JP2004507087A - 超臨界二酸化炭素法を用いる半導体からのフォトレジストおよびフォトレジスト残留物の除去 - Google Patents
超臨界二酸化炭素法を用いる半導体からのフォトレジストおよびフォトレジスト残留物の除去 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004507087A JP2004507087A JP2002520287A JP2002520287A JP2004507087A JP 2004507087 A JP2004507087 A JP 2004507087A JP 2002520287 A JP2002520287 A JP 2002520287A JP 2002520287 A JP2002520287 A JP 2002520287A JP 2004507087 A JP2004507087 A JP 2004507087A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- solvent
- carbon dioxide
- supercritical
- photoresist
- supercritical carbon
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 107
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 title claims abstract description 94
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 title claims abstract description 64
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 title claims abstract description 47
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 47
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 35
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims abstract description 71
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 40
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 18
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 claims abstract description 8
- 239000002904 solvent Substances 0.000 claims description 42
- SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N N-Methylpyrrolidone Chemical compound CN1CCCC1=O SECXISVLQFMRJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 13
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 11
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims description 10
- GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 2-(2-aminoethoxy)ethanol Chemical compound NCCOCCO GIAFURWZWWWBQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims description 7
- 238000012545 processing Methods 0.000 claims description 7
- AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N Hydroxylamine Chemical compound ON AVXURJPOCDRRFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N diisopropylamine Chemical compound CC(C)NC(C)C UAOMVDZJSHZZME-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- RKBCYCFRFCNLTO-UHFFFAOYSA-N triisopropylamine Chemical compound CC(C)N(C(C)C)C(C)C RKBCYCFRFCNLTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000004380 ashing Methods 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims description 5
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000002170 ethers Chemical class 0.000 claims description 4
- 150000002334 glycols Chemical class 0.000 claims description 4
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims description 3
- 238000002156 mixing Methods 0.000 claims description 2
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 claims 1
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 45
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 12
- YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N catechol Chemical compound OC1=CC=CC=C1O YCIMNLLNPGFGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 6
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 5
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N Diethyl ether Chemical compound CCOCC RTZKZFJDLAIYFH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 3
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 3
- HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 2-Aminoethan-1-ol Chemical compound NCCO HZAXFHJVJLSVMW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- ZGHFDIIVVIFNPS-UHFFFAOYSA-N 3-Methyl-3-buten-2-one Chemical compound CC(=C)C(C)=O ZGHFDIIVVIFNPS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N Isoprene Chemical compound CC(=C)C=C RRHGJUQNOFWUDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N acetylacetone Chemical compound CC(=O)CC(C)=O YRKCREAYFQTBPV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N diacetone alcohol Chemical compound CC(=O)CC(C)(C)O SWXVUIWOUIDPGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N ethyl 2-hydroxypropanoate Chemical compound CCOC(=O)C(C)O LZCLXQDLBQLTDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 2
- 239000000383 hazardous chemical Substances 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 description 2
- 230000003381 solubilizing effect Effects 0.000 description 2
- 229910021642 ultra pure water Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000012498 ultrapure water Substances 0.000 description 2
- ZRUOTKQBVMWMDK-UHFFFAOYSA-N 2-hydroxy-6-methylbenzaldehyde Chemical compound CC1=CC=CC(O)=C1C=O ZRUOTKQBVMWMDK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- FMWHPEKDAPOYOE-UHFFFAOYSA-N 3-oxopentanamide Chemical compound CCC(=O)CC(N)=O FMWHPEKDAPOYOE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 5-(5-carboxythiophen-2-yl)thiophene-2-carboxylic acid Chemical compound S1C(C(=O)O)=CC=C1C1=CC=C(C(O)=O)S1 DDFHBQSCUXNBSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M Acetate Chemical compound CC([O-])=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 241000252506 Characiformes Species 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N Ozone Chemical compound [O-][O+]=O CBENFWSGALASAD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000003213 activating effect Effects 0.000 description 1
