CN203376557U - 抗蚀剂层的薄膜化处理装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型的课题在于提供一种能够解决抗蚀剂图案的形成中的分辨性和追随性的问题并解决在抗蚀剂层的薄膜化处理中成为问题的气泡导致的处理不均的问题的抗蚀剂层的薄膜化处理装置。抗蚀剂层的薄膜化处理装置具有用于借助碱性水溶液将抗蚀剂层薄膜化处理的浸渍槽、对形成有抗蚀剂层的基板在浸渍于碱性水溶液体中的状态下进行运送的运送辊对，其特征在于，在抗蚀剂层的薄膜化处理装置中具有气泡抑制装置。

Description

抗蚀剂层的薄膜化处理装置

技术领域

本实用新型涉及抗蚀剂层的薄膜化处理装置。

背景技术

随着电气以及电子部件的小型化、轻量化、多功能化，对于以回路形成用的干膜抗蚀剂、焊料抗蚀剂为首的感光性树脂（感光性材料），要求用于与印刷配线板的高密度化对应的高分辨率。这些感光性材料如下地制作：将作为原料的感光性树脂曝光后显影而形成图像。

为了与印刷配线板的小型化、高功能化对应，感光性树脂具有薄膜化的倾向。感光性树脂具有涂敷液体而使用的类型（液状抗蚀剂）和干膜类型（干膜抗蚀剂）。最近，开发了15μm以下的厚度的干膜抗蚀剂，其产品化正在推进。但是，在这样的薄的干膜抗蚀剂时，与以往的厚度的抗蚀剂相比，密接性以及对凹凸的追随性不充分，存在产生剥离及空隙等的问题。

为了改善上述的点，提出了使用厚的感光性树脂并能够实现高分辨率的各种的手段。例如，在利用减去法制作导电图案的方法中，公开了下述导电图案的形成方法，其特征在于，在绝缘层的单面或者两面设置金属层形成层叠基板，在该层叠基板上贴付干膜抗蚀剂而形成抗蚀剂层，然后进行抗蚀剂层的薄膜化工序，接着，进行回路图案的曝光工序、显影工序、蚀刻工序（例如参照专利文献1）。此外，在形成焊料抗蚀剂图案的方法中，公开了下述焊料抗蚀剂图案的形成方法，其特征在于，在具有导电图案的回路基板上形成由焊料抗蚀剂构成的抗蚀剂层，然后进行抗蚀剂层的薄膜化工序，接着进行图案的曝光工序，再次进行包含抗蚀剂层的薄膜化处理的薄膜化工序（例如专利文献2以及3）。

薄膜化工序至少包含使用碱性水溶液令未曝光部的抗蚀剂层的光交联性树脂成分胶束化的胶束化处理（薄膜化处理）、利用pH5～9的碱性水溶液除去胶束的胶束除去处理、用水清洗表面的水洗处理、除去清洗水的干燥处理的四阶段的处理。而且，利用碱性水溶液中的薄膜化处理的处理时间来控制薄膜化的进行。但是，在碱性水溶液中存在气泡，在该气泡与未曝光部的抗蚀剂层的光交联性树脂成分接触时，存在与气泡接触的部分的薄膜化的进行受到妨碍的问题。在薄膜化的进行受到妨碍的部分，抗蚀剂层变厚而残存，所以在减去法的导电图案形成中成为蚀刻不良的原因，在焊料抗蚀剂的图案形成中，成为连接焊盘部的接触不良的原因，都会产生导致生产的成品率下降的问题。

进而，在曝光工序后，经由包含基于碱性水溶液的抗蚀剂层的薄膜化处理的薄膜化工序，再次进行曝光工序，接着，再次进行包含基于碱性水溶液的抗蚀剂层的薄膜化处理的薄膜化工序，这种情况下，气泡的接触对于抗蚀剂层的薄膜化的阻害变得更为严重。在通过反复进行曝光工序和薄膜化工序而阶段地令未曝光部的抗蚀剂层薄膜化时，在形成于抗蚀剂层的曝光部和未曝光部的边界的阶梯部处特别容易残存气泡，气泡接触了的部分的抗蚀剂层的薄膜化在之后受到妨碍。例如，在反复进行两次曝光工序和包含薄膜化处理的薄膜化工序时，在第二次的薄膜化部位于与第一次的薄膜化部相同或者其内侧的区域时，在第二次的薄膜化处理时，在形成于第一次的曝光部和第一次的薄膜化部的边界处的阶梯内部有容易残存气泡的倾向。

此外，在专利文献4中公开了一种将形成有抗蚀剂层的基板在薄膜化处理液（碱性水溶液）中浸渍（dip）而用于令抗蚀剂层薄膜化的薄膜化处理装置。对于专利文献4公开的薄膜化处理装置，使用附图进行说明。图5以及6是专利文献4所记载的薄膜化处理装置的概略剖视图。图5是从垂直于基板的运送方向（MD方向）的方向（CD方向）看的概略剖视图，图6是从基板的运送方向（MD方向）看的概略剖视图。在该薄膜化处理装置中，利用运送辊对12将形成有抗蚀剂层的基板8在浸渍于浸渍槽10中的碱性水溶液9中的状态下进行运送，进行抗蚀剂层的薄膜化处理。碱性水溶液9从装置下部的碱性水溶液贮藏容器13借助碱性水溶液供给泵14而经由碱性水溶液供给口11被供给至浸渍槽10，令其溢流。溢流后的碱性水溶液9被回收到碱性水溶液回收槽30，通过回收管21而从回收管排出口22排出，被贮藏于碱性水溶液贮藏容器13。通过反复进行而令碱性水溶液9在浸渍槽10与碱性水溶液贮藏容器13之间循环。

在图5以及6所示的薄膜化处理装置中，在令碱性水溶液9循环时，在由于溢流而碱性水溶液9从浸渍槽10向碱性水溶液贮藏容器13落下时，在碱性水溶液9中产生气泡15，该气泡15借助碱性水溶液9的循环而附着于基板8的抗蚀剂层，阻碍薄膜化的进行，有时会产生膜厚变得不均的处理不均。

专利文献1：国际公开第2009/096438号手册

专利文献2：日本特开2011-192692号公报

专利文献3：国际公开第2012/043201号手册

专利文献4：日本特开2012-27299号公报。

实用新型内容

本实用新型的课题在于提供一种抗蚀剂层的薄膜化处理装置，在能够解决分辨性和追随性的问题的抗蚀剂图案的形成方法中使用的抗蚀剂层的薄膜化处理装置中，能够解决气泡导致的处理不均的问题。

用于解决课题的手段

本实用新型的发明者为了解决该课题而进行了研究，结果发现通过下述手段能够解决上述课题。

（1）一种抗蚀剂层的薄膜化处理装置，具有：浸渍槽，用于利用碱性水溶液对抗蚀剂层进行薄膜化处理；运送辊对，对形成有抗蚀剂层的基板在浸渍在碱性水溶液中的状态下进行运送，其特征在于，在抗蚀剂层的薄膜化处理装置中具有气泡抑制装置。

（2）如上述（1）所述的抗蚀剂层的薄膜化处理装置，具有向浸渍槽供给碱性水溶液的碱性水溶液供给口，气泡抑制装置是配置在碱性水溶液供给口和运送辊对之间的气泡引导板。

（3）如上述（1）或（2）所述的抗蚀剂层的薄膜化处理装置，具有：用于向浸渍槽供给碱性水溶液的碱性水溶液供给泵、用于将从浸渍槽溢流的碱性水溶液送往碱性水溶液贮藏容器的回收管、和贮藏从浸渍槽溢流的碱性水溶液的碱性水溶液贮藏容器，气泡抑制装置是配备在碱性水溶液贮藏容器内部的气泡引导板。

（4）如上述（1）～（3）的任意一项所述的抗蚀剂层的薄膜化处理装置，具有：用于向浸渍槽供给碱性水溶液的碱性水溶液供给泵、用于将从浸渍槽溢流的碱性水溶液送往碱性水溶液贮藏容器的回收管、和贮藏从浸渍槽溢流的碱性水溶液的碱性水溶液贮藏容器，气泡抑制装置是设置在比碱性水溶液贮藏容器的碱性水溶液的液面靠下方的回收管排出口。

（5）如上述（1）～（4）的任意一项所述的抗蚀剂层的薄膜化处理装置，具有向浸渍槽供给碱性水溶液的碱性水溶液供给口，气泡抑制装置是配备于浸渍槽的超声波发生装置。

（6）如上述（1）～（5）的任意一项所述的抗蚀剂层的薄膜化处理装置，具有：用于向浸渍槽供给碱性水溶液的碱性水溶液供给泵、用于将从浸渍槽溢流的碱性水溶液送往碱性水溶液贮藏容器的回收管、和贮藏从浸渍槽溢流的碱性水溶液的碱性水溶液贮藏容器，气泡抑制装置是配备于碱性水溶液贮藏容器的超声波发生装置。

（7）如上述（1）～（6）的任意一项所述的抗蚀剂层的薄膜化处理装置，具有：用于向浸渍槽供给碱性水溶液的碱性水溶液供给泵、用于将从浸渍槽溢流的碱性水溶液送往碱性水溶液贮藏容器的回收管、和贮藏从浸渍槽溢流的碱性水溶液的碱性水溶液贮藏容器，气泡抑制装置是配备在浸渍槽中的比碱性水溶液的液面低的位置的碱性水溶液喷出口。

实用新型的效果

能够提供一种抗蚀剂层的薄膜化处理装置，在能够解决分辨性和追随性的问题的抗蚀剂图案的形成方法中所使用的抗蚀剂层的薄膜化处理装置中，能够解决气泡导致的处理不均的问题。

附图说明

图1是表示使用本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化处理装置进行的抗蚀剂图案的形成方法的一例的截面工序图。

图2是表示使用本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化处理装置进行的抗蚀剂图案的形成方法的一例的截面工序图。

图3是表示使用本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化处理装置进行的抗蚀剂图案的形成方法的一例的截面工序图。

图4是表示使用本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化处理装置进行的抗蚀剂图案的形成方法的一例的截面工序图。

图5是表示现有技术的薄膜化处理装置的概略剖视图。

图6是表示现有技术的薄膜化处理装置的概略剖视图。

图7是表示本实用新型的薄膜化处理装置的一例的概略剖视图。

图8是表示本实用新型的薄膜化处理装置的一例的概略剖视图。

图9是表示本实用新型的薄膜化处理装置的一例的概略剖视图。

图10是表示本实用新型的薄膜化处理装置的一例的概略剖视图。

图11是表示本实用新型的薄膜化处理装置的一例的概略剖视图。

图12是表示本实用新型的薄膜化处理装置的一例的概略剖视图。

图13是表示本实用新型的薄膜化处理装置的一例的概略剖视图。

图14是表示本实用新型的薄膜化处理装置的一例的概略剖视图。

图15是表示本实用新型的薄膜化处理装置的一例的概略剖视图。

图16是表示本实用新型的薄膜化处理装置的一例的概略剖视图。

图17是表示本实用新型的薄膜化处理装置的一例的概略剖视图。

图18是表示本实用新型的薄膜化处理装置的一例的概略剖视图。

附图标记说明

1…绝缘层

2…导体配线

3…抗蚀剂层

4…光掩膜

5…活性光线

6…连接焊盘

7…金属层

8…基板

9…碱性水溶液

10…浸渍槽

11…碱性水溶液供给口

12…运送辊对

13…碱性水溶液贮藏容器

14…碱性水溶液供给泵

15…气泡

16…气泡引导板（1）

17…供给泵吸入口

18…气泡引导板（2）

19…气泡引导板（3）

20…超声波发生装置（1）

21…回收管

22…回收管排出口

23…碱性水溶液的液面

24…阀

25…超声波发生装置（2）

26…倒钩

27…碱性水溶液喷出口

28…喷出口用供给泵

29…供给管

30…碱性水溶液回收槽。

具体实施方式

以下详细说明本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化处理装置。

使用图1～4说明使用本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化处理装置进行的抗蚀剂图案的形成方法。

