JP3611196B2

JP3611196B2 - 基板から有機物質を除去する方法

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Publication number: JP3611196B2
Application number: JP2000567319A
Authority: JP
Inventors: ウォーレイ，アーマッド; オーレヴェンソン，エリック
Original assignee: アノンインコーポレイテッド
Priority date: 1998-08-27
Filing date: 1999-08-20
Publication date: 2005-01-19
Anticipated expiration: 2019-08-20
Also published as: EP1123166A1; ATE347454T1; WO2000012231A1; KR100391526B1; EP1123166A4; IL141595A0; CA2341548A1; CA2341548C; KR20010109267A; CN1359316A; EP1123166B1; CN1234472C; DE69934326D1; JP2002523906A; DE69934326T2; MY125913A

Description

【０００１】
発明の背景
１．発明の分野
本発明は、基板の製造、修復または再生中に基板上に堆積または形成される様々の有機物質の除去、洗浄、および剥離（ｓｔｒｉｐｐｉｎｇ）に関する。本発明の方法により除去、洗浄、または剥離される有機物質には、例えば感光性および非感光性有機物質、重合フォトレジスト、硬化および不硬化ポリイミド、ポリカーボネート、ペイント、樹脂、多層有機ポリマー、ある有機− 金属錯体、ポジ型光学フォトレジスト、ネガ型光学フォトレジスト、化学増幅フォトレジスト、電子ビームフォトレジスト、Ｘ線フォトレジスト、イオンビームフォトレジスト、およびイオン注入および他の硬化フォトレジストから成る有機コーティング、フィルム、層および残留物が含まれてもよい。本発明の方法により除去されるこれらの有機コーティング、フィルム、層および残留物が除去される基板には、例えば、半導体装置およびウェーハー、セラミック装置、液晶表示装置、フォトマスク、フラットパネルディスプレー、印刷回路板、印刷配線板、磁気読み／書きヘッド、薄膜読み／書きヘッド、並びに有機フィルムが堆積したかもしれない他の基板が含まれてもよい。
【０００２】
２．関連技術の説明
例えば感光性および非感光性有機物質、重合フォトレジスト、硬化および不硬化ポリイミド、ポリカーボネート、ペイント、樹脂、多層有機ポリマー、ある有機− 金属錯体、ポジ型光学フォトレジスト、ネガ型光学フォトレジスト、化学増幅フォトレジスト、電子ビームフォトレジスト、Ｘ線フォトレジスト、イオンビームフォトレジスト、およびイオン注入および他の硬化フォトレジストから成る有機コーティング、フィルム、層および残留物の除去、洗浄、または剥離は、半導体装置およびウェーハー、セラミック装置、液晶表示装置、フォトマスク、フラットパネルディスプレー、印刷回路板、印刷配線板、磁気読み／書きヘッド、薄膜読み／書きヘッド、並びに有機フィルムが堆積したかもしれない他の基板の製造および再生において必要な工程の一つである。そのような有機物質の除去、洗浄および剥離は通常、（１）乾燥灰化またはプラズマ灰化、乾燥剥離、乾燥エッチング、および研磨剤、極低温エアゾール技術、ドライアイス等のような運動論的方法を使用する様々の方法の使用を含む乾燥方法；（２）いわゆるＲＣＡ洗浄方法（半導体基板の洗浄に使用するためにＲＣＡにより開発された）、例えばスルホン酸、塩酸、過酸化水素、ピラニアエッチ（ｐｉｒａｎｈａｅｔｃｈ）（スルホン酸および過酸化水素の混合物）、オゾン化脱イオン水（ＤＩｗａｔｅｒ）、および水酸化アンモニウム溶液のような液体化学物質による湿式剥離、および例えば様々のコリン溶液、アミンを基剤とする溶液、Ｍ −ピロール、ペイントリムーバーの使用を含む湿式方法；および（３）しばしば反復的な、乾燥および湿式方法の組合せ、を含む３つの一般技術により行われる。
【０００３】
乾燥方法にはしばしば、有機物質を除去するための高エネルギーイオンのプラズマの使用が含まれる（乾燥灰化、またはプラズマ灰化）。使用されるプラズマ方法には、２つの一般的なカテゴリーがある。プラズマ方法の１つは、しばしばバレル灰化と称され、基板に向けられたプラズマの流れを利用する。他の方法は、しばしば下流（ｄｏｗｎ−ｓｔｒｅａｍ）灰化と称され、プラズマの供給源からのプラズマガス大気の「下流」（すなわち物理的に遠い）の使用を含み、基板への損傷を最小限にする。酸素、オゾン、および窒素ガスの様々の混合物からなるガスを含む、異なるプラズマガスを使用してもよく、ＣＯ、ＣＯ_２およびＨ_２Ｏが最終生成物として生成される（例えば、ＳｉｌｉｃｏｎＰｒｏｃｅｓｓｉｎｇｆｏｒｔｈｅＶＬＳＩＥｒａ，Ｖｏｌｕｍｅ１−ＰｒｏｃｅｓｓＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，Ｓ．ＷｏｌｆａｎｄＲ．Ｎ．Ｔａｕｂｅｒ，ｐ５６４，ＬａｔｔｉｃｅＰｒｅｓｓ，ＳｕｎｓｅｔＢｅａｃｈ，Ｃａｌｉｆｏｒｎｉａ，１９８６参照）。
【０００４】
ある場合には、乾燥方法を補助するために水素プラズマが必要かもしれない。例えば、除去が非常に困難なフォトレジストについては、硬化レジストの上層を剥離するために水素プラズマを使用して剥離が容易な水素化物を生成することができる（例えば、”ＣｈｏｏｓｅｔｈｅＲｉｇｈｔＰｒｏｃｅｓｓｔｏＳｔｒｉｐＹｏｕｒＰｈｏｔｏｒｅｓｉｓｔ ”，ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，Ｆｅｂｒｕａｒｙ１９９０，ｐ．８３参照）。別の場合には、除去が困難な残留物には、プラズマガス混合物にフッ素ガス、または他のハロゲンガスを加えるか、またはさらに続いてフッ化水素酸蒸気に暴露することが必要かもしれない（例えば、”ＭａｎａｇｉｎｇＥｔｃｈａｎｄＩｍｐｌａｎｔＲｅｓｉｄｕｅ ”，ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，Ａｕｇｕｓｔ１９９７，ｐ．６２参照）。
【０００５】
多くの欠点は、プラズマ方法と関連する。これらには、（１）特にバレルアッシャー（ａｓｈｅｒ）において、高エネルギーイオンプラズマによる基板の衝撃により基板の結晶構造が損傷され、並びに基板中の所望でない原子が打ち込まれ、したがって基板装置の収率および信頼性が減少する、基礎基板への放射線損傷（より低速でより効率的でない有機除去速度という犠牲を払って放射線損傷を最小にするアニールまたは下流アッシャーの使用により損傷が最小になるかもしないが）；（２）レジスト中の不純物と衝突して反応しエッチング抵抗性の不溶性の無機酸化物を形成する大量イオンプラズマのような追加の汚染の発生（例えば、”ＮｅｗＣｏｎｃｅｒｎｓｉｎＤｒｙＯｘｙｇｅｎＡｓｈｉｎｇ ”，ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ．Ｍａｒｃｈ１９９６，ｐ．４４参照）；（３）金属不純物を基板中に存在させる高エネルギープラズマ駆動装置のような市販のフォトレジスト中で通常見られる汚染の悪化；（４）「ベール（ｖｉａｖｅｉｌ）」、および「金属フェンス」のような除去が困難な残留物の形成およびプラズマエッチングの放出された副産物と高温における基板構造中の側壁との相互作用の結果としての側壁ポリマーの硬化；および（５）高エネルギーイオン衝撃の結果として形成され得るスパッター化酸化物によるさらなる処理からのレジストを微小マスキングすることによる非常に小さい特徴（ｆｅａｔｕｒｅ）からのフォトレジストおよび他の有機物質の不完全な除去、洗浄および剥離、が含まれる。
【０００６】
高エネルギープラズマを必要としない他の乾燥方法が使用されている。しかしながら、これらの非プラズマ方法は通常、（１）低除去率、（２）高温処理条件、（３）例えば、極低温エアゾールのような微小サンドブラスチング技術により起こる機械的研磨からの損傷のような基板への過度の損傷、例えばドライアイス法（例えば、”ＥｍｅｒｇｉｎｇＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ；ＥｍｅｒｇｉｎｇＭａｒｋｅｔｓ ”，ＰｒｅｃｉｓｉｏｎＣｌｅａｎｉｎｇ，Ｏｃｔｏｂｅｒ１９９６，ｐ．１４参照）のような温度変動により発生する損傷の可能性、および紫外線照射（ＵＶ −照射）により起こる損傷、または（４）高温、または高エネルギー、多量、イオン注入のような前述の処理を受けることにより硬化された有機物質を完全に除去または剥離できないこと、のいずれかを欠点として有する。
【０００７】
例えば、RCA洗浄、特殊有機溶剤、酸、およびカロー酸および他の液体試薬のような酸化溶液を含む、湿式方法もまた、有機物質の除去、洗浄、または剥離に使用する際に多くの欠点を有する。これらの欠点には、（１）すべての液体が、非常に小さい特徴に浸透したり、表面張力と毛管作用を克服するのが困難であることによる有機物質の不完全な除去、（２）高エネルギー、多量イオン注入、または高温処理を受けることにより硬化されたフォトレジスト、フォトレジスト残留物および有機−金属錯体を含むある有機物質に影響を与える能力が制限されていることによる不完全な除去、（３）液体試薬中で通常見られる金属不純物および他の残留汚染のさらなる生起、（４）特に剥離工程中の洗浄溶液中に堆積する痕跡有機残留物のような基板のすべての部分への汚染の拡散、（５）必要とされる有機溶剤および酸の多くの有害なまたは有毒な性質、（６）しばしば高温で高度に純粋な条件で維持される多量の危険なまたは有毒な試薬、（７）すぐに異なる洗浄用途および工程条件を扱うように維持されるべき多数の異なるタイプの試薬、（８）多量の危険なまたは有毒な試薬の安全な処理の困難性および費用、および（９）特に金属フィルムが基板中に含まれる場合に多くの液体試薬が基板の腐食を起こす傾向、が含まれる。
【０００８】
通常使用されるＮＨ_４ＯＨ／Ｈ_２Ｏ_２およびその後ＨＣｌ／Ｈ_２Ｏ_２による処理を含む湿式工程であるＲＣＡ洗浄工程は、有効性および用途を制限する同様の欠点を有する。
【０００９】
有機物質を除去、洗浄および剥離するこれらの様々の方法の欠点にもかかわらず、より良い方法がないため、時に多くの反復を必要とする、湿式方法と組み合わせた乾燥方法を使用して、ある除去が非常に困難な有機物質、特に硬化フォトレジストを除去、洗浄および剥離する際に許容できるレベルのきれいさを達成しなければならない。従来の処理の結果としてのフォトレジストの硬化は、しばしば除去、洗浄および剥離を困難にする問題である。フォトレジストの硬化は、（１）フォトレジスト硬化段階である、通常写真平板工程で使用される高エネルギー電磁線および非常に短い波長、または強度のＵＶの照射、（２）高エネルギー、多量イオン注入工程、（３）反応性イオンエッチング工程（ＲＩＥ）、（４）フォトレジスト硬化段階である、ポストベークのような高温工程、（５）酸化物、金属またはポリリシン乾燥エッチング、並びに他の物理的および化学的処理、を含む多くの供給源から生じる。さらに、乾燥エッチングおよび乾燥灰化工程によりしばしば、側壁ポリマー、ベールおよび金属フェンスのような、極端にエッチング抵抗性のポリマーおよび無機または有機金属物質の残留物が生じる（例えば、”Ｗｈａｔ ’ｓＤｒｉｖｉｎｇＲｅｓｉｓｔＤｒｙＳｔｒｉｐｐｉｎｇ ”，ＳｅｍｉｃｏｎｄｕｃｔｏｒＩｎｔｅｒｎａｔｉｏｎａｌ，Ｎｏｖｅｍｂｅｒ１９９４，ｐ．６１参照）。そのような条件下では、組み合わせた湿式および乾燥方法は、有機物質の十分な除去、洗浄および剥離を提供できる唯一の利用可能な技術かもしれない。従来技術が乾燥方法の後に湿式方法を繰り返し連続的に組み合わせて使用する条件下においても、ある有機物質は十分な除去にまだ抵抗性があるかもしれない。例えば、酸化物エッチング工程を受けたフォトレジストは、乾燥および湿式剥離工程およびその後のＲＣＡ洗浄の連続的な使用によっても除去に抵抗性があるフッ化炭素を残している。
【００１０】
したがって、従来技術は本発明によって克服される多くの欠点を有する。そのような欠点としては、（１）UV硬化（紫外線硬化）のような高エネルギー電磁線、または高エネルギー、多量イオン注入、または反応性イオンエッチング(RIE)を受けた側壁ポリマー、ベール、金属フェンス、および他の無機残留物を含む硬化有機物質、およびフォトレジストの除去の困難性、（２）基板を損傷させるプラズマ方法を使用せずに非常に小さい特徴（通常ミクロン以下）および高アスペクト比の特徴からの有機物質の除去の困難性、（３）効果的な他の方法がないためプラズマ方法を使用しなければならない場合の基板損傷またはフィルム侵蝕、（４）効果的な他の方法がないためプラズマ方法を使用しなければならない場合の新しい、除去抵抗性の無機物質の生成、（５）効果的な他の方法がないためプラズマ方法を使用しなければならない場合に基板中に生起され得る現存の汚染の悪化、（６）液体試薬および溶剤が使用される場合の追加の汚染物の混入、（７）液体試薬および溶剤槽が使用される場合の基板間の汚染の拡散、（８）多量の危険なまたは有毒な試薬および溶剤を購入、使用および処理する困難性および費用、（９）高周波またはマイクロ波発生器並びに真空ポンプおよびシステムを必要とするプラズマに基づく方法の相対的な複雑さ、（１０）バレルアッシャーが使用され剥離工程が最適終点の計算により停止されなければならない場合の基板の直径全域で一様な除去工程の維持の困難性、（１１）不純物の基板中への拡散のような、ある拡散に関連する問題をより厳しくする原因となり得る多くの乾燥方法の相対的に高い温度（200℃以上）（使用される基板製造工程によって、不純物質の拡散および熱量の消費はいずれもユーザーの関心事かもしれない）、（１２）直径12インチ（約30cm）以上の基板を処理するための乾燥工程の拡大の困難性、（１３）金属フィルムを腐食させずに金属フィルムから有機物質を剥離する際に従来技術を使用する困難性、（１４）近接するある有機フィルム上のフォトレジストに対する酸素プラズマの不十分な選択性（中間層誘電フィルム物質、BCBに近接するフォトレジストの除去に使用される際に酸素プラズマが示す約１：１の選択性のような）、および（１５）基板から硬化有機物質を適切に洗浄するための複雑で費用のかかる多工程の、乾燥および湿式を組み合わせた除去方法を開発し実施する頻繁な必要性、が挙げられる。
【００１１】
１９９１年８月６日に発行されたＳ．Ｇｕｐｔａｅｔａｌの「有機物質の層を剥離する方法」と題された米国特許第５，０３７，５０６号には、半導体またはセラミック装置の製造中に、気体三酸化硫黄を使用しその後溶剤によるすすぎにより様々の有機コーティング、重合フォトレジスト、および特に打込み層および強度のＵＶ硬化レジスト層を除去する二段階の方法が開示され請求されている。この特許において開示され請求される方法は有用であるが、この特許で開示または請求されておらず他の領域の技術まで拡大する、表面を洗浄し有機物質を除去するさらなる必要性がある。特に、開示されておらず請求されていない必要性には、従来技術において考えられる半導体装置、ウェーハー、セラミック装置および印刷回路板だけでなく液晶表示装置、フォトマスク、フラットパネルディスプレー、印刷配線板、磁気読み／書きヘッド、薄膜読み／書きヘッド、並びに有機フィルムが堆積したかもしれない他の基板を含む様々の基板上に含有される有機物質を除去、洗浄、および剥離する必要性であって、（１）表面張力および毛管作用、または液体により導入され拡散される汚染のために液体剥離および洗浄方法が不適切であり、（２）プラズマ技術により基板損傷、侵蝕、または不完全な有機金属の除去が生じ、（３）従来技術により提供される基板の直径またはより大きい寸法全域での除去方法の改良された均一性が必要とされ、（４）本質的により早い有機除去速度でまたは非常に大きいバッチ処理能力の提供により、従来技術により提供されるより早い処理量で有機物質を除去することが必要とされ、（５）乾燥エッチング方法により生じるシリコンポリマー、側壁ポリマー、ベール、金属フェンス、および他の無機残留物のより効果的な除去が必要とされ、（６）危険なまたは有毒なおよび他の液体廃棄物を最小限に使用して有機および無機残留物を洗浄する統合方法が必要とされ、（７）有機洗浄中に基板金属フィルムの侵蝕を最小限にするまたは除去することが必要とされ、（８）サイクル時間、作用工程、および処理量を改良するために剥離および洗浄工程中の段階を統合することが必要とされ、（９）処理温度を最小にすることが必要とされ、および（１０）例えばコーティングを平らにするまたは形成しようとする、または大きな選択性で基礎を成す有機コーティングから一つの有機コーティングを除去しようとする場合に必要とされる、有機コーティング、フィルムまたは層の一部のみの除去または剥離が必要とされる、という特徴を含む必要性が含まれる。
【００１２】
時間の経過の結果として、方法の有効性を改善するために上述の特許の方法に関してのさらなる考察が必要とされることが本発明者に明らかになった。ここで述べたように、本発明の方法の有効性とは、有機除去方法の完全性、基板損傷および侵蝕の排除、基板における処理の改良された均一性、より早い有機除去速度および基板処理量、一つの処理サイクル中に同時に処理できる基板の数の増加、基板の侵蝕の最小化、本発明の方法により生成される全液体廃棄物の最小化、危険なまたは有毒な化学使用量の最小化、全処理サイクル時間の最小化、処理温度必要条件の最小化、および第２のタイプの有機コーティングに近接する第１のタイプの有機コーティングの除去の改良された選択性を意味する。これらのさらなる考察には、（１）基板を三酸化硫黄反応反応室に挿入して処理ガスに暴露する前に有機物質および基板の化学的または物理的前処理が必要かもしれない、（２）従来技術において特定されるように、不活性ガス、乾燥窒素または三酸化硫黄以外の反応性処理ガスを三酸化硫黄反応室中で三酸化硫黄と混合する必要もあるかもしれない、（３）三酸化硫黄の導入前または後、特定の順序で三酸化硫黄反応室中に三酸化硫黄以外の反応性処理ガスを導入する必要もあるかもしれない、（４）処理ガスのいずれか一つを本発明の方法の間規則的な間隔で三酸化硫黄反応室中に満たす必要があるかもしれない、（５）本発明の方法中、三酸化硫黄反応室中のすべての処理ガスを流動させる必要があるかもしれず、またその流動は特定の流動パターンである必要もあるかもしれない、（６）三酸化硫黄反応室中では処理ガスおよび基板の温度は時間−温度曲線に従う必要があるかもしれない、（７）三酸化硫黄反応室中の処理ガスの分圧は、分圧対時間曲線に従う必要もあるかもしれない、（８）基板の同時の物理的な処理（例えば紫外線のような高エネルギー電磁線）が、暴露室内で処理ガスに暴露する間必要かもしれない、（９）終了前に正確な時間で三酸化硫黄反応室中の処理反応を停止する必要があるかもしれない、（１０）三酸化硫黄反応室内で処理ガスに暴露した後であるが溶液中ですすぎ反応産物を除去する前に、基板を前すすぎ化学的または物理的処理をすることが必要かもしれない、（１１）例えば超音波またはメガソニック（ｍｅｇａｓｏｎｉｃ）処理、または様々の他の運動論的方法のような同時物理的処理の使用が、従来技術に記載されるように溶液中で基板をすすぎ反応産物を除去する際に必要かもしれない、および（１２）基板を溶液中ですすぎ反応産物を除去した後に後すすぎする化学的または物理的処理をする必要があるかもしれない、ということが含まれる。
【００１３】
必要なことは、例えば半導体装置およびウェーハー、セラミック装置、液晶表示装置、フォトマスク、フラットパネルディスプレー、印刷回路板、印刷配線板、磁気読み／書きヘッド、薄膜読み／書きヘッド、並びに基板上に有機フィルムが堆積したかもしれない他の基板を含む様々の基板から、例えば感光性および非感光性有機物質、重合フォトレジスト、硬化および不硬化ポリイミド、ポリカーボネート、ペイント、樹脂、多層有機ポリマー、ある有機金属複合体、ポジ型光学フォトレジスト、ネガ型光学フォトレジスト、化学増幅フォトレジスト、電子ビームフォトレジスト、Ｘ線フォトレジスト、イオンビームフォトレジスト、およびイオン注入および他の硬化フォトレジストから成る有機コーティング、フィルム、層および残留物を効果的に除去、剥離、または洗浄することについてこれらの考察を満足させる方法である。
【００１４】
発明の概要
したがって、本発明の目的は、例えば半導体装置およびウェーハー、セラミック装置、液晶表示装置、フォトマスク、フラットパネルディスプレー、印刷回路板、印刷配線板、磁気読み／書きヘッド、薄膜読み／書きヘッド、並びに有機フィルムが堆積したかもしれない他の基板を含む様々の基板から、例えば感光性および非感光性有機物質、重合フォトレジスト、硬化および不硬化ポリイミド、ポリカーボネート、ペイント、樹脂、多層有機ポリマー、ある有機金属複合体、ポジ型光学フォトレジスト、ネガ型光学フォトレジスト、化学増幅フォトレジスト、電子ビームフォトレジスト、Ｘ線フォトレジスト、イオンビームフォトレジスト、およびイオン注入および他の硬化フォトレジストから成る有機コーティング、フィルム、層および残留物を完全に除去、洗浄および剥離する方法であって、
（１）例えば有機および無機溶剤および酸を含む液体剥離または洗浄試薬を使用せず、
（２）例えば乾燥灰化、バレル灰化、または下流灰化を含むプラズマ方法を使用せず、
（３）２００ ℃以下の処理温度で有機物質のいくつかを完全に除去、洗浄、または剥離するのに有効であり、
（４）処理を停止する最適時間を測定するために終点検出を必要とするプラズマ剥離または洗浄方法により提供できるよりも均一性の良い基板の除去、洗浄、または剥離を提供し、
（５）処理を停止する最適時間を測定するために終点検出を必要とするプラズマ剥離または洗浄方法により提供できるよりもそれぞれの処理された基板間で均一性の良い除去、洗浄、または剥離を提供し、
（６）有機フォトレジストおよび有機中間層誘電フィルムの場合のように近接し得る二つの異なるタイプの有機フィルム間の除去の改良された選択性を提供し、
（７）無機物質並びに有機物質を洗浄および除去する統合洗浄方法の一部として、効果的に具体化される、
方法を提供することにある。
【００１５】
本発明によれば、基板から有機コーティング、フィルム、層または残留物を部分的にまたは完全に除去する方法が提供される。本発明の方法には、
（ａ）有機コーティング、フィルム、層、または残留物を化学的または物理的前処理にかけ、
（ｂ）有機コーティング、フィルム、層、または残留物を一定時間実質的に無水ガス三酸化硫黄から成る蒸気に暴露し、基板を室温から約４００ ℃までの範囲の温度に維持し、
（ｃ）必要に応じて有機コーティング、フィルム、層、または残留物を前すすぎ化学的または物理的処理にかけ、
（ｄ）有機コーティング、フィルム、層、または残留物を溶剤ですすぎ、
（ｅ）有機コーティング、フィルム、層、または残留物を化学的または物理的な後すすぎ処理にかける、
各工程が含まれる。
【００１６】
除去、洗浄、および剥離剤として作用する三酸化硫黄は、酸化、スルホン化、硫酸化、スルファメート化、または他の様式で反応し、例えば感光性および非感光性有機物質、重合フォトレジスト、硬化および不硬化ポリイミド、ポリカーボネート、ペイント、樹脂、多層有機ポリマー、ある有機金属複合体、ポジ型光学フォトレジスト、ネガ型光学フォトレジスト、化学増幅フォトレジスト、電子ビームフォトレジスト、Ｘ線フォトレジスト、イオンビームフォトレジスト、およびイオン注入および他の硬化フォトレジストから成る有機コーティング、フィルム、層および残留物のすべてのタイプを、その後の化学的または物理的処理により実質的に完全に除去可能にする。
【００１７】
まず不活性ガスで満たすことにより三酸化硫黄反応室を使用のために準備した後、有機コーティング、フィルム、層および残留物が堆積した基板を、堆積の方法にかかわらず、調節された量の気体三酸化硫黄および他の処理ガスに暴露する。これらのガスは、基板を含む室中にまたは一連の閉鎖した室中に良好な真空強度で投入される。この方法の有効性を改良するために、追加の化学的および物理的処理を、これらの処理ガスに暴露する前、間、および後に行う。アルファ、ベータ、またはガンマ形態、またはそれらの混合である液体または固体三酸化硫黄を保存し、蒸気の供給源として使用する。三酸化硫黄は非常に強い酸化およびスルホン化化学物質であり、様々の有機物質の除去、洗浄および剥離における薬剤として非常に有効である。三酸化硫黄ガスは、プラズマ硬化フォトレジスト、フッ化炭素含有ポリマー、ＵＶ硬化フォトレジスト、およびマイクロメーター未満の溝および隙間からの側壁ポリマーのような有機物質の除去、洗浄および剥離における薬剤として特に有効である。気相にある場合は、三酸化硫黄は液体溶液により可能であるよりもマイクロメーター未満の溝および隙間とより完全に接触することができる。
【００１８】
基板の製造、修復または再生中に基板上に堆積または形成される様々の有機物資を除去、洗浄、または剥離する本発明の方法は、方法の有効性に関して制限されない温度範囲で行ってもよい。しかしながら、本発明のいくつかの実施の形態では、特定の物質および基板についての最適の有効性のために室温から４００ ℃までの範囲の温度が必要とされる。
【００１９】
本発明により有益に処理される基板物質の例には、シリコン、ポリシリコン、ゲルマニウム、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体（例えばガリウム磁化物）、酸化物（結晶およびガラス状）、窒化物、酸窒化物（ｏｘｙｎｉｔｒｉｄｅ）、有機フィルム、有機誘電体（例えばポリイミド、ベンゾシクロブテン）、有機金属複合体およびポリマー、金属および金属合金のような、半導体ウェーハーおよび装置の製造および修復に特に使用される物質が含まれる。
【００２０】
本発明により有益に処理される基板物質のさらなる例には、ガラス、ポリカーボネート、および硬化および不硬化ポリイミドのような物質が含まれる。
【００２１】
本発明に記載されるような三酸化硫黄の、有機除去、洗浄および剥離方法の使用により、半導体装置およびウェーハー、セラミック装置、液晶表示装置、フォトマスク、フラットパネルディスプレー、印刷回路板、印刷配線板、磁気読み／書きヘッド、薄膜読み／書きヘッド、並びに有機フィルムが堆積し非常に小さい特徴を含有する他の基板のより有効で、より効果的で、より環境に優しい処理が提供される。
【００２２】
発明の詳細な説明
本発明のある実施の形態の詳細は、本発明を実施するために本発明者により目下考えられる最良の様式を説明するために記載されている。別の実施の形態もまた、適用可能であるとして簡単に記載されている。
【００２３】
形状により、または製造および修復に必要な意図的なまたは意図的でない化学的および物理的方法の結果として、半導体装置およびウェーハー、セラミック装置、液晶表示装置、フォトマスク、フラットパネルディスプレー、印刷回路板、印刷配線板、磁気読み／書きヘッド、薄膜読み／書きヘッド、並びに有機フィルムが堆積したかもしれない他の基板上に堆積された、例えば感光性および非感光性有機物質、重合フォトレジスト、硬化および不硬化ポリイミド、ポリカーボネート、ペイント、樹脂、多層有機ポリマー、ある有機金属複合体、ポジ型光学フォトレジスト、ネガ型光学フォトレジスト、化学増幅フォトレジスト、電子ビームフォトレジスト、Ｘ線フォトレジスト、イオンビームフォトレジスト、およびイオン注入および他の硬化フォトレジストから成る有機コーティング、フィルム、層および残留物を除去、洗浄、または剥離するための方法が設計され開発された。
【００２４】
本発明の基本的概念は、適正な処理条件下で、および処理中の適切な時間に使用される適切な物理的および化学的処理と共に使用され、実質的に三酸化硫黄を含む場合に、新しい化学薬剤が気体形態で使用され、基板の製造、修復または再生中に基板上に堆積または形成され得る様々の有機物質を酸化、スルホン化、硫酸化、スルファメート化し、またはその他の様式で反応し、所望の有機物質を基板の表面から実質的に除去、洗浄、または剥離することができるということである。反応性の高い薬剤である三酸化硫黄は、様々な硬化有機物質の除去、洗浄および剥離において非常に有効である。三酸化硫黄の気体形態もまた、反応力と結びついて、暴露された基板のマイクロメーター未満の溝および隙間から様々の有機物質を非常に効果的に除去、洗浄および剥離する薬剤である。気相にある場合は、三酸化硫黄は、そのような溝および隙間との接触を妨げることにより液体溶液の作用を制限してしまう表面張力および毛管作用を欠点として有しない。したがって本発明は、（１）液体試薬によっては容易に達することのできない非常に小さい溝および隙間に非常に強力な反応性の試薬を施すことにより、有機コーティング、フィルム、層および残留物を前記溝および隙間から実質的に除去、洗浄または剥離する方法；（２）多量の危険なまたは有毒な溶剤および試薬を使用せずに有機コーティング、フィルム、層および残留物を除去、洗浄および剥離する方法；（３）室温から200℃までの間で有効な、有機コーティング、フィルム、層および残留物を除去、洗浄および剥離する方法；（４）無機洗浄および剥離方法に容易に統合することができる、有機コーティング、フィルム、層および残留物を除去、洗浄および剥離する方法；（５）基板全域で均一に有機コーティング、フィルムおよび層を部分的にまたは完全に除去する方法；（６）近接し得る異なるタイプのある有機コーティングを損傷せずに、有機コーティング、フィルムおよび層を選択的に、および完全に除去する方法；および（７）それぞれの処理された基板間で均一に有機コーティング、フィルムおよび層を部分的にまたは完全に除去する方法、を提供する。
【００２５】
本発明の方法において、アルファ形態、ベータ形態、ガンマ形態またはその混合物であってもよい三酸化硫黄を、酸化、スルホン化、硫酸化、スルファメート化その他反応性の試薬として保存し使用する。１６．８ ℃の融点を有するガンマ−三酸化硫黄は、本発明において使用される三酸化硫黄に好ましい形態であり、完全に純粋な無水条件下で維持される場合はＳＯ_３が内在する形態である。通常、安定化ガンマ−三酸化硫黄が使用され、少量の抑制剤（安定剤）を加えることにより高融点のベータ（３２．５ ℃）およびアルファ（６２．３ ℃）形態の形成を防止する。ガンマ−三酸化硫黄はそのような抑制剤と共に市販されている。安定化三酸化硫黄は、凝固させた場合は容易に再溶解できる。安定化されたおよび安定化されていない三酸化硫黄を本発明の方法に使用してもよい。無水の、気体三酸化硫黄を、有機コーティング、フィルム、層および残留物の除去に使用する。発明の適切な時間において三酸化硫黄ガスへの水または水蒸気の導入を排除または最小にし、発明の過程中水分をコントロールすることは、本発明の方法の重要な必要条件である。三酸化硫黄ガスへの暴露中に水が存在すると、本発明の方法の有効性は減少する。
【００２６】
本発明の除去、洗浄および剥離方法は、図１に示されるフローチャートにより示される方法においてバッチ（多数の基板）および単一の基板操作様式のいずれにおいても有益に具体化される。本発明の方法は数工程を含み、そこでは、除去されるべき有機コーティング、フィルム、層または残留物を含有する基板をまず工程10において、三酸化硫黄と除去されるべき有機物質との反応を促進すべく、気体三酸化硫黄に暴露するのに備えるために、一つ以上の室内で物理的または化学的前処理にかける。物理的または化学的前処理には、例えば、赤外線(IR)、紫外線(UV)、またはレーザーエネルギーのような熱、高エネルギー電磁線による物理的処理；または例えば酸素、亜酸化窒素、水蒸気、蒸気相過酸化水素、窒素、または様々の溶剤を含む反応性または不反応性の気体または液体による化学的処理が含まれる。
【００２７】
適切な前処理工程１０の終了後、基板を工程１２において三酸化硫黄反応室中に配置し、気体三酸化硫黄に暴露する。本発明のいくつかの実施の形態において、前処理工程（１）および三酸化硫黄暴露工程（２）を同じ物理的反応室内で行うことが都合が良い。他の実施の形態において、これらの二つの工程に多くの室が必要かもしれない。いずれにせよ、三酸化硫黄暴露工程中、従来技術に記載されているように、調節された量の気体三酸化硫黄が、連続的にまたは適切な間隔で、閉鎖した真空シールされた室内に投入され、これは三酸化硫黄暴露中の水分レベルを最小にするまたはコントロールするために主として必要とされる。水分レベルはまた、高温で室の壁を維持することによって最小にしコントロールされてもよい。三酸化硫黄ガスおよび他の処理ガスの流量および圧力、および本発明の方法における三酸化硫黄暴露に必要な暴露時間は、室のサイズおよび一度に暴露される基板の量およびそのサイズに依存する。洗浄または剥離されるべき基板の室中への導入後、窒素または通常使用される不活性ガスの一つのような乾燥不活性ガスにより、室を一度または複数回パージする。次に室を、例えば約１．３３ ×１０⁻ ^１Ｐａ（約１０⁻ ^３トル）の程度で、適切な真空に排気する。その後無水の気体三酸化硫黄を、基板上に含まれる有機コーティング、フィルム、層および残留物を除去、洗浄または剥離するための反応性試薬として室内に導入する。基板を気体三酸化硫黄および他の処理ガスに暴露する時間は多くの因子に依存して変化するのに対し、上述のように、暴露の通常の時間は５分未満である。除去、洗浄または剥離される有機物質の性質、三酸化硫黄反応室中の基板の数、それぞれの基板のサイズ、および他の処理条件に依存して、より長い時間または反復的な暴露が必要かもしれない。しかしながら、特定の有機物質、基板、および処理条件の設定のための時間の測定は、容易に行うことができ、不当な実験を必要としない。三酸化硫黄に暴露する間、基板は室温で維持してもよく、高温に加熱してもよい。加熱した場合、温度は本発明の方法を制限しない。基板の温度および処理環境をコントロールし、制限して本発明の方法の有効性を改善してもよい。通常、温度範囲は室温と４００ ℃との間である。ここで用いたように、「室温」という用語は、処理が行われる設備の周囲の温度を称し、通常約２３ ℃から約２５ ℃までの範囲である。
【００２８】
三酸化硫黄暴露工程中、従来技術によって開示されていないが、基板が三酸化硫黄反応室内に残留している場合には一つ以上の同時の物理的または化学的処理を行う必要があるかもしれない。同時の物理的または化学的処理には、例えば、赤外線、紫外線、レーザーエネルギーのような高エネルギー電磁線による物理的処理；三酸化硫黄反応室の物理的形状による室中の処理ガスの方向性流動；または本発明の方法の有効性を改善するために三酸化硫黄および窒素に加えて気化溶剤または亜酸化窒素のような反応性ガスを導入することによる化学的処理、が含まれる。本発明の好ましい実施の形態において、同時処理は、三酸化硫黄反応室内の三酸化硫黄の存在と正確に同時ではない。三酸化硫黄反応室内の同時の物理的または化学的処理に必要な時間調節は、有機物質の性質および有機物質が受けた一連の前の処理条件に依存する。
【００２９】
三酸化硫黄工程の終了後、工程１４に示されるように、必要に応じて基板を一つ以上の室中で前すすぎ物理的または化学的処理にかけ、三酸化硫黄暴露工程後基板上に残る反応したまたは未反応の有機物質の除去を容易にしてもよい。前すすぎ物理的または化学的処理には、例えば、熱、高圧脱イオン水（ＤＩ水）噴霧、メガソニックまたは超音波処理のような音エネルギーによる処理、レーザーエネルギーへの暴露、物理的スクラビングまたはドライアイス方法への暴露のような運動論的処理による物理的処理；または酸素、亜酸化窒素、蒸気、および蒸気相過酸化水素、または例えば様々の酸性またはアルカリ性溶液またはアミンを基剤とする溶液を含む溶液または溶剤による化学的処理が含まれる。
【００３０】
必要に応じた、適切な前すすぎ物理的または化学的処理工程１４の終了後、基板を、従来技術に記載されているように、工程１６に示されるように、室中で従来のまたは標準のすすぎ処理の一つにより処理する。そのようなすすぎには、水、低級アルカノール（１から５までの炭素原子）、アセトン、またはそれらの混合物、様々の酸性またはアルカリ性溶液またはアミンを基剤とする溶液のようなすすぎ溶剤の使用が含まれる。工程１６のすすぎ処理中、熱、高圧脱イオン水（ＤＩ水）噴霧による物理的処理、メガソニックまたは超音波処理のような音エネルギーによる処理またはレーザーエネルギーへの暴露のような一つ以上の物理的処理に基板を暴露してもよい。工程１６の従来のすすぎ処理の終了後、工程１８に示されるように、一つ以上の室中で一つ以上の後すすぎ物理的または化学的処理により処理し、標準すすぎ工程後に基板の表面上に残る任意の残留有機物質の除去を容易にする。後すすぎ物理的または化学的処理には、例えば、熱、赤外線（ＩＲ）、紫外線（ＵＶ）、またはレーザーエネルギーのような高エネルギー電磁線、高圧ＤＩ水噴霧、メガソニックまたは超音波処理のような音エネルギーによる処理、レーザーエネルギーへの暴露、または物理的スクラビングまたはドライアイス方法への暴露のような運動論的処理による物理的処理；または酸素、亜酸化窒素、蒸気、および蒸気相過酸化水素のような様々の反応性ガス、または例えばフォトレジスト剥離に通常使用される様々の酸性またはアルカリ性溶液、コリン、またはフォトレジスト剥離に使用されるアミンを基剤とする溶液を含む溶液または溶剤による化学的処理が含まれる。
【００３１】
処理工程のいずれかにおいて使用される場合、高圧ＤＩ水噴霧は、ファンノズルまたはジュエルチップ（ｊｅｗｅｌ−ｔｉｐ）ノズルを使用して、約３５０ｐｓｉから約２，５００ｐｓｉまで、好ましくは約１，２００ｐｓｉの圧力下で脱イオン水により行う。所望なら、凍結点より高く沸点より低い範囲内で、冷却または加熱してもよい。
【００３２】
本発明の方法は、多くの無機基板の表面またはその上の無機コーティングに有害な影響を与えない。例えば、酸化ケイ素および酸化物ガラス、窒化物、酸窒化物、多くの金属、珪化物、シリコン、ポリシリコン等のような表面酸化物は本発明の方法により影響を受けない。
【００３３】
特定の理論に賛同せず三酸化硫黄反応の詳細と独立して、本発明の基礎をなす原理は、工程中の適切な時間において行われる適切な物理的および化学的処理と共に、溝、隙間およびすべてのマイクロメーター未満の構造を含む基板表面のすべての部分に三酸化硫黄蒸気が達することにより可能となる、有機コーティング、フィルム、層および残留物の徹底的な酸化、スルホン化、硫酸化、スルファメート化、またはそれらとの他の化学的反応である。本発明の方法は、三酸化硫黄が純粋なまたは安定化した気体の形態でも、または純粋なまたは安定化した液体、または固体の三酸化硫黄供給源から気化した形態でも実施することができる。本発明の方法は、三酸化硫黄蒸気の反応性が気体、液体、または固体形態の化学基板の混合物から得られる場合、特定の除去、洗浄または剥離反応を行うために必要な速度および量で、純粋な形態または他の形態で、三酸化硫黄蒸気を生成する正味効果を有し、等しく適用される。
【００３４】
本発明のある実施の形態において、有機コーティング、フィルム、層および残留物と三酸化硫黄を含む処理ガスとの完全な反応は、例えばシリコン、ポリシリコン、ゲルマニウム、ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体（例えばヒ化ガリウム）、酸化物（結晶およびガラス状）、窒化物、酸窒化物、有機フィルム、有機誘電体（例えばポリイミド、ベンゾシクロブテン）、有機金属複合体およびポリマー、金属および金属合金のような、半導体ウェーハーおよび装置を含む基板の表面から素早く起こる。
【００３５】
従来技術において記載されていない、本発明の別の実施の形態において、基板が一部しか除去または剥離されない有機コーティング、フィルム、または層を含有する場合のように、三酸化硫黄暴露工程中において不完全な反応が所望であるかもしれない。そのような実施の形態において、適切な時間（例えば終点検出器により同定される）に処理ガスとの反応を中止させるために様々の物理的または化学的機構が必要である。反応を停止させるまたは遅くさせるための適切な機構の例には、（１）より反応性の低いガスによる反応性の高いガスの置換のような化学的処理の実施、（２）赤外線、紫外線（ＵＶ）、および高エネルギー波長を含む電磁線のような、反応に影響を与える物理的処理の実施、（３）基板の温度特性を変化させるための基板の加熱、（４）三酸化硫黄反応室からの基板の回収、および（５）不活性ガスによる反応性処理ガスの置換、が含まれる。
【００３６】
通常、本発明の方法は、有機物質の特性を変化させ得る紫外線（ＵＶ）を含む様々の波長の電磁線への暴露、プラズマ処理への暴露、および化学的処理への暴露を含む従来の物理的および化学的処理の異なる変遷により有機コーティング、フィルム、層および残留物を除去、洗浄または剥離することができる。特に、強度のＵＶ、イオン注入、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）、乾燥および湿式エッチング、および他の厳しいプラズマ処理に暴露される残留物およびポリマーは、三酸化硫黄ガスとの反応により容易におよび効果的に除去、洗浄または剥離できる。
【００３７】
本発明の方法は、マイクロメーター未満の構造の特徴が基板に加えられた場合も等しく有効である。
【００３８】
有機コーティング、フィルム、層および残留物の化学的および物理的特性、並びに基板上に堆積する様式は、本発明の方法に重要ではない。有機コーティング、フィルム、層および残留物には、例えば、従来の処理活性により意図的でなく堆積されたまたはローラー加圧、浸漬、ブラッシング、噴霧、乾燥レジストのシートの使用、スピンオン（ｓｐｉｎ−ｏｎ）、電気泳動、プラズマ堆積、化学的気相成長および有機コーティング、フィルムおよび層を使用する他の技術を含む任意の有機コーティング法により意図的に堆積された芳香族および脂肪族レジストが含まれてもよい。
【００３９】
特定の除去、洗浄および剥離処理の例には、例えば、フォトレジスト剥離、ＢＣＢ（ベンゾシクロブテン）剥離、後プラズマエッチング洗浄（例えば媒介洗浄、接触洗浄）、ストリンガー（ｓｔｒｉｎｇｅｒ）ポリマー除去、金属フェンスおよびベール残留物除去、シリコンポリマー除去、硬化および不硬化ポリイミド剥離、およびポリカーボネート剥離のような有機ポリマー除去の適用が含まれる。側壁ポリマー、シリコンポリマー、ストリンガーポリマー、ベールおよび金属フェンスは、排他的ではないが典型的に、反応性イオンエッチング（ＲＩＥ）中形成される錯体ポリマーである。これらのポリマーおよび残留物の洗浄の困難性は、従来技術の顕著な欠点であり、本発明の方法によって克服できる。これらのポリマーには、金属、金属酸化物、エッチング剤、およびＲＩＥの他の無機副産物が含まれてもよく、これらは酸素を基礎とするプラズマ方法（例えば乾燥灰化）、または標準すすぎ工程の後の単なる三酸化硫黄暴露工程のような従来技術によって完全に除去することが困難になる原因となる。これらのポリマーは、本発明の方法による除去、洗浄および剥離を受けやすい。これらの物質を適切に除去できないことにより、装置の収率および信頼性に負の影響を有する汚染が生じ得る。
【００４０】
特定の除去、洗浄および剥離方法の他の例には、半導体装置およびウェーハー、セラミック装置、液晶表示装置、フォトマスク、フラットパネルディスプレー、印刷回路板、印刷配線板、磁気読み／書きヘッド、薄膜読み／書きヘッド、並びに有機フィルムが堆積したかもしれない他の基板を含む様々の基板から有機コーティング、フィルム、または層を剥離する方法が含まれる。
【００４１】
さらなる他の特定の例には、有機コーティング、フィルムまたは層の部分的な除去のみが必要とされている場合に、有機コーティング、フィルムまたは層を形削りする方法が含まれる。有機コーティング、フィルムまたは層の形削りは、様々の装置への誘電フィルムおよび層の組込み、および半導体装置およびウェーハー、セラミック装置、液晶表示装置、フォトマスク、フラットパネルディスプレー、印刷回路板、印刷配線板、磁気読み／書きヘッド、薄膜読み／書きヘッド、並びに有機フィルムが堆積したかもしれない他の基板の製造および修復のための平板印刷法の改良において必要かもしれない。
【００４２】
本発明により有益に処理される有機コーティング、フィルムまたは層の例には、有機誘電体が含まれる。そのような有機誘電体には、ポリイミド、コポリイミド、ポリアミド、ポリアミド−イミド、フッ素化ポリイミド、ポリ（アリーレンエーテル）、フッ素化ポリ（アリーレンエーテル）、ペルフッ素化アルキレンオキシド、パリレン（Ｎ，Ｃ，Ｄ，またはＦ型）、ポリ（フェニルキノキサリン）、ポリ−ナフタレン、ポリフッ素化ナフタレン、ベンゾシクロブテン（ＢＣＢ）、ポリテトラフルオロエチレンのような非結晶フルオロポリマー、ペルフルオロシクロブタン芳香族エーテル（ＰＦＣＢ）、ポリノルボルネン、およびフッ素化炭素が含まれる。
【００４３】
したがって、様々のタイプの表面から有機コーティング、フィルム、層および残留物を完全にまたは部分的に、除去、洗浄および剥離する方法が開示される。明らかな性質の様々の変化および変更が可能であり、そのような変化および変更はすべて特許請求の範囲に記載される請求項の範囲に含まれると考えられることは、当業者にとって自明である。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の方法のフローチャート

Claims

基板から有機コーティング、フィルム、層または残留物を部分的にまたは完全に除去する方法であって、
(a)前記有機コーティング、フィルム、層、または残留物を、無水気体三酸化硫黄と除去すべき前記有機コーティング、フィルム、層、または残留物との反応を促進すべく化学的または物理的前処理にかけ、
(b)前記有機コーティング、フィルム、層、または残留物を一定の時間、無水気体三酸化硫黄から実質的になる蒸気に暴露し、前記基板を室温から約400℃までの範囲の温度に維持し、
(c)前記有機コーティング、フィルム、層、または残留物を溶剤ですすぎ、
(d)前記有機コーティング、フィルム、層、または残留物を化学的または物理的後すすぎ処理にかける、
各工程を含むことを特徴とする方法。
前記基板が、半導体装置およびウェーハー、セラミック装置、液晶表示装置、フラットパネルディスプレー、印刷回路板、磁気読み／書きヘッド、薄膜読み／書きヘッドからなる群より選択されることを特徴とする請求項１記載の方法。
前記基板が、IV族元素、III-V族化合物半導体、酸化物、窒化物、酸窒化物、有機フィルム、有機誘電体、有機金属複合体およびポリマー、金属、および金属合金からなる群より選択されることを特徴とする請求項２記載の方法。
(a)前記基板を、前記化学的または物理的前処理により処理し、
(b)前記基板を室中に配置し、
(c)前記室を乾燥不活性ガスでパージし、
(d)無水気体三酸化硫黄から実質的になる前記蒸気を前記室に導入し、前記コーティング、フィルム、層、または残留物と反応させ、
(e)適切な時間を経過させて前記三酸化硫黄と前記コーティング、フィルム、層、または残留物とを反応させ、
(f)前記三酸化硫黄と前記コーティング、フィルム、層、または残留物との前記反応を、前記基板を終点化学的または終点物理的処理をすることにより終了させる、
各工程を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
（１）前記化学的前処理が、化学的活性処理ガス、化学的不活性処理ガス、および溶剤への暴露からなる群より選択され、（２）前記物理的前処理が、熱、紫外線(UV)を含む適切な波長の電磁線、レーザーエネルギー、超音波およびメガソニック音エネルギーへの暴露からなる群より選択され、（３）前記化学的または物理的前処理が、室温と400℃との間の温度で行われることを特徴とする請求項１記載の方法。
前記溶剤でのすすぎが、水、低級アルカノール、アセトン、酸、塩基、コリン、アミンを基剤とする溶液、およびそれらの混合物からなる群より選択される溶剤中で行われることを特徴とする請求項１記載の方法。
前記溶剤でのすすぎが、メガソニックまたは超音波エネルギー、熱、紫外線(UV)を含む適切な波長の電磁線、またはレーザーエネルギーの存在下で同時に行われることを特徴とする請求項１記載の方法。
（１）前記化学的後すすぎ処理が、化学的活性処理ガスまたは蒸気、化学的不活性処理ガス、および溶剤への暴露からなる群より選択され、（２）前記物理的後すすぎ処理が、熱、紫外線(UV)を含む適切な波長の電磁線、レーザーエネルギー、運動エネルギー、高圧脱イオン水噴霧、物理的スクラビング、ドライアイス方法、超音波およびメガソニック音エネルギーへの暴露からなる群より選択され、（３）前記化学的または物理的後すすぎ処理が、室温と400℃との間で行われることを特徴とする請求項１記載の方法。
前記工程(b)が、他の化学的活性処理ガスおよび蒸気、化学的不活性ガス、気化溶剤、熱、紫外線(UV)を含む適切な波長の電磁線、およびレーザーエネルギーからなる群より選択される化学的または物理的処理への同時暴露を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。
前記工程のそれぞれが、約５分間までの時間、独立して行われることを特徴とする請求項１記載の方法。
前記有機コーティング、フィルム、層および残留物が、感光性および非感光性有機物質、重合フォトレジスト、ペイント、樹脂、単一および多層有機ポリマー、ある有機金属複合体、ポジ型光学フォトレジスト、ネガ型光学フォトレジスト、電子ビームフォトレジスト、Ｘ線フォトレジスト、イオンビームフォトレジスト、イオン注入フォトレジストおよび他の硬化フォトレジストからなる群より選択されることを特徴とする請求項１記載の方法。
前記有機コーティング、フィルム、層または残留物を工程(b)の後に化学的または物理的前すすぎ処理にかける工程を含むことを特徴とする請求項１記載の方法。