CN1642665A - 用超临界工艺清除杂质 - Google Patents

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CN1642665A CNA038065770A CN03806577A CN1642665A CN 1642665 A CN1642665 A CN 1642665A CN A038065770 A CNA038065770 A CN A038065770A CN 03806577 A CN03806577 A CN 03806577A CN 1642665 A CN1642665 A CN 1642665A
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C·J·阿雷纳－福斯特
A·W·奥特雷
P·施林
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Abstract

公开了一种清洁物体表面的方法。该物体放在压力腔的支撑区上(10)，然后给压力腔加压(20)，执行清洁工艺(30)，执行一系列的减压循环(40)，然后放空压力腔(50)。

Description

用超临界工艺清除杂质
相关申请
本申请要求根据U.S.C119(e)35的共同拥有和待批的美国临时专利申请的优先权，上述临时申请是序列号为60/367537，于2002年3月22日提交，名为“超临界二氧化碳处理后避免产生工件的杂质的方法”的申请，在此处全文引为参考。
技术领域
本发明涉及在半导体器件或其它物体的加工过程中清除残余物和杂质的领域。更加特别地，本发明涉及利用超临界二氧化碳从半导体晶片、基片和要求低杂质标准的其它平面介质上清除光致抗蚀剂、光致抗蚀剂残渣、以及其它残余物和杂质。
背景技术
集成电路的制造包括在晶片表面上和其中形成电活性区的半导体晶片上构成图案层。作为加工工艺的一部分，使用被称为光刻法和光掩模的掩模工艺将某一图案转印到晶片上。掩模包括通过各种适当的方法将光致反应聚合物或光致抗蚀剂应用于晶片上，比如通过旋转晶片将液态光致抗蚀剂统一散布在其表面上的方法。在典型的半导体加工工艺中，反复多次应用掩模工艺。在同一晶片上可能以各种组合应用于阳性或阴性的光致抗蚀剂层。
典型地，涂于晶片上的光致抗蚀剂被加热或“轻烤”来提高光致抗蚀剂对基片表面的粘附力。光校准器将晶片对准光掩模，以使涂于晶片上的一部分光致抗蚀剂暴露于高能光下，因此潜图像的图案形成于光致抗蚀剂层中。然后用显影剂显影光致抗蚀剂的曝光部分。当使用阳性光致抗蚀剂时，光致抗蚀剂的显影部分因在高能光下曝光而被溶解。相反地，当使用阴性光致抗蚀剂时，那么光致抗蚀剂的未显影部分被溶解。执行洗涤和清洗步骤有选择地清除被溶解的光致抗蚀剂。执行干燥步骤。典型地，通过紫外线辐射硬化保留有光致抗蚀剂的表面。然后实施蚀刻工艺，其中未受保护(即未涂光致抗蚀剂的)的基片、介电或传导层通过各种适当的方法被清除，比如通过等离子灰化/蚀刻或湿性化学蚀刻的方法。
当在半导体器件加工中实施蚀刻工艺时，为了获取高产量，期望从蚀刻表面上清除残余物和杂质。一般通过公知的剥离方法来清除光致抗蚀剂、光致抗蚀剂残渣、其它残余物和诸如残余的蚀刻反应物及其副产物的杂质。当前的剥离方法包括干性化学清除方法和湿性化学清除方法。干性化学清除方法通常指用干性化学药品在气态等离子状态下与某一表面接触，从而清除残余的蚀刻工艺材料。湿性化学清除方法通常指液态化学溶液与某一表面接触的方法。
例如，当前的湿性清除技术包括要求将半导体晶片浸入到公知作为剥离器的化学混合物池槽中的方法。所述池槽可增加加热和超声功能。典型地，池槽实施浸泡时间二十到三十分钟可完全清除光致抗蚀剂和光致抗蚀剂残渣。在其它的湿性清除方法中，当已搅拌的液体或喷射液在晶片表面上经过时，残余物被清除。当前方法也可通过旋转半导体晶片，同时喷射清洁溶液到晶片上清洗表面，然后旋转甩干晶片来实施。另外，例如名为“在半导体表面上清洗蚀刻反应物/生成物的方法”的美国专利申请No.09/816956中所述，当喷射清洁溶液时旋转晶片然后旋转甩干晶片的技术也包括带有氮净化的旋转甩干晶片。
令人遗憾的是，干性和湿性清除方法不能足够地清除具有高纵横比开口特征的半导体器件结构上的残余物和杂质，特别是当临界尺寸在亚微米范围，比如低于0.25微米时。例如，正如于2001年6月5日授权给Vaartstra的名为“清除有机材料的超临界混合物及其使用方法”的美国专利No.6242165所讨论的那样，传统的剥离技术不能足够地清除硬化的光致抗蚀剂和/或侧壁上沉积的抗蚀剂或残余物，或者不能足够地清除具有低于0.25微米的临界尺寸的器件结构上难以触及的缝隙或沟槽中的残余物。由于表面张力和毛细管作用，清除抗蚀剂或残余物的溶解方法是有限的，因此不能有效地对沟槽和缝隙实施湿性化学方法。正如6242165专利所描述，因为利用等离子灰化工艺不能轻易地清除等离子蚀刻副产物和结构侧壁相互作用而形成的侧壁聚合物，所以干性技术也不能完全清除在缝隙或沟槽中的抗蚀剂或残余物。
半导体加工中多种工艺步骤逐渐增大了清除光致抗蚀剂的难度。例如，通过活性离子蚀刻或离子注入方法进行光致抗蚀剂表面硬化增大了清除抗蚀剂或残余物的难度。另外，例如，轻烤和紫外线辐射的硬化步骤可能引起光致抗蚀剂的化学变化，从而增大了利用当前剥离技术清除残余物和杂质的难度。
有关当前剥离技术的其它问题包括水和化学药品的成本，环境保护团体对半导体工业的压力，以及清洁房工作引起健康问题的雇员诉讼。因此，开发更加有效和不妨害生态环境的剥离方法，从而减少安全事故的发生，以及减小半导体器件加工中使用化学药品和水的用量，这在半导体加工领域中具有相当大的吸引力。
超临界流体
在超临界状态下的流体被称为超临界流体。流体在压力和温度的混合作用下进入超临界状态，此时流体的密度接近于液体的密度。超临界流体与合成物在液体状态下混合时具有典型的高溶剂化和溶解特性，超临界流体也具有合成物在气体状态下低粘度的特性。
使用超临界流体能从表面上清除残余物或从多种材料中萃取杂质。例如，正如于2002年4月9日授权给Marshall等的名为“利用自然对流和由温度引起溶解浓度变化而清除杂质的装置”的美国专利No.6367491所描述，超临界和接近超临界流体作为溶剂从物件中清除杂质，例如，在NASA技术摘要MFS-29611(1990年12月)中描述了利用超临界二氧化碳作为传统地被用于洗涤金属部件表面上有机和无机杂质的碳氢化合物溶剂的替代物。
超临界流体已被用于清洁半导体晶片。例如，在1990年7月31日授权给Nishikawa等的名为“在超临界气体中加工物件的方法”的美国专利No.4944837中披露了使用超临界二氧化碳清除曝光的有机光致抗蚀剂膜层的方法。在半导体器件和其它物体的加工过程中需要更加有效且具有成本效益的剥离方法，该方法使用超临界二氧化碳清除广义范围的有机和无机材料，比如随同离子化合物的高分子极性和非极性化合物。
需要具有更好效益和效率的清除方法，该方法从半导体晶片、基片和要求低杂质标准的其它平面介质上清除光致抗蚀剂、光致抗蚀剂残渣、以及其它残余物和杂质。
发明内容