使用图1说明利用减去法形成导电图案时的抗蚀剂图案的形成方法（1）。

［图1a］准备在绝缘层1上设置有金属层7的层叠基板。

［图1b］层叠基板上形成碱性显影型的抗蚀剂层3。

［图1c］一边抑制气泡向抗蚀剂层3附着，一边利用碱性水溶液将抗蚀剂层3薄膜化（薄膜化工序）。

［图1d］利用活性光线5对进行了薄膜化后的抗蚀剂层3进行图案曝光（曝光工序）。

［图1e］利用显影将未曝光部的抗蚀剂层3除去（显影工序）。

由此，能够形成图1e所示那样的没有气泡导致的薄膜化的处理不均的抗蚀剂图案。在图1e之后，在蚀刻工序中，对没有被抗蚀剂图案覆盖的金属层7进行蚀刻，从而能够得到导电图案。

使用图2说明使用了焊料抗蚀剂的抗蚀剂图案的形成方法（2）。

［图2a］准备在绝缘层1上形成有导体配线2以及连接焊盘6的回路基板。

［图2b］在回路基板上形成碱性显影型的抗蚀剂层3。

［图2c］利用活性光线5对被薄膜化的区域以外的部分的抗蚀剂层3进行曝光（曝光工序）。

［图2d］一边抑制气泡附着于抗蚀剂层3一边利用碱性水溶液将未曝光部的抗蚀剂层3薄膜化，直到抗蚀剂层3的厚度变得比连接焊盘6的厚度还薄（薄膜化工序）。

由此，能够形成如图2d所示的没有气泡导致的薄膜化的处理不均、导体配线2被抗蚀剂层3被覆且连接焊盘6从抗蚀剂层3露出的多级构造的抗蚀剂图案。

使用图3说明利用减去法形成导电图案形成时的抗蚀剂图案的形成方法（3）。

［图3a］准备在绝缘层1上设置有金属层7的层叠基板。

［图3b］在层叠基板上形成碱性显影型的抗蚀剂层3。

［图3c］利用活性光线5对被薄膜化的区域以外的部分的抗蚀剂层3进行曝光（第一次的曝光工序）。

［图3d］一边抑制气泡附着于抗蚀剂层3一边利用碱性水溶液将未曝光部的抗蚀剂层3薄膜化（薄膜化工序）。

［图3e］利用活性光线5对被显影的区域以外的部分的抗蚀剂层3进行曝光（第二次的曝光工序）。

［图3f］利用显影将未曝光部的抗蚀剂层3除去（显影工序）。

由此，能够形成如图3f所示的具有没有气泡导致的薄膜化的处理不均、且局部地被薄膜化的抗蚀剂层3的多级构造的抗蚀剂图案。接着，在蚀刻工序中，对没有被抗蚀剂图案覆盖的金属层7进行蚀刻，从而能够得到导电图案。

使用图4说明使用了焊料抗蚀剂的抗蚀剂图案的形成方法（4）。

［图4a］准备在绝缘层1上形成有导体配线2以及连接焊盘6的回路基板。

［图4b］在回路基板上形成碱性显影型的抗蚀剂层3。

［图4c］利用活性光线5对被第一次薄膜化的区域以外的部分的抗蚀剂层3进行曝光（第一次的曝光工序）。

［图4d］一边抑制气泡附着于抗蚀剂层3一边利用碱性水溶液将未曝光部的抗蚀剂层3薄膜化，直到抗蚀剂层3的厚度变为连接焊盘6的厚度以上（第一次的薄膜化工序）。

［图4e］利用活性光线5对被第二次薄膜化的区域以外的部分的抗蚀剂层3进行曝光（第二次的曝光工序）。

［图4f］一边抑制气泡附着于抗蚀剂层3一边利用碱性水溶液将未曝光部的抗蚀剂层3薄膜化，直到抗蚀剂层3的厚度变为比连接焊盘6的厚度还薄（第二次的薄膜化工序）。

由此，能够形成如图4f所示的没有气泡导致的薄膜化的处理不均、导体配线2被抗蚀剂层3被覆且连接焊盘6从抗蚀剂层3露出的多级构造的抗蚀剂图案。

作为基板能够举出印刷配线板用基板、引线框架用基板；加工印刷配线板用基板及引线框架用基板而得到的回路基板。

作为印刷配线板用基板，例如可以举出挠性基板、刚性基板。挠性基板的绝缘层的厚度为5～125μm，在其两面或者单面设置1～35μm的金属层而成为层叠基板，可挠性大。绝缘层的材料通常使用聚酰亚胺、聚酰胺、聚苯硫醚、聚对苯二甲酸乙二醇脂、液晶聚合物等。在绝缘层上具有金属层的材料可以使用通过下述等的方法制造的材料：利用粘合剂贴合的粘合法、在金属箔上涂敷树脂液的铸造法、在利用溅镀及蒸镀法形成在树脂薄膜上的厚度数nm的薄的导电层（种子层）上利用电镀形成金属层的溅射/电镀法，利用热冲压而贴付的层叠法等的任意一个。作为金属层的金属能够使用铜、铝、银、镍、铬、或者这些的合金等的任意金属，但一般为铜。

刚性基板可以举出下述层叠基板：在纸基材或者玻璃基材上层叠浸渍了环氧树脂或者酚醛树脂等的绝缘性基板而作为绝缘层，在其单面或者两面载置金属箔，借助加热以及加压而层叠而设置金属层。此外，可以举出在内层配线图案加工后层叠预成形料、金属箔等而制作的多层用的密封板、具有贯通孔及非贯通孔的多层板。根据厚度为60μm～3.2mm且作为印刷配线板的最终使用形态而选定其材质和厚度。作为金属层的材料可以举出铜、铝、银、金等，但一般为铜。这些印刷配线板用基板的例记载于《印刷回路技术便览-第二版-》（（社）印刷回路学会编，1987年刊，日刊工业新闻社发刊）及《多层印刷回路手册》（J.A. Scarlett编，1992年刊，（株）近代化学社发刊）。

作为引线框架用基板能够举出铁镍合金、铜系合金等的基板。

回路基板是在绝缘性基板上形成有由铜等的金属构成的用于连接半导体芯片等的电子部件的连接焊盘的基板。也可以形成有导体配线。制作回路基板的方法可以举出例如减去法、半添加法、添加法。在减去法中，例如在上述的印刷配线板用基板上形成蚀刻抗蚀剂图案，进行曝光工序、显影工序、蚀刻工序、抗蚀剂剥离工序而制作回路基板。

作为抗蚀剂能够使用碱性显影型的抗蚀剂。此外，无论是液状抗蚀剂还是干膜抗蚀剂，只要是能够借助碱性水溶液（薄膜化处理液）而薄膜化、且能够借助作为比薄膜化处理液还低浓度的碱性水溶液的显影液而显影的抗蚀剂则可以使用任意的抗蚀剂。碱性显影型的抗蚀剂包含光交联性树脂成分。光交联性树脂成分例如含有碱性可溶性树脂、光聚合性化合物、光聚合引发剂等。此外也可以含有环氧树脂、热硬化剂、无机填充物等。

作为碱性可溶性树脂可以举出例如丙烯酸系树脂、甲基丙烯系树脂、苯乙烯系树脂、环氧系树脂、氨基系树脂、氨基环氧系树脂、醇酸系树脂、酚醛系树脂的有机高分子。其中，优选聚合（自由基聚合等）具有乙烯性不饱和双键的单体（聚合性单体）而得到的树脂。这些向碱性水溶液可溶的聚合体也可以单独使用也可以组合两种以上地使用。作为这样的具有乙烯性不饱和双键的单体，例如可以举出苯乙烯、乙烯基甲苯、α-甲基苯乙烯、p-甲基苯乙烯、p-乙基苯乙烯、p-甲氧基苯乙烯、p-乙氧基苯乙烯、p-氯苯乙烯、p-溴苯乙烯等的苯乙烯衍生物；双丙酮丙烯酰胺等的丙烯酰胺；丙烯腈；乙烯-n-丁基醚等的乙烯醇的酯类；（甲基）丙烯酸烷基酯、（甲基）丙烯酸四氢糠醇酯、（甲基）丙烯酸二甲氨基酯、（甲基）丙烯酸二乙胺基乙醇酯、（甲基）丙烯酸缩水甘油酯、2，2，2-三氟乙基（甲基）丙烯酸酯、2，2，3，3-四氟丙基（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸、α-溴（甲基）丙烯酸、α-氯（甲基）丙烯酸、β-呋喃基（甲基）丙烯酸、β-苯乙烯基（甲基）丙烯酸等的（甲基）丙烯酸单酯；马来酸、马来酸无水物、马来酸单甲基、马来酸单乙基、马来酸单异丙基等的马来酸系单体；富马酸酸、肉桂酸、α-氰化肉桂酸、衣康酸、巴豆酸、丙炔酸等。

作为光聚合性化合物可以举出例如令多价乙醇与α，β-不饱和羟酸反应而得到的化合物；双酚A系（甲基）丙烯酸酯化合物；令缩水甘油基含有化合物与α，β-不饱和羟酸反应而得到的化合物；在分子内具有尿烷键的（甲基）丙烯酸酯化合物等的尿烷单体；壬基苯氧基聚乙烯烃基丙烯酸酯；γ-氯-β-羟丙基-β′-（甲基）丙烯酰氧乙基-o-酞酸酯、β-羟烷基-β′-（甲基）丙烯酰氧烷基-o-酞酸酯等的酞酸系化合物；（甲基）丙烯酸烷基酯、EO、PO变性壬苯基（甲基）丙烯酸酯等。在此，EO以及PO表示乙烯氧化物以及丙烯氧化物，EO变性后的化合物是具有乙烯氧化物基的块构造的化合物，PO变性后的化合物是具有丙烯氧化物基的块构造的化合物。这些光聚合性化合物也可以单独地、或者也可以组合两种以上地使用。

作为光聚合引发剂可以举出二苯甲酮、N，N′-四甲基-4，4′-二氨基二苯甲酮（米氏酮）、N，N′-四乙基-4，4′-二氨基二苯甲酮、4-甲氧基-4′-二甲氨基二苯酮、2-苯-2-二甲氨基-1-（4-吗啉基苯基）-丁酮-1、2-甲基-1-［4-（甲硫基）苯］-2-吗啉基-丙酮-1等的芳香族酮；2-乙基蒽醌、菲醌、2-tert-叔丁基蒽醌、十八甲基蒽醌、1，2-苯蒽醌、2，3-苯蒽醌、2-苯蒽醌、2，3-二苯蒽醌、1-氯蒽醌、2-甲基蒽醌、1，4-萘醌、9，10-菲醌、2-甲基-1，4-萘醌、2，3-二甲基蒽醌等的醌类；安息香甲基醚、安息香乙醚、安息香苯醚等的安息香醚化合物；安息香、甲基安息香、乙基安息香等的安息香化合物；苯偶酰二甲基缩酮等的苯甲基衍生物；2-（o-氯苯）-4，5-二苯咪唑二聚体、2-（o-氯苯）-4，5-二（甲氧基苯）咪唑二聚体、2-（o-氟苯基）-4，5-二苯咪唑二聚体，2-（o-甲氧基苯）-4，5-二苯咪唑二聚体、2-（p-甲氧基苯）-4，5-二苯咪唑二聚体等的2，4，5-三芳基咪唑二聚体；9-苯基吖啶、1，7-双（9，9′-吖啶）庚烷等的吖衍生物；N-苯甘氨酸、N-苯甘氨酸衍生物、香豆素系化合物等。上述2，4，5-三芳基咪唑二聚体中的两个2，4，5-三芳基咪唑的芳基的置换基可以是相同且对称的化合物，也可以是不同而非对称的化合物。此外，也可以如二乙基噻吨酮和对二甲氨基苯甲酸的组合那样将噻吨酮系化合物和3级叔胺化合物组合。这些单独地、或者组合两种以上地使用。

