TWI677543B - 切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑 - Google Patents

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Abstract

本發明涉及一種切片工程用保護塗層劑的剝離劑，具體地說，一種切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑，其可以去除在進行晶圓片製備工藝時為保護晶圓片的表面被塗布的保護性塗層劑而不損傷晶圓片的表面。

Description

切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑
本發明涉及一種切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑，具體涉及一種切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑，其可以去除在晶圓片製備工藝中為保護晶圓片的表面被塗布的保護性塗層劑而不損傷晶圓片的表面。
在半導體晶圓片加工工藝中，切片工藝，即鋸切工藝，是介於晶圓片製備工藝與封裝工程之間且將晶圓片以個別芯片單位互相分離的工藝。
其中，在將半導體晶圓片的個別芯片用刀片互相分離的工藝中，落到芯片表面的碎片會造成不良。為了解決所述問題，從前使用的方法是將噴嘴在刀片的兩側與晶圓片的水平方向設置，以高壓噴射多量的水而立即去除落到芯片表面的碎片。所述方法在半導體芯片尺寸大，加工時間短，碎片產量少時是有用的，然而，在半導體芯片的尺寸的減小，加工時間的增加，碎片產量增加時，無法立即去除碎片。
對此，為了克服所述問題，韓國專利申請第10-2009-0066314號公開了一種用聚氧化乙烯/聚環氧丙烷(Polyethyleneoxide/Polypropyleneoxide,PEO-PPO)，聚乙二醇)(Polyethyleneglycol,PEG)以及其他添加劑製備的洗滌劑組合物，所述聚氧化乙烯/聚環氧丙烷是非離子表面活性劑。
然而，用所述組合物進行鋸切工藝時，可以去除大小均勻的碎片，但無法完全去除微小的碎片。結果，被殘留的微小碎片所引起的刮痕，鑿痕等缺陷仍未解決。
因此，發生對使用於切片工藝的保護性塗層劑的需求，其可以在晶圓片表面形成塗層而完全防止在切片工藝和其他加工工藝中發生的刮痕，鑿痕，污點，變白或腐蝕等缺陷。
對所述半導體切片工藝用保護性塗層劑來說，切片工藝結束後需要重新排列個別芯片並去除個別芯片表面的塗層劑。形成晶圓片用的保護性塗層劑的物質與形成光致抗蝕劑的物質都是高分子樹脂，所以，使用於剝離光致抗蝕劑的剝離劑可以適用於所述塗層劑。
如上所述的剝離劑中，著名的是美國專利公報第4,617,251號公開的剝離劑。就是說，所述美國專利公報文獻公開了一種包含特定胺化合物(例如，(2-(2-氨基乙氧基)乙醇)以及特定極性溶劑(例如，四氫糠醇，異佛爾酮，γ-丁內酯，N,N-二甲基乙醯胺以及其混合物)的正型光致抗蝕劑剝離組合物。
韓國專利公開公報第2001-0018377號提出了一種包括胺 化合物，二醇系溶劑，以及全氟烷基環氧乙烷的光致抗蝕劑剝離劑。
韓國專利公開公報第2000-0016878提出了一種剝離溶液，其由N-羥烷基烷醯胺，偶極矩3以上的極性物質，損傷防止劑以及烷醇胺组成的。
然而，現有技術提示的剝離劑是在高溫的工藝條件下使用的，因此在環境方面和處理費用方面不利，而且對洗滌殘渣方面也是有限的。而且，由於高溫的工藝條件，工藝中隱含腐蝕危險，要使用防腐劑。為了防止腐蝕而使用唑類添加劑時，生物降解能力會減少，結果，會需要額外的廢液處理。
因此，需要一種剝離劑，其不但在常溫條件下容易去除在晶圓片表面的保護性塗層劑而且還不造成腐蝕等損傷。
本發明是斟酌所述內容而提出的，其目的在於提供一種切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑，其可以容易去除在半導體製備工藝中形成於晶圓片表面的塗層而不損傷晶圓片的表面。
為了解決所述技術問題，本發明提供一種切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑，其作為用於切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑，所述剝離劑可以包括親水性溶劑系化合物，醚系化合物， 氫氧化物系化合物，以及表面活性劑，所述親水性溶劑系化合物可以包括二(C1~C5)烷基亞碸(Di(C1~C5)alkyl sulfoxide)，二(C1~C5)烷基醯胺(di(C1~C5)alkyl amide)以及N-(C1~C5)烷基-2-吡咯烷酮(N-alkyl-2-pyrrolidone)中一種以上，所述醚系化合物可以包括二甘醇單(C1~C5)烷醚(Diethylene glycol mono(C1~C5)alkyl ether)，乙二醇單(C1~C5)烷醚(ethylene glycol mono(C1~C5)alkyl ether)以及二甘醇二(C1~C5)烷醚(Diethylene glycol di(C1~C5)alkyl ether)中一種以上，所述氫氧化物系化合物可以包括氫氧化四(C1~C5)烷銨(tetra(C1~C5)alkylammonium hydroxide)，金屬氫氧化物(metal hydroxide)以及氫氧化膽鹼(choline hydroxide)中一種以上。
作為本發明的一個優選實施例，所述表面活性劑的平均HLB(Hydrophile-Lipophile Balance)值可以介於10~15。
作為本發明的一個優選實施例，所述親水性溶劑系化合物，所述醚系化合物以及所述氫氧化物系化合物可以占1：1.3~1.96：0.53~0.8的重量比。
作為本發明的一個優選實施例，所述剝離劑可以具有8~14的pH。
作為本發明的一個優選實施例，所述切片工藝用保護性塗層劑可以包括由下面的[化學式10]表示的化合物。
[化學式10]
Figure TWI677543B_D0001
在所述化學式10中，R13與R14各自獨立地為C1~C10亞烷基，R15為C1~C10烷基，R24與R25各自獨立地為
Figure TWI677543B_D0002
 R0為
Figure TWI677543B_D0003
，
Figure TWI677543B_D0004
或
Figure TWI677543B_D0005
，R9，R10， R11以及R32各自獨立地為氫或C1~C10烷基，R12為C1~C10亞烷 基，R1為
Figure TWI677543B_D0006
，
Figure TWI677543B_D0007
或
Figure TWI677543B_D0008
，R2，R3，R4，R5，R6，R7以及R8各自獨立 地為C1~C15亞烷基，n，m以及l各自獨立地為1~50的有理數， R16為C1~C10烷基，R20為C1~C10亞烷基，
Figure TWI677543B_D0009
或
Figure TWI677543B_D0010
，R27，R28，R29，R30以及R31 各自獨立地為C1~C10亞烷基，R21，R22以及R23各自獨立地為 C1~C10烷基，A+為
Figure TWI677543B_D0011
，R17，R18以及R19各自獨立地為 氫，芳基，或C1~C10烷基。
作為本發明的一個優選實施例，由所述化學式10表示的化合物中的R24以及R25可以是
Figure TWI677543B_D0012
作為本發明的一個優選實施例，由所述化學式10表示的 化合物中，R24可以是
Figure TWI677543B_D0013
，R25可以是
Figure TWI677543B_D0014
本發明的晶圓片加工工藝可以包括第一工序，其用切片工藝用保護性塗層劑對晶圓片表面進行塗層；第二工序，其將所述晶圓片配置於引上裝置；第三工序，其對所述晶圓片進行切削(dicing)；第四工序，其從經過切片工程被切削的部品中僅選別良品並排列良品；第五工序，其使用所述切片工藝用保護性塗層劑 的剝離劑從所述良品剝離所述切片工藝用保護性塗層劑；以及第六工序，其對所述切片工藝用保護性塗層劑被剝離後的良品進行檢查。
作為本發明的一個優選實施例，所述第一工序可以在0℃至50℃進行1至60秒，所述第五工序可以在10℃至50℃的溫度下進行1分鐘至10分鐘。
在表示本發明的化合物時，*記號指的是化學鍵部位，將由所述化學式10表示的化合物作為一個例子說明，在構成R1的
Figure TWI677543B_D0015
中表示的*記號指的是與化學式10的R1結合 的-O-互相連結的部分。
本發明的切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑來說，對形成於晶圓片表面的保護性塗層劑用不包括有機溶劑(如：醇)的剝離劑進行剝離，由此可以不損傷所述晶圓片而容易去除在半導體製備工藝的晶圓片加工工藝中形成於晶圓片表面上的保護性塗層劑。
還有，本發明的使用於剝離切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑有親水性而容易與水混合，在剝離過程不會發生腐食材料等問題，而且可以不使用如醇的有機溶劑而只用水進行洗滌。
以下，配合附圖而詳細說明本發明的實施例，以便本發明所屬的技術領域通常知識者可以容易實施本發明的實施例。本發明可以以各種不同的形態實現而不局限於本發明中說明的實施例。在附圖中，為了更清楚地說明，將於說明無關的部分省略了，在整體說明書中，對相同或類似的構成要素會使用相同的參照符號。
本發明的切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑是用於剝離在切片工藝中使用的保護性塗層劑的。
本發明的切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑包括親水性溶劑系化合物，醚系化合物，氫氧化物系化合物，以及表面活性劑。
首先，本發明的親水性溶劑系化合物可以包括二(C1~C5)烷基亞碸(Di(C1~C5)alkyl sulfoxide)，二(C1~C5)烷基醯胺(di(C1~C5)alkyl amide)以及N-(C1~C5)烷基-2-吡咯烷酮(N-alkyl-2-pyrrolidone)中一種以上，優選可以包括二(C1~C5)烷基亞碸(Di(C1~C5)alkyl sulfoxide)，更加優選可以包括二甲亞碸(Dimethyl sulfoxide)。
再次，本發明的醚系化合物可以包括二甘醇單(C1~C5)烷醚(Diethylene glycol mono(C1~C5)alkyl ether)，乙二醇單(C1~C5)烷醚(ethylene glycol mono(C1~C5)alkyl ether)以及二甘醇二(C1~C5)烷醚(Diethylene glycol di(C1~C5)alkyl ether)中一種以上，優選可以包括二甘醇單(C1~C5)烷醚(Diethylene glycol mono(C1~C5)alkyl ether)，更加優選可以包括二甘醇一甲醚(Diethylene glycol monomethyl ether)。
還有，本發明的醚系化合物對於親水性溶劑系化合物1重量份可以占1.3~1.96的重量份，優選可以占1.47~1.80的重量份，更加優選可以占1.55~1.72的重量份。醚系化合物對親水性溶劑系化合物1重量份占的重量份小於1.3重量份時，被本發明的剝離劑所剝離的保護性塗層劑會沉澱；醚系化合物對親水性溶劑系化合物1重量份占的重量比超過1.96的重量份時，有可能水溶性減少而剝離劑不會被水所去除。
還有，本發明的氫氧化物系化合物可以包括氫氧化四(C1~C5)烷銨(tetra(C1~C5)alkylammonium hydroxide)，金屬氫氧化物(metal hydroxide)以及氫氧化膽鹼(choline hydroxide)中一種以上，優選可以包括氫氧化四(C1~C5)烷銨(tetra(C1~C5)alkylammonium hydroxide)，更加優選可以包括氫氧化四甲銨。
還有，本發明的氫氧化物系化合物對親水性溶劑系化合物1重量份可以占0.53~0.8重量份，優選可以占0.6~0.74重量份，更加優選可以占0.63~0.7重量份。氫氧化物系化合物對親水性溶劑系化合物1重量份占的重量份小於0.53重量份時，剝離性能會減少；氫氧化物系化合物對親水性溶劑系化合物1重量份占的重量份超過0.8重量份時，有可能鹼性會太強而發生腐蝕。
最後，本發明的表面活性劑的平均 HLB(Hydrophile-Lipophile Balance)值可以介於10~15，優選可以介於11~14，更加優選可以介於12~13。平均HLB值小於10時，會有洗滌性能降低的問題，平均HLB值超過15時，會有水溶性降低而表面活性劑不被乳化的問題。
還有，本發明的表面活性劑可以包括非離子型表面活性劑和陰離子型表面活性劑中一種以上，優選可以包括作為非離子型表面活性劑的烷基聚葡糖苷，聚氧化烯烷基醚，聚氧化烯烷基苯基醚，聚氧乙烯烷基辛基醚，聚氧乙烯-聚氧丙烯嵌段共聚物，聚乙二醇脂肪酸酯以及聚氧乙烯失水山梨糖醇脂肪酸酯(polyoxyethylene sorbitan fatty acid ester)中一種以上，可以包括作為陰離子型表面活性劑的烷基醚硫酸鹽，烷基硫酸鹽，烷基苯磺酸鹽，烷基磺基琥珀酸酯(alkyl sulfosuccinate)，烷基醚磷酸鹽，烷基磷酸醚，烷基苯磷酸鹽以及其鹽中一種以上，更加優選可以包括作為非離子型表面活性劑的烷基聚葡糖苷和作為陰離子型表面活性劑的烷基醚磷酸鹽。
還有，對親水性溶劑系化合物1重量份，本發明的表面活性劑可以占0.02~0.04重量份，優選可以占0.03~0.037重量份。對親水性溶劑系化合物1重量份表面活性劑占的重量份小於0.02重量份時，洗滌性能和滲透力會減少，表面活性劑的重量比超過0.04重量份時，會發生多量的泡沫。
本發明的切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑可以具有20~35的有效鹼度，優選可以具有22~33的有效鹼度，更加優選可 以具有25~30的有效鹼度，有效鹼度小於20時，用剝離劑剝離保護性塗層劑時剝離性能會降低；有效鹼度超過35時，會發生腐蝕。
還有，本發明的切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑可以具有8~14的pH，優選可以具有9~13的pH，更加優選可以具有10~12的pH，pH小於8時，用於剝離的時間會增加；pH超過14時，剝離劑會變成強鹼性溶液，因而，在處理廢水時會發生問題。
