KR20160070386A - 실리콘계 수지 제거용 조성물 - Google Patents

실리콘계 수지 제거용 조성물 Download PDF

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동우 화인켐 주식회사
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Abstract

본 발명은 실리콘계 수지 제거용 조성물에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 고리형 4급 불화암모늄 화합물 및 비양성자성 용매를 포함하는 실리콘계 수지 제거용 조성물에 관한 것이다.
상기 실리콘계 수지 제거용 조성물은 수지의 분해속도가 우수하여 전자부품 등의 제조공정 예컨대, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭, 이면 전극 형성 등의 공정에서 지지체 및 웨이퍼 회로면에 잔존하게 되는 실리콘계 수지를 효과적으로 제거할 수 있다.

Description

실리콘계 수지 제거용 조성물{COMPOSITION FOR REMOVING SILICONE POLYMER}
본 발명은 향상된 실리콘계 수지 세정속도를 확보할 수 있는 실리콘계 수지 제거용 조성물에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 「웨이퍼」라고도 함)의 표면에 전자 회로 등을 형성한 후, 웨이퍼의 두께를 얇게 하기 위해 웨이퍼의 이면 연삭(소위, 백 그라인딩)을 행하는 경우가 있다. 이 경우, 웨이퍼 회로면의 보호, 웨이퍼의 고정 등을 위하여 통상적으로 웨이퍼의 회로면에 실리콘계 수지를 개재하여 지지체를 부착한다. 지지체를 웨이퍼의 회로면에 부착하면, 웨이퍼의 이면 연삭 후 두께가 얇아진 웨이퍼를 보강할 수 있고, 웨이퍼의 연삭면에 이면 전극 등을 형성할 수도 있다.
상기 웨이퍼의 이면 연삭, 이면 전극 형성 등의 공정이 완료되면, 웨이퍼의 회로면으로부터 지지체를 제거하고 전자부품에 부착된 실리콘계 수지를 박리하여 제거하고, 웨이퍼를 절단하여 칩을 제작한다.
한편, 최근에는 웨이퍼를 관통하여 설치하는 관통 전극(예를 들어, 실리콘 관통 전극)을 이용한 칩 적층 기술이 개발되어 있다. 이 칩 적층 기술에 따르면, 종래의 와이어 대신 관통 전극을 이용하여 복수의 칩의 전자 회로를 전기적으로 접속하므로, 칩의 고집적화, 동작의 고속화를 도모할 수 있다. 이 칩 적층 기술을 이용하는 경우, 복수의 칩이 적층된 집합체의 두께를 얇게 하기 위해 웨이퍼의 이면 연삭을 행하는 경우가 많으며, 그로 인해, 지지체나 전자부품에 실리콘계 수지를 이용할 경우가 증가한다.
그런데, 통상적으로 웨이퍼의 회로면에 전자부품에 부착된 실리콘계 수지를 개재하여 지지체를 부착한 후, 상기 웨이퍼와 지지체의 견고한 부착을 위하여 열경화를 실시하기 때문에 전자부품에 부착된 실리콘계 수지를 박리하는 경우, 경화된 전자부품에 부착된 실리콘계 수지가 지지체 및 웨이퍼의 회로면에 잔존하는 경우가 발생한다. 그러므로, 상기 지지체 및 웨이퍼 회로면에 잔존하는 경화된 전자부품에 부착된 실리콘계 수지를 효율적으로 제거하는 수단이 필요하다.
미국 등록특허 제7,393,419호는 4급 불화암모늄 화합물과 용매로 구성된 경화된 중합체 세정용 조성물을 제시하고 있다. 이 경우 비양성자성 용매를 사용하나, 4급 불화암모늄이 고리형이 아닌 직쇄형 치환기를 가진 화합물을 사용한다.