环氧树脂有时作为硬化剂而使用。令其与碱性可溶性树脂的羟酸反应从而交联，实现耐热性及耐药品性的特性的提高，但由于羟酸和环氧在常温下也发生反应，所以保存稳定性差，碱性显影型的焊料抗蚀剂一般多采用在使用前混合的2液性的形态。有时也使用无机填充物，可以举出例如滑石、硫酸钡、二氧化硅等。

在基板的表面形成抗蚀剂层的方法任意方法都可以，可以举出例如丝网印刷法、辊涂层法、喷雾法、浸渍法、幕式涂敷法、条码法、气刀法、热熔法、雕刻滚筒涂层法、刷毛涂刷法、胶印印刷法。干膜抗蚀剂的情况下，优选使用层叠法。

在曝光工序中，对抗蚀剂层照射活性光线。能够使用以氙灯、高压水银灯、低压水银灯、超高压水银灯、UV荧光灯作为光源的反射图像曝光、使用光掩膜的单面、两面密接曝光及接近方式、投影方式及激光扫描曝光等。在进行扫描曝光时，能够借助令UV激光、He-Ne激光、He-Cd激光、氩激光、氪激光、红宝石激光、YAG激光、氮激光、色素激光、准分子激光等的激光光源对应于发光波长而变换了SHG波长的扫描曝光、或者利用了液晶快门、微镜阵列快门的扫描曝光而进行曝光。

在显影工序中，利用显影液对未曝光部的抗蚀剂层进行显影。与薄膜化工序不同，将未曝光部的抗蚀剂层完全地除去。作为显影方法，一般是使用与所使用的抗蚀剂层对应的显影液向基板表面喷射喷雾的方法。作为显影液，使用比用于薄膜化处理的薄膜化处理液（碱性水溶液）低浓度的碱性水溶液。作为显影液（低浓度碱性水溶液），一般为0.3～3质量％的碳酸钠水溶液。

在蚀刻工序中，能够使用《印刷回路技术便览》（（社）日本印刷回路工业会编，1987年刊行，（株）日刊工业新闻社刊）记载的方法等。蚀刻液只要是能够溶解除去金属层、此外至少抗蚀剂层具有耐受性的即可。一般在金属层使用铜时，能够使用氯化铁水溶液，氯化铜水溶液等。

作为抗蚀剂层的薄膜化工序，是包含利用碱性水溶液令抗蚀剂层中的光交联性树脂成分胶束化的胶束化处理（薄膜化处理）、接着利用pH5～9的碱性水溶液除去胶束的胶束除去处理的工序。进而，也能够包含利用水洗将没有去除干净的抗蚀剂层表面及残存附着的碱性水溶液冲洗的水洗处理、除去清洗水的干燥处理。

作为薄膜化处理液使用的碱性水溶液例如可以举出锂、钠或者钾等的碱金属硅酸盐、碱金属氢氧化物、碱金属磷酸盐、碱金属碳酸盐、铵磷酸盐、铵碳酸盐等的无机碱性化合物的水溶液及单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、甲基胺、二甲基胺、乙基胺、二乙基胺、三乙基胺、环己胺、四甲基氢氧化铵（TMAH）、四乙基氢氧化铵、三甲基-2-羟乙基氢氧化铵（胆碱）等的有机碱性化合物的水溶液。上述无机碱性化合物以及有机碱性化合物也可以作为混合物而使用。

碱性化合物的含有量能够以0.1质量％以上50质量％以下地使用。此外，为了令抗蚀剂层表面更加均匀地薄膜化，也可以在碱性水溶液中添加硫酸盐、亚硫酸盐。作为硫酸盐或者亚硫酸盐可以举出锂、钠或者钾等的碱金属硫酸盐或者亚硫酸盐、镁、钙等的碱土类金属硫酸盐或者亚硫酸盐。

作为碱性水溶液，在这些中特别地，包含从碱金属碳酸盐、碱金属磷酸盐、碱金属氢氧化物、碱金属硅酸盐选择的无机碱性化合物、以及从TMAH、胆碱选择的有机碱性化合物中的至少一种、且该无机碱性化合物以及有机碱性化合物的含有量为5～25质量％的碱性水溶液能够令表面更加均匀地薄膜化，所以能够优选地使用。在不满5质量％时，薄膜化的处理中有时会容易产生不均。此外，如果超过25质量％，则容易引起无机碱性化合物的析出，有时液体的经时稳定性、作业性变差。更优选碱性化合物的含有量为7～17质量％，更优选为8～13质量％。优选碱性水溶液的pH为10以上。此外，也能够适宜地添加界面活性剂、消泡剂、溶剂等。

基于碱性水溶液的薄膜化处理通过在浸渍槽中的碱性水溶液中浸渍（dip）形成有抗蚀剂层的基板而进行。浸渍处理以外的处理方法容易在碱性水溶液中产生气泡，该产生的气泡会在薄膜化处理中附着于抗蚀剂层表面，有时膜厚会变得不均一。

在使用了本实用新型的抗蚀剂槽的薄膜化处理装置的抗蚀剂图案的形成方法中，由抗蚀剂层形成后的厚度和利用碱性水溶液处理而抗蚀剂层被薄膜化的量来决定抗蚀剂层的厚度。此外，能够在0.01～500μm的范围内自由地调节薄膜化量。

本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化处理装置具有：用于利用碱性水溶液对抗蚀剂层进行薄膜化处理的浸渍槽、和将形成有抗蚀剂层的基板在浸渍在碱性水溶液中的状态下进行运送的运送辊对。而且，其特征在于，为了抑制在基板的抗蚀剂层上附着气泡，具有气泡抑制装置。使用图7～17说明本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化处理装置。

作为气泡抑制装置的一例举出气泡引导板。气泡引导板是用于直接地或者间接地抑制在碱性水溶液中产生的气泡在薄膜化处理时附着于抗蚀剂层的部件。例如，在基于碱性水溶液的抗蚀剂层的薄膜化处理中，设置于浸渍槽内，直接地抑制产生的气泡附着于抗蚀剂层。此外，在用于在与浸渍槽之间令碱性水溶液循环的碱性水溶液贮藏容器内设置气泡引导板，对从浸渍槽溢流的碱性水溶液向碱性水溶液贮藏容器回收时产生的气泡进行引导，并且间接地抑制气泡向抗蚀剂层附着。

图7～9是表示本实用新型的薄膜化处理装置的一例的概略剖视图。图7以及8是从CD方向看的概略剖视图，图9是从MD方向看的概略剖视图。这些薄膜化处理装置是下述薄膜化处理装置：借助运送辊对12对形成有抗蚀剂层的基板8以浸渍在浸渍槽10中的碱性水溶液9中的状态进行运送，进行抗蚀剂层的薄膜化处理。碱性水溶液9从装置下部的碱性水溶液贮藏容器13利用碱性水溶液供给泵14经由碱性水溶液供给口11被供给至浸渍槽10，并令其溢流。溢流后的碱性水溶液9被回收至碱性水溶液回收槽30，并通过回收管21而从回收管排出口22贮藏于碱性水溶液贮藏容器13，从而在浸渍槽10和碱性水溶液贮藏容器13之间循环。

在图7～9所示的薄膜化处理装置中，在碱性水溶液供给口11和运送辊对12之间设置气泡引导板（1）16。利用气泡引导板（1）16将在薄膜化处理装置内的碱性水溶液循环过程中产生的气泡15向比薄膜化处理中的形成有抗蚀剂层的基板8还靠薄膜化处理装置宽度方向的外侧的区域引导，能够防止其向运送中的形成有抗蚀剂层的基板8附着。

设置于浸渍槽10内的气泡引导板（1）16的设置位置只要是在从上看浸渍槽10时碱性水溶液供给口11隐藏于气泡引导板（1）16的区域而看不见的位置关系即可。此外，气泡引导板（1）16的设置高度只要是浸渍槽10内的碱性水溶液供给口11和运送辊对12之间的高度则可以为任意的高度。

对于气泡引导板（1）16的大小，相对于薄膜化处理装置的运送方向，长度方向只要为碱性水溶液供给口11的直径以上、浸渍槽10的长度以下的范围即可。相对于薄膜化处理装置的运送方向，如果长度方向不满碱性水溶液供给口11的直径，则有时引导气泡的能力不足。相对于薄膜化处理装置的运送方向，宽度方向只要为形成有抗蚀剂层的基板8的宽度以上、不满浸渍槽10的宽度即可。相对于薄膜化处理装置的运送方向，如果宽度方向不足形成有抗蚀剂层的基板8的宽度，则有时引导气泡的能力不足。

图10～12是表示本实用新型的薄膜化处理装置的一例的概略剖视图，是从MD方向看的概略剖视图。在图10～12所示的薄膜化处理装置中，在碱性水溶液贮藏容器13内部设置气泡引导板（2）18或者气泡引导板（3）19。碱性水溶液9通过回收管21而从回收管排出口22被排出至碱性水溶液贮藏容器13时产生的气泡15被气泡引导板（2）18或者气泡引导板（3）19遮蔽，在液体中被向浮起的方向引导。由此，能够抑制从供给泵吸入口17吸入气泡15，能够防止其向运送中的形成有抗蚀剂层的基板8附着。

设置于碱性水溶液贮藏容器13内的气泡引导板的设置位置是从回收管排出口22排出的碱性水溶液9和碱性水溶液贮藏容器13内的碱性水溶液9接触的点与供给泵吸入口17之间的位置。此外，设置于碱性水溶液贮藏容器13内的气泡引导板根据其设置方法而能够分为气泡引导板（2）18和气泡引导板（3）19这两种。如图10所示，气泡引导板（2）18其上端比碱性水溶液贮藏容器13中的碱性水溶液的液面23的高度低，将下端固定设置在碱性水溶液贮藏容器13的底面。此外，如图11所示，气泡引导板（3）19以其上端比碱性水溶液贮藏容器13中的碱性水溶液的液面23的高度高下端完全不与碱性水溶液贮藏容器13的底面接触的方式、或者一部分不接触的方式被固定设置。气泡引导板（2）18和气泡引导板（3）19即便是分别单体地使用时也能够得到气泡引导效果，但是通过例如如图12所示地组合地加以利用，能够提高气泡引导效果。进而，也能够将气泡引导板（2）18和气泡引导板（3）19组合多张而使用，由此能够得到更大的气泡引导效果。

气泡引导板的材料能够使用对于碱性水溶液具有耐受性的各种材料。具体而言能够使用聚乙烯、聚丙烯、硬质聚氯乙烯、丙烯腈・丁二烯・苯乙烯（ABS）树脂、聚苯乙烯树脂等的合成树脂、玻璃纤维强化聚丙烯、玻璃纤维强化环氧树脂等的纤维强化塑料、钛、哈氏合金（注册商标）等的耐腐蚀性金属材料等的材料。这些中，由于容易加工所以优选地使用硬质聚氯乙烯。

气泡引导板的形状能够形成为圆形、椭圆形、正方形及长方形等的四边形、五边形、六边形等的多边形、由直线和弧线构成的任意的形状等，但由于容易加工和设置而优选为正方形或长方形。进而，在气泡引导板（1）16的薄膜化装置运送方向的起点和终点的端部能够向下地设置倒钩26。图8表示从侧面（CD方向）看设置了倒钩26的薄膜化处理装置时的概略剖视图。通过在气泡引导板（1）16上设置倒钩26，相对于薄膜化处理装置运送方向，能够提高向宽度方向的气泡引导效果。此外，通过令气泡引导板（1）16相对于薄膜化处理装置运送方向在宽度方向上V字型地倾斜，能够沿宽度方向更优先地引导气泡。图9表示从正面（MD方向）看令气泡引导板（1）16相对于薄膜化处理装置运送方向在宽度方向上V字型地倾斜时的薄膜化处理装置时的概略剖视图。进而，在组合图8和图9所示的构造的气泡引导板（1）（即倒钩设置和V字型加工）中，能够进一步提高气泡引导效果所以优选。

作为气泡抑制装置的另外一例，举出在比贮藏于碱性水溶液贮藏容器的碱性水溶液的液面还靠下方设置的回收管排出口。即，举出令用于碱性水溶液的送液的回收管的回收管排出口的高度低于送液目的地的碱性水溶液贮藏容器中的碱性水溶液的液面位置的方法。在从上方向下方运送碱性水溶液时，如果回收管排出口比下方的碱性水溶液的液面还靠下，则在回收管排出口和下方的碱性水溶液的液面之间，碱性水溶液不易与空气接触，所以能够抑制气泡的产生。

图13以及14所示的薄膜化处理装置是表示本实用新型的薄膜化处理装置的一例的概略剖视图，是从MD方向看的概略剖视图。在图13以及14所示的薄膜化处理装置中，将回收管21的回收管排出口22设置为比碱性水溶液贮藏容器13内的碱性水溶液的液面23还靠下方。到达碱性水溶液贮藏容器13中的碱性水溶液的液面23的瞬间的碱性水溶液9不与空气接触，所以能够抑制空气进入碱性水溶液9中而发泡。由此，能够防止气泡15向运送中的形成有抗蚀剂层的基板8附着。

回收管排出口22是回收管21的端部，是向碱性水溶液贮藏容器13的注入口。回收管排出口22设置为比碱性水溶液贮藏容器13内部的碱性水溶液的液面23还低。在此，令碱性水溶液供给泵14启动而令碱性水溶液9循环以前的回收管21被空气充满，所以循环刚开始后的碱性水溶液9从回收管排出口22到达碱性水溶液贮藏容器13的瞬间产生气泡15。其后，只要持续循环就变得不产生气泡15，所以通过在碱性水溶液供给泵14启动后的一定的时间后开始薄膜化处理，能够防止气泡15向运送中的形成有抗蚀剂层的基板8附着。

此外，还存在从碱性水溶液供给泵14的刚启动后令回收管21内部完全被碱性水溶液9充满的方法。例如，如图14所示，在碱性水溶液贮藏容器13内，在碱性水溶液的液面23和回收管排出口22之间的位置处设置阀24。在开始薄膜化处理装置的碱性水溶液9的循环前关闭阀24，在比阀24靠上部的回收管21被碱性水溶液9充满后打开阀24，从而能够自循环刚开始后以碱性水溶液9充满循环中的回收管21内部。借助该方法，在本实用新型的薄膜化处理装置中，能够抑制碱性水溶液9从回收管21的回收管排出口22向碱性水溶液贮藏容器13注入时产生气泡15，能够防止气泡15向运送中的形成有抗蚀剂层的基板8附着。

作为气泡抑制装置的另外一例，举出超声波发生装置（sonicator、ultrasonic generator）。通过在碱性水溶液中使用超声波发生装置而使用超声波，能够令碱性水溶液振动、对流，能够令在液体中浮游的气泡以及附着于抗蚀剂层的气泡向空气中浮起而脱泡。超声波发生装置能够设置在浸渍槽内、碱性水溶液贮藏容器内。

图15所示的薄膜化处理装置是表示本实用新型的薄膜化处理装置的一例的概略剖视图，是从MD方向看的概略剖视图。在图15所示的薄膜化处理装置中，在浸渍槽10内设置有超声波发生装置（1）20。通过在浸渍槽10内设置超声波发生装置（1）20，不仅能够令从碱性水溶液供给口11供给至浸渍槽10的碱性水溶液9中混入的气泡向空气中浮起，即便在混入的气泡已经附着于抗蚀剂层时，也能够利用超声波的振动将其除去，能够防止气泡附着于形成有抗蚀剂层的基板8。特别地，在反复进行曝光工序和包含基于碱性水溶液的薄膜化处理的薄膜化工序从而阶段性地将未曝光部的抗蚀剂层薄膜化时，容易在形成于抗蚀剂层的曝光部和未曝光部的边界的台阶内部残留气泡，但能够借助超声波令台阶内部的气泡也马上向空气中浮起。

图16所示的薄膜化处理装置是表示本实用新型的薄膜化处理装置的一例的概略剖视图，是从MD方向看的概略剖视图。此外，在图16所示的薄膜化处理装置中，在碱性水溶液贮藏容器13内设置有超声波发生装置（2）25。利用超声波发生装置（2）25将碱性水溶液9从回收管排出口22向碱性水溶液贮藏容器13贮藏时产生的气泡趁其没有到达供给泵吸入口17而令其向空气中浮起，能够防止其向运送中的形成有抗蚀剂层的基板8附着。

说明超声波发生装置。利用超声波除去液体中的气泡的方法与真空减压方式、离心分离方式、旋流方式等相比，液体的温度变化小，此外在照射超声波之后马上就有效果，在简便且即效性方面优异。超声波发生装置也可以是超声波振动的起振频率固定、也可以一边以某频率变化的循环令频率变化一边起振。例如在碱性处理液循环而存在液体流动时，均匀地提供振动变得重要，所以优选一边令频率变化一边起振。此外，优选能够一边令起振输出变化一边起振。

超声波发生装置（1）20的设置位置优选在浸渍槽10内的碱性水溶液9中位于碱性水溶液供给口11附近的浸渍槽10底部。此外，超声波发生装置（2）25优选位于从回收管排出口22排出的碱性水溶液9和碱性水溶液贮藏容器13内的碱性水溶液9接触的点与供给泵吸入口17之间的位置。

超声波发生装置的设置个数能够对应于薄膜化处理的形成有抗蚀剂层的基板的尺寸和浸渍槽或者碱性水溶液贮藏容器的容量而适宜地选择。优选以能够向形成有抗蚀剂层的基板均匀地照射超声波的方式、此外以从振动件起振的超声波的分布不重合的方式设置。

作为气泡抑制装置的另外一例，举出碱性水溶液喷出口。在浸渍槽中，通过从比碱性水溶液的液面低的位置向抗蚀剂层表面喷出碱性水溶液，能够使得在抗蚀剂层表面产生碱性水溶液的液流，由此能够抑制气泡向抗蚀剂层附着。

图17所示的薄膜化处理装置是表示本实用新型的薄膜化处理装置的一例的概略剖视图，是从CD方向看的概略剖视图。在图17所示的薄膜化处理装置中，在浸渍槽10内设置碱性水溶液喷出口27，所述碱性水溶液喷出口27将从喷出口用供给泵28通过供给管29供给的碱性水溶液9向形成有抗蚀剂层的基板8喷出。利用从碱性水溶液喷出口27喷出的碱性水溶液9的水压，不断地产生与形成有抗蚀剂层的基板8接触的碱性水溶液9的液流，所以能够防止在薄膜化处理装置内的碱性水溶液循环过程中产生的气泡15在运送中附着于形成有抗蚀剂层的基板8。

说明碱性水溶液喷出口。碱性水溶液喷出口27位于比浸渍槽10的碱性水溶液9的液面低的位置，设置于能够向薄膜化处理中的形成有抗蚀剂层的基板8的上下表面喷出碱性水溶液9的位置。在图17中碱性水溶液供给泵14和喷出口用供给泵28分别地设置了两个，但也可以利用一个泵向碱性水溶液供给口11和碱性水溶液喷出口27的双方供给碱性水溶液9。

说明从碱性水溶液喷出口喷出的压力、流量。喷出的碱性水溶液的压力优选为0.01～0.5MPa，更优选为0.05～0.3MPa，更优选为0.1～0.3MPa。碱性水溶液的供给流量优选为抗蚀剂层每1cm²为0.03～1.0L/min，更优选为0.05～1.0L/min，进而优选为0.1～1.0L/min。喷出的碱性水溶液的压力及抗蚀剂层每1cm²的碱性水溶液的供给流量如果不足，则有时在薄膜化处理装置内的碱性水溶液循环过程中产生的气泡会附着于薄膜化处理中的形成有抗蚀剂层的基板。另一方面，如果压力及供给流量过度，则浸渍槽内的碱性水溶液的液流变得剧烈，产生新的气泡的可能性变高。此外，供给所需要的泵等的部件变大，变得需要大型化的装置。进而，即便压力及供给流量变得必要以上地过大，有时对防止气泡对薄膜化处理中的形成有抗蚀剂层的基板的附着产生的影响也不变化。

碱性水溶液喷出口的形状只要能够满足上述压力、流量则没有特别的制限，能够从各种形状的喷淋喷嘴、将配管及管切断后的截面及在其上开设的孔等喷出碱性水溶液而使用。碱性水溶液喷出口的方向为了高效地向薄膜化处理中的抗蚀剂层表面作用液流，从相对于与抗蚀剂层表面垂直的方向的倾斜的方向喷出较好。

供给管29是将借助喷出口用供给泵28而吸入的碱性水溶液贮藏容器13内的碱性水溶液9导向碱性水溶液喷出口27的管。只要能够从喷出口用供给泵28将碱性水溶液贮藏容器13内的碱性水溶液9导向碱性水溶液喷出口27即可，供给管29的形状及粗细及长度能够自由地决定。此外，供给管29的根数也可以为一根，也可以为多根。

本实用新型的气泡抑制装置也可以单独地使用，也可以进行各种组合地使用。例如，当在浸渍槽内和碱性水溶液贮藏容器内的双方都抑制气泡的产生时，优选在浸渍槽内以及碱性水溶液贮藏容器内设置气泡引导板，进而在碱性水溶液贮藏容器内的适当的位置设置回收管排出口。浸渍槽内的气泡引导板的设置即便在碱性水溶液贮藏容器内产生的气泡从碱性水溶液供给口被带入浸渍槽，也能够提前防止气泡附着于抗蚀剂层表面，所以特别地有效。在图案的曝光工序后利用薄膜化工序对未曝光部薄膜化，并再次进行图案的曝光工序，接着再次利用薄膜化工序进行薄膜化而形成抗蚀剂层的台阶构造时，浸渍槽中的超声波发生装置及碱性水溶液喷出口的设置特别地有效果。

图18所示的薄膜化处理装置是表示本实用新型的薄膜化处理装置的一例的概略剖视图，是从MD方向看的概略剖视图。在图18所示的薄膜化处理装置中，作为气泡抑制装置，并用气泡引导板（1）16以及气泡引导板（2）18及气泡引导板（3）19、和设置在比碱性水溶液贮藏容器13中的碱性水溶液的液面23还靠下的回收管排出口22。

说明抗蚀剂层的薄膜化处理装置中的浸渍槽10以及碱性水溶液回收槽30。对于碱性水溶液9的循环，从碱性水溶液供给口11向浸渍槽10内供给碱性水溶液9，从浸渍槽10溢流的碱性水溶液9被回收至碱性水溶液回收槽30。被回收至碱性水溶液回收槽30的碱性水溶液9通过回收管21被向碱性水溶液贮藏容器13引导，从供给泵吸入口17通过碱性水溶液供给泵14被再次从碱性水溶液供给口11向浸渍槽10内运送而循环。

