JP2007536730A - 集積回路製品を製造する間にパターン形成されたウエハーを乾燥させるための組成物及び方法 - Google Patents
集積回路製品を製造する間にパターン形成されたウエハーを乾燥させるための組成物及び方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2007536730A JP2007536730A JP2007511332A JP2007511332A JP2007536730A JP 2007536730 A JP2007536730 A JP 2007536730A JP 2007511332 A JP2007511332 A JP 2007511332A JP 2007511332 A JP2007511332 A JP 2007511332A JP 2007536730 A JP2007536730 A JP 2007536730A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- composition
- water
- supercritical fluid
- contacting
- patterned wafer
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Images
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B08—CLEANING
- B08B—CLEANING IN GENERAL; PREVENTION OF FOULING IN GENERAL
- B08B7/00—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass
- B08B7/0021—Cleaning by methods not provided for in a single other subclass or a single group in this subclass by liquid gases or supercritical fluids
Landscapes
- Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
Abstract
パターン形成されたウエハーからの水の除去をそのパターン構造の崩壊又は劣化を伴うことなく行う方法でパターン形成されたウエハーの乾燥が実現される。本発明の一態様では、超臨界流体と、水よりも超臨界流体の中に溶解性を示す反応生成物を形成するための、水と化学的に反応する少なくとも1種類の水反応性物質とを含有する組成物を用いて乾燥を行う。超臨界CO2などの超臨界流体の(水の溶解度が低いという)欠陥を回避する、パターン形成されたウエハーを乾燥させるための超臨界流体の使用についての様々な方法が記載される。
Description
背景
本発明は、集積回路製品を製造する間にパターン形成されたウエハーを乾燥させるための組成物及び方法に関する。
本発明は、集積回路製品を製造する間にパターン形成されたウエハーを乾燥させるための組成物及び方法に関する。
関連技術の背景
集積回路(IC)製品を製造する間に、水、アルコールなどの残留液体は、乾燥工程によってパターン形成されたウエハーから完全に除去されなければならない。しかしながら、限界寸法が約100ナノメートル(nm)よりも小さい場合、リソグラフィーのパターン特徴の崩壊を生じることなく、トレンチとビアの高いアスペクト比を有するパターン形成されたウエハーから残留水を除去することは困難である。
集積回路(IC)製品を製造する間に、水、アルコールなどの残留液体は、乾燥工程によってパターン形成されたウエハーから完全に除去されなければならない。しかしながら、限界寸法が約100ナノメートル(nm)よりも小さい場合、リソグラフィーのパターン特徴の崩壊を生じることなく、トレンチとビアの高いアスペクト比を有するパターン形成されたウエハーから残留水を除去することは困難である。
例えば、露光されたリソグラフィーレジストの現像においては、ヘキサン及び窒素、又はイソプロパノール及び窒素によってパターン化された像が乾燥されることが多い。限界寸法幅<100nm及び1より大きいアスペクト比を有する像にとっては、これら従来の乾燥方法はうまく機能しない。かかる特徴寸法では、イソプロパノール又はヘキサンの表面張力がこれらの像全体を引っ張ることから、リソグラフィー用レジストの崩壊及びパターン化された像の損失、又は高分子レジストの分解がもたらされる。
したがって、当該技術は、パターン特徴の崩壊又はパターン形成されたウエハーに対する他の悪影響をもたらすことなく水、アルコールなどの完全な除去を行う、パターン形成されたウエハーの乾燥に対する改善された技術を必要としている。
発明の概要
本発明は、水、アルコールなどをパターン形成されたウエハーから除去するのに、該ウエハーをパターンの崩壊またはウエハー物品に対する他の悪影響を生じることなく乾燥するための組成物及び方法に関する。
本発明は、水、アルコールなどをパターン形成されたウエハーから除去するのに、該ウエハーをパターンの崩壊またはウエハー物品に対する他の悪影響を生じることなく乾燥するための組成物及び方法に関する。
一の態様では、本発明は、水をパターン形成されたウエハーから除去するのに該ウエハーを乾燥させるための組成物であって、超臨界流体と、水よりも超臨界流体の中に溶解性を示す反応生成物を形成するすように、水と化学的に反応する少なくとも1種類の水反応性物質と、を含む組成物に関する。
さらなる態様では、本発明は、水をパターン形成されたウエハーから除去するのに該ウエハーを乾燥させる方法であって、該パターン形成されたウエハーを、超臨界流体と、水よりも超臨界流体の中に溶解性を示す反応生成物を形成するための、水と化学的に反応する少なくとも1種類の水反応性物質とを含む組成物に接触させるステップを含む、方法に関する。
本発明のさらなる態様は、パターン形成されたウエハーから水を除去するのに該ウエハーを乾燥させる方法であって、該パターン形成されたウエハーを液体CO2を含む第1の組成物に接触させるステップと、その後に該パターン形成された基板をSCCO2を含む第2の組成物に接触させるステップにより、該パターン形成された基板の乾燥をそのパターンに損傷を与えることなく行うステップを含む、方法に関する。
本発明のさらに別の態様は、パターン形成されたウエハーから水を除去するのに該ウエハーを乾燥させる方法であって、(a)約1000psiを超える圧力及び32℃未満の温度で該パターン形成されたウエハーをアルコールを含む第1の組成物に接触させるステップと、(b)該パターン形成されたウエハーをアルコール/CO2溶液を含む第2の組成物に接触させるステップと、(c)該パターン形成された基板をSCCO2を含む第3の組成物に接触させるステップにより、該パターン形成された基板の乾燥をそのパターンに損傷を与えることなく行うステップを含む、方法に関する。
本発明の他の態様、特徴及び実施形態は、次に示す開示および添付の特許請求の範囲からより完全に明確になるであろう。
発明の詳細な説明及びその好ましい実施形態
本発明は、超臨界流体の使用自体から生じる問題を回避する様々なアプローチの中で、パターン形成されたウエハーの乾燥用洗浄媒体としての超臨界流体(SCF)の使用に基づくものである。
本発明は、超臨界流体の使用自体から生じる問題を回避する様々なアプローチの中で、パターン形成されたウエハーの乾燥用洗浄媒体としての超臨界流体(SCF)の使用に基づくものである。
超臨界流体は、パターン形成されたウエハーの乾燥にとって潜在的に有用な媒体であるとまず見なしてもよいと考えられる一方、超臨界流体が高い拡散性、低粘性、ほぼゼロの表面張力、及び優れた浸透力を有するが故に、超臨界CO2(SCCO2)などの超臨界流体は、非極性であり、したがって、パターン形成されたウエハーの乾燥にとって有用でない。例えば、超臨界CO2中への水の溶解度が<0.1重量%であることにより、超臨界CO2がパターン形成されたウエハー上にある残留水の除去に適さないことになる。
本発明は、乾燥媒体として超臨界流体を使用することから生じる問題を克服する。
本発明は、例示的な超臨界流体種として特にCO2に関して以下に示される一方、本発明の有用性はこのように限定的ではないことと、本発明を実施する場合には超臨界流体が任意の適切な種類であってもよいことが認識されるであろう。超臨界流体は、液相の密度が基板の気相の密度に等しい条件下で形成される。例えば、標準温度および標準圧力で気体である二酸化炭素(CO2)は、Tc≧31.1℃およびpc≧72.8気圧に相当する臨界点を超えると液体からSCFへの転移を起こす。一旦形成されると、SCFの密度が液体様から気体様へ変化し、圧力と温度の変化によって様々な溶媒和能が得られる可能性がある。超臨界流体が有する密度/溶解度及び拡散性は、それぞれ液相および気相の場合にほぼ等しい。さらにSCFの表面張力は無視できる。
超臨界CO2は、その製造が容易であるという特徴や、毒性がなく環境への影響が無視できることから本発明の幅広い実施において好ましいSCFであるが、関連する特定の用途に応じて特定のSCFを選択することに伴い、任意の適切なSCF種を用いて本発明を実施してもよい。本発明の実施において有用な他の好ましいSCF種として、酸素、アルゴン、クリプトン、キセノン、及びアンモニアが挙げられる。
第1の実施形態では、超臨界流体は、水よりも超臨界流体の中に溶解性を示す反応生成物種を形成するための、パターン形成されたウエハー上で水と化学的に反応する1種もしくは複数種の水反応性物質を含む乾燥組成物中で、パターン形成されたウエハーに対する乾燥媒体として使用される。
説明例として、ヘキサフルオロアセトン(HFA)をSCCO2中の水反応性物質として有用に使用することで、パターン形成されたウエハーの乾燥にとって非常に有効な超臨界流体組成物が提供される。かかる組成物では、HFAは水と瞬時に反応し、
H2O+CF3COCF3→CH3C(OH)2CF3
の反応において表されるように溶解性と揮発性を示すジオールを定量的に形成する。
H2O+CF3COCF3→CH3C(OH)2CF3
の反応において表されるように溶解性と揮発性を示すジオールを定量的に形成する。
生成物のジオールCH3C(OH)2CF3は、SCCO2中への溶解性が高く、かつ超臨界流体によって溶解しやすくなることにより、SCCO2とHFAとを含む超臨界流体組成物に接触するパターン形成されたウエハー基板から水が有効に除去される。
より一般的には、超臨界流体をベースとするウエハーの乾燥組成物中の水反応性物質は、例えば、他のハロゲン化アルデヒド及びケトン;1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4−ペンタンジオン(又は(hfac)Hと表される)を例とするハロゲン化ジケトン;ハロゲン化エステル;(CH3CO)2Oを例とするカルボン酸無水物;シロキサン、ハロゲン化シラン;並びに水と容易に反応し且つ超臨界CO2又は他の超臨界流体種の中に溶解性を示す誘導体を形成する任意の他の化合物及び物質を含む任意の適切な種類であってもよい。
一般に、水反応性物質は、パターン形成されたウエハー基板から水を除去するのに有効な任意の適切な濃度で、超臨界流体組成物中で調合されうる。様々な実施形態において、水反応性物質の濃度は、利用される特定の超臨界流体種に依存し、超臨界流体及び水反応性物質の総重量を基準にして約0.01〜約10.0重量%の範囲内の濃度であってもよい。ここでは同総重量を基準にして約0.1〜約7.5重量%の濃度がより好ましく、かつ同総重量を基準にして約0.1〜約5.0重量%が最も好ましい。
超臨界流体乾燥組成物は、超臨界流体及び水反応性物質に加え、乾燥組成物の所定の用途において必要であるかまたは望ましい際に、他の成分、例えば、パターン形成された基板から水以外の成分を除去するための共溶媒や、水反応性物質、界面活性剤、キレート剤など以外の活性剤を含有してもよい。
「活性剤」は、かかる状況で使用される際には、洗浄組成物中又はパターン形成された基板構造の表面で、化学反応及び/又は溶解度の物理的増大を誘発することで、かかる物質を含まない対応する組成物と比べて組成物の洗浄及び/又は除去作用を高める物質である。
例示的な共溶媒種として、キシレン、メタノール、エタノール、及び高級アルコール、N−メチル−、N−オクチル−、又はN−フェニル−ピロリドンなどのN−アルキルピロリジオン、ジメチルスルホキシド、スルホラン、カテコール、乳酸エチル、アセトン、メチルエチルケトン、ブチルカルビトール、モノエタノールアミン、ブチロールラクトン、ジグリコールアミン、フッ化アルキルアンモニウム、γ−ブチロラクトン、ブチレンカーボネート、エチレンカーボネート、プロピレンカーボネートなどが挙げられるが、これらに限定されない。
共溶媒種は、単一成分の共溶媒又は2種類以上の溶媒成分であってもよい。共溶媒は、超臨界流体中の共溶媒の溶解度に一致する任意の適切な濃度で超臨界流体をベースとする乾燥組成物中に存在しうる。
活性剤の例として、酸、塩基、還元剤、及び酸化剤が挙げられるが、これらに限定されない。還元剤が超臨界流体中に可溶化される場合、還元剤には、例えば、熱、光、及び/又は音の活性化を含む活性化プロセスによる活性化が必要である場合がある。
同様に、本発明の乾燥組成物に有用な界面活性剤は、陰イオン、中性、陽イオン、両性イオンの種類を含む任意の適切な種類であってもよい。例示的な界面活性剤種として、アセチレンアルコール及びジオールや、長いアルキル鎖を有する第2及び第3アミンが挙げられるがこれらに限定されない。
本発明の乾燥組成物に有用なキレート剤は、例えば、イミノニ酢酸及びラウリルエチレンジアミン三酢酸などのポリカルボン酸、2,4−ペンタンジオン;1,1,1−トリフルオロ−2,4−ペンタンジオン;及び1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4−ペンタンジオンなどのβ−ジケトン、置換されたジチオカーバネート、マロン酸エステル、並びにポリエチレングリコールを含む任意の適切な種類であってもよい。
本発明の乾燥組成物に有用な酸の例示的な種として、ペルフルオロカルボン酸、及びアルキル又はアリールスルホン酸が挙げられるが、これらに限定されない。本発明の乾燥組成物に有用な塩基の例示的な種として、アルキルアミンなどのアミンが挙げられるが、これらに限定されない。本発明の幅広い実施において有用な酸化剤として、酸素、オゾン及び亜酸化窒素が挙げられるが、これらに限定されない。本発明の乾燥組成物において有用に使用される還元剤として、水素、アンモニア、キシレン、水素化物、シラン、アルキルシラン、ヒドラジン水和物又はアルキルヒドラジンが挙げられるが、これらに限定されない。
本発明の範囲内では、様々な組成物を使用してもよく、かかる組成物は、本発明の所定の用途において望ましいように、本明細書で記載の特定の成分を選択的に含み、それらからなり、又はそれらから本質的になる可能性がある。
特定の実施形態では、例えば、約20〜約60秒でありうる適切な時間にわたってパターン形成された基板の乾燥組成物との接触が行われるが、パターン形成された基板から除去されるべき水の性質及び量並びに乾燥に用いられるプロセス条件に依存し、他の(より長い又はより短い)接触時間を有用に用いてもよい。
パターン形成された基板の乾燥後、超臨界流体をベースとする組成物がパターン形成された基板と接触される接触容器を速やかに減圧することで超臨界流体組成物をパターン形成された基板から分離し、かつ再ガス化した超臨界流体を接触容器から排出し、それによって溶解性の水反応生成物などの非超臨界成分を再ガス化した超臨界流体中に混入させ、同様に乾燥場所から除去してもよい。
かかる減圧ステップを適切な時間、例えば、約10〜40秒にわたって実施可能であるが、パターン形成された基板から除去されるべき物質の特徴及びプロセスの仕様に依存して時間の延長および短縮を行うことが望ましい場合がある。必要に応じて、接触及び減圧の反復サイクルを利用することで、実質的にパターン形成された基板物品からの水の完全な除去を達成することが可能である。
フォトリソグラフィー像のパターニングプロセスに引き続き、パターン崩壊が生じることなく半導体基板上の小寸法から残留水を除去するのに、上記の組成物及び方法を有用に用いてもよい。
別の態様では、本発明では、パターン特徴の崩壊を伴うことなく効率的な乾燥を得るのに、超臨界流体をベースとする乾燥組成物の使用が2つのステップの工程の一部として検討される。この乾燥工程では、パターン形成された基板の液体CO2への接触によって初期乾燥ステップが行われた後、パターン形成された基板のSCCO2への接触を含む第2の乾燥ステップが行われることで、パターン形成されたウエハーに損傷を伴うことなくパターン形成された基板の乾燥が達成される。
この2つのステップの乾燥工程では、第1のステップにおける液相CO2はSCCO2よりも高い密度を有することからパターン形成された基板上で水及び/又はアルコールを溶媒和することが可能であるが、パターン形成された基板の乾燥を完了させるのにかかる接触は単独で十分でないことから、基板上の水及び/又はアルコールの完全な除去を行うのにパターン形成された基板をすすぐ第2のステップが用いられる。
図1に示されるタイプのパターン形成されたウエハーを用い、上記の2つのステップの乾燥工程における利点を明らかにした。
図1は、図2〜4に対する対照試料として利用された、パターン構造の詳細を示すパターン形成されたウエハーの走査型電子顕微鏡(SEM)写真である。
乾燥試験において、試験ウエハーを水中に、次いで純粋なアルコール中に数分間ずつ浸漬させ、次いでウエハーを乾燥のために洗浄チャンバ内に置いた。
第1の試験ウエハーを風乾した。図2は、ウエハーのかかる風乾後での図1で示されるタイプのパターン形成されたウエハーのSEM写真である。図2に示される如く、水とアルコールは完全に除去されず、かつこれらの汚染物質の残留量によってパターン構造の崩壊の発生が誘発された。
第2の試験ウエハーを、液体CO2を用いて乾燥させた。図3は、液体CO2を用いたウエハーのかかる乾燥後での図1に示されるタイプのパターン形成されたウエハーのSEM写真である。図3に示される如く、水とアルコールは完全に除去され、かつこれらの汚染物質の残留量によってパターン構造の高レベルの崩壊の発生が誘発された。
パターン形成されたウエハーを液体CO2に接触させる第1のステップ、及び第1の接触ステップ後にパターン形成されたウエハーを超臨界CO2に接触させる第2のステップを含む、上記の2つのステップの工程において第3の試験ウエハーを乾燥させた。図4は、最初に液体CO2、次いで超臨界CO2を用いてウエハーのかかる乾燥を行った後における図1に示されるタイプのパターン形成されたウエハーのSEM写真である。ウエハーのパターン構造は、この2つのステップの乾燥工程によって変化せず、かつ対照ウエハーに一致するようにパターンが保持された(図1と図4を比較されたし。)。
第1及び第2の各ステップにおける任意の適切なプロセス条件でかつ任意の適切な時間にわたり、上記の2つのステップの工程を実施することが可能である。一の実施形態では、第1の液体CO2の接触ステップを約20℃〜約30℃の範囲内の温度、約0.5〜約20分の範囲内の時間にわたって実施し、かつ第2のSCCO2の接触ステップを約32℃〜約75℃の範囲内の温度、約0.5〜約20分の範囲内の時間にわたって実施することが可能である。
さらに別の態様では、本発明では、パターン特徴の崩壊を伴うことなく効率的乾燥を得るための3つのステップの工程の一部として、超臨界流体をベースとする乾燥組成物の使用が検討される。
この乾燥工程では、適切な時間、例えば約1分〜約15分にわたって約1000psiを超える圧力およびCO2の臨界温度32℃未満の温度でパターン形成された基板がアルコールと接触される初期乾燥ステップが実施される。アルコールは、単一成分のアルコールか、又はアルコール種の混合物であってもよく、且つアルコールを、パターン形成された基板に接触させて再循環させるかあるいはバッチ又はセミバッチモードで接触させてもよい。
第2のステップは、アルコールの接触ステップ後に実施され、パターン形成された基板をアルコール/CO2溶液に接触させることで第1の接触ステップからアルコールを除去することを含む。好ましくは、この第2のステップは、パターン形成された基板を含む接触チャンバ内にわたるアルコール/CO2溶液の再循環によって実施されるが、ワンパス式またはバッチ若しくはセミバッチの操作モードで接触を行ってもよい。約0.5〜約20分の範囲内の時間にわたって約22℃〜約31℃の範囲内の温度で、第2のステップの接触を行ってもよい。第1のステップにおけるように、アルコールは、単一成分のアルコールか、又はアルコール種の混合物であってもよい。
第1及び第2の接触ステップにおいて使用されるアルコールは、互いに同じものであっても異なるものであってもよい。アルコールは任意の適切な種類であってもよい。本発明の一の実施形態では、かかるアルコールは、C1〜C4アルコール(すなわちメタノール、エタノール、プロパノール、若しくはブタノール)、又は2種類以上のかかるアルコール種の混合物を含有する。
第3のステップは、アルコール/CO2溶液の接触ステップ後に実施され、SCCO2によるパターン形成された基板のリンスを含む。かかる超臨界流体のリンスステップを、約0.5〜約30分の範囲内の時間にわたって約32℃〜約75℃の範囲内の温度及び約80〜約300atmの範囲内の圧力で実施してもよい。第1、第2及び第3の各ステップを、連続的な乾燥組成物の輸送用にかつ必要に応じて再循環用に弁、パイプ及びマニホールドを適切に設け、同じプロセス容器内で実施してもよい。
アルコールを任意の適切な濃度で用いると、アルコール/CO2溶液の調合が可能である。一の実施形態では、アルコール/CO2溶液中のアルコール濃度は、アルコール/CO2溶液中のアルコール及びCO2成分の総重量を基準にして約1〜約15重量%である。必要に応じて上で例示された成分など(例えば、共溶媒、活性剤、界面活性剤及び/又はキレート剤)の他の成分を用い、アルコール/CO2溶液を調合することも可能である。
本発明は、様々な特定の態様、特徴および実施形態に関して本明細書において記載されているが、本発明はこのように限定されないばかりか、本明細書における開示に基づき、それ自体が当業者に示唆を与える如く、他の変形形態、変更形態及び実施形態に拡大し、かつそれらを包含することが認識されるであろう。
したがって、本発明は、冒頭に特許請求される発明の趣旨及び範囲内で、すべてのかかる他の変形形態、変更形態及び実施形態を含むものとして幅広く理解され解釈されることを意図するものである。
Claims (45)
- パターン形成されたウエハーから水を除去するための前記パターン形成されたウエハーを乾燥させるための組成物であって、超臨界流体と、水よりも前記超臨界流体の中において溶解性を示す反応生成物を形成するように、水と化学的に反応する少なくとも1種類の水反応性物質と、を含む組成物。
- 前記超臨界流体は、二酸化炭素、酸素、アルゴン、クリプトン、キセノン、及びアンモニアからなる群から選択される超臨界流体種を含む、請求項1に記載の組成物。
- 前記超臨界流体が、二酸化炭素を含む、請求項1に記載の組成物。
- 前記少なくとも1種類の水反応性物質は、ハロゲン化アルデヒド及びケトンと;ハロゲン化ジケトンと;ハロゲン化エステルと;カルボン酸無水物と;シロキサンと;ハロゲン化シランとからなる群から選択される作用物質を含む、請求項1に記載の組成物。
- 前記少なくとも1種類の水反応性物質が、ヘキサフルオロアセトンと;(CH3CO)2Oと;1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4−ペンタンジオンとからなる群から選択される作用物質を含む、請求項1に記載の組成物。
- 前記少なくとも1種類の水反応性物質が、ヘキサフルオロアセトンを含む、請求項1に記載の組成物。
- 前記少なくとも1種類の水反応性物質が、1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4−ペンタンジオンを含む、請求項1に記載の組成物。
- 前記少なくとも1種類の水反応性物質の濃度は、前記超臨界流体及び前記水反応性物質の総重量を基準にして約0.01〜約10重量%の範囲内である、請求項1に記載の組成物。
- 前記超臨界流体が、SCCO2を含み、且つ、前記水反応性物質が、ヘキサフルオロアセトンを含む、請求項1に記載の組成物。
- パターン形成されたウエハーから水を除去するための前記パターン形成されたウエハーを乾燥させる方法であって、前記パターン形成されたウエハーを、前記超臨界流体と、水よりも超臨界流体の中に溶解性を示す反応生成物を形成するたように、水と化学的に反応する少なくとも1種類の水反応性物質と、を含む組成物に接触させるステップを含む、方法。
- 前記超臨界流体が、二酸化炭素、酸素、アルゴン、クリプトン、キセノン、及びアンモニアからなる群から選択される超臨界流体種を含む、請求項10に記載の方法。
- 前記超臨界流体が、二酸化炭素を含む、請求項10に記載の組成物。
- 前記少なくとも1種類の水反応性物質が、ハロゲン化アルデヒド及びケトンと;ハロゲン化ジケトンと;ハロゲン化エステルと;カルボン酸無水物と;シロキサンと;ハロゲン化シランとからなる群から選択される作用物質を含む、請求項10に記載の方法。
- 前記少なくとも1種類の水反応性物質が、ヘキサフルオロアセトンと;(CH3CO)2Oと;1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4−ペンタンジオンとからなる群から選択される作用物質を含む、請求項10に記載の方法。
- 前記少なくとも1種類の水反応性物質は、ヘキサフルオロアセトンを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記少なくとも1種類の水反応性物質が、1,1,1,5,5,5−ヘキサフルオロ−2,4−ペンタンジオンを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記少なくとも1種類の水反応性物質の濃度は、前記超臨界流体及び前記水反応性物質の総重量を基準にして約0.01〜約10.0重量%の範囲内である、請求項10に記載の方法。
- 前記超臨界流体が、SCCO2を含み、且つ前記水反応性物質が、ヘキサフルオロアセトンを含む、請求項10に記載の方法。
- 前記接触が、約20〜約60秒の時間にわたって行われる、請求項10に記載の方法。
- 前記接触は、前記組成物が導入される接触ゾーン内で行われる、請求項10に記載の方法。
- 前記組成物が、前記接触ゾーンを通過するように流される、請求項20に記載の方法。
- 前記組成物が、前記接触ゾーンを通過するように再循環される、請求項21に記載の方法。
- 所定の接触時間後、前記接触ゾーンが減圧されることでそこから前記組成物を排出する、請求項20に記載の方法。
- 前記接触ゾーンが、約10〜約40秒の範囲内の時間にわたって減圧されることで前記組成物を排出し、且つ水を前記接触ゾーンから除去する、請求項23に記載の方法。
- 前記接触が、前記パターン形成されたウエハーのパターンの崩壊を伴うことなく行われる、請求項10に記載の方法。
- パターン形成されたウエハーから水を除去するための前記パターン形成されたウエハーを乾燥させる方法であって、前記パターン形成されたウエハーを液体CO2を含む第1の組成物に接触させるステップと、その後に前記パターン形成された基板をSCCO2を含む第2の組成物に接触させるステップにより、前記パターン形成された基板の乾燥をそのパターンに損傷を与えることなく行うステップを含む、方法。
- 前記第1の組成物の接触ステップが、約20〜約30℃の範囲内の温度で行われる、請求項26に記載の方法。
- 前記第1の組成物の接触ステップが、約0.5〜約20分の範囲内の時間にわたって行われる、請求項27に記載の方法。
- 前記第2の組成物の接触ステップが、約32〜約75℃の範囲内の温度で行われる、請求項26に記載の方法。
- 前記第2の組成物の接触ステップが、約0.5〜約20分の範囲内の時間にわたって行われる、請求項29に記載の方法。
- 前記第1の組成物の接触ステップが、約0.5〜約20分の範囲内の時間にわたって約20〜約30℃の範囲内の温度で行われ、且つ前記第2の組成物の接触ステップが、約0.5〜約20分の範囲内の時間にわたって約32〜約75℃の範囲内の温度で行われる、請求項26に記載の方法。
- パターン形成されたウエハーから水を除去するための前記パターン形成されたウエハーを乾燥させる方法であって、(a)約1000psiを超える圧力及び32℃未満の温度で前記パターン形成されたウエハーをアルコールを含む第1の組成物に接触させるステップと、(b)前記パターン形成されたウエハーをアルコール/CO2溶液を含む第2の組成物に接触させるステップと、(c)前記パターン形成された基板を、SCCO2を含む第3の組成物に接触させるステップにより、前記パターン形成された基板の乾燥をそのパターンに損傷を与えることなく行うステップを含む、方法。
- 前記接触ステップ(a)が、約1〜約15分の時間にわたって行われる、請求項32に記載の方法。
- 前記第1の組成物の前記アルコールが、少なくとも1種類のC1〜C4アルコールを含む、請求項32に記載の方法。
- 前記第1の組成物の前記アルコールが、メタノールを含む、請求項32に記載の方法。
- 前記第1の組成物の前記アルコールが、前記第2の組成物のアルコールと同じである、請求項32に記載の方法。
- 前記第1の組成物が、前記パターン形成されたウエハーと接触して再循環される、請求項32に記載の方法。
- 前記第2の組成物が、前記パターン形成されたウエハーと接触して再循環される、請求項32に記載の方法。
- 前記第3の組成物が、前記パターン形成されたウエハーと接触して再循環される、請求項32に記載の方法。
- 前記接触ステップ(b)が、約22〜約31℃の範囲内の温度で行われる、請求項32に記載の方法。
- 前記接触ステップ(b)が、約0.5〜約20分の時間にわたって行われる、請求項32に記載の方法。
- 前記接触ステップ(c)が、約32〜約75℃の範囲内の温度で行われる、請求項32に記載の方法。
- 前記接触ステップ(c)が、約0.5〜約20分の時間にわたって行われる、請求項32に記載の方法。
- 前記第2の組成物中の前記アルコールの濃度は、その中の前記アルコール及び前記CO2の総重量を基準にして約1〜約15重量%の範囲内である、請求項32に記載の方法。
- 前記接触ステップ(a)、(b)及び(c)は同一チャンバ内で行われる、請求項32に記載の方法。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
PCT/US2004/014353 WO2005113167A1 (en) | 2004-05-07 | 2004-05-07 | Compositions and methods for drying patterned wafers during manufacture of integrated circuitry products |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007536730A true JP2007536730A (ja) | 2007-12-13 |
Family
ID=35428293
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2007511332A Withdrawn JP2007536730A (ja) | 2004-05-07 | 2004-05-07 | 集積回路製品を製造する間にパターン形成されたウエハーを乾燥させるための組成物及び方法 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
EP (1) | EP1765526A4 (ja) |
JP (1) | JP2007536730A (ja) |
CN (1) | CN1960813A (ja) |
WO (1) | WO2005113167A1 (ja) |
Families Citing this family (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8440573B2 (en) * | 2010-01-26 | 2013-05-14 | Lam Research Corporation | Method and apparatus for pattern collapse free wet processing of semiconductor devices |
TWI826650B (zh) * | 2012-11-26 | 2023-12-21 | 美商應用材料股份有限公司 | 用於高深寬比半導體元件結構具有污染物去除之無黏附乾燥處理 |
US10283344B2 (en) | 2014-07-11 | 2019-05-07 | Applied Materials, Inc. | Supercritical carbon dioxide process for low-k thin films |
US10026629B2 (en) * | 2014-10-17 | 2018-07-17 | Tokyo Electron Limited | Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium storing substrate liquid processing program |
KR102055712B1 (ko) | 2015-10-04 | 2019-12-13 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 감소된 용적의 처리 챔버 |
JP6644881B2 (ja) | 2015-10-04 | 2020-02-12 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 高アスペクト比フィーチャ向けの乾燥プロセス |
JP6556945B2 (ja) | 2015-10-04 | 2019-08-07 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドApplied Materials,Incorporated | 基板支持とバッフルの装置 |
KR102189211B1 (ko) | 2015-10-04 | 2020-12-09 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 작은 열 질량의 가압 챔버 |
Family Cites Families (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US5730874A (en) * | 1991-06-12 | 1998-03-24 | Idaho Research Foundation, Inc. | Extraction of metals using supercritical fluid and chelate forming legand |
US6187911B1 (en) * | 1998-05-08 | 2001-02-13 | Idaho Research Foundation, Inc. | Method for separating metal chelates from other materials based on solubilities in supercritical fluids |
US6576066B1 (en) * | 1999-12-06 | 2003-06-10 | Nippon Telegraph And Telephone Corporation | Supercritical drying method and supercritical drying apparatus |
US6558475B1 (en) * | 2000-04-10 | 2003-05-06 | International Business Machines Corporation | Process for cleaning a workpiece using supercritical carbon dioxide |
AU2002211258A1 (en) * | 2000-09-26 | 2002-04-08 | North Carolina State University | Phosphate fluorosurfactants for use in carbon dioxide |
US6602351B2 (en) * | 2001-02-15 | 2003-08-05 | Micell Technologies, Inc. | Methods for the control of contaminants following carbon dioxide cleaning of microelectronic structures |
JP2004527110A (ja) * | 2001-02-15 | 2004-09-02 | マイセル・テクノロジーズ,インコーポレイテッド | マイクロエレクトロニック構造体を洗浄する方法 |
US6398875B1 (en) * | 2001-06-27 | 2002-06-04 | International Business Machines Corporation | Process of drying semiconductor wafers using liquid or supercritical carbon dioxide |
US6782900B2 (en) * | 2001-09-13 | 2004-08-31 | Micell Technologies, Inc. | Methods and apparatus for cleaning and/or treating a substrate using CO2 |
US7326673B2 (en) * | 2001-12-31 | 2008-02-05 | Advanced Technology Materials, Inc. | Treatment of semiconductor substrates using long-chain organothiols or long-chain acetates |
US6764552B1 (en) * | 2002-04-18 | 2004-07-20 | Novellus Systems, Inc. | Supercritical solutions for cleaning photoresist and post-etch residue from low-k materials |
US6846380B2 (en) * | 2002-06-13 | 2005-01-25 | The Boc Group, Inc. | Substrate processing apparatus and related systems and methods |
JP3920738B2 (ja) * | 2002-08-22 | 2007-05-30 | 株式会社神戸製鋼所 | 微細構造体の乾燥方法 |
-
2004
- 2004-05-07 CN CNA2004800432546A patent/CN1960813A/zh active Pending
- 2004-05-07 EP EP04751653A patent/EP1765526A4/en not_active Withdrawn
- 2004-05-07 WO PCT/US2004/014353 patent/WO2005113167A1/en active Application Filing
- 2004-05-07 JP JP2007511332A patent/JP2007536730A/ja not_active Withdrawn
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1765526A1 (en) | 2007-03-28 |
EP1765526A4 (en) | 2007-11-14 |
CN1960813A (zh) | 2007-05-09 |
WO2005113167A1 (en) | 2005-12-01 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
US7011716B2 (en) | Compositions and methods for drying patterned wafers during manufacture of integrated circuitry products | |
JP3978023B2 (ja) | 高圧処理方法 | |
US7326673B2 (en) | Treatment of semiconductor substrates using long-chain organothiols or long-chain acetates | |
US20040050406A1 (en) | Compositions and method for removing photoresist and/or resist residue at pressures ranging from ambient to supercritical | |
KR20050074511A (ko) | 포토레지스트를 제거하기 위한 초임계 이산화탄소/케미컬조성물 | |
KR20060135037A (ko) | 이온―주입 포토레지스트 제거를 위한 비―플루오르화물함유 초임계 유체 조성물 | |
US20040011386A1 (en) | Composition and method for removing photoresist and/or resist residue using supercritical fluids | |
JPH1099806A (ja) | 化学的誘導及び抽出による無機汚染物質の除去方法 | |
JP2007526623A (ja) | 半導体ウエハの高効率洗浄/研摩のための組成物および方法 | |
JP2004519863A (ja) | 微細構造体から残留物を除去する方法および装置 | |
KR20050059329A (ko) | 미세구조체의 세정방법 | |
JP2007536730A (ja) | 集積回路製品を製造する間にパターン形成されたウエハーを乾燥させるための組成物及び方法 | |
US6905556B1 (en) | Method and apparatus for using surfactants in supercritical fluid processing of wafers | |
KR20050001797A (ko) | 미세 전자 소자 기판으로부터 포토레지스트 또는 유기물을세정하는 방법 | |
KR20090025689A (ko) | 초임계이산화탄소 내에서 공용매와 첨가제를 이용하여고이온주입된 포토레지스트의 제거방법 | |
KR20070008703A (ko) | 집적회로 제품의 제조시 패턴화된 웨이퍼의 건조를 위한조성물 및 방법 | |
JP3754209B2 (ja) | レジスト除去方法 | |
Marsella et al. | Stripping and Cleaning for advanced photolithography applications | |
Jung et al. | Carbonized Photoresist Stripping using Supercritical Carbon Dioxide | |
Hess et al. | Dependence of Photoresist and Etch Residue Removal on CO2 Pressure in Alcohol-Based Gas-Expanded Liquids | |
Korzenski et al. | Chemical additive formulations for silicon surface cleaning in supercritical carbon dioxide | |
JP2006140469A (ja) | 残留物除去用組成物 | |
JP2005048189A (ja) | 残留物除去用組成物 | |
JP2008010533A (ja) | レジストパターンの除去方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A761 | Written withdrawal of application |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A761 Effective date: 20090507 |