대한민국 공개특허 제10-2005-0087357호는 지방족 유기 아민, 글리콜 에테르류 유기용매 및 비양성자성 극성 용매로 이루어진 포토레지스트 박리액 조성물을 제시하고 있다. 이러한 지방족 유기아민으로는 제1급, 제2급, 및 제3급의 지방족아민을 포함한다.
이들 특허는 암모늄 화합물과 비양성자성 용매를 사용하여 실리콘 폴리머의 효율적인 제거를 꾀하고 있으나, 고리 구조를 갖는 암모늄 화합물을 사용하지 않고서로 다른 종류의 용매를 혼합해서 사용하여 제거속도나 경시 안정성 면에서 그 효과가 충분치 않다.
미국 등록특허 제7,393,419호 대한민국 공개특허 제10-2005-0087357호
이에 실리콘 용해 반응속도를 향상시키기 위해 다각적으로 연구한 결과, 본 출원인은 고리형 4급 불화암모늄 화합물과 비양성자성 용매를 사용할 경우, 실리콘 수지의 Si-O 결합 분해속도가 향상됨을 확인하여 본 발명을 완성하였다.
따라서, 본 발명의 목적은 전자부품 등에 부착된 실리콘계 수지의 제거에 있어서 우수한 Si-O 결합 분해 반응속도를 가지는 실리콘계 수지 제거용 조성물을 제공하는 것이다.
상기 목적을 달성하기 위해, 본 발명은 실리콘계 수지 제거용 조성물로서, 고리형 4급 불화암모늄(Quarternary ammonium Fluoride, QAF) 화합물, 및 비양성자성 용매를 포함하는 것을 특징으로 한다.
상기 고리형 4급 불화암모늄 화합물은 하기 화학식 1 내지 4로 표시되는 것중에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 한다:
[화학식 1]
Figure pat00001
[화학식 2]
Figure pat00002
[화학식 3]
Figure pat00003
[화학식 4]
Figure pat00004
(상기 화학식 1 내지 4에서, R1 내지 R7, X 및 Y는 명세서 내 설명한 바와 같다.)
이때 상기 내지 R4는 C1-6의 직쇄 또는 측쇄 알킬기, R5는 C1-16의 직쇄 또는 측쇄 알킬기; 또는 (C6-12)아릴(C1-10)아실기, R6 및 R7은 C1-4의 직쇄 또는 측쇄 알킬기인 것을 특징으로 한다.
본 발명에 따른 실리콘계 수지 제거용 조성물은 향상된 실리콘계 수지의 분해속도를 가짐으로써 전자부품 등의 제조공정 예컨대, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭, 이면 전극 형성 등의 공정에서 지지체 및 웨이퍼 회로면에 잔존하게 되는 실리콘계 수지를 효과적으로 제거할 수 있다.
본 발명은 전자부품 등에 부착된 실리콘계 수지를 용해시켜 세정하는 실리콘계 수지 제거용 조성물을 제시한다.
이하 각 조성을 설명한다.
실리콘계 수지 제거용 조성물은 실리콘 수지의 Si-O 결합을 끊어 실리콘 수지를 제거할 수 있는 4급 불화암모늄 화합물과, 경화된 실리콘계 수지를 팽창시키고 4급 불화암모늄 화합물을 용해하기 위한 용매로 구성된다.
이에 본 발명에서는 상기 4급 불화암모늄 화합물의 암모늄염을 고리형으로 변경하여 상기 역할을 보다 효과적으로 할 수 있도록 한다.
자세히 설명하면, Si-F의 결합력이 Si-O의 결합력보다 강해, 실리콘 수지의 Si-O 결합을 절단하기 위해 불화암모늄 화합물을 사용한다. 이때 사용하는 불소 음이온은 Si를 공격하는 SN2 반응을 통해 분해가 진행되는데, 일반적으로 사용되는 불화암모늄 화합물을 수화물 형태로 첨가되므로, 조성물에는 수분을 함유하게 되며, 포함된 수분은 불소 음이온과 강한 수소결합을 형성하여, 불소 음이온의 친핵성을 저하시키는 부작용을 보이게 된다. 하지만, 암모늄 양이온이 고리형 구조를 가지게 되면, 불소 음이온이 암모늄 양이온에 근접할 수 있도록 입체장애가 감소하여 불소 음이온을 안정화시킨다. 그 결과 상대적으로 수소결합에 의한 HO-H-F 결합이 적게 형성되어 불소 음이온의 불활성화가 억제되며, Si-O의 결합의 절단 반응을 보다 효과적으로 진행할 수 있다.
전술한 특성을 만족시키기 위해 본 발명에서는 고리 구조를 갖는 암모늄 양이온을 포함하는 불화암모늄 화합물을 제시한다. 사용될 수 있는 대표적인 고리형 암모늄 양이온은 피롤리디늄(pyrrolidinium), 모폴리늄(morpholinium), 피리디늄(pyridinium), 이미다졸륨(imidazolium) 등이 있다.
바람직하기로, 상기 4급 고리형 불화암모늄 화합물은 하기 화학식 1 내지 4로 표시된다:
Figure pat00005
(상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 서로 같거나 다르며, C1-12의 직쇄 또는 측쇄 알킬기; 또는 C2-12의 직쇄 또는 측쇄 알킬 에테르기이다)
Figure pat00006
(상기 화학식 2에서, X는 산소 또는 황이고, R3 및 R4는 서로 같거나 다르며, C1-12의 직쇄 또는 측쇄 알킬기이다)
Figure pat00007
(상기 화학식 3에서, Y는 수소 또는 C1-4의 알킬기이고, R5는 C1-20의 직쇄 또는 측쇄 알킬기; C1-20의 직쇄 또는 측쇄 할로알킬기; (C6-20)아릴(C1-20)아실기; 니트로기로 치환 또는 비치환된 C6-12의 아릴기; 또는 C1-20의 직쇄 또는 측쇄 할로알킬 카보닐기이다.)
Figure pat00008
(상기 화학식 4에서, R6 및 R7은 서로 같거나 다르며, C1-20의 직쇄 또는 측쇄 알킬기; C1-20의 직쇄 또는 측쇄 할로알킬기; C1-20의 직쇄 또는 측쇄 알킬 카보닐기; C1-20의 직쇄 또는 측쇄 할로알킬 카보닐기; 또는 C2-20의 직쇄 또는 측쇄 알킬렌글리콜기이다)
이때 상기 R1 내지 R4는 C1-6의 직쇄 또는 측쇄 알킬기, R5는 C1-16의 직쇄 또는 측쇄 알킬기; 또는 (C6-12)아릴(C1-10)아실기, R6 및 R7은 C1-4의 직쇄 또는 측쇄 알킬기인 경우에 상기 언급한 효과를 확보할 수 있다.
상기 4급 불화암모늄 화합물의 암모늄 양이온이 고리 구조를 형성하여 불소 이온의 안정성을 높이기 때문에 수분에 의한 불소 이온의 반응성 저하를 억제함으로써 실리콘계 수지 분해속도를 향상시킬 수 있다.
상기 화학식 1은 피롤리디늄(pyrrolidinium) 고리 구조를 포함하는 화합물로 구체적인 예는 아래와 같다.
Figure pat00009
상기 화학식 2는 모폴리늄(morpholinium) 고리 구조를 포함하는 화합물로 구체적인 예는 다음과 같다.
Figure pat00010
상기 화학식 3은 피리디늄(pyridinium) 고리 구조를 포함하는 화합물로 구체적인 예는 아래를 포함한다.
Figure pat00011
상기 화학식 4는 이미다졸륨(imidazolium) 고리 구조를 포함하는 화합물로 구체적인 예는 다음을 포함한다.
Figure pat00012
본 발명에서 사용되는 고리형 4급 불화암모늄 화합물은 상기의 예로 한정되지 않으며, 상기 조건에 맞는 것으로서 이 분야에서 공지된 것은 모두 사용 가능하다.
