KR200482351Y1 - 레지스트층의 박막화 처리 장치 - Google Patents

레지스트층의 박막화 처리 장치 Download PDF

Info

Publication number
KR200482351Y1
KR200482351Y1 KR2020130000896U KR20130000896U KR200482351Y1 KR 200482351 Y1 KR200482351 Y1 KR 200482351Y1 KR 2020130000896 U KR2020130000896 U KR 2020130000896U KR 20130000896 U KR20130000896 U KR 20130000896U KR 200482351 Y1 KR200482351 Y1 KR 200482351Y1
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
aqueous solution
alkaline aqueous
resist layer
alkaline
thinning
Prior art date
Application number
KR2020130000896U
Other languages
English (en)
Other versions
KR20130004980U (ko
Inventor
유지 도요다
노리히코 고칸
노리유키 가와이
무네토시 이리사와
구니히토 가지야
구니히로 나카가와
Original Assignee
미쓰비시 세이시 가부시키가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 미쓰비시 세이시 가부시키가이샤 filed Critical 미쓰비시 세이시 가부시키가이샤
Publication of KR20130004980U publication Critical patent/KR20130004980U/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR200482351Y1 publication Critical patent/KR200482351Y1/ko

Links

Images

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/265Selective reaction with inorganic or organometallic reagents after image-wise exposure, e.g. silylation
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • H01L21/0274Photolithographic processes
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/673Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere using specially adapted carriers or holders; Fixing the workpieces on such carriers or holders
    • H01L21/6735Closed carriers
    • H01L21/67359Closed carriers specially adapted for containing masks, reticles or pellicles
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/285Permanent coating compositions
    • H05K3/287Photosensitive compositions

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)

Abstract

(과제)
본 고안의 과제는, 레지스트 패턴의 형성에 있어서의 해상성과 추종성의 문제를 해결하면서, 레지스트층의 박막화 처리에서 문제가 되는 기포에 의한 처리 불균일의 문제를 해결할 수 있는 레지스트층의 박막화 처리 장치를 제공하는 것이다.
(해결수단)
알칼리 수용액에 의해 레지스트층을 박막화 처리하기 위한 딥조와, 레지스트층이 형성된 기판을 알칼리 수용액 중에 침지된 채의 상태에서 반송하는 반송롤 쌍을 구비하여 이루어지는 레지스트층의 박막화 처리 장치로서, 레지스트층의 박막화 처리 장치에 기포 억제 장치가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 레지스트층의 박막화 처리 장치.

