JP2004047980A - 微細構造体の洗浄方法および洗浄剤組成物 - Google Patents
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- 238000004140 cleaning Methods 0.000 title claims abstract description 146
- 239000000203 mixture Substances 0.000 title claims abstract description 51
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 45
- 239000012459 cleaning agent Substances 0.000 title abstract 3
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 120
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 60
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 60
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 35
- 239000003112 inhibitor Substances 0.000 claims abstract description 22
- LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N Ethanol Chemical compound CCO LFQSCWFLJHTTHZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 41
- DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N Propylene glycol Chemical compound CC(O)CO DNIAPMSPPWPWGF-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 24
- 150000005846 sugar alcohols Polymers 0.000 claims description 23
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 21
- MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N methyl 2-amino-5-methoxybenzoate Chemical compound COC(=O)C1=CC(OC)=CC=C1N MOVBJUGHBJJKOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 19
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 16
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 12
- 239000012530 fluid Substances 0.000 claims description 12
- FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylacetamide Chemical compound CN(C)C(C)=O FXHOOIRPVKKKFG-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 11
- KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N Isopropanol Chemical compound CC(C)O KFZMGEQAYNKOFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 claims description 9
- 239000003599 detergent Substances 0.000 claims description 9
- 125000005207 tetraalkylammonium group Chemical group 0.000 claims description 9
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N propan-1-ol Chemical compound CCCO BDERNNFJNOPAEC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 8
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 7
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 claims description 7
- ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N Formamide Chemical compound NC=O ZHNUHDYFZUAESO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N N-methylformamide Chemical compound CNC=O ATHHXGZTWNVVOU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N N-methylacetamide Chemical compound CNC(C)=O OHLUUHNLEMFGTQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 abstract description 3
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 40
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 19
- LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N Ethylene glycol Chemical compound OCCO LYCAIKOWRPUZTN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 13
- ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N N,N-Dimethylformamide Chemical compound CN(C)C=O ZMXDDKWLCZADIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 7
- 229910021641 deionized water Inorganic materials 0.000 description 7
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 7
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 6
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 6
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 6