이러한 고리형 4급 불화암모늄 화합물은 전체 조성물 100 중량% 내에서 0.1 내지 30 중량%로 사용되는 것이 바람직하며, 1 내지 20 중량%인 것이 더욱 바람직하다. 상기 고리형 4급 불화암모늄 화합물이 0.1 중량% 미만으로 사용되는 경우, 전자부품 등에 부착된 실리콘계 수지를 효과적으로 제거하지 못하는 문제가 발생될 수 있으며, 30 중량%를 초과하는 경우는, 가격이 비싸지며, 경시에 따른 수분 함량이 증가되어, 오히려 실리콘 수지의 제거성능의 저하가 우려되며, 웨이퍼 회로면의 금속 부위가 부식되는 문제가 발생될 수 있다.
상기 고리형 4급 불화암모늄 화합물과 함께 본 발명에 따른 실리콘계 수지 제거용 조성물은 비양성자성(aprotic) 용매를 포함한다.
비양성자성 용매는 실리콘계 수지를 팽창시키고 고리형 4급 불화암모늄 화합물을 용해시키는 역할을 한다. 이때 용매에 수분이 존재하는 경우 불화암모늄 화합물의 불소 음이온과 불필요한 수소결합을 형성할 수 있다. 따라서, 용매는 수소를 받아 들이거나 공급하지 않는 비양성자성이 적합하다.
상기 비양성자성 용매는 예를 들면, 디메틸 카보네이트, 디에틸 카보네이트, 디페닐 카보네이트, 디벤질 카보네이트, 에틸렌 카보네이트, 프로필렌 카보네이트, 비닐렌 카보네이트, 메틸 아세테이트, 에틸 아세테이트, 프로필 아세테이트, 이소프로필 아세테이트, 이소부틸 아세테이트, sec-부틸 아세테이트, 아밀 아세테이트, 펜틸 아세테이트, 이소펜틸 아세테이트, 옥틸 아세테이트, 벤질 아세테이트, 페닐 아세테이트, 에톡시 에틸 아세테이트, 메톡시 부틸 아세테이트, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르 아세테이트, 메틸 이소부틸 케톤, 디이소부틸 케톤, 헵타논, 에틸 에톡시 프로피오네이트, N-메틸 피롤리돈, 에틸 피롤리돈, 디메틸 아세트 아마이드, 디메틸 포름 아마이드, 디메틸 프로판 아마이드, 디메틸 부탄 아마이드, 디메틸 설폭사이드, 디부틸 설폭사이드, 디페닐 설폭사이드, 디벤질 설폭사이드, 테트라 메틸렌 설폰, 프로피오나이트릴, 부티로나이트릴, 아세토나이트릴, 에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디에틸렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 프로필렌 글리콜 모노-n-부틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 디메틸 에테르, 디프로필렌 글리콜 모노-n-부틸 에테르, 테트라하이드로푸란, γ-부티로락톤, N,N-디메틸 이미다졸 및 이들의 조합에서 선택된 1종이 사용 가능하다.
이러한 비양성자성 용매는 전체 조성물 100 중량% 내에서 70 내지 99.9 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 80 내지 99 중량%로 포함되는 것이 더욱 바람직하다. 만약 용매가 상기 범위 미만으로 포함되는 경우, 웨이퍼 회로면의 금속 부위가 부식하는 문제가 발생할 수 있으며, 반대로 상기 범위를 초과하여 포함되는 경우, 전자부품에 부착된 실리콘계 수지를 효과적으로 제거하지 못하는 문제가 발생될 수 있다.
추가로, 본 발명의 실리콘계 수지 제거용 조성물에는 상기 성분들에 3차 아민 화합물이 더 포함될 수 있다.
