JP3182371U - レジスト層の薄膜化処理装置 - Google Patents
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Abstract
【課題】レジストパターンの形成における解像性と追従性の問題を解決しながら、レジスト層の薄膜化処理で問題となる気泡による処理ムラの問題を解決することのできるレジスト層の薄膜化処理装置を提供する。
【解決手段】アルカリ水溶液によってレジスト層を薄膜化処理するためのディップ槽１０と、レジスト層が形成された基板８をアルカリ水溶液中に浸漬されたままの状態で搬送する搬送ロール対１２とを備えてなるレジスト層の薄膜化処理装置であって、レジスト層の薄膜化処理装置に気泡抑制装置が備えられていることを特徴とする。
【選択図】図１８
【解決手段】アルカリ水溶液によってレジスト層を薄膜化処理するためのディップ槽１０と、レジスト層が形成された基板８をアルカリ水溶液中に浸漬されたままの状態で搬送する搬送ロール対１２とを備えてなるレジスト層の薄膜化処理装置であって、レジスト層の薄膜化処理装置に気泡抑制装置が備えられていることを特徴とする。
【選択図】図１８
Description
本考案はレジスト層の薄膜化処理装置に関する。
電気及び電子部品の小型化、軽量化、多機能化に伴い、回路形成用のドライフィルムレジスト、ソルダーレジストをはじめとする感光性樹脂（感光性材料）には、プリント配線板の高密度化に対応するための高解像度が要求されている。これらの感光性材料は、原料となる感光性樹脂を露光後、現像して画像形成することによって作製される。
プリント配線板の小型化、高機能化に対応するため、感光性樹脂は薄膜化の傾向がある。感光性樹脂には液を塗布して使用するタイプのもの（液状レジスト）とドライフィルムタイプのもの（ドライフィルムレジスト）がある。最近では１５μｍ以下の厚みのドライフィルムレジストが開発され、製品化も進んでいる。しかし、このような薄いドライフィルムレジストでは、従来の厚さのレジストに比べて、密着性及び凹凸への追従性が不十分となり、剥がれやボイド等が発生する問題があった。
上述の点を改善するために、厚い感光性樹脂を使用しながら、高解像度が達成できる種々の手段が提案されている。例えば、サブトラクティブ法によって導電パターンを作成する方法において、絶縁層の片面又は両面に金属層が設けられてなる積層基板上にドライフィルムレジストを貼り付けてレジスト層を形成した後、レジスト層の薄膜化工程を行い、次に、回路パターンの露光工程、現像工程、エッチング工程を行うことを特徴とする導電パターンの形成方法が開示されている（例えば、特許文献１参照）。また、ソルダーレジストパターンを形成する方法において、導電パターンを有する回路基板上にソルダーレジストからなるレジスト層を形成した後、レジスト層の薄膜化工程を行い、次にパターンの露光工程を行い、再度レジスト層の薄膜化処理を含む薄膜化工程を行うことを特徴とするソルダーレジストパターンの形成方法が開示されている（例えば、特許文献２及び３）。
薄膜化工程は、アルカリ水溶液を用いて未露光部のレジスト層の光架橋性樹脂成分をミセル化させるミセル化処理（薄膜化処理）、ｐＨ５〜９のアルカリ水溶液によってミセルを除去するミセル除去処理、表面を水で洗浄する水洗処理、水洗水を除去する乾燥処理の四段階の処理を少なくとも含んでいる。そして、アルカリ水溶液での薄膜化処理における処理時間によって薄膜化の進行が制御されることになる。しかし、アルカリ水溶液中に気泡が存在し、その気泡が未露光部のレジスト層の光架橋性樹脂成分に接触した場合、気泡が接触していた部分の薄膜化の進行が妨げられるという問題が発生する。薄膜化の進行が妨げられた部分には、レジスト層が厚く残ってしまうため、サブトラクティブ法における導電パターン形成ではエッチング不良の原因となり、ソルダーレジストのパターン形成においては、接続パッド部の接触不良の原因となり、どちらも生産における歩留まりの低下に繋がるという問題が発生する。
さらに、露光工程後、アルカリ水溶液によるレジスト層の薄膜化処理含む薄膜化工程を経て、再度露光工程を行い、次に、再びアルカリ水溶液によるレジスト層の薄膜化処理を含む薄膜化工程を行う場合、レジスト層への気泡の接触による薄膜化阻害がより深刻になる。露光工程と薄膜化工程を繰り返すことによって、段階的に未露光部のレジスト層を薄膜化する場合には、レジスト層の露光部と未露光部の境界にできた段差部に特に気泡が残りやすく、気泡が接触していた部分におけるレジスト層の薄膜化がその後妨げられてしまう。例えば、露光工程と薄膜化処理を含む薄膜化工程を繰り返し二回行う場合、二回目の薄膜化部が一回目の薄膜化部と同じか又はその内側の領域にある場合には、二回目の薄膜化処理時に、一回目の露光部と一回目の薄膜化部との境界にできた段差内部に気泡が残りやすい傾向がある。
また、特許文献４には、レジスト層が形成された基板を薄膜化処理液（アルカリ水溶液）中に浸漬（ディップ、ｄｉｐ）してレジスト層を薄膜化するための薄膜化処理装置が開示されている。特許文献４で開示されている薄膜化処理装置について、図面を用いて説明する。図５及び６は、特許文献４に記載されている薄膜化処理装置の概略断面図である。図５は、基板の搬送方向（ＭＤ方向）と直交する方向（ＣＤ方向）から見た概略断面図であり、図６は、基板の搬送方向（ＭＤ方向）から見た概略断面図である。この薄膜化処理装置では、レジスト層が形成された基板８を搬送ロール対１２によって、ディップ槽１０中のアルカリ水溶液９に浸漬した状態で搬送し、レジスト層の薄膜化処理が行われる。アルカリ水溶液９は、装置下部のアルカリ水溶液貯蔵タンク１３からアルカリ水溶液供給ポンプ１４にてアルカリ水溶液供給口１１を介してディップ槽１０に供給され、オーバーフローさせる。オーバーフローしたアルカリ水溶液９はアルカリ水溶液回収槽３０に回収され、回収管２１を通って回収管排出口２２より排出され、アルカリ水溶液貯蔵タンク１３に貯蔵される。この繰り返しによって、アルカリ水溶液９はディップ槽１０とアルカリ水溶液貯蔵タンク１３との間を循環する。
図５及び６に示す薄膜化処理装置において、アルカリ水溶液９を循環する際に、オーバーフローによってアルカリ水溶液９がディップ槽１０からアルカリ水溶液貯蔵タンク１３へと落下する際に、アルカリ水溶液９中に気泡１５が発生し、この気泡１５がアルカリ水溶液９の循環によって基板８のレジスト層に付着し、薄膜化の進行を阻害してしまい、膜厚がムラ（斑）になる処理ムラが発生する場合があった。
本考案の課題は、解像性と追従性の問題を解決することができるレジストパターンの形成方法で使用されるレジスト層の薄膜化処理装置において、気泡による処理ムラの問題を解決することができるレジスト層の薄膜化処理装置を提供することである。
本考案者らは、この課題を解決するため研究を行った結果、下記手段によって、上記課題を解決できることを見出した。
（１）アルカリ水溶液によってレジスト層を薄膜化処理するためのディップ槽と、レジスト層が形成された基板をアルカリ水溶液中に浸漬されたままの状態で搬送する搬送ロール対とを備えてなるレジスト層の薄膜化処理装置であって、レジスト層の薄膜化処理装置に気泡抑制装置が備えられていることを特徴とするレジスト層の薄膜化処理装置。
（２）レジスト層の薄膜化処理装置が、アルカリ水溶液をディップ槽に供給するアルカリ水溶液供給口を備えてなり、気泡抑制装置がアルカリ水溶液供給口と搬送ロール対との間に備えられた気泡誘導板である（１）記載のレジスト層の薄膜化処理装置。
（３）レジスト層の薄膜化処理装置が、ディップ槽にアルカリ水溶液を供給するためのアルカリ水溶液供給ポンプと、ディップ槽からオーバーフローしたアルカリ水溶液をアルカリ水溶液貯蔵タンクへと送るための回収管と、ディップ槽からオーバーフローしたアルカリ水溶液が貯蔵されるアルカリ水溶液貯蔵タンクとを備えてなり、気泡抑制装置がアルカリ水溶液貯蔵タンク内部に備えられた気泡誘導板である（１）又は（２）記載のレジスト層の薄膜化処理装置。
（４）レジスト層の薄膜化処理装置が、ディップ槽にアルカリ水溶液を供給するためのアルカリ水溶液供給ポンプと、ディップ槽からオーバーフローしたアルカリ水溶液をアルカリ水溶液貯蔵タンクへと送るための回収管と、ディップ槽からオーバーフローしたアルカリ水溶液が貯蔵されるアルカリ水溶液貯蔵タンクとを備えてなり、気泡抑制装置がアルカリ水溶液貯蔵タンクにおけるアルカリ水溶液の液面よりも下に設置された回収管排出口である（１）〜（３）のいずれか記載のレジスト層の薄膜化処理装置。
（５）レジスト層の薄膜化処理装置が、アルカリ水溶液をディップ槽に供給するアルカリ水溶液供給口を備えてなり、気泡抑制装置がディップ槽に備えられた超音波発生装置である（１）〜（４）のいずれか記載のレジスト層の薄膜化処理装置。
（６）レジスト層の薄膜化処理装置が、ディップ槽にアルカリ水溶液を供給するためのアルカリ水溶液供給ポンプと、ディップ槽からオーバーフローしたアルカリ水溶液をアルカリ水溶液貯蔵タンクへと送るための回収管と、ディップ槽からオーバーフローしたアルカリ水溶液が貯蔵されるアルカリ水溶液貯蔵タンクとを備えてなり、気泡抑制装置がアルカリ水溶液貯蔵タンクに備えられた超音波発生装置である（１）〜（５）のいずれか記載のレジスト層の薄膜化処理装置。
（７）レジスト層の薄膜化処理装置が、ディップ槽にアルカリ水溶液を供給するためのアルカリ水溶液供給ポンプと、ディップ槽からオーバーフローしたアルカリ水溶液をアルカリ水溶液貯蔵タンクへと送るための回収管と、ディップ槽からオーバーフローしたアルカリ水溶液が貯蔵されるアルカリ水溶液貯蔵タンクとを備えてなり、気泡抑制装置がディップ槽におけるアルカリ水溶液の液面よりも低い位置に備えられたアルカリ水溶液噴出口である（１）〜（６）のいずれか記載のレジスト層の薄膜化処理装置。
解像性と追従性の問題を解決することができるレジストパターンの形成方法で使用されるレジスト層の薄膜化処理装置において、気泡による処理ムラの問題を解決することができるレジスト層の薄膜化処理装置を提供することができる。
以下、本考案のレジスト層の薄膜化処理装置について詳細に説明する。
本考案のレジスト層の薄膜化処理装置を用いて行われるレジストパターンの形成方法について、図１〜４を用いて説明する。
図１を用いて、サブトラクティブ法で導電パターンを形成する場合におけるレジストパターンの形成方法（１）について説明する。
［図１ａ］絶縁層１上に金属層７が設けられた積層基板を準備する。
［図１ｂ］積層基板上にアルカリ現像型のレジスト層３を形成する。
［図１ｃ］レジスト層３に気泡が付着するのを抑制しながら、アルカリ水溶液によってレジスト層３を薄膜化する（薄膜化工程）。
［図１ｄ］薄膜化されたレジスト層３に活性光線５によってパターン露光する（露光工程）。
［図１ｅ］現像によって未露光部のレジスト層３を除去する（現像工程）。
［図１ｂ］積層基板上にアルカリ現像型のレジスト層３を形成する。
［図１ｃ］レジスト層３に気泡が付着するのを抑制しながら、アルカリ水溶液によってレジスト層３を薄膜化する（薄膜化工程）。
［図１ｄ］薄膜化されたレジスト層３に活性光線５によってパターン露光する（露光工程）。
［図１ｅ］現像によって未露光部のレジスト層３を除去する（現像工程）。
これによって、図１ｅに示すような、気泡による薄膜化の処理ムラの無いレジストパターンを形成できる。図１ｅの後に、エッチング工程において、レジストパターンで覆われていない金属層７をエッチングすることにより、導電パターンが得られる。
図２を用いて、ソルダーレジストを用いたレジストパターンの形成方法（２）について説明する。
［図２ａ］絶縁層１上に導体配線２及び接続パッド６が形成された回路基板を準備する。［図２ｂ］回路基板上にアルカリ現像型のレジスト層３を形成する。
［図２ｃ］薄膜化される領域以外の部分のレジスト層３を活性光線５によって露光する（露光工程）。
［図２ｄ］レジスト層３に気泡が付着するのを抑制しながら、レジスト層３の厚みが接続パッド６の厚みよりも薄くなるまで、アルカリ水溶液によって未露光部のレジスト層３を薄膜化する（薄膜化工程）。
［図２ｃ］薄膜化される領域以外の部分のレジスト層３を活性光線５によって露光する（露光工程）。
