KR20160101511A

KR20160101511A - 경화 고분자 박리액 조성물

Info

Publication number: KR20160101511A
Application number: KR1020150024214A
Authority: KR
Inventors: 권기진; 김성민
Original assignee: 동우 화인켐 주식회사
Priority date: 2015-02-17
Filing date: 2015-02-17
Publication date: 2016-08-25
Also published as: KR102265415B1

Abstract

본 발명은 양이온안정제 0.01 내지 10중량% 불소화합물 0.1 내지 30중량%; 및 극성 비양성자성 용매를 잔부로 포함하는 경화 고분자 박리액 조성물에 관한 것으로, 양이온 안정제를 첨가함으로써 세정속도를 향상시킬 수 있다.

Description

경화 고분자 박리액 조성물 {Curable polymer stripping composition}

본 발명은 경화 고분자 박리액 조성물에 관한 것이다.

반도체 소자의 제조 공정에 있어서, 반도체 웨이퍼(이하, 단순히 「웨이퍼」라고도 함)의 표면에 전자 회로 등을 형성한 후, 웨이퍼의 두께를 얇게 하기 위해 웨이퍼의 이면 연삭(소위, 백 그라인딩)을 행하는 경우가 있다. 이 경우, 웨이퍼 회로면의 보호, 웨이퍼의 고정 등을 위하여 통상적으로 웨이퍼의 회로면에 실리콘계 수지를 개재하여 지지체를 부착한다. 지지체를 웨이퍼의 회로면에 부착하면, 웨이퍼의 이면 연삭 후 두께가 얇아진 웨이퍼를 보강할 수 있고, 웨이퍼의 연삭면에 이면 전극 등을 형성할 수도 있다.

상기 웨이퍼의 이면 연삭, 이면 전극 형성 등의 공정이 완료되면, 웨이퍼의 회로면으로부터 지지체를 제거하고 전자부품에 부착된 실리콘계 수지를 박리하여 제거하고, 웨이퍼를 절단하여 칩을 제작한다.

한편, 최근에는 웨이퍼를 관통하여 설치하는 관통 전극(예를 들어, 실리콘 관통 전극)을 이용한 칩 적층 기술이 개발되어 있다. 이 칩 적층 기술에 따르면, 종래의 와이어 대신 관통 전극을 이용하여 복수의 칩의 전자 회로를 전기적으로 접속하므로, 칩의 고집적화, 동작의 고속화를 도모할 수 있다. 이 칩 적층 기술을 이용하는 경우, 복수의 칩이 적층된 집합체의 두께를 얇게 하기 위해 웨이퍼의 이면 연삭을 행하는 경우가 많으며, 그로 인해, 지지체나 전자부품에 실리콘계 수지를 이용할 경우가 증가한다.

그런데, 통상적으로 웨이퍼의 회로면에 전자부품에 부착된 실리콘계 수지를 개재하여 지지체를 부착한 후, 상기 웨이퍼와 지지체의 견고한 부착을 위하여 열경화를 실시한다. 그렇기 때문에 전자부품에 부착된 실리콘계 수지를 박리하는 경우, 경화된 전자부품에 부착된 실리콘계 수지가 지지체 및 웨이퍼의 회로면에 잔존하는 경우가 발생한다. 그러므로, 상기 지지체 및 웨이퍼 회로면에 잔존하는 경화된 전자부품에 부착된 실리콘계 수지를 효율적으로 제거하는 수단이 필요하다.

한국공개특허 제10-2014-0060389호에는 불화알킬암모늄, 극성 비양자성 유기용매를 포함하는 접착 폴리머 제거용 조성물이 개시되어 있다. 상기 종래 특허는 접착 폴리머를 매우 효과적으로 제거하고, 웨이퍼 회로면에 회로를 부식시키지 않는 기술을 제시하고 있으나, 새로운 조성을 적용하여 세정속도를 향상시키는 특징은 만족하지 못하고 있다.

한국공개특허 제10-2014-0060389호

본 발명은 양이온 안정제를 첨가함으로써 세정속도를 향상시킬 수 있는 경화 고분자 박리액 조성물을 제공하는 것을 목적으로 한다.

상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 경화 고분자 박리액 조성물은 양이온안정제 0.01 내지 10중량%, 불소화합물 0.1 내지 30중량% 및 극성 비양성자성 용매를 잔부로 포함하는 것을 특징으로 한다.

