CN203587965U - 抗蚀剂层的薄膜化装置 - Google Patents

Abstract

提供一种抗蚀剂层的薄膜化装置，在具备通过浸渍槽中的薄膜化处理液使抗蚀剂层中的成分胶束化的薄膜化处理单元，和通过胶束除去液将胶束除去的胶束除去处理单元的抗蚀剂层的薄膜化装置中，能够抑制胶束除去液向薄膜化处理单元的倒流及抑制抗蚀剂层表面的薄膜化处理液的流动，并且抑制薄膜化处理液从浸渍槽的带出。通过在薄膜化处理单元与胶束除去处理单元的边界部的运送辊对上设置有胶束除去液截断罩的薄膜化装置、在浸渍槽的出口辊对与胶束除去处理单元的入口辊对之间设置有断液辊对的薄膜化装置、以及在浸渍槽的出口辊对与胶束除去处理单元的入口辊对之间设置有防液壁的抗蚀剂层的薄膜化装置，能够解决问题。

Description

抗蚀剂层的薄膜化装置

技术领域

本实用新型涉及抗蚀剂层的薄膜化装置。

背景技术

随着电气以及电子部件的小型化、轻量化、多功能化，对于以回路形成用的干膜抗蚀剂、焊料抗蚀剂为首的感光性树脂（感光性材料），为了对应于印刷配线板的高密度化而要求高分辨率。由这些感光性树脂实现的图像形成通过在将感光性树脂曝光后显影来进行。

为了对应于印刷配线板的小型化、高功能化，感光性树脂有薄膜化的趋势。在感光性树脂中，有涂敷液体而使用的类型（液状抗蚀剂）和干膜类型（干膜抗蚀剂）。最近，开发了15μm以下的厚度的干膜抗蚀剂，其产品化正在推进。但是，在这样的薄的干膜抗蚀剂中，与以往的厚度的抗蚀剂相比，密接性及对凹凸的追随性不充分，有发生剥离或空隙等的问题。

此外，作为用干膜实现高分辨率化的方法，有在曝光前将感光性树脂上具备的支承膜剥离、不夹着支承膜而曝光的方法。在此情况下，也有使光学工具（光掩模）直接密接在感光性树脂上的情况。但是，由于感光性树脂通常具有某种程度的粘附性，所以在使光学工具直接密接在感光性树脂上而进行曝光的情况下，密接的光学工具的除去变得困难。此外，由感光性树脂将光学工具污染、或者因将支承膜剥离而感光性树脂暴露在大气中的氧中等，光感度容易下降。

为了改善上述的问题，提出了在使用较厚的感光性树脂的同时能够实现高分辨率的各种手段。例如，在通过减去法制作导电图案的方法中，公开了下述导电图案的形成方法，其特征在于，在绝缘层的单面或两面上设置金属层而成的层叠基板上粘贴干膜抗蚀剂而形成抗蚀剂层后，进行抗蚀剂层的薄膜化工序，接着，进行回路图案的曝光工序、显影工序、蚀刻工序（例如参照专利文献1）。此外，在形成焊料抗蚀剂图案的方法中，开了下述焊料抗蚀剂图案的形成方法，其特征在于，在具有导电性图案的回路基板上形成由焊料抗蚀剂构成的抗蚀剂层后，进行抗蚀剂层的薄膜化工序，接着进行图案曝光工序，再次进行抗蚀剂层的薄膜化工序（例如参照专利文献2及3）。

此外，在专利文献4中，公开了在抗蚀剂层的薄膜化工序中使用的薄膜化装置。具体而言，公开了一种抗蚀剂层的薄膜化装置，至少包括四个处理单元：薄膜化处理单元，将形成有抗蚀剂层的基板浸渍（dip）到高浓度的碱性水溶液（薄膜化处理液）中而将抗蚀剂层的成分的胶束先不溶化，使其不易溶解扩散到处理液中；胶束除去处理单元，通过胶束除去液喷雾而将胶束一下子溶解除去；水洗处理单元，将表面用水清洗；干燥处理单元，将水洗水除去。

对于在专利文献4中公开的薄膜化装置的一部分，使用图13所示的概略剖视图进行说明。在薄膜化处理单元11中，从投入口7投入形成了抗蚀剂层的基板3。基板3被运送辊对4在浸渍在浸渍槽2中的薄膜化处理液1中的状态下运送，被进行抗蚀剂层的薄膜化处理。然后，将基板3向胶束除去处理单元12运送。在胶束除去处理单元12中，对于由运送辊对4运送来的基板3，通过胶束除去液供给管20从胶束除去液用喷嘴21供给胶束除去液喷雾22。将基板3上的抗蚀剂层在薄膜化处理单元11内部的浸渍槽2中通过作为高浓度的碱性水溶液的薄膜化处理液1，使抗蚀剂层的成分的胶束对于薄膜化处理液1先不溶化。然后，通过用胶束除去液喷雾22将胶束除去，使抗蚀剂层薄膜化。在专利文献4中，有“胶束除去通过胶束除去液喷雾一下子进行是重要的，优选的是在一定以上的水压和流量的条件下迅速地进行”的记述。

在图13所示的抗蚀剂层的薄膜化装置中，为从基板3穿过薄膜化处理单元11与胶束除去处理单元12的边界部的运送辊对6的地点开始通过胶束除去液喷雾22进行的胶束除去处理的构造。并且，边界部的运送辊对6为暴露在胶束除去液喷雾22中的构造。在通过胶束除去液喷雾22进行胶束除去处理前，如果基板3上的抗蚀剂层与不均匀地附着在边界部的运送辊对6上的胶束除去液10接触，则通过作为高浓度的碱性水溶液的薄膜化处理液1不溶化的抗蚀剂层的成分不均匀地成为可溶解的状态。进而，由于在成为可溶解的状态的部位的抗蚀剂层中包含的低浓度的碱性水溶液使周围的抗蚀剂层溶解，所以有在通过胶束除去液喷雾22进行胶束除去处理前、胶束除去液10附着的部分的抗蚀剂层与周围相比厚度变薄的情况。

此外，在图13所示的抗蚀剂层的薄膜化装置中，在从经过薄膜化处理单元11内部的浸渍槽2的出口辊对5的地点到开始由胶束除去处理单元12的胶束除去液喷雾22进行的胶束除去处理之间，仅存在1对边界部的运送辊对6。图14是在抗蚀剂层的薄膜化装置中、边界部的运送辊对6的放大概略剖视图。当基板3穿过边界部的运送辊对6时，边界部的运送辊对6的上侧辊被抬起基板3的厚度的量，在与下侧辊之间出现间隙24。这里，如果从穿过边界部的运送辊对6的地点起，将胶束除去液喷雾22向基板3上的抗蚀剂层表面供给，则胶束除去液喷雾22的液流扩散到抗蚀剂层整个表面上，有经过在边界部的运送辊对6的上侧辊与下侧辊之间出现的间隙24向薄膜化处理单元11内倒流的情况。在基板3的厚度较大的情况下，由于间隙24也变大，所以倒流的胶束除去液10的量有增加的倾向。如果胶束除去液10倒流到薄膜化处理单元11内，作为高浓度的碱性水溶液的薄膜化处理液1与胶束除去液10被混合，则薄膜化处理液1的浓度下降，有容易发生薄膜化处理的处理不均的情况。

进而，在图13所示的抗蚀剂层的薄膜化装置中，在基板3穿过薄膜化处理单元11内部的浸渍槽2的出口辊对5后、穿过边界部的运送辊对6之前的期间中，基板3上的抗蚀剂层表面成为被从浸渍槽2中带出的薄膜化处理液1的液膜覆盖的状态。这里，在抗蚀剂层表面为疏水性的情况下，与该液膜的亲和性变低，在抗蚀剂层表面，薄膜化处理液1流动，有薄膜化处理液1的覆盖量变得不均匀的情况。如果薄膜化处理液1的覆盖量较多，则抗蚀剂层的成分的胶束化速度变快，相反，如果薄膜化处理液1的覆盖量较少，则胶束化速度变慢。因此，如果薄膜化处理液1的覆盖量不均匀，则有薄膜化的抗蚀剂层的厚度变得不均匀的情况。

此外，也有被从薄膜化处理单元11的浸渍槽2带出的薄膜化处理液1被大量向胶束除去处理单元12中带入的情况。薄膜化处理液1是高浓度的碱性水溶性，所以一旦被大量带入，则胶束除去液10的pH上升过多而变得不能控制，在胶束除去性能中发生离差，有抗蚀剂层的薄膜化处理量变得不均匀的情况。

这样，薄膜化的抗蚀剂层的厚度变得不均匀，如果在薄膜化后的抗蚀剂层中有厚度薄的部分，则在减去法的导电图案形成中成为回路的断线的原因，在焊料抗蚀剂的图案形成中成为耐候性下降的原因，有哪种都带来生产的成品率的下降的问题。

专利文献1：国际公开第2009/096438号手册，

专利文献2：日本特开2011－192692号公报，

专利文献3：国际公开第2012/043201号手册，

专利文献4：日本特开2012－27299号公报。

实用新型内容

本实用新型的课题是提供一种抗蚀剂层的薄膜化处理装置，在能够解决分辨性和追随性的问题的抗蚀剂图案形成用的抗蚀剂层的薄膜化装置中，能够防止胶束除去液倒流到薄膜化处理单元中、与薄膜化处理液混合而薄膜化处理液的浓度下降的情况，能够解决抗蚀剂层的薄膜化处理量变得不均匀的问题。

此外，提供一种通过抑制抗蚀剂层表面的薄膜化处理液的流动、并且将从浸渍槽的薄膜化处理液的带出抑制为最小限度、能够解决抗蚀剂层的薄膜化处理量变得不均匀的问题的抗蚀剂层的薄膜化装置。

本实用新型者们发现，通过下述技术方案，能够解决这些课题。

（1）一种抗蚀剂层的薄膜化装置，具备通过薄膜化处理液使抗蚀剂层中的成分胶束化的薄膜化处理单元和通过胶束除去液将胶束除去的胶束除去处理单元，具有运送在表面上形成有抗蚀剂层的基板的运送辊，薄膜化处理单元具有装入薄膜化处理液的浸渍槽，胶束除去处理单元具有用来供给胶束除去液的胶束除去液供给喷雾，其特征在于，设置有从胶束除去液倒流抑制机构及薄膜化处理液带出抑制机构选择的至少一种机构。

（2）如上述（1）所述的抗蚀剂层的薄膜化装置，胶束除去液倒流抑制机构是设置在薄膜化处理单元和胶束除去处理单元的边界部的运送辊对上的胶束除去液截断罩。

（3）如上述（2）所述的抗蚀剂层的薄膜化装置，在设置在薄膜化处理单元和胶束除去处理单元的边界部的运送辊对的下侧辊上的胶束除去液截断罩上设有开口。

（4）如上述（1）所述的抗蚀剂层的薄膜化装置，胶束除去液倒流抑制机构是设置在胶束除去处理单元的入口辊对上的胶束除去液截断罩。

（5）如上述（1）所述的抗蚀剂层的薄膜化装置，薄膜化处理液带出抑制机构是设置在浸渍槽的出口辊对与胶束除去处理单元的入口辊对之间的断液辊对。

（6）如上述（1）所述的抗蚀剂层的薄膜化装置，胶束除去液倒流抑制机构是设置在该浸渍槽的出口辊对与胶束除去处理单元的入口辊对之间的防液壁。

（7）如上述（6）所述的抗蚀剂层的薄膜化装置，在浸渍槽的出口辊对与胶束除去处理单元的入口辊对之间设置有断液辊对。

（8）如上述（7）所述的抗蚀剂层的薄膜化装置，在胶束除去处理单元的入口辊对上设置有胶束除去液截断罩。

（9）如上述（4）或（8）所述的抗蚀剂层的薄膜化装置，在设置在胶束除去处理单元的入口辊对的下侧辊上的胶束除去液截断罩上设有开口。

（10）如上述（5）、（7）、（8）的任一项所述的抗蚀剂层的薄膜化装置，浸渍槽的出口辊对、断液辊对、胶束除去处理单元的入口辊对的各自的间隔L相对于各辊的直径D为超过1倍且在3倍以下（D<L≤3D）。

根据本实用新型，能够提供一种抗蚀剂层的薄膜化装置，在能够解决分辨性和追随性的问题的抗蚀剂图案形成用的抗蚀剂层的薄膜化装置中，通过防止胶束除去液向抗蚀剂层上附着，并防止胶束除去液向薄膜化处理单元倒流、与薄膜化处理液混合而薄膜化处理液的浓度下降，能够解决抗蚀剂层的薄膜化处理量变得不均匀的问题。

此外，能够提供一种抗蚀剂层的薄膜化装置，通过抑制抗蚀剂层表面的薄膜化处理液的流动、并将薄膜化处理液从浸渍槽的带出抑制在最小限度，能够解决抗蚀剂层的薄膜化处理量变得不均匀的问题。

附图说明

图1是表示本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化装置的一例的概略剖视图；

图2是表示本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化装置的一例的概略剖视图；

图3是表示本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化装置的一例的概略剖视图；

图4是表示本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化装置的一例的概略剖视图；

图5是在本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化装置中、包括设置有胶束除去液截断罩的辊对和胶束除去液截断罩的部分的放大概略剖视图；

图6是在本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化装置中、表示胶束除去液截断罩的开口的一例的放大概略图；

图7是表示本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化装置的一例的概略剖视图；

图8是在本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化装置中、包括浸渍槽的出口辊对、断液辊对及胶束除去处理单元的入口辊对的部分的放大概略剖视图；

图9是表示本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化装置的一例的概略剖视图；

图10是表示本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化装置的一例的概略剖视图；

图11是表示本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化装置的一例的概略剖视图；

图12是表示本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化装置的一例的概略剖视图；

图13是表示现有技术的抗蚀剂层的薄膜化装置的一部的概略剖视图；

图14是在抗蚀剂层的薄膜化装置中、边界部的运送辊对的放大概略剖视图。

附图标记说明：

1：薄膜化处理液，2：浸渍槽，3：基板，4：运送辊对，5：浸渍槽的出口辊对，6：边界部的运送辊对，7：投入口，8：断液辊对，9：胶束除去处理单元的入口辊对，10：胶束除去液，11：薄膜化处理单元，12：胶束除去处理单元，13：薄膜化处理液贮藏容器，14：薄膜化处理液吸入口，15：薄膜化处理液供给管，16：薄膜化处理液回收管，17：薄膜化处理液排放管，18：胶束除去液贮藏容器，19：胶束除去液吸入口，20：胶束除去液供给管，21：胶束除去液用喷嘴，22：胶束除去液喷雾，23：胶束除去液排放管，24：间隙，25：防液壁，26：胶束除去液回收口，27：胶束除去液截断罩，28：胶束除去液截断罩的开口，29：薄膜化处理单元的出口辊对，D1：浸渍槽的出口辊的直径，D2：断液辊的直径，D3：胶束除去处理单元的入口辊的直径，L1：从浸渍槽的出口辊对到最初的断液辊对的间隔，L2：断液辊对间的间隔，L3：从最后的断液辊对到胶束除去处理单元的入口辊对的间隔。

具体实施方式

<薄膜化工序>

薄膜化处理液进行的抗蚀剂层的薄膜化工序是包括通过薄膜化处理液将抗蚀剂层中的成分的胶束先不溶化、使其不易溶解扩散到处理液中的薄膜化处理，和通过胶束除去液喷雾一下子将胶束溶解除去的胶束除去处理的工序。进而还可以包括将没有完全除去的抗蚀剂层表面或残留附着的薄膜化处理液及胶束除去液通过水洗冲洗的水洗处理、将水洗水除去的干燥处理。

<薄膜化处理>

薄膜化处理液进行的薄膜化处理也可以使用叶片处理、喷雾处理、擦刷、刮削等的方法，但优选的是通过浸渍处理进行。在浸渍处理中，将形成有抗蚀剂层的基板浸渍（dip）到薄膜化处理液中。浸渍处理以外的处理方法有容易在薄膜化处理液中产生气泡、该产生的气泡在薄膜化处理中附着在抗蚀剂层表面上、膜厚变得不均匀的情况。在使用喷雾处理等的情况下，必须使喷雾压尽可能小，以便不产生气泡。

在本实用新型中，以抗蚀剂层形成后的厚度和抗蚀剂层薄膜化的量决定薄膜化后的抗蚀剂层的厚度。此外，在本实用新型中，能够在0.01～500μm的范围中自由地调整抗蚀剂层的薄膜化量。

<抗蚀剂>

作为抗蚀剂能够使用碱性显影型的抗蚀剂。此外，无论是液状抗蚀剂还是干膜抗蚀剂，只要是能够通过碱性水溶液（薄膜化处理液）薄膜化、且能够借助作为比薄膜化处理液还低浓度的碱性水溶液的显影液而显影的抗蚀剂则可以使用任意的抗蚀剂。碱性显影型的抗蚀剂包含光交联性树脂成分。光交联性树脂成分例如含有碱性可溶性树脂、光聚合性化合物、光聚合引发剂等。此外也可以含有环氧树脂、热硬化剂、无机填充物等。

作为碱性可溶性树脂，可以举出例如丙烯酸系树脂、甲基丙烯系树脂、苯乙烯系树脂、环氧系树脂、氨基系树脂、氨基环氧系树脂、醇酸系树脂、酚醛系树脂的有机高分子。作为碱可溶性树脂，优选聚合（自由基聚合等）具有乙烯性不饱和双键的单体（聚合性单体）而得到的树脂。这些向碱性水溶液可溶的聚合体既可以单独使用，也可以组合两种以上使用。

作为具有乙烯性不饱和双键的单体，例如可以举出苯乙烯、乙烯基甲苯、α-甲基苯乙烯、p-甲基苯乙烯、p-乙基苯乙烯、p-甲氧基苯乙烯、p-乙氧基苯乙烯、p-氯苯乙烯、p-溴苯乙烯等的苯乙烯衍生物；双丙酮丙烯酰胺等的丙烯酰胺；丙烯腈；乙烯-n-丁基醚等的乙烯醇的酯类；（甲基）丙烯酸烷基酯、（甲基）丙烯酸四氢糠醇酯、（甲基）丙烯酸二甲氨基酯、（甲基）丙烯酸二乙胺基乙醇酯、（甲基）丙烯酸缩水甘油酯、2，2，2-三氟乙基（甲基）丙烯酸酯、2，2，3，3-四氟丙基（甲基）丙烯酸酯、（甲基）丙烯酸、α-溴（甲基）丙烯酸、α-氯（甲基）丙烯酸、β-呋喃基（甲基）丙烯酸、β-苯乙烯基（甲基）丙烯酸等的（甲基）丙烯酸单酯；马来酸、马来酸无水物、马来酸单甲基、马来酸单乙基、马来酸单异丙基等的马来酸系单体；富马酸酸、肉桂酸、α-氰化肉桂酸、衣康酸、巴豆酸、丙炔酸等。

作为光聚合性化合物，可以举出例如令多价乙醇与α，β-不饱和羟酸反应而得到的化合物；双酚A系（甲基）丙烯酸酯化合物；令缩水甘油基含有化合物与α，β-不饱和羟酸反应而得到的化合物；在分子内具有尿烷键的（甲基）丙烯酸酯化合物等的尿烷单体；壬基苯氧基聚乙烯烃基丙烯酸酯；γ-氯-β-羟丙基-β′-（甲基）丙烯酰氧乙基-o-酞酸酯、β-羟烷基-β′-（甲基）丙烯酰氧烷基-o-酞酸酯等的酞酸系化合物；（甲基）丙烯酸烷基酯、EO、PO变性壬苯基（甲基）丙烯酸酯等。在此，EO以及PO表示乙烯氧化物以及丙烯氧化物，EO变性后的化合物是具有乙烯氧化物基的块构造的化合物，PO变性后的化合物是具有丙烯氧化物基的块构造的化合物。这些光聚合性化合物可以单独使用，或者也可以组合两种以上地使用。