Description

레지스트층의 박막화 처리 장치{APPARATUS FOR THIN FILMING RESIST LAYER}
본 고안은 레지스트층의 박막화 처리 장치에 관한 것이다.
전기 및 전자 부품의 소형화, 경량화, 다기능화에 따라, 회로 형성용 드라이 필름 레지스트, 솔더 레지스트를 비롯한 감광성 수지 (감광성 재료) 에는, 프린트 배선판의 고밀도화에 대응하기 위한 고해상도가 요구되고 있다. 이들 감광성 재료는, 원료가 되는 감광성 수지를 노광 후, 현상하여 화상 형성함으로써 제조된다.
프린트 배선판의 소형화, 고기능화에 대응하기 위해, 감광성 수지는 박막화의 경향이 있다. 감광성 수지에는 액을 도포하여 사용하는 타입의 것 (액상 레지스트) 과 드라이 필름 타입의 것 (드라이 필름 레지스트) 이 있다. 최근에는 15 ㎛ 이하의 두께의 드라이 필름 레지스트가 개발되어, 제품화도 진행되고 있다. 그러나, 이러한 얇은 드라이 필름 레지스트에서는, 종래의 두께의 레지스트에 비해, 밀착성 및 요철에 대한 추종성이 불충분해져, 박리나 보이드 등이 발생할 문제가 있었다.
상기 서술한 점을 개선하기 위해, 두꺼운 감광성 수지를 사용하면서, 고해상도를 달성할 수 있는 여러 가지 수단이 제안되어 있다. 예를 들어, 서브트랙티브법에 의해 도전 패턴을 제조하는 방법에 있어서, 절연층의 편면 또는 양면에 금속층이 형성되어 이루어지는 적층 기판 상에 드라이 필름 레지스트를 첩부하여 레지스트층을 형성한 후, 레지스트층의 박막화 공정을 실시하고, 다음으로, 회로 패턴의 노광 공정, 현상 공정, 에칭 공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 도전 패턴의 형성 방법이 개시되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 1 참조). 또한, 솔더 레지스트 패턴을 형성하는 방법에 있어서, 도전 패턴을 갖는 회로 기판 상에 솔더 레지스트로 이루어지는 레지스트층을 형성한 후, 레지스트층의 박막화 공정을 실시하고, 다음으로 패턴의 노광 공정을 실시하고, 다시 레지스트층의 박막화 처리를 포함하는 박막화 공정을 실시하는 것을 특징으로 하는 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법이 개시되어 있다 (예를 들어, 특허문헌 2 및 3).
박막화 공정은, 알칼리 수용액을 사용하여 미노광부의 레지스트층의 광가교성 수지 성분을 미셀화시키는 미셀화 처리 (박막화 처리), pH 5∼9 의 알칼리 수용액에 의해 미셀을 제거하는 미셀 제거 처리, 표면을 물로 세정하는 수세 처리, 수세수를 제거하는 건조 처리의 4 단계의 처리를 적어도 포함하고 있다. 그리고, 알칼리 수용액에서의 박막화 처리에 있어서의 처리 시간에 의해 박막화의 진행이 제어되게 된다. 그러나, 알칼리 수용액 중에 기포가 존재하고, 그 기포가 미노광부의 레지스트층의 광가교성 수지 성분에 접촉한 경우, 기포가 접촉하고 있던 부분의 박막화의 진행이 방해된다는 문제가 발생한다. 박막화의 진행이 방해된 부분에는, 레지스트층이 두껍게 남기 때문에, 서브트랙티브법에 있어서의 도전 패턴 형성에서는 에칭 불량의 원인이 되고, 솔더 레지스트의 패턴 형성에 있어서는 접속 패드부의 접촉 불량의 원인이 되어, 어느 쪽도 생산에 있어서의 수율 저하로 이어진다는 문제가 발생한다.
또한, 노광 공정 후, 알칼리 수용액에 의한 레지스트층의 박막화 처리를 포함하는 박막화 공정을 거쳐, 다시 노광 공정을 실시하고, 다음으로, 다시 알칼리 수용액에 의한 레지스트층의 박막화 처리를 포함하는 박막화 공정을 실시하는 경우, 레지스트층에 대한 기포의 접촉에 의한 박막화 저해가 보다 심각해진다. 노광 공정과 박막화 공정을 반복함으로써, 단계적으로 미노광부의 레지스트층을 박막화하는 경우에는, 레지스트층의 노광부와 미노광부의 경계에 생긴 단차부에 특히 기포가 남기 쉽고, 기포가 접촉하고 있던 부분에 있어서의 레지스트층의 박막화가 그 후 방해받는다. 예를 들어, 노광 공정과 박막화 처리를 포함하는 박막화 공정을 반복하여 2 회 실시하는 경우, 2 회째의 박막화부가 1 회째의 박막화부와 동일하거나 또는 그 내측 영역에 있는 경우에는, 2 회째의 박막화 처리시에, 1 회째의 노광부와 1 회째의 박막화부의 경계에 생긴 단차 내부에 기포가 남기 쉬운 경향이 있다.
또한, 특허문헌 4 에는, 레지스트층이 형성된 기판을 박막화 처리액 (알칼리 수용액) 중에 침지 (딥, dip) 하여 레지스트층을 박막화하기 위한 박막화 처리 장치가 개시되어 있다. 특허문헌 4 에서 개시되어 있는 박막화 처리 장치에 관해서, 도면을 사용하여 설명한다. 도 5 및 6 은, 특허문헌 4 에 기재되어 있는 박막화 처리 장치의 개략 단면도이다. 도 5 는, 기판의 반송 방향 (MD 방향) 과 직교하는 방향 (CD 방향) 에서 본 개략 단면도이고, 도 6 은, 기판의 반송 방향 (MD 방향) 에서 본 개략 단면도이다. 이 박막화 처리 장치에서는, 레지스트층이 형성된 기판 (8) 을 반송롤 쌍 (12) 에 의해, 딥조 (10) 중의 알칼리 수용액 (9) 에 침지한 상태에서 반송하고, 레지스트층의 박막화 처리가 실시된다. 알칼리 수용액 (9) 은, 장치 하부의 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 로부터 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 에 의해 알칼리 수용액 공급구 (11) 를 통해 딥조 (10) 에 공급되고, 오버플로우시킨다. 오버플로우된 알칼리 수용액 (9) 은 알칼리 수용액 회수조 (30) 에 회수되고, 회수관 (21) 을 통과하여 회수관 배출구 (22) 로부터 배출되고, 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 에 저장된다. 이 반복에 의해, 알칼리 수용액 (9) 은 딥조 (10) 와 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 사이를 순환한다.
도 5 및 6 에 나타내는 박막화 처리 장치에 있어서, 알칼리 수용액 (9) 을 순환할 때, 오버플로우에 의해 알칼리 수용액 (9) 이 딥조 (10) 로부터 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 로 낙하할 때, 알칼리 수용액 (9) 중에 기포 (15) 가 발생하고, 이 기포 (15) 가 알칼리 수용액 (9) 의 순환에 의해 기판 (8) 의 레지스트층에 부착되고, 박막화의 진행을 저해시켜, 막두께가 불균일 (편차) 해지는 처리 불균일이 발생하는 경우가 있었다.
국제공개 제2009/096438호 팜플렛 일본 공개특허공보 2011-192692호 국제공개 제2012/043201호 팜플렛 일본 공개특허공보 2012-27299호
본 고안의 과제는, 해상성과 추종성의 문제를 해결할 수 있는 레지스트 패턴의 형성 방법에서 사용되는 레지스트층의 박막화 처리 장치에 있어서, 기포에 의한 처리 불균일의 문제를 해결할 수 있는 레지스트층의 박막화 처리 장치를 제공하는 것이다.
본 고안자들은, 이 과제를 해결하기 위해 연구를 실시한 결과, 하기 수단에 의해, 상기 과제를 해결할 수 있는 것을 알아냈다.
(1) 알칼리 수용액에 의해 레지스트층을 박막화 처리하기 위한 딥조와, 레지스트층이 형성된 기판을 알칼리 수용액 중에 침지된 채의 상태에서 반송하는 반송롤 쌍을 구비하여 이루어지는 레지스트층의 박막화 처리 장치로서, 레지스트층의 박막화 처리 장치에 기포 억제 장치가 구비되어 있는 것을 특징으로 하는 레지스트층의 박막화 처리 장치.
(2) 레지스트층의 박막화 처리 장치가, 알칼리 수용액을 딥조에 공급하는 알칼리 수용액 공급구를 구비하여 이루어지고, 기포 억제 장치가 알칼리 수용액 공급구와 반송롤 쌍 사이에 구비된 기포 유도판인 (1) 에 기재된 레지스트층의 박막화 처리 장치.
(3) 레지스트층의 박막화 처리 장치가, 딥조에 알칼리 수용액을 공급하기 위한 알칼리 수용액 공급 펌프와, 딥조로부터 오버플로우된 알칼리 수용액을 알칼리 수용액 저장 탱크로 보내기 위한 회수관과, 딥조로부터 오버플로우된 알칼리 수용액이 저장되는 알칼리 수용액 저장 탱크를 구비하여 이루어지고, 기포 억제 장치가 알칼리 수용액 저장 탱크 내부에 구비된 기포 유도판인 (1) 또는 (2) 에 기재된 레지스트층의 박막화 처리 장치.
(4) 레지스트층의 박막화 처리 장치가, 딥조에 알칼리 수용액을 공급하기 위한 알칼리 수용액 공급 펌프와, 딥조로부터 오버플로우된 알칼리 수용액을 알칼리 수용액 저장 탱크로 보내기 위한 회수관과, 딥조로부터 오버플로우된 알칼리 수용액이 저장되는 알칼리 수용액 저장 탱크를 구비하여 이루어지고, 기포 억제 장치가 알칼리 수용액 저장 탱크에서의 알칼리 수용액의 액면보다 아래에 설치된 회수관 배출구인 (1)∼(3) 중 어느 하나에 기재된 레지스트층의 박막화 처리 장치.
(5) 레지스트층의 박막화 처리 장치가, 알칼리 수용액을 딥조에 공급하는 알칼리 수용액 공급구를 구비하여 이루어지고, 기포 억제 장치가 딥조에 구비된 초음파 발생 장치인 (1)∼(4) 중 어느 하나에 기재된 레지스트층의 박막화 처리 장치.
(6) 레지스트층의 박막화 처리 장치가, 딥조에 알칼리 수용액을 공급하기 위한 알칼리 수용액 공급 펌프와, 딥조로부터 오버플로우된 알칼리 수용액을 알칼리 수용액 저장 탱크로 보내기 위한 회수관과, 딥조로부터 오버플로우된 알칼리 수용액이 저장되는 알칼리 수용액 저장 탱크를 구비하여 이루어지고, 기포 억제 장치가 알칼리 수용액 저장 탱크에 구비된 초음파 발생 장치인 (1)∼(5) 중 어느 하나에 기재된 레지스트층의 박막화 처리 장치.
(7) 레지스트층의 박막화 처리 장치가, 딥조에 알칼리 수용액을 공급하기 위한 알칼리 수용액 공급 펌프와, 딥조로부터 오버플로우된 알칼리 수용액을 알칼리 수용액 저장 탱크로 보내기 위한 회수관과, 딥조로부터 오버플로우된 알칼리 수용액이 저장되는 알칼리 수용액 저장 탱크를 구비하여 이루어지고, 기포 억제 장치가 딥조에 있어서의 알칼리 수용액의 액면보다 낮은 위치에 구비된 알칼리 수용액 분출구인 (1)∼(6) 중 어느 하나에 기재된 레지스트층의 박막화 처리 장치.
해상성과 추종성의 문제를 해결할 수 있는 레지스트 패턴의 형성 방법에서 사용되는 레지스트층의 박막화 처리 장치에 있어서, 기포에 의한 처리 불균일의 문제를 해결할 수 있는 레지스트층의 박막화 처리 장치를 제공할 수 있다.
도 1 은 본 고안의 레지스트층의 박막화 처리 장치를 사용하여 실시되는 레지스트 패턴의 형성 방법의 일례를 나타내는 단면 공정도이다.
도 2 는 본 고안의 레지스트층의 박막화 처리 장치를 사용하여 실시되는 레지스트 패턴의 형성 방법의 일례를 나타내는 단면 공정도이다.
도 3 은 본 고안의 레지스트층의 박막화 처리 장치를 사용하여 실시되는 레지스트 패턴의 형성 방법의 일례를 나타내는 단면 공정도이다.
도 4 는 본 고안의 레지스트층의 박막화 처리 장치를 사용하여 실시되는 레지스트 패턴의 형성 방법의 일례를 나타내는 단면 공정도이다.
도 5 는 종래 기술에 의한 박막화 처리 장치를 나타내는 개략 단면도이다.
도 6 은 종래 기술에 의한 박막화 처리 장치를 나타내는 개략 단면도이다.
도 7 은 본 고안의 박막화 처리 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 8 은 본 고안의 박막화 처리 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 9 는 본 고안의 박막화 처리 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 10 은 본 고안의 박막화 처리 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 11 은 본 고안의 박막화 처리 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 12 는 본 고안의 박막화 처리 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 13 은 본 고안의 박막화 처리 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 14 는 본 고안의 박막화 처리 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 15 는 본 고안의 박막화 처리 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 16 은 본 고안의 박막화 처리 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 17 은 본 고안의 박막화 처리 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
도 18 은 본 고안의 박막화 처리 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다.
이하, 본 고안의 레지스트층의 박막화 처리 장치에 관해서 상세하게 설명한다.
본 고안의 레지스트층의 박막화 처리 장치를 사용하여 실시되는 레지스트 패턴의 형성 방법에 관해서, 도 1∼4 를 사용하여 설명한다.
도 1 을 사용하여, 서브트랙티브법으로 도전 패턴을 형성하는 경우에 있어서의 레지스트 패턴의 형성 방법 (1) 에 관해서 설명한다.
[도 1a] 절연층 (1) 상에 금속층 (7) 이 형성된 적층 기판을 준비한다.
[도 1b] 적층 기판 상에 알칼리 현상형의 레지스트층 (3) 을 형성한다.
[도 1c] 레지스트층 (3) 에 기포가 부착되는 것을 억제하면서, 알칼리 수용액에 의해 레지스트층 (3) 을 박막화한다 (박막화 공정).
[도 1d] 박막화된 레지스트층 (3) 에 활성 광선 (5) 에 의해 패턴 노광한다 (노광 공정).
[도 1e] 현상에 의해 미노광부의 레지스트층 (3) 을 제거한다 (현상 공정).
이것에 의해, 도 1e 에 나타내는 바와 같은, 기포에 의한 박막화의 처리 불균일이 없는 레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 도 1e 의 후에, 에칭 공정에서, 레지스트 패턴으로 덮여 있지 않은 금속층 (7) 을 에칭함으로써, 도전 패턴이 얻어진다.
도 2 를 사용하여, 솔더 레지스트를 사용한 레지스트 패턴의 형성 방법 (2) 에 관해서 설명한다.
[도 2a] 절연층 (1) 상에 도체 배선 (2) 및 접속 패드 (6) 가 형성된 회로 기판을 준비한다.
[도 2b] 회로 기판 상에 알칼리 현상형의 레지스트층 (3) 을 형성한다.
[도 2c] 박막화되는 영역 이외의 부분의 레지스트층 (3) 을 활성 광선 (5) 에 의해 노광한다 (노광 공정).
[도 2d] 레지스트층 (3) 에 기포가 부착되는 것을 억제하면서, 레지스트층 (3) 의 두께가 접속 패드 (6) 의 두께보다 얇아질 때까지, 알칼리 수용액에 의해 미노광부의 레지스트층 (3) 을 박막화한다 (박막화 공정).
이것에 의해, 도 2d 에 나타내는 바와 같은, 기포에 의한 박막화의 처리 불균일이 없는, 도체 배선 (2) 은 레지스트층 (3) 으로 피복하면서, 접속 패드 (6) 는 레지스트층 (3) 으로부터 노출된 다단 구조의 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
도 3 을 사용하여, 서브트랙티브법으로 도전 패턴을 형성하는 경우에 있어서의 레지스트 패턴의 형성 방법 (3) 에 관해서 설명한다.
[도 3a] 절연층 (1) 상에 금속층 (7) 이 형성된 적층 기판을 준비한다.
[도 3b] 적층 기판 상에 알칼리 현상형의 레지스트층 (3) 을 형성한다.
[도 3c] 박막화되는 영역 이외의 부분의 레지스트층 (3) 을 활성 광선 (5) 에 의해 노광한다 (1 회째의 노광 공정).
[도 3d] 레지스트층 (3) 에 기포가 부착되는 것을 억제하면서, 알칼리 수용액에 의해 미노광부의 레지스트층 (3) 을 박막화한다 (박막화 공정).
[도 3e] 현상되는 영역 이외의 부분의 레지스트층 (3) 을 활성 광선 (5) 에 의해 노광한다 (2 회째의 노광 공정).
[도 3f] 현상에 의해 미노광부의 레지스트층 (3) 을 제거한다 (현상 공정).
이것에 의해, 도 3f 에 나타내는 바와 같은, 기포에 의한 박막화의 처리 불균일이 없는, 부분적으로 박막화된 레지스트층 (3) 을 갖는 다단 구조의 레지스트 패턴을 형성할 수 있다. 다음으로, 에칭 공정에서, 레지스트 패턴으로 덮여 있지 않은 금속층 (7) 을 에칭함으로써, 도전 패턴이 얻어진다.
도 4 를 사용하여, 솔더 레지스트를 사용한 레지스트 패턴의 형성 방법 (4) 에 관해서 설명한다.
[도 4a] 절연층 (1) 상에 도체 배선 (2) 및 접속 패드 (6) 가 형성된 회로 기판을 준비한다.
[도 4b] 회로 기판 상에 알칼리 현상형의 레지스트층 (3) 을 형성한다.
[도 4c] 1 회째에 박막화되는 영역 이외의 부분의 레지스트층 (3) 을 활성 광선 (5) 에 의해 노광한다 (1 회째의 노광 공정).
[도 4d] 레지스트층 (3) 에 기포가 부착되는 것을 억제하면서, 레지스트층 (3) 의 두께가 접속 패드 (6) 의 두께 이상이 될 때까지 알칼리 수용액에 의해 미노광부의 레지스트층 (3) 을 박막화한다 (1 회째의 박막화 공정).
[도 4e] 2 회째에 박막화되는 영역 이외의 부분의 레지스트층 (3) 을 활성 광선 (5) 에 의해 노광한다 (2 회째의 노광 공정).
[도 4f] 레지스트층 (3) 에 기포가 부착되는 것을 억제하면서, 레지스트층 (3) 의 두께가 접속 패드 (6) 의 두께보다 얇아질 때까지 알칼리 수용액에 의해 미노광부의 레지스트층 (3) 을 박막화한다 (2 회째의 박막화 공정).
이것에 의해, 도 4f 에 나타내는 바와 같은, 기포에 의한 박막화의 처리 불균일이 없는, 도체 배선 (2) 은 레지스트층 (3) 으로 피복하면서, 접속 패드 (6) 는 레지스트층 (3) 으로부터 노출된 다단 구조의 레지스트 패턴을 형성할 수 있다.
기판으로는, 프린트 배선판용 기판, 리드 프레임용 기판, 프린트 배선판용 기판이나 리드 프레임용 기판을 가공하여 얻어지는 회로 기판을 들 수 있다.
프린트 배선판용 기판으로는, 예를 들어 플렉시블 기판, 리지드 기판을 들 수 있다. 플렉시블 기판의 절연층의 두께는 5∼125 ㎛ 이고, 그 양면 또는 편면에 1∼35 ㎛ 의 금속층이 형성되어 적층 기판으로 되어 있고, 가요성이 크다. 절연층의 재료에는, 통상, 폴리이미드, 폴리아미드, 폴리페닐렌술파이드, 폴리에틸렌테레프탈레이트, 액정 폴리머 등이 사용된다. 절연층 상에 금속층을 갖는 재료는, 접착제로 첩합 (貼合) 하는 접착법, 금속박 상에 수지액을 도포하는 캐스트법, 스퍼터링이나 증착법으로 수지 필름 상에 형성한 두께 수 ㎚ 의 얇은 도전층 (시드층) 상에 전해 도금으로 금속층을 형성하는 스퍼터/도금법, 열프레스로 첩부하는 라미네이트법 등의 어떠한 방법으로 제조한 것을 사용해도 된다. 금속층의 금속으로는, 구리, 알루미늄, 은, 니켈, 크롬, 또는 그들의 합금 등의 어떠한 금속을 사용할 수 있는데, 구리가 일반적이다.
리지드 기판은, 종이 기재 또는 유리 기재에 에폭시 수지 또는 페놀 수지 등을 침지시킨 절연성 기판을 겹쳐 절연층으로 하고, 그 편면 또는 양면에 금속박을 재치 (載置) 하고, 가열 및 가압에 의해 적층하고, 금속층이 형성된 적층 기판을 들 수 있다. 또한, 내층 배선 패턴 가공 후, 프리프레그, 금속박 등을 적층하여 제조하는 다층용 실드판, 관통공이나 비관통공을 갖는 다층판도 들 수 있다. 두께는 60 ㎛∼3.2 ㎜ 이고, 프린트 배선판으로서의 최종 사용 형태에 따라, 그 재질과 두께가 선정된다. 금속층의 재료로는, 구리, 알루미늄, 은, 금 등을 들 수 있는데, 구리가 가장 일반적이다. 이들 프린트 배선판용 기판의 예는, 「프린트 회로 기술 편람-제 2 판-」 ((사) 프린트 회로 학회편, 1987 년 간행, 닛칸 공업 신문사 발간) 이나 「다층 프린트 회로 핸드북」(J. A. 스칼렛편, 1992 년 간행, (주) 근대 화학사 발간) 에 기재되어 있다.
리드 프레임용 기판으로는, 철 니켈 합금, 구리계 합금 등의 기판을 들 수 있다.
회로 기판이란, 절연성 기판 상에 구리 등의 금속으로 이루어지는 반도체 칩 등의 전자 부품을 접속하기 위한 접속 패드가 형성된 기판이다. 도체 배선이 형성되어 있어도 된다. 회로 기판을 제조하는 방법은, 예를 들어 서브트랙티브법, 세미애디티브법, 애디티브법을 들 수 있다. 서브트랙티브법에서는, 예를 들어 상기 프린트 배선판용 기판에 에칭 레지스트 패턴을 형성하고, 노광 공정, 현상 공정, 에칭 공정, 레지스트 박리 공정을 실시하여 회로 기판이 제조된다.
레지스트로는, 알칼리 현상형의 레지스트를 사용할 수 있다. 또한, 액상 레지스트이어도 되고, 드라이 필름 레지스트이어도 되고, 알칼리 수용액 (박막화 처리액) 에 의해 박막화할 수 있고, 또한 박막화 처리액보다 저농도의 알칼리 수용액인 현상액에 의해 현상할 수 있는 레지스트이면 어떠한 것이라도 사용할 수 있다. 알칼리 현상형의 레지스트는 광가교성 수지 성분을 포함한다. 광가교성 수지 성분은, 예를 들어 알칼리 가용성 수지, 광중합성 화합물, 광중합 개시제 등을 함유하여 이루어진다. 또한, 에폭시 수지, 열경화제, 무기 필러 등을 함유시켜도 된다.
알칼리 가용성 수지로는, 예를 들어 아크릴계 수지, 메타크릴계 수지, 스티렌계 수지, 에폭시계 수지, 아미드계 수지, 아미드에폭시계 수지, 알키드계 수지, 페놀계 수지의 유기 고분자를 들 수 있다. 이 중, 에틸렌성 불포화 2 중 결합을 갖는 단량체 (중합성 단량체) 를 중합 (라디칼 중합 등) 하여 얻어진 것이 바람직하다. 이들 알칼리 수용액에 가용인 중합체는, 단독으로 사용해도 되고, 2 종류 이상을 조합하여 사용해도 된다. 이러한 에틸렌성 불포화 2 중 결합을 갖는 단량체로는, 예를 들어 스티렌, 비닐톨루엔, α-메틸스티렌, p-메틸스티렌, p-에틸스티렌, p-메톡시스티렌, p-에톡시스티렌, p-클로로스티렌, p-브로모스티렌 등의 스티렌 유도체 ; 디아세톤아크릴아미드 등의 아크릴아미드 ; 아크릴로니트릴 ; 비닐-n-부틸에테르 등의 비닐알코올의 에스테르류 ; (메트)아크릴산알킬에스테르, (메트)아크릴산테트라하이드로푸르푸릴에스테르, (메트)아크릴산디메틸아미노에틸에스테르, (메트)아크릴산디에틸아미노에틸에스테르, (메트)아크릴산글리시딜에스테르, 2,2,2-트리플루오로에틸(메트)아크릴레이트, 2,2,3,3-테트라플루오로프로필(메트)아크릴레이트, (메트)아크릴산, α-브로모(메트)아크릴산, α-클로르(메트)아크릴산, β-푸릴(메트)아크릴산, β-스티릴(메트)아크릴산 등의 (메트)아크릴산모노에스테르 ; 말레산, 말레산 무수물, 말레산모노메틸, 말레산모노에틸, 말레산모노이소프로필 등의 말레산계 단량체 ; 푸마르산, 계피산, α-시아노계피산, 이타콘산, 크로톤산, 프로피올산 등을 들 수 있다.
광중합성 화합물로는, 예를 들어 다가 알코올에 α,β-불포화 카르복실산을 반응시켜 얻어지는 화합물 ; 비스페놀 A 계 (메트)아크릴레이트 화합물 ; 글리시딜기 함유 화합물에 α,β-불포화 카르복실산을 반응시켜 얻어지는 화합물 ; 분자 내에 우레탄 결합을 갖는 (메트)아크릴레이트 화합물 등의 우레탄 모노머 ; 노닐페녹시폴리에틸렌옥시아크릴레이트 ; γ-클로로-β-하이드록시프로필-β'-(메트)아크릴로일옥시에틸-o-프탈레이트, β-하이드록시알킬-β'-(메트)아크릴로일옥시알킬-o-프탈레이트 등의 프탈산계 화합물 ; (메트)아크릴산알킬에스테르, EO, PO 변성 노닐페닐(메트)아크릴레이트 등을 들 수 있다. 여기서, EO 및 PO 는, 에틸렌옥사이드 및 프로필렌옥사이드를 나타내고, EO 변성된 화합물은, 에틸렌옥사이드기의 블록 구조를 갖는 것이고, PO 변성된 화합물은, 프로필렌옥사이드기의 블록 구조를 갖는 것이다. 이들 광중합성 화합물은 단독으로, 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용할 수 있다.
