TW201931030A - 抗蝕劑之剝離液 - Google Patents

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谷本樹一
志
新城沙耶加
都木新介
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日商傑希優股份有限公司
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    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
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Abstract

本發明為用以提供一種微細之配線間的抗蝕劑的去除容易之技術的抗蝕劑之剝離液，其特徵為含有鉀鹽及溶纖劑，及抗蝕劑的去除方法，其特徵為將實施抗蝕劑之基材以前述抗蝕劑之剝離液進行處理。

Description

抗蝕劑之剝離液
本發明係關於可從實施抗蝕劑之基材剝離抗蝕劑之抗蝕劑之剝離液。
印刷配線板之製造，主要係於半加成法使用之乾膜抗蝕劑等之抗蝕劑之剝離液中，使用伴隨微細配線化之胺系的剝離液。
然而，以往之胺系的抗蝕劑之剝離液有難廢液處理性、於海外之法規制的問題，故要避免其使用。
近年來，為了迴避胺系之抗蝕劑之剝離液的問題點，亦報告有含有氫氧化鈉與溶纖劑之剝離液(專利文獻1)，由於剝離時之抗蝕劑未精細粉碎，故有近年來之微細之配線間的抗蝕劑的去除困難的問題點。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2002-323776號公報
[發明欲解決之課題]
據此，本發明係以提供微細之配線間的抗蝕劑的去除容易之技術作為課題。 [用以解決課題之手段]
本發明者們為了解決上述課題經努力研究的結果，發現含有鉀鹽及溶纖劑之溶液，與如專利文獻1般之含有氫氧化鈉及溶纖劑之溶液相比較，即使顯著微細之配線間的抗蝕劑亦可精細粉碎，而完成本發明。
亦即，本發明為一種抗蝕劑之剝離液，其特徵為含有鉀鹽及溶纖劑。
又，本發明為一種抗蝕劑的去除方法，其特徵為將實施抗蝕劑之基材以上述抗蝕劑之剝離液進行處理。
進而，本發明為一種抗蝕劑之剝離液套組，其特徵為包含含有鉀鹽之第1液、與含有溶纖劑之第2液。
又，進而，本發明為一種印刷配線板、半導體基板、平板顯示器或引線框架之製造方法，其特徵為在包含從實施抗蝕劑之基材，去除抗蝕劑之步驟的印刷配線板、半導體基板、平板顯示器或引線框架之製造方法，將抗蝕劑的去除使用上述抗蝕劑之剝離液來進行。 [發明的效果]
本發明之抗蝕劑之剝離液即使微細之配線間的抗蝕劑亦可精細粉碎。
因此，本發明之抗蝕劑之剝離液，適合在包含從實施抗蝕劑之基材，去除抗蝕劑之步驟的印刷配線板、半導體基板、平板顯示器或引線框架之製造方法。
本發明之抗蝕劑之剝離液(以下，稱為「本發明剝離液」)係含有氫氧化鉀及溶纖劑者。
在本發明剝離液之鉀鹽雖並未特別限定，但例如可列舉氫氧化鉀、碳酸鉀等。尚，鉀鹽中，未包含相當於後述之矽酸鹽的矽酸鉀。此等當中，較佳為氫氧化鉀。又，在本發明剝離液之鉀鹽的含量雖並未特別限定，但例如較佳為0.75mol/L以下，更佳為0.65mol/L以下，特佳為0.55mol/L以下。
本發明剝離液所使用之溶纖劑係指乙二醇之醚類者，例如可列舉異丙基溶纖劑、丁基溶纖劑、二甲基溶纖劑、苯基丁基溶纖劑、甲基溶纖劑、乙基溶纖劑、苯基溶纖劑、苄基溶纖劑、卡必醇溶纖劑、二乙基溶纖劑等。此等當中，較佳為異丙基溶纖劑。又，此等溶纖劑可1種或組合2種以上使用。在本發明剝離液之溶纖劑的含量雖並未特別限定，但例如較佳為0.005~0.2mol/L，更佳為0.01~0.1mol/L，特佳為0.01~0.05mol/L。
本發明剝離液中，為了抑制對金屬之侵蝕性，較佳為進一步含有矽酸鹽。矽酸鹽雖並未特別限定，但例如可列舉矽酸鉀、矽酸鈉等。此等當中，較佳為矽酸鉀。在本發明剝離液之矽酸鹽的含量雖並未特別限定，但例如較佳為0.002~0.15mol/L，更佳為0.006~0.1mol/L，特佳為0.03~0.065mol/L。
尚，本發明剝離液中，僅以上述成分構成雖較佳，但只要不阻礙本發明的效果，例如可含有聚氧化烯烷基醚系或矽系之消泡劑等之其他成分。
以上說明之本發明剝離液可藉由將上述成分溶解在水來調製。尚，本發明剝離液之pH若為鹼性，雖並未特別限定，但由於通常僅將上述成分溶解於水成為鹼性，尤其是pH的調整並不必要。又，本發明剝離液可藉由將上述成分分別分開預先溶解於水，成為抗蝕劑之剝離液套組，混合此等來調製。具體而言，可列舉將包含含有鉀鹽之第1液、與含有溶纖劑之第2液作為特徵之抗蝕劑的剝離液套組，或於此包含進一步含有矽酸鹽之第3液的抗蝕劑之剝離液套組，或進一步於此將上述其他成分適當含有在各液之抗蝕劑的剝離液套組等。