作为光聚合引发剂，可以举出二苯甲酮、N，N′-四甲基-4，4′-二氨基二苯甲酮（米氏酮）、N，N′-四乙基-4，4′-二氨基二苯甲酮、4-甲氧基-4′-二甲氨基二苯酮、2-苯-2-二甲氨基-1-（4-吗啉基苯基）-丁酮-1、2-甲基-1-［4-（甲硫基）苯］-2-吗啉基-丙酮-1等的芳香族酮；2-乙基蒽醌、菲醌、2-tert-叔丁基蒽醌、十八甲基蒽醌、1，2-苯蒽醌、2，3-苯蒽醌、2-苯蒽醌、2，3-二苯蒽醌、1-氯蒽醌、2-甲基蒽醌、1，4-萘醌、9，10-菲醌、2-甲基-1，4-萘醌、2，3-二甲基蒽醌等的醌类；安息香甲基醚、安息香乙醚、安息香苯醚等的安息香醚化合物；安息香、甲基安息香、乙基安息香等的安息香化合物；苯偶酰二甲基缩酮等的苯甲基衍生物；2-（o-氯苯）-4，5-二苯咪唑二聚体、2-（o-氯苯）-4，5-二（甲氧基苯）咪唑二聚体、2-（o-氟苯基）-4，5-二苯咪唑二聚体，2-（o-甲氧基苯）-4，5-二苯咪唑二聚体、2-（p-甲氧基苯）-4，5-二苯咪唑二聚体等的2，4，5-三芳基咪唑二聚体；9-苯基吖啶、1，7-双（9，9′-吖啶）庚烷等的吖衍生物；N-苯甘氨酸、N-苯甘氨酸衍生物、香豆素系化合物等。上述2，4，5-三芳基咪唑二聚体中的两个2，4，5-三芳基咪唑的芳基的置换基可以是相同且对称的化合物，也可以是不同而非对称的化合物。此外，也可以如二乙基噻吨酮和对二甲氨基苯甲酸的组合那样将噻吨酮系化合物和3级叔胺化合物组合。这些单独地、或者组合两种以上地使用。

环氧树脂有时作为硬化剂使用。令使其与碱性可溶性树脂的羟酸反应从而交联，实现耐热性及耐药品性的特性的提高，但由于羟酸和环氧在常温下也发生反应，所以保存稳定性差，碱性显影型的焊料抗蚀剂一般多采用在使用前混合的2液性的形态。有时也使用无机填充物，可以举出例如滑石、硫酸钡、二氧化硅等。

在基板的表面形成抗蚀剂层的方法任意方法都可以，可以举出例如丝网印刷法、辊涂层法、喷雾法、浸渍法、幕式涂敷法、条码法、气刀法、热熔法、雕刻滚筒涂层法、刷毛涂刷法、胶印印刷法。干膜抗蚀剂的情况下，优选使用层叠法。

<基板>

作为基板，能够举出印刷配线板用基板、引线框架用基板；加工印刷配线板用基板及引线框架用基板而得到的回路基板。

作为印刷配线板用基板，例如可以举出挠性基板、刚性基板。

挠性基板的绝缘层的厚度为5～125μm，在其两面或者单面设置1～35μm的金属层而成为层叠基板，可挠性大。绝缘层的材料通常使用聚酰亚胺、聚酰胺、聚苯硫醚、聚对苯二甲酸乙二醇脂、液晶聚合物等。在绝缘层上具有金属层的材料可以使用通过下述等的方法制造的材料：利用粘合剂贴合的粘合法、在金属箔上涂敷树脂液的铸造法、在利用溅镀及蒸镀法形成在树脂薄膜上的厚度数nm的薄的导电层（种子层）上利用电镀形成金属层的溅射/电镀法，利用热冲压而贴付的层叠法等的任意一个。作为金属层的金属能够使用铜、铝、银、镍、铬、或者这些的合金等的任意金属，但一般为铜。

刚性基板可以举出下述层叠基板：在纸基材或者玻璃基材上层叠浸渍了环氧树脂或者酚醛树脂等的绝缘性基板而作为绝缘层，在其单面或者两面载置金属箔，通过加热以及加压而层叠而设置金属层。此外，可以举出在内层配线图案加工后层叠预成形料、金属箔等而制作的多层用的密封板、具有贯通孔及非贯通孔的多层板。根据厚度为60μm～3.2mm且作为印刷配线板的最终使用形态而选定其材质和厚度。作为金属层的材料可以举出铜、铝、银、金等，但一般为铜。这些印刷配线板用基板的例记载于《印刷回路技术便览-第二版-》（（社）印刷回路学会编，1987年刊，日刊工业新闻社发刊）及《多层印刷回路手册》（J.A. Scarlett编，1992年刊，（株）近代化学社发刊）。

作为引线框架用基板能够举出铁镍合金、铜系合金等的基板。

回路基板是在绝缘性基板上形成有用于连接半导体芯片等的电子部件的连接焊盘的基板。连接焊盘由铜等金属构成。此外，在回路基板上也可以形成导体配线。制作回路基板的方法例如可以举出例如减去法、半添加法、添加法。在减去法中，例如在上述的印刷配线板用基板上形成蚀刻抗蚀剂图案，进行曝光工序、显影工序、蚀刻工序、抗蚀剂剥离工序而制作回路基板。

<薄膜化装置>

图1～图4、图7、图9～图12是表示本实用新型的薄膜化装置的一例的概略剖视图。本实用新型的薄膜化装置具备通过薄膜化处理液1使抗蚀剂层中的成分胶束化的薄膜化处理单元11和通过胶束除去液喷雾22将胶束除去的胶束除去处理单元12，具有运送在表面上形成有抗蚀剂层的基板3的运送辊，薄膜化处理单元11具有装入薄膜化处理液1的浸渍槽2，胶束除去处理单元12具有用来供给胶束除去液10的胶束除去液供给喷雾22。并且，其特征在于，设置有从胶束除去液倒流抑制机构及薄膜化处理液带出抑制机构中选择的至少一种机构。

在薄膜化处理单元11中，从投入口7投入的形成有抗蚀剂层的基板3被运送辊对4在浸渍在浸渍槽2中的薄膜化处理液1中的状态下运送，穿过浸渍槽2的出口辊对5。通过这些处理，将基板3上的抗蚀剂层中的成分用薄膜化处理液1胶束化，使该胶束相对于薄膜化处理液1不溶化。

薄膜化处理液1被薄膜化处理液供给用泵（未图示）从薄膜化处理液贮藏容器13中的薄膜化处理液吸入口14吸入，经过薄膜化处理液供给管15被向浸渍槽2供给。供给到浸渍槽2中的薄膜化处理液1溢流，经过薄膜化处理液回收管16由薄膜化处理液贮藏容器13回收。这样，薄膜化处理液1在浸渍槽2与薄膜化处理贮藏容器13之间循环。从薄膜化处理液排放管17将剩余的薄膜化处理液1排出。

作为在作为薄膜化处理液1使用的碱性水溶液中使用的碱性化合物，例如可以举出锂、钠或者钾等的碱金属硅酸盐、碱金属氢氧化物、碱金属磷酸盐、碱金属碳酸盐、铵磷酸盐、铵碳酸盐等的无机碱性化合物；单乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、甲基胺、二甲基胺、乙基胺、二乙基胺、三乙基胺、环己胺、四甲基氢氧化铵（TMAH）、四乙基氢氧化铵、三甲基-2-羟乙基氢氧化铵（胆碱，Choline）等的有机碱性化合物。这些碱性化合物既可以单独使用，也可以作为混合物使用。在作为薄膜化处理液1的媒体的水中，可以使用自来水、工业用水、纯水等，但特别优选的是使用纯水。

碱性化合物的含有量能够在0.1质量％以上50质量％以下地使用。此外，为了令抗蚀剂层表面更均匀地薄膜化，也可以在薄膜化处理液1中添加硫酸盐、亚硫酸盐。作为硫酸盐或亚硫酸盐，可以举出锂、钠或者钾等的碱金属硫酸盐或亚硫酸盐、镁、钙等的碱土类金属硫酸盐或者亚硫酸盐。

作为薄膜化处理液1的碱性化合物，在这些之中，特别优选的是使用含有从碱金属碳酸盐、碱金属磷酸盐、碱金属氢氧化物、碱金属硅酸盐中选择的无机碱性化合物、从TMAH、胆碱中选择的有机碱性化合物。这些碱性化合物既可以单独使用，也可以作为混合物使用。此外，碱性化合物的含有量是5～25质量%的碱性水溶液由于能够使表面更均匀地薄膜化，所以能够优选地使用。在碱性化合物的含有量不到5质量%时，薄膜化的处理中有时会容易发生不均。此外，如果超过25质量%，则容易引起碱性化合物的析出，有时液体的经时稳定性、作业性变差。更优选碱性化合物的含有量为7～17质量%，更加优选为8～13质量%。作为薄膜化处理液1使用的碱性水溶液的pH优选的是10以上。此外，也可以适当添加界面活性剂、消泡剂、溶剂等。

作为薄膜化处理液1使用的碱性水溶液的温度优选的是15～35℃，更优选的是20～30℃。如果温度过低，则有碱性化合物向抗蚀剂层的渗透速度变慢的情况，需要长时间才能薄膜化出希望的厚度。另一方面，如果温度过高，则由于在碱性化合物向抗蚀剂层的渗透的同时进行溶解扩散，有容易在面内发生膜厚不均的情况。

在胶束除去处理单元12中，在薄膜化处理单元11中将使抗蚀剂层对于薄膜化处理液1不溶化的基板3通过运送辊对4运送。对于运送来的基板3，通过胶束除去液喷雾22供给胶束除去液10，将胶束一下子溶解除去。

胶束除去液10是用胶束除去液供给用泵（未图示）从胶束除去液贮藏容器18中的胶束除去液吸入口19将胶束除去液10吸入，经过胶束除去液供给管20从胶束除去液用喷嘴21作为胶束除去液喷雾22喷射。胶束除去液喷雾22在从基板3上流下后，由胶束除去液贮藏容器18回收。这样，胶束除去液10在胶束除去处理单元12内循环。从胶束除去液排放管23将剩余量的胶束除去液10排出。

作为胶束除去液10，也可以使用水，但优选的是使用比薄膜化处理液1稀的含有碱性化合物的pH5～10的水溶液。通过胶束除去液10，将由薄膜化处理液不溶化的抗蚀剂层的成分的胶束再分散而除去。作为在胶束除去液10中使用的水，可以使用自来水、工业用水、纯水等，但特别优选的是使用纯水。在胶束除去液10的pH不到5的情况下，有抗蚀剂层的成分凝聚而成为不溶性的淤渣、附着在薄膜化后的抗蚀剂层表面上的情况。另一方面，在胶束除去液10的pH超过10的情况下，有抗蚀剂层过度地溶解扩散、在面内薄膜化的抗蚀剂层的厚度变得不均匀而形成处理不均的情况。此外，胶束除去液10可以使用硫酸、磷酸、盐酸等调整pH。

