JPWO2017195453A1 - レジストの剥離液 - Google Patents
レジストの剥離液 Download PDFInfo
- Publication number
- JPWO2017195453A1 JPWO2017195453A1 JP2018516366A JP2018516366A JPWO2017195453A1 JP WO2017195453 A1 JPWO2017195453 A1 JP WO2017195453A1 JP 2018516366 A JP2018516366 A JP 2018516366A JP 2018516366 A JP2018516366 A JP 2018516366A JP WO2017195453 A1 JPWO2017195453 A1 JP WO2017195453A1
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resist
- stripping solution
- resist stripping
- solution according
- manufacturing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
第4級アンモニウム塩と、アルカノールアミンおよび脂肪族アミンを含有することを特徴とするレジストの剥離液により使用日数が経過して炭酸が溶解しても性能が低下しにくいレジストの剥離液を提供する。
Description
本発明は、レジストが施された基材からレジストを剥離することができるレジストの剥離液に関する。
プリント配線板の製造、主にセミアディティブ法で用いられるレジスト(ドライフィルム)の剥離液には微細配線化に伴いアミン系の剥離液が用いられている。
しかしながら、従来のアミン系のレジストの剥離液は空気中の炭酸ガスの溶解に伴い、炭酸塩類が蓄積することで剥離性能が低下することが知られている。
そのため、この剥離性能の低下の問題を解決するため、剥離液を電解再生する、剥離処理チャンバーへ二酸化炭素を除去した空気を送り込み、剥離液の性能低下を抑える等の技術が報告されている(特許文献1、2)。
しかしながら、これらの技術ではレジストの剥離液中への炭酸の溶解は防止できないため、炭酸が溶解しても性能が低下しにくい剥離液を提供することを本発明の課題とした。
本発明者らは、上記課題を解決するために鋭意研究した結果、これまでレジストの剥離液に用いられていたアミンとして、構造の異なる2種類のものを用いることにより、炭酸が溶解しても性能が従来の剥離液ほど低下しないことを見出し、本発明を完成させた。
すなわち、本発明は、第4級アンモニウム塩と、アルカノールアミンおよび脂肪族アミンを含有することを特徴とするレジストの剥離液である。
また、本発明は、アルカノールアミンおよび脂肪族アミンを含む第1液と、第4級アンモニウム塩を含む第2液とを含むことを特徴とするレジストの剥離液キットである。
更に、本発明は、レジストが施された基材を、上記レジストの剥離液で処理することを特徴とするめっきレジストの除去方法である。
また更に、本発明は、レジストが施された基材からレジストを除去する工程を含むプリント配線板、半導体基板、フラットパネルディスプレイまたはリードフレームの製造方法において、レジストの除去を上記レジストの剥離液を用いて行うことを特徴とするプリント配線板、半導体基板、フラットパネルディスプレイまたはリードフレームの製造方法である。
本発明のレジストの剥離液は、使用日数が経過して、液中に炭酸が溶解しても性能が従来の剥離液ほど低下しにくい。
また、本発明のレジストの剥離液は、使用日数が経過した後も、消費成分(例えば、第4級アンモニウム塩)を補給するだけで性能が回復する。
本発明のレジストの剥離液(以下、単に「本発明剥離液」という)に用いられる第4級アンモニウム塩は、特に限定されないが、例えば、水酸化テトラエチルアンモニウム、水酸化テトラメチルアンモニウム等が挙げられる。これら第4級アンモニウム塩は1種または2種以上を用いることができる。本発明剥離液における、第4級アンモニウム塩の含有量は、特に限定されないが、例えば、1〜25g/L、好ましくは5〜20g/Lである。
本発明剥離液に用いられるアルカノールアミンは、特に限定されないが、例えば、モノエタノールアミン、トリエタノールアミン、2−(ジメチルアミノ)エタノール等が挙げられる。これらアルカノールアミンは1種または2種以上を用いることができる。本発明剥離液における、アルカノールアミンの含有量は、特に限定されないが、例えば、10〜150g/L、好ましくは40〜100g/Lである。
本発明剥離液に用いられる脂肪族アミンは、特に限定されないが、例えば、エチレンジアミン、トリエチルアミン、ヘキサメチレンジアミン等が挙げられる。これら脂肪族アミンは1種または2種以上を用いることができる。本発明剥離液における、脂肪族アミンの含有量は、特に限定されないが、例えば、0.5〜40g/L、好ましくは8〜25g/Lである。
本発明剥離液においては、上記アルカノールアミンと脂肪族アミンの組み合わせは特に限定されないが、例えば、上記アルカノールアミンがモノエタノールアミンであり、脂肪族アミンがトリエチルアミンまたはエチレンジアミンであることが好ましく、エチレンジアミンであることがより好ましい。
本発明剥離液には、更に、有機溶媒を含有させてもよい。本発明剥離液に用いられる有機溶媒は、特に限定されないが、例えば、スルホキシド類、グリコール類、ラクタム類等が挙げられる。
上記スルホキシド類としては、例えば、ジメチルスルホキシド等が挙げられる。本発明剥離液における、スルホキシド類の含有量は、特に限定されないが、例えば、1〜40g/L、好ましくは3.5〜10g/Lである。
上記グリコール類としては、例えば、プロピレングリコ−ル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル等が挙げられる、本発明剥離液における、グリコール類の含有量は、特に限定されないが、例えば、10〜100g/L、好ましくは20〜60g/Lである。
上記ラクタム類としては、例えば、N−メチル−2−ピロリドン等が挙げられる。本発明剥離液における、ラクタム類の含有量は、特に限定されないが、例えば、10〜800g/L、好ましくは10〜50g/Lである。
上記有機溶媒は1種または2種以上を用いることができるが、少なくともスルホキシド類を用いることが好ましく、スルホキシド類とグリコール類を用いることがより好ましく、特にジメチルスルホキシドとプロピレングリコールを用いることが好ましい。
更に、本発明剥離液は、上記成分のみで構成されることが好ましいが、本発明の効果を損なわない限り、例えば、泡消剤等を含有させてもよい。なお、本発明剥離液には、本発明の効果を損うため、発泡性のある界面活性剤等は含有させない方がよい。
以上説明した本発明剥離液は上記成分を水に溶解することにより調製できる。
本発明剥離液は、全成分を予め水に溶解させて調製したものでもよいし、アルカノールアミンおよび脂肪族アミンを含む第1液(必要により有機溶媒)と、第4級アンモニウム塩を含む第2液とを含むレジストの剥離液キットを利用して、使用時に調製してもよい。
本発明剥離液を用いてレジストが施された基材を処理することにより、レジストが細かく粉砕され、レジストを除去することができる。
レジストが施された基材を、本発明剥離液で処理する条件は特に限定されないが、例えば、10〜80℃にした本発明剥離液に、基材を1〜60分間程度浸漬する条件や、10〜80℃にした本発明剥離液を基材に1〜60分間程度噴霧する条件が挙げられる。なお、浸漬の際には、基材を揺動したり、本発明剥離液に超音波をかけてもよい。
レジストの種類は、特に限定されないが、例えば、アルカリ可溶タイプのものが好ましい。このようなアルカリ可溶タイプのレジストしては、例えば、UFG−258(SAP用25μm厚)(旭化成株式会社製)等が挙げられる。
レジストが施される基材は、特に限定されないが、例えば、プリント配線板、半導体基板、フラットパネルディスプレイ、リードフレームに用いられる各種金属や合金で形成された、薄膜、基板、部品等が挙げられる。
上記のようにして本発明剥離液は、レジストが施された基材からレジストを除去することができるため、このようなレジストを除去する工程を含むプリント配線板、半導体基板、フラットパネルディスプレイ、リードフレーム等の製造方法に用いることができる。
上記製造方法の中でもレジストが施された基材からレジストを除去する工程を含むプリント配線板の製造方法が好ましく、特にセミアディティブ法によるプリント配線板の製造方法が好ましい。
以下、本発明を実施例を挙げて詳細に説明するが、本発明はこれら実施例に何ら限定されるものではない。
実 施 例 1
剥離液の調製:
以下の表1に記載の成分を水に溶解し、剥離液を調製した。
剥離液の調製:
以下の表1に記載の成分を水に溶解し、剥離液を調製した。
TMAH:水酸化テトラメチルアンモニウム
MEA:モノエタノールアミン
TEA:トリエタノールアミン
DMAE:2−(ジメチルアミノ)エタノール
EDA:エチレンジアミン
TEN:トリエチルアミン
PG:プロピレングリコール
DGME:ジエチレングリコールモノエチルエーテル
DMSO:ジメチルスルホキシド
実 施 例 2
剥離液の性能:
(1)剥離試験
銅張積層板(古河電工(株)製:CCL:電解銅箔GTS 35μm箔)上にドライフィルム(旭化成製:UFG−258(SAP用):25μm厚)をラミネートから露光を実施した基板を用い、50×50mm2へ切り出したものを試験片とした。
剥離液の性能:
(1)剥離試験
銅張積層板(古河電工(株)製:CCL:電解銅箔GTS 35μm箔)上にドライフィルム(旭化成製:UFG−258(SAP用):25μm厚)をラミネートから露光を実施した基板を用い、50×50mm2へ切り出したものを試験片とした。
液温を50℃にした各剥離液に上記試験片を浸漬して1往復/1秒で基板を揺動させ、完全にドライフィルムが剥離されるまでの時間および剥離後の剥離片サイズ(長辺)を測定した。
(2)耐炭酸ガス性
剥離液(1L)に対して、液温50℃を保持しながらエアー流量1L/minで空気バブリングを192時間(8日間)実施した。バブリング後に(1)と同様の剥離試験を行った。