［図２ｄ］レジスト層３に気泡が付着するのを抑制しながら、レジスト層３の厚みが接続パッド６の厚みよりも薄くなるまで、アルカリ水溶液によって未露光部のレジスト層３を薄膜化する（薄膜化工程）。
これによって、図２ｄに示すような、気泡による薄膜化の処理ムラの無い、導体配線２はレジスト層３で被覆しつつ、接続パッド６はレジスト層３から露出した多段構造のレジストパターンを形成することができる。
図３を用いて、サブトラクティブ法で導電パターン形成を形成する場合におけるレジストパターンの形成方法（３）について説明する。
［図３ａ］絶縁層１上に金属層７が設けられた積層基板を準備する。
［図３ｂ］積層基板上にアルカリ現像型のレジスト層３を形成する。
［図３ｃ］薄膜化される領域以外の部分のレジスト層３を活性光線５によって露光する（一回目の露光工程）。
［図３ｄ］レジスト層３に気泡が付着するのを抑制しながら、アルカリ水溶液によって未露光部のレジスト層３を薄膜化する（薄膜化工程）。
［図３ｅ］現像される領域以外の部分のレジスト層３を活性光線５によって露光する（二回目の露光工程）。
［図３ｆ］現像によって未露光部のレジスト層３を除去する（現像工程）。
［図３ｂ］積層基板上にアルカリ現像型のレジスト層３を形成する。
［図３ｃ］薄膜化される領域以外の部分のレジスト層３を活性光線５によって露光する（一回目の露光工程）。
［図３ｄ］レジスト層３に気泡が付着するのを抑制しながら、アルカリ水溶液によって未露光部のレジスト層３を薄膜化する（薄膜化工程）。
［図３ｅ］現像される領域以外の部分のレジスト層３を活性光線５によって露光する（二回目の露光工程）。
［図３ｆ］現像によって未露光部のレジスト層３を除去する（現像工程）。
これによって、図３ｆに示すような、気泡による薄膜化の処理ムラの無い、部分的に薄膜化されたレジスト層３を有する多段構造のレジストパターンを形成できる。次に、エッチング工程において、レジストパターンで覆われていない金属層７をエッチングすることにより、導電パターンが得られる。
図４を用いて、ソルダーレジストを用いたレジストパターンの形成方法（４）について説明する。
［図４ａ］絶縁層１上に導体配線２及び接続パッド６が形成された回路基板を準備する。
［図４ｂ］回路基板上にアルカリ現像型のレジスト層３を形成する。
［図４ｃ］一回目に薄膜化される領域以外の部分のレジスト層３を活性光線５によって露光する（一回目の露光工程）。
［図４ｄ］レジスト層３に気泡が付着するのを抑制しながら、レジスト層３の厚みが接続パッド６の厚み以上になるまでアルカリ水溶液によって未露光部のレジスト層３を薄膜化する（一回目の薄膜化工程）。
［図４ｅ］二回目に薄膜化される領域以外の部分のレジスト層３を活性光線５によって露光する（二回目の露光工程）。
［図４ｆ］レジスト層３に気泡が付着するのを抑制しながら、レジスト層３の厚みが接続パッド６の厚みよりも薄くなるまでアルカリ水溶液によって未露光部のレジスト層３を薄膜化する（二回目の薄膜化工程）。
［図４ｂ］回路基板上にアルカリ現像型のレジスト層３を形成する。
［図４ｃ］一回目に薄膜化される領域以外の部分のレジスト層３を活性光線５によって露光する（一回目の露光工程）。
［図４ｄ］レジスト層３に気泡が付着するのを抑制しながら、レジスト層３の厚みが接続パッド６の厚み以上になるまでアルカリ水溶液によって未露光部のレジスト層３を薄膜化する（一回目の薄膜化工程）。
［図４ｅ］二回目に薄膜化される領域以外の部分のレジスト層３を活性光線５によって露光する（二回目の露光工程）。
［図４ｆ］レジスト層３に気泡が付着するのを抑制しながら、レジスト層３の厚みが接続パッド６の厚みよりも薄くなるまでアルカリ水溶液によって未露光部のレジスト層３を薄膜化する（二回目の薄膜化工程）。
これによって、図４ｆに示すような、気泡による薄膜化の処理ムラの無い、導体配線２はレジスト層３で被覆しつつ、接続パッド６はレジスト層３から露出した多段構造のレジストパターンを形成できる。
基板としては、プリント配線板用基板、リードフレーム用基板；プリント配線板用基板やリードフレーム用基板を加工して得られる回路基板が挙げられる。
プリント配線板用基板としては、例えば、フレキシブル基板、リジッド基板が挙げられる。フレキシブル基板の絶縁層の厚さは５〜１２５μｍで、その両面もしくは片面に１〜３５μｍの金属層が設けられて積層基板となっており、可撓性が大きい。絶縁層の材料には、通常、ポリイミド、ポリアミド、ポリフェニレンサルファイド、ポリエチレンテレフタレート、液晶ポリマー等が用いられる。絶縁層上に金属層を有する材料は、接着剤で貼り合わせる接着法、金属箔上に樹脂液を塗布するキャスト法、スパッタリングや蒸着法で樹脂フィルム上に形成した厚さ数ｎｍの薄い導電層（シード層）の上に電解メッキで金属層を形成するスパッタ／メッキ法、熱プレスで貼り付けるラミネート法等のいかなる方法で製造したものを用いてもよい。金属層の金属としては、銅、アルミニウム、銀、ニッケル、クロム、あるいはそれらの合金等のいかなる金属を用いることができるが、銅が一般的である。
リジッド基板は、紙基材又はガラス基材にエポキシ樹脂又はフェノール樹脂等を浸漬させた絶縁性基板を重ねて絶縁層とし、その片面もしくは両面に金属箔を載置し、加熱及び加圧により積層し、金属層が設けられた積層基板が挙げられる。また、内層配線パターン加工後、プリプレグ、金属箔等を積層して作製する多層用のシールド板、貫通孔や非貫通孔を有する多層板も挙げられる。厚みは６０μｍ〜３．２ｍｍであり、プリント配線板としての最終使用形態により、その材質と厚みが選定される。金属層の材料としては、銅、アルミニウム、銀、金等が挙げられるが、銅が最も一般的である。これらプリント配線板用基板の例は、「プリント回路技術便覧−第二版−」（（社）プリント回路学会編、１９８７年刊、日刊工業新聞社発刊）や「多層プリント回路ハンドブック」（Ｊ．Ａ．スカーレット編、１９９２年刊、（株）近代化学社発刊）に記載されている。
リードフレーム用基板としては、鉄ニッケル合金、銅系合金等の基板が挙げられる。
回路基板とは、絶縁性基板上に銅等の金属からなる半導体チップ等の電子部品を接続するための接続パッドが形成された基板である。導体配線が形成されていてもよい。回路基板を作製する方法は、例えばサブトラクティブ法、セミアディティブ法、アディティブ法が挙げられる。サブトラクティブ法では、例えば、上記のプリント配線板用基板にエッチングレジストパターンを形成し、露光工程、現像工程、エッチング工程、レジスト剥離工程を実施して回路基板が作製される。
レジストとしては、アルカリ現像型のレジストが使用できる。また、液状レジストであってもよく、ドライフィルムレジストであってもよく、アルカリ水溶液（薄膜化処理液）によって薄膜化でき、かつ、薄膜化処理液よりも低濃度のアルカリ水溶液である現像液によって現像できるレジストであればいかなるものでも使用できる。アルカリ現像型のレジストは光架橋性樹脂成分を含む。光架橋性樹脂成分は、例えば、アルカリ可溶性樹脂、光重合性化合物、光重合開始剤等を含有してなる。また、エポキシ樹脂、熱硬化剤、無機フィラー等を含有させてもよい。
アルカリ可溶性樹脂としては、例えば、アクリル系樹脂、メタクリル系樹脂、スチレン系樹脂、エポキシ系樹脂、アミド系樹脂、アミドエポキシ系樹脂、アルキド系樹脂、フェノール系樹脂の有機高分子が挙げられる。このうち、エチレン性不飽和二重結合を有した単量体（重合性単量体）を重合（ラジカル重合等）して得られたものであることが好ましい。これらのアルカリ水溶液に可溶な重合体は、単独で用いても、二種類以上を組み合わせて用いても良い。このようなエチレン性不飽和二重結合を有した単量体としては、例えば、スチレン、ビニルトルエン、α−メチルスチレン、ｐ−メチルスチレン、ｐ−エチルスチレン、ｐ−メトキシスチレン、ｐ−エトキシスチレン、ｐ−クロロスチレン、ｐ−ブロモスチレン等のスチレン誘導体；ジアセトンアクリルアミド等のアクリルアミド；アクリロニトリル；ビニル−ｎ−ブチルエーテル等のビニルアルコールのエステル類；（メタ）アクリル酸アルキルエステル、（メタ）アクリル酸テトラヒドロフルフリルエステル、（メタ）アクリル酸ジメチルアミノエチルエステル、（メタ）アクリル酸ジエチルアミノエチルエステル、（メタ）アクリル酸グリシジルエステル、２，２，２−トリフルオロエチル（メタ）アクリレート、２，２，３，３−テトラフルオロプロピル（メタ）アクリレート、（メタ）アクリル酸、α−ブロモ（メタ）アクリル酸、α−クロル（メタ）アクリル酸、β−フリル（メタ）アクリル酸、β−スチリル（メタ）アクリル酸等の（メタ）アクリル酸モノエステル；マレイン酸、マレイン酸無水物、マレイン酸モノメチル、マレイン酸モノエチル、マレイン酸モノイソプロピル等のマレイン酸系単量体；フマル酸、ケイ皮酸、α−シアノケイ皮酸、イタコン酸、クロトン酸、プロピオール酸等が挙げられる。
光重合性化合物としては、例えば、多価アルコールにα，β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物；ビスフェノールＡ系（メタ）アクリレート化合物；グリシジル基含有化合物にα，β−不飽和カルボン酸を反応させて得られる化合物；分子内にウレタン結合を有する（メタ）アクリレート化合物等のウレタンモノマー；ノニルフェノキシポリエチレンオキシアクリレート；γ−クロロ−β−ヒドロキシプロピル−β′−（メタ）アクリロイルオキシエチル−ｏ−フタレート、β−ヒドロキシアルキル−β′−（メタ）アクリロイルオキシアルキル−ｏ−フタレート等のフタル酸系化合物；（メタ）アクリル酸アルキルエステル、ＥＯ、ＰＯ変性ノニルフェニル（メタ）アクリレート等が挙げられる。ここで、ＥＯ及びＰＯは、エチレンオキサイド及びプロピレンオキサイドを示し、ＥＯ変性された化合物は、エチレンオキサイド基のブロック構造を有するものであり、ＰＯ変性された化合物は、プロピレンオキサイド基のブロック構造を有するものである。これらの光重合性化合物は単独で、又は２種類以上を組み合わせて用いることができる。
光重合開始剤としては、ベンゾフェノン、Ｎ，Ｎ′−テトラメチル−４，４′−ジアミノベンゾフェノン（ミヒラーケトン）、Ｎ，Ｎ′−テトラエチル−４，４′−ジアミノベンゾフェノン、４−メトキシ−４′−ジメチルアミノベンゾフェノン、２−ベンジル−２−ジメチルアミノ−１−（４−モルホリノフェニル）−ブタノン−１、２−メチル−１−［４−（メチルチオ）フェニル］−２−モルフォリノ−プロパノン−１等の芳香族ケトン；２−エチルアントラキノン、フェナントレンキノン、２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラキノン、オクタメチルアントラキノン、１，２−ベンズアントラキノン、２，３−ベンズアントラキノン、２−フェニルアントラキノン、２，３−ジフェニルアントラキノン、１−クロロアントラキノン、２−メチルアントラキノン、１，４−ナフトキノン、９，１０−フェナントラキノン、２−メチル−１，４−ナフトキノン、２，３−ジメチルアントラキノン等のキノン類；ベンゾインメチルエーテル、ベンゾインエチルエーテル、ベンゾインフェニルエーテル等のベンゾインエーテル化合物；ベンゾイン、メチルベンゾイン、エチルベンゾイン等のベンゾイン化合物；ベンジルジメチルケタール等のベンジル誘導体；２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−クロロフェニル）−４，５−ジ（メトキシフェニル）イミダゾール二量体、２−（ｏ−フルオロフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｏ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体、２−（ｐ−メトキシフェニル）−４，５−ジフェニルイミダゾール二量体等の２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体；９−フェニルアクリジン、１，７−ビス（９，９′−アクリジニル）ヘプタン等のアクリジン誘導体；Ｎ−フェニルグリシン、Ｎ−フェニルグリシン誘導体、クマリン系化合物等が挙げられる。上記２，４，５−トリアリールイミダゾール二量体における２つの２，４，５−トリアリールイミダゾールのアリール基の置換基は、同一であって対称な化合物を与えてもよいし、相違して非対称な化合物を与えてもよい。また、ジエチルチオキサントンとジメチルアミノ安息香酸の組み合わせのように、チオキサントン系化合物と３級アミン化合物とを組み合わせてもよい。これらは単独で、又は２種類以上を組み合わせて使用される。