胶束除去处理中的胶束除去液喷雾22的条件（温度、喷雾压、供给流量）可以匹配于薄膜化处理的抗蚀剂层的溶解速度而适当调整。具体而言，处理温度优选的是10～50℃，更优选的是15～35℃。此外，喷雾压优选的是设为0.01～0.5MPa，更优选的是0.1～0.3MPa。胶束除去液10的供给流量优选的是每抗蚀剂层1cm²为0.030～1.0L/min，更优选的是0.050～1.0L/min，更加优选的是0.10～1.0L/min。如果供给流量是该范围，则在薄膜化后的抗蚀剂层表面上不会残留不溶解成分，容易将面内大致均匀地不溶化的抗蚀剂层的成分的胶束除去。当抗蚀剂层的每1cm²的供给流量不到0.030L/min时，有发生不溶化的抗蚀剂层的成分的溶解不良的情况。另一方面，如果供给流量超过1.0L/min，则为了供给而需要的泵等的部件变得巨大，有需要庞大的装置的情况。进而，在超过1.0L/min的供给量下，有带来抗蚀剂层的成分的溶解扩散的效果不再变化的情况。喷雾的方向为了在抗蚀剂层表面上效率良好地形成液流，优选的是从相对于与抗蚀剂层表面垂直的方向倾斜的方向喷射。

在图1的抗蚀剂层的薄膜化装置中，其特征在于，胶束除去液倒流抑制机构是设置在薄膜化处理单元11与胶束除去处理单元12的边界部的运送辊对6上的胶束除去液截断罩27。在图2的抗蚀剂层的薄膜化装置中，其特征在于，在设置在边界部的运送辊对6的下侧辊上的胶束除去液截断罩27上设有开口28。

在图3的抗蚀剂层的薄膜化装置中，其特征在于，胶束除去液倒流抑制机构是设置在胶束除去处理单元的入口辊对9上的胶束除去液截断罩27。在图4的抗蚀剂层的薄膜化装置中，其特征在于，在设置在胶束除去处理单元的入口辊对9的下侧辊上的胶束除去液截断罩27上设有开口28。

所谓边界部的运送辊对6是指设置在薄膜化处理单元11与胶束除去处理单元12的边界部附近的运送辊对。所谓边界部附近，是指夹着薄膜化处理单元11与胶束除去处理单元12的边界线、从浸渍槽终端部到胶束除去处理单元的第一胶束除去液喷雾22的范围。由此，图3及图4的胶束除去处理单元的入口辊对9是边界部的运送辊对6的一例。

对设置在薄膜化处理单元11与胶束除去处理单元12的边界部的运送辊对6上的胶束除去液截断罩27及设置在胶束除去处理单元的入口辊对9上的胶束除去液截断罩27进行说明。胶束除去液截断罩27设置在边界部的运送辊对6或胶束除去处理单元的入口辊对9的上下。由此，边界部的运送辊对6或胶束除去处理单元的入口辊对9不会暴露在胶束除去液喷雾22中，能够防止胶束除去液10附着到被胶束除去处理前的基板3上的抗蚀剂层上。

作为薄膜化处理液1，为了使抗蚀剂层的成分胶束化、使表面更均匀地薄膜化，优选的是使用碱性化合物的浓度是5～25质量% 的高浓度的碱性水溶液。如果碱性化合物的浓度较低，则在抗蚀剂层的成分的胶束化的同时发生溶解扩散，有在面内在薄膜化处理量上发生离差的情况。如果胶束除去液10附着的边界部的运送辊对6或胶束除去处理单元的入口辊对9接触在基板3的抗蚀剂层表面上，则在该部分，碱性化合物浓度下降，薄膜化处理量变得不均匀。通过胶束除去液截断罩27，防止胶束除去液10附着在边界部的运送辊对6或胶束除去处理单元的入口辊对9上、抗蚀剂层表面的碱性化合物浓度下降，由此能够得到基板3的面内的抗蚀剂层的薄膜化处理量变得均匀的效果。

胶束除去液截断罩27的形状只要是除了用来运送基板3的开口部以外、将边界部的运送辊对6或胶束除去处理单元的入口辊对9完全覆盖的形状就可以，能够自由地决定。此外，也可以在胶束除去液截断罩27上设置当胶束除去液10从基板端部与薄膜化装置侧壁的间隙等侵入到胶束除去液截断罩27内部时用来将胶束除去液10排出的开口。进而，通过在用来运送基板3的开口部的外侧上部以垂下的形态固定柔软的材料，能够不妨碍基板3的运送，而防止胶束除去液10从用来运送基板3的开口部侵入、附着到边界部的运送辊对6或胶束除去处理单元的入口辊对9上、接触到与胶束除去液喷雾22接触之前的基板3上，所以是优选的。作为柔软的材料，可以使用聚乙烯、聚丙烯的薄膜或片状的橡胶。

图5是基板运送时的、包括设置有胶束除去液截断罩的辊对（图1及图2：边界部的运送辊对6，图3及4：胶束除去处理单元的入口辊对9）和胶束除去液截断罩27的部分的放大概略剖视图的一例。图5是在胶束除去处理单元12内、从基板运送方向的下游侧观察设置有胶束除去液截断罩的辊对的图。基板3在被设置有胶束除去液截断罩的辊对夹着的状态下运送，在上侧辊与下侧辊之间形成间隙24。为了防止胶束除去液10附着，胶束除去液截断罩27将胶束除去处理单元的入口辊对9覆盖。

作为胶束除去液截断罩27的材质，可以使用具有对于作为高浓度的碱性水溶液的薄膜化处理液1的耐药性的各种材料。具体而言，可以使用聚乙烯、聚丙烯、硬质聚氯乙烯、聚碳酸酯、聚苯乙烯、丙烯树脂（PMMA）、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯树脂（ABS树脂）、特氟龙（注册商标）等的合成树脂、玻璃纤维强化聚丙烯、玻璃纤维强化环氧树脂等的纤维强化塑料、钛、哈司特镍合金（HASTELLOY，注册商标）等的耐腐蚀性金属材料等。在它们之中，由于加工较容易，所以优选的是使用硬质聚氯乙烯、丙烯树脂（PMMA）。

接着，对设置在边界部的运送辊对6或胶束除去处理单元的入口辊对9的下侧辊上的胶束除去液截断罩的开口28进行说明。当基板3穿过边界部的运送辊对6或胶束除去处理单元的入口辊对9时，上侧辊被抬起基板3的厚度量，在与下侧辊之间形成间隙24。如果将胶束除去液喷雾22供给到基板3上的抗蚀剂层表面，则胶束除去液10经过在该上侧辊与下侧辊之间形成的间隙24向薄膜化处理单元11侧倒流。如果胶束除去液10向薄膜化处理单元11倒流，则薄膜化处理液1的碱性化合物浓度下降，成为薄膜化处理量变得不均匀的原因。进而，基板3上的抗蚀剂层表面的胶束除去液10被边界部的运送辊对6或胶束除去处理单元的入口辊对9拦住，向设置在边界部的运送辊对6或胶束除去处理单元的入口辊对9的下侧辊上的胶束除去液截断罩27内流下。所以，通过在设置于下侧辊上的胶束除去液截断罩27上设置开口28，流下到胶束除去液截断罩27内的胶束除去液10被向胶束除去液贮藏容器18回收，所以能够防止胶束除去液10向薄膜化处理单元11内的倒流。并且，能够防止薄膜化处理液1的碱性化合物浓度的下降，能够得到基板3的面内的抗蚀剂层的薄膜化处理量变均匀的效果。

胶束除去液截断罩的开口28只要能够将流下到胶束除去液截断罩27内的胶束除去液10回收到胶束除去液贮藏容器18中就可以，其形状及尺寸、配置及数量能够自由决定。从胶束除去液10的回收效率这一点来讲，胶束除去液截断罩的开口28可以是圆形而尺寸更大的形状，优选的是在边界部的运送辊对6或胶束除去处理单元的入口辊对9的宽度方向上均等地配置多个。

将表示设置在下侧辊上的胶束除去液截断罩的开口28的一例的放大概略图的一例表示在图6中。图6是在胶束除去处理单元12内相对于基板运送方向从下侧观察设置在下侧辊上的胶束除去液截断罩27的图，在胶束除去液截断罩27上以等间隔配置有圆形的开口28。另外，图5、图6及图14中记载的黑色的粗棒是辊的轴柄。

在图7的抗蚀剂层的薄膜化装置中，其特征在于，薄膜化处理液带出抑制机构是设置在薄膜化处理单元11内部的浸渍槽的出口辊对5与胶束除去处理单元的入口辊对9之间的断液辊对8。

对设置在薄膜化处理单元11内部的浸渍槽的出口辊对5与胶束除去处理单元的入口辊对9之间的断液辊对8进行说明。在穿过浸渍槽2的出口辊对5后的基板3中，抗蚀剂层表面被从浸渍槽2带出的薄膜化处理液1的液膜覆盖。通过断液辊对8将薄膜化处理液1的液膜刮掉，并且使该液膜的厚度均匀地一致。将薄膜化处理液1的液膜均匀地一致的基板3向胶束除去处理单元12的入口辊对9运送。

这里，对由薄膜化处理液1带来的抗蚀剂层的成分的胶束化速度进行说明。如果比较浸渍在浸渍槽2中的薄膜化处理液1中的状态、和在穿过浸渍槽2的出口辊对5后抗蚀剂层表面被薄膜化处理液1的液膜覆盖的状态，则后者的胶束化速度变慢。进而，根据薄膜化处理液1的液膜的厚度而胶束化速度不同，液膜更厚者胶束化速度更快。即，通过由断液辊对8使薄膜化处理液1的液膜的厚度均匀地一致，基板3的面内的抗蚀剂层的成分的胶束化速度的速度差成为最小限度，薄膜化处理量变均匀。此外，通过由断液辊对8将不需要的薄膜化处理液1刮掉，抑制薄膜化处理液1向胶束除去处理单元12带入，抑制胶束除去性能的离差，抗蚀剂层的薄膜化处理量变均匀。