광중합 개시제로는, 벤조페논, N,N'-테트라메틸-4,4'-디아미노벤조페논 (미힐러케톤), N,N'-테트라에틸-4,4'-디아미노벤조페논, 4-메톡시-4'-디메틸아미노벤조페논, 2-벤질-2-디메틸아미노-1-(4-모르폴리노페닐)-부타논-1,2-메틸-1-[4-(메틸티오)페닐]-2-모르폴리노-프로파논-1 등의 방향족 케톤 ; 2-에틸안트라퀴논, 페난트렌퀴논, 2-tert-부틸안트라퀴논, 옥타메틸안트라퀴논, 1,2-벤즈안트라퀴논, 2,3-벤즈안트라퀴논, 2-페닐안트라퀴논, 2,3-디페닐안트라퀴논, 1-클로로안트라퀴논, 2-메틸안트라퀴논, 1,4-나프토퀴논, 9,10-페난트라퀴논, 2-메틸-1,4-나프토퀴논, 2,3-디메틸안트라퀴논 등의 퀴논류 ; 벤조인메틸에테르, 벤조인에틸에테르, 벤조인페닐에테르 등의 벤조인에테르 화합물 ; 벤조인, 메틸벤조인, 에틸벤조인 등의 벤조인 화합물 ; 벤질디메틸케탈 등의 벤질 유도체 ; 2-(o-클로로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(o-클로로페닐)-4,5-디(메톡시페닐)이미다졸 이량체, 2-(o-플루오로페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(o-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체, 2-(p-메톡시페닐)-4,5-디페닐이미다졸 이량체 등의 2,4,5-트리아릴이미다졸 이량체 ; 9-페닐아크리딘, 1,7-비스(9,9'-아크리디닐)헵탄 등의 아크리딘 유도체 ; N-페닐글리신, N-페닐글리신 유도체, 쿠마린계 화합물 등을 들 수 있다. 상기 2,4,5-트리아릴이미다졸 이량체에 있어서의 2 개의 2,4,5-트리아릴이미다졸의 아릴기의 치환기는, 동일하고 대칭인 화합물을 제공해도 되고, 상이하고 비대칭인 화합물을 제공해도 된다. 또한, 디에틸티오크산톤과 디메틸아미노벤조산의 조합과 같이, 티오크산톤계 화합물과 3 급 아민 화합물을 조합해도 된다. 이들은 단독으로, 또는 2 종류 이상을 조합하여 사용된다.
에폭시 수지는, 경화제로서 사용되는 경우가 있다. 알칼리 가용성 수지의 카르복실산과 반응시킴으로써 가교시켜, 내열성이나 내약품성의 특성의 향상을 도모하고 있는데, 카르복실산과 에폭시는 상온에서도 반응이 진행되기 때문에, 보존 안정성이 나쁘고, 알칼리 현상형의 솔더 레지스트는 일반적으로 사용 전에 혼합하는 2 액성의 형태를 취하고 있는 경우가 많다. 무기 필러를 사용하는 경우도 있고, 예를 들어 탤크, 황산바륨, 실리카 등을 들 수 있다.
기판의 표면에 레지스트층을 형성하는 방법은, 어떠한 방법이어도 되는데, 예를 들어 스크린 인쇄법, 롤코트법, 스프레이법, 딥법, 커튼코트법, 바코트법, 에어나이프법, 핫멜트법, 그라비아코트법, 브러시 도장법, 오프셋 인쇄법을 들 수 있다. 드라이 필름 레지스트의 경우에는, 라미네이트법이 바람직하게 사용된다.
노광 공정에서는, 레지스트층에 대하여 활성 광선을 조사한다. 크세논 램프, 고압 수은등, 저압 수은등, 초고압 수은등, UV 형광등을 광원으로 한 반사 화상 노광, 포토마스크를 사용한 편면, 양면 밀착 노광이나, 프록시미티 방식, 프로젝션 방식이나 레이저 주사 노광 등을 사용할 수 있다. 주사 노광을 실시하는 경우에는, UV 레이저, He-Ne 레이저, He-Cd 레이저, 아르곤 레이저, 크립톤 이온 레이저, 루비 레이저, YAG 레이저, 질소 레이저, 색소 레이저, 엑시머 레이저 등의 레이저 광원을 발광 파장에 따라 SHG 파장 변환한 주사 노광, 또는 액정 셔터, 마이크로 미러 어레이 셔터를 이용한 주사 노광에 의해 노광할 수 있다.
현상 공정에서는, 미노광부의 레지스트층을 현상액으로 현상한다. 박막화 공정과 달리, 미노광부의 레지스트층을 완전히 제거한다. 현상 방법으로는, 사용하는 레지스트층에 알맞은 현상액을 사용하고, 기판 표면을 향하여 스프레이를 분사하는 방법이 일반적이다. 현상액으로는, 박막화 처리에 사용되는 박막화 처리액 (알칼리 수용액) 보다 저농도의 알칼리 수용액이 사용된다. 현상액 (저농도 알칼리 수용액) 으로는, 0.3∼3 질량% 의 탄산나트륨 수용액이 일반적이다.
에칭 공정에서는, 「프린트 회로 기술 편람」((사) 닛폰 프린트 회로 공업회 편, 1987 년 간행, (주) 닛칸 공업 신문사 간행) 에 기재된 방법 등을 사용할 수 있다. 에칭액은 금속층을 용해 제거할 수 있는 것으로, 또한 적어도 레지스트층이 내성을 갖고 있는 것이면 된다. 일반적으로 금속층에 구리를 사용하는 경우에는, 염화 제 2 철 수용액, 염화 제 2 구리 수용액 등을 사용할 수 있다.
레지스트층의 박막화 공정이란, 알칼리 수용액에 의해 레지스트층 중의 광가교성 수지 성분을 미셀화시키는 미셀화 처리 (박막화 처리), 다음으로 pH 5∼9 의 알칼리 수용액에 의해 미셀을 제거하는 미셀 제거 처리를 포함하는 공정이다. 또한, 다 제거되지 못한 레지스트층 표면이나 잔존 부착한 알칼리 수용액을 수세에 의해 씻어내는 수세 처리, 수세수를 제거하는 건조 처리도 포함할 수도 있다.
박막화 처리액으로서 사용되는 알칼리 수용액이란, 예를 들어 리튬, 나트륨 또는 칼륨 등의 알칼리 금속 규산염, 알칼리 금속 수산화물, 알칼리 금속 인산염, 알칼리 금속 탄산염, 암모늄인산염, 암모늄탄산염 등의 무기 알칼리성 화합물의 수용액이나 모노에탄올아민, 디에탄올아민, 트리에탄올아민, 메틸아민, 디메틸아민, 에틸아민, 디에틸아민, 트리에틸아민, 시클로헥실아민, 테트라메틸암모늄하이드록시드 (TMAH), 테트라에틸암모늄하이드록시드, 트리메틸-2-하이드록시에틸암모늄하이드록시드 (콜린) 등의 유기 알칼리성 화합물의 수용액을 들 수 있다. 상기 무기 알칼리성 화합물 및 유기 알칼리성 화합물은 혼합물로도 사용할 수 있다.
알칼리성 화합물의 함유량은, 0.1 질량% 이상 50 질량% 이하에서 사용할 수 있다. 또한, 레지스트층 표면을 보다 균일하게 박막화하기 위해, 알칼리 수용액에 황산염, 아황산염을 첨가할 수도 있다. 황산염 또는 아황산염으로는, 리튬, 나트륨 또는 칼륨 등의 알칼리 금속 황산염 또는 아황산염, 마그네슘, 칼슘 등의 알칼리 토금속 황산염 또는 아황산염을 들 수 있다.
알칼리 수용액으로는, 이들 중에서도 특히, 알칼리 금속 탄산염, 알칼리 금속 인산염, 알칼리 금속 수산화물, 알칼리 금속 규산염에서 선택되는 무기 알칼리성 화합물, 및 TMAH, 콜린에서 선택되는 유기 알칼리성 화합물 중 적어도 어느 1 종을 포함하고, 그 무기 알칼리성 화합물 및 유기 알칼리성 화합물의 함유량이 5∼25 질량% 인 알칼리 수용액을, 표면을 보다 균일하게 박막화할 수 있기 때문에, 바람직하게 사용할 수 있다. 5 질량% 미만에서는, 박막화하는 처리에서 불균일이 발생하기 쉬워지는 경우가 있다. 또한, 25 질량% 를 초과하면, 무기 알칼리성 화합물의 석출이 일어나기 쉽고, 액의 경시 안정성, 작업성이 떨어지는 경우가 있다. 알칼리성 화합물의 함유량은 7∼17 질량% 가 보다 바람직하고, 8∼13 질량% 가 더욱 바람직하다. 알칼리 수용액의 pH 는 10 이상으로 하는 것이 바람직하다. 또한, 계면 활성제, 소포제, 용제 등을 적절히 첨가할 수도 있다.
알칼리 수용액에 의한 박막화 처리는, 딥조 중의 알칼리 수용액에 레지스트층이 형성된 기판을 침지 (딥, dip) 함으로써 실시된다. 딥 처리 이외의 처리 방법은, 알칼리 수용액 중에 기포가 발생하기 쉽고, 그 발생한 기포가 박막화 처리 중에 레지스트층 표면에 부착하여, 막두께가 불균일해지는 경우가 있다.
본 고안의 레지스트조의 박막화 처리 장치를 사용한 레지스트 패턴의 형성 방법에서는, 레지스트층 형성 후의 두께와 알칼리 수용액 처리에 의해 레지스트층이 박막화된 양으로, 레지스트층의 두께가 결정된다. 또한, 0.01∼500 ㎛ 의 범위에서 박막화량을 자유롭게 조정할 수 있다.
본 고안의 레지스트층의 박막화 처리 장치는, 알칼리 수용액에 의해 레지스트층을 박막화 처리하기 위한 딥조와, 레지스트층이 형성된 기판을 알칼리 수용액 중에 침지된 채의 상태에서 반송하는 반송롤 쌍을 구비하여 이루어진다. 그리고, 기판의 레지스트층에 기포가 부착되는 것을 억제하기 위해, 기포 억제 장치를 구비하고 있는 것을 특징으로 하고 있다. 도 7∼17 을 사용하여, 본 고안의 레지스트층의 박막화 처리 장치를 설명한다.
기포 억제 장치의 일례로서 기포 유도판을 들 수 있다. 기포 유도판이란, 알칼리 수용액 중에서 발생한 기포가, 박막화 처리시에 레지스트층에 부착되는 것을 직접적 또는 간접적으로 억제하기 위한 것이다. 예를 들어, 알칼리 수용액에 의한 레지스트층의 박막화 처리에 있어서, 딥조 내에 설치하고, 발생한 기포가 레지스트층에 부착되는 것을 직접적으로 억제한다. 또한, 딥조와의 사이에서 알칼리 수용액을 순환시키기 위한 알칼리 수용액 저장 탱크 내에 기포 유도판을 설치하고, 딥조로부터 오버플로우된 알칼리 수용액이 알칼리 수용액 저장 탱크에 회수될 때에 발생하는 기포를 유도하면서, 레지스트층에 기포가 부착되는 것을 간접적으로 억제한다.
도 7∼9 는, 본 고안의 박막화 처리 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이다. 도 7 및 8 은 CD 방향에서 본 개략 단면도이고, 도 9 는 MD 방향에서 본 개략 단면도이다. 이들 박막화 처리 장치는, 레지스트층이 형성된 기판 (8) 을 반송롤 쌍 (12) 에 의해, 딥조 (10) 중의 알칼리 수용액 (9) 에 침지한 상태에서 반송하고, 레지스트층의 박막화 처리를 실시하는 박막화 처리 장치이다. 알칼리 수용액 (9) 은, 장치 하부의 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 로부터 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 에 의해 알칼리 수용액 공급구 (11) 를 통해 딥조 (10) 에 공급되고, 오버플로우시킨다. 오버플로우된 알칼리 수용액 (9) 은, 알칼리 수용액 회수조 (30) 에 회수되고, 회수관 (21) 을 통과하여 회수관 배출구 (22) 로부터 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 에 저장됨으로써, 딥조 (10) 와 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 사이를 순환한다.
도 7∼9 에 나타내는 박막화 처리 장치에는, 알칼리 수용액 공급구 (11) 와 반송롤 쌍 (12) 사이에 기포 유도판 (1)(16) 이 설치되어 있다. 기포 유도판 (1)(16) 에 의해, 박막화 처리 장치 내의 알칼리 수용액 순환 과정에서 발생한 기포 (15) 가 박막화 처리 중인 레지스트층이 형성된 기판 (8) 보다 박막화 처리 장치 폭 방향의 외측 영역에 유도되고, 반송 중인 레지스트층이 형성된 기판 (8) 에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
딥조 (10) 내에 설치되는 기포 유도판 (1)(16) 의 설치 위치는, 딥조 (10) 를 위에서 보았을 때, 알칼리 수용액 공급구 (11) 가 기포 유도판 (1)(16) 의 영역에 숨어 보이지 않게 되는 위치 관계이면 된다. 또한, 기포 유도판 (1)(16) 의 설치 높이는, 딥조 (10) 내의 알칼리 수용액 공급구 (11) 와 반송롤 쌍 (12) 사이의 높이이면, 어느 높이여도 된다.
기포 유도판 (1)(16) 의 크기에 관해서, 박막화 처리 장치의 반송 방향에 대하여, 길이 방향은, 알칼리 수용액 공급구 (11) 의 직경 이상, 딥조 (10) 의 길이 이하의 범위이면 된다. 박막화 처리 장치의 반송 방향에 대하여, 길이 방향이 알칼리 수용액 공급구 (11) 의 직경 미만이면, 기포를 유도하는 능력이 부족한 경우가 있다. 박막화 처리 장치의 반송 방향에 대하여, 폭 방향은, 레지스트층이 형성된 기판 (8) 의 폭 이상, 딥조 (10) 의 폭 미만이면 된다. 박막화 처리 장치의 반송 방향에 대하여, 폭 방향이, 레지스트층이 형성된 기판 (8) 의 폭 미만이면, 기포를 유도하는 능력이 부족한 경우가 있다.
도 10∼12 는, 본 고안의 박막화 처리 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이고, MD 방향에서 본 개략 단면도이다. 도 10∼12 에 나타내는 박막화 처리 장치에는, 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내부에 기포 유도판 (2)(18) 또는 기포 유도판 (3)(19) 이 설치되어 있다. 알칼리 수용액 (9) 이 회수관 (21) 을 통과하여 회수관 배출구 (22) 로부터 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 에 배출될 때에 발생한 기포 (15) 는, 기포 유도판 (2)(18) 또는 기포 유도판 (3)(19) 에 의해 차폐되고, 액 중을 부상하는 방향으로 유도된다. 이것에 의해, 공급 펌프 흡입구 (17) 로부터 기포 (15) 가 흡입되는 것을 억제할 수 있고, 반송 중인 레지스트층이 형성된 기판 (8) 에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내에 설치되는 기포 유도판의 설치 위치는, 회수관 배출구 (22) 로부터 배출되는 알칼리 수용액 (9) 과 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내의 알칼리 수용액 (9) 이 접촉하는 점과 공급 펌프 흡입구 (17) 사이의 위치이다. 또한, 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내에 설치하는 기포 유도판은, 그 설치 방법에 의해, 기포 유도판 (2)(18) 과 기포 유도판 (3)(19) 의 2 종류로 분류할 수 있다. 도 10 에 나타내는 바와 같이, 기포 유도판 (2)(18) 은, 그 상단이 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 의 알칼리 수용액의 액면 (23) 의 높이보다 낮고, 하단을 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 의 저면에 고정시켜 설치되어 있다. 또한, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 기포 유도판 (3)(19) 은, 그 상단이 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 의 알칼리 수용액의 액면 (23) 의 높이보다 높고, 하단이 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 의 저면에 완전히 접촉하고 있지 않은 형태로, 또는 일부 접촉하고 있지 않은 형태로, 고정시켜 설치되어 있다. 기포 유도판 (2)(18) 과 기포 유도판 (3)(19) 은, 각각 단체 (單體) 로 사용한 경우라도 기포 유도 효과가 얻어지는데, 예를 들어 도 12 에 나타내는 바와 같이, 조합하여 이용함으로써, 기포 유도 효과가 향상된다. 또한, 기포 유도판 (2)(18) 과 기포 유도판 (3)(19) 을 복수 장 조합하여 사용할 수도 있고, 이것에 의해 더욱 큰 기포 유도 효과가 얻어진다.
기포 유도판의 재료에는 알칼리 수용액에 대하여 내성이 있는 각종 재료를 사용할 수 있다. 구체적으로는, 폴리에틸렌, 폴리프로필렌, 경질 폴리염화비닐, 아크릴로니트릴·부타디엔·스티렌 (ABS) 수지, 폴리스티렌 수지 등의 합성 수지, 유리 섬유 강화 폴리프로필렌, 유리 섬유 강화 에폭시 수지 등의 섬유 강화 플라스틱, 티탄, 하스텔로이 (등록상표) 등의 내식성 금속 재료 등의 재료를 사용할 수 있다. 이들 중, 가공이 용이한 점에서, 경질 폴리염화비닐이 바람직하게 사용된다.
기포 유도판의 형상은, 원형, 타원형, 정방형이나 장방형 등의 사변형, 오각형, 육각형 등의 다각형, 직선과 호로 이루어지는 임의의 형상 등으로 할 수 있는데, 가공과 설치의 용이성에서 정방형이나 장방형인 것이 바람직하다. 또한, 기포 유도판 (1)(16) 에 있어서의 박막화 장치 반송 방향의 시점과 종점의 단부 아래 방향에, 바브 (26) 를 설치하는 것도 가능하다. 바브 (26) 를 설치한 박막화 처리 장치를 측면 (CD 방향) 에서 보았을 때의 개략 단면도를 도 8 에 나타낸다. 기포 유도판 (1)(16) 에 바브 (26) 를 설치함으로써, 박막화 처리 장치 반송 방향에 대하여, 폭 방향에 대한 기포 유도 효과가 향상된다. 또한, 기포 유도판 (1)(16) 을 박막화 처리 장치 반송 방향에 대하여, 폭 방향으로 V 자형으로 경사지게 함으로써, 폭 방향으로 더욱 우선적으로 기포를 유도할 수 있다. 기포 유도판 (1)(16) 을 박막화 처리 장치 반송 방향에 대하여, 폭 방향으로 V 자형으로 경사지게 한 경우의 박막화 처리 장치를 정면 (MD 방향) 에서 보았을 때의 개략 단면도를 도 9 에 나타낸다. 또한, 도 8 과 도 9 에 나타낸 구조를 조합한 기포 유도판 (1) (즉, 바브 설치와 V 자형 가공) 에서는, 기포 유도 효과가 더욱 향상되므로 바람직하다.
기포 억제 장치의 다른 일례로서, 알칼리 수용액 저장 탱크에 저장되어 있는 알칼리 수용액의 액면보다 아래에 설치된 회수관 배출구를 들 수 있다. 즉, 알칼리 수용액의 송액에 사용되는 회수관에 있어서의 회수관 배출구의 높이를, 송액처의 알칼리 수용액 저장 탱크에서의 알칼리 수용액의 액면 위치보다 낮게 하는 방법을 들 수 있다. 상방으로부터 하방으로 알칼리 수용액을 보낼 때, 회수관 배출구가 하방에 있어서의 알칼리 수용액의 액면보다 아래에 있으면, 회수관 배출구와 하방의 알칼리 수용액의 액면 사이에서, 알칼리 수용액이 공기와 접촉하기 어려워지므로, 기포의 발생을 억제할 수 있다.
도 13 및 14 에 나타내는 박막화 처리 장치는, 본 고안의 박막화 처리 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이고, MD 방향에서 본 개략 단면도이다. 도 13 및 14 에 나타내는 박막화 처리 장치에서는, 회수관 (21) 의 회수관 배출구 (22) 가 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내의 알칼리 수용액의 액면 (23) 보다 아래가 되도록 설치되어 있다. 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 의 알칼리 수용액의 액면 (23) 에 도달한 순간의 알칼리 수용액 (9) 은 공기와 접촉하고 있지 않기 때문에, 알칼리 수용액 (9) 중에 공기를 포함하여 발포하는 것이 억제된다. 이것에 의해, 반송 중인 레지스트층이 형성된 기판 (8) 에 기포 (15) 가 부착되는 것을 방지할 수 있다.
회수관 배출구 (22) 는, 회수관 (21) 의 단부이며, 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 에 대한 주입구이다. 회수관 배출구 (22) 는, 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내부의 알칼리 수용액의 액면 (23) 보다 낮아지도록 설치한다. 여기서, 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 를 시동하여, 알칼리 수용액 (9) 을 순환하기 이전의 회수관 (21) 은 공기로 채워져 있기 때문에, 순환 개시 직후의 알칼리 수용액 (9) 이 회수관 배출구 (22) 로부터 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 에 도달한 순간은 기포 (15) 가 발생한다. 그 후, 순환을 계속하면 기포 (15) 는 발생하지 않게 되므로, 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 시동으로부터 일정한 시간 후에 박막화 처리를 개시함으로써, 반송 중인 레지스트층이 형성된 기판 (8) 에 기포 (15) 가 부착되는 것을 방지할 수 있다.
또한, 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 의 시동 직후부터 회수관 (21) 내부를 알칼리 수용액 (9) 으로 완전히 채우는 방법도 있다. 예를 들어, 도 14 에 나타내는 바와 같이, 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내에서, 알칼리 수용액의 액면 (23) 과 회수관 배출구 (22) 사이의 위치에, 밸브 (24) 를 설치한다. 박막화 처리 장치의 알칼리 수용액 (9) 의 순환을 개시하기 전에 밸브 (24) 를 닫아 두고, 밸브 (24) 보다 상부의 회수관 (21) 이 알칼리 수용액 (9) 으로 채워진 후에 밸브 (24) 를 여는 것에 의해, 순환 개시 직후부터 순환 중인 회수관 (21) 내부를 알칼리 수용액 (9) 으로 채울 수 있다. 이 방법에 의해, 본 고안의 박막화 처리 장치에서는, 알칼리 수용액 (9) 이 회수관 (21) 의 회수관 배출구 (22) 로부터 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 로 주입될 때에 기포 (15) 가 발생하는 것을 억제하는 것이 가능해지고, 반송 중인 레지스트층이 형성된 기판 (8) 에 기포 (15) 가 부착되는 것을 방지할 수 있다.
기포 억제 장치의 다른 일례로서, 초음파 발생 장치 (sonicator, ultrasonic generator) 를 들 수 있다. 알칼리 수용액 중에서 초음파 발생 장치를 사용하여 초음파를 사용함으로써, 알칼리 수용액을 진동·대류시키고, 액 중에 부유하는 기포 및 레지스트층에 부착된 기포를 공기 중에 부상시키고, 탈포할 수 있다. 초음파 발생 장치는, 딥조 내, 알칼리 수용액 저장 탱크 내에 설치할 수 있다.
도 15 에 나타내는 박막화 처리 장치는, 본 고안의 박막화 처리 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이고, MD 방향에서 본 개략 단면도이다. 도 15 에 나타내는 박막화 처리 장치에는, 딥조 (10) 내에 초음파 발생 장치 (1)(20) 가 설치되어 있다. 딥조 (10) 에 초음파 발생 장치 (1)(20) 를 설치함으로써, 알칼리 수용액 공급구 (11) 로부터 딥조 (10) 에 공급되는 알칼리 수용액 (9) 에 혼입된 기포를 공기 중에 부상시킬 수 있을 뿐만 아니라, 혼입된 기포가 레지스트층에 부착된 경우라도, 초음파에 의한 진동에 의해 제거하고, 레지스트층이 형성된 기판 (8) 에 기포가 부착되는 것을 방지할 수 있다. 특히, 노광 공정과 알칼리 수용액에 의한 박막화 처리를 포함하는 박막화 공정을 반복함으로써 단계적으로 미노광부의 레지스트층을 박막화하는 경우, 레지스트층의 노광부와 미노광부의 경계에 생긴 단차 내부에 기포가 남기 쉬워지는데, 초음파에 의해 단차 내부의 기포도 바로 공기 중에 부상시킬 수 있다.
도 16 에 나타내는 박막화 처리 장치는, 본 고안의 박막화 처리 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이고, MD 방향에서 본 개략 단면도이다. 또한, 도 16 에 나타내는 박막화 처리 장치에는, 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내에 초음파 발생 장치 (2)(25) 가 설치되어 있다. 초음파 발생 장치 (2)(25) 에 의해, 알칼리 수용액 (9) 이 회수관 배출구 (22) 로부터 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 에 저장될 때에 발생하는 기포를 공급 펌프 흡입구 (17) 에 도달하지 않는 사이에 공기 중에 부상시키고, 반송 중인 레지스트층이 형성된 기판 (8) 에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
초음파 발생 장치에 관해서 설명한다. 초음파에 의해 액 중의 기포를 제거하는 방법은, 진공 감압 방식, 원심 분리 방식, 사이클론 방식 등에 비해, 액체의 온도 변화가 작고, 또한 초음파를 조사한 직후부터 효과가 있고, 간편하고 또한 즉효성 면에서 우수하다. 초음파 발생 장치는, 초음파 진동의 발진 주파수는 일정한 것이어도 되고, 어떤 주파수 변화의 사이클로 주파수를 변화시키면서 발진할 수 있는 것이어도 된다. 예를 들어, 알칼리 처리액이 순환하고, 액 흐름이 있는 경우에는, 진동을 균일하게 부여하는 것이 중요해지므로, 주파수를 변화시키면서 발진하는 것이 바람직하다. 또한, 발진 출력도 변화시키면서 발진할 수 있는 것이 바람직하다.