エポキシ樹脂は、硬化剤として用いられる場合がある。アルカリ可溶性樹脂のカルボン酸と反応させることで架橋させ、耐熱性や耐薬品性の特性の向上を図っているが、カルボン酸とエポキシは常温でも反応が進むために、保存安定性が悪く、アルカリ現像型のソルダーレジストは一般的に使用前に混合する２液性の形態をとっている場合が多い。無機フィラーを使用する場合もあり、例えば、タルク、硫酸バリウム、シリカ等が挙げられる。
基板の表面にレジスト層を形成する方法は、いかなる方法でもよいが、例えば、スクリーン印刷法、ロールコート法、スプレー法、ディップ法、カーテンコート法、バーコート法、エアナイフ法、ホットメルト法、グラビアコート法、刷毛塗り法、オフセット印刷法が挙げられる。ドライフィルムレジストの場合は、ラミネート法が好適に用いられる。
露光工程では、レジスト層に対して活性光線を照射する。キセノンランプ、高圧水銀灯、低圧水銀灯、超高圧水銀灯、ＵＶ蛍光灯を光源とした反射画像露光、フォトマスクを用いた片面、両面密着露光や、プロキシミティ方式、プロジェクション方式やレーザ走査露光等を使用することができる。走査露光を行う場合には、ＵＶレーザ、Ｈｅ−Ｎｅレーザ、Ｈｅ−Ｃｄレーザ、アルゴンレーザ、クリプトンイオンレーザ、ルビーレーザ、ＹＡＧレーザ、窒素レーザ、色素レーザ、エキシマレーザ等のレーザ光源を発光波長に応じてＳＨＧ波長変換した走査露光、あるいは、液晶シャッター、マイクロミラーアレイシャッターを利用した走査露光によって露光することができる。
現像工程では、未露光部のレジスト層を現像液で現像する。薄膜化工程と異なり、未露光部のレジスト層を完全に除去する。現像方法としては、使用するレジスト層に見合った現像液を用い、基板表面に向かってスプレーを噴射する方法が一般的である。現像液としては、薄膜化処理に使用される薄膜化処理液（アルカリ水溶液）よりも低濃度のアルカリ水溶液が使用される。現像液（低濃度アルカリ水溶液）としては、０．３〜３質量％の炭酸ナトリウム水溶液が一般的である。
エッチング工程では、「プリント回路技術便覧」（（社）日本プリント回路工業会編、１９８７年刊行、（株）日刊工業新聞社刊）記載の方法等を使用することができる。エッチング液は金属層を溶解除去できるもので、また、少なくともレジスト層が耐性を有しているものであればよい。一般に金属層に銅を使用する場合には、塩化第二鉄水溶液、塩化第二銅水溶液等を使用することができる。
レジスト層の薄膜化工程とは、アルカリ水溶液によってレジスト層中の光架橋性樹脂成分をミセル化させるミセル化処理（薄膜化処理）、次にｐＨ５〜９のアルカリ水溶液によってミセルを除去するミセル除去処理を含む工程である。さらに、除去しきれなかったレジスト層表面や残存付着したアルカリ水溶液を水洗によって洗い流す水洗処理、水洗水を除去する乾燥処理も含むこともできる。
薄膜化処理液として使用されるアルカリ水溶液とは、例えば、リチウム、ナトリウム又はカリウム等のアルカリ金属ケイ酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属炭酸塩、アンモニウムリン酸塩、アンモニウム炭酸塩等の無機アルカリ性化合物の水溶液やモノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、メチルアミン、ジメチルアミン、エチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、シクロヘキシルアミン、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド（ＴＭＡＨ）、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチル−２−ヒドロキシエチルアンモニウムヒドロキサイド（コリン）等の有機アルカリ性化合物の水溶液が挙げられる。上記無機アルカリ性化合物及び有機アルカリ性化合物は、混合物としても使用できる。
アルカリ性化合物の含有量は、０．１質量％以上５０質量％以下で使用できる。また、レジスト層表面をより均一に薄膜化するために、アルカリ水溶液に、硫酸塩、亜硫酸塩を添加することもできる。硫酸塩又は亜硫酸塩としては、リチウム、ナトリウム又はカリウム等のアルカリ金属硫酸塩又は亜硫酸塩、マグネシウム、カルシウム等のアルカリ土類金属硫酸塩又は亜硫酸塩が挙げられる。
アルカリ水溶液としては、これらの中でも特に、アルカリ金属炭酸塩、アルカリ金属リン酸塩、アルカリ金属水酸化物、アルカリ金属ケイ酸塩から選ばれる無機アルカリ性化合物、及び、ＴＭＡＨ、コリンから選ばれる有機アルカリ性化合物のうち少なくともいずれか１種を含み、該無機アルカリ性化合物及び有機アルカリ性化合物の含有量が５〜２５質量％であるアルカリ水溶液が、表面をより均一に薄膜化できるため、好適に使用できる。５質量％未満では、薄膜化する処理でムラが発生しやすくなる場合がある。また、２５質量％を超えると、無機アルカリ性化合物の析出が起こりやすく、液の経時安定性、作業性に劣る場合がある。アルカリ性化合物の含有量は７〜１７質量％がより好ましく、８〜１３質量％がさらに好ましい。アルカリ水溶液のｐＨは１０以上とすることが好ましい。また、界面活性剤、消泡剤、溶剤等を適宜添加することもできる。
アルカリ水溶液による薄膜化処理は、ディップ槽中のアルカリ水溶液にレジスト層が形成された基板を浸漬（ディップ、ｄｉｐ）することによって行われる。ディップ処理以外の処理方法は、アルカリ水溶液中に気泡が発生しやすく、その発生した気泡が薄膜化処理中にレジスト層表面に付着して、膜厚が不均一となる場合がある。
本考案のレジスト槽の薄膜化処理装置を用いたレジストパターンの形成方法では、レジスト層形成後の厚みとアルカリ水溶液処理によってレジスト層が薄膜化された量で、レジスト層の厚みが決定される。また、０．０１〜５００μｍの範囲で薄膜化量を自由に調整することができる。
本考案のレジスト層の薄膜化処理装置は、アルカリ水溶液によってレジスト層を薄膜化処理するためのディップ槽と、レジスト層が形成された基板をアルカリ水溶液中に浸漬されたままの状態で搬送する搬送ロール対とを備えてなる。そして、基板のレジスト層に気泡が付着することを抑制するために、気泡抑制装置を備えていることを特徴としている。図７〜１７を用いて、本考案のレジスト層の薄膜化処理装置を説明する。
気泡抑制装置の一例として気泡誘導板が挙げられる。気泡誘導板とは、アルカリ水溶液中で発生した気泡が、薄膜化処理の際にレジスト層に付着するのを直接的あるいは間接的に抑制するためのものである。例えば、アルカリ水溶液によるレジスト層の薄膜化処理において、ディップ槽内に設置し、発生した気泡がレジスト層に付着するのを直接的に抑制する。また、ディップ槽との間でアルカリ水溶液を循環させるためのアルカリ水溶液貯蔵タンク内に気泡誘導板を設置し、ディップ槽からオーバーフローしたアルカリ水溶液がアルカリ水溶液貯蔵タンクに回収される際に発生する気泡を誘導しつつ、レジスト層に気泡が付着するのを間接的に抑制する。
図７〜９は、本考案の薄膜化処理装置の一例を示す概略断面図である。図７及び８はＣＤ方向から見た概略断面図であり、図９はＭＤ方向から見た概略断面図である。これらの薄膜化処理装置は、レジスト層が形成された基板８を搬送ロール対１２によって、ディップ槽１０中のアルカリ水溶液９に浸漬した状態で搬送し、レジスト層の薄膜化処理を行う薄膜化処理装置である。アルカリ水溶液９は、装置下部のアルカリ水溶液貯蔵タンク１３からアルカリ水溶液供給ポンプ１４にてアルカリ水溶液供給口１１を介してディップ槽１０に供給され、オーバーフローさせる。オーバーフローしたアルカリ水溶液９は、アルカリ水溶液回収槽３０に回収され、回収管２１を通って回収管排出口２２よりアルカリ水溶液貯蔵タンク１３に貯蔵されることで、ディップ槽１０とアルカリ水溶液貯蔵タンク１３との間を循環する。
図７〜９に示す薄膜化処理装置には、アルカリ水溶液供給口１１と搬送ロール対１２との間に気泡誘導板（１）１６が設置されている。気泡誘導板（１）１６により、薄膜化処理装置内のアルカリ水溶液循環過程で発生した気泡１５が薄膜化処理中のレジスト層が形成された基板８よりも薄膜化処理装置幅方向の外側の領域に誘導され、搬送中のレジスト層が形成された基板８に付着することを防ぐことができる。
ディップ槽１０内に設置される気泡誘導板（１）１６の設置位置は、ディップ槽１０を上から見た際に、アルカリ水溶液供給口１１が気泡誘導板（１）１６の領域に隠れて見えなくなる位置関係であればよい。また、気泡誘導板（１）１６の設置高さは、ディップ槽１０内のアルカリ水溶液供給口１１と搬送ロール対１２の間の高さであれば、いずれの高さであってもよい。
気泡誘導板（１）１６の大きさについて、薄膜化処理装置の搬送方向に対し、長さ方向は、アルカリ水溶液供給口１１の直径以上、ディップ槽１０の長さ以下の範囲であればよい。薄膜化処理装置の搬送方向に対し、長さ方向がアルカリ水溶液供給口１１の直径未満であると、気泡を誘導する能力が不足してしまう場合がある。薄膜化処理装置の搬送方向に対し、幅方向は、レジスト層が形成された基板８の幅以上、ディップ槽１０の幅未満であればよい。薄膜化処理装置の搬送方向に対し、幅方向が、レジスト層が形成された基板８の幅未満であると、気泡を誘導する能力が不足してしまう場合がある。
図１０〜１２は、本考案の薄膜化処理装置の一例を示す概略断面図であり、ＭＤ方向から見た概略断面図である。図１０〜１２に示す薄膜化処理装置には、アルカリ水溶液貯蔵タンク１３内部に気泡誘導板（２）１８又は気泡誘導板（３）１９が設置されている。アルカリ水溶液９が回収管２１を通って回収管排出口２２よりアルカリ水溶液貯蔵タンク１３に排出される際に発生した気泡１５は、気泡誘導板（２）１８又は気泡誘導板（３）１９により遮蔽され、液中を浮上する方向に誘導される。これによって、供給ポンプ吸込口１７から気泡１５が吸い込まれるのを抑制でき、搬送中のレジスト層が形成された基板８に付着することを防ぐことができる。
アルカリ水溶液貯蔵タンク１３内に設置される気泡誘導板の設置位置は、回収管排出口２２から排出されるアルカリ水溶液９とアルカリ水溶液貯蔵タンク１３内のアルカリ水溶液９が接触する点と供給ポンプ吸込口１７との間の位置である。また、アルカリ水溶液貯蔵タンク１３内に設置する気泡誘導板は、その設置方法によって、気泡誘導板（２）１８と気泡誘導板（３）１９の二種類に分類することができる。図１０に示すように、気泡誘導板（２）１８は、その上端がアルカリ水溶液貯蔵タンク１３のアルカリ水溶液の液面２３の高さより低く、下端をアルカリ水溶液貯蔵タンク１３の底面に固定して設置されている。また、図１１に示すように、気泡誘導板（３）１９は、その上端がアルカリ水溶液貯蔵タンク１３のアルカリ水溶液の液面２３の高さより高く、下端がアルカリ水溶液貯蔵タンク１３の底面に完全に接触していない形で、又は、一部接触していない形で、固定して設置されている。気泡誘導板（２）１８と気泡誘導板（３）１９は、各々単体で使用した場合であっても気泡誘導効果が得られるが、例えば、図１２に示すように、組み合わせて利用することによって、気泡誘導効果が向上する。さらに、気泡誘導板（２）１８と気泡誘導板（３）１９を複数枚組み合わせて使用することもでき、これによりさらに大きな気泡誘導効果が得られる。
気泡誘導板の材料にはアルカリ水溶液に対して耐性のある各種材料を用いることができる。具体的には、ポリエチレン、ポリプロピレン、硬質ポリ塩化ビニル、アクリロニトリル・ブタジエン・スチレン（ＡＢＳ）樹脂、ポリスチレン樹脂等の合成樹脂、ガラス繊維強化ポリプロピレン、ガラス繊維強化エポキシ樹脂等の繊維強化プラスチック、チタン、ハステロイ（登録商標）等の耐食性金属材料等の材料を用いることができる。これらのうち、加工が容易であることから、硬質ポリ塩化ビニルが好適に用いられる。