碱性水溶液9的温度能够利用设置于碱性水溶液贮藏容器13内的加温用加热器、令冷却水循环的冷却管等而进行控制。温度控制用的温度计优选不仅设置在碱性水溶液贮藏容器13内也设置在浸渍槽10中，由此能够将循环路径内的碱性水溶液9的温度更好地保持为一定。浸渍槽10的大小只要为利用运送辊对12对形成有抗蚀剂层的基板8进行运送而进行薄膜化处理时碱性水溶液与抗蚀剂层接触的大小则没有特别的限制，能够自由地决定。此外，碱性水溶液回收槽30的形状及大小只要能够回收自浸渍槽10的碱性水溶液9的溢流即可，能够自由地决定。

运送辊对12的形状以及材质只要能够运送形成有抗蚀剂层的基板则没有特别的制限，能够利用例如聚烯烃（聚丙烯等）、聚氯乙烯、氟类树脂（特氟隆（注册商标）等）等。此外，运送辊对12的设置位置以及根数只要能够运送形成有抗蚀剂层的基板8即可，并不限定于图示的设置位置以及根数。

回收管21是将从浸渍槽10溢流而被回收至碱性水溶液回收槽30的碱性水溶液9导向碱性水溶液贮藏容器13的管。只要能够将从浸渍槽10溢流的碱性水溶液9导向碱性水溶液贮藏容器13，回收管21的形状及粗细及长度能够自由地决定。此外，回收管21的根数也可以为一根也可以为多根。

碱性水溶液供给口11的优选直径根据浸渍槽10的容量而变化，但通常为10～40mm。此外，碱性水溶液供给口11的位置只要在浸渍槽10的底部则在哪里都可以。碱性水溶液供给口11为一个时，从浸渍槽10内的碱性水溶液9的循环效率出发，优选位于浸渍槽10底部的中央附近。此外，如果将碱性水溶液供给口11设置在浸渍槽10侧面，则碱性水溶液9内的气泡15的运动变得复杂，所以有时借助气泡抑制装置抑制气泡变得困难。此外，如果将碱性水溶液供给口11设置在浸渍槽10上部，则有时碱性水溶液9的供给时产生新的气泡15的可能性变高。

用于抗蚀剂层的薄膜化处理装置的材料没有特别的限定。与碱性水溶液接触的部件中能够使用对于碱性水溶液具有耐受性的各种材料。

在抗蚀剂层的薄膜化工序的胶束化处理（薄膜化处理）中，利用碱性水溶液将抗蚀剂层中的光交联性树脂成分胶束化后，在胶束除去处理中，利用含有比该碱性水溶液稀的碱性化合物的pH5～9的水溶液将胶束除去，进行抗蚀剂层的薄膜化。在水溶液的pH不满5时，溶入到水溶液中的抗蚀剂层成分凝集，有可能成为不溶性的淤渣而附着于薄膜化后的抗蚀剂层表面。另一方面，如果水溶液的pH超过9，则促进抗蚀剂层的溶解扩散，容易在面内产生处理不均所以不优选。此外，水溶液的pH能够使用硫酸、磷酸、盐酸等进行调节。此外，作为pH5～9的水溶液的供给方法，从抗蚀剂层的溶解扩散速度和液供给的均一性出发最优选为喷雾方式。喷雾压优选为0.01～0.5MPa，进而优选为0.02～0.3MPa。进而，喷雾的方法为了在抗蚀剂层表面高效地形成液流，从相对于与抗蚀剂层表面垂直的方向倾斜的方向喷射较好。

在利用pH5～9的水溶液除去胶束后，进而利用水洗处理冲洗没有完全除去的抗蚀剂层表面及残存附着的碱性水溶液。作为水洗处理的方法，从扩散速度和液供给的均一性出发，优选为喷雾方式。

在干燥处理中，能够使用热风干燥、室温送风干燥的任一种，但优选为下述方法：使用鼓风机将大量的空气送气并从气体狭缝喷嘴向抗蚀剂层表面吹付高压的空气而将表面上的水除去。

实施例

以下根据实施例进一步详细说明本实用新型，但本实用新型不限定于该实施例。

（实施例1）

向印刷配线板用基板（绝缘层1：玻璃基材环氧树脂，金属层7：铜箔，面积510mm×340mm，铜箔厚度12μm，基材厚度0.2mm，三菱瓦斯化学社（MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.）制，商品名：CCL-E170）使用干膜抗蚀剂用层压装置而热压接干膜抗蚀剂（日立化成工业社（Hitachi Chemical Co.，Ltd.）制，商品名：RY3625，厚度25μm），形成抗蚀剂层3。

接着，剥离干膜抗蚀剂的载体薄膜，然后作为薄膜化处理液（碱性水溶液9）使用10质量％的碳酸钠水溶液（液温度25℃）利用下述薄膜化处理装置（图7）从下述碱性水溶液供给口11供给碱性水溶液9并令其溢流，从而一边令碱性水溶液9循环一边进行抗蚀剂层3的薄膜化处理。所述薄膜化处理装置（图7）为，具有运送方向的长度为500mm、宽度750mm、深度200mm的浸渍槽10，在浸渍槽10底面的中央部具有直径20mm的碱性水溶液供给口11，在碱性水溶液供给口11的正上方设置有运送方向的长度500mm、宽度400mm的气泡引导板（1）16。令抗蚀剂层3为基板8的下表面，以在碱性水溶液9中浸渍30秒的状态利用运送辊对12进行运送，在胶束除去处理、水洗处理、干燥处理后测定抗蚀剂层3的薄膜化部的厚度，为12μm。

利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层3的表面，能够确认到没有处理不均的平滑的表面。

（实施例2）

向印刷配线板用基板（绝缘层1：玻璃基材环氧树脂，金属层7：铜箔，面积510mm×340mm，铜箔厚度12μm，基材厚度0.2mm，三菱瓦斯化学社（MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.）制，商品名：CCL-E170）使用干膜抗蚀剂用层压装置而热压接干膜抗蚀剂（日立化成工业社（Hitachi Chemical Co.，Ltd.）制，商品名：RY3625，厚度25μm），形成抗蚀剂层3。

接着，剥离干膜抗蚀剂的载体薄膜，然后作为薄膜化处理液（碱性水溶液9）使用10质量％的碳酸钠水溶液（液温度25℃）利用下述薄膜化处理装置（图8）从下述碱性水溶液供给口11供给碱性水溶液9并令其溢流，从而一边令碱性水溶液9循环一边进行抗蚀剂层3的薄膜化处理。所述薄膜化处理装置（图8）为，具有运送方向的长度为500mm、宽度750mm、深度200mm的浸渍槽10，在浸渍槽10底面的中央部具有直径20mm的碱性水溶液供给口11，在碱性水溶液供给口11的正上方设置有运送方向的长度250mm、宽度400mm的气泡引导板（1）16，在气泡引导板的运送方向的起点和终点的端部安装有高度10mm的倒钩26。令抗蚀剂层3为基板8的下表面，以在碱性水溶液9中浸渍30秒的状态利用运送辊对12进行运送，在胶束除去处理、水洗处理、干燥处理后测定抗蚀剂层3的薄膜化部的厚度，为12μm。

利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层3的表面，能够确认到没有处理不均的平滑的表面。

（实施例3）

向印刷配线板用基板（绝缘层1：玻璃基材环氧树脂，金属层7：铜箔，面积510mm×340mm，铜箔厚度12μm，基材厚度0.2mm，三菱瓦斯化学社（MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.）制，商品名：CCL-E170）使用干膜抗蚀剂用层压装置而热压接干膜抗蚀剂（日立化成工业社（Hitachi Chemical Co.，Ltd.）制，商品名：RY3625，厚度25μm），形成抗蚀剂层3。

接着，剥离干膜抗蚀剂的载体薄膜，然后作为薄膜化处理液（碱性水溶液9）使用10质量％的碳酸钠水溶液（液温度25℃）利用下述薄膜化处理装置（图9）从下述碱性水溶液供给口11供给碱性水溶液9并令其溢流，从而一边令碱性水溶液9循环一边进行抗蚀剂层3的薄膜化处理。所述薄膜化处理装置（图9）为，具有运送方向的长度为500mm、宽度750mm、深度200mm的浸渍槽10，在浸渍槽10底面的中央部具有直径20mm的碱性水溶液供给口11，在碱性水溶液供给口11的正上方设置有运送方向的长度250mm、宽度400mm、宽度方向的中央部和端部的高低差为30mm的V字形的气泡引导板（1）16。令抗蚀剂层3为基板8的下表面，以在碱性水溶液9中浸渍30秒的状态利用运送辊对12进行运送，在胶束除去处理、水洗处理、干燥处理后测定抗蚀剂层3的薄膜化部的厚度，为12μm。

利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层3的表面，能够确认为没有处理不均的平滑的表面。

（实施例4）

向印刷配线板用基板（绝缘层1：玻璃基材环氧树脂，金属层7：铜箔，面积510mm×340mm，铜箔厚度12μm，基材厚度0.2mm，三菱瓦斯化学社（MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.）制，商品名：CCL-E170）使用干膜抗蚀剂用层压装置而热压接干膜抗蚀剂（日立化成工业社（Hitachi Chemical Co.，Ltd.）制，商品名：RY3625，厚度25μm），形成抗蚀剂层3。

接着，剥离干膜抗蚀剂的载体薄膜，然后作为薄膜化处理液（碱性水溶液9）使用10质量％的碳酸钠水溶液（液温度25℃）利用下述薄膜化处理装置从下述碱性水溶液供给口11供给碱性水溶液9并令其溢流，从而一边令碱性水溶液9循环一边进行抗蚀剂层3的薄膜化处理。所述薄膜化处理装置为，具有运送方向的长度为500mm、宽度750mm、深度200mm的浸渍槽10，在浸渍槽10底面的中央部具有直径20mm的碱性水溶液供给口11，在碱性水溶液供给口11的正上方设置有运送方向的长度20mm、宽度340mm且宽度方向的中央部和端部的高低差为60mm的V字形的气泡引导板（1）16，在气泡引导板的运送方向起点和终点的端部安装有高度60mm的倒钩26。令抗蚀剂层3为基板8的下表面，以在碱性水溶液9中浸渍30秒的状态利用运送辊对12进行运送，在胶束除去处理、水洗处理、干燥处理后测定抗蚀剂层3的薄膜化部的厚度，为12μm。

利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层3的表面，能够确认到没有处理不均的平滑的表面。

（比较例1）

向印刷配线板用基板（绝缘层1：玻璃基材环氧树脂，金属层7：铜箔，面积510mm×340mm，铜箔厚度12μm，基材厚度0.2mm，三菱瓦斯化学社（MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.）制，商品名：CCL-E170）使用干膜抗蚀剂用层压装置而热压接干膜抗蚀剂（日立化成工业社（Hitachi Chemical Co.，Ltd.）制，商品名：RY3625，厚度25μm），形成抗蚀剂层3。

接着，剥离干膜抗蚀剂的载体薄膜，然后作为薄膜化处理液（碱性水溶液9）使用10质量％的碳酸钠水溶液（液温度25℃）利用下述薄膜化处理装置（图5～6）从下述碱性水溶液供给口11供给碱性水溶液9并令其溢流，从而一边令碱性水溶液9循环一边进行抗蚀剂层3的薄膜化处理。所述薄膜化处理装置（图5～6）为，具有运送方向的长度为500mm、宽度750mm、深度200mm的浸渍槽10，在浸渍槽10底面的中央部具有直径20mm的碱性水溶液供给口11。令抗蚀剂层3为基板8的下表面，以在碱性水溶液9中浸渍30秒的状态利用运送辊对12进行运送，在胶束除去处理、水洗处理、干燥处理后测定抗蚀剂层3的薄膜化部的厚度，为12μm。

