KR20150016430A - 망상형 고분자 용해용 조성물 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 망상형 고분자 용해용 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는, 특정 고리형 아민과 특정 사슬형 아민 중 적어도 하나인 아민 화합물; 탄소수 1 내지 20의 불화알킬암모늄; 및 극성 비양성자성 용매를 포함함으로써, 망상형 고분자를 효과적으로 제거하는 망상형 고분자 용해용 조성물에 관한 것이다.

Description

망상형 고분자 용해용 조성물{COMPOSITION FOR SOLVING A CROSS-LINKED POLYMER}
본 발명은 망상형 고분자 용해용 조성물에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 망상형 고분자를 신속하게 용해시킬 수 있는 용해용 조성물에 관한 것이다.
반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 「웨이퍼」라고도 함)의 표면에 전자 회로 등을 형성한 후, 웨이퍼의 두께를 얇게 하기 위해 웨이퍼의 이면 연삭(소위, 백 그라인딩)을 행하는 경우가 있다. 이 경우, 웨이퍼 회로면의 보호, 웨이퍼의 고정 등을 위하여 통상적으로 웨이퍼의 회로면에 접착 폴리머(예: 실리콘)를 개재하여 지지체를 부착한다. 지지체를 웨이퍼의 회로면에 부착하면, 웨이퍼의 이면 연삭 후 두께가 얇아진 웨이퍼를 보강할 수 있고, 웨이퍼의 연삭면에 이면 전극 등을 형성할 수도 있다.
상기 웨이퍼의 이면 연삭, 이면 전극 형성 등의 공정이 완료되면, 웨이퍼의 회로면으로부터 지지체를 제거하고 접착 폴리머를 박리하여 제거하고, 웨이퍼를 절단하여 칩을 제작한다.
한편, 최근에는 웨이퍼를 관통하여 설치하는 관통 전극(예를 들어, 실리콘 관통 전극)을 이용한 칩 적층 기술이 개발되어 있다. 이 칩 적층 기술에 따르면, 종래의 와이어 대신 관통 전극을 이용하여 복수의 칩의 전자 회로를 전기적으로 접속하므로, 칩의 고집적화, 동작의 고속화를 도모할 수 있다. 이 칩 적층 기술을 이용하는 경우, 복수의 칩이 적층된 집합체의 두께를 얇게 하기 위해 웨이퍼의 이면 연삭을 행하는 경우가 많으며, 그로 인해, 지지체나 접착 폴리머를 이용할 기회가 증가한다.
그런데, 통상적으로 웨이퍼의 회로면에 접착 폴리머를 개재하여 지지체를 부착한 후, 상기 웨이퍼와 지지체의 견고한 부착을 위하여 열경화를 실시하기 때문에 접착 폴리머를 박리하는 경우, 경화된 접착 폴리머가 지지체 및 웨이퍼의 회로면에 잔존하는 경우가 발생한다. 그러므로, 상기 지지체 및 웨이퍼 회로면에 잔존하는 경화된 접착 폴리머를 효율적으로 제거하는 수단이 필요하다.
일본공개특허 제2009-194087호는 웨이퍼에 잔존하는 폴리머를 제거하기 위해 2종의 폴리머 제거액을 개시하고 있는데, 과산화수소, 염산, 불산 등의 강산을 포함하고 있어, 웨이퍼 표면에 존재하는 금속 배선 및 패드의 손상 우려가 있다.
특허문헌 1: 일본공개특허 제2009-194087호
본 발명은 접착제로 사용되는 망상형 고분자의 용이하게 제거할 수 있는 용해액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 망상형 고분자가 접착된 피접착체, 특히 금속 성분의 손상 없이 망상형 고분자만 선택적으로 제거할 수 있는 용해액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.
1. 아민 화합물;
탄소수 1 내지 20의 불화알킬암모늄; 및
극성 비양성자성 용매;를 포함하며,
상기 아민 화합물은, 1,5,7-트리아자바이사이클로(4.4.0)데크-5-엔(1,5,7-Triazabicyclo(4.4.0)dec-5-ene(TBD)), 7-메틸-1,5,7-트리아자바이사이클로(4.4.0)데크-5-엔(7-Methyl-1,5,7-triazabicyclo(4.4.0)dec-5-ene(MTBD)), 1-아자바이사이클로[2.2.2]옥탄(1-Azabicyclo[2.2.2]octane(Quinuclidine)), 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘(2,2,6,6-Tetramethylpiperidine(TMP)), 1,2,2,6,6-펜타메틸피페리딘(1,2,2,6,6-Pentamethylpiperidine(Pempidine)), 1,4-디아자바이사이클로[2.2.2]옥탄(1,4-Diazabicyclo[2.2.2]octan(TED)), 트리메틸피리딘(Collidine), 디메틸피리딘(Lutidine)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종의 고리형 아민과 1,1,3,3-테트라메틸구아니딘(1,1,3,3-Tetramethylguanidine(TMG)), 사이클로헥실디메틸아민(DMCHA), 디프로필아민(DPA), 디이소프로필아민(DIPA), N-메틸부틸아민 및 N-메틸사이클로헥실아민으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종의 사슬형 아민 중 적어도 하나인, 망상형 고분자 용해용 조성물.
2. 위 1에 있어서, 상기 불화알킬암모늄은 테트라부틸암모늄플루오라이드(TBAF), 테트라부틸암모늄바이플루오라이드(TBAFㆍHF), 테트라메틸암모늄플루오라이드(TMAF), 테트라에틸암모늄플루오라이드(TEAF), 벤질트리메틸암모늄플루오라이드(BTMAF)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인, 망상형 고분자 용해용 조성물.
3. 위 1에 있어서, 상기 극성 비양성자성 용매는 케톤계 용매, 아마이드계 용매, 아세테이트계 용매, 피롤리돈계 용매, 설폭사이드계 용매, 나이트릴계 용매, 카보네이트계 용매로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인, 망상형 고분자 용해용 조성물.
4. 위 3에 있어서, 상기 케톤계 용매는 메틸이소부틸케톤(MIBK), 디이소부틸케톤 및 헵타논으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인, 망상형 고분자 용해용 조성물.
5. 위 3에 있어서, 상기 아마이드계 용매는 디메틸포름아마이드(DMF), 디메틸프로판아마이드 및 디메틸부탄아마이드으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인, 망상형 고분자 용해용 조성물.
6. 위 3에 있어서, 상기 아세테이트계 용매는 메틸아세테이트, 에틸아세테이트(EA), 프로필아세테이트, 이소프로필아세테이트, n-부틸아세테이트, 이소부틸아세테이트, sec-부틸아세테이트, 아밀아세테이트, 펜틸아세테이트, 이소펜틸아세테이트, 옥틸아세테이트, 벤질아세테이트, 페닐아세테이트, 에톡시에틸아세테이트, 메톡시부틸아세테이트(MBA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 비닐아세테이트 및 에틸에톡시프로피오네이트(EEP)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인, 망상형 고분자 용해용 조성물.
7. 위 3에 있어서, 상기 피롤리돈계 용매는 메틸피롤리돈(NMP), 에틸피롤리돈(NEP) 및 비닐피롤리돈(NVP)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인, 망상형 고분자 용해용 조성물.
8. 위 3에 있어서, 상기 설폭사이드계 용매는 디메틸설폭사이드(DMSO), 디부틸설폭사이드, 디페닐설폭사이드, 디벤질설폭사이드 및 메틸페닐설폭사이드로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인, 망상형 고분자 용해용 조성물.
9. 위 3에 있어서, 상기 나이트릴계 용매는 프로피오나이트릴, 부티로나이트릴, 이소부티로나이트릴, 아세토나이트릴, 트리메틸아세토나이트릴 및 페닐아세토나이트릴로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인, 망상형 고분자 용해용 조성물.
10. 위 3에 있어서, 상기 카보네이트계 용매는 디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트, 디페닐카보네이트, 디벤질카보네이트, 에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트 및 비닐렌카보네이트로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인, 망상형 고분자 용해용 조성물.
11. 위 1에 있어서, 상기 아민 화합물 0.1 내지 30 중량%, 상기 불화알킬암모늄 0.1 내지 30 중량% 및 상기 극성 비양성자성 용매 40 내지 99.8 중량%를 포함하는 망상형 고분자 용해용 조성물.
12. 위 1에 있어서, 상기 망상형 고분자는 실리콘 고분자인, 망상형 고분자 용해용 조성물.
13. 위 1에 있어서, 상기 망상형 고분자는 웨이퍼의 이면 연삭 시 웨이퍼 접착제로 사용되는 것인, 망상형 고분자 용해용 조성물.
본 발명의 조성물은 망상형 고분자의 용해에 사용되는 것으로서, 망상형 고분자가 접착제로 사용되는 경우 접착제의 제거에 유용하게 사용될 수 있다.
또한, 본 발명의 망상형 고분자 용해용 조성물은 망상형 고분자의 결합을 끊어 용매에 용해될 수 있도록 함으로써 망상형 고분자를 제거할 수 있다.
또한, 본 발명의 망상형 고분자 용해용 조성물은 망상형 고분자가 접착된 피착체, 예를 들면 웨이퍼의 금속 패드를 부식시키지 않으면서 망상형 고분자만 효과적으로 제거할 수 있다.
본 발명은, 특정 고리형 아민과 특정 사슬형 아민 중 적어도 하나인 아민 화합물; 탄소수 1 내지 20의 불화알킬암모늄; 및 극성 비양성자성 용매를 포함함으로써, 망상형 고분자를 효과적으로 제거하는 망상형 고분자 용해용 조성물에 관한 것이다.
이하, 본 발명을 보다 상세하게 설명하도록 한다.
접착제로 사용되는 고분자 중 망상형 고분자는 경화 과정을 통해 3차원 구조를 갖게 되는 고분자로서 평균 분자량이 무한대에 가깝고 극성이 매우 낮다. 또한, 망상형 구조로 인해 통상적인 용매에 용해도가 매우 낮고 용융도 되지 않고 팽윤 현상만 나타나, 접착제로 사용되는 경우 그 제거가 용이하지 않다. 이에 본 발명은 망상형 고분자를 용이하고 효과적으로 제거할 수 있는 망상형 고분자 용해용 조성물을 제공한다.
본 발명의 망상형 고분자 용해용 조성물은 특정 고리형 아민과 특정 사슬형 아민 중 적어도 하나의 아민 화합물을 포함한다.
상기 고리형 아민은 1,5,7-트리아자바이사이클로(4.4.0)데크-5-엔(1,5,7-Triazabicyclo(4.4.0)dec-5-ene(TBD)), 7-메틸-1,5,7-트리아자바이사이클로(4.4.0)데크-5-엔(7-Methyl-1,5,7-triazabicyclo(4.4.0)dec-5-ene(MTBD)), 1-아자바이사이클로[2.2.2]옥탄(1-Azabicyclo[2.2.2]octane(Quinuclidine)), 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘(2,2,6,6-Tetramethylpiperidine(TMP)), 1,2,2,6,6-펜타메틸피페리딘(1,2,2,6,6-Pentamethylpiperidine(Pempidine)), 1,4-디아자바이사이클로[2.2.2]옥탄(1,4-Diazabicyclo[2.2.2]octan(TED)), 트리메틸피리딘(Collidine), 디메틸피리딘(Lutidine)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종이다.
상기 사슬형 아민은 1,1,3,3-테트라메틸구아니딘(1,1,3,3-Tetramethylguanidine(TMG)), 사이클로헥실디메틸아민(DMCHA), 디프로필아민(DPA), 디이소프로필아민(DIPA), N-메틸부틸아민 및 N-메틸사이클로헥실아민으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종이다.
본 발명에 따른 상기 고리형 아민 및 사슬형 아민은 망상형 고분자를 팽창(팽윤)시키고 불화알킬암모늄을 용해시키는 성분이다. 본 발명에 있어서, 고리형 아민은 질소 원자가 고리 구조에 포함된 아민을 지칭하며, 사슬형 아민은 질소 원자에 결합된 작용기가 서로 연결되지 않아 질소 원자가 고리 구조에 포함되지 않는 아민을 지칭한다.