進而，被本發明的切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑所剝離的切片工藝用保護性塗層劑可以包括由下面的化學式10表示的化合物。
Figure TWI677543B_D0016
在所述化學式10中，R13以及R14各自獨立地可以為C1~C10亞烷基，優選可以是C1~C5亞烷基，R15可以為C1~C10烷基，更加優選可以為C1~C5烷基。
而且，在所述化學式10中，R24與R25各自獨立地可以 為
Figure TWI677543B_D0017
或
Figure TWI677543B_D0018
還有，在所述化學式10，R0可以為
Figure TWI677543B_D0019
，
Figure TWI677543B_D0020
或
Figure TWI677543B_D0021
，優選可以為
Figure TWI677543B_D0022
，R9，R10， R11以及R32各自獨立地可以為氫或C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基，R12可以為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基。
還有，在所述化學式10，R1可以為
Figure TWI677543B_D0023
Figure TWI677543B_D0024
，優選可以為
Figure TWI677543B_D0025
。
還有，在所述化學式10中，R2，R3，R4，R5，R6，R7以及R8各自獨立地可以為C1~C15亞烷基，優選可以是C1~C10亞烷基，n，m以及l各自獨立地可以為1~50的有理數，優選可以為1~20的有理數。
在所述化學式10中，R16可以為C1~C10烷基，優選可以 為C1~C5烷基，R20可以為C1~C10亞烷基，
Figure TWI677543B_D0026
或
Figure TWI677543B_D0027
，優選可以為C1~C10亞烷基， 更加優選可以為C1~C5亞烷基，R27，R28，R29，R30以及R31各自獨立地可以為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基，R21，R22以及R23各自獨立地可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
在所述化學式10中，A+可以為
Figure TWI677543B_D0028
，R17，R18 以及R19各自獨立地可以為氫，芳基，或C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
在由化學式10表示的化合物中，優選地，R24以及R25 可以為
Figure TWI677543B_D0029
， 在以化學式10表示的化合物中，優選地，R24可以為
Figure TWI677543B_D0030
，R25可以為
Figure TWI677543B_D0031
還有，被本發明的切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑所剝離的切片工藝用保護性塗層劑可以包括極性有機溶劑，表面調節用添加劑，流動性調整劑以及附著力促進劑中一種以上，優選 可以包括極性有機溶劑，表面調節用添加劑，流動性調整劑以及附著力促進劑。而且，切片工藝用保護性塗層劑還可以包括水。
首先，極性有機溶劑用於溶解由化學式10表示的化合物，可以包括醇類溶劑，酮類溶劑以及二醇醚類溶劑中一種以上，優選可以包括醇類溶劑以及酮類溶劑中一種以上，更加優選可以包括C1~C10醇類溶劑。
還有，對由化學式10表示的化合物100重量份，極性有機溶劑可以占8~500重量份，優選可以占8~36重量份，還優選可以占9~33重量份，更加優選可以占9.5~31.5重量份。極性有機溶劑的重量份小於8重量份時，以化學式10表示的化合物會被析出，極性有機溶劑的重量份超過500重量份時，用本發明的保護塗層劑進行塗層時會有塗層狀態不良的問題。
其次，表面調節用添加劑利用本發明的保護性塗層劑給塗層後的表面滑移特性。表面調節用添加劑可以包括矽系表面調節用添加劑，優選可以包括PROTEX International社的MODAREZ K-SE 305，MODAREZ K-SL 106，MODAREZ K-SL 107，BYK社的BYK-331，BYK-333，BYK-348以及BYK-3455中一種以上。
還有，對由化學式10表示的化合物100重量份，表面調節用添加劑可以占0.08~100重量份，優選可以占0.08~0.6重量份，還優選可以包括0.09~0.55重量份，更加優選可以占0.095~0.525重量份。表面調節用添加劑的重量份小於0.08重量份時，因滑移特性的不足而會發生雜質附著的問題；表面調節用添 加劑的重量份超過100重量份時，密著力會減少。
其次，流動性調整劑用於調節本發明涉中保護塗層劑的黏度。流動性添加劑可以包括PROTEX international社的PROX A 300，PROX AM 162 S，SYNTHRO THIX 608，BYK社的BYK-405，BYK-420以及BYK-7420 ES中一種以上。
還有，對由化學式10表示的化合物100重量份，流動性調整劑可以占0.4~200重量份，優選可以占0.4~0.6重量份，還優選可以占0.45~0.55重量份，更加優選可以包括0.475~0.525重量份。流動性調整劑占的重量份小於0.4重量份時，因為黏度低，用本發明的保護性塗層劑進行塗層時塗層厚度會變薄，流動性調整劑占的重量份超過200重量份時，因為黏度高，塗層會缺乏均勻性。
再次，附著促進劑用於提升本發明中保護性塗層劑的密著力，可以包括BYK社的BYK-4509以及BYK-4500中一種以上。
還有，對由化學式10表示的化合物100重量份，所述附著促進劑可以占0.32~250重量份，優選可以占0.32~1.2重量份，還優選可以占0.36~1.1重量份，更加優選可以占0.38~1.05重量份。附著促進劑占的重量份小於0.32重量份時，密著力會降低；附著促進劑占的重量份超過250重量份時，滑移特性會降低。
最後，對由化學式10表示的化合物100重量份，水可以占24~48重量份，優選可以占27~44重量份，更加優選可以占28.5~42重量份。水占的重量份小於24重量份時，在晶圓片上用 保護性塗層劑進行塗層時，塗層厚度會變厚，在剝離時會有困難；水占的重量份超過48重量份時，硬化工作上會有問題。
被本發明的切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑所剝離的切片工藝用保護性塗層劑是可以根據如下的製備方法製成的。
本發明的切片工藝用保護性塗層劑製備方法包括第一步驟至第三步驟。
首先，在第一步驟可以混合由下面的化學式7表示的化合物，由下面的化學式8表示的化合物，由下面的化學式9表示的化合物以及溶劑進行混合與聚合反應而製備第一聚合物。
Figure TWI677543B_D0032
在所述化學式7中，R1可以為
Figure TWI677543B_D0033
，
Figure TWI677543B_D0034
或