利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层3的表面，产生了被认为是气泡的附着原因的无数的处理不均。

（实施例5）

向印刷配线板用基板（绝缘层1：玻璃基材环氧树脂，金属层7：铜箔，面积510mm×340mm，铜箔厚度12μm，基材厚度0.2mm，三菱瓦斯化学社（MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.）制，商品名：CCL-E170）使用干膜抗蚀剂用层压装置而热压接干膜抗蚀剂（日立化成工业社（Hitachi Chemical Co.，Ltd.）制，商品名：RY3625，厚度25μm），形成抗蚀剂层3。

接着，在剥离了干膜抗蚀剂的载体薄膜后，作为薄膜化处理液（碱性水溶液9）使用10质量％的碳酸钠水溶液（液温度25℃），使用下述薄膜化处理装置（图10）借助下述碱性水溶液供给泵14将碱性水溶液9从下述碱性水溶液贮藏容器13供给至下述浸渍槽10，并令其溢流，从而一边令碱性水溶液9循环一边进行抗蚀剂层3的薄膜化处理。所述薄膜化处理装置（图10）为，设置有：运送方向的长度为500mm、宽度750mm、深度200mm的浸渍槽10；将从浸渍槽10溢流的碱性水溶液9从碱性水溶液回收槽30导向碱性水溶液贮藏容器13内部的回收管21；运送方向的长度为700mm、宽度950mm、深度600mm的碱性水溶液贮藏容器13；设置在距碱性水溶液贮藏容器13底部350mm的高度位置的回收管排出口22；设置在碱性水溶液贮藏容器13侧面且距碱性水溶液贮藏容器13底部50mm的高度位置的供给泵吸入口17；在距从回收管排出口22排出的碱性水溶液9与碱性水溶液贮藏容器13内的碱性水溶液9接触的点200mm的位置（距供给泵吸入口17为500mm的位置）处固定于碱性水溶液贮藏容器13底部的高度200mm、宽度700mm、厚度10mm的气泡引导板（2）18。碱性水溶液供给泵14运转时的碱性水溶液贮藏容器13中的碱性水溶液的液面23的高度为距碱性水溶液贮藏容器13的底面250mm。令抗蚀剂层3为基板8的下表面，以在碱性水溶液9中浸渍30秒的状态利用运送辊对12进行运送，在胶束除去处理、水洗处理、干燥处理后测定抗蚀剂层3的薄膜化部的厚度，为12μm。

利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层3的表面，能够确认到没有处理不均的平滑的表面。

（实施例6）

向印刷配线板用基板（绝缘层1：玻璃基材环氧树脂，金属层7：铜箔，面积510mm×340mm，铜箔厚度12μm，基材厚度0.2mm，三菱瓦斯化学社（MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.）制，商品名：CCL-E170）使用干膜抗蚀剂用层压装置而热压接干膜抗蚀剂（日立化成工业社（Hitachi Chemical Co.，Ltd.）制，商品名：RY3625，厚度25μm），形成抗蚀剂层3。

接着，在剥离了干膜抗蚀剂的载体薄膜后，作为薄膜化处理液（碱性水溶液9）使用10质量％的碳酸钠水溶液（液温度25℃），使用下述薄膜化处理装置（图11）借助下述碱性水溶液供给泵14将碱性水溶液9从下述碱性水溶液贮藏容器13供给至下述浸渍槽10，并令其溢流，从而一边令碱性水溶液9循环一边进行抗蚀剂层3的薄膜化处理。所述薄膜化处理装置（图11）为，设置有：运送方向的长度为500mm、宽度750mm、深度200mm的浸渍槽10；将从浸渍槽10溢流的碱性水溶液9从碱性水溶液回收槽30导向碱性水溶液贮藏容器13内部的回收管21；运送方向的长度为700mm、宽度950mm、深度600mm的碱性水溶液贮藏容器13；设置在距碱性水溶液贮藏容器13底部350mm的高度位置的回收管排出口22；设置在碱性水溶液贮藏容器13侧面且距碱性水溶液贮藏容器13底部50mm的高度位置的供给泵吸入口17；在距从回收管排出口22排出的碱性水溶液9与碱性水溶液贮藏容器13内的碱性水溶液9接触的点200mm的位置（距供给泵吸入口17为500mm的位置）处固定于距碱性水溶液贮藏容器13底部50mm高度位置的高度200mm、宽度700mm、厚度10mm的气泡引导板（3）19。碱性水溶液供给泵14运转时的碱性水溶液贮藏容器13中的碱性水溶液的液面23的高度为距碱性水溶液贮藏容器13的底面250mm。令抗蚀剂层3为基板8的下表面，以在碱性水溶液9中浸渍30秒的状态利用运送辊对12进行运送，在胶束除去处理、水洗处理、干燥处理后测定抗蚀剂层3的薄膜化部的厚度，为12μm。

利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层3的表面，能够确认到没有处理不均的平滑的表面。

（实施例7）

向印刷配线板用基板（绝缘层1：玻璃基材环氧树脂，金属层7：铜箔，面积510mm×340mm，铜箔厚度12μm，基材厚度0.2mm，三菱瓦斯化学社（MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.）制，商品名：CCL-E170）使用干膜抗蚀剂用层压装置而热压接干膜抗蚀剂（日立化成工业社（Hitachi Chemical Co.，Ltd.）制，商品名：RY3625，厚度25μm），形成抗蚀剂层3。

接着，在剥离了干膜抗蚀剂的载体薄膜后，作为薄膜化处理液（碱性水溶液9）使用10质量％的碳酸钠水溶液（液温度25℃），使用下述薄膜化处理装置（图12）借助下述碱性水溶液供给泵14将碱性水溶液9从下述碱性水溶液贮藏容器13供给至下述浸渍槽10，并令其溢流，从而一边令碱性水溶液9循环一边进行抗蚀剂层3的薄膜化处理。所述薄膜化处理装置（图12）为，具有：运送方向的长度为500mm、宽度750mm、深度200mm的浸渍槽10；将从浸渍槽10溢流的碱性水溶液9从碱性水溶液回收槽30导向碱性水溶液贮藏容器13内部的回收管21；运送方向的长度为700mm、宽度950mm、深度600mm的碱性水溶液贮藏容器13；设置在距碱性水溶液贮藏容器13底部350mm的高度位置的回收管排出口22；设置在碱性水溶液贮藏容器13侧面且距碱性水溶液贮藏容器13底部50mm的高度位置的供给泵吸入口17；在距从回收管排出口22排出的碱性水溶液9与碱性水溶液贮藏容器13内的碱性水溶液9接触的点200mm的位置（距供给泵吸入口17为500mm的位置）处固定于碱性水溶液贮藏容器13底部的高度200mm、宽度700mm、厚度10mm的气泡引导板（2）18；在距从回收管排出口22排出的碱性水溶液9与碱性水溶液贮藏容器13内的碱性水溶液9接触的点350mm的位置（距供给泵吸入口17为350mm的位置）处固定于距碱性水溶液贮藏容器13底部50mm的高度位置的高度200mm、宽度700mm、厚度10mm的气泡引导板（3）19。碱性水溶液供给泵14运转时的碱性水溶液贮藏容器13中的碱性水溶液的液面23的高度为距碱性水溶液贮藏容器13的底面250mm。令抗蚀剂层3为基板8的下表面，以在碱性水溶液9中浸渍30秒的状态利用运送辊对12进行运送，在胶束除去处理、水洗处理、干燥处理后测定抗蚀剂层3的薄膜化部的厚度，为12μm。

利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层3的表面，能够确认到没有处理不均的平滑的表面。

（比较例2）

向印刷配线板用基板（绝缘层1：玻璃基材环氧树脂，金属层7：铜箔，面积510mm×340mm，铜箔厚度12μm，基材厚度0.2mm，三菱瓦斯化学社（MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.）制，商品名：CCL-E170）使用干膜抗蚀剂用层压装置而热压接干膜抗蚀剂（日立化成工业社（Hitachi Chemical Co.，Ltd.）制，商品名：RY3625，厚度25μm），形成抗蚀剂层3。

接着，在剥离了干膜抗蚀剂的载体薄膜后，作为薄膜化处理液（碱性水溶液9）使用10质量％的碳酸钠水溶液（液温度25℃），使用下述薄膜化处理装置（图5～6）借助下述碱性水溶液供给泵14将碱性水溶液9从下述碱性水溶液贮藏容器13供给至下述浸渍槽10，并令其溢流，从而一边令碱性水溶液9循环一边进行抗蚀剂层3的薄膜化处理。所述薄膜化处理装置（图5～6）为，设置有：运送方向的长度为500mm、宽度750mm、深度200mm的浸渍槽10；将从浸渍槽10溢流的碱性水溶液9从碱性水溶液回收槽30导向碱性水溶液贮藏容器13内部的回收管21；运送方向的长度为700mm、宽度950mm、深度600mm的碱性水溶液贮藏容器13；设置在距碱性水溶液贮藏容器13底部350mm的高度位置的回收管排出口22；设置在碱性水溶液贮藏容器13侧面且距碱性水溶液贮藏容器13底部50mm的高度位置的供给泵吸入口17。碱性水溶液供给泵14运转时的碱性水溶液贮藏容器13中的碱性水溶液的液面23的高度为距碱性水溶液贮藏容器13的底面250mm。令抗蚀剂层3为基板8的下表面，以在碱性水溶液9中浸渍30秒的状态利用运送辊对12进行运送，在胶束除去处理、水洗处理、干燥处理后测定抗蚀剂层3的薄膜化部的厚度，为12μm。

利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层3的表面，产生了被认为是气泡的附着的原因的无数的处理不均。

（实施例8）

向印刷配线板用基板（绝缘层1：玻璃基材环氧树脂，金属层7：铜箔，面积510mm×340mm，铜箔厚度12μm，基材厚度0.2mm，三菱瓦斯化学社（MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.）制，商品名：CCL-E170）使用干膜抗蚀剂用层压装置而热压接干膜抗蚀剂（日立化成工业社（Hitachi Chemical Co.，Ltd.）制，商品名：RY3625，厚度25μm），形成抗蚀剂层3。

接着，在剥离了干膜抗蚀剂的载体薄膜后，作为薄膜化处理液（碱性水溶液9）使用10质量％的碳酸钠水溶液（液温度25℃），使用下述薄膜化处理装置（图13）借助下述碱性水溶液供给泵14将碱性水溶液9从下述碱性水溶液贮藏容器13供给至下述浸渍槽10，并令其溢流，从而一边令碱性水溶液9循环一边进行抗蚀剂层3的薄膜化处理。所述薄膜化处理装置（图13）为，设置有：运送方向的长度为500mm、宽度750mm、深度200mm的浸渍槽10；将从浸渍槽10溢流的碱性水溶液9从碱性水溶液回收槽30导向碱性水溶液贮藏容器13内部的回收管21；运送方向的长度为700mm、宽度950mm、深度600mm的碱性水溶液贮藏容器13；设置在距碱性水溶液贮藏容器13底部150mm的高度位置的回收管排出口22；设置在碱性水溶液贮藏容器13侧面且距碱性水溶液贮藏容器13底部50mm的高度位置的供给泵吸入口17。碱性水溶液供给泵14运转时的碱性水溶液贮藏容器13中的碱性水溶液的液面23的高度为距碱性水溶液贮藏容器13的底面250mm。令抗蚀剂层3为基板8的下表面，以在碱性水溶液9中浸渍30秒的状态利用运送辊对12进行运送，在胶束除去处理、水洗处理、干燥处理后测定抗蚀剂层3的薄膜化部的厚度，为12μm。另外，抗蚀剂层3的薄膜化处理在令碱性水溶液供给泵14启动后经过了一个小时后进行。