본 발명에 따른 경화 고분자 박리액 조성물은 상기와 같은 조합으로 인하여, 양이온을 안정화시킴으로써 세정속도를 향상시킬 수 있다.

본 발명에 따른 경화 고분자 박리액 조성물은 양이온 안정제, 불소화합물 및 극성 비양자성 용매를 포함한다.

이하 각 조성을 자세히 설명하기로 한다.

본 발명의 경화 고분자 박리액 조성물에서 양이온 안정제는 양이온을 안정화 시켜 세정속도를 향상시키는 역할을 한다. 양이온 안정제는 크라운 구조를 형성하며, 고리의 안쪽은 전자가 풍부하여 강한 음전하를 띤다. 이러한 음전하 때문에 크라운 에테르(Crown Ether)는 쉽게 루이스 염기(전자를 주는 물질)로 작용하여, 전자가 부족한 금속 이온과 배위 결합을 할 수 있다. 보다 상세하게는, 큰 고리 모양의 중앙에 적당한 크기의 공간이 있어 알칼리 금속 이온과 아미노산, 아민 등의 유기 양이온을 도입하여 산소원자와의 사이에 포접 화합물을 형성함으로써 양이온을 안정화 시키게 된다.

이러한 양이온 안정제는 크라운 에테르(Crown Ether)인 것이 바람직하며, 일예로, 상기 양이온 안정제는 12-Crown 4-Ether, 15-Crown 5-Ether, 18-Crown 6-Ether, 24-Crown 8-Ether, Benzo-12-crown 4-Ether, Benzo-15-crown 5-Ether, Dibenzo-15-crown 5-Ether 및 Dibenzo-18-crown 6-Ether 중 선택된 1종일 수 있다.

본 발명에서 양이온 안정제는 전체 조성물 100중량% 내에서 0.01 내지 10중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 0.1 내지 5중량%로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 양이온 안정제가 상기 범위 미만으로 포함되는 경우에는 세정속도가 느려질 수 있으며, 반대로 상기 범위를 초과하여 포함되는 경우에는 전체 조성물의 물성이 저하될 수 있다.

본 발명의 경화 고분자 박리액 조성물에서 극성 비양자성 용매는 불소 화합물을 용해시키는 역할을 한다. 특히, 극성 용매가 사용되는데 이는 SN2 반응에서 중간체를 안정화시키기 때문이다.

본 발명에서 상기 극성 비양성자성 용매는 케톤계, 아세테이트계, 아마이드계, 피리딘계, 몰폴린계, 피페라진계, 피롤리돈계, 우레아계, 옥사졸리디논계, 포스페이트계, 설폭사이드계, 나이트릴계 및 카보네이트계 용매로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용한다.

상기 케톤계 용매는 종류를 특별히 한정하지 않으나, 하기 화학식 1을 포함하는 것이 바람직하다.

[화학식 1]

(상기 화학식 1에서,

R₁ 및 R₂는 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 18의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소이며, 상기 R₁ 및 R₂의 탄소수의 합은 2 이상 30 미만이다.)

상기 아세테이트계 용매는 종류를 특별히 한정하지 않으나, 메틸아세테이트, 에틸아세테이트, 프로필아세테이트, 이소프로필아세테이트, 부틸아세테이트, 이소부틸아세테이트, sec-부틸아세테이트, 아밀아세테이트, 펜틸아세테이트, 이소펜틸아세테이트, 옥틸아세테이트, 벤질아세테이트, 페닐아세테이트, 에톡시에틸아세테이트, 메톡시부틸아세테이트, 프로필렌글리콜모노메틸에테르아세테이트, 비닐아세테이트 및 에틸에톡시프로피오네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.

상기 아마이드계 용매는 종류를 특별히 한정하지 않으나, 디메틸포름아마이드, 디메틸프로판아마이드 및 디메틸부탄아마이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.

상기 피리딘계 용매는 종류를 특별히 한정하지 않으나, 하기 화학식 2를 포함하는 것이 바람직하다.

[화학식 2]

(상기 화학식 2에서,

R₃ 내지 R₅는 각각 같거나 상이하게, 수소, 탄소수 1 내지 10의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 할로겐, 알데히드기, 아세트알데히드기, 시아나이드기 또는 메틸설파이드기이다.)