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 5
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 5
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 5
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 5
- CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N Acetone Chemical compound CC(C)=O CSCPPACGZOOCGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 4
- 239000008367 deionised water Substances 0.000 description 4
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 3
- 239000000356 contaminant Substances 0.000 description 3
- MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol Chemical compound OCCOCCO MTHSVFCYNBDYFN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- 229920001451 polypropylene glycol Polymers 0.000 description 3
- FHCUSSBEGLCCHQ-UHFFFAOYSA-M 2-hydroxyethyl(trimethyl)azanium;fluoride Chemical compound [F-].C[N+](C)(C)CCO FHCUSSBEGLCCHQ-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N Dimethylsulphoxide Chemical compound CS(C)=O IAZDPXIOMUYVGZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N Glycerine Chemical compound OCC(O)CO PEDCQBHIVMGVHV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N fluoromethane Chemical compound FC NBVXSUQYWXRMNV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 2
- 239000011229 interlayer Substances 0.000 description 2
- ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N isobutanol Chemical compound CC(C)CO ZXEKIIBDNHEJCQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000463 material Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 230000035699 permeability Effects 0.000 description 2
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 2
- 239000011148 porous material Substances 0.000 description 2
- 230000008569 process Effects 0.000 description 2
- YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N propane-1,3-diol Chemical compound OCCCO YPFDHNVEDLHUCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- FPGGTKZVZWFYPV-UHFFFAOYSA-M tetrabutylammonium fluoride Chemical compound [F-].CCCC[N+](CCCC)(CCCC)CCCC FPGGTKZVZWFYPV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 2
- BYEAHWXPCBROCE-UHFFFAOYSA-N 1,1,1,3,3,3-hexafluoropropan-2-ol Chemical compound FC(F)(F)C(O)C(F)(F)F BYEAHWXPCBROCE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZWVMLYRJXORSEP-UHFFFAOYSA-N 1,2,6-Hexanetriol Chemical compound OCCCCC(O)CO ZWVMLYRJXORSEP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 2-(2-methoxyethoxy)ethanol Chemical compound COCCOCCO SBASXUCJHJRPEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RWLALWYNXFYRGW-UHFFFAOYSA-N 2-Ethyl-1,3-hexanediol Chemical compound CCCC(O)C(CC)CO RWLALWYNXFYRGW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N Pentane-1,5-diol Chemical compound OCCCCCO ALQSHHUCVQOPAS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002202 Polyethylene glycol Substances 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N Trimethylolpropane Chemical compound CCC(CO)(CO)CO ZJCCRDAZUWHFQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009471 action Effects 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 150000003973 alkyl amines Chemical class 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- OWBTYPJTUOEWEK-UHFFFAOYSA-N butane-2,3-diol Chemical compound CC(O)C(C)O OWBTYPJTUOEWEK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 230000001276 controlling effect Effects 0.000 description 1
- 239000006184 cosolvent Substances 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 1
- XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N diethylene glycol monoethyl ether Chemical compound CCOCCOCCO XXJWXESWEXIICW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229940075557 diethylene glycol monoethyl ether Drugs 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N dipropylene glycol Chemical compound OCCCOCCCO SZXQTJUDPRGNJN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 1
- 229960005082 etohexadiol Drugs 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 125000000524 functional group Chemical group 0.000 description 1
- 235000011187 glycerol Nutrition 0.000 description 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
- 125000004836 hexamethylene group Chemical group [H]C([H])([*:2])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])C([H])([H])[*:1] 0.000 description 1
- 238000011086 high cleaning Methods 0.000 description 1
- WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N hydroxyacetaldehyde Natural products OCC=O WGCNASOHLSPBMP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 1
- 238000001459 lithography Methods 0.000 description 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 1
- 239000012788 optical film Substances 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000000149 penetrating effect Effects 0.000 description 1
- WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N pentaerythritol Chemical compound OCC(CO)(CO)CO WXZMFSXDPGVJKK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 1
- 239000004033 plastic Substances 0.000 description 1
- 229920003023 plastic Polymers 0.000 description 1
- 239000002798 polar solvent Substances 0.000 description 1
- 229920001223 polyethylene glycol Polymers 0.000 description 1
- 238000011084 recovery Methods 0.000 description 1
- 229920006395 saturated elastomer Polymers 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 1
- 239000004094 surface-active agent Substances 0.000 description 1
- 150000005622 tetraalkylammonium hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- QSUJAUYJBJRLKV-UHFFFAOYSA-M tetraethylazanium;fluoride Chemical compound [F-].CC[N+](CC)(CC)CC QSUJAUYJBJRLKV-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- POSYVRHKTFDJTR-UHFFFAOYSA-M tetrapropylazanium;fluoride Chemical compound [F-].CCC[N+](CCC)(CCC)CCC POSYVRHKTFDJTR-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
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- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
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- H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
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- C11D7/00—Compositions of detergents based essentially on non-surface-active compounds
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- G03F7/422—Stripping or agents therefor using liquids only
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- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
- G03F7/42—Stripping or agents therefor
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Abstract
【解決手段】微細構造体から残渣を除去するための洗浄方法であって、
二酸化炭素と、残渣除去用洗浄成分と、液状残渣の発生を抑制するための抑制剤と、洗浄成分と抑制剤とを加圧下で流体状の二酸化炭素に溶解させるための相溶化剤とを含む洗浄剤組成物を調製する工程と、洗浄剤組成物と微細構造体とを接触させることにより微細構造体から残渣を除去する工程とを含むことを特徴とする微細構造体の洗浄方法である。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、表面が微細な構造である構造体(微細構造体)から残渣を除去するための洗浄方法および洗浄用組成物に関し、特に、半導体製造プロセス中で生成する残存レジスト等の残渣を、微細な凹凸部を有する半導体ウエハ表面から除去するために有用な洗浄方法および洗浄用組成物に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