気泡誘導板の形状は、円形、楕円形、正方形や長方形等の四辺形、五角形、六角形等の多角形、直線と弧からなるような任意の形状等にすることができるが、加工と設置のしやすさから正方形か長方形であることが好ましい。さらに、気泡誘導板（１）１６における薄膜化装置搬送方向の始点と終点の端部下向きに、かえし２６を設置することも可能である。かえし２６を設置した薄膜化処理装置を側面（ＣＤ方向）から見た時の概略断面図を図８に示す。気泡誘導板（１）１６にかえし２６を設置することで、薄膜化処理装置搬送方向に対し、幅方向への気泡誘導効果が向上する。また、気泡誘導板（１）１６を薄膜化処理装置搬送方向に対し、幅方向にＶ字型に傾斜させることで、幅方向にさらに優先的に気泡を誘導することができる。気泡誘導板（１）１６を薄膜化処理装置搬送方向に対し、幅方向にＶ字型に傾斜させた場合の薄膜化処理装置を正面（ＭＤ方向）から見た時の概略断面図を図９に示す。さらに、図８と図９に示した構造を組み合わせた気泡誘導板（１）（すなわち、かえし設置とＶ字型加工）では、気泡誘導効果がさらに向上するため好ましい。
気泡抑制装置の別の一例として、アルカリ水溶液貯蔵タンクに貯蔵されているアルカリ水溶液の液面よりも下に設置された回収管排出口が挙げられる。すなわち、アルカリ水溶液の送液に使用される回収管における回収管排出口の高さを、送液先のアルカリ水溶液貯蔵タンクにおけるアルカリ水溶液の液面位置よりも低くする方法が挙げられる。上方から下方へアルカリ水溶液を送る際、回収管排出口が下方におけるアルカリ水溶液の液面よりも下にあれば、回収管排出口と下方のアルカリ水溶液の液面との間で、アルカリ水溶液が空気と接触し難くなるので、気泡の発生を抑制することができる。
図１３及び１４に示す薄膜化処理装置は、本考案の薄膜化処理装置の一例を示す概略断面図であり、ＭＤ方向から見た概略断面図である。図１３及び１４に示す薄膜化処理装置では、回収管２１の回収管排出口２２がアルカリ水溶液貯蔵タンク１３内のアルカリ水溶液の液面２３よりも下になるように設置されている。アルカリ水溶液貯蔵タンク１３のアルカリ水溶液の液面２３に到達した瞬間のアルカリ水溶液９は空気と接触していないため、アルカリ水溶液９中に空気をかみ込んで発泡することが抑制される。これによって、搬送中のレジスト層が形成された基板８に気泡１５が付着することを防ぐことができる。
回収管排出口２２は、回収管２１の端部であり、アルカリ水溶液貯蔵タンク１３への注ぎ口である。回収管排出口２２は、アルカリ水溶液貯蔵タンク１３内部のアルカリ水溶液の液面２３よりも低くなるように設置する。ここで、アルカリ水溶液供給ポンプ１４を始動して、アルカリ水溶液９を循環する以前の回収管２１は空気で満たされているため、循環開始直後のアルカリ水溶液９が回収管排出口２２からアルカリ水溶液貯蔵タンク１３に到達した瞬間は気泡１５が発生する。その後、循環を続ければ気泡１５は発生しなくなるため、アルカリ水溶液供給ポンプ１４始動から一定の時間後に薄膜化処理を開始することで、搬送中のレジスト層が形成された基板８に気泡１５が付着することを防ぐことができる。
また、アルカリ水溶液供給ポンプ１４の始動直後から回収管２１内部をアルカリ水溶液９で完全に満たす方法もある。例えば、図１４に示すように、アルカリ水溶液貯蔵タンク１３内において、アルカリ水溶液の液面２３と回収管排出口２２の間の位置に、バルブ２４を設置する。薄膜化処理装置のアルカリ水溶液９の循環を開始する前にバルブ２４を閉じておき、バルブ２４より上部の回収管２１がアルカリ水溶液９で満たされた後にバルブ２４を開けることで、循環開始直後から循環中の回収管２１内部をアルカリ水溶液９で満たすことができる。この方法により、本考案の薄膜化処理装置では、アルカリ水溶液９が回収管２１の回収管排出口２２からアルカリ水溶液貯蔵タンク１３へと注ぎ込まれる際に気泡１５が発生することを抑制することが可能となり、搬送中のレジスト層が形成された基板８に気泡１５が付着することを防ぐことができる。
気泡抑制装置の別の一例として、超音波発生装置（ｓｏｎｉｃａｔｏｒ、ｕｌｔｒａｓｏｎｉｃ ｇｅｎｅｒａｔｏｒ）が挙げられる。アルカリ水溶液中で超音波発生装置を用いて超音波を使用することにより、アルカリ水溶液を振動・対流させ、液中に浮遊する気泡及びレジスト層に付着した気泡を空気中に浮上させ、脱泡することができる。超音波発生装置は、ディップ槽内、アルカリ水溶液貯蔵タンク内に設置することができる。
図１５に示す薄膜化処理装置は、本考案の薄膜化処理装置の一例を示す概略断面図であり、ＭＤ方向から見た概略断面図である。図１５に示す薄膜化処理装置には、ディップ槽１０内に超音波発生装置（１）２０が設置されている。ディップ槽１０に超音波発生装置（１）２０を設置することにより、アルカリ水溶液供給口１１からディップ槽１０に供給されるアルカリ水溶液９に混入した気泡を空気中に浮上させることができるだけでなく、混入した気泡がレジスト層に付着してしまった場合でも、超音波による振動により除去し、レジスト層が形成された基板８に気泡が付着することを防ぐことができる。特に、露光工程とアルカリ水溶液による薄膜化処理を含む薄膜化工程を繰り返すことで段階的に未露光部のレジスト層を薄膜化する場合、レジスト層の露光部と未露光部の境界にできた段差内部に気泡が残りやすくなるが、超音波によって段差内部の気泡も即座に空気中に浮上させることができる。
図１６に示す薄膜化処理装置は、本考案の薄膜化処理装置の一例を示す概略断面図であり、ＭＤ方向から見た概略断面図である。また、図１６に示す薄膜化処理装置には、アルカリ水溶液貯蔵タンク１３内に超音波発生装置（２）２５が設置されている。超音波発生装置（２）２５により、アルカリ水溶液９が回収管排出口２２からアルカリ水溶液貯蔵タンク１３に貯蔵される際に発生する気泡を供給ポンプ吸込口１７に到達しないうちに空気中に浮上させ、搬送中のレジスト層が形成された基板８に付着することを防ぐことができる。
超音波発生装置について説明する。超音波によって液中の気泡を除去する方法は、真空減圧方式、遠心分離方式、サイクロン方式などに比べ、液体の温度変化が小さく、また超音波を照射した直後から効果があり、簡便かつ即効性の点で優れている。超音波発生装置は、超音波振動の発振周波数は一定のものでも、ある周波数変化のサイクルで周波数を変化させながら発振できるものでもよい。例えば、アルカリ処理液が循環し、液流れがある場合には、振動を均一に与えることが重要になるため、周波数を変化させながら発振する方が好ましい。また、発振出力も変化させながら発振できるものが好ましい。
超音波発生装置（１）２０の設置位置は、ディップ槽１０内のアルカリ水溶液９中で、アルカリ水溶液供給口１１付近のディップ槽１０底部にあることが好ましい。また、超音波発生装置（２）２５は、回収管排出口２２から排出されるアルカリ水溶液９とアルカリ水溶液貯蔵タンク１３内のアルカリ水溶液９が接触する点と供給ポンプ吸込口１７との間の位置であることが好ましい。
超音波発生装置の設置数は、薄膜化処理するレジスト層が形成された基板の寸法とディップ槽又はアルカリ水溶液貯蔵タンクの容量に合わせて適宜選択することができる。レジスト層が形成された基板に均一に超音波が照射されるように、また、振動子から発振された超音波の分布が重ならないように設置することが好ましい。
気泡抑制装置の別の一例として、アルカリ水溶液噴出口が挙げられる。ディップ槽において、アルカリ水溶液の液面よりも低い位置からアルカリ水溶液をレジスト層表面に噴出させることにより、レジスト層表面にアルカリ水溶液の液流れを発生させ、これによって、レジスト層に気泡が付着することを抑制することができる。
図１７に示す薄膜化処理装置は、本考案の薄膜化処理装置の一例を示す概略断面図であり、ＣＤ方向から見た概略断面図である。図１７に示す薄膜化処理装置では、噴出口用供給ポンプ２８から供給管２９を通じて供給されるアルカリ水溶液９をレジスト層が形成された基板８に向けて噴出するアルカリ水溶液噴出口２７がディップ槽１０内に設置されている。アルカリ水溶液噴出口２７から噴出されるアルカリ水溶液９の水圧によって、レジスト層が形成された基板８に接触しているアルカリ水溶液９に絶えず液流れが発生するため、薄膜化処理装置内のアルカリ水溶液循環過程で発生した気泡１５が、搬送中にレジスト層が形成された基板８に付着することを防ぐことができる。
アルカリ水溶液噴出口について説明する。アルカリ水溶液噴出口２７は、ディップ槽１０のアルカリ水溶液９の液面よりも低い位置にあり、薄膜化処理中のレジスト層が形成された基板８の上下面に対してアルカリ水溶液９を噴出できる位置に設置される。図１７においては、アルカリ水溶液供給ポンプ１４と噴出口用供給ポンプ２８を別々に二つ設置しているが、一つのポンプによってアルカリ水溶液供給口１１とアルカリ水溶液噴出口２７の両方にアルカリ水溶液９を供給することも可能である。
アルカリ水溶液噴出口から噴出される圧力、流量について説明する。噴出されるアルカリ水溶液の圧力は、０．０１〜０．５ＭＰａが好ましく、より好ましくは０．０５〜０．３ＭＰａ、さらに好ましくは０．１〜０．３ＭＰａである。アルカリ水溶液の供給流量は、レジスト層１ｃｍ２当たり０．０３〜１．０Ｌ／ｍｉｎが好ましく、より好ましくは０．０５〜１．０Ｌ／ｍｉｎ、さらに好ましくは０．１〜１．０Ｌ／ｍｉｎである。噴出されるアルカリ水溶液の圧力やレジスト層１ｃｍ２当たりのアルカリ水溶液の供給流量が不足すると、薄膜化処理装置内のアルカリ水溶液循環過程で発生した気泡が、薄膜化処理中のレジスト層が形成された基板に付着してしまう場合がある。一方、圧力や供給流量が過剰になると、ディップ槽内のアルカリ水溶液の液流れが激しくなり新たな気泡が発生する可能性が高くなる。また、供給に必要なポンプ等の部品が大きくなり、大掛かりな装置が必要になる。さらに、圧力や供給流量が必要以上に過剰になっても、薄膜化処理中のレジスト層が形成された基板に対する気泡付着防止に与える影響が変わらなくなることがある。
アルカリ水溶液噴出口の形状は、上記圧力、流量を満足できるものであれば特に制限は無く、各種形状のシャワーノズル、配管やチューブをカットした断面やそれらに開けた穴等からアルカリ水溶液を噴出させて使用することができる。アルカリ水溶液噴出口の方向は、薄膜化処理中のレジスト層表面に効率よく液流れを作るために、レジスト層表面に垂直な方向に対して、傾いた方向から噴出するのがよい。
供給管２９とは、噴出口用供給ポンプ２８によって吸い込まれたアルカリ水溶液貯蔵タンク１３内のアルカリ水溶液９をアルカリ水溶液噴出口２７に導く管のことである。噴出口用供給ポンプ２８からアルカリ水溶液貯蔵タンク１３内のアルカリ水溶液９をアルカリ水溶液噴出口２７に導くことができれば、供給管２９の形状や太さや長さは自由に決めることができる。また、供給管２９の本数は一本でも良いし、複数本であってもよい。
本考案に係わる気泡抑制装置は、単独で使用してもよいし、種々組み合わせて使用してもよい。例えば、ディップ槽内とアルカリ水溶液貯蔵タンク内の両方で気泡の発生を抑制する場合、ディップ槽内及びアルカリ水溶液貯蔵タンク内に気泡誘導板を設置し、さらに、アルカリ水溶液貯蔵タンク内の適切な位置に回収管排出口を設置することが好ましい。ディップ槽内における気泡誘導板の設置は、例えアルカリ水溶液貯蔵タンク内で発生した気泡がアルカリ水溶液供給口からディップ槽に持ち込まれたとしても、気泡がレジスト層表面に付着するのを間際で防止することができるため、特に有効である。ディップ槽における超音波発生装置やアルカリ水溶液噴出口の設置は、パターンの露光工程後、未露光部を薄膜化工程で薄膜化し、再度パターンの露光工程を行い、次に再び薄膜化工程で薄膜化して、レジスト層の段差構造を形成する場合に特に効果がある。
図１８に示す薄膜化処理装置は、本考案の薄膜化処理装置の一例を示す概略断面図であり、ＭＤ方向から見た概略断面図である。図１８に示す薄膜化処理装置では、気泡抑制装置として、気泡誘導板（１）１６及び気泡誘導板（２）１８並びに気泡誘導板（３）１９とアルカリ水溶液貯蔵タンク１３のアルカリ水溶液の液面２３よりも下に設置された回収管排出口２２とを併用している。
レジスト層の薄膜化処理装置におけるディップ槽１０及びアルカリ水溶液回収槽３０について説明する。アルカリ水溶液９の循環について、アルカリ水溶液供給口１１からディップ槽１０内にアルカリ水溶液９が供給され、ディップ槽１０からオーバーフローしたアルカリ水溶液９がアルカリ水溶液回収槽３０に回収される。アルカリ水溶液回収槽３０に回収されたアルカリ水溶液９は、回収管２１を通じてアルカリ水溶液貯蔵タンク１３に導かれ、供給ポンプ吸込口１７からアルカリ水溶液供給ポンプ１４を通じて再びアルカリ水溶液供給口１１よりディップ槽１０内に送られ、循環される。