Figure TWI677543B_D0035
，優選可以為
Figure TWI677543B_D0036
還有，在所述化學式7中，R2，R3，R4，R5，R6，R7以及R8各自獨立地可以為C1-C15亞烷基，優選可以為C1-C10亞烷基。
在所述化學式1中，n，m，以及l各自獨立地可以為1-50 的有理數，優選可以為1-20的有理數。
[化學式8]O=C=N-R0-N=C=O
在所述化學式8中，R0可以為
Figure TWI677543B_D0037
，
Figure TWI677543B_D0038
或 是
Figure TWI677543B_D0039
，優選可以為
Figure TWI677543B_D0040
。
還有，在所述化學式8中，R9，R10，R11以及R32各自獨立地可以為氫或C1-C10烷基，優選可以為C1-C5烷基。
而且，在所述化學式8中，R12可以為C1-C10亞烷基，優選可以為C1-C5亞烷基。
Figure TWI677543B_D0041
在所述化學式9，R13以及R14各自獨立地可以為C1-C10亞烷基，優選可以為C1-C5亞烷基。
還有，在所述化學式9，R15可以為C1-C10烷基，優選可以為C1-C5烷基。
在第一步驟使用的溶劑可以包括 NMP(N-methyl-2-pyrrolidene)，DMF(N,N-dimethylformamide)，DMA(N,N-dimethylacetamide)，以及MEK(methyl ethyl ketone)中一種以上，優選可以包括NMP(N-methylpyrrolidone)。
還有，在第一步驟中，對由化學式7表示的化合物100重量份，由化學式8表示的化合物可以占101~153重量份，優選可以占114~140重量份，更加優選可以占120~134重量份。由化學式8表示的化合物占的重量份小於101重量份時，硬化後的附著力會變弱；由化學式8表示的化合物占的重量份超過153重量份時，塗層後晶圓片表面的可見性會降低。
還有，在第一步驟中，對由化學式7表示的化合物100重量份，由化學式9表示的化合物可以占11~18重量份，優選可以占13~17重量份，更加優選可以占14~16重量份。由化學式9表示的化合物占的重量份小於11重量份時，對水的可分散性會降低；由化學式9表示的化合物占的重量份超過18重量份時，在硬化後，耐水性會變弱。
還有，在第一步驟中，對由化學式7表示的化合物100重量份，溶劑可以占40~61重量份，優選可以占45~56重量份，更加優選可以占39~45重量份。溶劑占的重量份小於40重量份時，因為黏度過高而塗層會缺乏均勻性，溶劑占的重量份超過61重量份時，因為黏度太低而塗層時會有困難。
還有，在第一步驟中，可以通過在80~150℃的溫度下，優選在80~140℃的溫度下，以150~250rpm，優選以170~230rpm 進行1小時至3小時，優選1.5小時至2.5小時進行混合和/或聚合反應製備第一聚合物。
這時，被製備的第一聚合物可以是由下面的化學物5表示的化合物。
Figure TWI677543B_D0042
在所述化學式5中，R13以及R14各自獨立地可以為C1-C10亞烷基，優選可以為C1-C5亞烷基。
還有，所述化學式5中，R15可以為C1-C10烷基，優選可以為C1-C5烷基。
在所述化學式5中，R26可以為
Figure TWI677543B_D0043
，R0可以為
Figure TWI677543B_D0044
，
Figure TWI677543B_D0045
或是
Figure TWI677543B_D0046
，優選可以 為
Figure TWI677543B_D0047
，R9，R10，R11以及R32各自獨立地可以為氫或 C1-C10烷基，優選可以是C1-C5烷基；R12可以為C1-C10亞烷基， 優選可以是C1-C5亞烷基。
還有，在所述化學式5中R1可以為
Figure TWI677543B_D0048
Figure TWI677543B_D0049
，優選可以為
Figure TWI677543B_D0050
，R2，R3，R4， R5，R6，R7以及R8各自獨立地可以為C1-C15亞烷基，優選可以為C1-C10亞烷基；n，m以及l各自獨立地可以為1-50的有理數，優選可以為1-20的有理數。
其次，在本發明的切片工藝用保護性塗層劑的製備方法的第二步驟，可以通過對在第一步驟製備的第一聚合物與由所下面的化學式6表示的化合物與由下面的化學式4表示的化合物中一種以上進行混合與反應而製備第二聚合物或第三聚合物。
Figure TWI677543B_D0051
在所述化學式6中，R20可以為C1~C10亞烷基，
Figure TWI677543B_D0052
，或
Figure TWI677543B_D0053
，優選 可以為C1~C10亞烷基，更加優選可以為C1~C5亞烷基。還有， R27，R28，R29，R30以及R31各自獨立地可以為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基。
還有，在所述化學式6，R21，R22以及R23各自獨立地可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
[化學式4]R16-OH
在所述化學式4中，R16可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
具體說明通過本發明的切片工藝用保護性塗層劑的製備方法中第二步驟製備第二聚合物的方法，可以通過對已製備的第一聚合物與由所述化學式4表示的化合物進行混合與反應而製備第二聚合物，被製備的第二聚合物可以是由下面的化學式1-1表示的化合物。
Figure TWI677543B_D0054
在所述化學式1-1，R13以及R14各自獨立地可以為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基。
還有，在所述化學式1-1，R15可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
在所述化學式1-1，R24以及R25可以為
Figure TWI677543B_D0055
還有，在所述化學式1-1，R0可以為
Figure TWI677543B_D0056
，
Figure TWI677543B_D0057
或
Figure TWI677543B_D0058
，優選可以為
Figure TWI677543B_D0059
， R9，R10，R11以及R32各自獨立地可以為氫或C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基，，R12可以為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基。
在所述化學式1-1，R1可以為
Figure TWI677543B_D0060
，
Figure TWI677543B_D0061
或
Figure TWI677543B_D0062
，優選可以為
Figure TWI677543B_D0063
在所述化學式1-1，R2，R3，R4，R5，R6，R7以及R8各自獨立地可以為C1~C15亞烷基，優選可以為C1~C10亞烷基，n，m以及l各自獨立地可以為1~50的有理數，優選可以為1~20的有理數。