초음파 발생 장치 (1)(20) 의 설치 위치는, 딥조 (10) 내의 알칼리 수용액 (9) 중에서, 알칼리 수용액 공급구 (11) 부근의 딥조 (10) 저부에 있는 것이 바람직하다. 또한, 초음파 발생 장치 (2)(25) 는, 회수관 배출구 (22) 로부터 배출되는 알칼리 수용액 (9) 과 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내의 알칼리 수용액 (9) 이 접촉하는 점과 공급 펌프 흡입구 (17) 사이의 위치인 것이 바람직하다.
초음파 발생 장치의 설치 수는, 박막화 처리하는 레지스트층이 형성된 기판의 치수와 딥조 또는 알칼리 수용액 저장 탱크의 용량에 맞춰 적절히 선택할 수 있다. 레지스트층이 형성된 기판에 균일하게 초음파가 조사되도록, 또한 진동자로부터 발진된 초음파의 분포가 겹치지 않도록 설치하는 것이 바람직하다.
기포 억제 장치의 다른 일례로서, 알칼리 수용액 분출구를 들 수 있다. 딥조에 있어서, 알칼리 수용액의 액면보다 낮은 위치로부터 알칼리 수용액을 레지스트층 표면에 분출시킴으로써, 레지스트층 표면에 알칼리 수용액의 액 흐름을 발생시키고, 이것에 의해, 레지스트층에 기포가 부착되는 것을 억제할 수 있다.
도 17 에 나타내는 박막화 처리 장치는, 본 고안의 박막화 처리 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이고, CD 방향에서 본 개략 단면도이다. 도 17 에 나타내는 박막화 처리 장치에서는, 분출구용 공급 펌프 (28) 로부터 공급관 (29) 을 통하여 공급되는 알칼리 수용액 (9) 을 레지스트층이 형성된 기판 (8) 을 향하게 하여 분출하는 알칼리 수용액 분출구 (27) 가 딥조 (10) 내에 설치되어 있다. 알칼리 수용액 분출구 (27) 로부터 분출되는 알칼리 수용액 (9) 의 수압에 의해, 레지스트층이 형성된 기판 (8) 에 접촉하고 있는 알칼리 수용액 (9) 에 끊임없이 액 흐름이 발생하기 때문에, 박막화 처리 장치 내의 알칼리 수용액 순환 과정에서 발생한 기포 (15) 가, 반송 중에 레지스트층이 형성된 기판 (8) 에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
알칼리 수용액 분출구에 관해서 설명한다. 알칼리 수용액 분출구 (27) 는, 딥조 (10) 의 알칼리 수용액 (9) 의 액면보다 낮은 위치에 있고, 박막화 처리 중인 레지스트층이 형성된 기판 (8) 의 상하면에 대하여 알칼리 수용액 (9) 을 분출할 수 있는 위치에 설치된다. 도 17 에 있어서는, 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 와 분출구용 공급 펌프 (28) 를 각각 2 개 설치하고 있는데, 하나의 펌프에 의해 알칼리 수용액 공급구 (11) 와 알칼리 수용액 분출구 (27) 의 양방에 알칼리 수용액 (9) 을 공급하는 것도 가능하다.
알칼리 수용액 분출구로부터 분출되는 압력, 유량에 관해서 설명한다. 분출되는 알칼리 수용액의 압력은, 0.01∼0.5 ㎫ 가 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.05∼0.3 ㎫, 더욱 바람직하게는 0.1∼0.3 ㎫ 이다. 알칼리 수용액의 공급 유량은, 레지스트층 1 ㎠ 당 0.03∼1.0 ℓ/min 이 바람직하고, 보다 바람직하게는 0.05∼1.0 ℓ/min, 더욱 바람직하게는 0.1∼1.0 ℓ/min 이다. 분출되는 알칼리 수용액의 압력이나 레지스트층 1 ㎠ 당의 알칼리 수용액의 공급 유량이 부족하면, 박막화 처리 장치 내의 알칼리 수용액 순환 과정에서 발생한 기포가, 박막화 처리 중인 레지스트층이 형성된 기판에 부착되는 경우가 있다. 한편, 압력이나 공급 유량이 과잉이 되면, 딥조 내의 알칼리 수용액의 액 흐름이 심해져 새로운 기포가 발생할 가능성이 높아진다. 또, 공급에 필요한 펌프 등의 부품이 커져, 대규모 장치가 필요하게 된다. 또한, 압력이나 공급 유량이 필요 이상으로 과잉이 되어도, 박막화 처리 중인 레지스트층이 형성된 기판에 대한 기포 부착 방지에 미치는 영향이 달라지지 않게 되는 경우가 있다.
알칼리 수용액 분출구의 형상은, 상기 압력, 유량을 만족할 수 있는 것이면 특별히 제한은 없고, 각종 형상의 샤워 노즐, 배관이나 튜브를 커트한 단면이나 그것들에 개구된 구멍 등으로부터 알칼리 수용액을 분출시켜 사용할 수 있다. 알칼리 수용액 분출구의 방향은, 박막화 처리 중인 레지스트층 표면에 효율적으로 액 흐름을 만들기 위해, 레지스트층 표면에 수직인 방향에 대하여, 경사진 방향으로부터 분출하는 것이 좋다.
공급관 (29) 이란, 분출구용 공급 펌프 (28) 에 의해 흡입된 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내의 알칼리 수용액 (9) 을 알칼리 수용액 분출구 (27) 에 안내하는 관을 말한다. 분출구용 공급 펌프 (28) 로부터 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내의 알칼리 수용액 (9) 을 알칼리 수용액 분출구 (27) 에 안내할 수 있으면, 공급관 (29) 의 형상이나 굵기나 길이는 자유롭게 정할 수 있다. 또한, 공급관 (29) 의 개수는 1 개여도 되고, 복수 개여도 된다.
본 고안에 관련된 기포 억제 장치는, 단독으로 사용해도 되고, 여러 가지 조합하여 사용해도 된다. 예를 들어, 딥조 내와 알칼리 수용액 저장 탱크 내의 양방에서 기포의 발생을 억제하는 경우, 딥조 내 및 알칼리 수용액 저장 탱크 내에 기포 유도판을 설치하고, 또한, 알칼리 수용액 저장 탱크 내의 적절한 위치에 회수관 배출구를 설치하는 것이 바람직하다. 딥조 내에서의 기포 유도판의 설치는, 설령 알칼리 수용액 저장 탱크 내에서 발생한 기포가 알칼리 수용액 공급구로부터 딥조에 반입되었다고 해도, 기포가 레지스트층 표면에 부착되는 것을 직전에 방지할 수 있기 때문에, 특히 유효하다. 딥조에 있어서의 초음파 발생 장치나 알칼리 수용액 분출구의 설치는, 패턴의 노광 공정 후, 미노광부를 박막화 공정에서 박막화하고, 다시 패턴의 노광 공정을 실시하고, 다음으로 다시 박막화 공정에서 박막화하여, 레지스트층의 단차 구조를 형성하는 경우에 특히 효과가 있다.
도 18 에 나타내는 박막화 처리 장치는, 본 고안의 박막화 처리 장치의 일례를 나타내는 개략 단면도이고, MD 방향에서 본 개략 단면도이다. 도 18 에 나타내는 박막화 처리 장치에서는, 기포 억제 장치로서, 기포 유도판 (1)(16) 및 기포 유도판 (2)(18) 그리고 기포 유도판 (3)(19) 과 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 의 알칼리 수용액의 액면 (23) 보다 아래에 설치된 회수관 배출구 (22) 를 병용하고 있다.
레지스트층의 박막화 처리 장치에 있어서의 딥조 (10) 및 알칼리 수용액 회수조 (30) 에 관해서 설명한다. 알칼리 수용액 (9) 의 순환에 관해서, 알칼리 수용액 공급구 (11) 로부터 딥조 (10) 내에 알칼리 수용액 (9) 이 공급되고, 딥조 (10) 로부터 오버플로우된 알칼리 수용액 (9) 이 알칼리 수용액 회수조 (30) 에 회수된다. 알칼리 수용액 회수조 (30) 에 회수된 알칼리 수용액 (9) 은, 회수관 (21) 을 통하여 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 에 안내되고, 공급 펌프 흡입구 (17) 로부터 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 를 통하여 다시 알칼리 수용액 공급구 (11) 로부터 딥조 (10) 내에 보내지고, 순환된다.
알칼리 수용액 (9) 의 온도는, 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내에 설치된 가온용 히터, 냉각수를 순환시킨 냉각관 등에 의해 제어할 수 있다. 온도 제어용 온도계는, 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내뿐만 아니라 딥조 (10) 에도 설치하는 것이 바람직하고, 이것에 의해 순환 경로 내의 알칼리 수용액 (9) 의 온도는 보다 일정하게 유지된다. 딥조 (10) 의 크기는, 반송롤 쌍 (12) 에 의해 레지스트층이 형성된 기판 (8) 이 반송되어 박막화 처리될 때, 레지스트층에 알칼리 수용액이 접촉하는 크기이면 특별히 제한은 없고, 자유롭게 정할 수 있다. 또한, 알칼리 수용액 회수조 (30) 의 형상이나 크기는, 딥조 (10) 로부터 알칼리 수용액 (9) 의 오버플로우를 회수할 수 있도록 되어 있으면 되고, 자유롭게 정할 수 있다.
반송롤 쌍 (12) 의 형상 및 재질은, 레지스트층이 형성된 기판을 반송할 수 있는 것이면 특별히 제한은 없고, 예를 들어 폴리올레핀 (폴리프로필렌 등), 폴리염화비닐, 불소 수지 (테플론 (등록상표) 등) 등을 이용할 수 있다. 또한, 반송롤 쌍 (12) 의 설치 위치 및 개수는, 레지스트층이 형성된 기판 (8) 을 반송할 수 있으면, 도시된 설치 위치 및 개수에 한정되는 것은 아니다.
회수관 (21) 이란, 딥조 (10) 로부터 오버플로우되어 알칼리 수용액 회수조 (30) 에 회수된 알칼리 수용액 (9) 을 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 에 안내하는 관을 말한다. 딥조 (10) 로부터 오버플로우된 알칼리 수용액 (9) 을 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 에 안내할 수 있으면, 회수관 (21) 의 형상이나 굵기나 길이는 자유롭게 정할 수 있다. 또한, 회수관 (21) 의 개수는 1 개여도 되고, 복수 개여도 된다.
알칼리 수용액 공급구 (11) 의 바람직한 직경은, 딥조 (10) 의 용량에 따라 변화되는데, 통상 10∼40 ㎜ 이다. 또한, 알칼리 수용액 공급구 (11) 의 위치는, 딥조 (10) 의 저부이면 어디나 가능하다. 알칼리 수용액 공급구 (11) 가 하나인 경우에는 딥조 (10) 내의 알칼리 수용액 (9) 의 순환 효율로부터, 딥조 (10) 저부의 중앙 부근인 것이 바람직하다. 또한, 알칼리 수용액 공급구 (11) 를 딥조 (10) 측면에 설치하면, 알칼리 수용액 (9) 내의 기포 (15) 의 움직임이 복잡해지므로, 기포 억제 장치에 의해 기포를 억제하는 것이 곤란해지는 경우가 있다. 또한, 알칼리 수용액 공급구 (11) 를 딥조 (10) 상부에 설치하면, 알칼리 수용액 (9) 의 공급시에 새로운 기포 (15) 를 발생시킬 가능성이 높아지는 경우가 있다.
레지스트층의 박막화 처리 장치에 사용되는 재료는, 특별히 한정되지 않는다. 알칼리 수용액에 접하는 부품에 있어서는, 알칼리 수용액에 대하여 내성이 있는 각종 재료를 사용할 수 있다.
레지스트층의 박막화 공정의 미셀화 처리 (박막화 처리) 에 있어서, 알칼리 수용액에 의해 레지스트층 중의 광가교성 수지 성분이 미셀화된 후, 미셀 제거 처리에 있어서, 그 알칼리 수용액보다 희박한 알칼리성 화합물을 함유하는 pH 5∼9 의 수용액에 의해 미셀이 제거되고, 레지스트층의 박막화가 진행된다. 수용액의 pH 가 5 미만에서는, 수용액 중에 녹은 레지스트층 성분이 응집되고, 불용성의 슬러지가 되어 박막화 후의 레지스트층 표면에 부착될 우려가 있다. 한편, 수용액의 pH 가 9 를 초과하면, 레지스트층의 용해 확산이 촉진되고, 면내에서 처리 불균일이 발생하기 쉬워지는 경우가 있어 바람직하지 않다. 또한, 수용액의 pH 는, 황산, 인산, 염산 등을 사용하여 조정할 수 있다. 또한, pH 5∼9 의 수용액의 공급 방법으로는, 레지스트층의 용해 확산 속도와 액 공급의 균일성 면에서 스프레이 방식이 가장 바람직하다. 스프레이압은, 0.01∼0.5 ㎫ 로 하는 것이 바람직하고, 더욱 바람직하게는 0.02∼0.3 ㎫ 이다. 또한, 스프레이 방법은, 레지스트층 표면에 효율적으로 액 흐름을 만들기 위해, 레지스트층 표면에 수직인 방향에 대하여 경사진 방향으로부터 분사하는 것이 좋다.
pH 5∼9 의 수용액에 의해 미셀을 제거한 후, 또한, 다 제거되지 못한 레지스트층 표면이나 잔존 부착된 알칼리 수용액을 수세 처리에 의해 씻어낸다. 수세 처리 방법으로는, 확산 속도와 액 공급의 균일성 면에서 스프레이 방식이 바람직하다.
건조 처리에서는, 열풍 건조, 실온 송풍 건조 중 어느 것이나 사용할 수 있는데, 에어 블로워를 사용하여 대량의 공기를 송기 (送氣) 하고, 에어 슬릿 노즐로부터 고압의 공기를 레지스트층 표면에 내뿜어, 표면 상의 물을 제거하는 방법이 바람직하다.
(실시예)
이하, 실시예에 의해 본 고안을 더욱 상세하게 설명하는데, 본 고안은 이 실시예에 한정되는 것은 아니다.
(실시예 1)
프린트 배선판용 기판 (절연층 (1) : 유리 기재 에폭시 수지, 금속층 (7) : 동박, 면적 510 ㎜×340 ㎜, 동박 두께 12 ㎛, 기재 두께 0.2 ㎜, 미쯔비시 가스 화학사 (MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.) 제조, 상품명 : CCL-E170) 에 드라이 필름 레지스트용 라미네이터를 사용하여, 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성 공업사 (Hitachi Chemical Co., Ltd.) 제조, 상품명 : RY3625, 두께 25 ㎛) 를 열압착하고, 레지스트층 (3) 을 형성하였다.
다음으로, 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름을 박리한 후, 박막화 처리액 (알칼리 수용액 (9)) 으로서 10 질량% 의 탄산나트륨 수용액 (액 온도 25 ℃) 을 사용하여, 반송 방향의 길이가 500 ㎜, 폭 750 ㎜, 깊이 200 ㎜ 의 딥조 (10), 딥조 (10) 저면의 중앙부에 직경 20 ㎜ 의 알칼리 수용액 공급구 (11) 를 갖고, 알칼리 수용액 공급구 (11) 의 바로 위에 반송 방향의 길이 500 ㎜, 폭 400 ㎜ 의 기포 유도판 (1)(16) 이 설치된 박막화 처리 장치 (도 7) 에서, 알칼리 수용액 공급구 (11) 로부터 알칼리 수용액 (9) 을 공급하고, 오버플로우시킴으로써 알칼리 수용액 (9) 을 순환시키면서, 레지스트층 (3) 의 박막화 처리를 실시하였다. 레지스트층 (3) 을 기판 (8) 의 하면으로 하여, 알칼리 수용액 (9) 에 30 초간 침지한 채의 상태에서 반송롤 쌍 (12) 에 의해 반송하고, 미셀 제거 처리, 수세 처리, 건조 처리 후에 레지스트층 (3) 의 박막화부의 두께를 측정한 결과, 12 ㎛ 였다.
박막화된 레지스트층 (3) 의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 처리 불균일이 없는 평활한 표면인 것을 확인할 수 있었다.
(실시예 2)
프린트 배선판용 기판 (절연층 (1) : 유리 기재 에폭시 수지, 금속층 (7) : 동박, 면적 510 ㎜×340 ㎜, 동박 두께 12 ㎛, 기재 두께 0.2 ㎜, 미쯔비시 가스 화학사 (MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.) 제조, 상품명 : CCL-E170) 에 드라이 필름 레지스트용 라미네이터를 사용하여, 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성 공업사 (Hitachi Chemical Co., Ltd.) 제조, 상품명 : RY3625, 두께 25 ㎛) 를 열압착하고, 레지스트층 (3) 을 형성하였다.
다음으로, 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름을 박리한 후, 박막화 처리액 (알칼리 수용액 (9)) 으로서 10 질량% 의 탄산나트륨 수용액 (액 온도 25 ℃) 을 사용하여, 반송 방향의 길이가 500 ㎜, 폭 750 ㎜, 깊이 200 ㎜ 의 딥조 (10), 딥조 (10) 저면의 중앙부에 직경 20 ㎜ 의 알칼리 수용액 공급구 (11) 를 갖고, 알칼리 수용액 공급구 (11) 의 바로 위에 반송 방향의 길이 250 ㎜, 폭 400 ㎜ 의 기포 유도판 (1)(16) 이 설치되고, 기포 유도판의 반송 방향의 시점과 종점의 단부에는 높이 10 ㎜ 의 바브 (26) 가 장착되어 있는 박막화 처리 장치 (도 8) 에서, 알칼리 수용액 공급구 (11) 로부터 알칼리 수용액 (9) 을 공급하고, 오버플로우시킴으로써 알칼리 수용액 (9) 을 순환시키면서, 레지스트층의 박막화 처리를 실시하였다. 레지스트층 (3) 을 기판 (8) 의 하면으로 하여, 알칼리 수용액 (9) 에 30 초간 침지한 채의 상태에서 반송롤 쌍 (12) 에 의해 반송하고, 미셀 제거 처리, 수세 처리, 건조 처리 후에 레지스트층 (3) 의 박막화부의 두께를 측정한 결과, 12 ㎛ 였다.
박막화된 레지스트층 (3) 의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 처리 불균일이 없는 평활한 표면인 것을 확인할 수 있었다.
(실시예 3)
프린트 배선판용 기판 (절연층 (1) : 유리 기재 에폭시 수지, 금속층 (7) : 동박, 면적 510 ㎜×340 ㎜, 동박 두께 12 ㎛, 기재 두께 0.2 ㎜, 미쯔비시 가스 화학사 (MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.) 제조, 상품명 : CCL-E170) 에 드라이 필름 레지스트용 라미네이터를 사용하여, 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성 공업사 (Hitachi Chemical Co., Ltd.) 제조, 상품명 : RY3625, 두께 25 ㎛) 를 열압착하고, 레지스트층 (3) 을 형성하였다.
다음으로, 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름을 박리한 후, 박막화 처리액 (알칼리 수용액 (9)) 으로서 10 질량% 의 탄산나트륨 수용액 (액 온도 25 ℃) 을 사용하여, 반송 방향의 길이가 500 ㎜, 폭 750 ㎜, 깊이 200 ㎜ 의 딥조 (10), 딥조 (10) 저면의 중앙부에 직경 20 ㎜ 의 알칼리 수용액 공급구 (11) 를 갖고, 알칼리 수용액 공급구 (11) 의 바로 위에 반송 방향의 길이 250 ㎜, 폭 400 ㎜ 이고, 폭 방향의 중앙부와 단부의 고저차가 30 ㎜ 인 V 자형 형상의 기포 유도판 (1)(16) 이 설치된 박막화 처리 장치 (도 9) 에서, 알칼리 수용액 공급구 (11) 로부터 알칼리 수용액 (9) 을 공급하고, 오버플로우시킴으로써 알칼리 수용액 (9) 을 순환시키면서, 레지스트층 (3) 의 박막화 처리를 실시하였다. 레지스트층 (3) 을 기판의 하면으로 하여, 알칼리 수용액 (9) 에 30 초간 침지한 채의 상태에서 반송롤 쌍 (12) 에 의해 반송하고, 미셀 제거 처리, 수세 처리, 건조 처리 후에 레지스트층 (3) 의 박막화부의 두께를 측정한 결과, 12 ㎛ 였다.
박막화된 레지스트층 (3) 의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 처리 불균일이 없는 평활한 표면인 것을 확인할 수 있었다.
(실시예 4)
프린트 배선판용 기판 (절연층 (1) : 유리 기재 에폭시 수지, 금속층 (7) : 동박, 면적 510 ㎜×340 ㎜, 동박 두께 12 ㎛, 기재 두께 0.2 ㎜, 미쯔비시 가스 화학사 (MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.) 제조, 상품명 : CCL-E170) 에 드라이 필름 레지스트용 라미네이터를 사용하여, 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성 공업사 (Hitachi Chemical Co., Ltd.) 제조, 상품명 : RY3625, 두께 25 ㎛) 를 열압착하고, 레지스트층 (3) 을 형성하였다.
다음으로, 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름을 박리한 후, 박막화 처리액 (알칼리 수용액 (9)) 으로서 10 질량% 의 탄산나트륨 수용액 (액 온도 25 ℃) 을 사용하여, 반송 방향의 길이가 500 ㎜, 폭 750 ㎜, 깊이 200 ㎜ 의 딥조 (10), 딥조 (10) 저면의 중앙부에 직경 20 ㎜ 의 알칼리 수용액 공급구 (11) 를 갖고, 알칼리 수용액 공급구 (11) 의 바로 위에 반송 방향의 길이 20 ㎜, 폭 340 ㎜ 이고, 폭 방향의 중앙부와 단부의 고저차가 60 ㎜ 인 V 자형 형상의 기포 유도판 (1)(16) 이 설치되고, 기포 유도판의 반송 방향의 시점과 종점의 단부에는 높이 60 ㎜ 의 바브 (26) 가 장착되어 있는 박막화 처리 장치에서, 알칼리 수용액 공급구 (11) 로부터 알칼리 수용액 (9) 을 공급하고, 오버플로우시킴으로써 알칼리 수용액 (9) 을 순환시키면서, 레지스트층 (3) 의 박막화 처리를 실시하였다. 레지스트층 (3) 을 기판 (8) 의 하면으로 하여, 알칼리 수용액 (9) 에 30 초간 침지한 채의 상태에서 반송롤 쌍 (12) 에 의해 반송하고, 미셀 제거 처리, 수세 처리, 건조 처리 후에 레지스트층 (3) 의 박막화부의 두께를 측정한 결과, 12 ㎛ 였다.
박막화된 레지스트층 (3) 의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 처리 불균일이 없는 평활한 표면인 것을 확인할 수 있었다.
(비교예 1)
프린트 배선판용 기판 (절연층 (1) : 유리 기재 에폭시 수지, 금속층 (7) : 동박, 면적 510 ㎜×340 ㎜, 동박 두께 12 ㎛, 기재 두께 0.2 ㎜, 미쯔비시 가스 화학사 (MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.) 제조, 상품명 : CCL-E170) 에 드라이 필름 레지스트용 라미네이터를 사용하여, 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성 공업사 (Hitachi Chemical Co., Ltd.) 제조, 상품명 : RY3625, 두께 25 ㎛) 를 열압착하고, 레지스트층 (3) 을 형성하였다.
다음으로, 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름을 박리한 후, 박막화 처리액 (알칼리 수용액 (9)) 으로서 10 질량% 의 탄산나트륨 수용액 (액 온도 25 ℃) 을 사용하여, 반송 방향의 길이가 500 ㎜, 폭 750 ㎜, 깊이 200 ㎜ 의 딥조 (10), 딥조 (10) 저면의 중앙부에 직경 20 ㎜ 의 알칼리 수용액 공급구 (11) 를 갖는 박막화 처리 장치 (도 5∼6) 에서, 알칼리 수용액 공급구 (11) 로부터 알칼리 수용액 (9) 을 공급하고, 오버플로우시킴으로써 알칼리 수용액 (9) 을 순환시키면서, 레지스트층 (3) 의 박막화 처리를 실시하였다. 레지스트층 (3) 을 기판 (8) 의 하면으로 하여, 알칼리 수용액 (9) 에 30 초간 침지한 채의 상태에서 반송롤 쌍 (12) 에 의해 반송하고, 미셀 제거 처리, 수세 처리, 건조 처리 후에 레지스트층 (3) 의 박막화부의 두께를 측정한 결과, 12 ㎛ 였다.
박막화된 레지스트층 (3) 의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 기포의 부착이 원인으로 보여지는 무수한 처리 불균일이 발생했다.
(실시예 5)
프린트 배선판용 기판 (절연층 (1) : 유리 기재 에폭시 수지, 금속층 (7) : 동박, 면적 510 ㎜×340 ㎜, 동박 두께 12 ㎛, 기재 두께 0.2 ㎜, 미쯔비시 가스 화학사 (MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.) 제조, 상품명 : CCL-E170) 에 드라이 필름 레지스트용 라미네이터를 사용하여, 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성 공업사 (Hitachi Chemical Co., Ltd.) 제조, 상품명 : RY3625, 두께 25 ㎛) 를 열압착하고, 레지스트층 (3) 을 형성하였다.
다음으로, 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름을 박리한 후, 박막화 처리액 (알칼리 수용액 (9)) 으로서 10 질량% 의 탄산나트륨 수용액 (액 온도 25 ℃) 을 사용하여, 반송 방향의 길이가 500 ㎜, 폭 750 ㎜, 깊이 200 ㎜ 의 딥조 (10), 딥조 (10) 로부터 오버플로우된 알칼리 수용액 (9) 을 알칼리 수용액 회수조 (30) 로부터 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내부에 안내하는 회수관 (21), 반송 방향의 길이가 700 ㎜, 폭 950 ㎜, 깊이 600 ㎜ 의 알칼리 수용액 저장 탱크 (13), 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 저부로부터 350 ㎜ 의 높이 위치에 설치된 회수관 배출구 (22), 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 측면에서 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 저부로부터 50 ㎜ 의 높이 위치에 설치된 공급 펌프 흡입구 (17), 회수관 배출구 (22) 로부터 배출되는 알칼리 수용액 (9) 과 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내의 알칼리 수용액 (9) 이 접촉하는 점으로부터 200 ㎜ 의 위치 (공급 펌프 흡입구 (17) 로부터 500 ㎜ 의 위치) 에 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 저부에 고정된 높이 200 ㎜, 폭 700 ㎜, 두께 10 ㎜ 의 기포 유도판 (2)(18) 이 설치된 박막화 처리 장치 (도 10) 를 사용하고, 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 에 의해 알칼리 수용액 (9) 을 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 로부터 딥조 (10) 로 공급하고, 오버플로우시킴으로써 알칼리 수용액 (9) 을 순환시키면서, 레지스트층 (3) 의 박막화 처리를 실시하였다. 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 를 운전하고 있을 때의 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 의 알칼리 수용액의 액면 (23) 의 높이는, 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 의 저면으로부터 250 ㎜ 였다. 레지스트층 (3) 을 기판 (8) 의 하면으로 하여, 알칼리 수용액 (9) 에 30 초간 침지한 채의 상태에서 반송롤 쌍 (12) 에 의해 반송하고, 미셀 제거 처리, 수세 처리, 건조 처리 후에 레지스트층 (3) 의 박막화부의 두께를 측정한 결과, 12 ㎛ 였다.
박막화된 레지스트층 (3) 의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 처리 불균일이 없는 평활한 표면인 것을 확인할 수 있었다.
(실시예 6)
프린트 배선판용 기판 (절연층 (1) : 유리 기재 에폭시 수지, 금속층 (7) : 동박, 면적 510 ㎜×340 ㎜, 동박 두께 12 ㎛, 기재 두께 0.2 ㎜, 미쯔비시 가스 화학사 (MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.) 제조, 상품명 : CCL-E170) 에 드라이 필름 레지스트용 라미네이터를 사용하여, 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성 공업사 (Hitachi Chemical Co., Ltd.) 제조, 상품명 : RY3625, 두께 25 ㎛) 를 열압착하고, 레지스트층 (3) 을 형성하였다.
다음으로, 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름을 박리한 후, 박막화 처리액 (알칼리 수용액 (9)) 으로서 10 질량% 의 탄산나트륨 수용액 (액 온도 25 ℃) 을 사용하여, 반송 방향의 길이가 500 ㎜, 폭 750 ㎜, 깊이 200 ㎜ 의 딥조 (10), 딥조 (10) 로부터 오버플로우된 알칼리 수용액 (9) 을 알칼리 수용액 회수조 (30) 로부터 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내부에 안내하는 회수관 (21), 반송 방향의 길이가 700 ㎜, 폭 950 ㎜, 깊이 600 ㎜ 의 알칼리 수용액 저장 탱크 (13), 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 저부로부터 350 ㎜ 의 높이 위치에 설치된 회수관 배출구 (22), 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 측면에서 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 저부로부터 50 ㎜ 의 높이 위치에 설치된 공급 펌프 흡입구 (17), 회수관 배출구 (22) 로부터 배출되는 알칼리 수용액 (9) 과 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내의 알칼리 수용액 (9) 이 접촉하는 점에서 200 ㎜ 의 위치 (공급 펌프 흡입구 (17) 로부터 500 ㎜ 의 위치) 에 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 저부로부터 50 ㎜ 의 높이의 위치에 고정된 높이 200 ㎜, 폭 700 ㎜, 두께 10 ㎜ 의 기포 유도판 (3)(19) 이 설치된 박막화 처리 장치 (도 11) 를 사용하고, 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 에 의해 알칼리 수용액 (9) 을 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 로부터 딥조 (10) 로 공급하고, 오버플로우시킴으로써 알칼리 수용액 (9) 을 순환시키면서, 레지스트층 (3) 의 박막화 처리를 실시하였다. 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 를 운전하고 있을 때의 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 의 알칼리 수용액의 액면 (23) 의 높이는 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 의 저면으로부터 250 ㎜ 였다. 레지스트층 (3) 을 기판 (8) 의 하면으로 하여, 알칼리 수용액 (9) 에 30 초간 침지한 채의 상태에서 반송롤 쌍 (12) 에 의해 반송하고, 미셀 제거 처리, 수세 처리, 건조 처리 후에 레지스트층 (3) 의 박막화부의 두께를 측정한 결과, 12 ㎛ 였다.
박막화된 레지스트층 (3) 의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 처리 불균일이 없는 평활한 표면인 것을 확인할 수 있었다.
(실시예 7)
프린트 배선판용 기판 (절연층 (1) : 유리 기재 에폭시 수지, 금속층 (7) : 동박, 면적 510 ㎜×340 ㎜, 동박 두께 12 ㎛, 기재 두께 0.2 ㎜, 미쯔비시 가스 화학사 (MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.) 제조, 상품명 : CCL-E170) 에 드라이 필름 레지스트용 라미네이터를 사용하여, 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성 공업사 (Hitachi Chemical Co., Ltd.) 제조, 상품명 : RY3625, 두께 25 ㎛) 를 열압착하고, 레지스트층 (3) 을 형성하였다.
다음으로, 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름을 박리한 후, 박막화 처리액 (알칼리 수용액 (9)) 으로서 10 질량% 의 탄산나트륨 수용액 (액 온도 25 ℃) 을 사용하여, 반송 방향의 길이가 500 ㎜, 폭 750 ㎜, 깊이 200 ㎜ 의 딥조 (10), 딥조 (10) 로부터 오버플로우된 알칼리 수용액 (9) 을 알칼리 수용액 회수조 (30) 로부터 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내부에 안내하는 회수관 (21), 반송 방향의 길이가 700 ㎜, 폭 950 ㎜, 깊이 600 ㎜ 의 알칼리 수용액 저장 탱크 (13), 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 저부로부터 350 ㎜ 의 높이 위치에 설치된 회수관 배출구 (22), 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 측면에서 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 저부로부터 50 ㎜ 의 높이 위치에 설치된 공급 펌프 흡입구 (17), 회수관 배출구 (22) 로부터 배출되는 알칼리 수용액 (9) 과 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내의 알칼리 수용액 (9) 이 접촉하는 점에서 200 ㎜ 의 위치 (공급 펌프 흡입구 (17) 로부터 500 ㎜ 의 위치) 에 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 저부에 고정된 높이 200 ㎜, 폭 700 ㎜, 두께 10 ㎜ 의 기포 유도판 (2)(18), 회수관 배출구 (22) 로부터 배출되는 알칼리 수용액 (9) 과 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내의 알칼리 수용액 (9) 이 접촉하는 점에서 350 ㎜ 의 위치 (공급 펌프 흡입구 (17) 로부터 350 ㎜ 의 위치) 에 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 저부로부터 50 ㎜ 의 높이의 위치에 고정된 높이 200 ㎜, 폭 700 ㎜, 두께 10 ㎜ 의 기포 유도판 (3)(19) 이 구비된 박막화 처리 장치 (도 12) 를 사용하여, 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 에 의해 알칼리 수용액 (9) 을 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 로부터 딥조 (10) 로 공급하고, 오버플로우시킴으로써 알칼리 수용액 (9) 을 순환시키면서, 레지스트층 (3) 의 박막화 처리를 실시하였다. 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 를 운전하고 있을 때의 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 의 알칼리 수용액의 액면 (23) 의 높이는 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 의 저면으로부터 250 ㎜ 였다. 레지스트층 (3) 을 기판 (8) 의 하면으로 하여, 알칼리 수용액 (9) 에 30 초간 침지한 채의 상태에서 반송롤 쌍 (12) 에 의해 반송하고, 미셀 제거 처리, 수세 처리, 건조 처리 후에 레지스트층 (3) 의 박막화부의 두께를 측정한 결과, 12 ㎛ 였다.
박막화된 레지스트층 (3) 의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 처리 불균일이 없는 평활한 표면인 것을 확인할 수 있었다.
(비교예 2)
프린트 배선판용 기판 (절연층 (1) : 유리 기재 에폭시 수지, 금속층 (7) : 동박, 면적 510 ㎜×340 ㎜, 동박 두께 12 ㎛, 기재 두께 0.2 ㎜, 미쯔비시 가스 화학사 (MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.) 제조, 상품명 : CCL-E170) 에 드라이 필름 레지스트용 라미네이터를 사용하여, 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성 공업사 (Hitachi Chemical Co., Ltd.) 제조, 상품명 : RY3625, 두께 25 ㎛) 를 열압착하고, 레지스트층 (3) 을 형성하였다.
다음으로, 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름을 박리한 후, 박막화 처리액 (알칼리 수용액 (9)) 으로서 10 질량% 의 탄산나트륨 수용액 (액 온도 25 ℃) 을 사용하여, 반송 방향의 길이가 500 ㎜, 폭 750 ㎜, 깊이 200 ㎜ 의 딥조 (10), 딥조 (10) 로부터 오버플로우된 알칼리 수용액 (9) 을 알칼리 수용액 회수조 (30) 로부터 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내부에 안내하는 회수관 (21), 반송 방향의 길이가 700 ㎜, 폭 950 ㎜, 깊이 600 ㎜ 의 알칼리 수용액 저장 탱크 (13), 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 저부로부터 350 ㎜ 의 높이 위치에 설치된 회수관 배출구 (22), 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 측면에서 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 저부로부터 50 ㎜ 의 높이 위치에 공급 펌프 흡입구 (17) 가 설치된 박막화 처리 장치 (도 5∼6) 를 사용하고, 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 에 의해 알칼리 수용액 (9) 을 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 로부터 딥조 (10) 로 공급하고, 오버플로우시킴으로써 알칼리 수용액 (9) 을 순환시키면서, 레지스트층 (3) 의 박막화 처리를 실시하였다. 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 를 운전하고 있을 때의 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 의 알칼리 수용액의 액면 (23) 의 높이는 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 의 저면으로부터 250 ㎜ 였다. 레지스트층 (3) 을 기판 (8) 의 하면으로 하여, 알칼리 수용액 (9) 에 30 초간 침지한 채의 상태에서 반송롤 쌍 (12) 에 의해 반송하고, 미셀 제거 처리, 수세 처리, 건조 처리 후에 레지스트층 (3) 의 박막화부의 두께를 측정한 결과, 12 ㎛ 였다.
박막화된 레지스트층 (3) 의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 기포의 부착이 원인으로 보여지는 무수한 처리 불균일이 발생했다.
(실시예 8)
프린트 배선판용 기판 (절연층 (1) : 유리 기재 에폭시 수지, 금속층 (7) : 동박, 면적 510 ㎜×340 ㎜, 동박 두께 12 ㎛, 기재 두께 0.2 ㎜, 미쯔비시 가스 화학사 (MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.) 제조, 상품명 : CCL-E170) 에 드라이 필름 레지스트용 라미네이터를 사용하여, 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성 공업사 (Hitachi Chemical Co., Ltd.) 제조, 상품명 : RY3625, 두께 25 ㎛) 를 열압착하고, 레지스트층 (3) 을 형성하였다.
다음으로, 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름을 박리한 후, 박막화 처리액 (알칼리 수용액 (9)) 으로서 10 질량% 의 탄산나트륨 수용액 (액 온도 25 ℃) 을 사용하여, 반송 방향의 길이가 500 ㎜, 폭 750 ㎜, 깊이 200 ㎜ 의 딥조 (10), 딥조 (10) 로부터 오버플로우된 알칼리 수용액 (9) 을 알칼리 수용액 회수조 (30) 로부터 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내부에 안내하는 회수관 (21), 반송 방향의 길이가 700 ㎜, 폭 950 ㎜, 깊이 600 ㎜ 의 알칼리 수용액 저장 탱크 (13), 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 저부로부터 150 ㎜ 의 높이 위치에 설치된 회수관 배출구 (22), 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 측면에서 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 저부로부터 50 ㎜ 의 높이 위치에 공급 펌프 흡입구 (17) 가 설치된 박막화 처리 장치(도 13) 를 사용하고, 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 에 의해 알칼리 수용액 (9) 을 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 로부터 딥조 (10) 로 공급하고, 오버플로우시킴으로써 알칼리 수용액 (9) 을 순환시키면서, 레지스트층 (3) 의 박막화 처리를 실시하였다. 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 를 운전하고 있을 때의 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 에 있어서의 알칼리 수용액의 액면 (23) 의 높이는 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 저면으로부터 250 ㎜ 였다. 레지스트층 (3) 을 기판 (8) 의 하면으로 하여, 알칼리 수용액 (9) 에 30 초간 침지한 채의 상태에서 반송롤 쌍 (12) 에 의해 반송하고, 미셀 제거 처리, 수세 처리, 건조 처리 후에 레지스트층 (3) 의 박막화부의 두께를 측정한 결과, 12 ㎛ 였다. 또, 레지스트층 (3) 의 박막화 처리는, 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 를 시동시키고 나서 1 시간 경과 후에 실시하였다.
박막화된 레지스트층 (3) 의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 처리 불균일이 없는 평활한 표면인 것을 확인할 수 있었다.
(실시예 9)
프린트 배선판용 기판 (절연층 (1) : 유리 기재 에폭시 수지, 금속층 (7) : 동박, 면적 510 ㎜×340 ㎜, 동박 두께 12 ㎛, 기재 두께 0.2 ㎜, 미쯔비시 가스 화학사 (MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.) 제조, 상품명 : CCL-E170) 에 드라이 필름 레지스트용 라미네이터를 사용하여, 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성 공업사 (Hitachi Chemical Co., Ltd.) 제조, 상품명 : RY3625, 두께 25 ㎛) 를 열압착하고, 레지스트층 (3) 을 형성하였다.
다음으로, 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름을 박리한 후, 박막화 처리액 (알칼리 수용액 (9)) 으로서 10 질량% 의 탄산나트륨 수용액 (액 온도 25 ℃) 을 사용하여, 반송 방향의 길이가 500 ㎜, 폭 750 ㎜, 깊이 200 ㎜ 의 딥조 (10), 딥조 (10) 로부터 오버플로우된 알칼리 수용액 (9) 을 알칼리 수용액 회수조 (30) 로부터 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내부에 안내하는 회수관 (21), 반송 방향의 길이가 700 ㎜, 폭 950 ㎜, 깊이 600 ㎜ 의 알칼리 수용액 저장 탱크 (13), 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 저부로부터 150 ㎜ 의 높이 위치에 설치된 회수관 배출구 (22), 회수관 배출구 (22) 로부터 50 ㎜ 의 높이 위치에 설치된 밸브 (24), 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 측면에서 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 저부로부터 50 ㎜ 의 높이 위치에 공급 펌프 흡입구 (17) 가 설치된 박막화 처리 장치 (도 14) 를 사용하고, 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 에 의해 알칼리 수용액 (9) 을 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 로부터 딥조 (10) 로 공급하고, 오버플로우시킴으로써 알칼리 수용액 (9) 을 순환시키면서, 레지스트층 (3) 의 박막화 처리를 실시하였다. 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 를 운전하고 있을 때의 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 에 있어서의 알칼리 수용액의 액면 (23) 의 높이는 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 저면으로부터 250 ㎜ 였다. 레지스트층 (3) 을 기판 (8) 의 하면으로 하여, 알칼리 수용액 (9) 에 30 초간 침지한 채의 상태에서 반송롤 쌍 (12) 에 의해 반송하고, 미셀 제거 처리, 수세 처리, 건조 처리 후에 레지스트층 (3) 의 박막화부의 두께를 측정한 결과, 12 ㎛ 였다. 또, 레지스트층 (3) 의 박막화 처리는, 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 를 시동시키고 나서 1 시간 경과 후에 실시하였다. 또, 레지스트층 (3) 의 박막화 처리 개시시에, 회수관 (21) 에 장착된 밸브 (24) 를 닫고 나서 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 를 시동시키고, 딥조 (10) 로부터 오버플로우된 알칼리 수용액 (9) 에 의해 회수관 (21) 내부가 완전히 채워진 후, 밸브 (24) 를 개방하는 조작을 실시하였다.
박막화된 레지스트층 (3) 의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 처리 불균일이 없는 평활한 표면인 것을 확인할 수 있었다.
(실시예 10)
프린트 배선판용 기판 (절연층 (1) : 유리 기재 에폭시 수지, 금속층 (7) : 동박, 면적 510 ㎜×340 ㎜, 동박 두께 12 ㎛, 기재 두께 0.2 ㎜, 미쯔비시 가스 화학사 (MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.) 제조, 상품명 : CCL-E170) 에 드라이 필름 레지스트용 라미네이터를 사용하여, 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성 공업사 (Hitachi Chemical Co., Ltd.) 제조, 상품명 : RY3625, 두께 25 ㎛) 를 열압착하고, 레지스트층 (3) 을 형성하였다.