藉由使用本發明剝離液，處理實施抗蝕劑之基材，抗蝕劑可精細粉碎，去除抗蝕劑。
將實施抗蝕劑之基材以本發明剝離液處理之條件，雖並未特別限定，但例如可列舉於成為10~80℃之本發明剝離液，將基材浸漬1~60分鐘左右的條件，將成為或10~80℃之本發明剝離液於基材噴霧1~60分鐘左右的條件。尚，浸漬時可揺動基材，或可於本發明剝離液施加超音波。
抗蝕劑的種類並未特別限定，例如可為乾膜抗蝕劑、液體抗蝕劑等之任一種。乾膜抗蝕劑的種類雖亦未特別限定，但例如較佳為鹼可溶型者。作為這般之鹼可溶型的乾膜抗蝕劑，例如可列舉RD-1225(SAP用25μm厚)(日立化成股份有限公司製)等。
實施抗蝕劑之基材雖並未特別限定，但例如可列舉印刷配線板、半導體基板、平板顯示器、引線框架所使用之各種金屬或以合金形成之薄膜、基板、部件等。
如上述般進行，由於本發明剝離液可從實施抗蝕劑之基材去除抗蝕劑，故可使用在包含去除這般之抗蝕劑的步驟之印刷配線板、半導體基板、平板顯示器、引線框架等之製造方法。
上述製造方法當中，較佳為包含從實施抗蝕劑之基材去除抗蝕劑的步驟之印刷配線板之製造方法，特佳為藉由半加成法之印刷配線板之製造方法。可去除本發明剝離液之線/空間(L/S)雖並未特別限定，但例如即使為50/50μm以下者，較佳為10/10~40/40μm者，抗蝕劑的去除亦可能。 [實施例]
以下，雖將本發明列舉實施例詳細說明，但本發明並非被限定於此等實施例者。
實施例1 抗蝕劑之剝離液之調製： 　　將以下之表1所記載之成分混合在水，進行溶解，調製抗蝕劑之剝離液。
實施例2 剝離試驗： (1)基板作製方法 　　為了將覆銅層壓板(古河電工(股)製：CCL：電解銅箔GTS 35μm箔)提昇乾膜抗蝕劑-基材間之密著，而在粗糙化處理(JCU製：Ebake Muneo Brown NBSII、蝕刻量0.5μm)將表面粗糙度定為Ra約0.75μm。然後，使用乾膜抗蝕劑(日立化成製：RD-1225(SAP用)：25μm厚)，實施從層壓至圖型曝光、顯影。對本基板將鍍銅(JCU製：CU-BRITE VL)以15μm厚實施後，將切出50×50mm2 者定為試驗片。尚，此試驗片係於一枚具有以下之表2的L/S的圖型部分、與黏性部分者。
(2)圖型基板上所殘存之抗蝕劑的評估方法 　　在上述評估方法，將噴灑運行時間固定為4分鐘，將L/S=20/20~40/40μm的圖型部分之剝離殘渣的有無以以下的評估基準評估。將其結果示於表2。
＜剝離殘渣之評估基準＞ (點數)(內容) 　　1：無殘渣 　　2：僅有極些微殘渣(即使以顯微鏡觀察亦難以瞭解的程度) 　　3：有些微殘渣 　　4：雖幾乎可剝離，但一部分殘渣多 　　5：雖一半以上可剝離，但一部分殘渣多 　　6：雖幾乎不可剝離，但一部分剝離 　　7：不可剝離
由此結果，瞭解到在含有溶纖劑之抗蝕劑之剝離液，取代氫氧化鈉改使用氫氧化鉀之本發明組成，較使用氫氧化鈉之比較組成，即使L/S狹小，亦可去除抗蝕劑。
(3)剝離性能之評估方法 　　將液溫成為50℃之各剝離液使用噴灑裝置，對上述試驗片實施剝離處理，將試驗片之黏性部分的DFR以目視剝離全面積之90%以上的時間點定為剝離時間。又，剝離片尺寸(長邊)係採取於噴灑停止後，附著於設置在試驗基板固定用之台的卡斯翠(Castries)用網孔者， 以目視實施。此時之噴灑裝置的條件以全錐形噴嘴定為流量5L/min、壓力0.1MPa。將其結果示於表3。
(4)金屬之侵蝕性的評估方法 　　在上述評估方法將噴灑運行時間固定在10分鐘，實施處理。然後，將基板之鍍銅點藉由電子顯微鏡(日立高科技製：S-3400N)將表面形狀用以下之評估基準評估。亦將其結果示於表3。
＜金屬侵蝕性之評估基準＞ (點數)(內容) 　　1：無變化 　　2：僅有極些微變化(即使於顯微鏡觀察亦難以瞭解的程度) 　　3：有些微變化 　　4：產生明顯變色
由此結果，瞭解到剝離液中之鹼濃度相同時，使用氫氧化鉀者可更加縮小剝離片尺寸，且亦可縮短剝離時間。
實施例3 　　抗蝕劑之剝離液套組： 　　將以0.2mol/L含有鉀鹽之第1液、與以0.015mol/L含有溶纖劑之第2液分別放入容器，製造抗蝕劑之剝離液套組。
實施例4 　　抗蝕劑之剝離液套組： 　　將以0.2mol/L含有鉀鹽之第1液、與以0.015mol/L含有溶纖劑之第2液、與以0.03mol/L含有矽酸鹽之第3液分別放入容器，製造抗蝕劑之剝離液套組。 [產業上之可利用性]
本發明剝離液可利用在包含從實施抗蝕劑之基材，去除抗蝕劑之步驟的印刷配線板、半導體基板、平板顯示器或引線框架之製造方法。 以上

