JP2004047980A5 - 微細構造体の洗浄方法 - Google Patents

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Description

【０００１】
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面が微細な構造である構造体（微細構造体）から残渣を除去するための洗浄方法に関し、特に、半導体製造プロセス中で生成する残存レジスト等の残渣を、微細な凹凸部を有する半導体ウエハ表面から除去するために有用な洗浄方法に関するものである。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明では、Ｌｏｗ−ｋ膜に対して重大なダメージを与えない新規で効果的な洗浄方法を提供することを目的としている。すなわち、本発明は、Ｌｏｗ−ｋ膜に対して重大なダメージを与えずに、微細構造体の表面から残渣を効率よく除去するための洗浄方法を提供することを課題とした。
なお、表中の略語は、以下の意味である。
ＴＭＡＦ：テトラメチルアンモニウムフルオライド
ＥＧ：エチレングリコール
ＰＧ：プロピレングリコール
ＥｔＯＨ：エタノール
ＤＭＡＣ：ジメチルアセトアミド
ＤＩＷ：脱イオン水
なお、表中の略語は、以下の意味である。
ＴＭＡＦ：テトラメチルアンモニウムフルオライド
ＥＧ：エチレングリコール
ＰＧ：プロピレングリコール
ＥｔＯＨ：エタノール
ＤＭＡＣ：ジメチルアセトアミド（ε＝３９）
ＤＩＷ：脱イオン水
ＤＭＦ：ジメチルホルムアミド（ε＝３６．２）
ＭｅＯＨ：メタノール（ε＝４２）
Ａｃｅｔｏｎｅ：アセトン（ε＝２１）
Ｈ2Ｏ：水（ε＝７８）
ＦＡ：ホルムアミド（ε＝１１１）
ＭＦ：メチルホルムアミド（ε＝１８２）

Claims (16)

  1. 微細構造体から残渣を除去するための洗浄方法であって、
    二酸化炭素と、残渣除去用洗浄成分と、液状残渣の発生を抑制するための抑制剤と、洗浄成分と抑制剤とを加圧下で流体状の二酸化炭素に溶解させるための相溶化剤とを含む洗浄剤組成物を調製する工程と、
    洗浄剤組成物と微細構造体とを接触させることにより微細構造体から残渣を除去する工程とを含むことを特徴とする微細構造体の洗浄方法。
  2. 上記洗浄成分として、テトラアルキルアンモニウムフルオライドを用いるものである請求項１に記載の微細構造体の洗浄方法。
  3. 上記洗浄成分として、テトラメチルアンモニウムフルオライドを用いるものである請求項１または２に記載の微細構造体の洗浄方法。
  4. 上記洗浄成分が洗浄剤組成物中０．００１〜０．１質量％含まれているものである請求項１〜３のいずれかに記載の微細構造体の洗浄方法。
  5. 上記抑制剤が、多価アルコールである請求項１〜４のいずれかに記載の微細構造体の洗浄方法。
  6. 上記多価アルコールが、２価アルコールである請求項５に記載の微細構造体の洗浄方法。
  7. 上記２価アルコールが、プロピレングリコールである請求項６に記載の微細構造体の洗浄方法。
  8. 微細構造体から残渣を除去するための洗浄方法であって、
    二酸化炭素と、残渣除去用洗浄成分と、この洗浄成分を加圧下で流体状の二酸化炭素に溶解させるための相溶化剤とを含む洗浄剤組成物を調製する工程と、
    洗浄剤組成物と微細構造体とを接触させることにより微細構造体から残渣を除去する工程と、
    その後、２５℃で１気圧での比誘電率が７８以上のリンス成分を含むリンス液で微細構造体をリンスするリンス工程を行うことを特徴とする微細構造体の洗浄方法。
  9. リンス成分として、水、ホルムアミド、メチルホルムアミド、メチルアセトアミドよりなる群から選択される１種以上の化合物を用いるものである請求項８に記載の微細構造体の洗浄方法。
  10. 上記洗浄剤組成物に、液状残渣の発生を抑制するための抑制剤が含まれている請求項８または９に記載の微細構造体の洗浄方法。
  11. 上記洗浄成分として、テトラアルキルアンモニウムフルオライドを用いるものである請求項８〜１０のいずれかに記載の微細構造体の洗浄方法。
  12. 上記洗浄成分として、テトラメチルアンモニウムフルオライドを用いるものである請求項８〜１１のいずれかに記載の微細構造体の洗浄方法。
  13. 上記洗浄成分が洗浄剤組成物中０．００１〜０．１質量％含まれているものである請求項８〜１２のいずれかに記載の微細構造体の洗浄方法。
  14. 上記抑制剤が、多価アルコールである請求項１０に記載の微細構造体の洗浄方法。
  15. 上記多価アルコールが、２価アルコールである請求項１４に記載の微細構造体の洗浄方法。
  16. 上記２価アルコールが、プロピレングリコールである請求項１５に記載の微細構造体の洗浄方法。
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