- 230000003416 augmentation Effects 0.000 description 1
- KVBCYCWRDBDGBG-UHFFFAOYSA-N azane;dihydrofluoride Chemical compound [NH4+].F.[F-] KVBCYCWRDBDGBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000003763 carbonization Methods 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 1
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 1
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000635 electron micrograph Methods 0.000 description 1
- 150000002148 esters Chemical class 0.000 description 1
- 229940116333 ethyl lactate Drugs 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- YUCFVHQCAFKDQG-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound F[CH] YUCFVHQCAFKDQG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000007654 immersion Methods 0.000 description 1
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- -1 methylisopropenyl Chemical group 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229920003986 novolac Polymers 0.000 description 1
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 1
- 239000012071 phase Substances 0.000 description 1
- 239000003504 photosensitizing agent Substances 0.000 description 1
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 1
- 229920001195 polyisoprene Polymers 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 1
- 230000003134 recirculating effect Effects 0.000 description 1
- 239000003507 refrigerant Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 150000003512 tertiary amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000013022 venting Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/02068—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers
- H01L21/02071—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of conductive layers, e.g. polysilicon or amorphous silicon layers the processing being a delineation, e.g. RIE, of conductive layers
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/302—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to change their surface-physical characteristics or shape, e.g. etching, polishing, cutting
- H01L21/304—Mechanical treatment, e.g. grinding, polishing, cutting
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0021—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by liquid gases or supercritical fluids
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
- G03F7/425—Stripping or agents therefor using liquids only containing mineral alkaline compounds; containing organic basic compounds, e.g. quaternary ammonium compounds; containing heterocyclic basic compounds containing nitrogen
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/02041—Cleaning
- H01L21/02057—Cleaning during device manufacture
- H01L21/0206—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers
- H01L21/02063—Cleaning during device manufacture during, before or after processing of insulating layers the processing being the formation of vias or contact holes
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
- H01L21/31—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26 to form insulating layers thereon, e.g. for masking or by using photolithographic techniques; After treatment of these layers; Selection of materials for these layers
- H01L21/3105—After-treatment
- H01L21/311—Etching the insulating layers by chemical or physical means
- H01L21/31127—Etching organic layers
- H01L21/31133—Etching organic layers by chemical means
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
半導体基板からをフォトレジストまたはフォトレジスト残留物を除去する方法が開示されている。半導体基板の表面上にフォトレジストまたはフォトレジスト残留物を有する半導体基板を圧力チャンバ内に入れる。その後、圧力チャンバを加圧する。超臨界二酸化炭素とストリッパ化学薬品を圧力チャンバに導入する。フォトレジストまたはフォトレジスト残留物が半導体基板から除去されるまで超臨界二酸化炭素とストリッパ化学薬品をフォトレジストまたはフォトレジスト残留物と接触した状態で維持する。その後、圧力チャンバを洗浄しガス抜きする。別の実施形態において、超臨界CO2は、有機化学薬品または無機化学薬品あるいは有機化学薬品と無機化学薬品の組み合わせを圧力チャンバに運び込む。有機化学薬品または無機化学薬品あるいは有機化学薬品と無機化学薬品の組み合わせは、ウェハ表面上のレジスト、レジスト残留物および有機汚染物と相互作用し、これらの材料および残留化学薬品をチャンバから運び出す。
Description
【0001】
発明の分野
本発明は、半導体ウェハからのフォトレジストおよびフォトレジスト残留物の除去の分野に関する。より詳しくは、本発明は、超臨界二酸化炭素を用いる半導体ウェハからのフォトレジストおよびフォトレジスト残留物の除去の分野に関する。
【0002】
発明の背景
半導体デバイスの製造は、半導体ウェハの表面へのフォトレジスト化学薬品の塗布および後続の半導体ウェハの表面からのフォトレジスト化学薬品の除去を必要とする。ストリッピングとして一般に知られているフォトレジスト化学薬品の除去は、プラズマアシング工程、エッチング工程または他の半導体製造工程の直後に行うことが可能である。これらの工程はフォトレジスト化学薬品を分解させるか、または炭化させることが可能であり、現行のストリッピング法によって除去するのが難しいフォトレジスト残留物を残す。現行のストリッピング法は、ストリッパとして知られている市販の化学薬品混合物の浴にウェハを浸漬させることを必要とする。浴は熱または超音波オーグメンテーションを用いることが可能である。ウェハ表面からのフォトレジストまたはフォトレジスト残留物の完全な除去を達成するために、浴は典型的には20分〜30分の浸漬時間を用いる。
【0003】
フォトレジストおよびフォトレジスト残留物を除去するより効果的な方法が必要とされている。
【0004】
フォトレジストおよびフォトレジスト残留物を除去するより効率的な方法が必要とされている。
【0005】
発明の概要
本発明は半導体基板からフォトレジストまたはフォトレジスト残留物を除去する方法である。半導体基板の表面上にフォトレジストまたはフォトレジスト残留物を有する半導体基板を圧力チャンバ内に入れる。その後、圧力チャンバを加圧する。超臨界二酸化炭素とストリッパ化学薬品を圧力チャンバ内に導入する。フォトレジストまたはフォトレジスト残留物が半導体基板から除去されるまで超臨界二酸化炭素とストリッパ化学薬品をフォトレジストまたはフォトレジスト残留物と接触した状態で維持する。その後、圧力チャンバを洗浄しガス抜きする。
【0006】
本発明の別の実施形態において、超臨界CO2は、有機化学薬品または無機化学薬品あるいは有機化学薬品と無機化学薬品の組み合わせを加熱され加圧されている圧力チャンバに運び込む。有機化学薬品または無機化学薬品あるいは有機化学薬品と無機化学薬品の組み合わせは、ウェハ表面上のレジスト、レジスト残留物および有機汚染物と相互作用し、これらの材料および残留化学薬品をチャンバから運び出す。
【0007】
好ましい実施形態の詳細な説明
本発明の好ましい実施形態は、フォトレジストまたはフォトレジスト残留物のストリッピングプロセスを助けるために超臨界二酸化炭素の高い溶解力および浄化特性を利用する。先行技術と比べてストリッピングプロセスに影響を及ぼすのに少量のストリッパ化学薬品しか必要としない。本発明の好ましい実施形態において、超臨界二酸化炭素は、浄化しようとするウェハ上にストリッパ化学薬品を運び込み、その後、再使用のために二酸化炭素圧縮機に戻して再循環される。ストリッパ化学薬品は、市販のストリッパ製品中で見られる化学薬品の典型的なものである。超臨界二酸化炭素によってもたらされる高度の溶解力および可溶化能力は、フォトレジストまたはフォトレジスト残留物の除去を強化する。超臨界二酸化炭素によってもたらされる高い可溶化能力は科学的に周知されており、多くの他の用途、例えば、金属部品の浄化において活用されてきた。
【0008】
超臨界二酸化炭素の溶解力は圧力と共に高まる。超臨界二酸化炭素は、近代的半導体デバイスのサブミクロン表面フィーチャー上に少量のストリッパ化学薬品を効果的に運び込む。超臨界二酸化炭素の拡散率および粘度が気相に似ているとともに、超臨界二酸化炭素の密度が液相にほぼ等しいからである。超臨界二酸化炭素は、ウェハの表面からフォトレジストまたはフォトレジスト残留物および残留ストリッパ化学薬品を運び出しもする。従って、ストリッピングプロセスを行うとともに残留化学薬品および残留物を運び出すためにも少量のストリッパ化学薬品を用いることが可能である。
【0009】
本発明の好ましい実施形態を図1に例示している。フォトレジストまたはフォトレジスト残留物を有するウェハは、第1のプロセス工程220で圧力チャンバ内に入れる。圧力チャンバは密封し、第2のプロセス工程222で二酸化炭素によって加圧する。圧力チャンバ内部の圧力が高まるにつれて、二酸化炭素は液体になり、その後、臨界温度および臨界圧力に達する。典型的なプロセス条件は20〜70℃および1,050〜6,000psig(7.24〜41.4MPa)の範囲である。
【0010】
所望のプロセス条件に達した時、少量のストリッパ化学薬品は超臨界二酸化炭素ストリームに導入し、こうして第3のプロセス工程224において圧力チャンバに添加する。ストリッパ化学薬品対超臨界二酸化炭素の体積比は、好ましくは0.1〜15.0v/v%である。ストリッパ化学薬品は、好ましくは、N−メチルピロリドン、モノエタノールアミン、ジ−イソプロピルアミン、トリ−イソプロピルアミン、ジグリコールアミン、ヒドロキシルアミン、カテコールおよびそれらの混合物から成る群から選択される。モノエタノールアミン、ヒドロキシルアミンおよびカテコールには僅かの有用性しかない。
【0011】
超臨界二酸化炭素を再循環しつつ、そして第4のプロセス工程226において圧力チャンバ内で超臨界二酸化炭素とストリッパ化学薬品を混合しつつ処理を続ける。第4のプロセス工程226は、フォトレジストまたはフォトレジスト残留物がウェハから除去されるまで、典型的には3〜15分にわたり続ける。その後、圧力チャンバは第5のプロセス工程228において純超臨界二酸化炭素または液体二酸化炭素で洗浄して、微量の残留化学薬品を除去する。最後に、圧力チャンバは大気にガス抜きし、第6のプロセス工程230においてウェハを取り出す。任意の最終プロセス工程はウェハを脱イオン水または超純水でリンスする。
【0012】
少量のストリッパ化学薬品と組み合わせて超臨界二酸化炭素を使用すると半導体デバイスの表面からのフォトレジストまたはフォトレジスト残留物の除去が強化される。ウェハからフォトレジストまたはフォトレジスト残留物を効果的に除去するのに必要なストリッパ化学薬品の量は、先行技術の湿式化学的ストリッピング法と比べて、超臨界二酸化炭素を使用することにより大幅に減少する。超臨界二酸化炭素およびストリッパ化学薬品を使用する結果として発生する有害化学廃棄物の量は、先行技術の湿式化学的ストリッピング法より大幅に少ない。超臨界二酸化炭素およびストリッパ化学薬品は、大量の化学薬品および高価な湿式浴に加えて先行技術の湿式化学的ストリッピング法の必要性をなくす。超臨界二酸化炭素およびストリッパ化学薬品はウェハから微量の有機汚染物も除去する。
【0013】
本発明の第1の別の実施形態において、少量の有機溶媒が超臨界二酸化炭素およびストリッパ化学薬品に添加される。有機溶媒は、好ましくは、アルコール、エーテルおよびグリコールから成る群から選択される。有機溶媒はウェハからの微量の有機汚染物の除去を強化する。
【0014】
図2は様々な層を支持する前処理済み半導体ウェハ10の破断断面図である。図2を参照すると、半導体ウェハ10は、典型的には、1層以上の交互不動態化層または他の層16によって保護されうる1層以上の金属層14を支持するシリコン基板またはセラミック基板12を含む。層14および16は、典型的にはレジスト層20で覆われるとともに写真平版プロセスに供されてフィーチャー22(一定の率で拡大して図示していない)を創出する高さが異なる表面18を形成する。通路、線幅またはピッチなどの従来のフィーチャー22は、深さ24対幅26のアスペクト比が5:1より大きいか、または10:1以上であって、0.25μm程度に小さく、そしてそれより小さくてよい。
【0015】
本発明によると、レジスト層20は、先立つリトグラフ回路二次加工プロセスまたは他の回路二次加工プロセスからのレムナントであってよく、後でエッチング、プラズマアシングまたは半導体製造工程を経ていてもよい。従って、レジストは、これらの技術のいずれかの後に残された側壁ポリマー残留物または炭素質残留物を含んでよい。あるいは、レジスト層20は、マーキング、エッチングまたはグラインディング中などのウェハ10の裏側での処理操作中に、またはイオンインプランテーション中のブランケット保護として保護層14および16に新たに塗布してよい。従って、当業者は、ウェハ10が後続のプロセスからのレジスト材料、レジスト残留物または汚染物で部分的にまたは完全に覆われうることを認めるであろう。レジスト材料は、典型的には、写真平版プロセスのために用いられるポジフォトレジストまたはネガフォトレジストである。フォトレジスト材料には、プル(plu)イソプレンなどのNovolak(M−Cresolホルムアルデヒド)、すなわち耐エッチング性ポリコーティング、ポリイソプレン、ポリ−(メチルイソプロペニルケトン)(PMIPK)またはポリメチルメタクリレート(PMMA)などのポリ−(メチルイソプロペニル)、すなわち耐エッチング性ポリコーティングが挙げられるが、それらに限定されない。レジスト材料はフォトレジストである必要はなく、光増感剤でまたは光増感剤なしでレジスト材料またはレジスト材料のどの形態も傷つけうる。
【0016】
図3は本発明の単純化レジスト除去システム30の概略図であり、図4は本発明による単純化レジスト除去プロセス32の流れ図である。図3および4を参照すると、除去プロセス32は、好ましくは、冷却トラップ36を通して流れる冷媒の温度を下げるために熱交換器34を起動させることにより開始される。その後、システム予熱工程38は、ウェハ10の導入の前に、ウェハチャンバ42を含む圧力容器40および溶媒チャンバ44および46を45〜65℃の好ましい運転温度に上げる。当業者は、別法として処理量を助長するために圧力容器40を好ましい処理温度に維持してよいか、あるいはウェハ10、半導体デバイスまたはウェハ10上に二次加工されたフィーチャー22への応力を減少させるために、ウェハ10が圧力容器40に入った後に温度を室温から徐々に上げてよいことを認めるであろう。加熱工程38を行うために抵抗加熱器は好ましくは容器40およびチャンバ44と46の壁に組み込まれるけれども、当業者は、便利に利用できる他の加熱技術を用いうることを認めるであろう。当業者は、システム30の部品の温度を容器40およびチャンバ44と46の温度またはその温度付近に維持するために、ポンプ92と容器40との間のライン43およびそれぞれのチャンバ44および46とライン43との間のライン45および47などの連結ラインの全部または一部の回りに抵抗加熱テープを巻いてよいことも認めるであろう。
【0017】
ウェハ配置工程48は、圧力容器40内のウェハチャンバ42に一個以上のウェハ10を入れるために手動または自動の従来のウェハハンドリング技術を用いる。ウェハ(複数を含む)は水平または垂直に向けて置き、クリップ、静電チャックまたは真空チャック、あるいは当業者に周知されている他の方法によって支持される。圧力容器40は、一個以上のウェハエアロックを含んでよく、静止部分と油圧上昇下降部分を有するガスケット締めツーピース容器で構成してよく、あるいは他のメカニズムによって密封してよい。
【0018】
流体CO2、好ましくは気体CO2で溶媒チャンバ44と46および圧力容器40をパージするパージ工程50は、好ましくは、閉位置にあるすべてのバルブ60、61、62、64、66、67、68、70、72、74、76、78、80、82、84、86、87および88で始まる。CO2槽バルブ60を開けることにより、流体CO2、好ましくは液体CO2はCO2槽90から圧力調節バルブ61に流れることが可能となり、バルブ61は、圧力が好ましくは大気圧(psig)より上の750ポンド/平方インチゲージ圧(5.17MPa)より高いことを確実にする。ガス抜きバルブ62およびポンプバルブ64は好ましくは逐次開けることにより、CO2がポンプ92に入り、ガス抜き94を通して出ることが可能になる。バルブ66は、圧縮空気源96からの圧縮空気が圧力調節バルブ67に達することを可能にし、バルブ67は、50〜90psig(0.34〜0.62MPa)の間、好ましくは60〜80psig(0.41〜0.55MPa)の圧力を確保するように設定される。溶媒チャンバ44をパージするためにバルブ68、70、72および74を好ましくは逐次開ける前に、溶媒チャンバ46をパージするためにバルブ76、78、80および82を逐次開ける前に、そしてガス抜き98、冷却トラップ36または排気100を通して圧力容器40をパージするためにバルブ84、86、88および87を逐次開ける前に、好ましくは少なくとも5秒にわたってポンプ92を循環させることにより、CO2をガス抜き94から流出させる。
【0019】
圧力容器パージ工程110を実行するために、バルブ88、84、78、82、74および70は、選択的に逐次閉じる。その後、システム圧力は、好ましくは、圧力調節バルブ61でポンプ送出速度を制御することにより、そして背圧調節器112を調節することにより、1,000〜2,000psig(6.90〜13.8MPa)の間、好ましくは1,000〜1,500psig(6.90〜10.3MPa)の間に調節する。背圧調節器112は、圧力容器40と排気100との間に配置され、ライン113を大気圧に減圧することを可能にする。CO2システム流れも、好ましくは0.5〜20リットル/分(LPM)の間、より好ましくは3〜6LPMの間に設定される。
【0020】