상기 3차 아민 화합물로는 고리형 3차 아민이 가장 바람직하며, 고리형 3차아민으로서는, 1-메틸피롤리딘(1-methylpyrrolidine), 1-에틸피롤리딘(1-ethylpyrrolidine), 1-메틸피페리딘(1-methylpiperidine), 디메틸피페라진(dimethylpiperazine), 1,5-디아자비시클로[4.3.0]논-5-엔(1,5-diazabicyclo[4.3.0]non-5-ene, DBN), 1,8-디아자비시클로[5.4.0]운덱-7-엔(1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene, DBU), 1,4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄(1,4-diazabicyclo[2.2.2]octane, DABCO) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종이 사용될 수 있다.
본 발명에서 사용되는 3차 아민 화합물은 전제 조성물 100 중량% 내에서 0.1 내지 10 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 1 내지 5 중량%로 사용되는 것이 더욱 바람직하다. 만약 상기 범위 미만으로 포함되면 효과를 기대하기 어렵고, 상기 범위를 초과하는 경우는 경시 성능 저하 문제와 금속의 부식 문제가 발생될 수 있다.
추가로, 본 발명에 따른 실리콘계 수지 제거용 조성물은 임의로 하나 이상의 첨가제를 포함할 수 있다. 적합한 첨가제는 이 분야에서 통상적으로 사용되는 부식방지제, 계면활성제, 습윤제, 동결방지제, 점도조절제 등을 포함한다. 바람직하게는 부식방지제 또는 계면활성제이나 이들에 한정되지 않는다.
상기 부식방지제는 수지 제거시 금속 함유 하부막의 부식을 효과적으로 억제하기 위해 사용되며 예를 들면, 카테콜; (C1-6)알킬카테콜, 이를테면 메틸카테콜, 에틸카테콜 및 tert-부틸카테콜; 벤조트리아졸; 히드록시아니솔; (C1-10)알킬벤조트리아졸; 히드록시(C1-10)알킬벤조트리아졸; 2-머캅토벤이미다졸; 갈산; 갈산 에스테르, 이를테면 메틸 갈레이트 및 프로필 갈레이트; 및 테트라(C1-4)알킬암모늄 실리케이트, 이를테면 테트라메틸암모늄 실리케이트 등을 사용할 수 있다. 이러한 부식 억제제는 일반적으로 각종 공급원, 예를 들어 Aldrich Chemical Company(Milwaukee, Wisconsin)으로부터 상업적으로 입수가능하며 추가 정제없이 사용될 수 있다.
상기 계면활성제는 세정 특성 강화를 위해 사용될 수 있다. 예를 들면, 음이온 계면활성제, 양이온계면활성제, 비이온계면활성제를 이용할 수 있지만, 그 중에서도 특히, 습윤성이 우수하고 기포 발생이 보다 적은 비이온성 계면활성제를 사용하는 것이 바람직하다.
상기 비이온성 계면활성제는 구체적으로, 폴리옥시에틸렌 알킬 에테르형, 폴리옥시에틸렌 알킬페닐 에테르형, 폴리옥시에틸렌 폴리옥시프로필렌 알킬 에테르형, 폴리옥시에틸렌 폴리옥시부틸렌 알킬 에테르형, 폴리옥시에틸렌 알킬아미노 에테르형, 폴리옥시에틸렌 알킬아미도 에테르형, 폴리에틸렌 글리콜 지방산 에스테르형, 솔비탄 지방산 에스테르형, 글리세린 지방산 에스테르형, 알킬올아미드형 및 글리세린에스테르형 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.
본 발명에서의 실리콘계 수지는, 수지 내에 실록산 결합을 포함하는 수지라면, 특별히 한정되지 않으며, 예컨대, 디메틸실록산의 공중합에 의해서 제조되는 접착용도로 사용되는 고분자를 의미하며, 구체적으로 상기 실록산 고분자는 일반적으로 분류되는 M, D, T, Q의 실리콘 단위를 포함하여 제조되는 수지이다.