重要的是断液辊对8密接在抗蚀剂层表面上。因此，作为断液辊，优选的是使用在表面上没有凹凸的笔直型。作为断液辊的种类，可以举出橡胶辊、海绵辊、金属辊、树脂辊等。其中，优选具有良好的橡胶弹性（密封性、恢复性）、比重较小、轻量、是低硬度到中硬度、因向抗蚀剂层的接触带来的冲击较小、对作为高浓度的碱性水溶液的薄膜化处理液1的耐药性也良好的烯烃系热塑性弹性体的辊。作为烯烃系热塑性弹性体，可以举出THERMORUN（注册商标）。

断液辊对8即使是1对也有效果，但通过用多个辊对连续地进行断液，能够得到更大的效果。具体而言，断液辊对8进行的断液的次数越多，抗蚀剂层上的薄膜化处理液1的液膜的厚度的均匀性越高。在图7中，在浸渍槽2的出口辊对5与胶束除去处理单元12的入口辊对9之间有3对断液辊对8，但是使断液辊对8的数量为多少对是根据薄膜化处理量适当调整的，并不限定于该数量。

浸渍槽的出口辊对5、断液辊对8、胶束除去处理单元的入口辊对9的各自的间隔L优选的是相对于各辊的直径D为超过1倍且在3倍以下（D<L≦3D）。在间隔L是直径D的1倍以下的情况下，有笔直型的断液辊对彼此接触、根据辊的材质而显著地发生辊的磨损的情况。另一方面，如果间隔L变得比直径D的3倍大，则在抗蚀剂层的表层容易发生薄膜化处理液1的液膜的流动，有难以使覆盖量变均匀的情况。

图8是在图7的抗蚀剂层的薄膜化装置中、包括浸渍槽的出口辊对5、断液辊对8及胶束除去处理单元的入口辊对9的部分的放大概略剖视图。D1是浸渍槽的出口辊的直径。D2是断液辊的直径，“-数字”表示从上游侧起的顺序。D3是胶束除去处理单元的入口辊的直径。L1是从浸渍槽的出口辊对5到最初的断液辊对8的间隔。L2是断液辊对间的间隔，“-数字”表示从上游侧起的顺序。L3是从最后的断液辊对8到胶束除去处理单元的入口辊对9的间隔。

D1、D2、D3既可以是相同的值，也可以不同。在断液辊对有3对以上的情况下，各D2既可以是相同的值，也可以不同。例如，图8的D2-1～D2-3既可以是相同的值，也可以不同。此外，L1、L2、L3既可以是相同的值，也可以不同。在断液辊对有3对以上的情况下，各L2既可以是相同的值，也可以不同。例如，图8的L2-1和L2-2既可以是相同的值，也可以不同。

“浸渍槽的出口辊对5、断液辊对8、胶束除去处理单元的入口辊对9的各自的间隔L是相对于各辊的直径D为超过1倍且在3倍以下（D<L≦3D）”，只要在构成间隔L的辊的直径D与间隔L之间成立就可以。即，只要在间隔L1中相对于D1和D2-1为超过1倍且在3倍以下就可以，相对于D2-2、D2-3及D3，该关系也可以不成立。

［L1］

D1<L1≤3D1

D2-1<L1≤3（D2-1）

关于其他间隔也是同样的。

［L2-1］

D2-1<L2-1≤3（D2-1）

D2-2<L2-1≤3（D2-2）。

［L2-2］

D2-2<L2-2≤3（D2-2）

D2-3<L2-2≤3（D2-3）。

［L3］

D2-3<L3≤3（D2-3）

D3<L3≤3D3。

在图9的抗蚀剂层的薄膜化装置中，其特征在于，胶束除去液倒流抑制机构是设置在薄膜化处理单元11内部的浸渍槽的出口辊对5与胶束除去处理单元的入口辊对9之间的防液壁25。胶束除去液10向薄膜化处理单元11倒流，但由于通过防液壁25抑制胶束除去液10倒流到与薄膜化处理液1混合的区域，所以能够防止通过胶束除去液10使薄膜化处理液1的浓度下降。

作为薄膜化处理液1，为了使抗蚀剂层的成分胶束化、使表面更均匀地薄膜化，优选地使用碱性化合物的浓度是5～25质量%的高浓度的碱性水溶液。如果碱性化合物的浓度较低，则有在抗蚀剂层的成分的胶束化的同时发生溶解扩散、在面内在薄膜化处理量上发生离差的情况。通过用防液壁25防止因胶束除去液10的倒流造成的薄膜化处理液1的碱性化合物浓度的下降，能够使基板3的面内的抗蚀剂层的薄膜化处理量变均匀。

防液壁25只要能够将供给到浸渍槽2中的薄膜化处理液1与经过在胶束除去处理单元的入口辊对9中形成的间隙24倒流到薄膜化处理单元11内的胶束除去液10分隔，其形状、厚度及高度能够自由地决定。防液壁25设置在浸渍槽的出口辊对5与胶束除去处理单元的入口辊对9之间，但优选的是设置在辊对彼此的中间位置附近。

被防液壁25隔开的浸渍槽2侧的薄膜化处理液1经过薄膜化处理液回收管16由薄膜化处理液贮藏容器13回收。此外，由防液壁25隔开的胶束除去处理单元侧的胶束除去液10经过胶束除去液回收口26由胶束除去液贮藏容器18回收。

在防液壁25的材料中可以使用对于碱性水溶液有耐受性的各种材料。具体而言，可以使用聚乙烯、聚丙烯、硬质聚氯乙烯、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯（ABS）树脂、聚苯乙烯树脂等的合成树脂、玻璃纤维强化聚丙烯、玻璃纤维强化环氧树脂等的纤维强化塑料、钛、哈司特镍合金（HASTELLOY、注册商标）等的耐腐蚀性金属材料等的材料。在它们之中，由于加工较容易，所以优选的是使用硬质聚氯乙烯。

接着，使用图10对图9的抗蚀剂层的薄膜化装置的更优选的形态详细地说明。图10的抗蚀剂层的薄膜化装置在浸渍槽的出口辊对5与胶束除去处理单元的入口辊对9之间设置有防液壁25及断液辊对8。如在图7中说明那样，通过用断液辊对8使抗蚀剂层表面的薄膜化处理液1的液膜的厚度均匀地一致，基板3的面内的抗蚀剂层的成分的胶束化速度的速度差成为最小限度，薄膜化处理量变均匀。此外，通过断液辊对8将不需要的薄膜化处理液1刮掉。被刮掉的薄膜化处理液1向薄膜化处理单元11内流下，但由于向由防液壁25隔开的浸渍槽2侧流下，所以薄膜化处理液1向胶束除去处理单元12的带入被抑制，胶束除去性能的离差被抑制，抗蚀剂层的薄膜化处理量变得均匀。

此外，通过断液辊对8，当基板3穿过胶束除去处理单元的入口辊对9时，能够将经过形成在该入口辊对9上的间隙24向薄膜化处理单元内倒流的胶束除去液10挡住。被挡住的胶束除去液10向薄膜化处理单元11内流下，但由于向被防液壁25隔开的胶束除去处理单元12侧流下，所以与薄膜化处理液1的混合被抑制在最小限度。因此，在连续薄膜化处理中也能够进行均匀的抗蚀剂层的薄膜化处理。

对于断液辊对8，如在图7中也说明那样，重要的是密接在抗蚀剂层表面上。断液辊优选的是使用在表面上没有凹凸的笔直型。作为断液辊的种类，可以举出橡胶辊、海绵辊、金属辊、树脂辊等。其中，优选具有良好的橡胶弹性（密封性、恢复性）、比重较小、轻量、是低硬度到中硬度、因向抗蚀剂层的接触带来的冲击较小、对作为高浓度的碱性水溶液的薄膜化处理液1的耐药性也良好的烯烃系热塑性弹性体的辊。作为烯烃系热塑性弹性体，可以举出THERMORUN（注册商标）。

此外，如在图7中也说明那样，断液辊对8即使是1对也有效果，但通过用多个辊对连续地进行薄膜化处理液1的断液及胶束除去液10的挡住，能够得到更大的效果。具体而言，由断液辊对8进行断液及挡住的次数越多，薄膜化处理液1和胶束除去液10的混合越被抑制，基板3的面内的抗蚀剂层的薄膜化处理量越均匀。图11所示的薄膜化装置在浸渍槽2的出口辊对5与胶束除去处理单元12的入口辊对9之间有3对断液辊对8，在第2对的断液辊对的正下方设置有防液壁25。对断液辊对8与防液壁25的位置关系进行说明。防液壁25既可以处于断液辊对8的下方，也可以处于各辊对彼此之间，但优选的是处于断液辊对8的正下方。使断液辊对8的数量为几对是根据薄膜化处理条件适当调整的，并没有被限定。

在图12的抗蚀剂层的薄膜化装置中，其特征在于，具有运送在表面上形成有抗蚀剂层的基板3的运送辊，胶束除去处理单元12具有用来供给胶束除去液10的胶束除去液供给喷雾22，在薄膜化处理单元的出口辊对29和胶束除去处理单元的入口辊对9的两者上设置有胶束除去液截断罩27。此外，其特征在于，在设置在胶束除去处理单元的入口辊对9的下侧辊上的胶束除去液截断罩27上设有开口28。进而，其特征在于，在薄膜化处理单元11内部的浸渍槽的出口辊对5与胶束除去处理单元的入口辊对9之间设置有断液辊对8及防液壁25。另外，由防液壁25隔开的胶束除去处理单元侧的胶束除去液10经过胶束除去液回收口26由胶束除去液贮藏容器18回收。

运送辊对4除了能够运送基板3以外，还优选的是密接在抗蚀剂层表面上。运送辊优选的是使用在表面上没有凹凸的笔直型。作为运送辊的种类，可以举出橡胶辊、海绵辊、金属辊、树脂辊等。其中，优选具有良好的橡胶弹性（密封性、恢复性）、比重较小、轻量、是低硬度到中硬度、因向抗蚀剂层的接触带来的冲击较小、对作为高浓度的碱性水溶液的薄膜化处理液1的耐药性也良好的烯烃系热塑性弹性体的辊。作为烯烃系热塑性弹性体，可以举出THERMORUN（注册商标）。此外，运送辊的设置位置及个数，只要能够运送基板3就可以，并不特别限定于图1～图4、图7～图12所示的设置位置及个数。