Claims (12)

  1. 一種抗蝕劑之剝離液，其特徵為含有鉀鹽及溶纖劑。
  2. 如請求項1之抗蝕劑之剝離液，其係進一步含有矽酸鹽。
  3. 如請求項1或2之抗蝕劑之剝離液，其中，溶纖劑為異丙基溶纖劑。
  4. 如請求項1~3中任一項之抗蝕劑之剝離液，其中，鉀鹽為氫氧化鉀。
  5. 如請求項2之抗蝕劑之剝離液，其中，矽酸鹽為矽酸鉀。
  6. 一種抗蝕劑之剝離液套組，其特徵為包含含有鉀鹽之第1液、與含有溶纖劑之第2液。
  7. 如請求項6之抗蝕劑之剝離液套組，其係進一步包含含有矽酸鹽之第3液。
  8. 一種抗蝕劑的去除方法，其特徵為將實施抗蝕劑之基材以如請求項1~5中任一項之抗蝕劑之剝離液進行處理。
  9. 一種印刷配線板之製造方法，其特徵為在包含從實施抗蝕劑之基材，去除抗蝕劑之步驟的印刷配線板之製造方法中，將抗蝕劑的去除使用如請求項1~5中任一項之抗蝕劑之剝離液來進行。
  10. 一種半導體基板之製造方法，其特徵為在包含從實施抗蝕劑之基材，去除抗蝕劑之步驟的半導體基板之製造方法中，將抗蝕劑的去除使用如請求項1~5中任一項之抗蝕劑之剝離液來進行。
  11. 一種平板顯示器之製造方法，其特徵為在包含從實施抗蝕劑之基材，去除抗蝕劑之步驟的平板顯示器之製造方法中，將抗蝕劑的去除使用如請求項1~5中任一項之抗蝕劑之剝離液來進行。
  12. 一種引線框架之製造方法，其特徵為在包含從實施抗蝕劑之基材，去除抗蝕劑之步驟的引線框架之製造方法中，將抗蝕劑的去除使用如請求項1~5中任一項之抗蝕劑之剝離液來進行。
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