따라서, 상기 피리딘계 용매는 피리딘, 2-메틸피리딘, 3-메틸피리딘, 4-메틸피리딘, 4-에틸피리딘, 4-프로필피리딘, 4-이소프로필피리딘, 4-아밀피리딘, 2,3-루티딘, 2,4-루티딘, 2,5-루티딘, 3,4-루티딘, 3,5-루티딘 및 2,4,6-트리메틸피리딘으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상일 수 있다.

상기 몰폴린계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 하기 화학식 3을 포함하는 것이 바람직하다.

[화학식 3]

(상기 화학식 3에서,

R₆은 수소, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 시아나이드기, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소를 포함하는 3차 아민, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 페닐, 또는 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 피리딘이다.)

상기 피페라진계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 하기 화학식 4를 포함하는 것이 바람직하다.

[화학식 4]

(상기 화학식 4에서,

R₇및 R₈은 각각 같거나 상이하게, 수소, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 시아나이드기, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소를 포함하는 3차 아민, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 페닐, 또는 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 피리딘이다.)

상기 피롤리돈계 용매는 종류를 특별히 한정하지 않으나, 메틸피롤리돈,에틸피롤리돈 및 비닐피롤리돈으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.

상기 우레아계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 하기 화학식 5를 포함하는 것이 바람직하다.

[화학식 5]

(상기 화학식 5에서,

R₉및 R₁₀은 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 6의 지방족 탄화수소, 페닐기, 또는 메톡시기 또는 디메틸아미노기가 치환된 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소이다.)

상기 옥사졸리디논계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 하기 화학식 6을 포함하는 것이 바람직하다.

[화학식 6]

(상기 화학식 6에서,

R₁₁은 탄소수 1 내지 6의 지방족 탄화수소, 페닐기, 또는 메톡시기 또는 디메틸아미노기가 치환된 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소이다.)

상기 포스페이트계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 하기 화학식 7을 포함하는 것이 바람직하다.

[화학식 7]

(상기 화학식 7에서,

R₁₂ 내지 R₁₄는 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 8의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 탄소수 3 내지 8의 알콕시기, 페닐기, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소로 치환된 페닐기 또는 할로겐으로 치환된 탄소수 2 내지 4의 지방족 탄화수소이다.)

상기 설폭사이드계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 디메틸설폭사이드, 디부틸설폭사이드, 디페닐설폭사이드, 디벤질설폭사이드 및 메틸페닐설폭사이드로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.

상기 나이트릴계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 프로피오나이트릴, 부티로나이트릴, 이소부티로나이트릴, 아세토나이트릴, 트리메틸아세토나이트릴 및 페닐아세토나이트릴로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.

또한, 상기 카보네이트계 용매는 종류를 특별히 한정하지는 않으나, 디메틸카보네이트, 디에틸카보네이트, 디페닐카보네이트, 디벤질카보네이트, 에틸렌카보네이트, 프로필렌카보네이트 및 비닐렌카보네이트로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.

상기 극성 비양성자성 용매는 상기 고분자 박리액 조성물 100중량%에 대하여 잔부로 포함되며, 70 내지 99.9 중량%로 포함되는 것이 바람직하다. 상기 극성 비양성자성 용매가 상기 함량범위 미만으로 포함되면 기판 회로면의 금속 부위가 부식되는 문제가 발생될 수 있으며, 상기 함량범위를 초과하는 경우는 전체 조성물의 물성이 저하될 수 있다.

본 발명의 경화 고분자 박리액 조성물에서 불소화합물은 실리콘 고분자의 고리를 끊어, 분자량을 감소시키는 역할을 한다.

자세히 설명하면, Si-F의 결합력이 Si-O의 결합력보다 강해, 실리콘 수지의 Si-O 결합을 절단하기 위해 불화암모늄 화합물이 사용된다. 이 화합물에서 불소 음이온은 Si를 공격하는 S_N2 반응을 수행하고 암모늄 양이온은 불소 음이온을 안정화시키는 양이온으로서 작용한다. 그러나 불화암모늄 화합물은 수화물(nH₂O) 형태로 존재하고, 암모늄 양이온의 질소 원자가 갖는 높은 친수성으로 인해 시간이 지남에 따라 상기 수화물의 수가 증가하게 되며, 포함된 수분은 불소 음이온과 강한 수소결합을 형성하여, 불소 음이온의 친핵성을 저하시키는 부작용을 보이게 된다. 따라서 암모늄염 대신 보다 강한 소수성을 띄는 설포늄염 또는 포스포늄염을 포함하는 불소화합물을 사용하여 실리콘계 수지 세정용 조성물 내 수분 함량을 줄일수 있다. 그 결과 수소결합에 의한 HO-H-F 결합이 적게 형성되어, 불소 음이온의 친핵성 감소가 억제되어, 불소 음이온에 의한 Si-O의 결합의 절단 반응을 보다 효과적으로 진행할 수 있다.

전술한 특성을 만족시키기 위해 본 발명의 불소 화합물은 불화알킬암모늄, 불화알킬포스포늄 및 불화알킬설포늄으로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상을 사용하는 것이 바람직하다.

상기 불화알킬암모늄은 하기 화학식 8을 포함하는 것이 바람직하다.

[화학식 8]

(상기 화학식 8에서,

상기 m은 0 내지 15의 정수이고, 상기 n은 2 내지 21의 정수이다.)

또한, 상기 화학식 8은 바람직하게는 하기 화학식 9 내지 14로 이루어진 군으로부터 선택되는 1종 이상이다.

[화학식 9]

[화학식 10]

[화학식 11]

[화학식 12]

[화학식 13]

[화학식 14]

상기 화학식 9 내지 14에서 상기 p 및 q는 각각 0 내지 4의 정수일 수 있다.

상기 불화알킬암모늄은 구체적으로 예를 들어, 테트라부틸암모늄플루오라이드, 테트라부틸암모늄바이플루오라이드, 테트라메틸암모늄플루오라이드, 테트라에틸암모늄플루오라이드, 벤질트리메틸암모늄플루오라이드 및 테트라옥틸암모늄플루오라이드일 수 있다.

상기 불화알킬포스포늄은 하기 화학식 15를 포함하는 것이 바람직하다.

[화학식 15]

(상기 화학식 15에서,

R₁₅ 내지 R₁₈은 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 22의 지방족 탄화수소 또는 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소이다.)

또한, 상기 불화알킬설포늄은 하기 화학식 16을 포함하는 것이 바람직하다.

[화학식 16]

(상기 화학식 16에서,

R₁₉ 내지 R₂₁은 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 22의 지방족 탄화수소 또는 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소이다.)

상기 불소 화합물은 상기 경화 고분자 박리액 조성물 총 중량에 대하여 0.1 내지 30 중량%로 포함되는 것이 바람직하며, 1 내지 20 중량%로 포함되는 것이 보다 바람직하다. 상기 불소 화합물이 상기 함량범위 미만으로 포함되는 경우, 경화 고분자의 세정이 불가능한 문제가 발생될 수 있으며, 상기 함량범위를 초과하는 경우는, 기판 회로면의 금속 부위가 부식되는 문제가 발생될 수 있다.

본 발명의 경화 고분자 박리액 조성물은 상기 성분 이외에 이 분야에서 통상적으로 사용되는 부식방지제, 계면활성제 등의 성분들을 더 포함할 수 있다.

상기 부식방지제는 수지 제거시 금속 함유 하부막의 부식을 효과적으로 억제하기 위해 사용되며 예를 들면, 카테콜; (C_1-6)알킬카테콜, 이를테면 메틸카테콜, 에틸카테콜 및 tert-부틸카테콜; 벤조트리아졸; 히드록시아니솔; (C_1-10)알킬벤조트리아졸; 히드록시(C_1-10)알킬벤조트리아졸; 2-머캅토벤조이미다졸; 갈산; 갈산 에스테르, 이를테면 메틸 갈레이트 및 프로필 갈레이트; 및 테트라(C_1-4)알킬암모늄 실리케이트, 이를테면 테트라메틸암모늄 실리케이트 등을 사용할 수 있다. 이러한 부식 억제제는 일반적으로 각종 공급원, 예를 들어 Aldrich Chemical Company(Milwaukee, Wisconsin)으로부터 상업적으로 입수가능하며 추가 정제없이 사용될 수 있다.

상기 계면활성제는 세정 특성 강화를 위해 사용될 수 있다. 예를 들면, 음이온 계면활성제, 양이온계면활성제, 비이온계면활성제를 이용할 수 있지만, 그 중에서도 특히, 습윤성이 우수하고 기포 발생이 보다 적은 비이온성 계면활성제를 사용하는 것이 바람직하다.

상기 비이온성 계면활성제는 구체적으로, 폴리옥시에틸렌 알킬 에테르형, 폴리옥시에틸렌 알킬페닐 에테르형, 폴리옥시에틸렌 폴리옥시프로필렌 알킬 에테르형, 폴리옥시에틸렌 폴리옥시부틸렌 알킬 에테르형, 폴리옥시에틸렌 알킬아미노 에테르형, 폴리옥시에틸렌 알킬아미도 에테르형, 폴리에틸렌 글리콜 지방산 에스테르형, 솔비탄 지방산 에스테르형, 글리세린 지방산 에스테르형, 알킬올아미드형 및 글리세린에스테르형 등을 들 수 있으며, 이들은 1종 또는 2종 이상을 혼합하여 사용할 수 있다.

이하에서, 실시예를 통하여 본 발명을 보다 상세히 설명한다. 그러나, 하기의 실시예는 본 발명을 더욱 구체적으로 설명하기 위한 것으로서, 본 발명의 범위가 하기의 실시예에 의하여 한정되는 것은 아니다. 하기의 실시예는 본 발명의 범위 내에서 당업자에 의해 적절히 수정, 변경될 수 있다.

실시예 1 내지 5 및 비교예 1 내지 4

하기 표 1의 성분 및 조성(중량%)를 첨가하여, 경화 고분자 박리액 조성물을 제조하였다.

조성 (중량%)	15-Crown 5-Ether	18-Crown 6-Ether	DMF	Pyridine	NMM	n-BA	MEK	DMAc	DBU	TBAF
실시예1	1		96							3
실시예2	1			96						3
실시예3		1			96					3
실시예4		1				96				3
실시예5	1						92		4	3
비교예1							93		4	3
비교예2								93	4	3
비교예3			97							3
비교예4				97						3
- DMF: Dimethylformamide - NMM: N-methylmorpholine - n-BA: n-Butylacetate - MEK: Methylethyl Ketone - DMAc: N,N-Dimethylacetamide - DBU: 1,8-Diazabicyclo[5.4.0]undec-7-ene - TBAF: Tetrabutylammonium Fluoride

(1) 경화실리콘 세정속도 평가

경화된 실리콘 고분자가 80㎛의 두께로 코팅된 웨이퍼를 2X2㎠의 크기로 잘라서 사용하였으며, 25℃의 조성액을 350rpm으로 회전시키면서 준비된 샘플을 1분간 침지하고, IPA 세정 후 건조하였다. 그리고, 평가 후 SEM으로 경화된 실리콘 고분자의 막두께 측정하였다.

상기와 같은 조건으로 실험한 경화 경화 실리콘 용해속도 평가 결과를 하기 표 2에 기재하였다.

	경화실리콘 용해속도 (㎛/min)
실시예 1	19.0
실시예 2	18.7
실시예 3	21.2
실시예 4	21.0
실시예 5	21.5
비교예 1	17.3
비교예 2	16.8
비교예 3	16.0
비교예 4	15.2

표 2를 참조하면, 본 발명에서 제시하는 Crown Ether를 첨가제로 사용한 실시예 1 내지 5는 경화실리콘의 용해속도가 평균 20.28㎛/min로 경화 실리콘의 용해 속도가 증가한 것을 볼 수 있다.

그러나, 아민계 첨가제를 사용한 비교예 1 내지 2와, Crown Ether를 사용하지 않은 비교예 3 내지 4의 경우에는 용해속도가 매우 느린 것을 볼 수 있다.

Claims

양이온안정제 0.01 내지 10중량%
불소화합물 0.1 내지 30중량%; 및
극성 비양성자성 용매를 잔부로 포함하는 것을 특징으로 하는 경화 고분자 박리액 조성물.
제1항에 있어서,
상기 극성 비양성자성 용매는
케톤계, 아세테이트계, 아마이드계, 피리딘계, 몰폴린계, 피롤리돈계, 우레아계, 포스페이트계, 설폭사이드계, 나이트릴계 및 카보네이트계 중 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 경화 고분자 박리액 조성물.
제2항에 있어서,
상기 케톤계 용매는 하기 화학식 1을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화 고분자 박리액 조성물:
[화학식 1]

(상기 화학식 1에서,
R₁ 및 R₂는 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 18의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소이며, 상기 R₁ 및 R₂의 탄소수의 합은 2 이상 30 미만이다.)
제2항에 있어서,
상기 피리딘계 용매는 하기 화학식 2를 포함하는 것을 특징으로 하는 경화 고분자 박리액 조성물:
[화학식 2]

(상기 화학식 2에서,
R₃ 내지 R₅는 각각 같거나 상이하게, 수소, 탄소수 1 내지 10의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 탄소수 1 내지 4의 알콕시기, 할로겐, 알데히드기, 아세트알데히드기, 시아나이드기 또는 메틸설파이드기이다.)
청구항 2에 있어서,
상기 몰폴린계 용매는 하기 화학식 3을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화 고분자 박리액 조성물:
[화학식 3]

(상기 화학식 3에서,
R₆은 수소, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 시아나이드기, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소를 포함하는 3차 아민, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 페닐, 또는 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 피리딘이다.)
청구항 2에 있어서,
상기 피페라진계 용매는 하기 화학식 4를 포함하는 것을 특징으로 하는 경화 고분자 박리액 조성물:
[화학식 4]

(상기 화학식 4에서,
R₇및 R₈은 각각 같거나 상이하게, 수소, 탄소수 1 내지 6의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 시아나이드기, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소를 포함하는 3차 아민, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 페닐, 또는 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소, 할로겐, 시아나이드기 또는 알데히드기로 치환된 피리딘이다.)
청구항 2에 있어서,
상기 우레아계 용매는 하기 화학식 5를 포함하는 것을 특징으로 하는 경화 고분자 박리액 조성물:
[화학식 5]

(상기 화학식 5에서,
R₉및 R₁₀은 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 6의 지방족 탄화수소, 페닐기, 또는 메톡시기 또는 디메틸아미노기가 치환된 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소이다.)
청구항 2에 있어서,
상기 옥사졸리디논계 용매는 하기 화학식 6을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화 고분자 박리액 조성물:
[화학식 6]

(상기 화학식 6에서,
R₁₁은 탄소수 1 내지 6의 지방족 탄화수소, 페닐기, 또는 메톡시기 또는 디메틸아미노기가 치환된 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소이다.)
청구항 2에 있어서,
상기 포스페이트계 용매는 하기 화학식 7을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화 고분자 박리액 조성물:
[화학식 7]

(상기 화학식 7에서,
R₁₂ 내지 R₁₄는 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 8의 선형 또는 가지형의 지방족 탄화수소, 탄소수 3 내지 8의 알콕시기, 페닐기, 탄소수 1 내지 4의 지방족 탄화수소로 치환된 페닐기 또는 할로겐으로 치환된 탄소수 2 내지 4의 지방족 탄화수소이다.)
제1항에 있어서,
상기 불소화합물은
불화알킬암모늄, 불화알킬포스포늄 및 불화알킬설포늄 중 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 경화 고분자 박리액 조성물.
제10항에 있어서,
상기 불화알킬암모늄은 하기 화학식 8을 포함하는 것을 특징으로 하는 경화 고분자 박리액 조성물:
[화학식 8]

(상기 화학식 8에서,
m은 0 내지 15의 정수이고,
n은 2 내지 21의 정수이다.)
청구항 10에 있어서,
상기 불화알킬포스포늄은 하기 화학식 15를 포함하는 것을 특징으로 하는 경화 고분자 박리액 조성물:
[화학식 15]

(상기 화학식 15에서,
R₁₅ 내지 R₁₈은 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 22의 지방족 탄화수소 또는 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소이다.)
청구항 10에 있어서,
상기 불화알킬설포늄은 하기 화학식 16을 포함하는 것을 특징으로 경화 고분자 박리액 조성물:
[화학식 16]

(상기 화학식 16에서,
R₁₉ 내지 R₂₁는 각각 같거나 상이하게, 탄소수 1 내지 22의 지방족 탄화수소 또는 탄소수 6 내지 20의 방향족 탄화수소이다.)
제1항에 있어서,
상기 양이온 안정제는
12-Crown 4-Ether, 15-Crown 5-Ether, 18-Crown 6-Ether, 24-Crown 8-Ether, Benzo-12-crown 4-Ether, Benzo-15-crown 5-Ether, Dibenzo-15-crown 5-Ether 및 Dibenzo-18-crown 6-Ether 중 선택된 1종인 것을 특징으로 하는 경화 고분자 박리액 조성물.