剥離液(1L)に対して、液温50℃を保持しながらエアー流量1L/minで空気バブリングを192時間(8日間)実施した。バブリング後に(1)と同様の剥離試験を行った。
(3)回復性
(2)のバブリング後に、滴定分析で消費成分を分析したところ、第4級アンモニウム塩が消費されていることがわかった。そこで第4級アンモニウム塩を表1の組成に戻る量で補給した。補給後に(1)と同様の剥離試験を行った。
(2)のバブリング後に、滴定分析で消費成分を分析したところ、第4級アンモニウム塩が消費されていることがわかった。そこで第4級アンモニウム塩を表1の組成に戻る量で補給した。補給後に(1)と同様の剥離試験を行った。
(4)結果
上記試験の結果を表2に示した。
上記試験の結果を表2に示した。
以上の結果から、アミン類としてアルカノールアミンと脂肪族アミンを2種類用いることによりバブリング8日後でも従来の剥離液ほど性能(特に剥離サイズ)が低下しなかった。また、消費成分を補給することにより剥離液は元の性能に近い状態となった。上記剥離液の中でも実際のラインでの使用を考慮すると、剥離時間とサイズから組成2および5が好ましく、特にバブリング8日後の性能から組成2が好ましいことが分かった。
本発明は、レジストが施された基材からレジストを除去する工程を含むプリント配線板、半導体基板、フラットパネルディスプレイまたはリードフレームの製造方法に利用できる。
以 上
以 上
Claims (10)
- 第4級アンモニウム塩と、アルカノールアミンおよび脂肪族アミンを含有することを特徴とするレジストの剥離液。
- アルカノールアミンがモノエタノールアミンであり、脂肪族アミンがエチレンジアミンである請求項1記載のレジストの剥離液。
- 更に、有機溶媒を含有するものである請求項1または2記載のレジストの剥離液。
- 有機溶媒として、少なくともスルホキシド類を用いるものである請求項3記載のレジストの剥離液。
- アルカノールアミンおよび脂肪族アミンを含む第1液と、第4級アンモニウム塩を含む第2液とを含むことを特徴とするレジストの剥離液キット。
- レジストが施された基材を、請求項1〜4の何れかに記載のレジストの剥離液で処理することを特徴とするレジストの除去方法。
- レジストが施された基材からレジストを除去する工程を含むプリント配線板の製造方法において、レジストの除去を請求項1〜4の何れかに記載のレジストの剥離液を用いて行うことを特徴とするプリント配線板の製造方法。
- レジストが施された基材からレジストを除去する工程を含む半導体基板の製造方法において、レジストの除去を請求項1〜4の何れかに記載のレジストの剥離液を用いて行うことを特徴とする半導体基板の製造方法。
- レジストが施された基材からレジストを除去する工程を含むフラットパネルディスプレイの製造方法において、レジストの除去を請求項1〜4の何れかに記載のレジストの剥離液を用いて行うことを特徴とするフラットパネルディスプレイの製造方法。
- レジストが施された基材からレジストを除去する工程を含むリードフレームの製造方法において、レジストの除去を請求項1〜4の何れかに記載のレジストの剥離液を用いて行うことを特徴とするリードフレームの製造方法。
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2016096955 | 2016-05-13 | ||
JP2016096955 | 2016-05-13 | ||
PCT/JP2017/009760 WO2017195453A1 (ja) | 2016-05-13 | 2017-03-10 | レジストの剥離液 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPWO2017195453A1 true JPWO2017195453A1 (ja) | 2019-04-04 |
Family
ID=60267145
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2018516366A Pending JPWO2017195453A1 (ja) | 2016-05-13 | 2017-03-10 | レジストの剥離液 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPWO2017195453A1 (ja) |
KR (1) | KR20190006483A (ja) |
CN (1) | CN109074005A (ja) |
TW (1) | TW201807189A (ja) |
WO (1) | WO2017195453A1 (ja) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN111448521A (zh) * | 2017-12-07 | 2020-07-24 | 株式会社杰希优 | 抗蚀剂的剥离液 |