アルカリ水溶液９の温度は、アルカリ水溶液貯蔵タンク１３内に設置された加温用ヒーター、冷却水を循環させた冷却管等によって制御することができる。温度制御用の温度計は、アルカリ水溶液貯蔵タンク１３内だけでなくディップ槽１０にも設置することが好ましく、これによって循環経路内のアルカリ水溶液９の温度はより一定に保たれる。ディップ槽１０の大きさは、搬送ロール対１２によってレジスト層が形成された基板８が搬送されて薄膜化処理される際、レジスト層にアルカリ水溶液が接触する大きさであれば特に制限は無く、自由に決めることができる。また、アルカリ水溶液回収槽３０の形状や大きさは、ディップ槽１０からアルカリ水溶液９のオーバーフローを回収できるようになっていればよく、自由に決めることができる。
搬送ロール対１２の形状及び材質は、レジスト層が形成された基板を搬送することができるものであれば特に制限は無く、例えば、ポリオレフィン（ポリプロピレン等）、ポリ塩化ビニル、フッ素樹脂（テフロン（登録商標）等）等が利用できる。また、搬送ロール対１２の設置位置及び本数は、レジスト層が形成された基板８を搬送することができれば、図示された設置位置及び本数に限定されるものではない。
回収管２１とは、ディップ槽１０からオーバーフローしてアルカリ水溶液回収槽３０に回収されたアルカリ水溶液９をアルカリ水溶液貯蔵タンク１３に導く管のことである。ディップ槽１０からオーバーフローしたアルカリ水溶液９をアルカリ水溶液貯蔵タンク１３に導くことができれば、回収管２１の形状や太さや長さは自由に決めることができる。また、回収管２１の本数は一本でも良いし、複数本であってもよい。
アルカリ水溶液供給口１１の好ましい直径は、ディップ槽１０の容量によって変化するが、通常１０〜４０ｍｍである。また、アルカリ水溶液供給口１１の位置は、ディップ槽１０の底部であればどこでも可能である。アルカリ水溶液供給口１１が一つの場合はディップ槽１０内のアルカリ水溶液９の循環効率から、ディップ槽１０底部の中央付近であることが好ましい。また、アルカリ水溶液供給口１１をディップ槽１０側面に設置すると、アルカリ水溶液９内の気泡１５の動きが複雑になるため、気泡抑制装置によって気泡を抑制することが困難になる場合がある。また、アルカリ水溶液供給口１１をディップ槽１０上部に設置すると、アルカリ水溶液９の供給の際に新たな気泡１５を発生させる可能性が高くなる場合がある。
レジスト層の薄膜化処理装置に使用される材料は、特に限定されない。アルカリ水溶液に接する部品においては、アルカリ水溶液に対して耐性のある各種材料を用いることができる。
レジスト層の薄膜化工程のミセル化処理（薄膜化処理）において、アルカリ水溶液によってレジスト層中の光架橋性樹脂成分がミセル化された後、ミセル除去処理において、該アルカリ水溶液よりも希薄なアルカリ性化合物を含有するｐＨ５〜９の水溶液によってミセルが除去され、レジスト層の薄膜化が進行する。水溶液のｐＨが５未満では、水溶液中に溶け込んだレジスト層成分が凝集し、不溶性のスラッジとなって薄膜化後のレジスト層表面に付着する恐れがある。一方、水溶液のｐＨが９を超えると、レジスト層の溶解拡散が促進され、面内で処理ムラが発生しやすくなることがあるため好ましくない。また、水溶液のｐＨは、硫酸、リン酸、塩酸等を用いて調整することができる。また、ｐＨ５〜９の水溶液の供給方法としては、レジスト層の溶解拡散速度と液供給の均一性の点からスプレー方式が最も好ましい。スプレー圧は、０．０１〜０．５ＭＰａとするのが好ましく、さらに好ましくは０．０２〜０．３ＭＰａである。さらに、スプレーの方法は、レジスト層表面に効率よく液流れを作るために、レジスト層表面に垂直な方向に対して傾いた方向から噴射するのがよい。
ｐＨ５〜９の水溶液によってミセルを除去した後、さらに、除去しきれなかったレジスト層表面や残存付着したアルカリ水溶液を水洗処理によって洗い流す。水洗処理の方法としては、拡散速度と液供給の均一性の点からスプレー方式が好ましい。
乾燥処理では、熱風乾燥、室温送風乾燥のいずれも用いることができるが、エアブロワを用いて大量の空気を送気し、エアスリットノズルから高圧の空気をレジスト層表面に吹き付けて、表面上の水を除去する方法が好ましい。
以下、実施例によって本考案をさらに詳しく説明するが、本考案はこの実施例に限定されるものではない。
（実施例１）
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
次に、ドライフィルムレジストのキャリアフィルムを剥離した後、薄膜化処理液（アルカリ水溶液９）として１０質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）を用いて、搬送方向の長さが５００ｍｍ、幅７５０ｍｍ、深さ２００ｍｍのディップ槽１０、ディップ槽１０底面の中央部に直径２０ｍｍのアルカリ水溶液供給口１１を有し、アルカリ水溶液供給口１１の直上に搬送方向の長さ５００ｍｍ、幅４００ｍｍの気泡誘導板（１）１６が設置された薄膜化処理装置（図７）にて、アルカリ水溶液供給口１１からアルカリ水溶液９を供給し、オーバーフローさせることでアルカリ水溶液９を循環させながら、レジスト層３の薄膜化処理を行った。レジスト層３を基板８の下面にして、アルカリ水溶液９に３０秒間浸漬したままの状態で搬送ロール対１２によって搬送し、ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理後にレジスト層３の薄膜化部の厚みを測定したところ１２μｍであった。
薄膜化されたレジスト層３の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラの無い平滑な表面であることを確認することができた。
（実施例２）
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
次に、ドライフィルムレジストのキャリアフィルムを剥離した後、薄膜化処理液（アルカリ水溶液９）として１０質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）を用いて、搬送方向の長さが５００ｍｍ、幅７５０ｍｍ、深さ２００ｍｍのディップ槽１０、ディップ槽１０底面の中央部に直径２０ｍｍのアルカリ水溶液供給口１１を有し、アルカリ水溶液供給口１１の直上に搬送方向の長さ２５０ｍｍ、幅４００ｍｍの気泡誘導板（１）１６が設置され、気泡誘導板の搬送方向の始点と終点の端部には高さ１０ｍｍのかえし２６が取り付けてある薄膜化処理装置（図８）にて、アルカリ水溶液供給口１１からアルカリ水溶液９を供給し、オーバーフローさせることでアルカリ水溶液９を循環させながら、レジスト層の薄膜化処理を行った。レジスト層３を基板８の下面にして、アルカリ水溶液９に３０秒間浸漬したままの状態で搬送ロール対１２によって搬送し、ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理後にレジスト層３の薄膜化部の厚みを測定したところ１２μｍであった。
薄膜化されたレジスト層３の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラの無い平滑な表面であることを確認することができた。
（実施例３）
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
次に、ドライフィルムレジストのキャリアフィルムを剥離した後、薄膜化処理液（アルカリ水溶液９）として１０質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）を用いて、搬送方向の長さが５００ｍｍ、幅７５０ｍｍ、深さ２００ｍｍのディップ槽１０、ディップ槽１０底面の中央部に直径２０ｍｍのアルカリ水溶液供給口１１を有し、アルカリ水溶液供給口１１の直上に搬送方向の長さ２５０ｍｍ、幅４００ｍｍであり、幅方向の中央部と端部の高低差が３０ｍｍのＶ字型形状の気泡誘導板（１）１６が設置された薄膜化処理装置（図９）にて、アルカリ水溶液供給口１１からアルカリ水溶液９を供給し、オーバーフローさせることでアルカリ水溶液９を循環させながら、レジスト層３の薄膜化処理を行った。レジスト層３を基板の下面にして、アルカリ水溶液９に３０秒間浸漬したままの状態で搬送ロール対１２によって搬送し、ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理後にレジスト層３の薄膜化部の厚みを測定したところ１２μｍであった。
薄膜化されたレジスト層３の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラの無い平滑な表面であることを確認することができた。
（実施例４）
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
次に、ドライフィルムレジストのキャリアフィルムを剥離した後、薄膜化処理液（アルカリ水溶液９）として１０質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）を用いて、搬送方向の長さが５００ｍｍ、幅７５０ｍｍ、深さ２００ｍｍのディップ槽１０、ディップ槽１０底面の中央部に直径２０ｍｍのアルカリ水溶液供給口１１を有し、アルカリ水溶液供給口１１の直上に搬送方向の長さ２０ｍｍ、幅３４０ｍｍであり、幅方向の中央部と端部の高低差が６０ｍｍのＶ字型形状の気泡誘導板（１）１６が設置され、気泡誘導板の搬送方向の始点と終点の端部には高さ６０ｍｍのかえし２６が取り付けてある薄膜化処理装置にて、アルカリ水溶液供給口１１からアルカリ水溶液９を供給し、オーバーフローさせることでアルカリ水溶液９を循環させながら、レジスト層３の薄膜化処理を行った。レジスト層３を基板８の下面にして、アルカリ水溶液９に３０秒間浸漬したままの状態で搬送ロール対１２によって搬送し、ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理後にレジスト層３の薄膜化部の厚みを測定したところ１２μｍであった。
薄膜化されたレジスト層３の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラの無い平滑な表面であることを確認することができた。
（比較例１）
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
次に、ドライフィルムレジストのキャリアフィルムを剥離した後、薄膜化処理液（アルカリ水溶液９）として１０質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）を用いて、搬送方向の長さが５００ｍｍ、幅７５０ｍｍ、深さ２００ｍｍのディップ槽１０、ディップ槽１０底面の中央部に直径２０ｍｍのアルカリ水溶液供給口１１を有した薄膜化処理装置（図５〜６）にて、アルカリ水溶液供給口１１からアルカリ水溶液９を供給し、オーバーフローさせることでアルカリ水溶液９を循環させながら、レジスト層３の薄膜化処理を行った。レジスト層３を基板８の下面にして、アルカリ水溶液９に３０秒間浸漬したままの状態で搬送ロール対１２によって搬送し、ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理後にレジスト層３の薄膜化部の厚みを測定したところ１２μｍであった。
薄膜化されたレジスト層３の表面を光学顕微鏡で観察したところ、気泡の付着が原因とみられる無数の処理ムラが発生していた。
（実施例５）
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