還有，在所述化學式1-1，R16可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基，R20可以為C1~C10亞烷基，
Figure TWI677543B_D0064
或
Figure TWI677543B_D0065
，優選可 以為C1~C10亞烷基，更加優選可以為C1~C5亞烷基，R27，R28，R29，R30以及R31各自獨立地可以為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基，R21，R22以及R23各自獨立地可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
還有，在第二步驟中製備第二聚合物時，對由化學式7表示的化合物100重量份，由化學式4表示的化合物可以占29~45重量份，由選可以占33~41重量份，更加優選可以占34~39重量份。由化學式4表示的化合物占的重量份小於29重量份時，硬化後還會有黏性；由化學式4表示的化合物的重量份超過45重量份時，硬化後塗層的厚度會變薄。
還有，在第二步驟製備第二聚合物時，可以在70~110℃的溫度下，優選在80~100℃的溫度下，以150~250rpm，優選以170~230rpm進行10分鐘~40分鐘，優選20分鐘~30分鐘混合和/或反應而製備第二聚合物。
具體說明通過本發明的切片工藝用保護性塗層劑的製備方法而製備第三聚合物的方法，所述方法可以包括第2-1步驟以及第2-2步驟。
在本發明的切片工藝用保護性塗層劑的製備方法的第2-1步驟，可以對已製備的第一聚合物與由所述化學式6表示的化合物進行混合與反應而製備第三中間聚合物，而製備的第三中間聚合物可以是由下面的化學式3表示的化合物。
Figure TWI677543B_D0066
在所述化學式3，R13以及R14各自獨立地可以為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基。
還有，在所述化學式3，R15可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
還有，在所述化學式3，R26可以為
Figure TWI677543B_D0067
，R25可以為
Figure TWI677543B_D0068
在所述化學式3，R0可以為
Figure TWI677543B_D0069
，
Figure TWI677543B_D0070
或
Figure TWI677543B_D0071
，優選可以為
Figure TWI677543B_D0072
，R9，R10，R11 以及R24各自獨立地可以為氫或C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基，R12可以為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基。
還有，在所述化學式3，R1可以為
Figure TWI677543B_D0073
，
Figure TWI677543B_D0074
或
Figure TWI677543B_D0075
，優選可以為
Figure TWI677543B_D0076
在所述化學式3，R2，R3，R4，R5，R6，R7以及R8各自獨立地可以為C1~C15亞烷基，優選可以為C1~C10亞烷基，n，m以及l各自獨立地可以為1~50的有理數，優選可以為1~20的有理數。
還有，在所述化學式3，R20可以為C1~C10亞烷基，
Figure TWI677543B_D0077
或
Figure TWI677543B_D0078
，優選可 以為C1~C10亞烷基，更加優選可以為C1~C5亞烷基，R27，R28，R29，R30以及R31各自獨立地為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C10亞烷基，R21，R22以及R23各自獨立地可以為C1~C10烷基，優選 可以為C1~C5烷基。
還有，在第2-1步驟製備第三中間聚合物時，對由化學式7表示的化合物，由所述化學式6表示的化合物可以占33~51重量份，優選可以占37~47重量份，更加優選可以占39~45重量份。由所述化學式6表示的化合物的含量少於33重量份時，硬化後塗層表面的均勻性會差，由所述化學式6表示的化合物的含量超過51重量份時，製備後會產生沉澱。
還有，在第二步驟製備第三中間聚合物時，可以在80℃~150℃的溫度下，優選在80℃~140℃的溫度下，以150~250rpm，優選以170rpm~230rpm進行60分鐘~120分鐘，優選75分鐘~105分鐘的混合和/或反應而製備第三中間聚合物。
在本發明的切片工藝用保護性塗層劑的製備方法的第2-2步驟中，可以對在第2-1步驟製備的第三中間聚合物與由所述化學式4表示的化合物進行混合與反應而製備第三聚合物，被製備的第三聚合物可以是由下面的化學式1-2表示的化合物。
Figure TWI677543B_D0079
在所述化學式1-2，R13以及R14各自獨立地可以為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基。
還有，在所述化學式1-2中，R15可以為C1~C10烷基， 優選可以為C1~C5烷基。
在所述化學式1-2，R24可以為
Figure TWI677543B_D0080
，R25可以為
Figure TWI677543B_D0081
還有，在所述化學式1-2，R0可以為
Figure TWI677543B_D0082
，
Figure TWI677543B_D0083
或
Figure TWI677543B_D0084
，優選可以為
Figure TWI677543B_D0085
， R9，R10，R11以及R32各自獨立地可以為氫或C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基，R12可以為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基。
在所述化學式1-2，R1可以為
Figure TWI677543B_D0086
，
Figure TWI677543B_D0087
或
Figure TWI677543B_D0088
，優選可以為
Figure TWI677543B_D0089
還有，在所述化學式1-2中，R2，R3，R4，R5，R6，R7以及R8﹁各自獨立地可以為C1~C15亞烷基，優選可以為C1~C10亞烷基，n，m以及l各自獨立地可以為1~50的有理數，優先可以為1~20的有理數。
還有，在所述化學式1-2中，R16可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基，R20可以為C1~C10亞烷基，
Figure TWI677543B_D0090
或
Figure TWI677543B_D0091
，優選可 以為C1~C10亞烷基，更加優選可以為C1~C5亞烷基，R27，R28，R29，R30以及R31各自獨立地可以為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基，R21，R22以及R23各自獨立地可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