일례로, 상기 실리콘계 수지는 가접착제일 수 있다. 실리콘계 가접착제는 반도체 기판을 실리콘, 유리 등의 지지 기판에 접착제를 통해 접합함으로써, 이면 연삭 공정, 이면 전극 형성 공정에 충분히 견딜 수 있는 시스템이다. 이때 중요한 것이 양 기판을 접합할 때 사용되는 접착제이다. 이 접착제는 충분한 접착성 및 내구성뿐 아니라 공정 마지막에 박형 웨이퍼를 지지 기판으로부터 간편하게 박리할 수 있어야 한다. 이와 같이, 마지막에 박리하기 때문에 이 접착제를 가접착제라 한다.
이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.
실시예 1 내지 4 및 비교예 1: 실리콘계 수지 제거용 조성물의 제조
고리형 4급 불화암모늄 화합물 5 중량%, 에틸 아세테이트 90 중량% 및 1,8-디아자비시클로[5.4.0]운덱-7-엔(DBU) 5 중량%를 혼합하여 실시예 1 내지 4 및 비교예 1의 실리콘계 수지 제거용 조성물을 제조하였다.
이때 사용한 고리형 4급 불화암모늄 화합물는 표 1에 기재하였다.
실험예 1: 성능 테스트
(1) 경화 실리콘 수지의 박리력 평가
웨이퍼에 실리콘 수지(신에츠사 KE-3417)를 스핀 코팅 방법으로 도포 후, 150 ℃에서 20분간 경화를 수행하여 80 ㎛의 두께를 갖는 실리콘 코팅층을 형성하였다. 이를 2 X 2 ㎠의 크기로 잘라 박리력 평가용 시편을 제조하였다.
상기 실시예 및 비교예에서 제시된 조성물 500 g을 준비하고, 350 rpm으로 교반하면서 상기 시편을 25 ℃에서 1분간 침지시켰다.
시편을 꺼낸 후 이소프로필알코올로 세정하고 건조시킨 후, 웨이퍼 상에 자외선을 조사하여 실리콘 수지가 잔류하는지 여부를 관찰하여 확인하였다.
이때 박리력 평가는 하기 기준으로 평가하였다.
<기준>
◎: 우수 (실리콘 수지의 잔류가 육안으로 전혀 시인되지 않음.)
○: 양호 (실리콘 수지의 잔류가 시인되나, 1% 이하의 면적에서 시인됨.)
△: 미비 (실리콘 수지의 잔류가 1~10%의 면적에서 시인됨.)
×: 불량 (실리콘 수지의 잔류가 전면에서 시인됨.)
(2) 경시적 박리력 평가
상기 실시예 및 비교예에서 얻어진 조성물 500 g을 준비하고, 밀봉되지 않은 상태의 상온에서 30일 동안 보관 후 상기 (1)과 동일한 조건으로 박리력을 평가하였다.
고리형 4급 불화암모늄 화합물 박리력 경시적 박리력
실시예 1
Figure pat00013
 ◎ ○
실시예 2
Figure pat00014
 ◎ ○
실시예 3
Figure pat00015
 ◎ ○
실시예 4
Figure pat00016
 ◎ ○
비교예 1
Figure pat00017
 ○ X
상기 표 1에 나타낸 바와 같이, 본 발명에서 제시하는 실시예 1 내지 4에 사용된 고리형 4급 불화암모늄 화합물은 비교예 1과 비교하였을 때 박리 능력이 우수하였다.
특히, 경시적 박리력 평가에 있어서도 우수한 실리콘계 수지 제거 성능을 보였는데 이는, 경시에 따른 수분률 증가에 대해서, 본 발명의 4급 불화암모늄 화합물이 고리형 암모늄 양이온 구조를 가져 불소 음이온의 수소결합에 의한 불활성화를 억제함으로써 반응성 저하가 크게 발생하지 않음을 확인할 수 있다.