浸渍槽的出口辊对5、边界部的运送辊对6、胶束除去处理单元的入口辊对9也适合使用与运送辊对4相同的种类、功能、物性的辊对。特别是，浸渍槽的出口辊对5为了浸渍槽2中的薄膜化处理液1的液面维持及将覆盖在抗蚀剂层表面上的薄膜化处理液1的液膜刮掉的断液而使用。此外，边界部的运送辊对6为了抑制薄膜化处理液1向胶束除去处理单元12的带入和胶束除去液10向薄膜化处理单元11的倒流而使用。胶束除去处理单元的入口辊对9主要为了将向薄膜化处理单元内倒流来的胶束除去液10挡住而使用。

［实施例］

以下根据实施例进一步详细说明本实用新型，但本实用新型不限定于该实施例。

（实施例1）

在玻璃基材环氧树脂基板（面积510mm×340mm，铜箔厚度12μm，基材厚度0.2mm，三菱瓦斯化学社（MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.）制，商品名：CCL-E170）上，使用干膜抗蚀剂用层压装置而热压接干膜抗蚀剂（日立化成工业社（Hitachi Chemical Co.，Ltd.）制，商品名：RY3625，厚度25μm），形成抗蚀剂层。

接着，在将干膜抗蚀剂的载体膜剥离后，通过具有具备浸渍槽2的薄膜化处理单元11、和用胶束除去液10将胶束除去的胶束除去处理单元12的抗蚀剂层的薄膜化装置（图1），使抗蚀剂层薄膜化。

在抗蚀剂层的薄膜化装置中，在薄膜化处理单元11和胶束除去处理单元12的边界部的运送辊对6（直径40mm）上，设置有胶束除去液截断罩27（厚度5mm的透明丙烯树脂制，宽度650mm×高度50mm×进深25mm的L字型，设置在薄膜化处理单元11侧和胶束除去处理单元12侧的两侧）。作为薄膜化处理液1（碱性水溶液）而使用10质量%的碳酸钠水溶液（液温度25℃），以浸渍槽2中的浸渍处理时间为30秒、行进从浸渍槽的出口辊对5到边界部的运送辊对6的距离（90mm）的时间为4秒的方式进行薄膜化处理。然后，在胶束除去处理单元12中，将不溶化的胶束除去，使抗蚀剂层薄膜化。

在水洗处理及干燥处理后，将抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是13.0μm，最小值是11.0μm，平均厚度是12.0μm。此外，利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层的表面，确认是没有处理不均的平滑的薄膜化处理面。

（实施例2）

在胶束除去液截断罩27（厚度5mm的透明丙烯树脂制，宽度650mm×高度50mm×进深25mm的L字型，设置在薄膜化处理单元11侧和胶束除去处理单元12侧的两侧）中，在设置在下侧辊的胶束除去处理单元12侧的胶束除去液截断罩27中，使用相对于宽度方向以55mm间隔直线状配置有直径25mm的开口28的抗蚀剂层的薄膜化装置（图2），除了这一点以外，与实施例1同样，使抗蚀剂层薄膜化。

在水洗处理及干燥处理后，将抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是13.0μm，最小值是11.0μm，平均厚度是12.0μm。此外，利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层的表面，确认是没有处理不均的平滑的薄膜化处理面。

（比较例1）

在玻璃基材环氧树脂基板（面积510mm×340mm，铜箔厚度12μm，基材厚度0.2mm，三菱瓦斯化学社（MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.）制，商品名：CCL-E170）上，使用干膜抗蚀剂用层压装置而热压接干膜抗蚀剂（日立化成工业社（Hitachi Chemical Co.，Ltd.）制，商品名：RY3625，厚度25μm），形成抗蚀剂层。

接着，在将干膜抗蚀剂的载体膜剥离后，通过具有具备浸渍槽2的薄膜化处理单元11、和用胶束除去液10将胶束除去的胶束除去处理单元12的抗蚀剂层的薄膜化装置（图13），使抗蚀剂层薄膜化。

在抗蚀剂层的薄膜化装置中，在薄膜化处理单元11与胶束除去处理单元12的边界部的运送辊对6（直径40mm）上没有设置胶束除去液截断罩27。作为薄膜化处理液1（碱性水溶液）而使用10质量%的碳酸钠水溶液（液温度25℃），以浸渍槽2中的浸渍处理时间为30秒、行进从浸渍槽的出口辊对5到边界部的运送辊对6的距离（90mm）的时间为4秒的方式进行薄膜化处理。然后，在胶束除去处理单元12中，将不溶化的胶束除去，将抗蚀剂层薄膜化。在薄膜化中途的边界部的运送辊对6上附着有胶束除去液10，进而，越过边界部的运送辊对6后的胶束除去液10接触在比边界部的运送辊对6靠上游的基板3上。

在水洗处理及干燥处理后，将抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是13.0μm，最小值是6.0μm，平均厚度是10.0μm。此外，利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层的表面，在比边界部的运送辊对6靠上游，基板3上发生起因于胶束除去液10接触的薄膜化处理的不均。

（实施例3）

在玻璃基材环氧树脂基板（面积510mm×340mm，铜箔厚度12μm，基材厚度0.2mm，三菱瓦斯化学社（MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.）制，商品名：CCL-E170）上，使用干膜抗蚀剂用层压装置而热压接干膜抗蚀剂（日立化成工业社（Hitachi Chemical Co.，Ltd.）制，商品名：RY3625，厚度25μm），形成抗蚀剂层。

接着，在将干膜抗蚀剂的载体膜剥离后，通过具有具备浸渍槽2的薄膜化处理单元11、和用胶束除去液10将胶束除去的胶束除去处理单元12的抗蚀剂层的薄膜化装置（图3），使抗蚀剂层薄膜化。

在抗蚀剂层的薄膜化装置中，在胶束除去处理单元的入口辊对9（直径40mm）上设置有胶束除去液截断罩27（厚度5mm的透明丙烯树脂制，宽度650mm×高度50mm×进深50mm的L字型）。作为薄膜化处理液1（碱性水溶液）而使用10质量%的碳酸钠水溶液（液温度25℃），以浸渍槽2中的浸渍处理时间为20秒、行进从浸渍槽的出口辊对5到胶束除去处理单元12的入口辊对9的距离（90mm）的时间为4秒的方式进行薄膜化处理。然后，在胶束除去处理单元12中，将不溶化的胶束除去，将抗蚀剂层薄膜化。

在水洗处理及干燥处理后，将抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是10.0μm，最小值是6.5μm，平均厚度是8.5μm。此外，利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层的表面，确认没有处理不均，是平滑的面。

接着，在与第1片的薄膜化处理相同的条件下，连续20片将抗蚀剂层薄膜化。在水洗处理及干燥处理后，将第20片基板的抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是11.0μm，最小值是6.5μm，平均厚度是9.0μm，确认了在连续处理中薄膜化处理量也稳定。

（实施例4）

在胶束除去液截断罩27（厚度5mm的透明丙烯树脂制，宽度650mm×高度50mm×进深50mm的L字型）中，在设置在入口辊对9的下侧辊上的胶束除去液截断罩27中，使用在下侧辊的正下方的位置上相对于宽度方向以55mm间隔直线状配置有直径25mm的开口28的抗蚀剂层的薄膜化装置（图4），除了这一点以外，与实施例3同样，将抗蚀剂层薄膜化。

在水洗处理及干燥处理后，将抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是10.0μm，最小值是6.5μm，平均厚度是8.5μm。此外，利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层的表面，确认没有处理不均，是平滑的面。

接着，在与第1片的薄膜化处理相同的条件下，连续20片将抗蚀剂层薄膜化。在水洗处理及干燥处理后，将第20片基板的抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是10.5μm，最小值是6.5μm，平均厚度是8.5μm，确认了在连续处理中薄膜化处理量也稳定。此外，与在胶束除去液截断罩27上不存在开口的实施例3比较，确认了连续处理中的薄膜化处理量更稳定。

（比较例2）

在玻璃基材环氧树脂基板（面积510mm×340mm，铜箔厚度12μm，基材厚度0.2mm，三菱瓦斯化学社（MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.）制，商品名：CCL-E170）上，使用干膜抗蚀剂用层压装置而热压接干膜抗蚀剂（日立化成工业社（Hitachi Chemical Co.，Ltd.）制，商品名：RY3625，厚度25μm），形成抗蚀剂层。

接着，在将干膜抗蚀剂的载体膜剥离后，通过具有具备浸渍槽2的薄膜化处理单元11、和用胶束除去液10将胶束除去的胶束除去处理单元12的抗蚀剂层的薄膜化装置，使抗蚀剂层薄膜化。

在抗蚀剂层的薄膜化装置中，在胶束除去处理单元的入口辊对9（直径40mm）上没有设置胶束除去液截断罩27。作为薄膜化处理液1（碱性水溶液）而使用10质量%的碳酸钠水溶液（液温度25℃），以浸渍槽2中的浸渍处理时间为20秒、行进从浸渍槽的出口辊对5到胶束除去处理单元12的入口辊对9的距离（90mm）的时间为4秒的方式进行了薄膜化处理。然后，在胶束除去处理单元12中，将不溶化的胶束除去，将抗蚀剂层薄膜化。

在薄膜化中途，在胶束除去处理单元的入口辊对9上附着有胶束除去液10，确认了在穿过胶束除去处理单元的入口辊对9前，胶束除去液10接触在基板3上的抗蚀剂层上。

在水洗处理及干燥处理后，将抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是9.0μm，最小值是5.5μm，平均厚度是7.5μm。此外，利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层的表面，在比入口辊对9靠上游，在基板3上发生了起因于胶束除去液10接触的薄膜化处理的不均。

接着，在与第1片的薄膜化处理相同的条件下，连续20片将抗蚀剂层薄膜化。在水洗处理及干燥处理后，将第20片基板的抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是10.5μm，最小值是4.5μm，平均厚度是8.0μm。确认了在薄膜化处理结束后、因胶束除去液10倒流到薄膜化处理单元11内造成的薄膜化处理液1的液量的增加，除了起因于上述胶束除去液10接触的薄膜化处理的不均以外，还发生了被认为起因于薄膜化处理液1的浓度下降的薄膜化处理的不均。