バルブ70、74、78および80を閉じた後、溶媒チャンバ充填工程114を実行するために、それぞれのバルブ72および80を通して溶媒を溶媒チャンバ44および46に導入することができる。その後、バルブ72および80は閉じた後バルブ74および82を開けて、溶媒ループ116および118が瞬間システム圧力を達成することを可能にする。当業者は、適切なバルブ制御シーケンスを用いて工程50後且つ工程112前に工程114をいつでも実行できることを認めるであろう。
【0021】
システム加圧工程120は、背圧調節バルブ112を調節することにより、2,000〜6,000psig(13.8〜41.4MPa)の間、より好ましくは2,500〜4,500psig(17.2〜31.0MPa)の間、最も好ましくは3,000〜3,500psig(20.7〜24.1MPa)の間にシステム内のCO2の圧力を高めることを含む。本発明のレジスト除去プロセスのために一般に好ましい他の条件は、10〜80℃および750〜6000psig(5.2〜41.4MPa)、好ましくは、40〜70℃および1050〜4500psig(7.24〜31.0MPa)の範囲である。所望の条件に達した時、溶媒導入工程122でバルブ70は開け、バルブ68は閉じて、溶媒ループ116および溶媒チャンバ44を通してCO2ストリームを強いて流れさせて、超臨界CO2ストリームおよび圧力容器40に一種以上の少量の化学薬品を導入する。CO2流量は、圧力容器40内の化学薬品滞留時間を増加させるために、例えば、0.5LPMに減少させてよい。
【0022】
第2の別の実施形態において、化学薬品の好ましい種類には、N−メチルピロリドン(NMP)、ジグリコールアミン、ヒドロキシルアミン、第三アミン、カテコール、弗化アンモニウム、二弗化アンモニウム、メチルアセトアセトアミド、オゾン、プロピレングリコール、酢酸モノエチルエーテル、アセチルアセトン、二塩基性エステル、乳酸エチル、CHF3、BF3、他のフッ素含有化学薬品、または上述した化学薬品の一切の混合物が挙げられる。任意に、これらの化学薬品または化学薬品の混合物の一種以上を同じかまたは異なる溶媒チャンバ44および46から上述したようにシステム30に導入してよい。有機溶媒などの他の化学薬品は独立して用いるか、あるいは上述した化学薬品の一種以上に添加して、ウェハ表面から有機汚染物を除去してよい。有機溶媒には、例えば、アルコール、エーテルおよび/またはグリコール、アセトン、ジアセトンアルコール、ジメチルスルホキシド(DMSO)、エチレングリコール、メタノール、エタノール、プロパノールまたはイソプロパノール(IPA)を挙げてよい。従来、大量の化学薬品または化学薬品の混合物は15%Vc/Vv未満の量であるけれども(Vcは、化学薬品の液体積であり、Vvは圧力容器40の体積である)、好ましくは、数ミリリットル未満の化学薬品がレジスト除去工程130ごとに用いられる。しかし、より多い量を用いることが可能である。
【0023】
レジスト除去工程130は、超臨界CO2が溶媒を圧力容器49に運び込み、ウェハ上のレジスト、残留物または他の汚染物と接触させることを可能にする。超臨界CO2は、レジスト層20が除去されるまで再循環ループ133を通して圧力容器49に再循環することが可能である。冷却トラップ36は、ライン113内の減圧されたCO2ガスから化学薬品を除去し、ループ133に沿った熱交換器34は、CO2がポンプ92に達する前にCO2を液体に冷却する。レジスト除去工程130は、好ましくは10秒〜15分、より好ましくは30秒〜10分、最も好ましくは30秒〜3分で実行される。溶媒チャンバ閉止工程132のためにバルブ70および74は閉じ、バルブ68は開けて、溶媒チャンバ44をバイパスさせる。
【0024】
第3の別の実施形態において、溶媒導入工程122、レジスト除去工程130および溶媒チャンバ閉止工程132の第2の組は溶媒チャンバ46に関連して行われる。バルブ78は開け、バルブ76は閉じて、ループ118およびチャンバ46を通してCO2ストリームを強いて流れさせて、CO2ストリームおよび圧力容器40に第2の化学薬品または化学薬品の群を導入する。第2のレジスト除去工程130は、第1の除去工程130で用いられたのと同じかまたは異なる化学薬品(複数を含む)を用いてよく、同じかまたは異なる時間にわたって行ってよい。その後、バルブ82および78は閉じ、バルブ76は開けて、溶媒チャンバ46をバイパスさせる。第4の別の実施形態において、バルブ136は閉じ、バルブ87は開け、工程122、130および132の各組は、溶媒再循環なしに10秒〜1分で行われる。厚さ2.5μmのレジスト層20は、それぞれが30秒未満の二つの除去工程130を用いて直径6’’(152mm)、8’’(203mm)または300mmのウェハ10の表面から除去することが可能である。従って、各ウェハ10またはウェハ10の群を1分未満で処理することが可能である。
【0025】
その後、圧力容器40は、微量のすべての残留化学薬品を除去するために5〜30秒にわたって超臨界CO2および/または液体CO2で洗浄される。最後に、圧力容器40は、システム雰囲気をガス抜きするためにバルブ66および60を閉じ、バルブ62、74、82、84および87を開けることにより工程134で減圧される。
【0026】
当業者は、図3のフローラインで示された流れの方向を確実にするために、システム30が好ましくは一方向逆止弁142、144、146、148、150および151を備えることを認めるであろう。当業者は、ポンプ92および背圧調節バルブを手動で、または必要に応じてコンピュータで調節できるように監視できる圧力ゲージ152、154、156、158、160、162および164をシステム30が好ましくは備えることも認めるであろう。
【0027】
図5はレジスト層20のない工程134後のウェハ140を示す破断断面図である。便宜上、図2のフィーチャーに対応する図5の幾つかのフィーチャーを同じ参照番号で表した。図5を参照すると、ウェハ(複数を含む)140は、その後、好ましくは取り出し、脱イオン(DI)水または超純水でリンスして、浄化プロセスを終了する。
【0028】
図6はウェハ10からフォトレジストを除去するために行われた試験の数例を示す表を提示している。これらの試験に供されたウェハ10の電子顕微鏡写真は、フォトレジストもフォトレジスト残留物も実質的になかったストリッピングされた生成ウェハ140の表面を示した。
【0029】
当業者は、本発明の方法がレジスト除去の前の炭化プロセスまたはアシングプロセスの必要性をなくし、よってレジスト除去のために従来必要とされたコスト、装置およびプロセス時間を実質的に低減することを認めるであろう。
【0030】
当業者は、有害化学薬品を用いる「ピラニア」浴などの従来のポストストリッピング浄化工程の必要性をなくす程に本発明の方法が従来のレジスト除去プロセスより優れていることも認めるであろう。更に、本発明の方法によって用いられる比較的少ない量の化学薬品は、従来の技術および化学薬品浴と比べて劇的なコスト節減をもたらす。最後に、本発明の方法はウェハ処理量の増加を助長する。
【0031】
添付した請求の範囲によって定義された本発明の精神および範囲を逸脱せずに種々の他の修正を好ましい実施形態に対して行いうることは当業者に対して容易に明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の方法の工程を例示する流れ図である。
【図2】幾つかの材料層を支持する前処理済み半導体ウェハの破断断面図である。
【図3】本発明による単純化レジスト除去システムのチャンバ、配管およびバルブを示す概略図である。
【図4】本発明によるレジスト除去システムのプロセス工程の単純化シーケンスを示す流れ図である。
【図5】本発明によるレジスト除去工程後の図2のウェハの破断断面図である。
【図6】ウェハからフォトレジストを除去するために行われた試験の数例を示す表を提示している。
発明の分野
本発明は、半導体ウェハからのフォトレジストおよびフォトレジスト残留物の除去の分野に関する。より詳しくは、本発明は、超臨界二酸化炭素を用いる半導体ウェハからのフォトレジストおよびフォトレジスト残留物の除去の分野に関する。
【0002】
発明の背景
半導体デバイスの製造は、半導体ウェハの表面へのフォトレジスト化学薬品の塗布および後続の半導体ウェハの表面からのフォトレジスト化学薬品の除去を必要とする。ストリッピングとして一般に知られているフォトレジスト化学薬品の除去は、プラズマアシング工程、エッチング工程または他の半導体製造工程の直後に行うことが可能である。これらの工程はフォトレジスト化学薬品を分解させるか、または炭化させることが可能であり、現行のストリッピング法によって除去するのが難しいフォトレジスト残留物を残す。現行のストリッピング法は、ストリッパとして知られている市販の化学薬品混合物の浴にウェハを浸漬させることを必要とする。浴は熱または超音波オーグメンテーションを用いることが可能である。ウェハ表面からのフォトレジストまたはフォトレジスト残留物の完全な除去を達成するために、浴は典型的には20分〜30分の浸漬時間を用いる。
【0003】
フォトレジストおよびフォトレジスト残留物を除去するより効果的な方法が必要とされている。
【0004】
フォトレジストおよびフォトレジスト残留物を除去するより効率的な方法が必要とされている。
【0005】
発明の概要
本発明は半導体基板からフォトレジストまたはフォトレジスト残留物を除去する方法である。半導体基板の表面上にフォトレジストまたはフォトレジスト残留物を有する半導体基板を圧力チャンバ内に入れる。その後、圧力チャンバを加圧する。超臨界二酸化炭素とストリッパ化学薬品を圧力チャンバ内に導入する。フォトレジストまたはフォトレジスト残留物が半導体基板から除去されるまで超臨界二酸化炭素とストリッパ化学薬品をフォトレジストまたはフォトレジスト残留物と接触した状態で維持する。その後、圧力チャンバを洗浄しガス抜きする。
【0006】
本発明の別の実施形態において、超臨界CO2は、有機化学薬品または無機化学薬品あるいは有機化学薬品と無機化学薬品の組み合わせを加熱され加圧されている圧力チャンバに運び込む。有機化学薬品または無機化学薬品あるいは有機化学薬品と無機化学薬品の組み合わせは、ウェハ表面上のレジスト、レジスト残留物および有機汚染物と相互作用し、これらの材料および残留化学薬品をチャンバから運び出す。
【0007】
好ましい実施形態の詳細な説明
本発明の好ましい実施形態は、フォトレジストまたはフォトレジスト残留物のストリッピングプロセスを助けるために超臨界二酸化炭素の高い溶解力および浄化特性を利用する。先行技術と比べてストリッピングプロセスに影響を及ぼすのに少量のストリッパ化学薬品しか必要としない。本発明の好ましい実施形態において、超臨界二酸化炭素は、浄化しようとするウェハ上にストリッパ化学薬品を運び込み、その後、再使用のために二酸化炭素圧縮機に戻して再循環される。ストリッパ化学薬品は、市販のストリッパ製品中で見られる化学薬品の典型的なものである。超臨界二酸化炭素によってもたらされる高度の溶解力および可溶化能力は、フォトレジストまたはフォトレジスト残留物の除去を強化する。超臨界二酸化炭素によってもたらされる高い可溶化能力は科学的に周知されており、多くの他の用途、例えば、金属部品の浄化において活用されてきた。
【0008】
超臨界二酸化炭素の溶解力は圧力と共に高まる。超臨界二酸化炭素は、近代的半導体デバイスのサブミクロン表面フィーチャー上に少量のストリッパ化学薬品を効果的に運び込む。超臨界二酸化炭素の拡散率および粘度が気相に似ているとともに、超臨界二酸化炭素の密度が液相にほぼ等しいからである。超臨界二酸化炭素は、ウェハの表面からフォトレジストまたはフォトレジスト残留物および残留ストリッパ化学薬品を運び出しもする。従って、ストリッピングプロセスを行うとともに残留化学薬品および残留物を運び出すためにも少量のストリッパ化学薬品を用いることが可能である。
【0009】
本発明の好ましい実施形態を図1に例示している。フォトレジストまたはフォトレジスト残留物を有するウェハは、第1のプロセス工程220で圧力チャンバ内に入れる。圧力チャンバは密封し、第2のプロセス工程222で二酸化炭素によって加圧する。圧力チャンバ内部の圧力が高まるにつれて、二酸化炭素は液体になり、その後、臨界温度および臨界圧力に達する。典型的なプロセス条件は20〜70℃および1,050〜6,000psig(7.24〜41.4MPa)の範囲である。
【0010】
所望のプロセス条件に達した時、少量のストリッパ化学薬品は超臨界二酸化炭素ストリームに導入し、こうして第3のプロセス工程224において圧力チャンバに添加する。ストリッパ化学薬品対超臨界二酸化炭素の体積比は、好ましくは0.1〜15.0v/v%である。ストリッパ化学薬品は、好ましくは、N−メチルピロリドン、モノエタノールアミン、ジ−イソプロピルアミン、トリ−イソプロピルアミン、ジグリコールアミン、ヒドロキシルアミン、カテコールおよびそれらの混合物から成る群から選択される。モノエタノールアミン、ヒドロキシルアミンおよびカテコールには僅かの有用性しかない。
【0011】
超臨界二酸化炭素を再循環しつつ、そして第4のプロセス工程226において圧力チャンバ内で超臨界二酸化炭素とストリッパ化学薬品を混合しつつ処理を続ける。第4のプロセス工程226は、フォトレジストまたはフォトレジスト残留物がウェハから除去されるまで、典型的には3〜15分にわたり続ける。その後、圧力チャンバは第5のプロセス工程228において純超臨界二酸化炭素または液体二酸化炭素で洗浄して、微量の残留化学薬品を除去する。最後に、圧力チャンバは大気にガス抜きし、第6のプロセス工程230においてウェハを取り出す。任意の最終プロセス工程はウェハを脱イオン水または超純水でリンスする。
【0012】
少量のストリッパ化学薬品と組み合わせて超臨界二酸化炭素を使用すると半導体デバイスの表面からのフォトレジストまたはフォトレジスト残留物の除去が強化される。ウェハからフォトレジストまたはフォトレジスト残留物を効果的に除去するのに必要なストリッパ化学薬品の量は、先行技術の湿式化学的ストリッピング法と比べて、超臨界二酸化炭素を使用することにより大幅に減少する。超臨界二酸化炭素およびストリッパ化学薬品を使用する結果として発生する有害化学廃棄物の量は、先行技術の湿式化学的ストリッピング法より大幅に少ない。超臨界二酸化炭素およびストリッパ化学薬品は、大量の化学薬品および高価な湿式浴に加えて先行技術の湿式化学的ストリッピング法の必要性をなくす。超臨界二酸化炭素およびストリッパ化学薬品はウェハから微量の有機汚染物も除去する。
【0013】
本発明の第1の別の実施形態において、少量の有機溶媒が超臨界二酸化炭素およびストリッパ化学薬品に添加される。有機溶媒は、好ましくは、アルコール、エーテルおよびグリコールから成る群から選択される。有機溶媒はウェハからの微量の有機汚染物の除去を強化する。
【0014】
図2は様々な層を支持する前処理済み半導体ウェハ10の破断断面図である。図2を参照すると、半導体ウェハ10は、典型的には、1層以上の交互不動態化層または他の層16によって保護されうる1層以上の金属層14を支持するシリコン基板またはセラミック基板12を含む。層14および16は、典型的にはレジスト層20で覆われるとともに写真平版プロセスに供されてフィーチャー22(一定の率で拡大して図示していない)を創出する高さが異なる表面18を形成する。通路、線幅またはピッチなどの従来のフィーチャー22は、深さ24対幅26のアスペクト比が5:1より大きいか、または10:1以上であって、0.25μm程度に小さく、そしてそれより小さくてよい。
【0015】
本発明によると、レジスト層20は、先立つリトグラフ回路二次加工プロセスまたは他の回路二次加工プロセスからのレムナントであってよく、後でエッチング、プラズマアシングまたは半導体製造工程を経ていてもよい。従って、レジストは、これらの技術のいずれかの後に残された側壁ポリマー残留物または炭素質残留物を含んでよい。あるいは、レジスト層20は、マーキング、エッチングまたはグラインディング中などのウェハ10の裏側での処理操作中に、またはイオンインプランテーション中のブランケット保護として保護層14および16に新たに塗布してよい。従って、当業者は、ウェハ10が後続のプロセスからのレジスト材料、レジスト残留物または汚染物で部分的にまたは完全に覆われうることを認めるであろう。レジスト材料は、典型的には、写真平版プロセスのために用いられるポジフォトレジストまたはネガフォトレジストである。フォトレジスト材料には、プル(plu)イソプレンなどのNovolak(M−Cresolホルムアルデヒド)、すなわち耐エッチング性ポリコーティング、ポリイソプレン、ポリ−(メチルイソプロペニルケトン)(PMIPK)またはポリメチルメタクリレート(PMMA)などのポリ−(メチルイソプロペニル)、すなわち耐エッチング性ポリコーティングが挙げられるが、それらに限定されない。レジスト材料はフォトレジストである必要はなく、光増感剤でまたは光増感剤なしでレジスト材料またはレジスト材料のどの形態も傷つけうる。
【0016】
図3は本発明の単純化レジスト除去システム30の概略図であり、図4は本発明による単純化レジスト除去プロセス32の流れ図である。図3および4を参照すると、除去プロセス32は、好ましくは、冷却トラップ36を通して流れる冷媒の温度を下げるために熱交換器34を起動させることにより開始される。その後、システム予熱工程38は、ウェハ10の導入の前に、ウェハチャンバ42を含む圧力容器40および溶媒チャンバ44および46を45〜65℃の好ましい運転温度に上げる。当業者は、別法として処理量を助長するために圧力容器40を好ましい処理温度に維持してよいか、あるいはウェハ10、半導体デバイスまたはウェハ10上に二次加工されたフィーチャー22への応力を減少させるために、ウェハ10が圧力容器40に入った後に温度を室温から徐々に上げてよいことを認めるであろう。加熱工程38を行うために抵抗加熱器は好ましくは容器40およびチャンバ44と46の壁に組み込まれるけれども、当業者は、便利に利用できる他の加熱技術を用いうることを認めるであろう。当業者は、システム30の部品の温度を容器40およびチャンバ44と46の温度またはその温度付近に維持するために、ポンプ92と容器40との間のライン43およびそれぞれのチャンバ44および46とライン43との間のライン45および47などの連結ラインの全部または一部の回りに抵抗加熱テープを巻いてよいことも認めるであろう。
【0017】
ウェハ配置工程48は、圧力容器40内のウェハチャンバ42に一個以上のウェハ10を入れるために手動または自動の従来のウェハハンドリング技術を用いる。ウェハ(複数を含む)は水平または垂直に向けて置き、クリップ、静電チャックまたは真空チャック、あるいは当業者に周知されている他の方法によって支持される。圧力容器40は、一個以上のウェハエアロックを含んでよく、静止部分と油圧上昇下降部分を有するガスケット締めツーピース容器で構成してよく、あるいは他のメカニズムによって密封してよい。
【0018】
流体CO2、好ましくは気体CO2で溶媒チャンバ44と46および圧力容器40をパージするパージ工程50は、好ましくは、閉位置にあるすべてのバルブ60、61、62、64、66、67、68、70、72、74、76、78、80、82、84、86、87および88で始まる。CO2槽バルブ60を開けることにより、流体CO2、好ましくは液体CO2はCO2槽90から圧力調節バルブ61に流れることが可能となり、バルブ61は、圧力が好ましくは大気圧(psig)より上の750ポンド/平方インチゲージ圧(5.17MPa)より高いことを確実にする。ガス抜きバルブ62およびポンプバルブ64は好ましくは逐次開けることにより、CO2がポンプ92に入り、ガス抜き94を通して出ることが可能になる。バルブ66は、圧縮空気源96からの圧縮空気が圧力調節バルブ67に達することを可能にし、バルブ67は、50〜90psig(0.34〜0.62MPa)の間、好ましくは60〜80psig(0.41〜0.55MPa)の圧力を確保するように設定される。溶媒チャンバ44をパージするためにバルブ68、70、72および74を好ましくは逐次開ける前に、溶媒チャンバ46をパージするためにバルブ76、78、80および82を逐次開ける前に、そしてガス抜き98、冷却トラップ36または排気100を通して圧力容器40をパージするためにバルブ84、86、88および87を逐次開ける前に、好ましくは少なくとも5秒にわたってポンプ92を循環させることにより、CO2をガス抜き94から流出させる。
【0019】
圧力容器パージ工程110を実行するために、バルブ88、84、78、82、74および70は、選択的に逐次閉じる。その後、システム圧力は、好ましくは、圧力調節バルブ61でポンプ送出速度を制御することにより、そして背圧調節器112を調節することにより、1,000〜2,000psig(6.90〜13.8MPa)の間、好ましくは1,000〜1,500psig(6.90〜10.3MPa)の間に調節する。背圧調節器112は、圧力容器40と排気100との間に配置され、ライン113を大気圧に減圧することを可能にする。CO2システム流れも、好ましくは0.5〜20リットル/分(LPM)の間、より好ましくは3〜6LPMの間に設定される。
【0020】
バルブ70、74、78および80を閉じた後、溶媒チャンバ充填工程114を実行するために、それぞれのバルブ72および80を通して溶媒を溶媒チャンバ44および46に導入することができる。その後、バルブ72および80は閉じた後バルブ74および82を開けて、溶媒ループ116および118が瞬間システム圧力を達成することを可能にする。当業者は、適切なバルブ制御シーケンスを用いて工程50後且つ工程112前に工程114をいつでも実行できることを認めるであろう。
【0021】
システム加圧工程120は、背圧調節バルブ112を調節することにより、2,000〜6,000psig(13.8〜41.4MPa)の間、より好ましくは2,500〜4,500psig(17.2〜31.0MPa)の間、最も好ましくは3,000〜3,500psig(20.7〜24.1MPa)の間にシステム内のCO2の圧力を高めることを含む。本発明のレジスト除去プロセスのために一般に好ましい他の条件は、10〜80℃および750〜6000psig(5.2〜41.4MPa)、好ましくは、40〜70℃および1050〜4500psig(7.24〜31.0MPa)の範囲である。所望の条件に達した時、溶媒導入工程122でバルブ70は開け、バルブ68は閉じて、溶媒ループ116および溶媒チャンバ44を通してCO2ストリームを強いて流れさせて、超臨界CO2ストリームおよび圧力容器40に一種以上の少量の化学薬品を導入する。CO2流量は、圧力容器40内の化学薬品滞留時間を増加させるために、例えば、0.5LPMに減少させてよい。
【0022】