TWI677543B (zh) * | 2018-01-19 | 2019-11-21 | 南韓商Mti股份有限公司 | 切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑 |
KR102224907B1 (ko) * | 2018-04-17 | 2021-03-09 | 엘티씨 (주) | 드라이필름 레지스트 박리액 조성물 |
CN115066104A (zh) * | 2022-07-09 | 2022-09-16 | 南通群安电子材料有限公司 | 针对厚光阻抗蚀剂的剥除液 |
Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002062668A (ja) * | 2000-08-14 | 2002-02-28 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | フォトレジストの剥離方法 |
JP2011502281A (ja) * | 2007-10-31 | 2011-01-20 | イー.ケー.シー.テクノロジー.インコーポレーテッド | フォトレジスト剥離用化合物 |
JP2014503604A (ja) * | 2010-09-27 | 2014-02-13 | イーストマン ケミカル カンパニー | 基体から物質を除去するための、少なくとも1種のモノアミド及び/又は少なくとも1種のジアミドを含んでなるポリマー性又はモノマー性組成物並びにこれを使用する方法 |
JP2015099831A (ja) * | 2013-11-18 | 2015-05-28 | 富士フイルム株式会社 | 半導体基板の処理液、処理方法、これらを用いた半導体基板製品の製造方法 |
Family Cites Families (10)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4224651B2 (ja) * | 1999-02-25 | 2009-02-18 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト剥離剤およびそれを用いた半導体素子の製造方法 |
JP4035701B2 (ja) * | 2002-03-12 | 2008-01-23 | 三菱瓦斯化学株式会社 | レジスト剥離剤及びその使用方法 |
US9217929B2 (en) * | 2004-07-22 | 2015-12-22 | Air Products And Chemicals, Inc. | Composition for removing photoresist and/or etching residue from a substrate and use thereof |
JP2009075285A (ja) * | 2007-09-20 | 2009-04-09 | Fujifilm Corp | 半導体デバイスの剥離液、及び、剥離方法 |
CN101226346B (zh) * | 2007-12-27 | 2010-06-09 | 周伟 | 光致抗蚀剂的脱膜工艺及在该工艺中使用的第一组合物、第二组合物和脱膜剂水溶液 |
CN101354543B (zh) * | 2008-07-29 | 2011-04-20 | 广东东硕科技有限公司 | 一种褪菲林液 |
JP5764899B2 (ja) | 2010-09-30 | 2015-08-19 | 凸版印刷株式会社 | アルカリ剥離液の再生装置および方法 |
JP2013183080A (ja) | 2012-03-02 | 2013-09-12 | Mitsubishi Gas Chemical Co Inc | レジスト剥離液の劣化抑制方法、レジスト剥離方法及びシステム |
KR101420571B1 (ko) * | 2013-07-05 | 2014-07-16 | 주식회사 동진쎄미켐 | 드라이필름 레지스트 박리제 조성물 및 이를 이용한 드라이필름 레지스트의 제거방법 |
JP6277511B2 (ja) * | 2013-10-18 | 2018-02-14 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | レジスト剥離液 |
-
2017
- 2017-03-10 WO PCT/JP2017/009760 patent/WO2017195453A1/ja active Application Filing
- 2017-03-10 KR KR1020187030830A patent/KR20190006483A/ko not_active Application Discontinuation
- 2017-03-10 JP JP2018516366A patent/JPWO2017195453A1/ja active Pending
- 2017-03-10 CN CN201780026501.9A patent/CN109074005A/zh active Pending
- 2017-03-21 TW TW106109377A patent/TW201807189A/zh unknown
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002062668A (ja) * | 2000-08-14 | 2002-02-28 | Mitsubishi Gas Chem Co Inc | フォトレジストの剥離方法 |
JP2011502281A (ja) * | 2007-10-31 | 2011-01-20 | イー.ケー.シー.テクノロジー.インコーポレーテッド | フォトレジスト剥離用化合物 |
JP2014503604A (ja) * | 2010-09-27 | 2014-02-13 | イーストマン ケミカル カンパニー | 基体から物質を除去するための、少なくとも1種のモノアミド及び/又は少なくとも1種のジアミドを含んでなるポリマー性又はモノマー性組成物並びにこれを使用する方法 |
JP2015099831A (ja) * | 2013-11-18 | 2015-05-28 | 富士フイルム株式会社 | 半導体基板の処理液、処理方法、これらを用いた半導体基板製品の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
TW201807189A (zh) | 2018-03-01 |
KR20190006483A (ko) | 2019-01-18 |
WO2017195453A1 (ja) | 2017-11-16 |
CN109074005A (zh) | 2018-12-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JPWO2017195453A1 (ja) | レジストの剥離液 | |
KR20100061490A (ko) | 레조르시놀을 함유하는 스트리퍼 용액을 사용하는 향상된 금속 보존 | |
JP5404978B1 (ja) | 銅のマイクロエッチング剤及びその補給液、並びに配線基板の製造方法 | |
CN100356512C (zh) | 配线基板的制造方法 | |
US20110214994A1 (en) | Pretreating agent for electroplating, pretreatment method for electroplating, and electroplating method | |
KR101595977B1 (ko) | 포토레지스트 제거용 스트리퍼 조성물 및 이를 사용한 포토레지스트의 박리방법 | |
EP2878707B1 (en) | Composition for removing and preventing formation of oxide on the surface of metal wire | |
JP4580331B2 (ja) | エッチング液と補給液及びこれを用いた導体パターンの形成方法 | |
TW201610144A (zh) | 用於移除光阻的剝離劑組成物以及使用其的光阻剝離方法 | |
JP2017536560A (ja) | フォトレジスト除去用ストリッパー組成物およびこれを用いたフォトレジストの剥離方法 | |
CN110597026A (zh) | 一种软性电路板干膜清除工艺 | |
WO2014079145A1 (zh) | 一种去除光刻胶的清洗液 | |
JP6047832B2 (ja) | エッチング液、補給液及び銅配線の形成方法 | |
JP7462654B2 (ja) | 銅表面に酸化銅を形成する方法 | |
TWI805541B (zh) | 光阻剝離液 | |
JP4395148B2 (ja) | レジスト剥離剤 | |
TW201931030A (zh) | 抗蝕劑之剝離液 | |
CN115280244A (zh) | 基板的清洗方法 | |
JP2015196904A5 (ja) | ||
JP4215345B2 (ja) | 鉄−ニッケル系合金用エッチング剤 | |
JP2006213938A (ja) | スズまたはスズ合金めっき用ウィスカー防止剤およびこれを用いるウィスカー防止方法 | |
JP2017116871A (ja) | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 | |
JP2015230333A (ja) | レジスト剥離剤及びそれを用いたレジスト剥離方法 | |
JP2006241506A (ja) | 金の非シアン溶解除去剤 | |
JP2022087052A (ja) | 樹脂マスク剥離用洗浄剤組成物 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20181106 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20200227 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20210317 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20210922 |