（实施例5）

在玻璃基材环氧树脂基板（面积510mm×340mm，铜箔厚度12μm，基材厚度0.2mm，三菱瓦斯化学社（MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.）制，商品名：CCL-E170）上，使用干膜抗蚀剂用层压装置而热压接干膜抗蚀剂（日立化成工业社（Hitachi Chemical Co.，Ltd.）制，商品名：RY3625，厚度25μm），形成抗蚀剂层。

接着，在将干膜抗蚀剂的载体膜剥离后，通过具有具备浸渍槽2的薄膜化处理单元11、和用胶束除去液10将胶束除去的胶束除去处理单元12的抗蚀剂层的薄膜化装置，使抗蚀剂层薄膜化。

在抗蚀剂层的薄膜化装置中，在浸渍槽的出口辊对5（直径D1：40mm）与胶束除去处理单元的入口辊对9（直径D3：40mm）之间，设置有4对断液辊对8（直径D2：40mm），各辊对彼此的间隔L全部是45mm。作为薄膜化处理液1（碱性水溶液）而使用10质量%的碳酸钠水溶液（液温度25℃），以浸渍槽2中的浸渍处理时间为20秒、从浸渍槽的出口辊对5穿过4对断液辊、行进到胶束除去处理单元的入口辊对9的距离（45mm×5=225mm）的时间为10秒的方式进行了薄膜化处理。然后，在胶束除去处理单元12中，将不溶化的胶束除去，将抗蚀剂层薄膜化。

在水洗处理及干燥处理后，将抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是11.0μm，最小值是9.0μm，平均厚度是10.0μm。此外，利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层的表面，确认没有处理不均，是平滑的面。

（实施例6）

在浸渍槽的出口辊对5（直径D1：40mm）与胶束除去处理单元的入口辊对9（直径：D3：40mm）之间，设置有3对断液辊对8（直径D2：40mm），使用各辊对彼此的间隔L全部是56.25mm的抗蚀剂层的薄膜化装置（图7），除此以外，通过与实施例5相同的方法，将抗蚀剂层薄膜化。

在水洗处理及干燥处理后，将抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是11.5μm，最小值是9.0μm，平均厚度是10.0μm。此外，利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层的表面，确认没有处理不均，是平滑的面。

（实施例7）

在浸渍槽的出口辊对5（直径D1：40mm）与胶束除去处理单元的入口辊对9（直径：D3：40mm）之间，设置有2对断液辊对（直径D2：40mm），使用各辊对彼此的间隔L全部是75mm的抗蚀剂层的薄膜化装置，除此以外，通过与实施例5相同的方法，将抗蚀剂层薄膜化。

在水洗处理及干燥处理后，将抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是12.0μm，最小值是8.5μm，平均厚度是10.5μm。此外，利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层的表面，确认没有处理不均，是平滑的面。

（实施例8）

在浸渍槽的出口辊对5（直径D1：40mm）与胶束除去处理单元的入口辊对9（直径D3：40mm）之间，设置有1对断液辊对8（直径D2：40mm），使用各辊对彼此的间隔L全部是112.5mm的抗蚀剂层的薄膜化装置，除此以外，通过与实施例5相同的方法，将抗蚀剂层薄膜化。

在水洗处理及干燥处理后，将抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是12.5μm，最小值是8.0μm，平均厚度是11.0μm。此外，利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层的表面，确认没有处理不均，是平滑的面。

（实施例9）

在浸渍槽的出口辊对5（直径D1：40mm）与胶束除去处理单元的入口辊对9（直径D3：40mm）之间，设置有2对断液辊对8（直径D2：40mm），使用浸渍槽的出口辊对5与最初的断液辊对8的间隔L1是135mm、2对断液辊对8彼此的间隔L2是45mm、断液辊对8与胶束除去处理单元的入口辊对9的间隔L3是45mm的抗蚀剂层的薄膜化装置，除此以外，通过与实施例5相同的方法，将抗蚀剂层薄膜化。

在水洗处理及干燥处理后，将抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是13.0μm，最小值是7.5μm，平均厚度是11.5μm。此外，利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层的表面，确认没有处理不均，是平滑的面。

比较实施例5～9可知，在浸渍槽的出口辊对5、断液辊对8、胶束除去处理单元的入口辊对9的各自的间隔L相对于各辊的直径D为超过1倍且在3倍以下（D<L≦3D）的实施例5～8中，抗蚀剂层的薄膜化处理量更均匀。

（比较例3）

在玻璃基材环氧树脂基板（面积510mm×340mm，铜箔厚度12μm，基材厚度0.2mm，三菱瓦斯化学社（MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.）制，商品名：CCL-E170）上，使用干膜抗蚀剂用层压装置而热压接干膜抗蚀剂（日立化成工业社（Hitachi Chemical Co.，Ltd.）制，商品名：RY3625，厚度25μm），形成抗蚀剂层。

接着，在将干膜抗蚀剂的载体膜剥离后，通过具有具备浸渍槽2的薄膜化处理单元11、和用胶束除去液10将胶束除去的胶束除去处理单元12的抗蚀剂层的薄膜化装置，使抗蚀剂层薄膜化。

在抗蚀剂层的薄膜化装置中，在浸渍槽的出口辊对5（直径D1：40mm）与胶束除去处理单元的入口辊对9（直径D3：40mm）之间没有断液辊对8，各辊对彼此的间隔L是45mm。作为薄膜化处理液1（碱性水溶液）而使用10质量%的碳酸钠水溶液（液温度25℃），以浸渍槽2中的浸渍处理时间是20秒、行进从浸渍槽的出口辊对5到胶束除去处理单元的入口辊对9的距离（45mm）的时间为2秒的方式进行薄膜化处理。然后，通过胶束除去处理单元12将不溶化胶束除去，将抗蚀剂层薄膜化。

在水洗处理及干燥处理后，将抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是9.0μm，最小值是6.5μm，平均厚度是8.0μm。但是，在薄膜化处理结束后，确认了从浸渍槽2带出的薄膜化处理液1被大量带入到胶束除去处理单元12中，胶束除去液10的pH急剧上升。在此状态下，将下个基板3投入，胶束除去液10的pH较高，除此以外，通过与上述相同的方法，将抗蚀剂层薄膜化。在水洗处理及干燥处理后，将抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是10.5μm，最小值是4.0μm，平均厚度是7.5μm，发生了被认为起因于高pH的胶束除去液接触的处理不均。此外，在薄膜化处理结束后，胶束除去液10的pH比第1片的基板处理后进一步上升。

（比较例4）

没有断液辊对8，辊对彼此的间隔L是135mm，以行进从浸渍槽的出口辊对5到胶束除去处理单元的入口辊对9的距离（135mm）的时间为6秒的方式进行薄膜化处理，除此以外，通过与比较例3相同的方法将抗蚀剂层薄膜化。

在水洗处理及干燥处理后，将抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是11.5μm，最小值是6.0μm，平均厚度是9.5μm。但是，在薄膜化处理结束后，确认了从浸渍槽2带出的薄膜化处理液1被大量带入到胶束除去处理单元12中，胶束除去液10的pH急剧上升。在此状态下，将下个基板3投入，胶束除去液10的pH较高，除此以外，通过与上述相同的方法，将抗蚀剂层薄膜化。在水洗处理及干燥处理后，将抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是11.0μm，最小值是5.0μm，平均厚度是8.5μm，除了发生了起因于高pH的胶束除去液接触的处理不均，还发生了被认为起因于薄膜化处理液流动的处理不均。此外，在薄膜化处理结束后，胶束除去液10的pH比第1片的基板处理后进一步上升。

（实施例10）

在玻璃基材环氧树脂基板（面积510mm×340mm，铜箔厚度12μm，基材厚度1.6mm，三菱瓦斯化学社（MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.）制，商品名：CCL-E170）上，使用干膜抗蚀剂用层压装置而热压接干膜抗蚀剂（日立化成工业社（Hitachi Chemical Co.，Ltd.）制，商品名：RY3625，厚度25μm），形成抗蚀剂层。

接着，在将干膜抗蚀剂的载体膜剥离后，通过具有具备浸渍槽2的薄膜化处理单元11、和用胶束除去液10将胶束除去的胶束除去处理单元12的抗蚀剂层的薄膜化装置（图9），使抗蚀剂层薄膜化。

在抗蚀剂层的薄膜化装置中，在浸渍槽的出口辊对5（直径40mm）与胶束除去处理单元的入口辊对9（直径40mm）之间，设置有高度100mm的防液壁25。浸渍槽的出口辊对5与胶束除去处理单元的入口辊对9的间隔是90mm，防液壁25设置在辊对彼此的中间（45mm位置）。辊对相对于高度100mm的防液壁25设置成到下侧辊的轴中心的高度为125mm。作为薄膜化处理液1（碱性水溶液）而使用10质量%的碳酸钠水溶液（液温度25℃），以浸渍槽2中的浸渍处理时间为20秒、行进从浸渍槽的出口辊对5到胶束除去处理单元的入口辊对9的距离（90mm）的时间为4秒的方式进行薄膜化处理。然后，在胶束除去处理单元12中，将不溶化的胶束除去，将抗蚀剂层薄膜化。

在水洗处理及干燥处理后，将抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是10.0μm，最小值是6.5μm，平均厚度是8.5μm。此外，利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层的表面，确认没有处理不均，是平滑的面。

接着，在与第1片的薄膜化处理相同的条件下，连续20片将抗蚀剂层薄膜化。在水洗处理及干燥处理后，将第20片基板的抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是10.5μm，最小值是6.5μm，平均厚度是8.5μm，确认了在连续处理中薄膜化处理量也稳定。

（实施例11）

除了使用在浸渍槽的出口辊对5与胶束除去处理单元的入口辊对9之间，以辊对彼此的间隔45mm设置有1对断液辊对8（直径40mm）的抗蚀剂层的薄膜化装置（图10）以外，通过与实施例10相同的方法，将抗蚀剂层薄膜化。

在水洗处理及干燥处理后，将抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是9.0μm，最小值是7.0μm，平均厚度是8.0μm。此外，利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层的表面，确认没有处理不均，是平滑的面。

