JP4594252B2 - 処理方法および剥離用組成物 - Google Patents
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Description
[(CH3)3−N−CH2−CH2−OH]+OH−
である。そして、「フッ化コリン」は、上記構造式中のOH−がF−に置換されたものである。
シリコンウエハを用意し、該シリコンウエハ上にLow−k膜を、また該Low−k膜上にSiO2膜を形成する。そして、SiO2膜上に市販のKrFポジ型フォトレジストを塗布し、プリベークした。次いで、マスクパターンを介して露光し、さらにテトラメチルアンモニウムヒドロキシドで現像してレジストパターンを形成した後、エッチングを行った。
[レジスト剥離状況]
○:レジストおよびレジスト残渣がどこにも認められない
×:大部分が残存している
[SiO2膜およびLow−k膜のエッチング状況]
○:形状変化がなく、エッチング残渣も認められない
×:エッチングされて残渣が認められる
Claims (13)
- 基板に付着しているレジストまたはレジスト残渣を剥離する処理方法において、
フッ化テトラアルキルアンモニウムまたはフッ化コリンとアミン化合物とを含有する剥離用組成物と、水と、高圧流体とを混合して処理流体を生成する生成工程と、
前記処理流体を前記基板に接触させる洗浄工程と
を備えたことを特徴とする処理方法。 - 前記剥離用組成物と水との混合物は、3〜40重量%の水を含有している請求項1記載の処理方法。
- 前記フッ化テトラアルキルアンモニウムは、フッ化テトラメチルアンモニウム、フッ化テトラエチルアンモニウム、フッ化テトラプロピルアンモニウム、フッ化テトラブチルアンモニウムからなる群より選ばれる少なくとも1種を含んでいる請求項1または2記載の処理方法。
- 前記アミン化合物は、第3級アミンである請求項1ないし3のいずれかに記載の処理方法。
- 前記アミン化合物は、N,N,N',N'',N''−ペンタメチルジエチレントリアミン、N,N,N'−トリメチルアミノエチルエタノールアミン、N,N−ジメチルアミノエトキシエタノールからなる群より選ばれる少なくとも1種を含んでいる請求項4記載の処理方法。
- 前記剥離用組成物は、炭酸エステルをさらに含有する請求項1ないし5のいずれかに記載の処理方法。
- 前記炭酸エステルは、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、炭酸ジメチルおよび炭酸ジエチルからなる群より選ばれる少なくとも1種を含んでいる請求項6記載の処理方法。
- 前記剥離用組成物は、有機溶媒をさらに含有する請求項1ないし7のいずれかに記載の処理方法。
- 前記有機溶媒は、アルコール、ニトリルおよびケトンからなる群より選ばれる少なくとも1種を含んでいる請求項8記載の処理方法。
- 前記剥離用組成物は、少なくとも0.01重量%の前記フッ化テトラアルキルアンモニウムまたは前記フッ化コリンと、0.1〜30重量%の前記アミン化合物と、0.1〜30重量%の前記炭酸エステルと、少なくとも50重量%の前記有機溶媒とを含有する請求項8または9記載の処理方法。
- 前記高圧流体に対する前記剥離用組成物と水との混合物の流量比は、1〜20%に設定されている請求項1ないし10のいずれかに記載の処理方法。
- フッ化テトラアルキルアンモニウムまたはフッ化コリン、少なくとも1種のアミン化合物、少なくとも1種の炭酸エステル、及び少なくとも1種の有機溶媒を含んでなる高圧流体と共に用いる剥離用組成物。
- フッ化テトラアルキルアンモニウムまたはフッ化コリン、N,N,N',N'',N''−ペンタメチルジエチレントリアミン、N,N,N'−トリメチルアミノエチルエタノールアミン、N,N−ジメチルアミノエトキシエタノールからなる群より選ばれる少なくとも1種のアミン化合物、炭酸エチレン、炭酸プロピレン、炭酸ジメチル、炭酸ジエチルからなる群より選ばれる少なくとも1種の炭酸エステル、及びアルコール、ニトリル、ケトンからなる群より選ばれる少なくとも1種の有機溶媒を含んでなる高圧流体と共に用いる剥離用組成物。
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