第2の別の実施形態において、化学薬品の好ましい種類には、N−メチルピロリドン(NMP)、ジグリコールアミン、ヒドロキシルアミン、第三アミン、カテコール、弗化アンモニウム、二弗化アンモニウム、メチルアセトアセトアミド、オゾン、プロピレングリコール、酢酸モノエチルエーテル、アセチルアセトン、二塩基性エステル、乳酸エチル、CHF3、BF3、他のフッ素含有化学薬品、または上述した化学薬品の一切の混合物が挙げられる。任意に、これらの化学薬品または化学薬品の混合物の一種以上を同じかまたは異なる溶媒チャンバ44および46から上述したようにシステム30に導入してよい。有機溶媒などの他の化学薬品は独立して用いるか、あるいは上述した化学薬品の一種以上に添加して、ウェハ表面から有機汚染物を除去してよい。有機溶媒には、例えば、アルコール、エーテルおよび/またはグリコール、アセトン、ジアセトンアルコール、ジメチルスルホキシド(DMSO)、エチレングリコール、メタノール、エタノール、プロパノールまたはイソプロパノール(IPA)を挙げてよい。従来、大量の化学薬品または化学薬品の混合物は15%Vc/Vv未満の量であるけれども(Vcは、化学薬品の液体積であり、Vvは圧力容器40の体積である)、好ましくは、数ミリリットル未満の化学薬品がレジスト除去工程130ごとに用いられる。しかし、より多い量を用いることが可能である。
【0023】
レジスト除去工程130は、超臨界CO2が溶媒を圧力容器49に運び込み、ウェハ上のレジスト、残留物または他の汚染物と接触させることを可能にする。超臨界CO2は、レジスト層20が除去されるまで再循環ループ133を通して圧力容器49に再循環することが可能である。冷却トラップ36は、ライン113内の減圧されたCO2ガスから化学薬品を除去し、ループ133に沿った熱交換器34は、CO2がポンプ92に達する前にCO2を液体に冷却する。レジスト除去工程130は、好ましくは10秒〜15分、より好ましくは30秒〜10分、最も好ましくは30秒〜3分で実行される。溶媒チャンバ閉止工程132のためにバルブ70および74は閉じ、バルブ68は開けて、溶媒チャンバ44をバイパスさせる。
【0024】
第3の別の実施形態において、溶媒導入工程122、レジスト除去工程130および溶媒チャンバ閉止工程132の第2の組は溶媒チャンバ46に関連して行われる。バルブ78は開け、バルブ76は閉じて、ループ118およびチャンバ46を通してCO2ストリームを強いて流れさせて、CO2ストリームおよび圧力容器40に第2の化学薬品または化学薬品の群を導入する。第2のレジスト除去工程130は、第1の除去工程130で用いられたのと同じかまたは異なる化学薬品(複数を含む)を用いてよく、同じかまたは異なる時間にわたって行ってよい。その後、バルブ82および78は閉じ、バルブ76は開けて、溶媒チャンバ46をバイパスさせる。第4の別の実施形態において、バルブ136は閉じ、バルブ87は開け、工程122、130および132の各組は、溶媒再循環なしに10秒〜1分で行われる。厚さ2.5μmのレジスト層20は、それぞれが30秒未満の二つの除去工程130を用いて直径6’’(152mm)、8’’(203mm)または300mmのウェハ10の表面から除去することが可能である。従って、各ウェハ10またはウェハ10の群を1分未満で処理することが可能である。
【0025】
その後、圧力容器40は、微量のすべての残留化学薬品を除去するために5〜30秒にわたって超臨界CO2および/または液体CO2で洗浄される。最後に、圧力容器40は、システム雰囲気をガス抜きするためにバルブ66および60を閉じ、バルブ62、74、82、84および87を開けることにより工程134で減圧される。
【0026】
当業者は、図3のフローラインで示された流れの方向を確実にするために、システム30が好ましくは一方向逆止弁142、144、146、148、150および151を備えることを認めるであろう。当業者は、ポンプ92および背圧調節バルブを手動で、または必要に応じてコンピュータで調節できるように監視できる圧力ゲージ152、154、156、158、160、162および164をシステム30が好ましくは備えることも認めるであろう。
【0027】
図5はレジスト層20のない工程134後のウェハ140を示す破断断面図である。便宜上、図2のフィーチャーに対応する図5の幾つかのフィーチャーを同じ参照番号で表した。図5を参照すると、ウェハ(複数を含む)140は、その後、好ましくは取り出し、脱イオン(DI)水または超純水でリンスして、浄化プロセスを終了する。
【0028】
図6はウェハ10からフォトレジストを除去するために行われた試験の数例を示す表を提示している。これらの試験に供されたウェハ10の電子顕微鏡写真は、フォトレジストもフォトレジスト残留物も実質的になかったストリッピングされた生成ウェハ140の表面を示した。
【0029】
当業者は、本発明の方法がレジスト除去の前の炭化プロセスまたはアシングプロセスの必要性をなくし、よってレジスト除去のために従来必要とされたコスト、装置およびプロセス時間を実質的に低減することを認めるであろう。
【0030】
当業者は、有害化学薬品を用いる「ピラニア」浴などの従来のポストストリッピング浄化工程の必要性をなくす程に本発明の方法が従来のレジスト除去プロセスより優れていることも認めるであろう。更に、本発明の方法によって用いられる比較的少ない量の化学薬品は、従来の技術および化学薬品浴と比べて劇的なコスト節減をもたらす。最後に、本発明の方法はウェハ処理量の増加を助長する。
【0031】
添付した請求の範囲によって定義された本発明の精神および範囲を逸脱せずに種々の他の修正を好ましい実施形態に対して行いうることは当業者に対して容易に明らかであろう。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の方法の工程を例示する流れ図である。
【図2】幾つかの材料層を支持する前処理済み半導体ウェハの破断断面図である。
【図3】本発明による単純化レジスト除去システムのチャンバ、配管およびバルブを示す概略図である。
【図4】本発明によるレジスト除去システムのプロセス工程の単純化シーケンスを示す流れ図である。
【図5】本発明によるレジスト除去工程後の図2のウェハの破断断面図である。
【図6】ウェハからフォトレジストを除去するために行われた試験の数例を示す表を提示している。
Claims (43)
- 半導体基板の表面からフォトレジスト、フォトレジスト残留物およびそれらの組み合わせから成る群から選択された材料を除去する方法であって、
a.半導体基板の表面上に前記材料を有する半導体基板を圧力チャンバ内に入れる工程と、
b.前記圧力チャンバを加圧する工程と、
c.超臨界二酸化炭素とストリッパ化学薬品を前記圧力チャンバに導入する工程と、
d.前記材料が前記半導体基板から除去されるまで前記超臨界二酸化炭素と前記ストリッパ化学薬品を前記圧力チャンバ内で混合する工程と、
e.前記圧力チャンバを洗浄する工程とを含む方法。 - 前記ストリッパ化学薬品は、N−メチルピロリドン、ジ−イソプロピルアミン、トリ−イソプロピルアミン、ジグリコールアミンおよびそれらの混合物から成る群から選択される請求項1に記載の方法。
- 前記ストリッパ化学薬品対前記超臨界二酸化炭素の体積比は0.1〜15.0%を含む範囲内である請求項1に記載の方法。
- 前記圧力チャンバ内の前記超臨界二酸化炭素と前記ストリッパ化学薬品に有機溶媒を添加する工程を更に含む請求項1に記載の方法。
- 前記有機溶媒は、アルコール、エーテルおよびグリコールから成る群から選択される請求項4に記載の方法。
- 前記フォトレジスト残留物は、プラズマアシングプロセスで形成される請求項1に記載の方法。
- 前記フォトレジスト残留物は、プラズマエッチングプロセスで形成される請求項1に記載の方法。
- 半導体基板の表面からフォトレジスト、フォトレジスト残留物およびそれらの組み合わせから成る群から選択された材料を除去する方法であって、
a.半導体基板の表面上に前記材料を有する半導体基板に超臨界二酸化炭素とストリッパ化学薬品を導入する工程と、
b.前記材料が除去されるまで前記超臨界二酸化炭素と前記ストリッパ化学薬品を前記半導体基板と接触した状態で維持する工程と、
c.前記超臨界二酸化炭素と前記ストリッパ化学薬品を前記半導体基板との接触から解除する工程とを含む方法。 - 前記ストリッパ化学薬品は、N−メチルピロリドン、ジ−イソプロピルアミン、トリ−イソプロピルアミン、ジグリコールアミンおよびそれらの混合物から成る群から選択される請求項8に記載の方法。
- 前記ストリッパ化学薬品対前記超臨界二酸化炭素の体積比は0.1〜15.0%を含む範囲内である請求項8に記載の方法。
- 前記圧力チャンバ内の前記超臨界二酸化炭素と前記ストリッパ化学薬品に有機溶媒を添加する工程を更に含む請求項8に記載の方法。
- 前記有機溶媒は、アルコール、エーテルおよびグリコールから成る群から選択される請求項11に記載の方法。
- 前記フォトレジスト残留物は、プラズマアシングプロセスで形成される請求項8に記載の方法。
- 前記フォトレジスト残留物は、プラズマエッチングプロセスで形成される請求項8に記載の方法。
- レジスト、レジスト残留物およびそれらの組み合わせから成る群から選択された表面支持材料を有する半導体ウェハを処理する方法であって、
a.n−メチルピロリドン、ジ−イソプロピルアミン、トリ−イソプロピルアミン、ジグリコールアミン、ヒドロキシルアミンおよびそれらの混合物から成る群から選択される第1の溶媒と組み合わせて超臨界CO2に前記材料を晒す工程と、
b.前記材料の実質的にすべてがウェハの表面から除去されるまで、前記超臨界二酸化炭素と前記第1の溶媒を前記材料と接触した状態で維持する工程とを含む方法。 - a.プロセスチャンバを加熱する工程と、
b.前記超臨界二酸化炭素に前記材料を晒す前に前記プロセスチャンバ内に前記表面支持材料を有する前記ウェハを入れる工程と、
c.前記超臨界二酸化炭素および前記第1の溶媒に前記材料を晒す前に前記プロセスチャンバをCO2で加圧する工程と、
d.前記プロセスチャンバから前記材料および前記第1の溶媒を除去するために、前記超臨界CO2および前記第1の溶媒に前記材料を晒した後に前記プロセスチャンバを前記超臨界CO2で洗浄する工程を更に含む請求項15に記載の方法。 - 前記プロセスチャンバを約1050〜6000psig(7.24〜41.4MPa)の間の圧力に加圧する請求項16に記載の方法。
- 前記プロセスチャンバを約2500〜4500psig(17.2〜31.0MPa)の間の圧力に加圧する請求項17に記載の方法。
- 前記プロセスチャンバを約20〜80℃の間の温度に加熱する請求項17に記載の方法。
- 前記プロセスチャンバを約46〜70℃の間の温度に加熱する請求項19に記載の方法。
- 前記プロセスチャンバを約46℃より高く且つ約80℃より低い温度に加熱する請求項16に記載の方法。
- 前記第1の溶媒対前記超臨界CO2と前記第1の溶媒の組み合わせの比は15体積%未満である請求項15に記載の方法。
- 前記超臨界CO2と前記第1の溶媒の組み合わせに第2の溶媒を添加する工程を更に含む請求項15に記載の方法。
- 前記第1の溶媒および前記第2の溶媒対前記超臨界二酸化炭素と前記第1の溶媒および前記第2の溶媒の組み合わせの比は15体積%未満である請求項23に記載の方法。
- ウェハ表面から有機汚染物を除去する工程を更に含む請求項15に記載の方法。
- 前記超臨界CO2と前記第1の溶媒の組み合わせに有機溶媒を添加する工程を更に含む請求項15に記載の方法。
- 前記有機溶媒は、アルコール、エーテルおよびグリコールから成る群から選択される請求項26に記載の方法。
- 前記超臨界CO2と前記第1の溶媒を前記表面支持材料を有する前記ウェハと接触した状態で維持する時間は、10秒〜15分の間である請求項15に記載の方法。
- 前記時間は約5分未満である請求項28に記載の方法。
- 前記時間は約1分未満である請求項29に記載の方法。
- 前記プロセスチャンバをCO2で加圧した後且つ前記加圧チャンバに前記超臨界CO2と前記第1の溶媒を導入する前に、前記加圧チャンバに液体CO2を添加する工程を更に含む請求項16に記載の方法。
- 前記プロセスチャンバを加熱する前に前記ウェハを前記プロセスチャンバ内に入れる請求項16に記載の方法。
- 前記ウェハは0.5μm未満のフィーチャーサイズを含む請求項15に記載の方法。
- 前記ウェハは、5:1より大きい深さ対直径アスペクト比を有する一つ以上の通路を含む請求項15に記載の方法。
- 前記材料の厚さは1.5μmより厚い請求項15に記載の方法。
- 前記材料はフォトレジストを含む請求項15に記載の方法。
- 前記材料はフォトレジスト残留物を含む請求項15に記載の方法。
- 前記超臨界CO2と前記第1の溶媒の組み合わせに3〜5カーボンジオンを添加する工程を更に含む請求項15に記載の方法。
- 前記第1の溶媒はn−メチルピロリドンを含む請求項38に記載の方法。
- レジスト、レジスト残留物およびそれらの組み合わせから成る群から選択された表面支持材料を有する半導体ウェハを処理する方法であって、
a.n−メチルピロリドン、ジ−イソプロピルアミン、トリ−イソプロピルアミン、ジグリコールアミン、ヒドロキシルアミンおよびそれらの混合物から成る群から選択される第1の溶媒と組み合わせて超臨界CO2に前記材料を1,050psig(7.24MPa)以上且つ6,000psig(41.4MPa)以下の圧力で晒す工程と、
b.前記材料の実質的にすべてがウェハの表面から除去されるまで、前記超臨界二酸化炭素と前記第1の溶媒を前記材料と接触した状態で維持する工程とを含む方法。 - レジスト、レジスト残留物およびそれらの組み合わせから成る群から選択された表面支持材料を有する半導体ウェハを処理する方法であって、
a.n−メチルピロリドン、ジ−イソプロピルアミン、トリ−イソプロピルアミン、ジグリコールアミン、ヒドロキシルアミンおよびそれらの混合物から成る群から選択される第1の溶媒と組み合わせて超臨界CO2に前記材料を46℃以上且つ80℃以下の温度で晒す工程と、
b.前記材料の実質的にすべてがウェハの表面から除去されるまで、前記超臨界二酸化炭素と前記第1の溶媒を前記材料と接触した状態で維持する工程とを含む方法。 - レジスト、レジスト残留物およびそれらの組み合わせから成る群から選択された表面支持材料を有する半導体ウェハを処理する方法であって、
a.n−メチルピロリドンと組み合わせて超臨界CO2に前記材料を晒す工程と、
b.前記材料の実質的にすべてがウェハの表面から除去されるまで、前記超臨界二酸化炭素とn−メチルピロリドンを前記材料と接触した状態で維持する工程とを含む方法。 - n−メチルピロリドン対前記超臨界二酸化炭素とn−メチルピロリドンの組み合わせの比は0.1〜15体積%の間である請求項42に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/US2000/022454 WO2002015251A1 (en) | 2000-08-14 | 2000-08-14 | Removal of photoresist and photoresist residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004507087A true JP2004507087A (ja) | 2004-03-04 |
Family
ID=21741687
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2002520287A Pending JP2004507087A (ja) | 2000-08-14 | 2000-08-14 | 超臨界二酸化炭素法を用いる半導体からのフォトレジストおよびフォトレジスト残留物の除去 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1309990A1 (ja) |
JP (1) | JP2004507087A (ja) |
KR (1) | KR100559017B1 (ja) |
CN (1) | CN1246888C (ja) |
AU (1) | AU2000266442A1 (ja) |
WO (1) | WO2002015251A1 (ja) |
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100744145B1 (ko) * | 2006-08-07 | 2007-08-01 | 삼성전자주식회사 | 초임계 유체를 이용하는 웨이퍼 처리 장치 및 웨이퍼 처리방법 |
JP2007535697A (ja) * | 2004-04-19 | 2007-12-06 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | イオン注入されたフォトレジストを除去するための非フッ化物含有超臨界流体組成物 |
JP2008500743A (ja) * | 2004-05-21 | 2008-01-10 | バッテル メモリアル インスティチュート | 付着材料を除去するための反応性流体システムおよびそれを使用するための方法 |
JP2009500828A (ja) * | 2005-07-01 | 2009-01-08 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 浸漬リソグラフィにおいて超臨界流体を用いてウェーハを乾燥し、レンズを洗浄するための方法及びシステム |
JP2015515147A (ja) * | 2012-04-17 | 2015-05-21 | プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド | 二酸化炭素の精製された多相のプロセスツールへのデリバリーシステム |
Families Citing this family (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2002237481A (ja) * | 2001-02-09 | 2002-08-23 | Kobe Steel Ltd | 微細構造体の洗浄方法 |
JP2003224099A (ja) * | 2002-01-30 | 2003-08-08 | Sony Corp | 表面処理方法 |
US6953654B2 (en) | 2002-03-14 | 2005-10-11 | Tokyo Electron Limited | Process and apparatus for removing a contaminant from a substrate |
US6669785B2 (en) | 2002-05-15 | 2003-12-30 | Micell Technologies, Inc. | Methods and compositions for etch cleaning microelectronic substrates in carbon dioxide |
CN100387365C (zh) | 2002-05-20 | 2008-05-14 | 松下电器产业株式会社 | 清洗方法 |
US20030217764A1 (en) * | 2002-05-23 | 2003-11-27 | Kaoru Masuda | Process and composition for removing residues from the microstructure of an object |
US6846380B2 (en) | 2002-06-13 | 2005-01-25 | The Boc Group, Inc. | Substrate processing apparatus and related systems and methods |
US20040050406A1 (en) * | 2002-07-17 | 2004-03-18 | Akshey Sehgal | Compositions and method for removing photoresist and/or resist residue at pressures ranging from ambient to supercritical |
US7267727B2 (en) | 2002-09-24 | 2007-09-11 | Air Products And Chemicals, Inc. | Processing of semiconductor components with dense processing fluids and ultrasonic energy |
US6683008B1 (en) | 2002-11-19 | 2004-01-27 | International Business Machines Corporation | Process of removing ion-implanted photoresist from a workpiece |
EP1459812A1 (en) * | 2003-03-21 | 2004-09-22 | Linde Aktiengesellschaft | Parts cleaning |
CN100338153C (zh) * | 2003-03-26 | 2007-09-19 | Tdk株式会社 | 剥离薄膜的制造方法 |
US20040231707A1 (en) * | 2003-05-20 | 2004-11-25 | Paul Schilling | Decontamination of supercritical wafer processing equipment |
US6857437B2 (en) * | 2003-06-18 | 2005-02-22 | Ekc Technology, Inc. | Automated dense phase fluid cleaning system |
DE102004029077B4 (de) * | 2003-06-26 | 2010-07-22 | Samsung Electronics Co., Ltd., Suwon | Vorrichtung und Verfahren zur Entfernung eines Photoresists von einem Substrat |
US20050029492A1 (en) | 2003-08-05 | 2005-02-10 | Hoshang Subawalla | Processing of semiconductor substrates with dense fluids comprising acetylenic diols and/or alcohols |
US20050288485A1 (en) * | 2004-06-24 | 2005-12-29 | Mahl Jerry M | Method and apparatus for pretreatment of polymeric materials utilized in carbon dioxide purification, delivery and storage systems |
US7250374B2 (en) * | 2004-06-30 | 2007-07-31 | Tokyo Electron Limited | System and method for processing a substrate using supercritical carbon dioxide processing |
US7195676B2 (en) | 2004-07-13 | 2007-03-27 | Air Products And Chemicals, Inc. | Method for removal of flux and other residue in dense fluid systems |
US7789971B2 (en) | 2005-05-13 | 2010-09-07 | Tokyo Electron Limited | Treatment of substrate using functionalizing agent in supercritical carbon dioxide |
CN102298276B (zh) * | 2010-06-25 | 2013-03-06 | 中国科学院微电子研究所 | 硅片去胶装置 |
JP5685918B2 (ja) * | 2010-12-10 | 2015-03-18 | 富士通株式会社 | 半導体装置の製造方法 |
CN102280372B (zh) * | 2011-09-05 | 2016-04-06 | 上海集成电路研发中心有限公司 | 一种半导体硅片的清洗方法 |
CN105517343A (zh) * | 2016-01-25 | 2016-04-20 | 东莞联桥电子有限公司 | 一种微波印制电路板上电阻集成方法 |
CN110998292B (zh) * | 2017-08-21 | 2023-12-15 | 东京毅力科创株式会社 | 用于相确定的光学传感器 |
US10695804B2 (en) | 2018-01-25 | 2020-06-30 | Applied Materials, Inc. | Equipment cleaning apparatus and method |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5185296A (en) * | 1988-07-26 | 1993-02-09 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for forming a dielectric thin film or its pattern of high accuracy on a substrate |
US5783082A (en) * | 1995-11-03 | 1998-07-21 | University Of North Carolina | Cleaning process using carbon dioxide as a solvent and employing molecularly engineered surfactants |
US5908510A (en) * | 1996-10-16 | 1999-06-01 | International Business Machines Corporation | Residue removal by supercritical fluids |
AU3360399A (en) * | 1998-03-30 | 1999-10-18 | Leisa B. Davenhall | Composition and method for removing photoresist materials from electronic components |
-
2000
- 2000-08-14 AU AU2000266442A patent/AU2000266442A1/en not_active Abandoned
- 2000-08-14 WO PCT/US2000/022454 patent/WO2002015251A1/en active IP Right Grant
- 2000-08-14 JP JP2002520287A patent/JP2004507087A/ja active Pending
- 2000-08-14 CN CNB008198179A patent/CN1246888C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2000-08-14 KR KR1020037002209A patent/KR100559017B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2000-08-14 EP EP00954102A patent/EP1309990A1/en not_active Withdrawn
Cited By (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2007535697A (ja) * | 2004-04-19 | 2007-12-06 | アドバンスド テクノロジー マテリアルズ,インコーポレイテッド | イオン注入されたフォトレジストを除去するための非フッ化物含有超臨界流体組成物 |
JP2008500743A (ja) * | 2004-05-21 | 2008-01-10 | バッテル メモリアル インスティチュート | 付着材料を除去するための反応性流体システムおよびそれを使用するための方法 |
JP2009500828A (ja) * | 2005-07-01 | 2009-01-08 | アドバンスト・マイクロ・ディバイシズ・インコーポレイテッド | 浸漬リソグラフィにおいて超臨界流体を用いてウェーハを乾燥し、レンズを洗浄するための方法及びシステム |
KR100744145B1 (ko) * | 2006-08-07 | 2007-08-01 | 삼성전자주식회사 | 초임계 유체를 이용하는 웨이퍼 처리 장치 및 웨이퍼 처리방법 |
JP2015515147A (ja) * | 2012-04-17 | 2015-05-21 | プラクスエア・テクノロジー・インコーポレイテッド | 二酸化炭素の精製された多相のプロセスツールへのデリバリーシステム |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1454392A (zh) | 2003-11-05 |
CN1246888C (zh) | 2006-03-22 |
EP1309990A1 (en) | 2003-05-14 |
KR20030024873A (ko) | 2003-03-26 |
AU2000266442A1 (en) | 2002-02-25 |
WO2002015251A1 (en) | 2002-02-21 |
KR100559017B1 (ko) | 2006-03-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004507087A (ja) | 超臨界二酸化炭素法を用いる半導体からのフォトレジストおよびフォトレジスト残留物の除去 | |
US6306564B1 (en) | Removal of resist or residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide | |
US6871656B2 (en) | Removal of photoresist and photoresist residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process | |
US7288484B1 (en) | Photoresist strip method for low-k dielectrics | |
US7169540B2 (en) | Method of treatment of porous dielectric films to reduce damage during cleaning | |
JP4621400B2 (ja) | 半導体基板処理装置 | |
JP3914842B2 (ja) | 有機被膜の除去方法および除去装置 | |
US20090065032A1 (en) | Apparatus and method for removing photoresist from a substrate | |
US20070089761A1 (en) | Non-plasma method of removing photoresist from a substrate | |
JP2008530795A (ja) | フルオロケイ酸を用いて高圧流体で基板を処理する方法およびシステム | |
JP4031440B2 (ja) | 超臨界処理を用いる汚染物の除去 | |
US7524383B2 (en) | Method and system for passivating a processing chamber | |
KR100969027B1 (ko) | 세정 과정에서의 손상을 저감시키기 위한 다공질 유전체막의 처리 방법 | |
US20060135047A1 (en) | Method and apparatus for clamping a substrate in a high pressure processing system | |
US6887793B2 (en) | Method for plasma etching a wafer after backside grinding | |
US6652666B2 (en) | Wet dip method for photoresist and polymer stripping without buffer treatment step | |
US20070000519A1 (en) | Removal of residues for low-k dielectric materials in wafer processing | |
Kamal et al. | Photoresist removal using low molecular weight alcohols | |
WO2006088561A2 (en) | Method for treating a substrate with a high pressure fluid using a peroxide-based process chemistry | |
TW500985B (en) | Removal of photoresist and residue from substrate using supercritical carbon dioxide process | |
JP2008010533A (ja) | レジストパターンの除去方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20051216 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20060131 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20060530 |