다음으로, 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름을 박리한 후, 박막화 처리액 (알칼리 수용액 (9)) 으로서 10 질량% 의 탄산나트륨 수용액 (액 온도 25 ℃) 을 사용하여, 반송 방향의 길이가 500 ㎜, 폭 750 ㎜, 깊이 200 ㎜ 의 딥조 (10), 딥조 (10) 저면의 중앙부에 직경 20 ㎜ 의 알칼리 수용액 공급구 (11) 를 갖고, 알칼리 수용액 공급구 (11) 로부터 반송 방향 전측 (前側) 으로 150 ㎜, 폭 방향 우측으로 150 ㎜, 떨어진 위치에 초음파 발생 장치 (1)(20) 가 1 대와 반송 방향 후측으로 150 ㎜, 폭 방향 좌측으로 150 ㎜, 떨어진 위치에 초음파 발생 장치 (1)(20) 가 1 대 설치된 박막화 처리 장치 (도 15) 를 사용하고, 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 에 의해 알칼리 수용액 (9) 을 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 로부터 딥조 (10) 로 공급하고, 오버플로우시킴으로써 알칼리 수용액 (9) 을 순환시키면서, 레지스트층 (3) 의 박막화 처리를 실시하였다. 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 를 운전하고 있을 때의 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 에 있어서의 알칼리 수용액의 액면 (23) 의 높이는 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 저면으로부터 250 ㎜ 였다. 레지스트층 (3) 을 기판 (8) 의 하면으로 하여, 알칼리 수용액 (9) 에 30 초간 침지한 채의 상태에서 반송롤 쌍 (12) 에 의해 반송하고, 미셀 제거 처리, 수세 처리, 건조 처리 후에 레지스트층 (3) 의 박막화부의 두께를 측정한 결과, 12 ㎛ 였다.
박막화된 레지스트층 (3) 의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 처리 불균일이 없는 평활한 표면인 것을 확인할 수 있었다.
(실시예 11)
프린트 배선판용 기판 (절연층 (1) : 유리 기재 에폭시 수지, 금속층 (7) : 동박, 면적 510 ㎜×340 ㎜, 동박 두께 12 ㎛, 기재 두께 0.2 ㎜, 미쯔비시 가스 화학사 (MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.) 제조, 상품명 : CCL-E170) 에 드라이 필름 레지스트용 라미네이터를 사용하여, 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성 공업사 (Hitachi Chemical Co., Ltd.) 제조, 상품명 : RY3625, 두께 25 ㎛) 를 열압착하고, 레지스트층 (3) 을 형성하였다.
다음으로, 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름을 박리한 후, 박막화 처리액 (알칼리 수용액 (9)) 으로서 10 질량% 의 탄산나트륨 수용액 (액 온도 25 ℃) 을 사용하여, 반송 방향의 길이가 500 ㎜, 폭 750 ㎜, 깊이 200 ㎜ 의 딥조 (10), 딥조 (10) 로부터 오버플로우된 알칼리 수용액 (9) 을 알칼리 수용액 회수조 (30) 로부터 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내부에 안내하는 회수관 (21), 반송 방향의 길이가 700 ㎜, 폭 950 ㎜, 깊이 600 ㎜ 의 알칼리 수용액 저장 탱크 (13), 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 저부로부터 350 ㎜ 의 높이 위치에 설치된 회수관 배출구 (22), 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 측면에서 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 저부로부터 50 ㎜ 의 높이 위치에 설치된 공급 펌프 흡입구 (17), 회수관 배출구 (22) 로부터 배출되는 알칼리 수용액 (9) 과 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내의 알칼리 수용액 (9) 이 접촉하는 점에서 200 ㎜ 의 위치 (공급 펌프 흡입구 (17) 로부터 500 ㎜ 의 위치) 에 초음파 발생 장치 (2)(25) 가 설치된 박막화 처리 장치 (도 16) 를 사용하고, 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 에 의해 알칼리 수용액 (9) 을 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 로부터 딥조 (10) 로 공급하고, 오버플로우시킴으로써 알칼리 수용액 (9) 을 순환시키면서, 레지스트층 (3) 의 박막화 처리를 실시하였다. 공급 펌프를 운전하고 있을 때의 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 에 있어서의 알칼리 수용액의 액면 (23) 의 높이는 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 저면으로부터 250 ㎜ 였다. 레지스트층 (3) 을 기판 (8) 의 하면으로 하여, 알칼리 수용액 (9) 에 30 초간 침지한 채의 상태에서 반송롤 쌍 (12) 에 의해 반송하고, 미셀 제거 처리, 수세 처리, 건조 처리 후에 레지스트층 (3) 의 박막화부의 두께를 측정한 결과, 12 ㎛ 였다.
박막화된 레지스트층 (3) 의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 처리 불균일이 없는 평활한 표면인 것을 확인할 수 있었다.
(실시예 12)
프린트 배선판용 기판 (절연층 (1) : 유리 기재 에폭시 수지, 금속층 (7) : 동박, 면적 510 ㎜×340 ㎜, 동박 두께 12 ㎛, 기재 두께 0.2 ㎜, 미쯔비시 가스 화학사 (MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.) 제조, 상품명 : CCL-E170) 에 드라이 필름 레지스트용 라미네이터를 사용하여, 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성 공업사 (Hitachi Chemical Co., Ltd.) 제조, 상품명 : RY3625, 두께 25 ㎛) 를 열압착하고, 레지스트층 (3) 을 형성하였다.
다음으로, 길이 10 ㎜, 선폭 100 ㎛ 의 선이 100 ㎛ 간격으로 21 개 나열된 노광 원고용 포토마스크 (4) 를 사용하여 1 회째의 밀착 노광 (노광량 80 mJ/㎠) 을 실시하였다.
노광 후, 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름을 박리하고, 박막화 처리액 (알칼리 수용액 (9)) 으로서 10 질량% 의 탄산나트륨 수용액 (액 온도 25 ℃) 을 사용하여, 반송 방향의 길이가 500 ㎜, 폭 750 ㎜, 깊이 200 ㎜ 의 딥조 (10), 딥조 (10) 저면의 중앙부에 직경 20 ㎜ 의 알칼리 수용액 공급구 (11) 를 갖고, 알칼리 수용액 공급구 (11) 로부터 반송 방향 전측으로 150 ㎜, 폭 방향 우측으로 150 ㎜, 떨어진 위치에 초음파 발생 장치 (1)(20) 가 1 대와 반송 방향 후측으로 150 ㎜, 폭 방향 좌측으로 150 ㎜, 떨어진 위치에 초음파 발생 장치 (1)(20) 가 1 대 설치된 박막화 처리 장치를 사용하고, 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 에 의해 알칼리 수용액 (9) 을 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 로부터 딥조 (10) 로 공급하고, 오버플로우시킴으로써 알칼리 수용액 (9) 을 순환시키면서, 1 회째의 박막화 처리를 실시하였다. 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 를 운전하고 있을 때의 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 에 있어서의 알칼리 수용액의 액면 (23) 의 높이는 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 저면으로부터 250 ㎜ 였다. 레지스트층 (3) 을 기판 (8) 의 하면으로 하여, 알칼리 수용액 (9) 에 15 초간 침지한 채의 상태에서 반송롤 쌍 (12) 에 의해 반송하고, 미셀 제거 처리, 수세 처리, 건조 후에 레지스트층 (3) 의 박막화부의 두께를 측정한 결과, 16 ㎛ 였다.
다음으로, 길이 10 ㎜, 선폭 100 ㎛ 의 선이 100 ㎛ 간격으로 21 개 나열된 노광 원고용 포토마스크 (4) 를 사용하여 2 회째의 밀착 노광을 실시하였다. 이 때, 1 회째의 밀착 노광의 방향으로부터 포토마스크를 90°회전시킨 상태에서 밀착 노광 (노광량 80 mJ/㎠) 을 실시하였다.
노광 후, 박막화 처리액 (알칼리 수용액 (9)) 으로서 10 질량% 의 탄산나트륨 수용액 (액 온도 25 ℃) 을 사용하여, 1 회째와 동일하게 초음파 조사하면서 2 회째의 박막화 처리를 실시하였다. 레지스트층 (3) 을 기판 (8) 의 하면으로 하여, 알칼리 수용액 (9) 에 레지스트층 (3) 을 15 초간 침지한 채의 상태에서 반송롤 쌍 (12) 에 의해 반송하고, 미셀 제거 처리, 수세 처리, 건조 처리 후에 레지스트층 (3) 의 박막화부의 두께를 측정한 결과, 8 ㎛ 였다.
사방 100 ㎛ 인 사각형의 레지스트층 (3) 의 박막화부가 400 지점 형성되어 있는 것을 확인할 수 있고, 어느 박막화부에서도, 기포에 의한 박막화의 처리 불균일은 발생하지 않았다.
(비교예 3)
2 회째의 박막화 처리에 있어서 초음파 조사를 실시하지 않은 것 이외에는, 실시예 12 와 동일한 방법으로 레지스트층 (3) 을 박막화하였다. 사방 100 ㎛ 인 사각형의 레지스트층 (3) 에 있어서의 박막화부가 400 지점 형성되어 있는 지점을 확인할 수 있었는데, 기포에 의한 박막화의 처리 불균일이 발생하여, 후막으로 되어 있는 지점이 150 점 발생했다.
(비교예 4)
1 회째, 2 회째 모두 박막화 처리에 있어서 초음파 조사를 실시하지 않은 것 이외에는, 실시예 12 와 동일한 방법으로 레지스트층 (3) 을 박막화하였다. 사방 100 ㎛ 인 사각형의 레지스트층 (3) 의 박막화부가 400 지점 형성되어 있는 지점을 확인할 수 있었는데, 기포에 의한 박막화의 처리 불균일이 발생하여, 후막으로 되어 있는 지점이 159 점 발생했다.
(실시예 13)
프린트 배선판용 기판 (절연층 (1) : 유리 기재 에폭시 수지, 금속층 (7) : 동박, 면적 50 ㎜× 50 ㎜, 동박 두께 18 ㎛, 기재 두께 0.4 ㎜) 에 서브트랙티브법으로, 도체 배선 (2) 의 길이 20 ㎜, 도체 배선 (2) 의 폭 100 ㎛, 도체 배선 (2) 사이의 거리 100 ㎛ 의 회로 기판을 제조하였다. 다음으로, 솔더 레지스트 (타무라 제작소사 (TAMURA CORPORATION) 제조, 상품명 : DSR-330S32-21) 의 주제 (主劑) 와 경화제를 혼합한 후, 상기 회로 기판 상의 전체면에 어플리케이터를 사용하여 도공하고, 70 ℃, 30 분간의 건조를 실시하였다. 이것에 의해, 절연층 (1) 표면에서 레지스트층 (3) 표면까지의 막두께가 50 ㎛ 인 레지스트층 (3) 을 형성하였다.
다음으로, 도체 배선 (2) 의 시점과 종점에 해당하는 부분을 접속 패드 (6) 로 간주하고, 시점과 종점에 해당하는 부분의 끝으로부터 200 ㎛ 이외의 영역에 활성 광선 (5) 이 조사되는 패턴을 갖는 노광 원고용 포토마스크 (4) 를 사용하여, 1 회째의 밀착 노광 (노광량 300 mJ/㎠) 을 실시하였다.
노광 후, 박막화 처리액 (알칼리 수용액 (9)) 으로서 10 질량% 의 메타규산나트륨 수용액 (액 온도 25 ℃) 을 사용하여, 반송 방향의 길이가 500 ㎜, 폭 750 ㎜, 깊이 200 ㎜ 의 딥조 (10), 딥조 (10) 저면의 중앙부에 직경 20 ㎜ 의 알칼리 수용액 공급구 (11) 를 갖고, 알칼리 수용액 공급구 (11) 로부터 반송 방향 전측으로 150 ㎜, 폭 방향 우측으로 150 ㎜, 떨어진 위치에 초음파 발생 장치 (1)(20) 가 1 대와 반송 방향 후측으로 150 ㎜, 폭 방향 좌측으로 150 ㎜, 떨어진 위치에 초음파 발생 장치 (1)(20) 가 1 대 설치된 박막화 처리 장치를 사용하고, 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 에 의해 알칼리 수용액 (9) 을 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 로부터 딥조 (10) 로 공급하고, 오버플로우시킴으로써 알칼리 수용액 (9) 을 순환시키면서, 1 회째의 박막화 처리를 실시하였다. 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 를 운전하고 있을 때의 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 에 있어서의 알칼리 수용액의 액면 (23) 의 높이는 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 저면으로부터 250 ㎜ 였다. 레지스트층 (3) 을 기판 (8) 의 하면으로 하여, 알칼리 수용액 (9) 에 40 초간 침지한 채의 상태에서 반송롤 쌍 (12) 에 의해 반송하고, 미셀 제거 처리, 수세 처리, 건조 처리 후에 레지스트층 (3) 의 박막화부의 두께를 측정한 결과, 29 ㎛ 였다.
다음으로, 도체 배선 (2) 의 시점과 종점에 해당하는 부분을 접속 패드 (6) 로 간주하고, 시점과 종점에 해당하는 부분의 끝으로부터 100 ㎛ 이외의 영역에 활성 광선 (5) 이 조사되는 패턴을 갖는 노광 원고용 포토마스크 (4) 를 사용하여, 2 회째의 밀착 노광 (노광량 300 mJ/㎠) 을 실시하였다.
노광 후, 박막화 처리액 (알칼리 수용액 (9)) 으로서 10 질량% 의 메타규산나트륨 수용액 (액 온도 25 ℃) 을 사용하여, 1 회째와 동일하게 초음파 조사하면서 2 회째의 박막화 처리를 실시하였다. 레지스트층 (3) 을 기판 (8) 의 하면으로 하여, 알칼리 수용액 (9) 에 레지스트층 (3) 을 40 초간 침지한 채의 상태에서 반송롤 쌍 (12) 에 의해 반송하고, 미셀 제거 처리, 수세 처리, 건조 처리 후에 레지스트층 (3) 의 박막화부의 두께를 측정한 결과, 8 ㎛ 였다. 이 때, 2 회째의 박막화 후의 레지스트층 (3) 표면은, 도체 배선 (2) 보다 아래에 있고, 도체 배선 (2) 이 노출되어 있는 것을 확인할 수 있었다.
레지스트층 (3) 이 박막화된 것에 의해 노출된 도체 배선 (2) 을 200 지점 확인할 수 있고, 어느 박막화부에서도, 기포에 의한 박막화의 처리 불균일은 발생하지 않았다.
(비교예 5)
2 회째의 박막화 처리에 있어서 초음파 조사를 실시하지 않은 것 이외에는, 실시예 13 과 동일한 방법으로 레지스트층 (3) 을 박막화하였다.
레지스트층 (3) 이 박막화된 것에 의해 노출된 도체 배선 (2) 을 확인할 수 있었는데, 기포에 의한 박막화의 처리 불균일이 발생하고, 도체 배선 (2) 이 완전히 노출되지 않은 지점이 70 점 발생했다.
(비교예 6)
1 회째, 2 회째 모두 박막화 처리에 있어서 초음파 조사를 실시하지 않은 것 이외에는, 실시예 13 과 동일한 방법으로 레지스트층 (3) 을 박막화하였다.
레지스트층 (3) 이 박막화된 것에 의해 노출된 도체 배선 (2) 을 확인할 수 있었는데, 기포에 의한 박막화의 처리 불균일이 발생하고, 도체 배선 (2) 이 완전히 노출되지 않은 지점이 78 점 발생했다.
(실시예 14)
프린트 배선판용 기판 (절연층 (1) : 유리 기재 에폭시 수지, 금속층 (7) : 동박, 면적 510 ㎜×340 ㎜, 동박 두께 12 ㎛, 기재 두께 0.2 ㎜, 미쯔비시 가스 화학사 (MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.) 제조, 상품명 : CCL-E170) 에 드라이 필름 레지스트용 라미네이터를 사용하여, 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성 공업사 (Hitachi Chemical Co., Ltd.) 제조, 상품명 : RY3625, 두께 25 ㎛) 를 열압착하고, 레지스트층 (3) 을 형성하였다.
다음으로, 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름을 박리한 후, 박막화 처리액 (알칼리 수용액 (9)) 으로서 10 질량% 의 탄산나트륨 수용액 (액 온도 25 ℃) 을 사용하여, 반송 방향의 길이가 500 ㎜, 폭 750 ㎜, 깊이 200 ㎜ 의 딥조 (10), 딥조 (10) 저면의 중앙부에 직경 20 ㎜ 의 알칼리 수용액 공급구 (11), 딥조 (10) 로부터 오버플로우되고, 알칼리 수용액 회수조 (30) 에 회수된 알칼리 수용액 (9) 을 저장하는 반송 방향의 길이가 700 ㎜, 폭 950 ㎜, 깊이 600 ㎜ 의 알칼리 수용액 저장 탱크 (13), 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내의 알칼리 수용액 (9) 을 분출구용 공급 펌프 (28) 로부터 공급관 (29) 을 통하여 레지스트층 (3) 이 형성된 기판 (8) 을 향하게 하여 분출하는 알칼리 수용액 분출구 (27) 를 딥조 (10) 내에 구비한 박막화 처리 장치 (도 17) 에서, 알칼리 수용액 공급구 (11) 와 알칼리 수용액 분출구 (27) 로부터 알칼리 수용액 (9) 을 공급하고, 오버플로우시킴으로써 알칼리 수용액 (9) 을 순환시키면서, 레지스트층 (3) 의 박막화 처리를 실시하였다. 알칼리 수용액 분출구 (27) 로부터의 알칼리 수용액의 공급은, 압력이 0.2 ㎫, 레지스트층 (3) 의 1 ㎠ 당의 공급 유량 0.2 ℓ/min 이 되도록 조정하고, 레지스트층 (3) 을 기판 (8) 의 하면으로 하여, 알칼리 수용액 (9) 에 30 초간 침지한 채의 상태에서 반송롤 쌍 (12) 에 의해 반송하고, 미셀 제거 처리, 수세 처리, 건조 처리 후에 레지스트층 (3) 의 박막화부의 두께를 측정한 결과, 12 ㎛ 였다.
박막화된 레지스트층 (3) 의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 처리 불균일이 없는 평활한 표면인 것을 확인할 수 있었다.
(실시예 15)
프린트 배선판용 기판 (절연층 (1) : 유리 기재 에폭시 수지, 금속층 (7) : 동박, 면적 510 ㎜×340 ㎜, 동박 두께 12 ㎛, 기재 두께 0.2 ㎜, 미쯔비시 가스 화학사 (MITSUBISHI GAS CHEMICAL COMPANY, INC.) 제조, 상품명 : CCL-E170) 에 드라이 필름 레지스트용 라미네이터를 사용하여, 드라이 필름 레지스트 (히타치 화성 공업사 (Hitachi Chemical Co., Ltd.) 제조, 상품명 : RY3625, 두께 25 ㎛) 를 열압착하고, 레지스트층 (3) 을 형성하였다.
다음으로, 드라이 필름 레지스트의 캐리어 필름을 박리한 후, 박막화 처리액 (알칼리 수용액 (9)) 으로서 10 질량% 의 탄산나트륨 수용액 (액 온도 25 ℃) 을 사용하여, 반송 방향의 길이가 500 ㎜, 폭 750 ㎜, 깊이 200 ㎜ 의 딥조 (10), 딥조 (10) 저면의 중앙부에 직경 20 ㎜ 의 알칼리 수용액 공급구 (11) 를 갖고, 알칼리 수용액 공급구 (11) 의 바로 위에 반송 방향의 길이 20 ㎜, 폭 340 ㎜ 이고, 폭 방향의 중앙부와 단부의 고저차가 60 ㎜ 인 V 자형 형상의 기포 유도판 (1)(16) 이 설치되고, 기포 유도판의 반송 방향의 시점과 종점의 단부에 높이 60 ㎜ 의 바브 (26) (도시하지 않음) 가 장착되어 있고, 딥조 (10) 로부터 오버플로우된 알칼리 수용액 (9) 을 알칼리 수용액 회수조 (30) 로부터 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내부에 안내하는 회수관 (21), 반송 방향의 길이가 700 ㎜, 폭 950 ㎜, 깊이 600 ㎜ 의 알칼리 수용액 저장 탱크 (13), 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 저부로부터 150 ㎜ 의 높이 위치에 설치된 회수관 배출구 (22), 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 측면에서 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 저부로부터 50 ㎜ 의 높이 위치에 설치된 공급 펌프 흡입구 (17), 회수관 배출구 (22) 로부터 배출되는 알칼리 수용액 (9) 과 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내의 알칼리 수용액 (9) 이 접촉하는 점에서 200 ㎜ 의 위치 (공급 펌프 흡입구 (17) 로부터 500 ㎜ 의 위치) 에 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 저부에 고정된 높이 200 ㎜, 폭 700 ㎜, 두께 10 ㎜ 의 기포 유도판 (2)(18), 회수관 배출구 (22) 로부터 배출되는 알칼리 수용액 (9) 과 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 내의 알칼리 수용액 (9) 이 접촉하는 점에서 350 ㎜ 의 위치 (공급 펌프 흡입구 (17) 로부터 350 ㎜ 의 위치) 에 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 저부로부터 50 ㎜ 의 높이의 위치에 고정된 높이 200 ㎜, 폭 700 ㎜, 두께 10 ㎜ 의 기포 유도판 (3)(19) 이 구비된 박막화 처리 장치 (도 18) 를 사용하고, 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 에 의해 알칼리 수용액 (9) 을 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 로부터 딥조 (10) 로 공급하고, 오버플로우시킴으로써 알칼리 수용액 (9) 을 순환시키면서, 레지스트층 (3) 의 박막화 처리를 실시하였다. 레지스트층 (3) 을 기판 (8) 의 하면으로 하여, 알칼리 수용액 (9) 에 30 초간 침지한 채의 상태에서 반송롤 쌍 (12) 에 의해 반송하고, 미셀 제거 처리, 수세 처리, 건조 처리 후에 레지스트층 (3) 의 박막화부의 두께를 측정한 결과, 12 ㎛ 였다. 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 를 운전하고 있을 때의 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 의 알칼리 수용액의 액면 (23) 의 높이는 알칼리 수용액 저장 탱크 (13) 의 저면으로부터 250 ㎜ 였다. 또, 레지스트층 (3) 의 박막화 처리는, 알칼리 수용액 공급 펌프 (14) 를 시동시키고 나서 1 시간 경과 후에 실시하였다.
박막화된 레지스트층 (3) 의 표면을 광학 현미경으로 관찰한 결과, 처리 불균일이 없는 평활한 표면인 것을 확인할 수 있었다.
본 고안의 레지스트층의 박막화 처리 장치는, 프린트 배선판이나 리드 프레임에 있어서의 회로 기판의 제조, 또는 플립칩 접속용 접속 패드를 구비한 패키지 기판의 제조에 있어서, 레지스트 패턴을 형성시키는 용도에 적용할 수 있다.
1 : 절연층
2 : 도체 배선
3 : 레지스트층
4 : 포토마스크
5 : 활성 광선
6 : 접속 패드
7 : 금속층
8 : 기판
9 : 알칼리 수용액
10 : 딥조
11 : 알칼리 수용액 공급구
12 : 반송롤 쌍
13 : 알칼리 수용액 저장 탱크
14 : 알칼리 수용액 공급 펌프
15 : 기포
16 : 기포 유도판 (1)
17 : 공급 펌프 흡입구
18 : 기포 유도판 (2)
19 : 기포 유도판 (3)
20 : 초음파 발생 장치 (1)
21 : 회수관
22 : 회수관 배출구
23 : 알칼리 수용액의 액면
24 : 밸브
25 : 초음파 발생 장치 (2)
26 : 바브
27 : 알칼리 수용액 분출구
28 : 분출구용 공급 펌프
29 : 공급관
30 : 알칼리 수용액 회수조