次に、ドライフィルムレジストのキャリアフィルムを剥離した後、薄膜化処理液（アルカリ水溶液９）として１０質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）を用いて、搬送方向の長さが５００ｍｍ、幅７５０ｍｍ、深さ２００ｍｍのディップ槽１０、ディップ槽１０からオーバーフローしたアルカリ水溶液９をアルカリ水溶液回収槽３０からアルカリ水溶液貯蔵タンク１３内部に導く回収管２１、搬送方向の長さが７００ｍｍ、幅９５０ｍｍ、深さ６００ｍｍのアルカリ水溶液貯蔵タンク１３、アルカリ水溶液貯蔵タンク１３底部から３５０ｍｍの高さ位置に設置された回収管排出口２２、アルカリ水溶液貯蔵タンク１３側面でアルカリ水溶液貯蔵タンク１３底部から５０ｍｍの高さ位置に設置された供給ポンプ吸込口１７、回収管排出口２２から排出されるアルカリ水溶液９とアルカリ水溶液貯蔵タンク１３内のアルカリ水溶液９とが接触する点から２００ｍｍの位置（供給ポンプ吸込口１７から５００ｍｍの位置）にアルカリ水溶液貯蔵タンク１３底部に固定された高さ２００ｍｍ、幅７００ｍｍ、厚み１０ｍｍの気泡誘導板（２）１８が設置された薄膜化処理装置（図１０）を使用し、アルカリ水溶液供給ポンプ１４によってアルカリ水溶液９をアルカリ水溶液貯蔵タンク１３からディップ槽１０へと供給し、オーバーフローさせることでアルカリ水溶液９を循環させながら、レジスト層３の薄膜化処理を行った。アルカリ水溶液供給ポンプ１４を運転している時のアルカリ水溶液貯蔵タンク１３のアルカリ水溶液の液面２３の高さは、アルカリ水溶液貯蔵タンク１３の底面から２５０ｍｍであった。レジスト層３を基板８の下面にして、アルカリ水溶液９に３０秒間浸漬したままの状態で搬送ロール対１２によって搬送し、ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理後にレジスト層３の薄膜化部の厚みを測定したところ１２μｍであった。
薄膜化されたレジスト層３の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラの無い平滑な表面であることを確認することができた。
（実施例６）
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
次に、ドライフィルムレジストのキャリアフィルムを剥離した後、薄膜化処理液（アルカリ水溶液９）として１０質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）を用いて、搬送方向の長さが５００ｍｍ、幅７５０ｍｍ、深さ２００ｍｍのディップ槽１０、ディップ槽１０からオーバーフローしたアルカリ水溶液９をアルカリ水溶液回収槽３０からアルカリ水溶液貯蔵タンク１３内部に導く回収管２１、搬送方向の長さが７００ｍｍ、幅９５０ｍｍ、深さ６００ｍｍのアルカリ水溶液貯蔵タンク１３、アルカリ水溶液貯蔵タンク１３底部から３５０ｍｍの高さ位置に設置された回収管排出口２２、アルカリ水溶液貯蔵タンク１３側面でアルカリ水溶液貯蔵タンク１３底部から５０ｍｍの高さ位置に設置された供給ポンプ吸込口１７、回収管排出口２２から排出されるアルカリ水溶液９とアルカリ水溶液貯蔵タンク１３内のアルカリ水溶液９とが接触する点から２００ｍｍの位置（供給ポンプ吸込口１７から５００ｍｍの位置）にアルカリ水溶液貯蔵タンク１３底部から５０ｍｍの高さの位置に固定された高さ２００ｍｍ、幅７００ｍｍ、厚み１０ｍｍの気泡誘導板（３）１９が設置された薄膜化処理装置（図１１）を使用し、アルカリ水溶液供給ポンプ１４によってアルカリ水溶液９をアルカリ水溶液貯蔵タンク１３からディップ槽１０へと供給し、オーバーフローさせることでアルカリ水溶液９を循環させながら、レジスト層３の薄膜化処理を行った。アルカリ水溶液供給ポンプ１４を運転している時のアルカリ水溶液貯蔵タンク１３のアルカリ水溶液の液面２３の高さはアルカリ水溶液貯蔵タンク１３の底面から２５０ｍｍであった。レジスト層３を基板８の下面にして、アルカリ水溶液９に３０秒間浸漬したままの状態で搬送ロール対１２によって搬送し、ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理後にレジスト層３の薄膜化部の厚みを測定したところ１２μｍであった。
薄膜化されたレジスト層３の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラの無い平滑な表面であることを確認することができた。
（実施例７）
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
次に、ドライフィルムレジストのキャリアフィルムを剥離した後、薄膜化処理液（アルカリ水溶液９）として１０質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）を用いて、搬送方向の長さが５００ｍｍ、幅７５０ｍｍ、深さ２００ｍｍのディップ槽１０、ディップ槽１０からオーバーフローしたアルカリ水溶液９をアルカリ水溶液回収槽３０からアルカリ水溶液貯蔵タンク１３内部に導く回収管２１、搬送方向の長さが７００ｍｍ、幅９５０ｍｍ、深さ６００ｍｍのアルカリ水溶液貯蔵タンク１３、アルカリ水溶液貯蔵タンク１３底部から３５０ｍｍの高さ位置に設置された回収管排出口２２、アルカリ水溶液貯蔵タンク１３側面でアルカリ水溶液貯蔵タンク１３底部から５０ｍｍの高さ位置に設置された供給ポンプ吸込口１７、回収管排出口２２から排出されるアルカリ水溶液９とアルカリ水溶液貯蔵タンク１３内のアルカリ水溶液９とが接触する点から２００ｍｍの位置（供給ポンプ吸込口１７から５００ｍｍの位置）にアルカリ水溶液貯蔵タンク１３底部に固定された高さ２００ｍｍ、幅７００ｍｍ、厚み１０ｍｍの気泡誘導板（２）１８、回収管排出口２２から排出されるアルカリ水溶液９とアルカリ水溶液貯蔵タンク１３内のアルカリ水溶液９とが接触する点から３５０ｍｍの位置（供給ポンプ吸込口１７から３５０ｍｍの位置）にアルカリ水溶液貯蔵タンク１３底部から５０ｍｍの高さの位置に固定された高さ２００ｍｍ、幅７００ｍｍ、厚み１０ｍｍの気泡誘導板（３）１９が備えられた薄膜化処理装置（図１２）を使用し、アルカリ水溶液供給ポンプ１４によってアルカリ水溶液９をアルカリ水溶液貯蔵タンク１３からディップ槽１０へと供給し、オーバーフローさせることでアルカリ水溶液９を循環させながら、レジスト層３の薄膜化処理を行った。アルカリ水溶液供給ポンプ１４を運転している時のアルカリ水溶液貯蔵タンク１３のアルカリ水溶液の液面２３の高さはアルカリ水溶液貯蔵タンク１３の底面から２５０ｍｍであった。レジスト層３を基板８の下面にして、アルカリ水溶液９に３０秒間浸漬したままの状態で搬送ロール対１２によって搬送し、ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理後にレジスト層３の薄膜化部の厚みを測定したところ１２μｍであった。
薄膜化されたレジスト層３の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラの無い平滑な表面であることを確認することができた。
（比較例２）
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
次に、ドライフィルムレジストのキャリアフィルムを剥離した後、薄膜化処理液（アルカリ水溶液９）として１０質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）を用いて、搬送方向の長さが５００ｍｍ、幅７５０ｍｍ、深さ２００ｍｍのディップ槽１０、ディップ槽１０からオーバーフローしたアルカリ水溶液９をアルカリ水溶液回収槽３０からアルカリ水溶液貯蔵タンク１３内部に導く回収管２１、搬送方向の長さが７００ｍｍ、幅９５０ｍｍ、深さ６００ｍｍのアルカリ水溶液貯蔵タンク１３、アルカリ水溶液貯蔵タンク１３底部から３５０ｍｍの高さ位置に設置された回収管排出口２２、アルカリ水溶液貯蔵タンク１３側面でアルカリ水溶液貯蔵タンク１３底部から５０ｍｍの高さ位置に供給ポンプ吸込口１７が設置された薄膜化処理装置（図５〜６）を使用し、アルカリ水溶液供給ポンプ１４によってアルカリ水溶液９をアルカリ水溶液貯蔵タンク１３からディップ槽１０へと供給し、オーバーフローさせることでアルカリ水溶液９を循環させながら、レジスト層３の薄膜化処理を行った。アルカリ水溶液供給ポンプ１４を運転している時のアルカリ水溶液貯蔵タンク１３のアルカリ水溶液の液面２３の高さはアルカリ水溶液貯蔵タンク１３の底面から２５０ｍｍであった。レジスト層３を基板８の下面にして、アルカリ水溶液９に３０秒間浸漬したままの状態で搬送ロール対１２によって搬送し、ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理後にレジスト層３の薄膜化部の厚みを測定したところ１２μｍであった。
薄膜化されたレジスト層３の表面を光学顕微鏡で観察したところ、気泡の付着が原因とみられる無数の処理ムラが発生していた。
（実施例８）
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
次に、ドライフィルムレジストのキャリアフィルムを剥離した後、薄膜化処理液（アルカリ水溶液９）として１０質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）を用いて、搬送方向の長さが５００ｍｍ、幅７５０ｍｍ、深さ２００ｍｍのディップ槽１０、ディップ槽１０からオーバーフローしたアルカリ水溶液９をアルカリ水溶液回収槽３０からアルカリ水溶液貯蔵タンク１３内部に導く回収管２１、搬送方向の長さが７００ｍｍ、幅９５０ｍｍ、深さ６００ｍｍのアルカリ水溶液貯蔵タンク１３、アルカリ水溶液貯蔵タンク１３底部から１５０ｍｍの高さ位置に設置された回収管排出口２２、アルカリ水溶液貯蔵タンク１３側面でアルカリ水溶液貯蔵タンク１３底部から５０ｍｍの高さ位置に供給ポンプ吸込口１７が設置された薄膜化処理装置（図１３）を使用し、アルカリ水溶液供給ポンプ１４によってアルカリ水溶液９をアルカリ水溶液貯蔵タンク１３からディップ槽１０へと供給し、オーバーフローさせることでアルカリ水溶液９を循環させながら、レジスト層３の薄膜化処理を行った。アルカリ水溶液供給ポンプ１４を運転している時のアルカリ水溶液貯蔵タンク１３におけるアルカリ水溶液の液面２３の高さはアルカリ水溶液貯蔵タンク１３底面から２５０ｍｍであった。レジスト層３を基板８の下面にして、アルカリ水溶液９に３０秒間浸漬したままの状態で搬送ロール対１２によって搬送し、ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理後にレジスト層３の薄膜化部の厚みを測定したところ１２μｍであった。なお、レジスト層３の薄膜化処理は、アルカリ水溶液供給ポンプ１４を始動させてから１時間経過後に行った。
薄膜化されたレジスト層３の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラの無い平滑な表面であることを確認することができた。
（実施例９）
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
次に、ドライフィルムレジストのキャリアフィルムを剥離した後、薄膜化処理液（アルカリ水溶液９）として１０質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）を用いて、搬送方向の長さが５００ｍｍ、幅７５０ｍｍ、深さ２００ｍｍのディップ槽１０、ディップ槽１０からオーバーフローしたアルカリ水溶液９をアルカリ水溶液回収槽３０からアルカリ水溶液貯蔵タンク１３内部に導く回収管２１、搬送方向の長さが７００ｍｍ、幅９５０ｍｍ、深さ６００ｍｍのアルカリ水溶液貯蔵タンク１３、アルカリ水溶液貯蔵タンク１３底部から１５０ｍｍの高さ位置に設置された回収管排出口２２、回収管排出口２２から５０ｍｍの高さ位置に設置されたバルブ２４、アルカリ水溶液貯蔵タンク１３側面でアルカリ水溶液貯蔵タンク１３底部から５０ｍｍの高さ位置に供給ポンプ吸込口１７が設置された薄膜化処理装置（図１４）を使用し、アルカリ水溶液供給ポンプ１４によってアルカリ水溶液９をアルカリ水溶液貯蔵タンク１３からディップ槽１０へと供給し、オーバーフローさせることでアルカリ水溶液９を循環させながら、レジスト層３の薄膜化処理を行った。アルカリ水溶液供給ポンプ１４を運転している時のアルカリ水溶液貯蔵タンク１３におけるアルカリ水溶液の液面２３の高さはアルカリ水溶液貯蔵タンク１３底面から２５０ｍｍであった。レジスト層３を基板８の下面にして、アルカリ水溶液９に３０秒間浸漬したままの状態で搬送ロール対１２によって搬送し、ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理後にレジスト層３の薄膜化部の厚みを測定したところ１２μｍであった。なお、レジスト層３の薄膜化処理は、アルカリ水溶液供給ポンプ１４を始動させてから１時間経過後に行った。なお、レジスト層３の薄膜化処理開始に際して、回収管２１に取り付けたバルブ２４を閉じてからアルカリ水溶液供給ポンプ１４を始動させ、ディップ槽１０からオーバーフローしたアルカリ水溶液９によって回収管２１内部が完全に満たされた後に、バルブ２４を開放する操作を行った。