本发明的第一实施例是用于清除某一物体表面上杂质的一种方法。该物体被放在压力腔的支撑区上，然后给压力腔加压，执行清洁工艺，执行一系列的减压循环，然后放空压力腔。
本发明的第二实施例是用于清除某一物体表面上杂质的一种方法。该物体被放在压力腔的支撑区上，然后给压力腔加压，执行清洁工艺，然后向压力腔加压使清洁化学药品从压力腔中被推出，执行一系列的减压循环，然后放空压力腔。
本发明的第三实施例是用于清除半导体晶片表面上杂质的一种方法。晶片被放在压力腔的支撑区上，然后给压力腔加压至足够形成超临界流体的第一压强。向压力腔注入清洁化学药品，压力腔中的压强增至第二压强，使清洁化学药品在压力腔中循环流动，压力腔中的压强增加致使清洁化学药品从压力腔中被推出，执行一系列的减压循环，然后放空压力腔。
本发明的第四实施例是用于清除某一物体表面上杂质的装置。压力腔包含一物体支撑件。向压力腔加压的装置。执行清洁工艺的装置。执行一系列减压循环的装置。放空压力腔的装置。
附图说明
参考附图可更好地理解本发明，其中：
图1是一幅显示按照本发明清洁物体表面的一种方法的工艺流程的流程图。
图2是一幅描述与图1所示工艺流程(100)中执行清洁工艺(30)步骤相应的清洁工艺(30a)的流程图。
图3也是一幅描述与图1所示执行清洁工艺(30)步骤相应的清洁工艺(30b)的流程图。
图4是为了描述本发明的一种方法的压强/时间曲线图。
具体实施方式
参考附图进一步详细直观地描述了本发明的各种实施例。本发明的阐述范围并不局限于此处提出的实施例。因此，进一步详细的描述不包含限制的意思，而且本发明的范围通过附属的权利要求来限定。
本发明旨在提出一种清洁物体表面的工艺，比如该物体是用于在半导体器件加工领域中公知的蚀刻工艺的半导体基片。
一般通过公知的剥离方法来清除光致抗蚀剂、光致抗蚀剂残渣、以及其它残余物和诸如残余的蚀刻反应物及其副产物的杂质。特别是当临界尺寸在亚微米级范围之内时，当前的剥离技术不能足够地清除硬化的光致抗蚀剂和/或侧壁上沉积的抗蚀剂或残余物，或者不能足够地清除位于器件结构上难以触及的缝隙或沟槽中的残余物和杂质。例如，由于表面张力和毛细管作用，清除抗蚀剂或残余物的溶解方法是有限的，因此不能有效地对沟槽和缝隙实施湿性化学方法。诸如通过紫外线辐射，活性离子蚀刻或离子注入方法进行表面硬化光致抗蚀剂的半导体加工工艺逐渐增大了利用当前剥离方法清除残余物和杂质的难度。
为了克服在现有技术中面临的清除光致抗蚀剂、光致抗蚀剂残渣、以及其它残余物和诸如残余的蚀刻反应物及其副产物的杂质所存在的问题，开发了更加有效和不妨害生态环境的清洁工艺和装置，其能减少安全事故的发生，以及减小在半导体器件和其它物体的加工过程中使用化学物品和水的用量。按照本发明中所述的方法和装置，在清洁工艺中使用低粘度、高溶性和增溶性的超临界二氧化碳。
根据本发明的目的，“二氧化碳”应被理解在液态、气态或超临界(包括接近超临界)状态作为流体使用的二氧化碳(CO2)。“液态二氧化碳”是指在气—液均衡条件下的CO2。如果使用液态CO2，那么应用温度优选低于30.5℃。此处的“超临界二氧化碳”是指高于临界温度(30.5℃)和临界压强(7.38MPa)条件下的CO2。当CO2承受的压强和温度分别高于7.38MPa和30.5℃时，相应来说，它就被规定为处于超临界状态。“接近超临界二氧化碳”是指在大约85％的绝对临界温度和临界压力条件下的CO2。
在优选实施例中，液态或超临界二氧化碳可作为合成物被提供。优选用于本发明方法和装置的液态或超临界CO2可包括超临界CO2和清洁化学药品。优选地，清洁化学药品提高了超临界CO2促使两性分子物种和杂质混合的特性，同时提高了其在充满化学药品的超临界CO2中清除杂质的特性。应该认识到，在提供合成物的实施例中，本发明中该合成物的主要成份是液态或超临界CO2。
利用本发明的工艺和装置能清洁各种物体，比如基片和其它平面介质。根据本发明目的，“清洁”应该被理解为与本领域中传统的清洁方法一致。正如在此处应用的“基片”，其包括各种各样的结构，比如带有沉积光致抗蚀剂或残余物的半导体器件结构。基片可以是单层材料，比如硅晶片，或者包含多层。基片可由包括金属、陶瓷、玻璃或它们的混合物的多种材料组成。
利用本发明的方法和装置可有效地清除各种各样的材料，例如，根据本发明能清除光致抗蚀剂、光致抗蚀剂的残余物、包含由氧化蚀刻工艺或等离子蚀刻工艺产生的聚合物的碳化氟，以及其它残余物和诸如残余的蚀刻反应物及其副产物的杂质。尤其是本发明能很好地清除紫外线辐射的硬化光致抗蚀剂，活性离子蚀刻或离子注入的硬化抗蚀剂，以及位于具有低于0.25微米临界尺寸的器件结构上缝隙或沟槽中残余物和杂质。
图1显示按照本发明清洁物体表面的一种方法的工艺流程(100)。该物体被放在压力腔的支撑区上(10)，然后给压力腔加压(20)，执行清洁工艺(30)，执行一系列的减压循环(40)，然后压力腔被通风至大气压强(50)。
压力腔可通过气态、液态、超临界或接近超临界CO2加压。优选地，压力腔通过CO2加压至2500psi。
优选地，用于工艺流程(100)的温度范围在大约30℃到250℃之间。在一优选的实施例中，在压力腔中支撑区的温度使物体保持于最小冷凝状态，为了使物体达到最小冷凝状态，支撑区的温度优选地高于压力腔中CO2的温度。更优选地，在压力腔中支撑区的温度保持在65℃左右。
图2是一幅描述与图1所示工艺流程(100)中执行清洁工艺(30)步骤相应的清洁工艺(30a)的流程图。所述清洁工艺(30a)包括向压力腔注入清洁化学药品(31)，向压力腔加压(32)，并且使清洁化学药品在压力腔中循环流动(33)。
压力腔可通过气态、液态、超临界或接近超临界二氧化碳加压(32)。优选地，压力腔通过CO2加压(32)至2800psi。在优选实施例中，清洁化学药品在压力腔中循环流动(33)一段时间来清除杂质。根据本发明的目的，“杂质”是指广义范围的有机和无机材料，比如高分子极性和非极性化合物，随同离子化合物、光致抗蚀剂、光致抗蚀剂残渣以及诸如残余的蚀刻反应物及其副产物的其它残余物，或者它们的混合物。优选地，清除杂质的时间大约为三分钟。更优选地，这段清除杂质的时间大约为两分钟。应该认识到，在实施例中，清洁化学药品在压力腔中循环流动一段时间来清除杂质，所述的“杂质”至少是杂质的一部分。
如图1所示，执行一系列的减压循环(40)，优选地包括执行至少两次减压循环。更优选地，执行一系列的减压循环(40)包括执行一系列的减压循环(40)以致于使压力腔中的压强高于超临界压强。进一步更优选地，执行一系列的减压循环(40)包括执行一系列的减压循环以致于在每次减压循环中压强从约2900psi开始降至2500psi左右。应该认识到，在实施减压循环的实施例中，所述的“减压循环”是指减压和增压循环。
图3也是一幅描述与图1所示工艺流程(100)中执行清洁工艺(30)步骤相应的清洁工艺(30b)的流程图。所述清洁工艺(30b)包括向压力腔注入清洁化学药品(34)，向压力腔加压(35)，使清洁化学药品在压力腔中循环流动(36)，并且向压力腔加压使清洁化学药品从压力腔中被推出(37)。压力腔可通过气态、液态、超临界或接近超临界二氧化碳加压。优选地，压力腔通过CO2被加压至3000psi来将清洁化学药品从压力腔中推出(37)。
按照本发明，图4描述了从半导体晶片的表面上清除杂质的方法。晶片被放在压力腔的支撑区上，然后给压力腔加压至足够形成超临界流体的第一压强。向压力腔注入清洁化学药品，压力腔中的压强增至第二压强，使清洁化学药品在压力腔中循环流动，压力腔中的压强增加致使清洁化学药品从压力腔中被推出，执行一系列的减压循环，然后放空压力腔。
另一优选实施例是用于从物体的表面上清除杂质的装置。该装置包括含有物体支撑件的高压工艺腔(“压力腔”)。有关压力腔的细节已在共同拥有和待批的美国专利申请中公开，其中序列号为09/912844，于2001年7月24日提交，名为“用于半导体基片的高压工艺腔”的申请，以及序列号为09/970309，于2001年10月3日提交的，名为“用于多层半导体基片的高压工艺腔”的申请，在此处全文引为参考。液态或超临界CO2供应容器借助CO2泵和管道系统与压力腔连接，使液态或超临界二氧化碳输入压力腔中。液态或超临界CO2可预先加压。应该认识到，在提供合成物的实施例中，使用其它部件来提供清洁化学药品。提供向压力腔加压的装置，比如泵。提供执行清洁工艺的装置，提供执行一系列减压循环的装置，提供放空压力腔的装置。在实施例中，液态或超临界CO2的循环用于提供一封闭系统。
本发明的方法和装置是用于从物体表面上清除杂质的更加有效和不妨害生态环境的清洁工艺和装置，其能减少安全事故的发生，以及减小在半导体器件的加工过程中使用化学药品和水的用量，并且绝对适合于用作传导层和基片的镀金晶片。
尽管通过实例已详细描述了本发明工艺和装置，然而本发明工艺和装置并不局限于此。那些没有脱离被附属权利要求限定的本发明宗旨和范围的前述优选实施例的各种变形对于本领域技术人员来说是显而易见的。

Claims (45)

1.一种清洁物体表面的方法，包括：
a.将物体放在压力腔的支撑区上；
b.给上述压力腔加压；
c.执行清洁工艺；
d.执行一系列的减压循环；并且
e.放空压力腔。
2.如权利要求1所述的方法，其中所述物体是选自金属、陶瓷、玻璃或它们的复合混合物的基片。
3.如权利要求1所述的方法，其中在所述压力腔中支撑区的温度使物体保持最小冷凝。
4.如权利要求3所述的方法，其中向所述压力腔加压包括通过气态、液态、超临界或接近超临界二氧化碳向所述压力腔加压，并且其中在所述压力腔中支撑区的温度高于所述二氧化碳的温度。
5.如权利要求3所述的方法，其中在所述压力腔中支撑区的温度保持在65℃左右。
6.如权利要求1所述的方法，其中所述物体的表面支撑有光致抗蚀剂残余物。
7.如权利要求1所述的方法，其中所述物体的表面支撑有蚀刻反应物/副产物的残余物。
8.如权利要求1所述的方法，其中向所述压力腔加压包括通过气态、液态、超临界或接近超临界二氧化碳向所述压力腔加压。
9.如权利要求8所述的方法，其中通过二氧化碳向压力腔加压包括通过二氧化碳将压力腔加压至2500psi。
10.如权利要求1所述的方法，其中执行清洁工艺包括：
a.向所述压力腔注入清洁化学药品；
b.给所述压力腔加压；并且
c.使清洁化学药品在所述压力腔中循环流动。
11.如权利要求10所述的方法，其中向所述压力腔加压包括通过气态、液态、超临界或接近超临界二氧化碳向所述压力腔加压。
12.如权利要求10所述的方法，其中通过二氧化碳向压力腔加压包括通过二氧化碳将压力腔加压至2800psi。
13.如权利要求10所述的方法，其中在所述压力腔中循环流动清洁化学药品包括将清洁化学药品在压力腔中循环流动一段时间来清除物体表面上的杂质。
14.如权利要求13所述的方法，其中所述一段时间约等于三分钟。
15.如权利要求13所述的方法，其中所述一段时间约等于两分钟。
16.如权利要求10所述的方法，其中执行清洁工艺进一步包括向压力腔中加压致使清洁化学药品从压力腔中被推出。
17.如权利要求16所述的方法，其中向压力腔中加压致使清洁化学药品从压力腔中被推出包括通过气态、液态、超临界或接近超临界二氧化碳向所述压力腔加压致使清洁化学药品从压力腔中被推出。
18.如权利要求17所述的方法，其中通过二氧化碳向压力腔加压包括通过二氧化碳将压力腔加压至3000psi。
19.如权利要求1所述的方法，其中执行一系列的减压循环包括执行至少两次减压循环。
20.如权利要求1所述的方法，其中执行一系列的减压循环包括执行一系列的减压循环以致于在每次减压循环中压强从约2900psi开始降至2500psi左右。
21.如权利要求1所述的方法，其中执行一系列的减压循环包括执行一系列的减压循环以致于压力腔中的压强高于超临界压强。
22.一种清除物体表面上至少一部分材料的方法，所述材料是选自光致抗蚀剂、光致抗蚀剂残渣、蚀刻反应物/副产物的残余物及其结合的材料，包括：
a.将物体放在压力腔的支撑区上；
b.给上述压力腔加压；
c.执行清洁工艺；
d.执行一系列的减压循环；并且
e.放空压力腔。
23.一种清除物体表面上杂质的方法，包括：
a.将物体放在压力腔的支撑区上；
b.给上述压力腔加压；
c.执行清洁工艺；
d.向压力腔加压使清洁化学药品从压力腔中被推出
e.执行一系列的减压循环；并且
f.放空压力腔。
24.一种清除半导体晶片表面上杂质的方法，包括步骤如下：
a.将物体放在压力腔的支撑区上；
b.给压力腔加压至足够形成一种超临界流体的第一压强；
c.向压力腔注入清洁化学药品；
d.压力腔中的压强增至第二压强；
e.使清洁化学药品在压力腔中循环流动；
f.向压力腔加压使清洁化学药品从压力腔中被推出
g.执行一系列的减压循环；并且
h.放空压力腔。
25.如权利要求24所述的方法，其中执行一系列的减压循环以致于压力腔中的压强高于一种超临界压强。
26.一种清除物体表面上杂质的装置，包括：
a.包含有物体支撑件的压力腔；
b.向压力腔加压的装置；
c.执行清洁工艺的装置；
d.执行一系列减压循环的装置；并且
e.放空压力腔的装置。
27.如权利要求26所述的装置，其中所述物体是选自金属、陶瓷、玻璃或它们的复合混合物的基片。
28.如权利要求26所述的装置，其中用于支撑物体的装置温度使物体保持最小冷凝。
29.如权利要求26所述的装置，其中向所述压力腔加压的装置包括通过气态、液态、超临界或接近超临界二氧化碳向所述压力腔加压的装置，并且其中在所述压力腔中支撑物体的装置温度高于所述二氧化碳的温度。
30.如权利要求26所述的装置，其中所述杂质是光致抗蚀剂残渣。
31.如权利要求26所述的装置，其中所述杂质是蚀刻反应物/副产物的残余物。
32.如权利要求26所述的装置，其中向所述压力腔加压的装置包括通过气态、液态、超临界或接近超临界二氧化碳向所述压力腔加压的装置。
33.如权利要求32所述的装置，其中通过二氧化碳向压力腔加压的装置包括通过二氧化碳将压力腔加压至2500psi的装置。
34.如权利要求26所述的装置，其中用于执行清洁工艺的装置包括；
a.向压力腔注入清洁化学药品的装置；
b.向压力腔加压的装置；并且
c.使清洁化学药品在压力腔中循环流动的装置。
35.如权利要求34所述的装置，其中向压力腔加压的装置包括通过气态、液态、超临界或接近超临界二氧化碳向所述压力腔加压的装置。
36.如权利要求35所述的装置，其中通过二氧化碳向压力腔加压的装置包括通过二氧化碳将压力腔加压至2800psi的装置。
37.如权利要求34所述的装置，其中在所述压力腔中循环流动清洁化学药品的装置包括将清洁化学药品在压力腔中循环流动一段时间来清除物体表面上杂质的装置。
38.如权利要求37所述的装置，其中所述一段时间约等于三分钟。
39.如权利要求37所述的装置，其中所述一段时间约等于两分钟。
40.如权利要求34所述的装置，其中执行清洁工艺的装置进一步包括向压力腔中加压致使清洁化学药品从压力腔中被推出的装置。
41.如权利要求40所述的装置，其中向压力腔中加压致使清洁化学药品从压力腔中被推出的装置包括通过气态、液态、超临界或接近超临界二氧化碳向所述压力腔加压致使清洁化学药品从压力腔中被推出的装置。
42.如权利要求41所述的装置，其中通过二氧化碳向压力腔加压的装置包括压力腔通过二氧化碳加压至3000psi的装置。
43.如权利要求26所述的装置，其中执行一系列的减压循环的装置包括执行至少两次减压循环的装置。
44.如权利要求26所述的装置，其中执行一系列的减压循环的装置包括执行一系列的减压循环以致于在每次减压循环中压强从约2900psi开始降至2500psi左右的装置。
45.如权利要求26所述的装置，其中执行一系列的减压循环的装置包括执行一系列的减压循环以致于压力腔中的压强高于超临界压强的装置。
CNA038065770A 2002-03-22 2003-03-21 用超临界工艺清除杂质 Pending CN1642665A (zh)

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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102346381A (zh) * 2010-07-30 2012-02-08 中国科学院微电子研究所 高温高压水辅助的超临界二氧化碳剥离光刻胶的装置及方法
CN103068496A (zh) * 2010-08-06 2013-04-24 英派尔科技开发有限公司 超临界惰性气体和清洗方法
CN114107958A (zh) * 2020-08-26 2022-03-01 圆益Ips股份有限公司 基板处理方法及其基板处理装置、半导体器件制造方法

Families Citing this family (12)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6858089B2 (en) * 1999-10-29 2005-02-22 Paul P. Castrucci Apparatus and method for semiconductor wafer cleaning
US7011716B2 (en) * 2003-04-29 2006-03-14 Advanced Technology Materials, Inc. Compositions and methods for drying patterned wafers during manufacture of integrated circuitry products
US20050288485A1 (en) * 2004-06-24 2005-12-29 Mahl Jerry M Method and apparatus for pretreatment of polymeric materials utilized in carbon dioxide purification, delivery and storage systems
DE102006061444A1 (de) * 2006-12-23 2008-06-26 Mtu Aero Engines Gmbh Verfahren und Vorrichtung zur Aufbringung eines Schutzmediums auf eine Turbinenschaufel sowie Verfahren zur Einbringung von Kühlbohrungen in eine Turbinenschaufel
TWI826650B (zh) 2012-11-26 2023-12-21 美商應用材料股份有限公司 用於高深寬比半導體元件結構具有污染物去除之無黏附乾燥處理
JP6703100B2 (ja) 2015-10-04 2020-06-03 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッドＡｐｐｌｉｅｄ Ｍａｔｅｒｉａｌｓ，Ｉｎｃｏｒｐｏｒａｔｅｄ 容積が縮小された処理チャンバ
WO2017062135A1 (en) 2015-10-04 2017-04-13 Applied Materials, Inc. Drying process for high aspect ratio features
WO2017062141A1 (en) 2015-10-04 2017-04-13 Applied Materials, Inc. Substrate support and baffle apparatus
KR102314667B1 (ko) 2015-10-04 2021-10-20 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 작은 열 질량의 가압 챔버
US11511350B2 (en) 2018-09-13 2022-11-29 Desktop Metal, Inc. Techniques for depowdering additively fabricated parts via rapid pressure change and related systems and methods
US11136674B2 (en) * 2018-12-21 2021-10-05 Raytheon Technologies Corporation Turbine blade internal hot corrosion oxide cleaning
JP2023036123A (ja) * 2021-09-02 2023-03-14 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置

Family Cites Families (95)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US2439689A (en) * 1948-04-13 Method of rendering glass
US2617719A (en) * 1950-12-29 1952-11-11 Stanolind Oil & Gas Co Cleaning porous media
US2993449A (en) * 1959-03-09 1961-07-25 Hydratomic Engineering Corp Motor-pump
US3135211A (en) * 1960-09-28 1964-06-02 Integral Motor Pump Corp Motor and pump assembly
US3642020A (en) * 1969-11-17 1972-02-15 Cameron Iron Works Inc Pressure operated{13 positive displacement shuttle valve
FR2128426B1 (zh) * 1971-03-02 1980-03-07 Cnen
US3890176A (en) * 1972-08-18 1975-06-17 Gen Electric Method for removing photoresist from substrate
US4341592A (en) * 1975-08-04 1982-07-27 Texas Instruments Incorporated Method for removing photoresist layer from substrate by ozone treatment
US4219333A (en) * 1978-07-03 1980-08-26 Harris Robert D Carbonated cleaning solution
US4349415A (en) * 1979-09-28 1982-09-14 Critical Fluid Systems, Inc. Process for separating organic liquid solutes from their solvent mixtures
US4475993A (en) * 1983-08-15 1984-10-09 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Extraction of trace metals from fly ash
US4877530A (en) * 1984-04-25 1989-10-31 Cf Systems Corporation Liquid CO2 /cosolvent extraction
US4749440A (en) * 1985-08-28 1988-06-07 Fsi Corporation Gaseous process and apparatus for removing films from substrates
US4925790A (en) * 1985-08-30 1990-05-15 The Regents Of The University Of California Method of producing products by enzyme-catalyzed reactions in supercritical fluids
EP0290098B1 (de) * 1987-05-07 1990-11-14 Micafil Ag Verfahren und Vorrichtung zum Extrahieren von Oel oder polychloriertem Biphenyl aus imprägnierten elektrischen Teilen mittels eines Lösungsmittels sowie Destillation des Lösungsmittels
DE3725565A1 (de) * 1987-08-01 1989-02-16 Peter Weil Verfahren und anlage zum entlacken von gegenstaenden mit einem tauchbehaelter mit loesungsmittel
US5105556A (en) * 1987-08-12 1992-04-21 Hitachi, Ltd. Vapor washing process and apparatus
US4838476A (en) * 1987-11-12 1989-06-13 Fluocon Technologies Inc. Vapour phase treatment process and apparatus
CA1337750C (en) * 1987-11-24 1995-12-19 John L. Fulton Supercritical fluid reverse micelle separation
US4933404A (en) * 1987-11-27 1990-06-12 Battelle Memorial Institute Processes for microemulsion polymerization employing novel microemulsion systems
US5266205A (en) * 1988-02-04 1993-11-30 Battelle Memorial Institute Supercritical fluid reverse micelle separation
US5185296A (en) * 1988-07-26 1993-02-09 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method for forming a dielectric thin film or its pattern of high accuracy on a substrate
US5013366A (en) * 1988-12-07 1991-05-07 Hughes Aircraft Company Cleaning process using phase shifting of dense phase gases
WO1990009233A1 (en) * 1989-02-16 1990-08-23 Pawliszyn Janusz B Apparatus and method for delivering supercritical fluid
US5068040A (en) * 1989-04-03 1991-11-26 Hughes Aircraft Company Dense phase gas photochemical process for substrate treatment
US5288333A (en) * 1989-05-06 1994-02-22 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Wafer cleaning method and apparatus therefore
US4923828A (en) * 1989-07-07 1990-05-08 Eastman Kodak Company Gaseous cleaning method for silicon devices
JP2888253B2 (ja) * 1989-07-20 1999-05-10 富士通株式会社 化学気相成長法およびその実施のための装置
US5213619A (en) * 1989-11-30 1993-05-25 Jackson David P Processes for cleaning, sterilizing, and implanting materials using high energy dense fluids
US5196134A (en) * 1989-12-20 1993-03-23 Hughes Aircraft Company Peroxide composition for removing organic contaminants and method of using same
US5269850A (en) * 1989-12-20 1993-12-14 Hughes Aircraft Company Method of removing organic flux using peroxide composition
US5370741A (en) * 1990-05-15 1994-12-06 Semitool, Inc. Dynamic semiconductor wafer processing using homogeneous chemical vapors
US5071485A (en) * 1990-09-11 1991-12-10 Fusion Systems Corporation Method for photoresist stripping using reverse flow
US5279771A (en) * 1990-11-05 1994-01-18 Ekc Technology, Inc. Stripping compositions comprising hydroxylamine and alkanolamine
JP2782560B2 (ja) * 1990-12-12 1998-08-06 富士写真フイルム株式会社 安定化処理液及びハロゲン化銀カラー写真感光材料の処理方法
US5306350A (en) * 1990-12-21 1994-04-26 Union Carbide Chemicals & Plastics Technology Corporation Methods for cleaning apparatus using compressed fluids
EP0496605B1 (en) * 1991-01-24 2001-08-01 Wako Pure Chemical Industries Ltd Surface treating solutions for semiconductors
US5185058A (en) * 1991-01-29 1993-02-09 Micron Technology, Inc. Process for etching semiconductor devices
US5201960A (en) * 1991-02-04 1993-04-13 Applied Photonics Research, Inc. Method for removing photoresist and other adherent materials from substrates
EP0514337B1 (de) * 1991-05-17 1995-11-22 Ciba-Geigy Ag Verfahren zum Färben von hydrophobem Textilmaterial mit Dispersionsfarbstoffen aus überkritischem CO2
US5225173A (en) * 1991-06-12 1993-07-06 Idaho Research Foundation, Inc. Methods and devices for the separation of radioactive rare earth metal isotopes from their alkaline earth metal precursors
US5356538A (en) * 1991-06-12 1994-10-18 Idaho Research Foundation, Inc. Supercritical fluid extraction
US5274129A (en) * 1991-06-12 1993-12-28 Idaho Research Foundation, Inc. Hydroxamic acid crown ethers
US5174917A (en) * 1991-07-19 1992-12-29 Monsanto Company Compositions containing n-ethyl hydroxamic acid chelants
US5320742A (en) * 1991-08-15 1994-06-14 Mobil Oil Corporation Gasoline upgrading process
US5431843A (en) * 1991-09-04 1995-07-11 The Clorox Company Cleaning through perhydrolysis conducted in dense fluid medium
GB2259525B (en) * 1991-09-11 1995-06-28 Ciba Geigy Ag Process for dyeing cellulosic textile material with disperse dyes
EP0543779A1 (de) * 1991-11-20 1993-05-26 Ciba-Geigy Ag Verfahren zum optischen Aufhellen von hydrophobem Textilmaterial mit dispersen optischen Aufhellern in überkritischem CO2
KR930019861A (ko) * 1991-12-12 1993-10-19 완다 케이. 덴슨-로우 조밀상 기체를 이용한 코팅 방법
CZ148094A3 (en) * 1991-12-18 1994-12-15 Schering Corp Method of removing residual additives from elastomeric products
US5474812A (en) * 1992-01-10 1995-12-12 Amann & Sohne Gmbh & Co. Method for the application of a lubricant on a sewing yarn
JPH0613361A (ja) * 1992-06-26 1994-01-21 Tokyo Electron Ltd 処理装置
US5401322A (en) * 1992-06-30 1995-03-28 Southwest Research Institute Apparatus and method for cleaning articles utilizing supercritical and near supercritical fluids
US5352327A (en) * 1992-07-10 1994-10-04 Harris Corporation Reduced temperature suppression of volatilization of photoexcited halogen reaction products from surface of silicon wafer
US5370742A (en) * 1992-07-13 1994-12-06 The Clorox Company Liquid/supercritical cleaning with decreased polymer damage
US5285352A (en) * 1992-07-15 1994-02-08 Motorola, Inc. Pad array semiconductor device with thermal conductor and process for making the same
US5316591A (en) * 1992-08-10 1994-05-31 Hughes Aircraft Company Cleaning by cavitation in liquefied gas
US5456759A (en) * 1992-08-10 1995-10-10 Hughes Aircraft Company Method using megasonic energy in liquefied gases
US5261965A (en) * 1992-08-28 1993-11-16 Texas Instruments Incorporated Semiconductor wafer cleaning using condensed-phase processing
EP0591595A1 (en) * 1992-10-08 1994-04-13 International Business Machines Corporation Molecular recording/reproducing method and recording medium
US5355901A (en) * 1992-10-27 1994-10-18 Autoclave Engineers, Ltd. Apparatus for supercritical cleaning
US5294261A (en) * 1992-11-02 1994-03-15 Air Products And Chemicals, Inc. Surface cleaning using an argon or nitrogen aerosol
US5328722A (en) * 1992-11-06 1994-07-12 Applied Materials, Inc. Metal chemical vapor deposition process using a shadow ring
US5514220A (en) * 1992-12-09 1996-05-07 Wetmore; Paula M. Pressure pulse cleaning
JP3356480B2 (ja) * 1993-03-18 2002-12-16 株式会社日本触媒 無漏洩ポンプ
US5403665A (en) * 1993-06-18 1995-04-04 Regents Of The University Of California Method of applying a monolayer lubricant to micromachines
US5312882A (en) * 1993-07-30 1994-05-17 The University Of North Carolina At Chapel Hill Heterogeneous polymerization in carbon dioxide
JP3338134B2 (ja) * 1993-08-02 2002-10-28 株式会社東芝 半導体ウエハ処理方法
US5364497A (en) * 1993-08-04 1994-11-15 Analog Devices, Inc. Method for fabricating microstructures using temporary bridges
US5377705A (en) * 1993-09-16 1995-01-03 Autoclave Engineers, Inc. Precision cleaning system
US5370740A (en) * 1993-10-01 1994-12-06 Hughes Aircraft Company Chemical decomposition by sonication in liquid carbon dioxide
US5417768A (en) * 1993-12-14 1995-05-23 Autoclave Engineers, Inc. Method of cleaning workpiece with solvent and then with liquid carbon dioxide
TW274630B (zh) * 1994-01-28 1996-04-21 Wako Zunyaku Kogyo Kk
EP0681317B1 (en) * 1994-04-08 2001-10-17 Texas Instruments Incorporated Method for cleaning semiconductor wafers using liquefied gases
US5482564A (en) * 1994-06-21 1996-01-09 Texas Instruments Incorporated Method of unsticking components of micro-mechanical devices
US5522938A (en) * 1994-08-08 1996-06-04 Texas Instruments Incorporated Particle removal in supercritical liquids using single frequency acoustic waves
US6262510B1 (en) * 1994-09-22 2001-07-17 Iancu Lungu Electronically switched reluctance motor
US5501761A (en) * 1994-10-18 1996-03-26 At&T Corp. Method for stripping conformal coatings from circuit boards
US5904737A (en) * 1997-11-26 1999-05-18 Mve, Inc. Carbon dioxide dry cleaning system
US6021791A (en) * 1998-06-29 2000-02-08 Speedfam-Ipec Corporation Method and apparatus for immersion cleaning of semiconductor devices
US6277753B1 (en) * 1998-09-28 2001-08-21 Supercritical Systems Inc. Removal of CMP residue from semiconductors using supercritical carbon dioxide process
KR100304254B1 (ko) * 1998-12-08 2002-03-21 윤종용 모듈외관검사설비
US7044143B2 (en) * 1999-05-14 2006-05-16 Micell Technologies, Inc. Detergent injection systems and methods for carbon dioxide microelectronic substrate processing systems
US6286231B1 (en) * 2000-01-12 2001-09-11 Semitool, Inc. Method and apparatus for high-pressure wafer processing and drying
JP2002237481A (ja) * 2001-02-09 2002-08-23 Kobe Steel Ltd 微細構造体の洗浄方法
US6905555B2 (en) * 2001-02-15 2005-06-14 Micell Technologies, Inc. Methods for transferring supercritical fluids in microelectronic and other industrial processes
US6641678B2 (en) * 2001-02-15 2003-11-04 Micell Technologies, Inc. Methods for cleaning microelectronic structures with aqueous carbon dioxide systems
JP3978023B2 (ja) * 2001-12-03 2007-09-19 株式会社神戸製鋼所 高圧処理方法
US7326673B2 (en) * 2001-12-31 2008-02-05 Advanced Technology Materials, Inc. Treatment of semiconductor substrates using long-chain organothiols or long-chain acetates
US6764552B1 (en) * 2002-04-18 2004-07-20 Novellus Systems, Inc. Supercritical solutions for cleaning photoresist and post-etch residue from low-k materials
US20030217764A1 (en) * 2002-05-23 2003-11-27 Kaoru Masuda Process and composition for removing residues from the microstructure of an object
US6989358B2 (en) * 2002-10-31 2006-01-24 Advanced Technology Materials, Inc. Supercritical carbon dioxide/chemical formulation for removal of photoresists
US20040177867A1 (en) * 2002-12-16 2004-09-16 Supercritical Systems, Inc. Tetra-organic ammonium fluoride and HF in supercritical fluid for photoresist and residue removal
US20040112409A1 (en) * 2002-12-16 2004-06-17 Supercritical Sysems, Inc. Fluoride in supercritical fluid for photoresist and residue removal
US7250374B2 (en) * 2004-06-30 2007-07-31 Tokyo Electron Limited System and method for processing a substrate using supercritical carbon dioxide processing

Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN102346381A (zh) * 2010-07-30 2012-02-08 中国科学院微电子研究所 高温高压水辅助的超临界二氧化碳剥离光刻胶的装置及方法
CN103068496A (zh) * 2010-08-06 2013-04-24 英派尔科技开发有限公司 超临界惰性气体和清洗方法
US9238787B2 (en) 2010-08-06 2016-01-19 Empire Technology Development Llc Textile cleaning composition comprising a supercritical noble gas
CN103068496B (zh) * 2010-08-06 2016-04-13 英派尔科技开发有限公司 超临界惰性气体和清洗方法
CN114107958A (zh) * 2020-08-26 2022-03-01 圆益Ips股份有限公司 基板处理方法及其基板处理装置、半导体器件制造方法

Also Published As

Publication number Publication date
TW200307973A (en) 2003-12-16
TWI261290B (en) 2006-09-01
WO2003082486A1 (en) 2003-10-09
JP2005521267A (ja) 2005-07-14
JP4031440B2 (ja) 2008-01-09
AU2003220443A1 (en) 2003-10-13
US20040072706A1 (en) 2004-04-15

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