還有，在第2-2步驟中製備第三聚合物時，對由化學式7表示的化合物100重量份，由化學式4表示的化合物可以占29~45重量份，優選可以占33~41重量份，更加優選可以占34~39重量份。由化學式4表示的化合物的含量少於29重量份時，硬化後會留下黏性，由化學式4表示的化合物的含量超過45重量份時，硬化後塗層的厚度會變薄。
還有，在第2-2步驟中製備第三聚合物時，可以在70℃~110℃的溫度下，優選在80℃~110℃的溫度下，以150~250rpm，優選以170~230rpm進行10分鐘~40分鐘，優選20分鐘~30分鐘 的混合和/或反應而製備第三聚合物。
最後，在切片工藝用保護性塗層劑的製備方法的第三步驟中，可以對已製備的第二聚合物或第三聚合物與由下面的化學式2表示的化合物與水進行混合和反應而製備由下面的化學式10表示的化合物。
Figure TWI677543B_D0092
在所述化學式2，R17，R18以及R19各自獨立地可以為氫，芳基或C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
Figure TWI677543B_D0093
在所述化學式10中，R13以及R14各自獨立地可以為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基，R15可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
還有，在所述化學式10中，R24以及R25各自獨立地可以 為
Figure TWI677543B_D0094
或
Figure TWI677543B_D0095
還有，在所述化學式10中，R0可以為
Figure TWI677543B_D0096
，
Figure TWI677543B_D0097
或
Figure TWI677543B_D0098
，優選可以為
Figure TWI677543B_D0099
， R9，R10，R11以及R32各自獨立地可以為氫或C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基，R12可以為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5亞烷基。
還有，在所述化學式10中，R1可以為
Figure TWI677543B_D0100
Figure TWI677543B_D0101
，優選可以為
Figure TWI677543B_D0102
。
還有，在所述化學式10中，R2，R3，R4，R5，R6，R7以及R8各自獨立地可以為C1~C15亞烷基，優選可以為C1~C10亞烷基，n，m以及l各自獨立地可以為1~50的有理數，優選可以是1~20的有理數。
還有，在所述化學式10中，R16可以為C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基，R20可以為C1~C10亞烷基，
Figure TWI677543B_D0103
或
Figure TWI677543B_D0104
，優選可 以為C1~C10亞烷基，更加優選可以為C1~C5亞烷基，R27，R28，R29，R30以及R31各自獨立地可以為C1~C10亞烷基，優選可以是C1~C5亞烷基，R21，R22以及R23各自獨立地可以為C1~C10亞烷基，優選可以為C1~C5烷基。
而且，在所述化學式10中，A+可以為
Figure TWI677543B_D0105
，R17， R18以及R19各自獨立地可以為氫，芳基或C1~C10烷基，優選可以為C1~C5烷基。
進一步具體說明切片工藝用保護性塗層劑的製備方法的第三步驟，在通過對在第二步驟製備的第二聚合物與由所述化學式2表示的化合物與水進行混合和反應而製備的由下面的化學式10表示的化合物，R24與R25可以為
Figure TWI677543B_D0106
 在通過第二步驟製備的第三聚合物與由所述化學式2表示的化合物與水進行混合和反應而製備的由下面的化學式10表示的化合物，R24可以為
Figure TWI677543B_D0107
，R25可以為
Figure TWI677543B_D0108
還有，在第三步驟中製備由所述化學式10表示的化合物時，對由化學式7表示的化合物100重量份，由化學式2表示的化合物可以占8~13重量份，優選可以占9~12重量份，更加可以占9.5~11重量份。由化學式2表示的化合物可以占8~13重量份，優選可以占9~12重量份，更加優選可以占9.5~11重量份。由化學式2表示的化合物的含量少於8重量份時，在水分散作用上會有困難；由化學式2表示的化合物的含量超過11重量份時，由化學式2表示的化合物在去除塗層後也還會殘留。
在第三步驟製備由所述化學式10表示的化合物時，對由化學式7表示的化合物100重量份，水可以占533~800重量份，優選可以占600~733重量份，更加優選可以占632~700重量份。水的含量少於533重量份時，黏性會太強；水的含量超過800重量份時，由化學式1表示的化合物含量會大幅降低而塗層厚度會變薄。
還有，在第四步驟，可以通過對由所述化學式2表示的化合物與水在10℃~50℃的溫度下，優選在15℃~30℃的溫度下，以400rpm至700rpm，優選以500rpm至600rpm，進行10分鐘至120分鐘，優選10分鐘至60分鐘的混合而製備混合物。對製備的混合物在10℃~50℃的溫度下，優選在15℃至30℃的溫度下，以400rpm至700rpm，優選以500rpm至600rpm，與第二聚合物或第 三聚合物進行1小時至5小時，優選1小時至2小時的混合和反應而製備由所述化學式10表示的化合物。
在本發明的切片工藝用保護性塗層劑的製備方法，極性有機溶劑，表面調節用添加劑，流動性調整劑，附著促進劑和水可以與已製備的由化學式10表示的化合物混合。
作為一個例子，本發明中切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑可以用於如下的晶圓片加工工藝。
晶圓片加工工藝可以包括第一工序，其在晶圓片表面用所述本發明的切片工藝用保護性塗層劑進行塗層；第二工序，其在引上裝置上配置所述晶圓片；第三工序，其對所述晶圓片進行切削(dicing)；第四工序，其從經過切片工藝中被切削的部品中僅選別良品而排列良品；第五工序，其從所述被選別的良品中，以本發明的切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑剝離本發明的切片工藝用保護塗層劑；以及第六工序，其對所述切片工藝用保護性塗層劑被剝離後的良品進行檢查。
所述第一工序可以在0℃~50℃的溫度下進行1秒~60秒，優選可以在15℃~35℃溫度下進行20秒~50秒。
還有，第五工序可以在10℃~50℃的溫度下進行1分鐘至10分鐘，優選可以在20℃至40℃的溫度下進行1分鐘至5分鐘。
而且，第五工序可以包括被保護性塗層劑所塗布的晶圓片浸漬於含有剝離劑的容器中而去除保護塗層劑的方法。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然而其並非用以限定 本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的基本特性的範圍之內，當可做些許的更動與潤飾。比如說，在本發明的實施例中具體揭露的各種構成要素可以變形實施的。與這些更動與潤飾有關的區別都應解釋為包括於本發明後附的申請專利範圍所限定的範圍。