Claims (8)

  1. 삭제
  2. 알칼리 수용액에 의해 레지스트층을 박막화 처리하기 위한 딥조와, 레지스트층이 형성된 기판을 알칼리 수용액 중에 침지된 채의 상태에서 반송하는 반송롤 쌍을 구비하여 이루어지는 레지스트층의 박막화 처리 장치로서, 레지스트층의 박막화 처리 장치에 기포 억제 장치가 구비되어 있고,
    레지스트층의 박막화 처리 장치가, 알칼리 수용액을 딥조에 공급하는 알칼리 수용액 공급구를 구비하여 이루어지고, 기포 억제 장치가 알칼리 수용액 공급구와 반송롤 쌍 사이에 구비된 기포 유도판을 포함하는, 레지스트층의 박막화 처리 장치.
  3. 알칼리 수용액에 의해 레지스트층을 박막화 처리하기 위한 딥조와, 레지스트층이 형성된 기판을 알칼리 수용액 중에 침지된 채의 상태에서 반송하는 반송롤 쌍을 구비하여 이루어지는 레지스트층의 박막화 처리 장치로서, 레지스트층의 박막화 처리 장치에 기포 억제 장치가 구비되어 있고,
    레지스트층의 박막화 처리 장치가, 딥조에 알칼리 수용액을 공급하기 위한 알칼리 수용액 공급 펌프와, 딥조로부터 오버플로우된 알칼리 수용액을 알칼리 수용액 저장 탱크로 보내기 위한 회수관과, 딥조로부터 오버플로우된 알칼리 수용액이 저장되는 알칼리 수용액 저장 탱크를 구비하여 이루어지고, 기포 억제 장치가 알칼리 수용액 저장 탱크 내부에 구비된 기포 유도판을 포함하는, 레지스트층의 박막화 처리 장치.
  4. 알칼리 수용액에 의해 레지스트층을 박막화 처리하기 위한 딥조와, 레지스트층이 형성된 기판을 알칼리 수용액 중에 침지된 채의 상태에서 반송하는 반송롤 쌍을 구비하여 이루어지는 레지스트층의 박막화 처리 장치로서, 레지스트층의 박막화 처리 장치에 기포 억제 장치가 구비되어 있고,
    레지스트층의 박막화 처리 장치가, 딥조에 알칼리 수용액을 공급하기 위한 알칼리 수용액 공급 펌프와, 딥조로부터 오버플로우된 알칼리 수용액을 알칼리 수용액 저장 탱크로 보내기 위한 회수관과, 딥조로부터 오버플로우된 알칼리 수용액이 저장되는 알칼리 수용액 저장 탱크를 구비하여 이루어지고, 기포 억제 장치가 알칼리 수용액 저장 탱크에서의 알칼리 수용액의 액면보다 아래에 설치된 회수관 배출구를 포함하는, 레지스트층의 박막화 처리 장치.
  5. 알칼리 수용액에 의해 레지스트층을 박막화 처리하기 위한 딥조와, 레지스트층이 형성된 기판을 알칼리 수용액 중에 침지된 채의 상태에서 반송하는 반송롤 쌍을 구비하여 이루어지는 레지스트층의 박막화 처리 장치로서, 레지스트층의 박막화 처리 장치에 기포 억제 장치가 구비되어 있고,
    레지스트층의 박막화 처리 장치가, 알칼리 수용액을 딥조에 공급하는 알칼리 수용액 공급구와, 딥조에 알칼리 수용액을 공급하기 위한 알칼리 수용액 공급 펌프와, 딥조로부터 오버플로우된 알칼리 수용액을 알칼리 수용액 저장 탱크로 보내기 위한 회수관과, 딥조로부터 오버플로우된 알칼리 수용액이 저장되는 알칼리 수용액 저장 탱크를 구비하여 이루어지고, 기포 억제 장치가 알칼리 수용액 공급구와 반송롤 쌍 사이에 구비된 기포 유도판과, 알칼리 수용액 저장 탱크 내부에 구비된 기포 유도판과, 알칼리 수용액 저장 탱크에서의 알칼리 수용액의 액면보다 아래에 설치된 회수관 배출구를 포함하는, 레지스트층의 박막화 처리 장치.
  6. 알칼리 수용액에 의해 레지스트층을 박막화 처리하기 위한 딥조와, 레지스트층이 형성된 기판을 알칼리 수용액 중에 침지된 채의 상태에서 반송하는 반송롤 쌍을 구비하여 이루어지는 레지스트층의 박막화 처리 장치로서, 레지스트층의 박막화 처리 장치에 기포 억제 장치가 구비되어 있고,
    레지스트층의 박막화 처리 장치가, 알칼리 수용액을 딥조에 공급하는 알칼리 수용액 공급구를 구비하여 이루어지고, 기포 억제 장치가 딥조에 구비된 초음파 발생 장치를 포함하는, 레지스트층의 박막화 처리 장치.
  7. 알칼리 수용액에 의해 레지스트층을 박막화 처리하기 위한 딥조와, 레지스트층이 형성된 기판을 알칼리 수용액 중에 침지된 채의 상태에서 반송하는 반송롤 쌍을 구비하여 이루어지는 레지스트층의 박막화 처리 장치로서, 레지스트층의 박막화 처리 장치에 기포 억제 장치가 구비되어 있고,
    레지스트층의 박막화 처리 장치가, 딥조에 알칼리 수용액을 공급하기 위한 알칼리 수용액 공급 펌프와, 딥조로부터 오버플로우된 알칼리 수용액을 알칼리 수용액 저장 탱크로 보내기 위한 회수관과, 딥조로부터 오버플로우된 알칼리 수용액이 저장되는 알칼리 수용액 저장 탱크를 구비하여 이루어지고, 기포 억제 장치가 알칼리 수용액 저장 탱크에 구비된 초음파 발생 장치를 포함하는, 레지스트층의 박막화 처리 장치.
  8. 알칼리 수용액에 의해 레지스트층을 박막화 처리하기 위한 딥조와, 레지스트층이 형성된 기판을 알칼리 수용액 중에 침지된 채의 상태에서 반송하는 반송롤 쌍을 구비하여 이루어지는 레지스트층의 박막화 처리 장치로서, 레지스트층의 박막화 처리 장치에 기포 억제 장치가 구비되어 있고,
    레지스트층의 박막화 처리 장치가, 딥조에 알칼리 수용액을 공급하기 위한 알칼리 수용액 공급 펌프와, 딥조로부터 오버플로우된 알칼리 수용액을 알칼리 수용액 저장 탱크로 보내기 위한 회수관과, 딥조로부터 오버플로우된 알칼리 수용액이 저장되는 알칼리 수용액 저장 탱크를 구비하여 이루어지고, 기포 억제 장치가 딥조에 있어서의 알칼리 수용액의 액면보다 낮은 위치에 구비된 알칼리 수용액 분출구를 포함하는, 레지스트층의 박막화 처리 장치.
KR2020130000896U 2012-02-10 2013-02-04 레지스트층의 박막화 처리 장치 KR200482351Y1 (ko)