한편, 실리콘 웨이퍼의 회로 기판 부분은 다양한 금속 성분으로 이루어지는데, 웨이퍼의 이면 연삭 시 회로 기판 부분에 접착된 접착제를 제거하기 위해 제거액을 투입하게 되면, 제거액이 필연적으로 회로 기판의 금속 부분에 접촉하게 된다. 이 때, 금속 간에 전위차가 발생하게 되어 특정 금속만 부식하게 되는 현상(갈바닉 부식)이 발생하게 되는데, 이러한 갈바닉 부식은 종래 접착제 제거액이 해결해야 할 문제이다.
그런데 본 발명에 따른 상기 고리형 아민 및 사슬형 아민은 웨이퍼의 회로 기판 표면에 보호층(inhibiting layer)을 형성함으로써, 갈바닉 부식을 억제하여 회로 기판의 손상을 방지한다.
본 발명에 따른 상기 고리형 아민 및 사슬형 아민은 조성물 총 중량 대비 0.1 내지 30 중량%, 바람직하게는 1 내지 20 중량%로 포함될 수 있다. 함량이 상기 범위인 경우에, 망상형 고분자의 팽창 및 웨이퍼 기판의 회로에 부식 방지 효과를 극대화할 수 있다.
본 발명의 탄소수 1 내지 20의 불화알킬암모늄은 망상형 고분자의 결합 사슬을 절단하여 망상형 고분자를 올리고머 또는 모노머 형태로 분해하는 기능을 한다.
본 발명에서 사용가능한 불화알킬암모늄은 탄소수가 1 내지 20의 불화알킬기가 치환되어 있는 암모늄이라면 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 테트라부틸암모늄플루오라이드(TBAF), 테트라부틸암모늄바이플루오라이드(TBAFㆍHF), 테트라메틸암모늄플루오라이드(TMAF), 테트라에틸암모늄플루오라이드(TEAF), 벤질트리메틸암모늄플루오라이드(BTMAF) 등을 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있으나, 이에 한정되는 것은 아니다.
본 발명에 따른 상기 불화알킬암모늄은 조성물 총 중량 대비 0.1 내지 30 중량%, 바람직하게는 1 내지 20 중량%로 포함될 수 있다. 함량이 상기 범위인 경우에, 망상향 고분자의 제거 효과를 극대화할 수 있다.
본 발명의 극성 비양성자성 용매는 망상형 고분자를 팽창(팽윤)시키고 불화알킬암모늄을 용해시키는 성분이다. 용매가 비극성이거나 양성자성인 경우에는 불화알킬암모늄의 용해도가 저하되고 망상형 고분자의 제거 효과가 저하된다.
본 발명에서 사용가능한 극성 비양성자성 용매는 특별히 제한되지 않으며, 예를 들면, 케톤계 용매, 아마이드계 용매, 아세테이트계 용매, 피롤리돈계 용매, 설폭사이드계 용매, 나이트릴계 용매, 카보네이트계 용매 등을 각각 단독으로 또는 2종 이상 혼합하여 사용할 수 있다.
케톤계 용매는 예를 들면, 메틸이소부틸케톤(MIBK), 디이소부틸케톤, 헵타논 중 적어도 1종을 들 수 있다.
아마이드계 용매는 예를 들면, 디메틸포름아마이드(DMF), 디메틸프로판아마이드, 디메틸부탄아마이드 중 적어도 1종을 들 수 있다.
아세테이트계 용매는 예를 들면, 메틸아세테이트, 에틸아세테이트(EA), 프로필아세테이트, 이소프로필아세테이트, n-부틸아세테이트, 이소부틸아세테이트, sec-부틸아세테이트, 아밀아세테이트, 펜틸아세테이트, 이소펜틸아세테이트, 옥틸아세테이트, 벤질아세테이트, 페닐아세테이트, 에톡시에틸아세테이트, 메톡시부틸아세테이트(MBA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 비닐아세테이트, 에틸에톡시프로피오네이트(EEP) 중 적어도 1종을 들 수 있다.
피롤리돈계 용매는 예를 들면, 메틸피롤리돈(NMP), 에틸피롤리돈(NEP), 비닐피롤리돈(NVP) 중 적어도 1종을 들 수 있다.