利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层3的表面，能够确认到没有处理不均的平滑的表面。

（实施例9）

向印刷配线板用基板（绝缘层1：玻璃基材环氧树脂，金属层7：铜箔，面积510mm×340mm，铜箔厚度12μm，基材厚度0.2mm，三菱瓦斯化学社（MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.）制，商品名：CCL-E170）使用干膜抗蚀剂用层压装置而热压接干膜抗蚀剂（日立化成工业社（Hitachi Chemical Co.，Ltd.）制，商品名：RY3625，厚度25μm），形成抗蚀剂层3。

接着，在剥离了干膜抗蚀剂的载体薄膜后，作为薄膜化处理液（碱性水溶液9）使用10质量％的碳酸钠水溶液（液温度25℃），使用下述薄膜化处理装置（图14）借助下述碱性水溶液供给泵14将碱性水溶液9从下述碱性水溶液贮藏容器13供给至下述浸渍槽10，并令其溢流，从而一边令碱性水溶液9循环一边进行抗蚀剂层3的薄膜化处理。所述薄膜化处理装置（图14）为，设置有：运送方向的长度为500mm、宽度750mm、深度200mm的浸渍槽10；将从浸渍槽10溢流的碱性水溶液9从碱性水溶液回收槽30导向碱性水溶液贮藏容器13内部的回收管21；运送方向的长度为700mm、宽度950mm、深度600mm的碱性水溶液贮藏容器13；设置在距碱性水溶液贮藏容器13底部150mm的高度位置的回收管排出口22；设置在距回收管22为50mm的高度位置的阀24；设置在碱性水溶液贮藏容器13侧面且距碱性水溶液贮藏容器13底部50mm的高度位置的供给泵吸入口17。碱性水溶液供给泵14运转时的碱性水溶液贮藏容器13中的碱性水溶液的液面23的高度为距碱性水溶液贮藏容器13的底面250mm。令抗蚀剂层3为基板8的下表面，以在碱性水溶液9中浸渍30秒的状态利用运送辊对12进行运送，在胶束除去处理、水洗处理、干燥处理后测定抗蚀剂层3的薄膜化部的厚度，为12μm。另外，抗蚀剂层3的薄膜化处理在令碱性水溶液供给泵14启动后经过了一个小时后进行。另外，在开始抗蚀剂层3的薄膜化处理时，在关闭安装于回收管21的阀24后令碱性水溶液供给泵13启动，在由从浸渍槽10溢流的碱性水溶液9将回收管21的内部完全充满后，进行开放阀24的操作。

利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层3的表面，能够确认到没有处理不均的平滑的表面。

（实施例10）

向印刷配线板用基板（绝缘层1：玻璃基材环氧树脂，金属层7：铜箔，面积510mm×340mm，铜箔厚度12μm，基材厚度0.2mm，三菱瓦斯化学社（MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.）制，商品名：CCL-E170）使用干膜抗蚀剂用层压装置而热压接干膜抗蚀剂（日立化成工业社（Hitachi Chemical Co.，Ltd.）制，商品名：RY3625，厚度25μm），形成抗蚀剂层3。

接着，在剥离干膜抗蚀剂的载体薄膜后，作为薄膜化处理液（碱性水溶液9）使用10质量％的碳酸钠水溶液（液温度25℃），使用下述薄膜化处理装置（图15）借助下述碱性水溶液供给泵14将碱性水溶液9从下述碱性水溶液贮藏容器13向下述浸渍槽10供给，并令其溢流，从而一边令碱性水溶液9循环一边进行抗蚀剂层3的薄膜化处理。所述薄膜化处理装置（图15）设置有：运送方向的长度为500mm、宽度750mm、深度200mm的浸渍槽10；在浸渍槽10底面的中央部具有直径20mm的碱性水溶液供给口11，在从碱性水溶液供给口11向运送方向前侧离开150mm、向宽度方向右侧离开150mm的位置处设置1台超声波发生装置（1）20，在向运送方向后侧离开150mm、向宽度方向左侧离开150mm的位置处设置1台超声波发生装置（1）20。碱性水溶液供给泵14运转时的碱性水溶液贮藏容器13中的碱性水溶液的液面23的高度为距碱性水溶液贮藏容器13的底面250mm。令抗蚀剂层3为基板8的下表面，以在碱性水溶液9中浸渍30秒的状态利用运送辊对12进行运送，在胶束除去处理、水洗处理、干燥处理后测定抗蚀剂层3的薄膜化部的厚度，为12μm。

利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层3的表面，能够确认到没有处理不均的平滑的表面。

（实施例11）

向印刷配线板用基板（绝缘层1：玻璃基材环氧树脂，金属层7：铜箔，面积510mm×340mm，铜箔厚度12μm，基材厚度0.2mm，三菱瓦斯化学社（MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.）制，商品名：CCL-E170）使用干膜抗蚀剂用层压装置而热压接干膜抗蚀剂（日立化成工业社（Hitachi Chemical Co.，Ltd.）制，商品名：RY3625，厚度25μm），形成抗蚀剂层3。

接着，在剥离了干膜抗蚀剂的载体薄膜后，作为薄膜化处理液（碱性水溶液9）使用10质量％的碳酸钠水溶液（液温度25℃），使用下述薄膜化处理装置（图16）借助下述碱性水溶液供给泵14将碱性水溶液9从下述碱性水溶液贮藏容器13供给至下述浸渍槽10，并令其溢流，从而一边令碱性水溶液9循环一边进行抗蚀剂层3的薄膜化处理。所述薄膜化处理装置（图16）为，设置有：运送方向的长度为500mm、宽度750mm、深度200mm的浸渍槽10；将从浸渍槽10溢流的碱性水溶液9从碱性水溶液回收槽30导向碱性水溶液贮藏容器13内部的回收管21；运送方向的长度为700mm、宽度950mm、深度600mm的碱性水溶液贮藏容器13；设置在距碱性水溶液贮藏容器13底部350mm的高度位置的回收管排出口22；设置在碱性水溶液贮藏容器13侧面且距碱性水溶液贮藏容器13底部50mm的高度位置的供给泵吸入口17;距从回收管排出口22排出的碱性水溶液9和碱性水溶液贮藏容器13内的碱性水溶液9接触的点200mm的位置（距供给泵吸入口17为500mm的位置）处的超声波发生装置（2）25。供给泵运转时的碱性水溶液贮藏容器13中的碱性水溶液的液面23的高度为距碱性水溶液贮藏容器13的底面250mm。令抗蚀剂层3为基板8的下表面，以在碱性水溶液9中浸渍30秒的状态利用运送辊对12进行运送，在胶束除去处理、水洗处理、干燥处理后测定抗蚀剂层3的薄膜化部的厚度，为12μm。

利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层3的表面，能够确认到没有处理不均的平滑的表面。

（实施例12）

向印刷配线板用基板（绝缘层1：玻璃基材环氧树脂，金属层7：铜箔，面积510mm×340mm，铜箔厚度12μm，基材厚度0.2mm，三菱瓦斯化学社（MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.）制，商品名：CCL-E170）使用干膜抗蚀剂用层压装置而热压接干膜抗蚀剂（日立化成工业社（Hitachi Chemical Co.，Ltd.）制，商品名：RY3625，厚度25μm），形成抗蚀剂层3。

接着，使用长度10mm、线宽度100μm的线以100μm间隔并列21根而成的曝光原稿用光掩膜4进行第一次的密接曝光（曝光量80mJ/cm²）。

在曝光后，剥离干膜抗蚀剂的载体薄膜，作为薄膜化处理液（碱性水溶液9）使用10质量％的碳酸钠水溶液（液温度25℃），使用下述薄膜化处理装置利用下述碱性水溶液供给泵14将碱性水溶液9从下述碱性水溶液贮藏容器13向下述浸渍槽10供给，并令其溢流，从而一边令碱性水溶液9循环一边进行第一次的薄膜化处理。所述薄膜化处理装置为，具有运送方向的长度为500mm、宽度750mm、深度200mm的浸渍槽10，在浸渍槽10底面的中央部具有直径20mm的碱性水溶液供给口11，在从碱性水溶液供给口11向运送方向前侧偏离150mm、向宽度方向右侧偏离150mm的位置处设置1台超声波发生装置（1）20，在向运送方向后侧偏离150mm、向宽度方向左侧偏离150mm的位置处设置1台超声波发生装置（1）20。碱性水溶液供给泵14运转时的碱性水溶液贮藏容器13中的碱性水溶液的液面23的高度为距碱性水溶液贮藏容器13的底面250mm。令抗蚀剂层3为基板8的下表面，以在碱性水溶液9中浸渍15秒的状态利用运送辊对12进行运送，在胶束除去处理、水洗处理、干燥处理后测定抗蚀剂层3的薄膜化部的厚度，为16μm。

接着，使用长度10mm、线宽度100μm的线以100μm间隔并列21根而成的曝光原稿用光掩膜4进行第二次的密接曝光。此时，在从第一次的密接曝光的朝向将光掩膜旋转90°的状态下进行密接曝光（曝光量80mJ/cm²）。

在曝光后，作为薄膜化处理液（碱性水溶液9）使用10质量％的碳酸钠水溶液（液温度25℃），与第一次同样地一边进行超声波照射一边进行第二次的薄膜化处理。令抗蚀剂层3为基板8的下表面，以在碱性水溶液9中浸渍15秒的状态利用运送辊对12进行运送，在胶束除去处理、水洗处理、干燥处理后测定抗蚀剂层3的薄膜化部的厚度，为8μm。

能够确认100μm四方的四边形的抗蚀剂层3的薄膜化部形成了400处，在各薄膜化部中都没有产生气泡导致的薄膜化的处理不均。

（比较例3）

以除了在第二次的薄膜化处理中不进行超声波照射以外与实施例12相同的方法将抗蚀剂层3薄膜化。能够确认到100μm四方的四边形的抗蚀剂层3的薄膜化部形成了400处的部位，但产生气泡导致的薄膜化的处理不均，变为厚膜的部位产生了150处。

（比较例4）

以除了在第一次、第二次的薄膜化处理中都没有进行超声波照射以外与实施例12相同的方法将抗蚀剂层3薄膜化。能够确认到100μm四方的四边形的抗蚀剂层3的薄膜化部形成在400处的部位，但产生气泡导致的薄膜化的处理不均，变为厚膜的部位产生了159处。

（实施例13）

对印刷配线板用基板（绝缘层1：玻璃基材环氧树脂，金属层7：铜箔，面积50mm×50mm，铜箔厚度18μm，基材厚度0.4mm）利用减去法制作导体配线2的长度20mm、导体配线2的宽度100μm、导体配线2间的距离100μm的回路基板。接着，将焊料抗蚀剂（田村制作所社（TAMURA CORPORATION）制，商品名：DSR-330S32-21）的主剂和硬化剂混合后，使用涂膜器对上述回路基板上的整面进行涂敷，进行70℃、30分钟的干燥。由此，形成从绝缘层1表面到抗蚀剂层3表面的膜厚为50μm的抗蚀剂层3。

接着，将与导体配线2的起点和终点对应的部分看作连接焊盘6，使用曝光原稿用光掩膜4进行第一次的密接曝光（曝光量300mJ/cm²），所述曝光原稿用光掩膜4具有对自与起点和终点对应的部分的端200μm以外的区域照射活性光线5的图案。