본 발명의 실리콘계 수지 제거용 조성물은 우수한 실리콘계 수지 분해 성능 및 경시 안정성을 유지하여 잔존하는 실리콘 수지를 매우 효과적으로 제거함으로써 전자부품 등의 제조공정 예컨대, 반도체 웨이퍼의 이면 연삭, 이면 전극 형성 등의 공정에 사용될 수 있다.

Claims (7)

  1. 고리형 4급 불화암모늄(Quarternary ammonium Fluoride, QAF) 화합물, 및
    비양성자성 용매를 포함하는 실리콘계 수지 제거용 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 고리형 4급 불화암모늄 화합물은 하기 화학식 1 내지 4로 표시되는 것 중에서 선택되는 하나 이상인 것을 특징으로 하는 실리콘계 수지 제거용 조성물:
    [화학식 1]
    Figure pat00018

    (상기 화학식 1에서, R1 및 R2는 서로 같거나 다르며, C1-12의 직쇄 또는 측쇄 알킬기; 또는 C2-12의 직쇄 또는 측쇄 알킬 에테르기이다)
    [화학식 2]
    Figure pat00019

    (상기 화학식 2에서, X는 산소 또는 황이고, R3 및 R4는 서로 같거나 다르며, C1-12의 직쇄 또는 측쇄 알킬기이다)
    [화학식 3]
    Figure pat00020

    (상기 화학식 3에서, Y는 수소 또는 C1-4의 알킬기이고, R5는 C1-20의 직쇄 또는 측쇄 알킬기; C1-20의 직쇄 또는 측쇄 할로알킬기; (C6-20)아릴(C1-20)아실기; 니트로기로 치환 또는 비치환된 C6-12의 아릴기; 또는 C1-20의 직쇄 또는 측쇄 할로알킬 카보닐기이다.)
    [화학식 4]
    Figure pat00021

    (상기 화학식 4에서, R6 및 R7은 서로 같거나 다르며, C1-20의 직쇄 또는 측쇄 알킬기; C1-20의 직쇄 또는 측쇄 할로알킬기; C1-20의 직쇄 또는 측쇄 알킬 카보닐기; C1-20의 직쇄 또는 측쇄 할로알킬 카보닐기; 또는 C2-20의 직쇄 또는 측쇄 알킬렌글리콜기이다)
  3. 청구항 2에 있어서, R1 내지 R4는 C1-6의 직쇄 또는 측쇄 알킬기, R5는 C1-16의 직쇄 또는 측쇄 알킬기; 또는 (C6-12)아릴(C1-10)아실기, R6 및 R7은 C1-4의 직쇄 또는 측쇄 알킬기인 것을 특징으로 하는 실리콘계 수지 제거용 조성물.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 실리콘계 수지 제거용 조성물은 전체 조성물 100 중량%를 만족하도록
    고리형 4급 불화암모늄 화합물 0.1 내지 30 중량%; 및
    비양성자성 용매 70 내지 99.9 중량%를 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 수지 제거용 조성물.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 실리콘계 수지 제거용 조성물은 3차 아민 화합물을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 수지 제거용 조성물.
  6. 청구항 5에 있어서, 상기 3차 아민 화합물은 1-메틸피롤리딘(1-methylpyrrolidine), 1-에틸피롤리딘(1-ethylpyrrolidine), 1-메틸피페리딘(1-methylpiperidine), 디메틸피페라진(dimethylpiperazine), 1,5-디아자비시클로[4.3.0]논-5-엔(1,5-diazabicyclo[4.3.0]non-5-ene, DBN), 1,8-디아자비시클로[5.4.0]운덱-7-엔(1,8-diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene, DBU), 1,4-디아자비시클로[2.2.2]옥탄(1,4-diazabicyclo[2.2.2]octane, DABCO) 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종인 것을 특징으로 하는 실리콘계 수지 제거용 조성물.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 실리콘계 수지 제거용 조성물은 부식방지제, 계면활성제, 습윤제, 동결방지제, 점도조절제 및 이들의 조합으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 실리콘계 수지 제거용 조성물.
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