準備例1：製備切片工藝用保護性塗層劑
(1)在反應器中投入了由下面的化學式7-1表示的化合物，由下面的化學式8-1表示的化合物，由下面的化學式9-1表示的化合物以及NMP(N-methlpyrrolidone)後，加熱反應器而將反應器內部溫度調節為100℃。然後，以200rpm進行兩個小時的混合與聚合反應而製備了第一聚合物。
這時，對由下面的化學式7-1表示的化合物100重量份，使用了由下面的化學式8-1表示的化合物126.7重量份，由下面的化學式9-1表示的化合物14.8重量份以及NMP(N-methlpyrrolidone)50.5重量份。
Figure TWI677543B_D0109
在所述化學式7-1，R1為
Figure TWI677543B_D0110
，R2為-CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2-，R3為- CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2-，n為7。
[化學式8-1]O=C=N-R0-N=C=O
在所述化學式8-1，R0為
Figure TWI677543B_D0111
，R9，R10以及R11 為甲基，R12為亞甲基。
Figure TWI677543B_D0112
在所述化學式9-1，R13以及R14為亞甲基，R15為乙烷基。
(2)在已製備的第一聚合物中投入了由下面的化學式6-1表示的化合物並在90℃的溫度下以200rpm進行90分鐘的混合與反應而製備了第三中間聚合物。
這時，對用所述化學式7-1表示的化合物100重量份，使用了用以下化學式6-1表示的化合物42重量份。
Figure TWI677543B_D0113
在所述化學式6-1，R20為-CH2CH2CH2-，R21，R22以及R23為甲基。
(3)在90℃的溫度下，在已製備的第三中間聚合物中投入了由下面的化學式4-1表示的化合物，並以200rpm進行25分鐘的混合與反應而製備了第三聚合物。
這時，對用所述化學式7-1表示的化合物100重量份，使用了用下面的化學式4-1表示的化合物36.8重量份。
[化學式4-1]R16-OH
在所述化學式4-1，R16為乙烷基。
(4)對由下面的化學式2-1表示的化合物與水在25℃的溫度下，以550rpm進行1個小時的混合而製備了混合物。在已製備的第三聚合物投入了所述混合物，在25℃的溫度下，以550rpm進行1個小時的混合與反應而製備了由下面的化學式10-1表示的化合物。
這時，對由所述化學式7-1表示的化合物100重量份，使用了由下面的化學式2-1表示的化合物10.1重量份以及水666.3重量份。
Figure TWI677543B_D0114
在所述化學式2-1，R17，R18以及R19為乙烷基。
[化學式10-1]
Figure TWI677543B_D0115
在所述化學式10-1，R13與R14為亞甲基，R15為乙烷基， R24為
Figure TWI677543B_D0116
，R25 為
Figure TWI677543B_D0117
 R0為
Figure TWI677543B_D0118
，R9，R10以及R11為甲基，R12為亞甲基，R1 為
Figure TWI677543B_D0119
，R2為-CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2-，R3 為-CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2-，n為7，R16為乙烷基，R20 為-CH2CH2CH2-，R21，R22以及R23為甲基，A+為
Figure TWI677543B_D0120
，R17， R18以及R19為乙烷基。
準備例2
根據與準備例1相同的方法製備了最終化合物，但是，使用的是由下面的化學式8-2表示的化合物而不是由所述化學式8-1表示的化合物，由此製備了由下面的化學式10-2表示的化合 物而不是由所述化學式10-1表示的化合物。
[化學式8-2]O=C=N-R0-N=C=O
在所述化學式8-2中，R0為
Figure TWI677543B_D0121
，R32為甲基。
Figure TWI677543B_D0122
在所述化學式10-1中，R13以及R14為亞甲基，R15為乙烷基，R24為
Figure TWI677543B_D0123
，R25為
Figure TWI677543B_D0124
 R0為
Figure TWI677543B_D0125
，R32為甲基，R1為
Figure TWI677543B_D0126
，R2 為-CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2-，R3為-CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2-，n為7，R16為乙烷基，R20為-CH2CH2CH2-，R21，R22以及R23為甲 基，A+為
Figure TWI677543B_D0127
，R17，R18以及R19為乙烷基。
準備例3
根據準備例1相同的方法製備了最終化合物，但是，使用的是由下面的化學式8-3表示的化合物而不是由所述化學式8-1表示的化合物，由此製備了由下面的化學式10-3表示的化合物而不是由所述化學式10-1表示的化合物。
[化學式8-3]O=C=N-R0-N=C=O
在所述化學式(8-3)，R0為
Figure TWI677543B_D0128
。
Figure TWI677543B_D0129
在所述化學式(10-3)，R13與R14為亞甲基，R15為乙烷 基，R24為
Figure TWI677543B_D0130
， R25為
Figure TWI677543B_D0131
 R0為
Figure TWI677543B_D0132
，R1為
Figure TWI677543B_D0133
，R2 為-CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2-，R3為-CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2CH2-，n為7，R16為乙烷基，R20 為-CH2CH2CH2-，R21，R22以及R23為甲基，A+為
Figure TWI677543B_D0134
，R17， R18以及R19為乙烷基。
準備製備例1
對在準備例1製備的由化學式10-1表示的化合物100重量份，將作為極性有機溶劑的四氫糠醇30重量份，表面調節用添加劑(BYK社，BYK-331)0.5重量份，流動性添加劑(PROTEX international社，PROX AM 162 S)0.5重量份，附著促進劑(BYK社，BYK-4500)1重量份以及水40重量份在25℃的溫度下以500rpm混合60分鐘而製備了切片工藝用保護性塗層劑。
準備製備例2