Applications Claiming Priority (14)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JPJP-P-2012-027583 2012-02-10
JP2012027583 2012-02-10
JPJP-P-2012-202297 2012-09-14
JP2012202297 2012-09-14
JP2012204382 2012-09-18
JPJP-P-2012-204382 2012-09-18
JPJP-P-2012-204383 2012-09-18
JP2012204383 2012-09-18
JP2012269219 2012-12-10
JPJP-P-2012-269219 2012-12-10
JPJP-P-2012-270878 2012-12-12
JP2012270878 2012-12-12
JP2013000061U JP3182371U (ja) 2012-02-10 2013-01-09 レジスト層の薄膜化処理装置
JPJP-U-2013-000061 2013-01-09

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20130004980U KR20130004980U (ko) 2013-08-20
KR200482351Y1 true KR200482351Y1 (ko) 2017-01-13

Family

ID=50426471

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR2020130000896U KR200482351Y1 (ko) 2012-02-10 2013-02-04 레지스트층의 박막화 처리 장치

Country Status (2)

Country Link
JP (1) JP3182371U (ko)
KR (1) KR200482351Y1 (ko)

Families Citing this family (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107969077B (zh) * 2013-05-22 2020-02-18 三菱制纸株式会社 布线基板的制造方法
KR102082641B1 (ko) * 2013-06-14 2020-02-28 미쓰비시 세이시 가부시키가이샤 배선 기판의 제조 방법
JP2015206862A (ja) * 2014-04-18 2015-11-19 三菱製紙株式会社 感光性ポリイミドパターンの形成方法
JP2018200392A (ja) 2017-05-26 2018-12-20 三菱製紙株式会社 レジスト層の薄膜化装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002204904A (ja) * 2001-01-05 2002-07-23 Toppan Printing Co Ltd 脱泡装置および脱泡方法

Family Cites Families (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH11297605A (ja) * 1998-04-14 1999-10-29 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 剥離方法および同装置
JP5339626B2 (ja) 2008-01-30 2013-11-13 三菱製紙株式会社 導電パターンの作製方法
JP5444050B2 (ja) 2010-03-12 2014-03-19 三菱製紙株式会社 ソルダーレジストパターンの形成方法
JP5498886B2 (ja) 2010-07-26 2014-05-21 三菱製紙株式会社 ドライフィルムレジストの薄膜化処理方法
KR101891949B1 (ko) 2010-09-28 2018-08-27 미쓰비시 세이시 가부시키가이샤 솔더 레지스트 패턴의 형성 방법

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002204904A (ja) * 2001-01-05 2002-07-23 Toppan Printing Co Ltd 脱泡装置および脱泡方法

Also Published As

Publication number Publication date
JP3182371U (ja) 2013-03-21
KR20130004980U (ko) 2013-08-20

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5498886B2 (ja) ドライフィルムレジストの薄膜化処理方法
KR200482351Y1 (ko) 레지스트층의 박막화 처리 장치
KR200487199Y1 (ko) 레지스트층의 박막화 장치
JP3207408U (ja) レジスト層の薄膜化装置
TWM464705U (zh) 阻層之薄膜化處理裝置
JP5444172B2 (ja) ドライフィルムレジストの薄膜化処理方法
KR20210018401A (ko) 레지스트층의 박막화 장치
JP3218349U (ja) レジスト層の薄膜化装置
JP3208034U (ja) レジスト層の薄膜化装置
KR200494122Y1 (ko) 레지스트층의 박막화 장치
JP3224844U (ja) レジスト層の薄膜化装置
JP3202621U (ja) レジスト層の薄膜化装置
JP3218350U (ja) レジスト層の薄膜化装置
JP3225660U (ja) レジスト層の薄膜化装置
JP2018045116A (ja) レジスト層の薄膜化装置
JP3201110U (ja) レジスト層の薄膜化装置
KR200491908Y1 (ko) 레지스트층의 박막화 장치
JP3202620U (ja) レジスト層の薄膜化装置
KR20180002477U (ko) 레지스트층의 박막화 장치
JP3186721U (ja) ドライフィルムレジストの薄膜化処理装置
JP3186572U (ja) ドライフィルムレジストの薄膜化処理装置
KR20210002849U (ko) 솔더 레지스트층의 박막화 장치
JP2015212754A (ja) 樹脂層薄膜化処理液の管理方法

Legal Events

Date Code Title Description
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
REGI Registration of establishment