薄膜化されたレジスト層３の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラの無い平滑な表面であることを確認することができた。
（実施例１０）
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
次に、ドライフィルムレジストのキャリアフィルムを剥離した後、薄膜化処理液（アルカリ水溶液９）として１０質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）を用いて、搬送方向の長さが５００ｍｍ、幅７５０ｍｍ、深さ２００ｍｍのディップ槽１０、ディップ槽１０底面の中央部に直径２０ｍｍのアルカリ水溶液供給口１１を有し、アルカリ水溶液供給口１１から搬送方向前側に１５０ｍｍ、幅方向右側に１５０ｍｍ、離れた位置に超音波発生装置（１）２０が１台と搬送方向後側に１５０ｍｍ、幅方向左側に１５０ｍｍ、離れた位置に超音波発生装置（１）２０が１台設置された薄膜化処理装置（図１５）を使用し、アルカリ水溶液供給ポンプ１４によってアルカリ水溶液９をアルカリ水溶液貯蔵タンク１３からディップ槽１０へと供給し、オーバーフローさせることでアルカリ水溶液９を循環させながら、レジスト層３の薄膜化処理を行った。アルカリ水溶液供給ポンプ１４を運転している時のアルカリ水溶液貯蔵タンク１３におけるアルカリ水溶液の液面２３の高さはアルカリ水溶液貯蔵タンク１３底面から２５０ｍｍであった。レジスト層３を基板８の下面にして、アルカリ水溶液９に３０秒間浸漬したままの状態で搬送ロール対１２によって搬送し、ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理後にレジスト層３の薄膜化部の厚みを測定したところ１２μｍであった。
薄膜化されたレジスト層３の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラの無い平滑な表面であることを確認することができた。
（実施例１１）
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
次に、ドライフィルムレジストのキャリアフィルムを剥離した後、薄膜化処理液（アルカリ水溶液９）として１０質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）を用いて、搬送方向の長さが５００ｍｍ、幅７５０ｍｍ、深さ２００ｍｍのディップ槽１０、ディップ槽１０からオーバーフローしたアルカリ水溶液９をアルカリ水溶液回収槽３０からアルカリ水溶液貯蔵タンク１３内部に導く回収管２１、搬送方向の長さが７００ｍｍ、幅９５０ｍｍ、深さ６００ｍｍのアルカリ水溶液貯蔵タンク１３、アルカリ水溶液貯蔵タンク１３底部から３５０ｍｍの高さ位置に設置された回収管排出口２２、アルカリ水溶液貯蔵タンク１３側面でアルカリ水溶液貯蔵タンク１３底部から５０ｍｍの高さ位置に設置された供給ポンプ吸込口１７、回収管排出口２２から排出されるアルカリ水溶液９とアルカリ水溶液貯蔵タンク１３内のアルカリ水溶液９が接触する点から２００ｍｍの位置（供給ポンプ吸込口１７から５００ｍｍの位置）に超音波発生装置（２）２５が設置された薄膜化処理装置（図１６）を使用し、アルカリ水溶液供給ポンプ１４によってアルカリ水溶液９をアルカリ水溶液貯蔵タンク１３からディップ槽１０へと供給し、オーバーフローさせることでアルカリ水溶液９を循環させながら、レジスト層３の薄膜化処理を行った。供給ポンプを運転している時のアルカリ水溶液貯蔵タンク１３におけるアルカリ水溶液の液面２３の高さはアルカリ水溶液貯蔵タンク１３底面から２５０ｍｍであった。レジスト層３を基板８の下面にして、アルカリ水溶液９に３０秒間浸漬したままの状態で搬送ロール対１２によって搬送し、ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理後にレジスト層３の薄膜化部の厚みを測定したところ１２μｍであった。
薄膜化されたレジスト層３の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラの無い平滑な表面であることを確認することができた。
（実施例１２）
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
次に、長さ１０ｍｍ、線幅１００μｍの線が１００μｍ間隔で２１本並んだ露光原稿用フォトマスク４を用いて一回目の密着露光（露光量８０ｍＪ／ｃｍ２）を行った。
露光後、ドライフィルムレジストのキャリアフィルムを剥離し、薄膜化処理液（アルカリ水溶液９）として１０質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）を用いて、搬送方向の長さが５００ｍｍ、幅７５０ｍｍ、深さ２００ｍｍのディップ槽１０、ディップ槽１０底面の中央部に直径２０ｍｍのアルカリ水溶液供給口１１を有し、アルカリ水溶液供給口１１から搬送方向前側に１５０ｍｍ、幅方向右側に１５０ｍｍ、離れた位置に超音波発生装置（１）２０が１台と搬送方向後側に１５０ｍｍ、幅方向左側に１５０ｍｍ、離れた位置に超音波発生装置（１）２０が１台設置された薄膜化処理装置を使用し、アルカリ水溶液供給ポンプ１４によってアルカリ水溶液９をアルカリ水溶液貯蔵タンク１３からディップ槽１０へと供給し、オーバーフローさせることでアルカリ水溶液９を循環させながら、一回目の薄膜化処理を行った。アルカリ水溶液供給ポンプ１４を運転している時のアルカリ水溶液貯蔵タンク１３におけるアルカリ水溶液の液面２３の高さはアルカリ水溶液貯蔵タンク１３底面から２５０ｍｍであった。レジスト層３を基板８の下面にして、アルカリ水溶液９に１５秒間浸漬したままの状態で搬送ロール対１２によって搬送し、ミセル除去処理、水洗処理、乾燥後にレジスト層３の薄膜化部の厚みを測定したところ１６μｍであった。
次に、長さ１０ｍｍ、線幅１００μｍの線が１００μｍ間隔で２１本並んだ露光原稿用フォトマスク４を用いて二回目の密着露光を行った。この際、一回目の密着露光の向きからフォトマスクを９０°回転させた状態で密着露光（露光量８０ｍＪ／ｃｍ２）を行った。
露光後、薄膜化処理液（アルカリ水溶液９）として１０質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）を用いて、一回目と同様に超音波照射しながら二回目の薄膜化処理を行った。レジスト層３を基板８の下面にして、アルカリ水溶液９にレジスト層３を１５秒間浸漬したままの状態で搬送ロール対１２によって搬送し、ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理後にレジスト層３の薄膜化部の厚みを測定したところ、８μｍであった。
１００μｍ四方の四角形のレジスト層３の薄膜化部が４００箇所形成されていることが確認でき、いずれの薄膜化部においても、気泡による薄膜化の処理ムラは発生していなかった。
（比較例３）
二回目の薄膜化処理において超音波照射を行わないこと以外は、実施例１２と同様の方法でレジスト層３を薄膜化した。１００μｍ四方の四角形のレジスト層３における薄膜化部が４００箇所形成されている箇所を確認できたが、気泡による薄膜化の処理ムラが発生し、厚膜になっている箇所が１５０点発生していた。
二回目の薄膜化処理において超音波照射を行わないこと以外は、実施例１２と同様の方法でレジスト層３を薄膜化した。１００μｍ四方の四角形のレジスト層３における薄膜化部が４００箇所形成されている箇所を確認できたが、気泡による薄膜化の処理ムラが発生し、厚膜になっている箇所が１５０点発生していた。
（比較例４）
一回目、二回目ともに薄膜化処理において超音波照射を行わないこと以外は、実施例１２と同様の方法でレジスト層３を薄膜化した。１００μｍ四方の四角形のレジスト層３の薄膜化部が４００箇所形成されている箇所を確認できたが、気泡による薄膜化の処理ムラが発生し、厚膜になっている箇所が１５９点発生していた。
一回目、二回目ともに薄膜化処理において超音波照射を行わないこと以外は、実施例１２と同様の方法でレジスト層３を薄膜化した。１００μｍ四方の四角形のレジスト層３の薄膜化部が４００箇所形成されている箇所を確認できたが、気泡による薄膜化の処理ムラが発生し、厚膜になっている箇所が１５９点発生していた。
（実施例１３）
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５０ｍｍ×５０ｍｍ、銅箔厚み１８μｍ、基材厚み０．４ｍｍ）にサブトラクティブ法にて、導体配線２の長さ２０ｍｍ、導体配線２の幅１００μｍ、導体配線２間の距離１００μｍの回路基板を作製した。次に、ソルダーレジスト（タムラ製作所社（ＴＡＭＵＲＡ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ）製、商品名：ＤＳＲ−３３０Ｓ３２−２１）の主剤と硬化剤を混合した後、上記回路基板上の全面にアプリケーターを用いて塗工し、７０℃、３０分間の乾燥を行った。これにより、絶縁層１表面からレジスト層３表面までの膜厚が５０μｍのレジスト層３を形成した。
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５０ｍｍ×５０ｍｍ、銅箔厚み１８μｍ、基材厚み０．４ｍｍ）にサブトラクティブ法にて、導体配線２の長さ２０ｍｍ、導体配線２の幅１００μｍ、導体配線２間の距離１００μｍの回路基板を作製した。次に、ソルダーレジスト（タムラ製作所社（ＴＡＭＵＲＡ ＣＯＲＰＯＲＡＴＩＯＮ）製、商品名：ＤＳＲ−３３０Ｓ３２−２１）の主剤と硬化剤を混合した後、上記回路基板上の全面にアプリケーターを用いて塗工し、７０℃、３０分間の乾燥を行った。これにより、絶縁層１表面からレジスト層３表面までの膜厚が５０μｍのレジスト層３を形成した。
次に、導体配線２の始点と終点にあたる部分を接続パッド６とみなし、始点と終点にあたる部分の端から２００μｍ以外の領域に活性光線５が照射されるようなパターンを有する露光原稿用フォトマスク４を用いて、一回目の密着露光（露光量３００ｍＪ／ｃｍ２）を行った。
露光後、薄膜化処理液（アルカリ水溶液９）として１０質量％のメタケイ酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）を用いて、搬送方向の長さが５００ｍｍ、幅７５０ｍｍ、深さ２００ｍｍのディップ槽１０、ディップ槽１０底面の中央部に直径２０ｍｍのアルカリ水溶液供給口１１を有し、アルカリ水溶液供給口１１から搬送方向前側に１５０ｍｍ、幅方向右側に１５０ｍｍ、離れた位置に超音波発生装置（１）２０が１台と搬送方向後側に１５０ｍｍ、幅方向左側に１５０ｍｍ、離れた位置に超音波発生装置（１）２０が１台設置された薄膜化処理装置を使用し、アルカリ水溶液供給ポンプ１４によってアルカリ水溶液９をアルカリ水溶液貯蔵タンク１３からディップ槽１０へと供給し、オーバーフローさせることでアルカリ水溶液９を循環させながら、一回目の薄膜化処理を行った。アルカリ水溶液供給ポンプ１４を運転している時のアルカリ水溶液貯蔵タンク１３におけるアルカリ水溶液の液面２３の高さはアルカリ水溶液貯蔵タンク１３底面から２５０ｍｍであった。レジスト層３を基板８の下面にして、アルカリ水溶液９に４０秒間浸漬したままの状態で搬送ロール対１２によって搬送し、ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理後にレジスト層３の薄膜化部の厚みを測定したところ２９μｍであった。
