种褪菲林液 |
US20120073607A1 (en) * | 2010-09-27 | 2012-03-29 | Eastman Chemical Company | Polymeric or monomeric compositions comprising at least one mono-amide and/or at least one diamide for removing substances from substrates and methods for using the same |
JP5764899B2 (ja) | 2010-09-30 | 2015-08-19 | 凸版印刷株式会社 | アルカリ剥離液の再生装置および方法 |
JP2013183080A (ja) | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | レジスト剥離液の劣化抑制方法、レジスト剥離方法及びシステム |
KR101420571B1 (ko) * | 2013-07-05 | 2014-07-16 | 주식회사 동진쎄미켐 | 드라이필름 레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 드라이필름 레지스트의 제거방법 |
JP6277511B2 (ja) * | 2013-10-18 | 2018-02-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | レジスト剥離液 |
JP6200289B2 (ja) * | 2013-11-18 | 2017-09-20 | 富士フイルム株式会社 | 半導体基板の処理液、処理方法、これらを用いた半導体基板製品の製造方法 |
-
2017
- 2017-03-10 KR KR1020187030830A patent/KR20190006483A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-03-10 WO PCT/JP2017/009760 patent/WO2017195453A1/ja active Application Filing
- 2017-03-10 JP JP2018516366A patent/JPWO2017195453A1/ja active Pending
- 2017-03-10 CN CN201780026501.9A patent/CN109074005A/zh active Pending
- 2017-03-21 TW TW106109377A patent/TW201807189A/zh unknown
Patent Citations (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN101226346A (zh) * | 2007-12-27 | 2008-07-23 | 周伟 | 光致抗蚀剂的脱膜工艺及在该工艺中使用的第一组合物、第二组合物和脱膜剂水溶液 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR20190006483A (ko) | 2019-01-18 |
TW201807189A (zh) | 2018-03-01 |
WO2017195453A1 (ja) | 2017-11-16 |
JPWO2017195453A1 (ja) | 2019-04-04 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN109074005A (zh) | 抗蚀剂的剥离液 | |
JP6006711B2 (ja) | 1級アルカノールアミンを含むlcd製造用フォトレジスト剥離液組成物 | |
CN102230178B (zh) | 镍或镍/铜合金的蚀刻液组合物 | |
JP4716225B2 (ja) | フォトレジスト剥離剤組成物 | |
TW200617624A (en) | Composition for removing a photoresist | |
KR20150040375A (ko) | 레조르시놀을 함유하는 스트리퍼 용액을 사용하는 향상된 금속 보존 | |
US10711222B2 (en) | Cleaning liquid | |
CN104281017A (zh) | 干膜抗蚀剂剥离剂组合物以及使用该组合物的干膜抗蚀剂的除去方法 | |
CN104781732A (zh) | 光刻胶剥离液组合物及光刻胶的剥离方法 | |
CN101093364A (zh) | 光致抗蚀剂用剥离液以及使用该剥离液的基板处理方法 | |
CN103966606B (zh) | 一种用于印制电路板的减铜蚀刻药水 | |
CN107346095A (zh) | 一种半导体制程正性光刻胶去胶液及应用 | |
CN101226346B (zh) | 光致抗蚀剂的脱膜工艺及在该工艺中使用的第一组合物、第二组合物和脱膜剂水溶液 | |
US20050233927A1 (en) | Stripper formulations and process | |
JP6670100B2 (ja) | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 | |
WO2014079145A1 (zh) | 一种去除光刻胶的清洗液 | |
CN110527348A (zh) | 一种水性转印膜脱膜剂及其制备方法和应用 | |
CN201408108Y (zh) | 平台总成 | |
JP3854523B2 (ja) | レジスト剥離剤 | |
CN106635443A (zh) | 清洗剂及其使用方法 | |
CN115280244A (zh) | 基板的清洗方法 | |
CN107995960A (zh) | 抗蚀剂剥离液 | |
TW201931030A (zh) | 抗蝕劑之剝離液 | |
KR20160121205A (ko) | 포토레지스트 박리액 조성물 및 이를 이용한 포토레지스트 박리 방법 | |
JP2015230333A (ja) | レジスト剥離剤及びそれを用いたレジスト剥離方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
PB01 | Publication | ||
PB01 | Publication | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
SE01 | Entry into force of request for substantive examination | ||
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |
Application publication date: 20181221 |
|
WD01 | Invention patent application deemed withdrawn after publication |