在曝光后，作为薄膜化处理液（碱性水溶液9）使用10质量％的偏硅酸钠水溶液（液温度25℃），使用下述薄膜化处理装置利用下述碱性水溶液供给泵14将碱性水溶液9从下述碱性水溶液贮藏容器13向下述浸渍槽10供给，并令其溢流，从而一边令碱性水溶液9循环一边进行第一次的薄膜化处理。所述薄膜化处理装置为，具有运送方向的长度为500mm、宽度750mm、深度200mm的浸渍槽10，在浸渍槽10底面的中央部具有直径20mm的碱性水溶液供给口11，在从碱性水溶液供给口11向运送方向前侧偏离150mm、向宽度方向右侧偏离150mm的位置处设置1台超声波发生装置（1）20，在向运送方向后侧偏离150mm、向宽度方向左侧偏离150mm的位置处设置1台超声波发生装置（1）20。碱性水溶液供给泵14运转时的碱性水溶液贮藏容器13中的碱性水溶液的液面23的高度为距碱性水溶液贮藏容器13的底面250mm。令抗蚀剂层3为基板8的下表面，以在碱性水溶液9中浸渍40秒的状态利用运送辊对12进行运送，在胶束除去处理、水洗处理、干燥处理后测定抗蚀剂层3的薄膜化部的厚度，为29μm。

接着，将与导体配线2的起点和终点对应的部分看作连接焊盘6，使用曝光原稿用光掩膜4进行第二次的密接曝光（曝光量300mJ/cm²），所述曝光原稿用光掩膜4具有对自与起点和终点对应的部分的端100μm以外的区域照射活性光线5的图案。

在曝光后，作为薄膜化处理液（碱性水溶液9）使用10质量％的偏硅酸钠水溶液（液温度25℃），与第一次同样地一边进行超声波照射一边进行第二次的薄膜化处理。令抗蚀剂层3为基板8的下表面，以在碱性水溶液9中将抗蚀剂层3浸渍40秒的状态利用运送辊对12进行运送，在胶束除去处理、水洗处理、干燥处理后测定抗蚀剂层3的薄膜化部的厚度，为8μm。此时，第二次的薄膜化后的抗蚀剂层3表面能够确认在比导体配线2靠下方，导体配线2露出。

能够确认到200处通过令抗蚀剂层3薄膜化而露出的导体配线2，在各薄膜化部中都没有产生气泡导致的薄膜化的处理不均。

（比较例5）

以除了在第二次的薄膜化处理中不进行超声波照射以外与实施例13相同的方法将抗蚀剂层3薄膜化。

能够确认通过将抗蚀剂层3薄膜化而露出的导体配线2，但产生了气泡导致的薄膜化的处理不均，导体配线2完全没有露出的部位产生了70处。

（比较例6）

利用除了在第一次、第二次的薄膜化处理中都没有进行超声波照射以外与实施例13相同的方法将抗蚀剂层3薄膜化。

能够确认通过将抗蚀剂层3薄膜化而露出的导体配线2，但产生了气泡导致的薄膜化的处理不均，导体配线2完全没有露出的部位产生了78处。

（实施例14）

向印刷配线板用基板（绝缘层1：玻璃基材环氧树脂，金属层7：铜箔，面积510mm×340mm，铜箔厚度12μm，基材厚度0.2mm，三菱瓦斯化学社（MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.）制，商品名：CCL-E170）使用干膜抗蚀剂用层压装置而热压接干膜抗蚀剂（日立化成工业社（Hitachi Chemical Co.，Ltd.）制，商品名：RY3625，厚度25μm），形成抗蚀剂层3。

接着，在剥离了干膜抗蚀剂的载体薄膜后，作为薄膜化处理液（碱性水溶液9）使用10质量％的碳酸钠水溶液（液温度25℃），使用下述薄膜化处理装置（图17）从下述碱性水溶液供给口11和下述碱性水溶液喷射口27供给碱性水溶液9并令其溢流，从而一边令碱性水溶液9循环一边进行抗蚀剂层3的薄膜化处理。所述薄膜化处理装置（图17）为，具有：运送方向的长度为500mm、宽度750mm、深度200mm的浸渍槽10；在浸渍槽10底面的中央部的直径20mm的碱性水溶液供给口11；贮藏从浸渍槽10溢流并被碱性水溶液回收槽30回收的碱性水溶液9的运送方向的长度为700mm、宽度950mm、深度600mm的碱性水溶液贮藏容器13；在浸渍槽10内具有碱性水溶液喷出口27，该碱性水溶液喷出口27将碱性水溶液贮藏容器13内的碱性水溶液9从喷出口用供给泵28通过供给管29向形成有抗蚀剂层3的基板8喷出。自碱性水溶液喷出口27的碱性水溶液的供给被调节为，压力为0.2MPa，抗蚀剂层3的每1cm²的供给流量为0.2L/min，令抗蚀剂层3为基板8的下表面，以在碱性水溶液9中浸渍30秒的状态利用运送辊对12进行运送，在胶束除去处理、水洗处理、干燥处理后测定抗蚀剂层3的薄膜化部的厚度，为12μm。

利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层3的表面，能够确认到没有处理不均的平滑的表面。

（实施例15）

向印刷配线板用基板（绝缘层1：玻璃基材环氧树脂，金属层7：铜箔，面积510mm×340mm，铜箔厚度12μm，基材厚度0.2mm，三菱瓦斯化学社（MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.）制，商品名：CCL-E170）使用干膜抗蚀剂用层压装置而热压接干膜抗蚀剂（日立化成工业社（Hitachi Chemical Co.，Ltd.）制，商品名：RY3625，厚度25μm），形成抗蚀剂层3。

接着，在剥离了干膜抗蚀剂的载体薄膜后，作为薄膜化处理液（碱性水溶液9）使用10质量％的碳酸钠水溶液（液温度25℃），使用下述薄膜化处理装置（图18），利用下述碱性水溶液供给泵14将碱性水溶液9从下述碱性水溶液贮藏容器13向下述浸渍槽10供给，并令其溢流，从而一边令碱性水溶液9循环一边进行抗蚀剂层3的薄膜化处理。所述薄膜化处理装置（图18）为，具有运送方向的长度为500mm、宽度750mm、深度200mm的浸渍槽10，在浸渍槽10底面的中央部具有直径20mm的碱性水溶液供给口11，在碱性水溶液供给口11的正上方设置有运送方向的长度20mm、宽度340mm、宽度方向的中央部和端部的高低差为60mm的V字型形状的气泡引导板（1）16，在气泡引导板的运送方向的起点和终点的端部安装有高度60mm的倒钩26（未图示），具有将从浸渍槽10溢流的碱性水溶液9从碱性水溶液回收槽30向碱性水溶液贮藏容器13内部引导的回收管21；运送方向的长度为700mm、宽度950mm、深度600mm的碱性水溶液贮藏容器13；设置在距碱性水溶液贮藏容器13底部150mm的高度位置的回收管排出口22；设置在碱性水溶液贮藏容器13侧面且距碱性水溶液贮藏容器13底部50mm的高度位置的供给泵吸入口17；在距从回收管排出口22排出的碱性水溶液9和碱性水溶液贮藏容器13内的碱性水溶液9接触的点200mm的位置（距供给泵吸入口17为500mm的位置）处固定于碱性水溶液贮藏容器13底部的高度200mm、宽度700mm、厚度10mm的气泡引导板（2）18；在距从回收管排出口22排出碱性水溶液9和碱性水溶液贮藏容器13内的碱性水溶液9接触的点350mm的位置（距供给泵吸入口17为350mm的位置）处固定于距碱性水溶液贮藏容器13底部50mm的高度的位置的高度200mm、宽度700mm、厚度10mm的气泡引导板（3）19。令抗蚀剂层3为基板8的下表面，以在碱性水溶液9中浸渍30秒的状态利用运送辊对12进行运送，在胶束除去处理、水洗处理、干燥处理后测定抗蚀剂层3的薄膜化部的厚度，为12μm。碱性水溶液供给泵14运转时的碱性水溶液贮藏容器13中的碱性水溶液的液面23的高度为距碱性水溶液贮藏容器13的底面250mm。另外，抗蚀剂层3的薄膜化处理在令碱性水溶液供给泵14启动后经过了一个小时后进行。

利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层3的表面，能够确认到没有处理不均的平滑的表面。

产业上的利用可能性

本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化处理装置能够应用于在印刷配线板及引线框架中的回路基板的制作、或者具有倒装片连接用的连接焊盘的组装基板的制作中形成抗蚀剂图案的用途。

Claims (8)

1.一种抗蚀剂层的薄膜化处理装置，具有：浸渍槽，用于借助碱性水溶液对抗蚀剂层进行薄膜化处理；运送辊对，对形成有抗蚀剂层的基板在浸渍在碱性水溶液中的状态下进行运送，其特征在于，在抗蚀剂层的薄膜化处理装置中具有气泡抑制装置。

2.根据权利要求1所述的抗蚀剂层的薄膜化处理装置，其特征在于，具有向浸渍槽供给碱性水溶液的碱性水溶液供给口，气泡抑制装置是配置在碱性水溶液供给口和运送辊对之间的气泡引导板。

3.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂层的薄膜化处理装置，其特征在于，具有：用于向浸渍槽供给碱性水溶液的碱性水溶液供给泵、用于将从浸渍槽溢流的碱性水溶液向碱性水溶液贮藏容器运送的回收管、和贮藏从浸渍槽溢流的碱性水溶液的碱性水溶液贮藏容器，气泡抑制装置是配备在碱性水溶液贮藏容器内部的气泡引导板。

4.根据权利要求1或2所述的抗蚀剂层的薄膜化处理装置，其特征在于，具有：用于向浸渍槽供给碱性水溶液的碱性水溶液供给泵、用于将从浸渍槽溢流的碱性水溶液向碱性水溶液贮藏容器运送的回收管、和贮藏从浸渍槽溢流的碱性水溶液的碱性水溶液贮藏容器，气泡抑制装置是设置在比碱性水溶液贮藏容器中的碱性水溶液的液面靠下方的回收管排出口。

5.如权利要求1所述的抗蚀剂层的薄膜化处理装置，具有向浸渍槽供给碱性水溶液的碱性水溶液供给口、用于向浸渍槽供给碱性水溶液的碱性水溶液供给泵、用于将从浸渍槽溢流的碱性水溶液向碱性水溶液贮藏容器运送的回收管、和贮藏从浸渍槽溢流的碱性水溶液的碱性水溶液贮藏容器，气泡抑制装置是配置在碱性水溶液供给口和运送辊对之间的气泡引导板、配备在碱性水溶液贮藏容器内部的气泡引导板、设置在比碱性水溶液贮藏容器中的碱性水溶液的液面靠下方的回收管排出口。

6.根据权利要求1、2、5的任意一项所述的抗蚀剂层的薄膜化处理装置，其特征在于，具有向浸渍槽供给碱性水溶液的碱性水溶液供给口，气泡抑制装置是配备于浸渍槽的超声波发生装置。

7.根据权利要求1、2、5的任意一项所述的抗蚀剂层的薄膜化处理装置，其特征在于，具有：用于向浸渍槽供给碱性水溶液的碱性水溶液供给泵、用于将从浸渍槽溢流的碱性水溶液向碱性水溶液贮藏容器运送的回收管、和贮藏从浸渍槽溢流的碱性水溶液的碱性水溶液贮藏容器，气泡抑制装置是配备于碱性水溶液贮藏容器的超声波发生装置。

8.根据权利要求1、2、5的任意一项所述的抗蚀剂层的薄膜化处理装置，其特征在于，具有：用于向浸渍槽供给碱性水溶液的碱性水溶液供给泵、用于将从浸渍槽溢流的碱性水溶液向碱性水溶液贮藏容器运送的回收管、和贮藏从浸渍槽溢流的碱性水溶液的碱性水溶液贮藏容器，气泡抑制装置是配备在浸渍槽中的比碱性水溶液的液面低的位置的碱性水溶液喷出口。

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