설폭사이드계 용매는 예를 들면, 디메틸설폭사이드(DMSO), 디부틸설폭사이드, 디페닐설폭사이드, 디벤질설폭사이드, 메틸페닐설폭사이드 중 적어도 1종을 들 수 있다.
나이트릴계 용매는 예를 들면, 프로피오나이트릴, 부티로나이트릴, 이소부티로나이트릴, 아세토나이트릴, 트리메틸아세토나이트릴, 페닐아세토나이트릴 중 적어도 1종을 들 수 있다.
카보네이트계 용매는 예를 들면, 디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트, 디페닐카보네이트, 디벤질카보네이트, 에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트, 비닐렌카보네이트 중 적어도 1종을 들 수 있다.
본 발명에 따른 상기 극성 비양성자성 용매는 조성물 총 중량 대비 40 내지 99.8 중량%, 바람직하게는 60 내지 98중량%로 포함될 수 있다. 함량이 상기 범위인 경우에, 망상형 고분자의 팽창 및 웨이퍼 기판의 회로에 부식 방지 효과를 극대화할 수 있다.
본 발명의 망상형 고분자 용해용 조성물은 필요에 따라 상기 성분 외에 이 분야에서 통상적으로 사용되는 부식방지제, 계면활성제 등의 성분들을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 망상형 고분자 용해용 조성물에서 상기 망상형 고분자는, 망상형 고분자라면 특별히 한정되지 않으며, 예컨대, 실리콘 고분자일 수 있다. 상기 실리콘 폴리머의 성분은 특별히 한정되지 않으며 이 분야에서 통상적으로 사용되는 것을 의미한다.
또한, 본 발명에 있어서, 망상형 고분자는 웨이퍼의 이면 연삭 시 웨이퍼 접착제로 사용되는 것일 수 있으며, 그에 따라, 본 발명의 망상형 고분자 용해용 조성물은 반도체 웨이퍼의 이면 연삭 공정 후 웨이퍼의 접착에 사용되었던 망상형 고분자 접착제를 제거하는 데 유용하게 사용될 수 있다.
이하, 본 발명의 이해를 돕기 위하여 바람직한 실시예를 제시하나, 이들 실시예는 본 발명을 예시하는 것일 뿐 첨부된 특허청구범위를 제한하는 것이 아니며, 본 발명의 범주 및 기술사상 범위 내에서 실시예에 대한 다양한 변경 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속하는 것도 당연한 것이다.
실시예 및 비교예
하기 표 1에 기재된 조성으로 망상형 고분자 용해용 조성물을 제조하였다.
Figure pat00001
상기 표 1에서,
MTBD: 7-메틸-1,5,7-트리아자바이사이클로(4.4.0)데크-5-엔
TED: 1,4-디아자바이사이클로[2.2.2]옥탄
DPA: 디프로필아민
MCHA: N-메틸사이클로헥실아민
n-BA: n-부틸아세테이트
PGMEA: 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트
MAKN: 2-헵타논
MIBK: 메틸이소부틸케톤
DMF: 디메틸포름아마이드
NMP: 메틸피롤리돈
DMSO: 디메틸설폭사이드
PN: 프로피오나이트릴
DMC: 디메틸카보네이트
TBAF·3H2O: 테트라부틸암모늄플루오라이드 3수화물
DBU: 1,8-디아자바이사이클로[5.4.0]운데크-7-엔(1,8-Diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene)
HA: 하이드록실아민
MEA: 모노에탄올아민
MEK: 메틸에틸케톤
AF: 불화암모늄
실험예
상기 표 1에서 제조된 망상형 고분자 용해용 조성물에 대해서 하기와 같은 실험을 수행하고, 그 결과를 하기 표 2에 기재하였다.
1. 망상형 실리콘 고분자 세정속도
경화된 망상형 실리콘 고분자가 80㎛의 두께로 코팅된 웨이퍼를 2X2㎠의 크기로 잘라 제조된 시료를 상기 실시예 및 비교예의 조성물에 1분간 침지시켰다. 상기 침지시 상기 조성물의 온도는 25℃로 조절하였으며, 교반기를 350rpm의 속도로 회전시켜 교반하였다. 상기 침지시킨 웨이퍼 시료를 꺼내어 이소프로필알코올(IPA)로 세정하고 건조시킨 후, SEM으로 경화 실리콘 고분자의 막두께를 측정하여 그 결과를 하기 표 2에 기재하였다.
2. 금속 패드 디펙( Defect )
알루미늄 패드가 형성된 웨이퍼를 2X2㎠의 크기로 잘라 제조된 시료를 상기 실시예 및 비교예의 조성물에 1분간 침지시켰다. 상기 침지시 상기 조성물의 온도는 25℃로 조절하였으며, 교반기를 350rpm의 속도로 회전시켜 교반하였다. 상기 침지시킨 웨이퍼 시료를 꺼내어 이소프로필알코올(IPA)로 세정하고 건조시킨 후, 광학현미경으로 알루미늄 패드에 디펙(Defect)여부를 확인하고, 하기 기준으로 평가하여 결과를 하기 표 2에 기재하였다.
○: 디펙 수 0개
△: 디펙 수 1~5개
×: 디펙 수 6개 이상
망상형 실리콘 고분자 용해속도(㎛/min) 금속 패드 손상 여부 비고
실시예1 22.5 ○
실시예2 24.1 ○
실시예3 19.7 ○
실시예4 38.4 ○
실시예5 20.7 ○
실시예6 23.2 ○
실시예7 21.9 ○
실시예8 17.5 ○
실시예9 30.2 ○
실시예10 40.5 △
실시예11 19.2 ○
실시예12 35.5 △ TBAF 일부 석출
실시예13 17.9 ○
비교예1 16.0 ×
비교예2 15.5 ○
비교예3 - - AF 불용으로 평가 불가
비교예4 15.7 ×
비교예5 - - AF 불용으로 평가 불가
비교예6 - - AF 불용으로 평가 불가
표 2에 따르면, 전체적으로 본 발명의 실시예들이 비교예들보다 망상형 고분자의 용해 속도가 우수하고 및 금속 패드에 손상을 가하지 않는 것을 확인할 수 있다.
다만, 아민이 다소 과량으로 첨가된 실시예 10은 망상형 고분자의 용해 속도는 매우 우수하였으나 금속 패드에 일부 손상이 발생하는 것을 확인할 수 있으며, 불화알킬암모늄이 다소 과량으로 첨가된 실시예 12역시 망상형 고분자의 용해 속도는 매우 우수하였으나 금속 패드의 일부에 손상이 발생하며, 불화알킬암모늄이 일부 석출되는 문제가 발생하였다.
그러나, 본 발명의 아민을 사용하지 않은 비교예 1, 4는 금속 패드에 많은 손상이 발생하였음을 확인할 수 있다.
또한, 본 발명의 용매를 사용하지 않은 비교예 2는 실시예 1과 비교해보면 실리콘 고분자의 용해 성능이 저하되는 문제가 있었으며, 불화암모늄을 사용하는 비교예 3, 5 내지 6은 불화암모늄이 용해되지 않는 문제가 있었음을 확인할 수 있다.
비교예 1, 2 내지 4는 전체적으로 용해 성능 저하 및 금속 패드의 손상 문제가 더욱 심화되는 것을 확인할 수 있었다.

Claims (13)

  1. 아민 화합물;
    탄소수 1 내지 20의 불화알킬암모늄; 및
    극성 비양성자성 용매;를 포함하며,
    상기 아민 화합물은, 1,5,7-트리아자바이사이클로(4.4.0)데크-5-엔(1,5,7-Triazabicyclo(4.4.0)dec-5-ene(TBD)), 7-메틸-1,5,7-트리아자바이사이클로(4.4.0)데크-5-엔(7-Methyl-1,5,7-triazabicyclo(4.4.0)dec-5-ene(MTBD)), 1-아자바이사이클로[2.2.2]옥탄(1-Azabicyclo[2.2.2]octane(Quinuclidine)), 2,2,6,6-테트라메틸피페리딘(2,2,6,6-Tetramethylpiperidine(TMP)), 1,2,2,6,6-펜타메틸피페리딘(1,2,2,6,6-Pentamethylpiperidine(Pempidine)), 1,4-디아자바이사이클로[2.2.2]옥탄(1,4-Diazabicyclo[2.2.2]octan(TED)), 트리메틸피리딘(Collidine), 디메틸피리딘(Lutidine)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종의 고리형 아민과 1,1,3,3-테트라메틸구아니딘(1,1,3,3-Tetramethylguanidine(TMG)), 사이클로헥실디메틸아민(DMCHA), 디프로필아민(DPA), 디이소프로필아민(DIPA), N-메틸부틸아민 및 N-메틸사이클로헥실아민으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종의 사슬형 아민 중 적어도 하나인, 망상형 고분자 용해용 조성물.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 불화알킬암모늄은 테트라부틸암모늄플루오라이드(TBAF), 테트라부틸암모늄바이플루오라이드(TBAFㆍHF), 테트라메틸암모늄플루오라이드(TMAF), 테트라에틸암모늄플루오라이드(TEAF), 벤질트리메틸암모늄플루오라이드(BTMAF)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인, 망상형 고분자 용해용 조성물.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 극성 비양성자성 용매는 케톤계 용매, 아마이드계 용매, 아세테이트계 용매, 피롤리돈계 용매, 설폭사이드계 용매, 나이트릴계 용매, 카보네이트계 용매로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인, 망상형 고분자 용해용 조성물.
  4. 청구항 3에 있어서, 상기 케톤계 용매는 메틸이소부틸케톤(MIBK), 디이소부틸케톤 및 헵타논으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인, 망상형 고분자 용해용 조성물.
  5. 청구항 3에 있어서, 상기 아마이드계 용매는 디메틸포름아마이드(DMF), 디메틸프로판아마이드 및 디메틸부탄아마이드으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인, 망상형 고분자 용해용 조성물.
  6. 청구항 3에 있어서, 상기 아세테이트계 용매는 메틸아세테이트, 에틸아세테이트(EA), 프로필아세테이트, 이소프로필아세테이트, n-부틸아세테이트, 이소부틸아세테이트, sec-부틸아세테이트, 아밀아세테이트, 펜틸아세테이트, 이소펜틸아세테이트, 옥틸아세테이트, 벤질아세테이트, 페닐아세테이트, 에톡시에틸아세테이트, 메톡시부틸아세테이트(MBA), 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트(PGMEA), 비닐아세테이트 및 에틸에톡시프로피오네이트(EEP)로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인, 망상형 고분자 용해용 조성물.
  7. 청구항 3에 있어서, 상기 피롤리돈계 용매는 메틸피롤리돈(NMP), 에틸피롤리돈(NEP) 및 비닐피롤리돈(NVP)으로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인, 망상형 고분자 용해용 조성물.
  8. 청구항 3에 있어서, 상기 설폭사이드계 용매는 디메틸설폭사이드(DMSO), 디부틸설폭사이드, 디페닐설폭사이드, 디벤질설폭사이드 및 메틸페닐설폭사이드로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인, 망상형 고분자 용해용 조성물.
  9. 청구항 3에 있어서, 상기 나이트릴계 용매는 프로피오나이트릴, 부티로나이트릴, 이소부티로나이트릴, 아세토나이트릴, 트리메틸아세토나이트릴 및 페닐아세토나이트릴로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인, 망상형 고분자 용해용 조성물.
  10. 청구항 3에 있어서, 상기 카보네이트계 용매는 디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트, 디페닐카보네이트, 디벤질카보네이트, 에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트 및 비닐렌카보네이트로 이루어진 군에서 선택되는 적어도 1종인, 망상형 고분자 용해용 조성물.
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 아민 화합물 0.1 내지 30 중량%, 상기 불화알킬암모늄 0.1 내지 30 중량% 및 상기 극성 비양성자성 용매 40 내지 99.8 중량%를 포함하는 망상형 고분자 용해용 조성물.
  12. 청구항 1에 있어서, 상기 망상형 고분자는 실리콘 고분자인, 망상형 고분자 용해용 조성물.
  13. 청구항 1에 있어서, 상기 망상형 고분자는 웨이퍼의 이면 연삭 시 웨이퍼 접착제로 사용되는 것인, 망상형 고분자 용해용 조성물.
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