次に、導体配線２の始点と終点にあたる部分を接続パッド６とみなし、始点と終点にあたる部分の端から１００μｍ以外の領域に活性光線５が照射されるようなパターンを有する露光原稿用フォトマスク４を用いて、二回目の密着露光（露光量３００ｍＪ／ｃｍ２）を行った。
露光後、薄膜化処理液（アルカリ水溶液９）として１０質量％のメタケイ酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）を用いて、一回目と同様に超音波照射しながら二回目の薄膜化処理を行った。レジスト層３を基板８の下面にして、アルカリ水溶液９にレジスト層３を４０秒間浸漬したままの状態で搬送ロール対１２によって搬送し、ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理後にレジスト層３の薄膜化部の厚みを測定したところ、８μｍであった。この時、二回目の薄膜化後のレジスト層３表面は、導体配線２よりも下にあり、導体配線２が露出されていることが確認できた。
レジスト層３が薄膜化されたことによって露出した導体配線２が２００箇所確認でき、いずれの薄膜化部においても、気泡による薄膜化の処理ムラは発生していなかった。
（比較例５）
二回目の薄膜化処理において超音波照射を行わないこと以外は、実施例１３と同様の方法でレジスト層３を薄膜化した。
二回目の薄膜化処理において超音波照射を行わないこと以外は、実施例１３と同様の方法でレジスト層３を薄膜化した。
レジスト層３が薄膜化されたことによって露出した導体配線２を確認することができたが、気泡による薄膜化の処理ムラが発生し、導体配線２が完全に露出していない箇所が７０点発生していた。
（比較例６）
一回目、二回目ともに薄膜化処理において超音波照射を行わないこと以外は、実施例１３と同様の方法でレジスト層３を薄膜化した。
一回目、二回目ともに薄膜化処理において超音波照射を行わないこと以外は、実施例１３と同様の方法でレジスト層３を薄膜化した。
レジスト層３が薄膜化されたことによって露出した導体配線２を確認することができたが、気泡による薄膜化の処理ムラが発生し、導体配線２が完全に露出していない箇所が７８点発生していた。
（実施例１４）
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
次に、ドライフィルムレジストのキャリアフィルムを剥離した後、薄膜化処理液（アルカリ水溶液９）として１０質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）を用いて、搬送方向の長さが５００ｍｍ、幅７５０ｍｍ、深さ２００ｍｍのディップ槽１０、ディップ槽１０底面の中央部に直径２０ｍｍのアルカリ水溶液供給口１１、ディップ槽１０からオーバーフローし、アルカリ水溶液回収槽３０に回収されたアルカリ水溶液９を貯蔵する搬送方向の長さが７００ｍｍ、幅９５０ｍｍ、深さ６００ｍｍのアルカリ水溶液貯蔵タンク１３、アルカリ水溶液貯蔵タンク１３内のアルカリ水溶液９を噴出口用供給ポンプ２８から供給管２９を通じてレジスト層３が形成された基板８に向けて噴出するアルカリ水溶液噴出口２７をディップ槽１０内に備えた薄膜化処理装置（図１７）にて、アルカリ水溶液供給口１１とアルカリ水溶液噴出口２７からアルカリ水溶液９を供給し、オーバーフローさせることでアルカリ水溶液９を循環させながら、レジスト層３の薄膜化処理を行った。アルカリ水溶液噴出口２７からのアルカリ水溶液の供給は、圧力が０．２ＭＰａ、レジスト層３の１ｃｍ２当たりの供給流量０．２Ｌ／ｍｉｎとなるよう調整し、レジスト層３を基板８の下面にして、アルカリ水溶液９に３０秒間浸漬したままの状態で搬送ロール対１２によって搬送し、ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理後にレジスト層３の薄膜化部の厚みを測定したところ１２μｍであった。
薄膜化されたレジスト層３の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラの無い平滑な表面であることを確認することができた。
（実施例１５）
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
プリント配線板用基板（絶縁層１：ガラス基材エポキシ樹脂、金属層７：銅箔、面積５１０ｍｍ×３４０ｍｍ、銅箔厚み１２μｍ、基材厚み０．２ｍｍ、三菱ガス化学社（ＭＩＴＳＵＢＩＳＨＩ ＧＡＳ ＣＨＥＭＩＣＡＬ ＣＯＭＰＡＮＹ， ＩＮＣ．）製、商品名：ＣＣＬ−Ｅ１７０）にドライフィルムレジスト用ラミネータを用いて、ドライフィルムレジスト（日立化成工業社（Ｈｉｔａｃｈｉ Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｃｏ．， Ｌｔｄ．）製、商品名：ＲＹ３６２５、厚み２５μｍ）を熱圧着し、レジスト層３を形成した。
次に、ドライフィルムレジストのキャリアフィルムを剥離した後、薄膜化処理液（アルカリ水溶液９）として１０質量％の炭酸ナトリウム水溶液（液温度２５℃）を用いて、搬送方向の長さが５００ｍｍ、幅７５０ｍｍ、深さ２００ｍｍのディップ槽１０、ディップ槽１０底面の中央部に直径２０ｍｍのアルカリ水溶液供給口１１を有し、アルカリ水溶液供給口１１の直上に搬送方向の長さ２０ｍｍ、幅３４０ｍｍであり、幅方向の中央部と端部の高低差が６０ｍｍのＶ字型形状の気泡誘導板（１）１６が設置され、気泡誘導板の搬送方向の始点と終点の端部に高さ６０ｍｍのかえし２６（図示せず）が取り付けてあり、ディップ槽１０からオーバーフローしたアルカリ水溶液９をアルカリ水溶液回収槽３０からアルカリ水溶液貯蔵タンク１３内部に導く回収管２１、搬送方向の長さが７００ｍｍ、幅９５０ｍｍ、深さ６００ｍｍのアルカリ水溶液貯蔵タンク１３、アルカリ水溶液貯蔵タンク１３底部から１５０ｍｍの高さ位置に設置された回収管排出口２２、アルカリ水溶液貯蔵タンク１３側面でアルカリ水溶液貯蔵タンク１３底部から５０ｍｍの高さ位置に設置された供給ポンプ吸込口１７、回収管排出口２２から排出されるアルカリ水溶液９とアルカリ水溶液貯蔵タンク１３内のアルカリ水溶液９とが接触する点から２００ｍｍの位置（供給ポンプ吸込口１７から５００ｍｍの位置）にアルカリ水溶液貯蔵タンク１３底部に固定された高さ２００ｍｍ、幅７００ｍｍ、厚み１０ｍｍの気泡誘導板（２）１８、回収管排出口２２から排出されるアルカリ水溶液９とアルカリ水溶液貯蔵タンク１３内のアルカリ水溶液９とが接触する点から３５０ｍｍの位置（供給ポンプ吸込口１７から３５０ｍｍの位置）にアルカリ水溶液貯蔵タンク１３底部から５０ｍｍの高さの位置に固定された高さ２００ｍｍ、幅７００ｍｍ、厚み１０ｍｍの気泡誘導板（３）１９が備えられた薄膜化処理装置（図１８）を使用し、アルカリ水溶液供給ポンプ１４によってアルカリ水溶液９をアルカリ水溶液貯蔵タンク１３からディップ槽１０へと供給し、オーバーフローさせることでアルカリ水溶液９を循環させながら、レジスト層３の薄膜化処理を行った。レジスト層３を基板８の下面にして、アルカリ水溶液９に３０秒間浸漬したままの状態で搬送ロール対１２によって搬送し、ミセル除去処理、水洗処理、乾燥処理後にレジスト層３の薄膜化部の厚みを測定したところ１２μｍであった。アルカリ水溶液供給ポンプ１４を運転している時のアルカリ水溶液貯蔵タンク１３のアルカリ水溶液の液面２３の高さはアルカリ水溶液貯蔵タンク１３の底面から２５０ｍｍであった。なお、レジスト層３の薄膜化処理は、アルカリ水溶液供給ポンプ１４を始動させてから１時間経過後に行った。
薄膜化されたレジスト層３の表面を光学顕微鏡で観察したところ、処理ムラの無い平滑な表面であることを確認することができた。
本考案のレジスト層の薄膜化処理装置は、プリント配線板やリードフレームにおける回路基板の作製、又はフリップチップ接続用の接続パッドを備えたパッケージ基板の作製において、レジストパターンを形成させる用途に適用できる。
１ 絶縁層
２ 導体配線
３ レジスト層
４ フォトマスク
５ 活性光線
６ 接続パッド
７ 金属層
８ 基板
９ アルカリ水溶液
１０ ディップ槽
１１ アルカリ水溶液供給口
１２ 搬送ロール対
１３ アルカリ水溶液貯蔵タンク
１４ アルカリ水溶液供給ポンプ
１５ 気泡
１６ 気泡誘導板（１）
１７ 供給ポンプ吸込口
１８ 気泡誘導板（２）
１９ 気泡誘導板（３）
２０ 超音波発生装置（１）
２１ 回収管
２２ 回収管排出口
２３ アルカリ水溶液の液面
２４ バルブ
２５ 超音波発生装置（２）
２６ かえし
２７ アルカリ水溶液噴出口
２８ 噴出口用供給ポンプ
２９ 供給管
３０ アルカリ水溶液回収槽
２ 導体配線
３ レジスト層
４ フォトマスク
５ 活性光線
６ 接続パッド
７ 金属層
８ 基板
９ アルカリ水溶液
１０ ディップ槽
１１ アルカリ水溶液供給口
１２ 搬送ロール対
１３ アルカリ水溶液貯蔵タンク
１４ アルカリ水溶液供給ポンプ
１５ 気泡
１６ 気泡誘導板（１）
１７ 供給ポンプ吸込口
１８ 気泡誘導板（２）
１９ 気泡誘導板（３）
２０ 超音波発生装置（１）
２１ 回収管
２２ 回収管排出口
２３ アルカリ水溶液の液面
２４ バルブ
２５ 超音波発生装置（２）
２６ かえし
２７ アルカリ水溶液噴出口
２８ 噴出口用供給ポンプ
２９ 供給管
３０ アルカリ水溶液回収槽
Claims (7)
- アルカリ水溶液によってレジスト層を薄膜化処理するためのディップ槽と、レジスト層が形成された基板をアルカリ水溶液中に浸漬されたままの状態で搬送する搬送ロール対とを備えてなるレジスト層の薄膜化処理装置であって、レジスト層の薄膜化処理装置に気泡抑制装置が備えられていることを特徴とするレジスト層の薄膜化処理装置。
- レジスト層の薄膜化処理装置が、アルカリ水溶液をディップ槽に供給するアルカリ水溶液供給口を備えてなり、気泡抑制装置がアルカリ水溶液供給口と搬送ロール対との間に備えられた気泡誘導板である請求項１記載のレジスト層の薄膜化処理装置。
- レジスト層の薄膜化処理装置が、ディップ槽にアルカリ水溶液を供給するためのアルカリ水溶液供給ポンプと、ディップ槽からオーバーフローしたアルカリ水溶液をアルカリ水溶液貯蔵タンクへと送るための回収管と、ディップ槽からオーバーフローしたアルカリ水溶液が貯蔵されるアルカリ水溶液貯蔵タンクとを備えてなり、気泡抑制装置がアルカリ水溶液貯蔵タンク内部に備えられた気泡誘導板である請求項１又は２記載のレジスト層の薄膜化処理装置。
- レジスト層の薄膜化処理装置が、ディップ槽にアルカリ水溶液を供給するためのアルカリ水溶液供給ポンプと、ディップ槽からオーバーフローしたアルカリ水溶液をアルカリ水溶液貯蔵タンクへと送るための回収管と、ディップ槽からオーバーフローしたアルカリ水溶液が貯蔵されるアルカリ水溶液貯蔵タンクとを備えてなり、気泡抑制装置がアルカリ水溶液貯蔵タンクにおけるアルカリ水溶液の液面よりも下に設置された回収管排出口である請求項１〜３のいずれか記載のレジスト層の薄膜化処理装置。
- レジスト層の薄膜化処理装置が、アルカリ水溶液をディップ槽に供給するアルカリ水溶液供給口を備えてなり、気泡抑制装置がディップ槽に備えられた超音波発生装置である請求項１〜４のいずれか記載のレジスト層の薄膜化処理装置。
- レジスト層の薄膜化処理装置が、ディップ槽にアルカリ水溶液を供給するためのアルカリ水溶液供給ポンプと、ディップ槽からオーバーフローしたアルカリ水溶液をアルカリ水溶液貯蔵タンクへと送るための回収管と、ディップ槽からオーバーフローしたアルカリ水溶液が貯蔵されるアルカリ水溶液貯蔵タンクとを備えてなり、気泡抑制装置がアルカリ水溶液貯蔵タンクに備えられた超音波発生装置である請求項１〜５のいずれか記載のレジスト層の薄膜化処理装置。
- レジスト層の薄膜化処理装置が、ディップ槽にアルカリ水溶液を供給するためのアルカリ水溶液供給ポンプと、ディップ槽からオーバーフローしたアルカリ水溶液をアルカリ水溶液貯蔵タンクへと送るための回収管と、ディップ槽からオーバーフローしたアルカリ水溶液が貯蔵されるアルカリ水溶液貯蔵タンクとを備えてなり、気泡抑制装置がディップ槽におけるアルカリ水溶液の液面よりも低い位置に備えられたアルカリ水溶液噴出口である請求項１〜６のいずれか記載のレジスト層の薄膜化処理装置。
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