JP3186721U - ドライフィルムレジストの薄膜化処理装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】ドライフィルムレジストが貼り付けられた基板を処理液で処理して、該ドライフィルムレジストの光架橋性樹脂層成分のミセルを一旦不溶化し、溶解拡散しにくくする装置ユニット1、不溶化したミセルを除去する装置ユニット2、ミセルが除去されて薄膜化された光架橋性樹脂層表面を水洗する装置ユニット3、薄膜化された光架橋性樹脂層表面上に残っている水を除去する装置ユニット4を含むドライフィルムレジストの薄膜化処理装置において、装置ユニット1が、処理液が供給されたディップ槽7を有し、装置ユニット2が、ミセル除去用のスプレーノズル14を有しており、スプレーノズルは、基板5の搬送方向に対して直角の幅方向に30〜70度傾斜して設置されている。
【選択図】図2
Description
<1>ドライフィルムレジストが貼り付けられた基板を処理液で処理して、該ドライフィルムレジストの光架橋性樹脂層成分のミセルを一旦不溶化し、処理液中に溶解拡散しにくくする工程(1)で使用されるユニット、不溶化したミセルを除去する工程(2)で使用されるユニット、ミセルが除去されて薄膜化された光架橋性樹脂層表面を水洗する工程(3)で使用されるユニット、薄膜化された光架橋性樹脂層表面上に残っている水を除去する工程(4)で使用されるユニットを含むドライフィルムレジストの薄膜化処理装置において、
工程(1)で使用されるユニットが、処理液が供給されたディップ槽を有し、
工程(2)で使用されるユニットが、ミセル除去用のスプレーノズルを有しており、該スプレーノズルは、基板の搬送方向に対して直角の幅方向に傾斜して設置されていることを特徴とするドライフィルムレジストの薄膜化処理装置、
<2>スプレーノズルの中心線と基板からの垂線とで形成された傾斜角が30〜70度の範囲である<1>記載のドライフィルムレジストの薄膜化処理装置、
によって、上記課題を解決できた。
両面銅張積層板(面積510mm×340mm、銅箔厚み12μm、基材厚み0.2mm、三菱ガス化学(株)製、商品名:CCL−E170)にドライフィルムレジスト(旭化成イーマテリアルズ(株)製、商品名:サンフォート(登録商標)AQ−4038、厚み40μm)を貼り付けた。次に、キャリアフィルムを剥離した後、表1記載の条件で処理工程及び除去工程を行い、DFRの厚みが平均10μmとなるように、薄膜化処理を行った。なお、処理液の温度は25℃、除去液は炭酸ナトリウムを含んだpH=8の水溶液であり、除去液の温度は25℃、スプレー圧力は0.15MPa、除去液の流量は光架橋性樹脂層1cm2当たり0.3L/minであった。
薄膜化処理後、DFRの膜厚を40点で測定し、膜厚のばらつきを標準偏差σの値で評価した。なお、膜厚は、(株)スペクトラ・コープ製の小型高分解能分光装置(装置名:SolidLambdaUV−NIR)を用い、非接触、非破壊により測定し、反射率分光法から算出した。標準偏差σの値としては、標準偏差σの値が2.0μmより大きくなると、その後の露光工程、現像工程、エッチング工程に問題を発生し、製品として使用することができなくなるため、標準偏差σの値が2.0μm以下であることを本考案の評価基準とした。
2 工程(2)ユニット
3 工程(3)ユニット
4 工程(4)ユニット
5 ドライフィルムレジスト(DFR)が貼り付けられた基板
6 搬入口
7 ディップ槽
8 搬送用ロール
9 ユニット1用処理液供給用ポンプ
10 処理液(除去液)回収管
11 処理液貯蔵タンク
12 バルブ
13 連結口
14 ミセル除去用のスプレーノズル
15 除去液貯蔵タンク
16 除去液供給用ポンプ
17 バルブ
18 廃液管
19 水洗用のスプレーノズル
20 排水処理管
21 ターボブロワ
22 吸引管
23 吐出管
24 空気噴射ノズル
25 搬出口
26 水供給管
27 基板
28 ノズル管
29 スプレーノズル
30 基板に対する垂線
31 スプレーノズルの中心線
32 傾斜角
Claims (2)
- ドライフィルムレジストが貼り付けられた基板を処理液で処理して、該ドライフィルムレジストの光架橋性樹脂層成分のミセルを一旦不溶化し、処理液中に溶解拡散しにくくする工程(1)で使用されるユニット、不溶化したミセルを除去する工程(2)で使用されるユニット、ミセルが除去されて薄膜化された光架橋性樹脂層表面を水洗する工程(3)で使用されるユニット、薄膜化された光架橋性樹脂層表面上に残っている水を除去する工程(4)で使用されるユニットを含むドライフィルムレジストの薄膜化処理装置において、
工程(1)で使用されるユニットが、処理液が供給されたディップ槽を有し、
工程(2)で使用されるユニットが、ミセル除去用のスプレーノズルを有しており、該スプレーノズルは、基板の搬送方向に対して直角の幅方向に傾斜して設置されていることを特徴とするドライフィルムレジストの薄膜化処理装置。 - スプレーノズルの中心線と基板からの垂線とで形成された傾斜角が、30〜70度の範囲である請求項1記載のドライフィルムレジストの薄膜化処理装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2013003765U JP3186721U (ja) | 2013-07-02 | 2013-07-02 | ドライフィルムレジストの薄膜化処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP2013003765U JP3186721U (ja) | 2013-07-02 | 2013-07-02 | ドライフィルムレジストの薄膜化処理装置 |
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JP2013137999 Continuation | 2010-09-06 |
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JP3186721U true JP3186721U (ja) | 2013-10-24 |
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ID=50430357
Family Applications (1)
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JP2013003765U Expired - Lifetime JP3186721U (ja) | 2013-07-02 | 2013-07-02 | ドライフィルムレジストの薄膜化処理装置 |
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JP (1) | JP3186721U (ja) |
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2013
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