JP2004134627A - 有機物層の除去方法 - Google Patents
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Abstract
【課題】オゾンと水蒸気とを用い、簡易で確実に有機物層の除去を行なうことができる有機物層の除去方法を提供する。
【解決手段】有機物層の除去方法は、(a)有機物層が形成された被処理基板を処理室内に供給し、(b)処理室10内に少なくともオゾンガスと水蒸気とを導入し、(c)少なくともオゾンガスと水蒸気とを含む混合気体の雰囲気に被処理基板1を晒すことにより、有機物層を除去し、(d)被処理基板1を薬液処理室に供給し、該被処理基板1に薬液による洗浄処理を施すこと、を含み、工程(c)において、混合気体の雰囲気は、オゾンガスに対する水蒸気の体積比(水蒸気/オゾンガス)が1以上であり、処理室10内の温度は95℃ないし140℃である。
【選択図】 図1
【解決手段】有機物層の除去方法は、(a)有機物層が形成された被処理基板を処理室内に供給し、(b)処理室10内に少なくともオゾンガスと水蒸気とを導入し、(c)少なくともオゾンガスと水蒸気とを含む混合気体の雰囲気に被処理基板1を晒すことにより、有機物層を除去し、(d)被処理基板1を薬液処理室に供給し、該被処理基板1に薬液による洗浄処理を施すこと、を含み、工程(c)において、混合気体の雰囲気は、オゾンガスに対する水蒸気の体積比(水蒸気/オゾンガス)が1以上であり、処理室10内の温度は95℃ないし140℃である。
【選択図】 図1
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばシリコンなどの基板上にレジストなどの有機物層が形成された被処理基板における有機物層の除去方法に関する。
【0002】
【背景技術および発明が解決しようとする課題】
半導体基板、液晶基板、各種実装基板などに配線などの所定パターンの層を形成するリソグラフィ工程において、フォトレジストや電子線レジスト等の各種有機物層が用いられている。そして、リソグラフィ工程の終了段階では、不要になった有機物層をそれらの基板から除去・洗浄することが必要となる。しかしながら、リソグラフィ工程などが終了した段階では、レジスト層等は、エッチングやイオン注入などによって変質しているので除去しにくい。例えば、高精細のパターニングを要求される半導体プロセスでは、レジスト層の側壁に有機物と無機物との化合物や混合物が堆積される。また、高濃度の不純物がイオン注入された有機物層にはイオン衝撃によって硬化した層が形成される。このような堆積物や硬化層は分解されにくく、除去しにくい。このように除去されにくい有機物層は、例えば、酸素プラズマを用いたアッシングによるドライ処理を行った後に熱硫酸や有機剥離液を用いたウエット洗浄によって除去される。
【0003】
しかしながら、アッシングを用いた方法では、酸素プラズマによって被処理基板がチャージアップなどのプラズマダメージを受ける。また、プラズマを用いた除去方法の場合には、安定したプラズマを発生させる放電の制御や電極設備に特別な装置が必要となり、装置全体が複雑となりコスト高である。また、均一な放電を得ることが困難なため有機物層の除去にむらが生じたり、除去した異物が基板上に再付着し、基板を汚染してしまうことがある。上述の問題点を改善する除去方法として、オゾンガスおよび水蒸気を用いた除去方法に関する技術がある。この技術は、例えば、特開2000−100686号公報に開示されている。
【0004】
本発明の目的は、上述のようなオゾンと水蒸気とを用いた除去方法であって、簡易で確実に有機物層の除去を行なうことができる、有機物層の除去方法を提供することにある。
【0005】
【特許文献1】
特開2000−100686号公報
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる有機物層の除去方法は、
(a)有機物層が形成された被処理基板を処理室内に供給し、
(b)前記処理室内に少なくともオゾンガスと水蒸気とを導入し、
(c)少なくともオゾンガスと水蒸気とを含む混合気体の雰囲気に前記被処理基板を晒すことにより、前記有機物層を除去し、
(d)前記被処理基板を薬液処理室に供給し、該被処理基板に薬液による洗浄処理を施すこと、を含み、
前記工程(c)において、前記混合気体の雰囲気は、前記オゾンガスに対する前記水蒸気の体積比(水蒸気/オゾンガス)が1以上であり、前記処理室内の温度は95℃ないし140℃である。
【0007】
この除去方法によれば、有機物層、特に難分解性有機物層を容易かつ確実に除去することができる。本発明は、さらに、以下の態様をとることができる。
【0008】
前記処理室内の温度は、前記体積比(水蒸気/オゾンガス)が増加するにつれて高く設定することができる。このようにすることで被処理基板の有機物層をより確実に除去できる。
【0009】
前記有機物層としては、レジスト層、有機反射防止層およびこれらを構成する物質を含む硬化物層の少なくとも1種を例示できる。レジスト層の材料としては、g線レジスト,i線レジスト,deep−UVレジスト,KrFエキシマレジスト,ArFエキシマレジストを例示できる。g線およびi線レジストとしてはジアゾナフトキノン感光剤レジストを、KrFおよびArFエキシマレジストとしては化学増幅レジストを、deep−UVレジストとしてはPMIPK(ポリメチルイソプロペニルケトン)を挙げることができる。有機反射防止層を構成する物質としては、熱硬化性樹脂を例示できる。前記薬液としては、希フッ酸水溶液、アンモニア過水または機能水を例示できる。この薬液は、工程(c)の処理で除去できない残留物を除去することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図1を参照しながら説明する。
【0011】
図1は、本実施の形態に係る有機物層の除去方法に用いられる除去装置の一例を模式的に示す図である。図1に示す除去装置1000は、除去処理装置100,薬液処理装置200およびリンス装置300を含む。
【0012】
除去処理装置100は、除去処理が行われる処理室10、処理室10にオゾンガスを供給するオゾン供給装置20、および処理室10に水蒸気を供給するための水蒸気供給装置30を含んで構成される。
【0013】
まず、処理室10について説明する。処理室10は、気密に密閉が可能である。処理室10の下部には、処理室10の内部を所定温度に加熱するためのホットプレート14が設けられている。処理室10では、少なくとも水蒸気とオゾンガスとを含む混合気体の雰囲気に被処理基板であるウェハ1を晒すことにより、ウェハ1に形成されたレジストなどの有機物層の除去が行われる。
【0014】
処理室10とオゾン供給装置20とは、オゾン供給管22を介して接続されている。オゾン供給装置20は、処理室10に、所望の流量,圧力でオゾンガスを供給するための装置である。処理室10と水蒸気供給装置30とは、水蒸気供給管32を介して接続されている。水蒸気供給装置30は、気密に密閉が可能である。水蒸気供給装置30は、内部に超純水が収容されている。そして、水蒸気供給装置30は、収容されている超純水を95〜130℃の温度に加熱するためのホットプレート(図示せず)を有する。
【0015】
また、処理室10には、ガス供給管42を介してガス供給装置40が接続されている。図示の例においては、ガス供給管42は、処理室10内においてさらに分岐管44aおよび44bを有している。さらに、処理室10には、排気管52を介して、ミストトラップ装置50および排オゾンガス分解装置60が順次接続されている。
【0016】
薬液処理装置200は処理槽210を有する。処理槽210内には、薬液220が収容されている。薬液処理装置200では、薬液220にウェハ1を浸けることで、処理室10での処理で除去されなかった残留物(パーティクルや残留有機物など)を除去する。薬液220としては、好ましくは、希フッ酸水溶液(例えば0.05〜1.0wt%)、アンモニア過水(アンモニア水と過酸化水素水と水との混合液)、オゾン水,水素水などの機能水を用いることができる。リンス装置300はリンス槽310を有する。リンス槽310内には、超純水320が収容されている。ウェハ1は、搬送手段(図示せず)によって、除去処理装置100,薬液処理装置200およびリンス装置300を順次移動できるように構成されている。
【0017】
次に、被処理基板について述べる。図2は、本発明の除去方法に供される被処理基板の一例であるウェハを模式的に示す断面図である。
【0018】
図2には、除去されるべき有機物層の典型例、例えばレジスト層,反応生成物層および変質層を有するウェハ1を示している。これらの層は、被処理基板に単独あるいは複数存在する。図示の例では、ウェハ1は、基板を有する各種の構造体2上に所定パターンの層3が形成され、この層3上にレジスト層5が形成されている。レジスト層5は、リソグラフィーおよびエッチングによって所定のパターンを有する。層3は、レジスト層5をマスクとしてドライエッチングなどを用いてパターニングされている。この例では、層3は、パターニングされる層であればよく、ドープドポリシリコンなどの導電層、および層間絶縁層などの絶縁層を含む。パターニングされた層3およびレジスト層5の側壁には、ドライエッチング時に形成された反応生成物層6が存在する。また、レジスト層5の上部には、ドライエッチング時にダメージを受けたり、あるいはイオン注入時に不純物が導入された変質層7が存在する。これらの反応生成物層6および変質層7は、レジスト層5に比べて分解しにくく除去するのが難しい。
【0019】
本実施の形態が適用される被処理基板は、構造体2上に、層3とレジスト層5を含むものであればよい。構造体2は、例えば、半導体,ガラス,プラスチックなどの基板、あるいはこれらの基板上に、MOS素子やTFTなどの半導体素子、これらの素子を構成するための層、あるいはその他の各種の層が形成されたものを含む。また、レジスト層5は層3のエッチングマスクとして機能するもの、あるいはイオン注入のマスクとして機能するものを含む。
【0020】
次に、本実施の形態にかかる有機物層の除去方法について図1を参照して説明する。
【0021】
たとえば、図2に示すウェハ1をウェハカセット12に収容し、このウェハカセット12を処理室10内にセットする。ついで、処理室10内に、ガス供給装置40からガス供給管42を介して100〜200℃に加熱された不活性ガス(たとえば窒素ガス)を処理室10へ供給しながら、排気管52から排気し、処理室10内を不活性ガス雰囲気に置換する。同時に、処理室10のホットプレート14を作動させ、処理室10の温度を後述する所定温度に設定する。
【0022】
ウェハ1の温度が所定温度(処理室10の温度とほぼ同じ)で安定した後、水蒸気供給装置30から水蒸気供給管32を介して処理室10内に水蒸気を供給する。また、オゾン供給装置20からオゾン供給管22を介して処理室10内にオゾンガスを供給する。ついで、排気管52を閉状態にし、処理室10内を50〜200kpaに加圧する。水蒸気の温度,圧力,流量、ならびにオゾンガスの流量,圧力は、除去処理を行う条件に応じて適宜設定される。
【0023】
処理室10に収容されているウェハ1の有機物層の除去処理は、後の実験例からも明らかなように、つぎの条件で行われることが好ましい。すなわち、処理室10内の温度は、好ましくは95〜140℃である。また、処理室10の雰囲気は、少なくとも水蒸気とオゾンガスとを含み、オゾンガスに対する水蒸気の体積比(水蒸気/オゾンガス)は1以上、好ましくは2以上である。かかる体積比がこの範囲にあると、充分に大きい有機物層の除去レートを得ることができる。さらに、処理室10内の温度は、オゾンガスに対する水蒸気の体積比(水蒸気/オゾンガス)が増加するにつれて高く設定されることが望ましい。後に述べる実験例から明らかなように、処理室10内の温度は、体積比(水蒸気/オゾンガス)の増加に対応してほぼ直線的に高く設定されることが望ましい。具体的には、体積比(水蒸気/オゾンガス)を0.1大きくするごとに、処理室10内の温度を約1〜3℃上げることが望ましい。
【0024】
処理室10の温度が95℃より低いと被処理基板(ウェハ1)の温度の面内均一性が不充分となり、有機物層の除去処理を被処理基板の全面で均一に行うことができにくくなる。一方、処理室10の温度が140℃を越えると、レジスト層の除去レートが小さくなる傾向がある。オゾンガスに対する水蒸気の体積比(水蒸気/オゾンガス)が1より小さいと、水蒸気の量が相対的に小さくなり、レジスト層の除去レートが小さくなる傾向がある。一方、オゾンガスに対する水蒸気の体積比(水蒸気/オゾンガス)を4.5より大きくしても除去レートが大幅に上がることはない。
【0025】
処理室10を加熱する方法としては、処理室10全体を所定の温度に加熱するためのホットプレート14を利用する方法、ガス供給装置40から加熱されたガスを供給する方法、または図示しない赤外線照射装置の輻射熱を利用しウェハそのものを加熱する方法などがあり、また、これらの方法を複数利用することもできる。
【0026】
除去処理が終了したら、ウェハ1の温度を約40℃まで低下させる。その後、このウェハ1を取り出し、ウェハ1を搬送手段(図示せず)によって薬液処理装置200の処理槽210内に移動させて洗浄処理を行う。洗浄処理は、薬液によって異なるが、例えば室温〜100℃の温度で行われる。薬液220としては前述したものを用いることができる。薬液220は、被処理基板の種類に応じて選択される。
【0027】
続いてウェハ1を搬送手段(図示せず)によってリンス装置300の処理槽310内へ移動し、ウェハ1にリンス処理を施す。さらに、ウェハ1を乾燥手段(図示せず)によって乾燥する。また、処理室10内のガスは排気管52を介してミストトラップ装置50に送られ、ここでガス中のミストを除去する。さらに、ミストトラップ装置50で処理されたガスは、排オゾンガス分解装置60に送られ、ここで紫外線や薬液などによってオゾンガスが分解・除去される。
【0028】
本実施の形態によれば、レジスト層5,反応生成物層6および変質層7を確実に除去することができる。すなわち、本実施の形態では、オゾンガスに対する水蒸気の体積比と処理室温度とを特定の範囲にすることで、レジスト層でマスクされる層に問題となるダメージを与えることなく、レジスト層や有機反射防止層のみならず除去が困難な難分解性有機物層を確実かつ短時間で除去することができる。そして、酸素プラズマを用いたアッシング処理を必要としないので、工程を簡略化でき、しかも被処理基板がプラズマダメージを受けることがない。以下、本発明を実験例によってさらに詳細に述べる。
【0029】
実験例1;
a.実験の内容
シリコン基板上に、厚さ1μmのレジスト層(KrF ポジ型レジスト)を形成した。ついで、レジスト層をリソグラフィーおよび反応性イオンエッチングでパターニングにし、被処理基板のサンプルを得た。ついで、処理室の条件(処理室の温度およびオゾンガスに対する水蒸気の体積比(水蒸気/オゾンガス))を変えて、レジスト層と、エッチング時に形成された反応生成物層との除去状態を確認した。なお、処理室内の圧力は50kPaであり、処理時間は180秒であった。その後、被処理基板を0.5重量%の希フッ酸水溶液(温度;室温)に120分間浸漬して薬液処理を行った。続いて、被処理基板を超純水にてリンス処理した。
【0030】
その結果を図3に示す。図3には、レジスト層の除去が良好に行われる条件のうち、望ましくない条件と近い好ましい条件(境界条件)をプロットした。ここで、レジスト層の除去が良好に行われるとは、レジスト残渣がない状態を意味する。
【0031】
b.実験の結果
図3に示すラインaおよびラインb、またはこれらのラインaおよびbより上の領域(ドットで示す領域)の条件では、レジスト層の除去が良好に行われることが確認された。また、ラインaおよびbより下の条件では、レジスト層の除去にムラが発生したことが確認された。図3のラインaから、体積比(水蒸気/オゾンガス)が大きくなるにつれて処理室温度を高くする必要があることがわかる。この場合には、体積比(水蒸気/オゾンガス)を0.1大きくするごとに、処理室温度を約1〜3℃上げることが望ましいことがわかる。
【0032】
処理室温度が95℃より低い場合(図3のラインbより下の条件)には、レジスト残渣があった。また、体積比(水蒸気/オゾンガス)が1より小さい場合にも、同様である。なお、体積比(水蒸気/オゾンガス)が4.5より大きい場合には、レジスト層の除去レートが小さくなり、例えば体積比が3の場合に比べて1/10に減少していた。
【0033】
このように、実験例1では、オゾンガスに対する水蒸気の体積比と処理室温度とを特定の範囲にすることで、レジスト層および反応生成物層を良好に除去することができることを確認した。
【0034】
実験例2;
シリコン基板の上に、厚さ1μmのレジスト層(I線 ポジ型レジスト)を形成し、さらにP(リン)1.3×1015ions/cm2の条件でレジスト層にイオン注入を行い、被処理基板のサンプルを得た。ついで、処理室の温度を100℃、オゾンガスに対する水蒸気の体積比(水蒸気/オゾンガス))を2として除去処理を行い、レジスト層およびイオン注入によって形成された硬化層の除去状態を確認した。なお、処理室内の圧力は、50kPaであり、除去処理時間は180秒であった。その後、被処理基板を0.5重量%の希フッ酸水溶液(温度;室温)に120分間浸漬して薬液処理を行った。続いて、被処理基板を超純水にてリンス処理した。その結果、レジスト層と硬化層が完全に除去されたことを確認した。
【0035】
以上のように、これらの実験例から、オゾンガスに対する水蒸気の体積比と処理室温度とを特定の範囲にすることで、レジスト層や有機反射防止層などの有機物層、および反応生成物層や変質層などの硬化物層を良好に除去できることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の除去方法に用いられる除去装置を模式的に示す図。
【図2】本発明の除去方法に用いられるウェハを示す断面図。
【図3】処理室内におけるオゾンガスに対する水蒸気の体積比と処理室温度との関係を示す図。
【符号の説明】
10 処理室、12 ウェハカセット、14 ホットプレート、20 オゾン供給装置、22 オゾン供給管、30 水蒸気供給装置、32 水蒸気供給管、40 ガス供給装置、42 ガス供給管、50 ミストトラップ装置、52 排気管、60 排オゾンガス分解装置、100 除去処理装置、200 薬液処理装置、300 リンス装置、1 ウェハ、2 構造体、5 レジスト層、6 反応生成物層、7 変質層
【発明の属する技術分野】
本発明は、例えばシリコンなどの基板上にレジストなどの有機物層が形成された被処理基板における有機物層の除去方法に関する。
【0002】
【背景技術および発明が解決しようとする課題】
半導体基板、液晶基板、各種実装基板などに配線などの所定パターンの層を形成するリソグラフィ工程において、フォトレジストや電子線レジスト等の各種有機物層が用いられている。そして、リソグラフィ工程の終了段階では、不要になった有機物層をそれらの基板から除去・洗浄することが必要となる。しかしながら、リソグラフィ工程などが終了した段階では、レジスト層等は、エッチングやイオン注入などによって変質しているので除去しにくい。例えば、高精細のパターニングを要求される半導体プロセスでは、レジスト層の側壁に有機物と無機物との化合物や混合物が堆積される。また、高濃度の不純物がイオン注入された有機物層にはイオン衝撃によって硬化した層が形成される。このような堆積物や硬化層は分解されにくく、除去しにくい。このように除去されにくい有機物層は、例えば、酸素プラズマを用いたアッシングによるドライ処理を行った後に熱硫酸や有機剥離液を用いたウエット洗浄によって除去される。
【0003】
しかしながら、アッシングを用いた方法では、酸素プラズマによって被処理基板がチャージアップなどのプラズマダメージを受ける。また、プラズマを用いた除去方法の場合には、安定したプラズマを発生させる放電の制御や電極設備に特別な装置が必要となり、装置全体が複雑となりコスト高である。また、均一な放電を得ることが困難なため有機物層の除去にむらが生じたり、除去した異物が基板上に再付着し、基板を汚染してしまうことがある。上述の問題点を改善する除去方法として、オゾンガスおよび水蒸気を用いた除去方法に関する技術がある。この技術は、例えば、特開2000−100686号公報に開示されている。
【0004】
本発明の目的は、上述のようなオゾンと水蒸気とを用いた除去方法であって、簡易で確実に有機物層の除去を行なうことができる、有機物層の除去方法を提供することにある。
【0005】
【特許文献1】
特開2000−100686号公報
【0006】
【課題を解決するための手段】
本発明にかかる有機物層の除去方法は、
(a)有機物層が形成された被処理基板を処理室内に供給し、
(b)前記処理室内に少なくともオゾンガスと水蒸気とを導入し、
(c)少なくともオゾンガスと水蒸気とを含む混合気体の雰囲気に前記被処理基板を晒すことにより、前記有機物層を除去し、
(d)前記被処理基板を薬液処理室に供給し、該被処理基板に薬液による洗浄処理を施すこと、を含み、
前記工程(c)において、前記混合気体の雰囲気は、前記オゾンガスに対する前記水蒸気の体積比(水蒸気/オゾンガス)が1以上であり、前記処理室内の温度は95℃ないし140℃である。
【0007】
この除去方法によれば、有機物層、特に難分解性有機物層を容易かつ確実に除去することができる。本発明は、さらに、以下の態様をとることができる。
【0008】
前記処理室内の温度は、前記体積比(水蒸気/オゾンガス)が増加するにつれて高く設定することができる。このようにすることで被処理基板の有機物層をより確実に除去できる。
【0009】
前記有機物層としては、レジスト層、有機反射防止層およびこれらを構成する物質を含む硬化物層の少なくとも1種を例示できる。レジスト層の材料としては、g線レジスト,i線レジスト,deep−UVレジスト,KrFエキシマレジスト,ArFエキシマレジストを例示できる。g線およびi線レジストとしてはジアゾナフトキノン感光剤レジストを、KrFおよびArFエキシマレジストとしては化学増幅レジストを、deep−UVレジストとしてはPMIPK(ポリメチルイソプロペニルケトン)を挙げることができる。有機反射防止層を構成する物質としては、熱硬化性樹脂を例示できる。前記薬液としては、希フッ酸水溶液、アンモニア過水または機能水を例示できる。この薬液は、工程(c)の処理で除去できない残留物を除去することができる。
【0010】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の実施の形態について、図1を参照しながら説明する。
【0011】
図1は、本実施の形態に係る有機物層の除去方法に用いられる除去装置の一例を模式的に示す図である。図1に示す除去装置1000は、除去処理装置100,薬液処理装置200およびリンス装置300を含む。
【0012】
除去処理装置100は、除去処理が行われる処理室10、処理室10にオゾンガスを供給するオゾン供給装置20、および処理室10に水蒸気を供給するための水蒸気供給装置30を含んで構成される。
【0013】
まず、処理室10について説明する。処理室10は、気密に密閉が可能である。処理室10の下部には、処理室10の内部を所定温度に加熱するためのホットプレート14が設けられている。処理室10では、少なくとも水蒸気とオゾンガスとを含む混合気体の雰囲気に被処理基板であるウェハ1を晒すことにより、ウェハ1に形成されたレジストなどの有機物層の除去が行われる。
【0014】
処理室10とオゾン供給装置20とは、オゾン供給管22を介して接続されている。オゾン供給装置20は、処理室10に、所望の流量,圧力でオゾンガスを供給するための装置である。処理室10と水蒸気供給装置30とは、水蒸気供給管32を介して接続されている。水蒸気供給装置30は、気密に密閉が可能である。水蒸気供給装置30は、内部に超純水が収容されている。そして、水蒸気供給装置30は、収容されている超純水を95〜130℃の温度に加熱するためのホットプレート(図示せず)を有する。
【0015】
また、処理室10には、ガス供給管42を介してガス供給装置40が接続されている。図示の例においては、ガス供給管42は、処理室10内においてさらに分岐管44aおよび44bを有している。さらに、処理室10には、排気管52を介して、ミストトラップ装置50および排オゾンガス分解装置60が順次接続されている。
【0016】
薬液処理装置200は処理槽210を有する。処理槽210内には、薬液220が収容されている。薬液処理装置200では、薬液220にウェハ1を浸けることで、処理室10での処理で除去されなかった残留物(パーティクルや残留有機物など)を除去する。薬液220としては、好ましくは、希フッ酸水溶液(例えば0.05〜1.0wt%)、アンモニア過水(アンモニア水と過酸化水素水と水との混合液)、オゾン水,水素水などの機能水を用いることができる。リンス装置300はリンス槽310を有する。リンス槽310内には、超純水320が収容されている。ウェハ1は、搬送手段(図示せず)によって、除去処理装置100,薬液処理装置200およびリンス装置300を順次移動できるように構成されている。
【0017】
次に、被処理基板について述べる。図2は、本発明の除去方法に供される被処理基板の一例であるウェハを模式的に示す断面図である。
【0018】
図2には、除去されるべき有機物層の典型例、例えばレジスト層,反応生成物層および変質層を有するウェハ1を示している。これらの層は、被処理基板に単独あるいは複数存在する。図示の例では、ウェハ1は、基板を有する各種の構造体2上に所定パターンの層3が形成され、この層3上にレジスト層5が形成されている。レジスト層5は、リソグラフィーおよびエッチングによって所定のパターンを有する。層3は、レジスト層5をマスクとしてドライエッチングなどを用いてパターニングされている。この例では、層3は、パターニングされる層であればよく、ドープドポリシリコンなどの導電層、および層間絶縁層などの絶縁層を含む。パターニングされた層3およびレジスト層5の側壁には、ドライエッチング時に形成された反応生成物層6が存在する。また、レジスト層5の上部には、ドライエッチング時にダメージを受けたり、あるいはイオン注入時に不純物が導入された変質層7が存在する。これらの反応生成物層6および変質層7は、レジスト層5に比べて分解しにくく除去するのが難しい。
【0019】
本実施の形態が適用される被処理基板は、構造体2上に、層3とレジスト層5を含むものであればよい。構造体2は、例えば、半導体,ガラス,プラスチックなどの基板、あるいはこれらの基板上に、MOS素子やTFTなどの半導体素子、これらの素子を構成するための層、あるいはその他の各種の層が形成されたものを含む。また、レジスト層5は層3のエッチングマスクとして機能するもの、あるいはイオン注入のマスクとして機能するものを含む。
【0020】
次に、本実施の形態にかかる有機物層の除去方法について図1を参照して説明する。
【0021】
たとえば、図2に示すウェハ1をウェハカセット12に収容し、このウェハカセット12を処理室10内にセットする。ついで、処理室10内に、ガス供給装置40からガス供給管42を介して100〜200℃に加熱された不活性ガス(たとえば窒素ガス)を処理室10へ供給しながら、排気管52から排気し、処理室10内を不活性ガス雰囲気に置換する。同時に、処理室10のホットプレート14を作動させ、処理室10の温度を後述する所定温度に設定する。
【0022】
ウェハ1の温度が所定温度(処理室10の温度とほぼ同じ)で安定した後、水蒸気供給装置30から水蒸気供給管32を介して処理室10内に水蒸気を供給する。また、オゾン供給装置20からオゾン供給管22を介して処理室10内にオゾンガスを供給する。ついで、排気管52を閉状態にし、処理室10内を50〜200kpaに加圧する。水蒸気の温度,圧力,流量、ならびにオゾンガスの流量,圧力は、除去処理を行う条件に応じて適宜設定される。
【0023】
処理室10に収容されているウェハ1の有機物層の除去処理は、後の実験例からも明らかなように、つぎの条件で行われることが好ましい。すなわち、処理室10内の温度は、好ましくは95〜140℃である。また、処理室10の雰囲気は、少なくとも水蒸気とオゾンガスとを含み、オゾンガスに対する水蒸気の体積比(水蒸気/オゾンガス)は1以上、好ましくは2以上である。かかる体積比がこの範囲にあると、充分に大きい有機物層の除去レートを得ることができる。さらに、処理室10内の温度は、オゾンガスに対する水蒸気の体積比(水蒸気/オゾンガス)が増加するにつれて高く設定されることが望ましい。後に述べる実験例から明らかなように、処理室10内の温度は、体積比(水蒸気/オゾンガス)の増加に対応してほぼ直線的に高く設定されることが望ましい。具体的には、体積比(水蒸気/オゾンガス)を0.1大きくするごとに、処理室10内の温度を約1〜3℃上げることが望ましい。
【0024】
処理室10の温度が95℃より低いと被処理基板(ウェハ1)の温度の面内均一性が不充分となり、有機物層の除去処理を被処理基板の全面で均一に行うことができにくくなる。一方、処理室10の温度が140℃を越えると、レジスト層の除去レートが小さくなる傾向がある。オゾンガスに対する水蒸気の体積比(水蒸気/オゾンガス)が1より小さいと、水蒸気の量が相対的に小さくなり、レジスト層の除去レートが小さくなる傾向がある。一方、オゾンガスに対する水蒸気の体積比(水蒸気/オゾンガス)を4.5より大きくしても除去レートが大幅に上がることはない。
【0025】
処理室10を加熱する方法としては、処理室10全体を所定の温度に加熱するためのホットプレート14を利用する方法、ガス供給装置40から加熱されたガスを供給する方法、または図示しない赤外線照射装置の輻射熱を利用しウェハそのものを加熱する方法などがあり、また、これらの方法を複数利用することもできる。
【0026】
除去処理が終了したら、ウェハ1の温度を約40℃まで低下させる。その後、このウェハ1を取り出し、ウェハ1を搬送手段(図示せず)によって薬液処理装置200の処理槽210内に移動させて洗浄処理を行う。洗浄処理は、薬液によって異なるが、例えば室温〜100℃の温度で行われる。薬液220としては前述したものを用いることができる。薬液220は、被処理基板の種類に応じて選択される。
【0027】
続いてウェハ1を搬送手段(図示せず)によってリンス装置300の処理槽310内へ移動し、ウェハ1にリンス処理を施す。さらに、ウェハ1を乾燥手段(図示せず)によって乾燥する。また、処理室10内のガスは排気管52を介してミストトラップ装置50に送られ、ここでガス中のミストを除去する。さらに、ミストトラップ装置50で処理されたガスは、排オゾンガス分解装置60に送られ、ここで紫外線や薬液などによってオゾンガスが分解・除去される。
【0028】
本実施の形態によれば、レジスト層5,反応生成物層6および変質層7を確実に除去することができる。すなわち、本実施の形態では、オゾンガスに対する水蒸気の体積比と処理室温度とを特定の範囲にすることで、レジスト層でマスクされる層に問題となるダメージを与えることなく、レジスト層や有機反射防止層のみならず除去が困難な難分解性有機物層を確実かつ短時間で除去することができる。そして、酸素プラズマを用いたアッシング処理を必要としないので、工程を簡略化でき、しかも被処理基板がプラズマダメージを受けることがない。以下、本発明を実験例によってさらに詳細に述べる。
【0029】
実験例1;
a.実験の内容
シリコン基板上に、厚さ1μmのレジスト層(KrF ポジ型レジスト)を形成した。ついで、レジスト層をリソグラフィーおよび反応性イオンエッチングでパターニングにし、被処理基板のサンプルを得た。ついで、処理室の条件(処理室の温度およびオゾンガスに対する水蒸気の体積比(水蒸気/オゾンガス))を変えて、レジスト層と、エッチング時に形成された反応生成物層との除去状態を確認した。なお、処理室内の圧力は50kPaであり、処理時間は180秒であった。その後、被処理基板を0.5重量%の希フッ酸水溶液(温度;室温)に120分間浸漬して薬液処理を行った。続いて、被処理基板を超純水にてリンス処理した。
【0030】
その結果を図3に示す。図3には、レジスト層の除去が良好に行われる条件のうち、望ましくない条件と近い好ましい条件(境界条件)をプロットした。ここで、レジスト層の除去が良好に行われるとは、レジスト残渣がない状態を意味する。
【0031】
b.実験の結果
図3に示すラインaおよびラインb、またはこれらのラインaおよびbより上の領域(ドットで示す領域)の条件では、レジスト層の除去が良好に行われることが確認された。また、ラインaおよびbより下の条件では、レジスト層の除去にムラが発生したことが確認された。図3のラインaから、体積比(水蒸気/オゾンガス)が大きくなるにつれて処理室温度を高くする必要があることがわかる。この場合には、体積比(水蒸気/オゾンガス)を0.1大きくするごとに、処理室温度を約1〜3℃上げることが望ましいことがわかる。
【0032】
処理室温度が95℃より低い場合(図3のラインbより下の条件)には、レジスト残渣があった。また、体積比(水蒸気/オゾンガス)が1より小さい場合にも、同様である。なお、体積比(水蒸気/オゾンガス)が4.5より大きい場合には、レジスト層の除去レートが小さくなり、例えば体積比が3の場合に比べて1/10に減少していた。
【0033】
このように、実験例1では、オゾンガスに対する水蒸気の体積比と処理室温度とを特定の範囲にすることで、レジスト層および反応生成物層を良好に除去することができることを確認した。
【0034】
実験例2;
シリコン基板の上に、厚さ1μmのレジスト層(I線 ポジ型レジスト)を形成し、さらにP(リン)1.3×1015ions/cm2の条件でレジスト層にイオン注入を行い、被処理基板のサンプルを得た。ついで、処理室の温度を100℃、オゾンガスに対する水蒸気の体積比(水蒸気/オゾンガス))を2として除去処理を行い、レジスト層およびイオン注入によって形成された硬化層の除去状態を確認した。なお、処理室内の圧力は、50kPaであり、除去処理時間は180秒であった。その後、被処理基板を0.5重量%の希フッ酸水溶液(温度;室温)に120分間浸漬して薬液処理を行った。続いて、被処理基板を超純水にてリンス処理した。その結果、レジスト層と硬化層が完全に除去されたことを確認した。
【0035】
以上のように、これらの実験例から、オゾンガスに対する水蒸気の体積比と処理室温度とを特定の範囲にすることで、レジスト層や有機反射防止層などの有機物層、および反応生成物層や変質層などの硬化物層を良好に除去できることがわかった。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の除去方法に用いられる除去装置を模式的に示す図。
【図2】本発明の除去方法に用いられるウェハを示す断面図。
【図3】処理室内におけるオゾンガスに対する水蒸気の体積比と処理室温度との関係を示す図。
【符号の説明】
10 処理室、12 ウェハカセット、14 ホットプレート、20 オゾン供給装置、22 オゾン供給管、30 水蒸気供給装置、32 水蒸気供給管、40 ガス供給装置、42 ガス供給管、50 ミストトラップ装置、52 排気管、60 排オゾンガス分解装置、100 除去処理装置、200 薬液処理装置、300 リンス装置、1 ウェハ、2 構造体、5 レジスト層、6 反応生成物層、7 変質層
Claims (4)
- (a)有機物層が形成された被処理基板を処理室内に供給し、
(b)前記処理室内に少なくともオゾンガスと水蒸気とを導入し、
(c)少なくともオゾンガスと水蒸気とを含む混合気体の雰囲気に前記被処理基板を晒すことにより、前記有機物層を除去し、
(d)前記被処理基板を薬液処理室に供給し、該被処理基板に薬液による洗浄処理を施すこと、を含み、
前記工程(c)において、前記混合気体の雰囲気は、前記オゾンガスに対する前記水蒸気の体積比(水蒸気/オゾンガス)が1以上であり、前記処理室内の温度は95℃ないし140℃である、有機物層の除去方法。 - 請求項1において、
前記処理室内の温度は、前記体積比(水蒸気/オゾンガス)が増加するにつれて高く設定される、有機物層の除去方法。 - 請求項1または請求項2において、
前記有機物層は、レジスト層、有機反射防止層およびこれらを構成する物質を含む硬化物層の少なくとも1種である、有機物層の除去方法。 - 請求項1ないし請求項3のいずれかにおいて、
前記薬液は、希フッ酸水溶液、アンモニア過水または機能水である、有機物層の除去方法。
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