對在準備例2製備的由化學式10-2表示的化合物100重量份，將作為極性有機溶劑的四氫糠醇30重量份，表面調節用添加劑(BYK社，BYK-331)0.5重量份，流動性調整劑(PROTEX international社，PROX AM 162 S)0.5重量份，附著促進劑(BYK社，BYK-4500)1重量份以及水40重量份在25℃的溫度下以 500rpm混合60分鐘而製備了切片工藝用保護性塗層劑。
準備製備例3
對在準備例3製備的由化學式10-3表示的化合物100重量份，將作為極性有機溶劑的四氫糠醇30重量份，表面調節用添加劑(BYK社，BYK-331)0.5重量，流動性調整劑(PROTEX international社，PROX AM 162 S)0.5重量份，附著促進劑(BYK社，BYK-4500)1重量份以及水40重量份在25℃的溫度下以500rpm混合60分鐘而製備了切片工藝用保護性塗層劑。
實施例1：製造切片工程用剝離劑
混合親水性溶劑系化合物30g，醚系化合物49g，氫氧化物系化合物20g以及表面活性劑1g而製備了用於切片工藝的剝離劑。
這時，所述親水性溶劑系化合物為二甲亞碸，所述醚系化合物為二甘醇一甲醚，所述氫氧化物系化合物為氫氧化四甲銨，所述表面活性劑為甲醚磷酸鹽。
實施例2~9：製造切片工程用剝離劑
根據與實施例1相同的方法製備了切片工藝用剝離劑。但是，如下面的表1中所記載的，變更被使用的化合物的含量而製備了用於切片工藝的剝離劑。
比較例1：製造切片工程用剝離劑
根據與實施例1相同的方法製備了切片工藝用剝離劑。但是，如下面的表1中所記載的，排除親水性溶劑系化合物而製備了用於切片工藝的剝離劑。
比較例2：製造切片工程用剝離劑
根據與實施例1相同的方法製備了切片工藝用剝離劑。但是，如下面的表1中所記載的，排除醚系化合物而製備了用於切片工藝的剝離劑。
比較例3：製造切片工程用剝離劑
根據與實施例1相同的方法製備了切片工藝用剝離劑。但是，如下面的表1中所記載的，排除氫氧化物系化合物而製備了用於切片工藝的剝離劑。
實驗例1
將在製備準備例1~3中製備的保護性塗層劑分別在晶圓片以1μm的厚度塗布，經過熱硬化，在晶圓片表面上形成了保護性塗層劑。被保護性塗層劑所塗布的晶圓片在常溫下，在3分鐘的時間分別浸漬於在實施例1至9以及比較例1至3製備的剝離劑。然後，從剝離劑取出晶圓片，分別用超純水洗20秒後用氮乾燥。將被乾燥的晶圓片以肉眼或顯微鏡觀察且確認塗布在晶圓片表面上的保護性塗層劑的滯留量。這時，殘渣量多時表示為0，殘渣量少時表示為△，沒有殘渣時表示為X，將其結果在表2至表4中表示。
可以確認的是，如表2至表4中所記載，如果親水性溶劑系化合物，醚系化合物和氫氧化物系化合物中的至少一種不包括在本發明的剝離劑中，去除保護性塗層劑後的殘渣量多。
還可以確認的是，包括於本發明的剝離劑的親水性溶劑系化合物，醚系化合物以及氫氧化物系化合物的重量比脫離本發 明中的重量比範圍時，去除保護性塗層劑以後也可以發現有些殘渣。
實驗例2
在甜甜圈形狀的SUS環附著了利用丙烯酸類聚合物的安裝膠帶(mount tape)。在35℃至40℃的加熱板(hot plate)上，在安裝膠帶露出的附著部上分別以3ml的分量施加在實施例1至9以及比較例1至3製備的剝離劑，過了40分鐘後觀察了安裝膠帶的損傷程度。這時，膨潤現象極為嚴重時以0表示，膨潤現象嚴重時以△表示，膨潤現象幾乎沒有時以X表示，並將其結果在表5中顯示。
可以確認的是，如表5中所記載的，如果親水性溶劑系化合物，醚系化合物和氫氧化物系化合物中的至少一種不包括在本發明的剝離劑中則會發生極為嚴重的膨潤現象。
還可以確認的是，如果本發明的剝離劑成分的重量比，即親水性溶劑系化合物，醚系化合物以及氫氧化物系化合物的重 量比脫離本發明的重量比範圍，也會發生嚴重的膨潤現象。
具有本領域的通常知識者可以容易實施對本發明的簡單更動或潤飾，而所述更動或潤飾都可以解釋為包括於本發明所屬的領域。

Claims (7)

  1. 一種切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑，其特徵在於，所述剝離劑使用於剝離在晶圓片上塗布的保護性塗層劑，所述剝離劑包括親水性溶劑系化合物，醚系化合物，氫氧化物系化合物以及表面活性劑，以及所述剝離劑以1：1.3~1.96：0.53~0.8的重量比包括所述親水性溶劑系化合物，所述醚系化合物，以及所述氫氧化物系化合物。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑，其中，所述親水性溶劑系化合物包括二(C1~C5)烷基亞碸(Di(C1~C5)alkyl sulfoxide)，二(C1~C5)烷基醯胺(Di(C1~C5)alkyl amide)，以及N-(C1~C5)烷基-2-吡咯烷酮(N-(C1~C5)alkyl-2-pyrrolidone)中一種以上，所述醚系化合物包括二甘醇單(C1~C5)烷醚(Diethylene glycol mono(C1~C5)alkyl ether)，乙二醇單(C1~C5)烷醚(ethylene glycol mono(C1~C5)alkyl ether)，二甘醇二(C1~C5)烷醚(Diethylene glycol di(C1~C5)alkyl ether)中一種以上，所述氫氧化物系化合物包括氫氧化四(C1~C5)烷銨(tetra(C1~C5)alkylammonium hydroxide)，金屬氫氧化物(metal hydroxide)以及氫氧化膽鹼(choline hydroxide)中一種以上。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑，其中，所述切片工藝用保護性塗層劑包括由下面的化學式10表示的化合物：[化學式10]在所述化學式10中，R13與R14各自獨立地為C1~C10亞烷基，R15為C1~C10烷基，R24與R25各自獨立地為R0為，或，R9，R10，R11以及R32各自獨立地為氫或C1~C10烷基，R12為C1~C10亞烷基，R1為，或，R2，R3，R4，R5，R6，R7以及R8各自獨立地為C1~C15亞烷基，n，m以及l各自獨立地為1~50的有理數，R16為C1~C10烷基，R20為C1~C10亞烷基，或，R27，R28，R29，R30以及R31各自獨立地為C1~C10亞烷基，R21，R22以及R23各自獨立地為C1~C10烷基，A+為，R17，R18以及R19各自獨立地為氫，芳基或C1~C10烷基。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑，其中，所述保護性塗層劑還包括極性有機溶劑，表面調節用添加劑，流動性調整劑以及附著促進劑中一種以上。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑，其中，所述保護性塗層劑包括極性有機溶劑，表面調節用塗層劑，流動性調整劑以及附著促進劑。
  6. 如申請專利範圍第3項所述的切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑，其中，由所述化學式10來表示的化合物中R24以及R25為。
  7. 如申請專利範圍第3項所述的切片工藝用保護性塗層劑的剝離劑，其中，由所述化學式10表示的化合物中R24為，R25為
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