接着，在与第1片的薄膜化处理相同的条件下，连续20片将抗蚀剂层薄膜化。在水洗处理及干燥处理后，将第20片基板的抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是9.0μm，最小值是7.0μm，平均厚度是8.0μm，确认了在连续处理中薄膜化处理量也稳定。

（实施例12）

通过在浸渍槽的出口辊对5与胶束除去处理单元的入口辊对9之间，以辊对彼此的间隔45mm设置有3对断液辊对8（直径40mm）的抗蚀剂层的薄膜化装置（图11），将抗蚀剂层薄膜化。浸渍槽的出口辊对5与胶束除去处理单元的入口辊对9的间隔是180mm，防液壁25设置在第2对断液辊对8的正下方（90mm位置）。行进从浸渍槽的出口辊对5到胶束除去处理单元的入口辊对9的距离（180mm）的时间为8秒，除此以外，通过与实施例10相同的方法，将抗蚀剂层薄膜化。

在水洗处理及干燥处理后，将抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是10.5μm，最小值是8.5μm，平均厚度是9.5μm。此外，利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层的表面，确认没有处理不均，是平滑的面。

接着，在与第1片的薄膜化处理相同的条件下，连续20片将抗蚀剂层薄膜化。在水洗处理及干燥处理后，将第20片基板的抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是10.5μm，最小值是8.5μm，平均厚度是9.5μm，确认了在连续处理中薄膜化处理量也稳定。

（实施例13）

通过在浸渍槽的出口辊对5与胶束除去处理单元的入口辊对9之间，以辊对彼此的间隔45mm设置有3对断液辊对8（直径40mm）的抗蚀剂层的薄膜化装置，将抗蚀剂层薄膜化。浸渍槽的出口辊对5与胶束除去处理单元的入口辊对9的间隔是180mm，防液壁25设置在第1对与第2对断液辊对8的中间（距浸渍槽的出口辊对5为67.5mm的位置），除此以外，通过与实施例12相同的方法，将抗蚀剂层薄膜化。

在水洗处理及干燥处理后，将抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是10.5μm，最小值是8.5μm，平均厚度是9.5μm。此外，利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层的表面，确认没有处理不均，是平滑的面。

接着，在与第1片的薄膜化处理相同的条件下，连续20片将抗蚀剂层薄膜化。在水洗处理及干燥处理后，将第20片基板的抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是10.5μm，最小值是8.5μm，平均厚度是9.5μm，确认了在连续处理中薄膜化处理量也稳定。

（比较例5）

在玻璃基材环氧树脂基板（面积510mm×340mm，铜箔厚度12μm，基材厚度1.6mm，三菱瓦斯化学社（MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.）制，商品名：CCL-E170）上，使用干膜抗蚀剂用层压装置而热压接干膜抗蚀剂（日立化成工业社（Hitachi Chemical Co.，Ltd.）制，商品名：RY3625，厚度25μm），形成抗蚀剂层。

接着，在将干膜抗蚀剂的载体膜剥离后，通过具有具备浸渍槽2的薄膜化处理单元11、和用胶束除去液10将胶束除去的胶束除去处理单元12的抗蚀剂层的薄膜化装置，使抗蚀剂层薄膜化。

在抗蚀剂层的薄膜化装置中，在浸渍槽的出口辊对5（直径40mm）与胶束除去处理单元的入口辊对9（直径40mm）之间没有防液壁25，浸渍槽的出口辊对5与胶束除去处理单元的入口辊对9的间隔是90mm。作为薄膜化处理液1（碱性水溶液）而使用10质量%的碳酸钠水溶液（液温度25℃），以浸渍槽2中的浸渍处理时间为20秒、行进从浸渍槽的出口辊对5到胶束除去处理单元的入口辊对9的距离（90mm）的时间为4秒的方式进行薄膜化处理。然后，在胶束除去处理单元12中，将不溶化的胶束除去，将抗蚀剂层薄膜化。

在水洗处理及干燥处理后，将抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是9.0μm，最小值是5.5μm，平均厚度是7.5μm。此外，利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层的表面，确认没有处理不均，是平滑的面。

接着，在与第1片的薄膜化处理相同的条件下，连续20片将抗蚀剂层薄膜化。在水洗处理及干燥处理后，将第20片基板的抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是10.5μm，最小值是4.5μm，平均厚度是8.0μm。此外，确认了在薄膜化处理结束后、因胶束除去液10倒流到薄膜化处理单元11内造成的薄膜化处理液1的液量的增加、因从浸渍槽2带出的薄膜化处理液1被带入到胶束除去处理单元12中造成的胶束除去液的pH的上升。因此，在抗蚀剂层中，除了发生了被认为起因于薄膜化处理液1的浓度下降的处理不均以外，还发生了被认为起因于高pH的胶束除去液10接触的处理不均。

（实施例14）

在玻璃基材环氧树脂基板（面积510mm×340mm，铜箔厚度12μm，基材厚度1.6mm，三菱瓦斯化学社（MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY，INC.）制，商品名：CCL-E170）上，使用干膜抗蚀剂用层压装置而热压接干膜抗蚀剂（日立化成工业社（Hitachi Chemical Co.，Ltd.）制，商品名：RY3625，厚度25μm），形成抗蚀剂层。

接着，在将干膜抗蚀剂的载体膜剥离后，通过具有具备浸渍槽2的薄膜化处理单元11、和用胶束除去液10将胶束除去的胶束除去处理单元12的抗蚀剂层的薄膜化装置（图12），使抗蚀剂层薄膜化。

在抗蚀剂层的薄膜化装置中，在薄膜化处理单元的出口辊对29（直径40mm）与胶束除去处理单元的入口辊对9（直径40mm）的两者上设置胶束除去液截断罩27（厚度5mm的透明丙烯树脂制，宽度650mm×高度50mm×进深50mm的L字型），在设置在胶束除去处理单元的入口辊对9的下侧辊上的胶束除去液截断罩27上，在下侧辊的正下方的位置上，相对于宽度方向以55mm间隔直线状配置有直径25mm的开口28。

此外，在浸渍槽的出口辊对5（直径40mm）与胶束除去处理单元的入口辊对9之间，以辊对彼此的间隔45mm设置有2对断液辊对8（直径40mm）。浸渍槽的出口辊对5与胶束除去处理单元的入口辊对9的间隔是180mm，防液壁25设置在第2对的断液辊对8的正下方（90mm位置）。辊对相对于高度100mm的防液壁25设置成到下侧辊的轴中心的高度为125mm。

通过这样的抗蚀剂层的薄膜化装置，作为薄膜化处理液1（碱性水溶液）而使用10质量%的碳酸钠水溶液（液温度25℃），以浸渍槽2中的浸渍处理时间为20秒、从浸渍槽的出口辊对5穿过3对断液辊、行进到胶束除去处理单元的入口辊对9的距离（180mm）的时间为8秒的方式进行薄膜化处理。然后，在胶束除去处理单元12中，将不溶化的胶束除去，将抗蚀剂层薄膜化。

在水洗处理及干燥处理后，将抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是10.0μm，最小值是8.5μm，平均厚度是9.5μm。此外，利用光学显微镜观察薄膜化后的抗蚀剂层的表面，确认没有处理不均，是平滑的面。

接着，在与第1片的薄膜化处理相同的条件下，连续20片将抗蚀剂层薄膜化。在水洗处理及干燥处理后，将第20片基板的抗蚀剂层的薄膜化部的厚度测量10个点，最大值是10.0μm，最小值是8.5μm，平均厚度是9.5μm，确认了在连续处理中薄膜化处理量也稳定。

本实用新型的抗蚀剂层的薄膜化装置能够用于印刷配线板及引线框的回路基板的制作、或具备倒装片连接用的连接焊盘的组装基板的制作中形成抗蚀剂图案的用途。

Claims (10)

1.一种抗蚀剂层的薄膜化装置，

具备通过薄膜化处理液使抗蚀剂层中的成分胶束化的薄膜化处理单元，和通过胶束除去液将胶束除去的胶束除去处理单元，

具有运送在表面上形成有抗蚀剂层的基板的运送辊，

薄膜化处理单元具有装入薄膜化处理液的浸渍槽，

胶束除去处理单元具有用来供给胶束除去液的胶束除去液供给喷雾，

其特征在于，

设置有从胶束除去液倒流抑制机构及薄膜化处理液带出抑制机构选择的至少一种机构。

2.如权利要求1所述的抗蚀剂层的薄膜化装置，其特征在于，

胶束除去液倒流抑制机构是设置在薄膜化处理单元和胶束除去处理单元的边界部的运送辊对上的胶束除去液截断罩。

3.如权利要求2所述的抗蚀剂层的薄膜化装置，其特征在于，

在设置在薄膜化处理单元和胶束除去处理单元的边界部的运送辊对的下侧辊上的胶束除去液截断罩上设有开口。

4.如权利要求1所述的抗蚀剂层的薄膜化装置，其特征在于，

胶束除去液倒流抑制机构是设置在胶束除去处理单元的入口辊对上的胶束除去液截断罩。

5.如权利要求1所述的抗蚀剂层的薄膜化装置，其特征在于，

薄膜化处理液带出抑制机构是设置在浸渍槽的出口辊对与胶束除去处理单元的入口辊对之间的断液辊对。

6.如权利要求1所述的抗蚀剂层的薄膜化装置，其特征在于，

胶束除去液倒流抑制机构是设置在该浸渍槽的出口辊对与胶束除去处理单元的入口辊对之间的防液壁。

7.如权利要求6所述的抗蚀剂层的薄膜化装置，其特征在于，

在浸渍槽的出口辊对与胶束除去处理单元的入口辊对之间设置有断液辊对。

8.如权利要求7所述的抗蚀剂层的薄膜化装置，其特征在于，

在胶束除去处理单元的入口辊对上设置有胶束除去液截断罩。

9.如权利要求4或8所述的抗蚀剂层的薄膜化装置，其特征在于，

在设置在胶束除去处理单元的入口辊对的下侧辊上的胶束除去液截断罩上设有开口。

10..如权利要求5、7、8的任一项所述的抗蚀剂层的薄膜化装置，其特征在于，

浸渍槽的出口辊对、断液辊对、胶束除去处理单元的入口辊对的各自的间隔L相对于各辊的直径D为超过1倍且在3倍以下、即D<L≦3D。

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