半導体製造プロセスの中では、残渣を除去する工程が必要である。この残渣には、例えば、フォトレジスト、UVで硬化したレジスト、X線で硬化したレジスト、灰化(アッシング)レジスト、フルオロカーボン含有ポリマー、プラズマエッチング残渣、半導体製造プロセス中に混入した有機または無機系の不純物等が含まれる。これらの残渣の除去には、通常、ドライ除去方法、あるいはウエット除去方法が用いられ、ウエット除去方法においては、半導体ウエハの表面から上記残渣を除去するための除去剤を含んだ薬液(剥離液;水溶液等)の中に、半導体ウエハが浸漬される。
【0003】
近年では、低粘度で浸透力に優れた超臨界二酸化炭素が上記薬液(剥離液)として使用されている。超臨界二酸化炭素による洗浄は、その特性の故に、微細構造体を処理するのにいくつかの有利な点がある。例えば、微細構造の微小部分への高い浸透力がある点や、超臨界状態のときは液液界面を経由せずに微細構造体を乾燥させる点などである。
【0004】
しかしながら、超臨界二酸化炭素は、単独では、残渣を半導体ウエハ表面から除去することのできる力が不足するため、適宜添加剤が超臨界二酸化炭素に添加することが提案されている。例えば特許文献1には、メタンや、CFx官能基を有する界面活性剤を、超臨界状態の二酸化炭素に対する添加剤として用いることが開示されている。また、特許文献2には、ジメチルスルホキシドやジメチルホルムアミドを、上記添加剤として使用することが開示されている。
【0005】
しかし、本発明者等が検討したところ、これらの添加剤は、残渣を常に充分除去できる訳ではなく、低誘電率層間絶縁膜が形成されている半導体ウエハを、水やアルカリ化合物とが含まれる超臨界流体を用いて洗浄処理した場合、ウエハの品質が低下してしまうという問題が発生した。この問題は、水や塩基性物質が低誘電率層間絶縁膜(特に、誘電率が4以下の絶縁膜、以下この絶縁膜をLow−k膜という)にダメージを与えるためであると考えられる。
【0006】
【特許文献1】
特開平10−125644号
【特許文献2】
特開平8−101963号
【0007】
【発明が解決しようとする課題】
そこで本発明では、Low−k膜に対して重大なダメージを与えない新規で効果的な洗浄方法を提供することを目的としている。すなわち、本発明は、Low−k膜に対して重大なダメージを与えずに、微細構造体の表面から残渣を効率よく除去するための洗浄方法と洗浄組成物を提供することを課題とした。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明の微細構造体から残渣を除去するための洗浄方法の第1のパターンは、
二酸化炭素と、残渣除去用洗浄成分と、液状残渣の発生を抑制するための抑制剤と、洗浄成分と抑制剤とを加圧下で流体状の二酸化炭素に溶解させるための相溶化剤とを含む洗浄剤組成物を調製する工程と、
洗浄剤組成物と微細構造体とを接触させることにより微細構造体から残渣を除去する工程とを含むところに要旨を有する。
【0009】
また、二酸化炭素と、残渣除去用洗浄成分と、この洗浄成分を加圧下で流体状の二酸化炭素に溶解させるための相溶化剤とを含む洗浄剤組成物を調製する工程と、
洗浄剤組成物と微細構造体とを接触させることにより微細構造体から残渣を除去する工程と、
その後、25℃で1気圧での比誘電率が78以上のリンス成分を含むリンス液で微細構造体をリンスするリンス工程を行う洗浄方法によっても、本発明の課題を解決することができる。
【0010】
上記洗浄成分としては、テトラアルキルアンモニウムフルオライドを用いることが好ましく、テトラメチルアンモニウムフルオライドを用いることがより好ましい。洗浄成分の適量は、洗浄剤組成物中0.001〜0.1質量%である。
【0011】
一方、上記抑制剤は、多価アルコールが好ましく、2価アルコールがより好ましく、プロピレングリコールが最も好ましい。
【0012】
リンス工程で用いられるリンス成分としては、水、ホルムアミド、メチルホルムアミド、メチルアセトアミドよりなる群から選択される1種以上の化合物が好ましい。
【0013】
本発明の洗浄剤組成物は、高圧下で流体状の二酸化炭素、フッ素含有洗浄成分、このフッ素含有洗浄成分を溶解することのできる相溶化剤または相溶化剤の混合物、および抑制剤を含むものである。
【0014】
上記フッ素含有洗浄成分は、テトラアルキルアンモニウムフルオライドが好ましく、テトラメチルアンモニウムフルオライドがより好ましい。
【0015】
上記相溶化剤としては、エタノール、メタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノールおよびジメチルアセトアミドのいずれかであるか、またはこれらのうちの2種以上の混合物であることが好ましく、上記相溶化剤が、エタノールとジメチルアセトアミドの混合物であると、より好ましい。なお、上記抑制剤としてはプロピレングリコールが好ましい。
【0016】
【発明の実施の形態】
本発明の洗浄方法の対象は微細構造体であり、例えば、微細な凹凸がその表面に形成された半導体ウエハ、特に、従来の洗浄剤組成物ではダメージを受けやすいLow−k膜が形成された半導体ウエハに適用することが好ましい。適用可能なLow−k膜としては、ハイブリッド型MSQ(メチルシルセスキオキサン)系のLow−k膜(例えば、JSR社の「JSR LKD」シリーズ等)、CVD法によるSi系Low−k膜(例えば、Applied Materials社の「Black Diamond」等)、有機系Low−k膜(例えば、ダウ・ケミカル社の「SiLK」(登録商標)、ハネウェル社の「FLARE」(登録商標))等が挙げられる。Low−k膜は、スピンオン方式で形成されたもの、CVD法で形成されたもの等、いずれでも構わない。また、多孔質膜(ポーラスタイプ)であっても、本発明法であればポア内に不純物を残すことがないため、好ましく適用できる。なお、本発明の洗浄方法の対象は半導体ウエハに限定されず、金属、プラスチック、セラミックス等の各種基材の上に、異種物質の非連続または連続層が形成もしくは残留しているような洗浄対象物であれば、本発明の洗浄方法の対象とすることができる。
【0017】
まず、本発明の洗浄方法に用いられる洗浄剤組成物について説明する。この洗浄剤組成物には、高圧下で流体状の二酸化炭素と、残渣を除去するための添加剤(洗浄成分)と、残渣へのダメージを抑制するための抑制剤と、これらの洗浄成分と抑制剤とを加圧下で流体状の二酸化炭素に溶解させるための相溶化剤(co−solvent)が含まれる。
【0018】
二酸化炭素を高圧で利用するのは、拡散係数が高く、溶解した残渣等の汚染物質を媒体中に分散することができるためであり、さらに高圧にして超臨界流体にした場合には、構造体の微細なパターン部分にも容易に浸透することができるようになるためである。従って、洗浄成分が低粘度の二酸化炭素によって、構造体表面の孔や凹部に容易に運ばれる。また、高圧流体の密度は、液体に近く、気体に比べて遙かに大量の添加剤(薬液)を含むことができる。ここで、二酸化炭素は、5MPa以上に加圧されていることが好ましく、超臨界流体とするには31℃、7.1MPa以上とすればよい。
【0019】
本発明の洗浄剤組成物に含まれる洗浄成分としては、残渣等の汚染物質を微細構造体から除去できる化合物であれば特に限定されず、アルキルアミン等の公知の洗浄化合物が利用できる。本発明では、洗浄能力が高い点で、フッ素含有洗浄成分が好ましく、テトラアルキルアンモニウムフルオライドが最も好ましい洗浄成分として挙げられる。テトラアルキルアンモニウムフルオライドの具体例は、テトラメチルアンモニウムフルオライド、テトラエチルアンモニウムフルオライド、テトラプロピルアンモニウムフルオライド、テトラブチルアンモニウムフルオライド、コリンフルオライド(フッ化コリン:[HOCH2CH2N(CH3)3]+F−)等であり、これらを単独で、または2種以上混合して用いることができる。中でも、テトラメチルアンモニウムフルオライド(TMAF)が最も好ましい。
【0020】
洗浄成分は、洗浄剤組成物100質量%中、0.001質量%以上含まれていることが好ましい。0.001質量%より少ないと、洗浄が不充分となって、残渣を完全に除去できないおそれがある。より好ましい洗浄成分量の下限は0.005質量%、さらに好ましい下限は0.01質量%である。ただし0.1質量%を超えて含有させると、Low−k膜をエッチングしてしまう等、Low−k膜にダメージを与えるため、0.1質量%以下にすることが好ましい。より好ましい洗浄成分量の上限は0.05質量%、さらに好ましい上限は0.03質量%である。
【0021】
本発明法で用いられる洗浄剤組成物には、多価アルコールが含まれていることが好ましい。多価アルコールは、フルオライド類等の洗浄成分がLow−k膜に与える重大なダメージを抑制する抑制剤として作用するためである。本発明者等が種々の洗浄成分について研究を行っていたときに、Low−k膜が形成された微細構造体の洗浄終了後、微細パターンの周囲に液状残渣が付着・残存している微細構造体が何例か認められた。この液状残渣は、Low−k膜の一部と、洗浄成分に含まれた化合物との間のエッチング反応によって生成した副生物であると考えられる。このようなLow−k膜からの副生物が二酸化炭素に容易に溶解しなかったため、副生物が除去できず、液状残渣として現れたと考えられた。
【0022】
そこで、さらに本発明者等が検討を続けた結果、多価アルコールが洗浄剤組成物に含まれている場合は、上記液状残渣の量が低減することが認められた。このため、本発明では、洗浄剤組成物に、Low−k膜をダメージから守る抑制剤として、多価アルコールを必須成分として含めることとしたのである。さらなる検討によってもLow−k膜のダメージをなぜ多価アルコールが抑制することができたのかは明確ではないが、多価アルコールがLow−k膜に吸着することにより、洗浄成分によるLow−k膜の化学的攻撃(エッチング等)を防御するのではないかと考えられる。
【0023】
多価アルコールとしては、エチレングリコール、プロピレングリコール、トリメチレングリコール、ジエチレングリコール、ジプロピレングリコール、1,2−または1,3−または1,4−または2,3−ブタンジオール、ペンタメチレングリコール、ヘキシレングリコール、オクチレングリコール等の2価アルコール;グリセリン、トリメチロールプロパン、1,2,6−ヘキサントリオール等の3価アルコール、ペンタエリスリトール等の4価アルコール等がいずれも使用可能である。また、ポリエチレングリコール、ポリプロピレングリコール等も用いることができる。これらの中では2価アルコールが好ましく、エチレングリコールとプロピレングリコールが最も好ましい。多価アルコールは2種以上を併用しても良い。
【0024】
多価アルコールの量が少なすぎると、Low−k膜の保護効果が不充分となって、液状残渣の量が増大するおそれがあるので、多価アルコールは、洗浄剤組成物100質量%中、0.005質量%以上含まれていることが好ましい。より好ましい多価アルコール量の下限は0.007質量%、さらに好ましい下限は0.01質量%である。ただし0.1質量%を超えて含有させても、Low−k膜の保護効果が飽和してしまうため、多価アルコール量の上限は0.1質量%以下にすることが好ましい。より好ましい多価アルコールの上限は0.07質量%、さらに好ましい上限は0.05質量%である。
【0025】
前記したTMAF等の洗浄成分は、高圧下の二酸化炭素流体単独には溶解しにくく、抑制剤の多価アルコールにも、二酸化炭素に溶けにくいものがあるので、洗浄剤組成物にはこれらを二酸化炭素に溶かすための相溶化剤を添加することが好ましい。この「相溶化剤」とは、二酸化炭素と洗浄成分との両方に対し親和性を有している化合物である。この相溶化剤の存在によって、高圧下で流体状の二酸化炭素に、洗浄成分を均一に溶解または分散させることができる。このような化合物であれば相溶化剤としては特に限定されないが、アルコール類が好ましい。アルコールの具体例としては、メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノール、イソブタノール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ヘキサフルオロイソプロパノール等が挙げられる。中でも、メタノール、エタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノール等が好ましく、特に、メタノール、エタノール、イソプロパノールは、洗浄成分の種類にかかわらず相溶化作用に優れていて、さらに好ましい。
【0026】
相溶化剤は、洗浄成分の種類および量に応じて、種類を選択したり使用量を増減することが好ましい。洗浄成分の量に対し、相溶化剤が5質量倍以上存在していると二酸化炭素に均一に溶解し易く、系が透明となる。通常、相溶化剤は、洗浄剤組成物100質量%中、1〜50質量%の範囲で適宜選択すればよい。相溶化剤が50質量%を超えると、結果的に二酸化炭素の量が少なくなって浸透性が悪くなるおそれがある。好ましい洗浄剤組成物は、二酸化炭素と、相溶化剤としてのアルコールと、洗浄成分としてのテトラアルキルアンモニウムフルオライドおよび/またはテトラアルキルアンモニウムヒドロキサイドを含むものであり、これらの洗浄成分は、相溶化剤であるアルコールの存在下で二酸化炭素によく溶け、二酸化炭素への親和性が高いからである。
【0027】
また、洗浄成分としてTMAFを用いる場合、TMAFは常温で固体なため、予め、TMAFを上記相溶化剤に溶解させておく必要があるが、このとき、ジメチルアセトアミド(DMAC)等のアルキルアセトアミドや水(脱イオン水;DIW)のような溶解補助剤(相溶化剤の1種)を用いて、TMAFを二酸化炭素に溶け易くさせることもできる。このような溶解補助剤は、TMAF量に対し、合計で5質量倍以上、20質量倍以下用いることが好ましい。なお、水は、Low−k膜にダメージを加えることがあるので、少量にとどめる方が好ましい。
【0028】
以上説明した洗浄剤組成物を用いて、微細構造体を洗浄するための具体的な方法を、以下、図面を用いて説明する。なお、以下の説明では便宜上、洗浄剤組成物中、二酸化炭素以外の成分、すなわち、洗浄成分、抑制剤、相溶化剤、必要により用いられる溶解補助剤の混合物を「洗浄液」と言う。
【0029】
図1は、本発明の洗浄方法を実施するための洗浄装置の一例である。1は二酸化炭素ボンベ、2は二酸化炭素送液用高圧ポンプ、3は洗浄液用タンク、4は洗浄液用送液ポンプ、5は切り替えバルブ、6はリンス成分用タンク、7はリンス成分用送液ポンプ、8は切り替えバルブ、9は高圧容器、10は恒温槽である。まず、洗浄対象物である微細構造体(例えば、表面に残渣を有する半導体ウエハ等)を高圧容器9の中に入れる。次いで、液化二酸化炭素ボンベ1から、高圧ポンプ2で二酸化炭素を高圧容器9へと供給して圧力を調整しながら、恒温槽10により高圧容器9を所定の温度に制御し、高圧容器9内部の二酸化炭素を超臨界状態に維持する。恒温槽10に代えて、高圧容器9として加熱装置付きのものを用いても良い。次いで、洗浄液をタンク3から高圧容器9へ高圧ポンプ4を用いて導入することにより、洗浄工程を始める。このとき、二酸化炭素と洗浄液の送給は、連続的に行うものでも、所定の圧力に達した段階で送給を止めるバッチ式であっても、いずれでも良い。
【0030】
洗浄工程は、31〜120℃で行う。31℃よりも低いと、洗浄が終了するのに時間がかかり、効率が低くなるが、120℃を超えても洗浄効率の向上が認められない上、エネルギー的に無駄である。圧力は、5〜30MPaが好ましく、より好ましくは7.1〜20MPaで行う。洗浄に要する時間は、微細構造体の大きさや汚染物質の量等に応じて適宜変更すればよいが、1分〜数十分程度で充分である。
【0031】
洗浄を行った後は、リンス工程を行う。洗浄工程で表面から除去された残渣等は、洗浄工程後も高圧容器9の内部に残存している。ここで、高圧容器9の内部に二酸化炭素のみを流通させると、残渣等が微細構造体の表面に再付着してしまうおそれがある。このため、洗浄工程終了後は、まず二酸化炭素とリンス成分との混合物による第1リンス工程を行い、第1リンス工程が終了したら、二酸化炭素のみによる第2リンス工程を行う。
【0032】
ここで、第1リンス工程に用いられるリンス成分として好ましいのは、特に、液状残渣を除去できる化合物である。本発明者等の検討によれば、比誘電率が水と同等以上である化合物がリンス成分に適していることが明らかとなった。すなわち、25℃、大気圧下では、水の比誘電率は78であるので、比誘電率78以上の化合物をリンス化合物として用いる。比誘電率が水と似ていることが要求されるのは、前記Low−k膜のエッチングによって生成した副生物である液状残渣の極性が高く、極性の高い溶媒に対する親和性が高いためである。
【0033】
一方、上記のように、多価アルコールは抑制剤として本発明の洗浄剤組成物に望ましい成分ではあるが、Low−k膜のダメージによる副生物を抑制するために洗浄成分を少なくした場合には、洗浄剤組成物に多価アルコールを配合せずに洗浄を行い、その後、比誘電率78以上のリンス成分と二酸化炭素による第1リンス工程の時間を長めに(例えば10分以上)行ってもよい。ただし、第1リンス工程を短時間(例えば5分以内)で済ませるためには、洗浄成分と多価アルコールを併用して、液状残渣の発生を抑制することが好ましい。
【0034】
第1リンス工程は、具体的には、洗浄液の送給を切り替えバルブ5によって止め、二酸化炭素とリンス成分を高圧容器9へ導入しながら、高圧容器9内部の溶液を高圧容器9から導出させる。流速を制御するために流量計12を用いてもよい。第1リンス工程では、切り替えバルブ8を用いて、徐々にまたは段階的にリンス成分の送給量を低減させ、次に、二酸化炭素のみを用いる第2リンス工程を行うとよい。
【0035】
洗浄工程および第1リンス工程で導出された液体は、例えば気液分離装置等からなる二酸化炭素回収工程において、ガス状二酸化炭素と、液状成分とに分離できるので、各成分を回収して再利用することが可能である。
【0036】
第2リンス工程終了後は、圧力調整弁11によって高圧容器9の内部を常圧にすると、二酸化炭素は、ほとんど瞬時に気体になって蒸発するので、半導体ウエハ等の微細構造体は、その表面にシミ(ウオーターマーク)等が生じることもなく、また、微細パターンが破壊されることもなく、乾燥する。
【0037】
以下実施例によって本発明をさらに詳述する。本発明は、添付の図面を参照して充分に説明されているが、下記実施例は本発明を制限するものではなく、前・後記の趣旨を逸脱しない範囲で、当業者に自明の多種の変更や変形は全て本発明の技術範囲に包含される。なお、特に断らない限り、「部」は「質量部」、「%」は「質量%」を示す。
【0038】
【実施例】
実験例1
まず、洗浄液がLow−k膜に与えるダメージを調べるため、Low−k膜のエッチレートを測定した。Siウエハ上に、スピンオン方式で、有機シリコーン系MSQ原料を塗布・加熱して、MSQ系ポーラスLow−k膜を形成した。Low−k膜の膜厚は約5000Å、誘電率(K値)は2〜3程度であった。図1に示した洗浄装置を用い、Low−k膜が形成されたウエハを高圧容器9の中へ置き、高圧容器9の蓋を閉じ、液化二酸化炭素ボンベ1から、ポンプ2で二酸化炭素を高圧容器9へと供給して圧力を調整しながら、恒温槽10により高圧容器9を50℃に保持した。圧力は圧力調整弁11で制御し、15MPaに到達した後、洗浄液をタンク3からポンプ4を用いて高圧容器9へ導入した。10分間洗浄処理を行った後、第1リンス工程を5分間行い、さらに二酸化炭素のみの第2リンス工程を10分間行った。なお、第1リンス工程のリンス液は、0.5%の脱イオン水と、4.5%のエタノールと、95%の二酸化炭素からなるものを用いた。
【0039】
第2リンス工程が終了した後、圧力調整弁11を開けて高圧容器9内の圧力を常圧に戻し、ウエハを取り出した。この洗浄処理前の膜厚、および処理後の膜厚を光学式膜厚計で測定し、膜厚の減少分を洗浄処理時間(10分間)で割った値をエッチレート(Å/min)とした。結果を表1に示した。
【0040】
なお、表中の略語は以下の意味である。
TMAF:テトラメチルアンモニウムフルオライド
EG:エチレングリコール
PG:ポリプロピレングリコール
EtOH:エタノール
DMAC:ジメチルアセトアミド
DIW:脱イオン水
【0041】
【表1】
【0042】
実験例2
実験例1と同様にして、Low−k膜が形成されたウエハを作成した。このウエハ表面に、ラインとスペース(幅180nm)が交互に現れるArF用レジストパターンをリソグラフィにより形成し、フルオロカーボン系ガスによるエッチングと、酸素プラズマによるアッシング処理を施した。実験例1と同条件で表2に示した組成の洗浄液で1分間の洗浄処理を行った後、表2に示したリンス成分を用いて第1リンス工程を5分間または10分間行い、さらに二酸化炭素のみの第2リンス工程を10分間行った。なお、第1リンス工程のリンス液は、表2に示したリンス成分0.5%と、4.5%のエタノールと、95%の二酸化炭素からなるものである。
【0043】
続いて、圧力調整弁11を開けて高圧容器9内の圧力を常圧に戻し、洗浄処理後のウエハを取り出した。パターンのライン表面にポリマー残渣が残存しているかどうかと、Low−k膜のエッチングによって液状残渣が発生したか、またそれが除去されたかを、電子顕微鏡で5万倍で観察し、下記基準で判断して結果を表2に併記した。
【0044】
優秀:残渣が全く認められない
普通:残渣の残存率が、ウエハの片面のうちの1%(面積比率)未満である
悪い:残渣が、ウエハの片面のうち1%(面積比率)以上残っている。
【0045】
なお、表中の略語は、以下の意味である。
TMAF:テトラメチルアンモニウムフルオライド
EG:エチレングリコール
PG:ポリプロピレングリコール
EtOH:エタノール
DMAC:ジメチルアセトアミド(ε=39)
DIW:脱イオン水
DMF:ジメチルホルムアミド(ε=36.2)
MeOH:メタノール(ε=42)
Acetone:アセトン(ε=21)
H2O:水(ε=78)
FA:ホルムアミド(ε=111)
MF:メチルホルムアミド(ε=182)
【0046】
【表2】
【0047】
【発明の効果】
本発明の洗浄方法によれば、液状二酸化炭素に加えて、多価アルコール等の抑制剤を含む洗浄剤組成物を用いたので、洗浄成分によってダメージを受けやすいLow−k膜を保護することができた。また、リンス成分を適宜選択することで、Low−k膜がダメージを受けて発生する液状残渣をきれいに除去することも可能となった。従って、本発明の洗浄方法は、半導体ウエハのような微細なパターンを有する微細構造体の洗浄方法として最適である。
【図面の簡単な説明】
【図1】
本発明の洗浄方法を実施するための洗浄装置の一例を示す説明図である。
【符号の説明】
1 二酸化炭素ボンベ
2 二酸化炭素送液用高圧ポンプ
3 洗浄液用タンク
4 洗浄液用送液ポンプ
5 切り替えバルブ
6 リンス成分用タンク
7 リンス成分用送液ポンプ
8 切り替えバルブ
9 高圧容器
10 恒温槽
11 圧力調整弁
12 流量計
Claims (23)
- 微細構造体から残渣を除去するための洗浄方法であって、
二酸化炭素と、残渣除去用洗浄成分と、液状残渣の発生を抑制するための抑制剤と、洗浄成分と抑制剤とを加圧下で流体状の二酸化炭素に溶解させるための相溶化剤とを含む洗浄剤組成物を調製する工程と、
洗浄剤組成物と微細構造体とを接触させることにより微細構造体から残渣を除去する工程とを含むことを特徴とする微細構造体の洗浄方法。 - 上記洗浄成分として、テトラアルキルアンモニウムフルオライドを用いるものである請求項1に記載の微細構造体の洗浄方法。
- 上記洗浄成分として、テトラメチルアンモニウムフルオライドを用いるものである請求項1または2に記載の微細構造体の洗浄方法。
- 上記洗浄成分が洗浄剤組成物中0.001〜0.1質量%含まれているものである請求項1〜3のいずれかに記載の微細構造体の洗浄方法。
- 上記抑制剤が、多価アルコールである請求項1〜4のいずれかに記載の微細構造体の洗浄方法。
- 上記多価アルコールが、2価アルコールである請求項5に記載の微細構造体の洗浄方法。
- 上記2価アルコールが、プロピレングリコールである請求項6に記載の微細構造体の洗浄方法。
- 微細構造体から残渣を除去するための洗浄方法であって、
二酸化炭素と、残渣除去用洗浄成分と、この洗浄成分を加圧下で流体状の二酸化炭素に溶解させるための相溶化剤とを含む洗浄剤組成物を調製する工程と、
洗浄剤組成物と微細構造体とを接触させることにより微細構造体から残渣を除去する工程と、
その後、25℃で1気圧での比誘電率が78以上のリンス成分を含むリンス液で微細構造体をリンスするリンス工程を行うことを特徴とする微細構造体の洗浄方法。 - リンス成分として、水、ホルムアミド、メチルホルムアミド、メチルアセトアミドよりなる群から選択される1種以上の化合物を用いるものである請求項8に記載の微細構造体の洗浄方法。
- 上記洗浄剤組成物に、液状残渣の発生を抑制するための抑制剤が含まれている請求項8または9に記載の微細構造体の洗浄方法。
- 上記洗浄成分として、テトラアルキルアンモニウムフルオライドを用いるものである請求項8〜10のいずれかに記載の微細構造体の洗浄方法。
- 上記洗浄成分として、テトラメチルアンモニウムフルオライドを用いるものである請求項8〜11のいずれかに記載の微細構造体の洗浄方法。
- 上記洗浄成分が洗浄剤組成物中0.001〜0.1質量%含まれているものである請求項8〜12のいずれかに記載の微細構造体の洗浄方法。
- 上記抑制剤が、多価アルコールである請求項10に記載の微細構造体の洗浄方法。
- 上記多価アルコールが、2価アルコールである請求項14に記載の微細構造体の洗浄方法。
- 上記2価アルコールが、プロピレングリコールである請求項15に記載の微細構造体の洗浄方法。
- 二酸化炭素、フッ素含有洗浄成分、このフッ素含有洗浄成分を溶解することのできる相溶化剤または相溶化剤の混合物、および抑制剤を含むことを特徴とする微細構造体の洗浄剤組成物。
- 上記フッ素含有洗浄成分が、テトラアルキルアンモニウムフルオライドである請求項17に記載の微細構造体の洗浄剤組成物。
- 上記テトラアルキルアンモニウムフルオライドが、テトラメチルアンモニウムフルオライドである請求項18に記載の微細構造体の洗浄剤組成物。
- 上記相溶化剤が、エタノール、メタノール、n−プロパノール、イソプロパノール、n−ブタノールおよびジメチルアセトアミドのいずれかであるか、またはこれらのうちの2種以上の混合物である請求項17〜19のいずれかに記載の微細構造体の洗浄剤組成物。
- 上記相溶化剤が、エタノールとジメチルアセトアミドの混合物である請求項20に記載の微細構造体の洗浄剤組成物。
- 上記抑制剤としてプロピレングリコールを含む請求項17〜21のいずれかに記載の微細構造体の洗浄剤組成物。
- 二酸化炭素、テトラメチルアンモニウムフルオライド、エタノール、ジメチルアセトアミド、およびプロピレングリコールを含むことを特徴とする微細構造体の洗浄剤組成物。
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/152,782 US20030217764A1 (en) | 2002-05-23 | 2002-05-23 | Process and composition for removing residues from the microstructure of an object |
Related Child Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004249222A Division JP2005089746A (ja) | 2002-05-23 | 2004-08-27 | 微細構造体の洗浄剤組成物 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004047980A true JP2004047980A (ja) | 2004-02-12 |
JP2004047980A5 JP2004047980A5 (ja) | 2005-06-09 |
JP4256722B2 JP4256722B2 (ja) | 2009-04-22 |
Family
ID=29400523
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003146503A Expired - Fee Related JP4256722B2 (ja) | 2002-05-23 | 2003-05-23 | 微細構造体の洗浄方法 |
JP2004249222A Pending JP2005089746A (ja) | 2002-05-23 | 2004-08-27 | 微細構造体の洗浄剤組成物 |
Family Applications After (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004249222A Pending JP2005089746A (ja) | 2002-05-23 | 2004-08-27 | 微細構造体の洗浄剤組成物 |
Country Status (9)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US20030217764A1 (ja) |
EP (2) | EP1453080B1 (ja) |
JP (2) | JP4256722B2 (ja) |
KR (2) | KR100562597B1 (ja) |
CN (2) | CN1563315A (ja) |
AT (1) | ATE322740T1 (ja) |
DE (2) | DE60304389T2 (ja) |
SG (1) | SG128463A1 (ja) |
TW (2) | TWI231824B (ja) |
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US9896648B2 (en) | 2016-03-02 | 2018-02-20 | The Procter & Gamble Company | Ethoxylated diols and compositions containing ethoxylated diols |
US9790454B2 (en) | 2016-03-02 | 2017-10-17 | The Procter & Gamble Company | Compositions containing alkyl sulfates and/or alkoxylated alkyl sulfates and a solvent comprising a diol |
US9840684B2 (en) | 2016-03-02 | 2017-12-12 | The Procter & Gamble Company | Compositions containing alkyl sulfates and/or alkoxylated alkyl sulfates and a solvent comprising a diol |
KR101966808B1 (ko) | 2016-09-30 | 2019-04-08 | 세메스 주식회사 | 기판 세정 조성물, 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치 |
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- 2002-05-23 US US10/152,782 patent/US20030217764A1/en not_active Abandoned
-
2003
- 2003-05-19 SG SG200402532A patent/SG128463A1/en unknown
- 2003-05-21 CN CNA2004100621728A patent/CN1563315A/zh active Pending
- 2003-05-21 CN CNB031378153A patent/CN100499018C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2003-05-22 TW TW092113865A patent/TWI231824B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-05-22 EP EP04010688A patent/EP1453080B1/en not_active Expired - Fee Related
- 2003-05-22 DE DE60304389T patent/DE60304389T2/de not_active Expired - Lifetime
- 2003-05-22 DE DE60306617T patent/DE60306617T2/de not_active Expired - Fee Related
- 2003-05-22 EP EP03011130A patent/EP1365441B1/en not_active Expired - Lifetime
- 2003-05-22 AT AT03011130T patent/ATE322740T1/de not_active IP Right Cessation
- 2003-05-22 TW TW093118357A patent/TWI249573B/zh not_active IP Right Cessation
- 2003-05-22 KR KR1020030032526A patent/KR100562597B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2003-05-23 JP JP2003146503A patent/JP4256722B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2004
- 2004-04-13 US US10/822,804 patent/US7220714B2/en not_active Expired - Lifetime
- 2004-04-27 KR KR1020040028938A patent/KR100551864B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-08-27 JP JP2004249222A patent/JP2005089746A/ja active Pending
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JP7284460B2 (ja) | 2019-11-20 | 2023-05-31 | 日産化学株式会社 | 洗浄剤組成物の製造方法、洗浄剤組成物入り容器の製造方法及び洗浄剤組成物を容器に充填して保存する方法 |
JP7492197B2 (ja) | 2019-11-20 | 2024-05-29 | 日産化学株式会社 | 仮接着剤残留物の洗浄剤組成物の製造方法、仮接着剤残留物の洗浄剤組成物入り容器の製造方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN100499018C (zh) | 2009-06-10 |
KR20030091746A (ko) | 2003-12-03 |
US20040192572A1 (en) | 2004-09-30 |
TWI249573B (en) | 2006-02-21 |
KR100562597B1 (ko) | 2006-03-17 |
EP1453080A1 (en) | 2004-09-01 |
DE60306617T2 (de) | 2007-07-05 |
EP1365441B1 (en) | 2006-04-05 |
TW200424307A (en) | 2004-11-16 |
SG128463A1 (en) | 2007-01-30 |
DE60306617D1 (de) | 2006-08-17 |
EP1365441A1 (en) | 2003-11-26 |
US20030217764A1 (en) | 2003-11-27 |
KR20040040425A (ko) | 2004-05-12 |
TW200400258A (en) | 2004-01-01 |
ATE322740T1 (de) | 2006-04-15 |
CN1494954A (zh) | 2004-05-12 |
TWI231824B (en) | 2005-05-01 |
US7220714B2 (en) | 2007-05-22 |
DE60304389D1 (de) | 2006-05-18 |
KR100551864B1 (ko) | 2006-02-13 |
EP1453080B1 (en) | 2006-07-05 |
DE60304389T2 (de) | 2007-02-01 |
JP4256722B2 (ja) | 2009-04-22 |
CN1563315A (zh) | 2005-01-12 |
JP2005089746A (ja) | 2005-04-07 |
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JP2008010533A (ja) | レジストパターンの除去方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040730 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040827 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20060306 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20081017 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20081021 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20081218 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20090127 |
|
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20090130 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20120206 Year of fee payment: 3 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20130206 Year of fee payment: 4 |
|
FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20140206 Year of fee payment: 5 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |