KR100505693B1 - 미세 전자 소자 기판으로부터 포토레지스트 또는 유기물을세정하는 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (25)
- 세정되어야 할 물질을 구비하는 미세 전자 소자 기판 표면에 초임계 이산화탄소를 제공하는 단계; 및상기 기판 표면에 오존 가스 및 수증기를 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 전자 소자 기판의 세정 방법.
- 세정되어야 할 물질을 구비하는 미세 전자 소자 기판 표면에 초임계 이산화탄소를 제공하여 상기 세정되어야 할 물질을 팽윤시키는 단계; 및상기 기판 표면에 오존 가스 및 수증기를 제공하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 전자 소자 기판의 세정 방법.
- 세정되어야 할 물질을 구비하는 미세 전자 소자 기판 표면에 초임계 이산화탄소를 제공하여 상기 세정되어야 할 물질을 팽윤시키는 단계; 및상기 기판 표면에 오존 가스 및 수증기를 제공하여 상기 세정되어야 할 물질을 산화시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 전자 소자 기판의 세정 방법.
- 세정되어야 할 물질을 구비하는 미세 전자 소자 기판 표면에 초임계 이산화탄소를 제공하여 상기 세정되어야 할 물질을 팽윤시키는 단계; 및상기 기판 표면에 오존 가스 및 수증기를 제공하여 상기 세정되어야 할 물질을 수용성으로 전환시키는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 전자 소자 기판의 세정 방법.
- 세정되어야 할 물질을 구비하는 미세 전자 소자 기판 표면에 초임계 이산화탄소를 제공하는 단계;상기 기판 표면에 오존 가스 및 수증기를 제공하는 단계; 및상기 기판 표면을 린스하여 상기 세정되어야 할 물질을 상기 기판 표면으로부터 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 전자 소자 기판의 세정 방법.
- 세정되어야 할 물질을 구비하는 미세 전자 소자 기판 표면에 초임계 이산화탄소를 제공하여 상기 세정되어야 할 물질을 팽윤시키는 단계;상기 기판 표면에 오존 가스 및 수증기를 제공하는 단계; 및상기 기판 표면을 린스하여 상기 세정되어야 할 물질을 상기 기판 표면으로부터 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 전자 소자 기판의 세정 방법.
- 세정되어야 할 물질을 구비하는 미세 전자 소자 기판 표면에 초임계 이산화탄소를 제공하여 상기 세정되어야 할 물질을 팽윤시키는 단계;상기 기판 표면에 오존 가스 및 수증기를 제공하여 상기 세정되어야 할 물질을 산화시키는 단계; 및상기 기판 표면을 린스하여 상기 세정되어야 할 물질을 상기 기판 표면으로부터 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 전자 소자 기판의 세정 방법.
- 세정되어야 할 물질을 구비하는 미세 전자 소자 기판 표면에 초임계 이산화탄소를 제공하여 상기 세정되어야 할 물질을 팽윤시키는 단계;상기 기판 표면에 오존 가스 및 수증기를 제공하여 상기 세정되어야 할 물질을 수용성으로 전환시키는 단계; 및상기 기판 표면을 린스하여 상기 세정되어야 할 물질을 상기 기판 표면으로부터 제거하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 전자 소자 기판의 세정 방법.
- 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 초임계 이산화탄소를 제공하는 단계는 용매없이 상기 초임계 이산화탄소만을 제공하는 단계인 것을 특징으로 하는 미세 전자 소자 기판의 세정 방법.
- 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 초임계 이산화탄소를 제공하는 단계는 50 내지 300℃에서 진행되는 단계인 것을 특징으로 하는 미세 전자 소자 기판의 세정 방법.
- 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 초임계 이산화탄소를 제공하는 단계는 1070 내지 5800 psi 에서 진행되는 단계인 것을 특징으로 하는 미세 전자 소자 기판의 세정 방법.
- 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 오존 가스 및 수증기를 제공하는 단계 전에,상기 초임계 이산화탄소의 임계 압력보다 낮은 압력으로 감압함으로써 상기 기판으로부터 상기 초임계 이산화탄소를 제거하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 전자 소자 기판의 세정 방법.
- 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 오존 가스 및 수증기를 제공하는 단계는 상기 기판의 온도가 상기 수증기의 온도보다 10-15℃ 낮은 조건에서 진행되는 단계인 것을 특징으로 하는 미세 전자 소자 기판의 세정 방법.
- 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 오존 가스 및 수증기를 제공하는 단계는 50 내지 200℃에서 진행되는 단계인 것을 특징으로 하는 미세 전자 소자 기판의 세정 방법.
- 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 오존 가스 및 수증기를 제공하는 단계는 상기 초임계 이산화탄소의 임계 압력보다 낮은 압력에서 진행되는 단계인 것을 특징으로 하는 미세 전자 소자 기판의 세정 방법.
- 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 오존 가스 및 수증기를 제공하는 단계는 30 내지 200KPa에서 진행되는 단계인 것을 특징으로 하는 미세 전자 소자 기판의 세정 방법.
- 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세정되어야 할 물질은 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 미세 전자 소자 기판의 세정 방법.
- 제17 항에 있어서, 상기 포토레지스트는 이온 주입시 마스크로 사용된 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 미세 전자 소자의 기판 세정 방법.
- 제18 항에 있어서, 상기 포토레지스트는 1×1014 atoms/㎠ 도우즈 이상으로 이온 주입된 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 미세 전자 소자의 기판 세정 방법.
- 제19 항에 있어서, 상기 포토레지스트는 1×1015 atoms/㎠ 도우즈 이상으로 이온 주입된 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 미세 전자 소자의 기판 세정 방법.
- 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세정되어야 할 물질은 건식 식각시 마스크로 사용된 포토레지스트인 것을 특징으로 하는 미세 전자 소자의 기판 세정 방법.
- 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세정되어야 할 물질은 건식 식각 부산물인 것을 특징으로 하는 미세 전자 소자의 기판 세정 방법.
- 제1 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 세정되어야 할 물질은 CMP 후 유기물성 잔류물인 것을 특징으로 하는 미세 전자 소자의 기판 세정 방법.
- 제5 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서, 상기 린스 단계는 물을 사용하는 단계인 것을 특징으로 하는 미세 전자 소자의 기판 세정 방법.
- 제5 항 내지 제8 항 중 어느 한 항에 있어서, 건조 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 미세 전자 소자의 기판 세정 방법.
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