JP4594252B2 - 処理方法および剥離用組成物 - Google Patents
処理方法および剥離用組成物 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4594252B2 JP4594252B2 JP2006048417A JP2006048417A JP4594252B2 JP 4594252 B2 JP4594252 B2 JP 4594252B2 JP 2006048417 A JP2006048417 A JP 2006048417A JP 2006048417 A JP2006048417 A JP 2006048417A JP 4594252 B2 JP4594252 B2 JP 4594252B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- fluoride
- processing method
- carbonate
- resist
- stripping composition
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Images
Landscapes
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
- Photosensitive Polymer And Photoresist Processing (AREA)
Description
[(CH3)3−N−CH2−CH2−OH]+OH−
である。そして、「フッ化コリン」は、上記構造式中のOH−がF−に置換されたものである。
シリコンウエハを用意し、該シリコンウエハ上にLow−k膜を、また該Low−k膜上にSiO2膜を形成する。そして、SiO2膜上に市販のKrFポジ型フォトレジストを塗布し、プリベークした。次いで、マスクパターンを介して露光し、さらにテトラメチルアンモニウムヒドロキシドで現像してレジストパターンを形成した後、エッチングを行った。
[レジスト剥離状況]
○:レジストおよびレジスト残渣がどこにも認められない
×:大部分が残存している
[SiO2膜およびLow−k膜のエッチング状況]
○:形状変化がなく、エッチング残渣も認められない
×:エッチングされて残渣が認められる
Claims (13)
- 基板に付着しているレジストまたはレジスト残渣を剥離する処理方法において、
フッ化テトラアルキルアンモニウムまたはフッ化コリンとアミン化合物とを含有する剥離用組成物と、水と、高圧流体とを混合して処理流体を生成する生成工程と、
前記処理流体を前記基板に接触させる洗浄工程と
を備えたことを特徴とする処理方法。 - 前記剥離用組成物と水との混合物は、3〜40重量%の水を含有している請求項1記載の処理方法。
- 前記フッ化テトラアルキルアンモニウムは、フッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化テトラエチルアンモニウム、フッ化テトラプロピルアンモニウム、フッ化テトラブチルアンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種を含んでいる請求項1または2記載の処理方法。
- 前記アミン化合物は、第3級アミンである請求項1ないし3のいずれかに記載の処理方法。
- 前記アミン化合物は、N,N,N',N'',N''−ペンタメチルジエチレントリアミン、N,N,N'−トリメチルアミノエチルエタノールアミン、N,N−ジメチルアミノエトキシエタノールからなる群より選ばれる少なくとも1種を含んでいる請求項4記載の処理方法。
- 前記剥離用組成物は、炭酸エステルをさらに含有する請求項1ないし5のいずれかに記載の処理方法。
- 前記炭酸エステルは、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、炭酸ジメチルおよび炭酸ジエチルからなる群より選ばれる少なくとも1種を含んでいる請求項6記載の処理方法。
- 前記剥離用組成物は、有機溶媒をさらに含有する請求項1ないし7のいずれかに記載の処理方法。
- 前記有機溶媒は、アルコール、ニトリルおよびケトンからなる群より選ばれる少なくとも1種を含んでいる請求項8記載の処理方法。
- 前記剥離用組成物は、少なくとも0.01重量%の前記フッ化テトラアルキルアンモニウムまたは前記フッ化コリンと、0.1〜30重量%の前記アミン化合物と、0.1〜30重量%の前記炭酸エステルと、少なくとも50重量%の前記有機溶媒とを含有する請求項8または9記載の処理方法。
- 前記高圧流体に対する前記剥離用組成物と水との混合物の流量比は、1〜20%に設定されている請求項1ないし10のいずれかに記載の処理方法。
- フッ化テトラアルキルアンモニウムまたはフッ化コリン、少なくとも1種のアミン化合物、少なくとも1種の炭酸エステル、及び少なくとも1種の有機溶媒を含んでなる高圧流体と共に用いる剥離用組成物。
- フッ化テトラアルキルアンモニウムまたはフッ化コリン、N,N,N',N'',N''−ペンタメチルジエチレントリアミン、N,N,N'−トリメチルアミノエチルエタノールアミン、N,N−ジメチルアミノエトキシエタノールからなる群より選ばれる少なくとも1種のアミン化合物、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、炭酸ジメチル、炭酸ジエチルからなる群より選ばれる少なくとも1種の炭酸エステル、及びアルコール、ニトリル、ケトンからなる群より選ばれる少なくとも1種の有機溶媒を含んでなる高圧流体と共に用いる剥離用組成物。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006048417A JP4594252B2 (ja) | 2006-02-24 | 2006-02-24 | 処理方法および剥離用組成物 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006048417A JP4594252B2 (ja) | 2006-02-24 | 2006-02-24 | 処理方法および剥離用組成物 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007226004A JP2007226004A (ja) | 2007-09-06 |
JP4594252B2 true JP4594252B2 (ja) | 2010-12-08 |
Family
ID=38547879
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006048417A Expired - Fee Related JP4594252B2 (ja) | 2006-02-24 | 2006-02-24 | 処理方法および剥離用組成物 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP4594252B2 (ja) |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2004047980A (ja) * | 2002-05-23 | 2004-02-12 | Kobe Steel Ltd | 微細構造体の洗浄方法および洗浄剤組成物 |
JP2005048189A (ja) * | 2001-02-09 | 2005-02-24 | Air Products & Chemicals Inc | 残留物除去用組成物 |
JP2005308858A (ja) * | 2004-04-19 | 2005-11-04 | Dongwoo Fine-Chem Co Ltd | レジスト剥離剤 |
-
2006
- 2006-02-24 JP JP2006048417A patent/JP4594252B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2005048189A (ja) * | 2001-02-09 | 2005-02-24 | Air Products & Chemicals Inc | 残留物除去用組成物 |
JP2004047980A (ja) * | 2002-05-23 | 2004-02-12 | Kobe Steel Ltd | 微細構造体の洗浄方法および洗浄剤組成物 |
JP2005089746A (ja) * | 2002-05-23 | 2005-04-07 | Air Products & Chemicals Inc | 微細構造体の洗浄剤組成物 |
JP2005308858A (ja) * | 2004-04-19 | 2005-11-04 | Dongwoo Fine-Chem Co Ltd | レジスト剥離剤 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2007226004A (ja) | 2007-09-06 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7273060B2 (en) | Methods for chemically treating a substrate using foam technology | |
KR100806476B1 (ko) | 유기 피막의 제거 장치 | |
CN100499018C (zh) | 用于从物体的微结构中清除残余物的方法和组合物 | |
US20040050406A1 (en) | Compositions and method for removing photoresist and/or resist residue at pressures ranging from ambient to supercritical | |
JP2005252234A (ja) | 物品を処理するための方法及び装置 | |
JP2007142335A (ja) | 高圧処理方法 | |
JP5189121B2 (ja) | 基板処理装置、基板処理方法、およびこの基板処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体 | |
KR20070060090A (ko) | 오존을 이용한 웨이퍼 등의 물체 처리 | |
US6905556B1 (en) | Method and apparatus for using surfactants in supercritical fluid processing of wafers | |
WO2005005063A1 (en) | Cleaning and drying a substrate | |
JP4594252B2 (ja) | 処理方法および剥離用組成物 | |
JP2011146460A (ja) | シリコンウェーハの表面浄化方法 | |
JP2007052173A (ja) | 処理方法および該方法で用いる剥離用組成物 | |
JP2008209542A (ja) | レジスト剥離方法およびレジスト剥離装置 | |
JP2007140394A (ja) | 処理方法 | |
WO2003064581A1 (en) | Methods and compositions for chemically treating a substrate using foam technology | |
JP2007536730A (ja) | 集積回路製品を製造する間にパターン形成されたウエハーを乾燥させるための組成物及び方法 | |
JP2007103429A (ja) | 洗浄装置および洗浄方法 | |
JP2003533865A (ja) | 電子構成要素の製造でオゾン含有プロセス流体を用いて電子構成要素を湿式処理する方法 | |
JP6020626B2 (ja) | デバイス用Ge基板の洗浄方法、洗浄水供給装置及び洗浄装置 | |
JP2003500537A (ja) | 銅含有表面を有する電子部品を湿式処理する方法 | |
JP2005142301A (ja) | 高圧処理方法、及び高圧処理装置 | |
JP4442407B2 (ja) | 除去用組成物 | |
US20040134885A1 (en) | Etching and cleaning of semiconductors using supercritical carbon dioxide | |
JP2008004716A (ja) | 高圧処理方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20081017 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20100910 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20100914 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20100916 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130924 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |