JP2005159293A - 基板処理装置及び処理方法 - Google Patents

基板処理装置及び処理方法 Download PDF

Info

Publication number
JP2005159293A
JP2005159293A JP2004230665A JP2004230665A JP2005159293A JP 2005159293 A JP2005159293 A JP 2005159293A JP 2004230665 A JP2004230665 A JP 2004230665A JP 2004230665 A JP2004230665 A JP 2004230665A JP 2005159293 A JP2005159293 A JP 2005159293A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
substrate
processing
organic film
film pattern
gas atmosphere
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2004230665A
Other languages
English (en)
Inventor
Shusaku Kido
秀作 城戸
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nippon Electric Kagoshima Ltd
NEC Kagoshima Ltd
Original Assignee
Nippon Electric Kagoshima Ltd
NEC Kagoshima Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nippon Electric Kagoshima Ltd, NEC Kagoshima Ltd filed Critical Nippon Electric Kagoshima Ltd
Priority to JP2004230665A priority Critical patent/JP2005159293A/ja
Priority to TW093127734A priority patent/TWI252536B/zh
Priority to US10/941,881 priority patent/US20050087301A1/en
Priority to CNA2008100870911A priority patent/CN101350290A/zh
Priority to CNA2008100870926A priority patent/CN101350291A/zh
Priority to CNA2004100824084A priority patent/CN1599026A/zh
Priority to KR1020040074895A priority patent/KR100739385B1/ko
Publication of JP2005159293A publication Critical patent/JP2005159293A/ja
Priority to US12/548,296 priority patent/US8293128B2/en
Priority to US13/604,229 priority patent/US8663488B2/en
Pending legal-status Critical Current

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
    • H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
    • H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/30—Imagewise removal using liquid means
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/26—Processing photosensitive materials; Apparatus therefor
    • G03F7/42—Stripping or agents therefor
    • G03F7/427—Stripping or agents therefor using plasma means only
    • G—PHYSICS
    • G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
    • G03F7/708—Construction of apparatus, e.g. environment aspects, hygiene aspects or materials
    • G03F7/70858—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature
    • G03F7/70866—Environment aspects, e.g. pressure of beam-path gas, temperature of mask or workpiece
    • G03F7/70875—Temperature, e.g. temperature control of masks or workpieces via control of stage temperature
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67069—Apparatus for fluid treatment for etching for drying etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H01L21/6708—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H01L21/67161—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers
    • H01L21/67173—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations characterized by the layout of the process chambers in-line arrangement
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67242—Apparatus for monitoring, sorting or marking
    • H01L21/67248—Temperature monitoring

Abstract

【課題】 ハーフ露光プロセス、薬液溶解リフロープロセスを好適に行うことが可能な基板処理装置を提供する。
【解決手段】 基板の搬送を行う基板搬送機構１２と、基板に薬液処理を施すための薬液処理ユニット２１と、基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニット２２と、を一体的に備える。或いは、基板の搬送を行う基板搬送機構１２と、基板の温度を調整する温度調整処理ユニット１９と、基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニット２２と、を一体的に備える。
【選択図】 図５

Description

本発明は、例えば半導体ウェハ、ＬＣＤ基板或いはその他の基板に所定の処理を施す基板処理装置とその処理方法に関する。
例えば、液晶表示装置（ＬＣＤ：Ｌｉｑｕｉｄ Ｃｒｙｓｔａｌ Ｄｉｓｐｌａｙ）の製造工程においては、ガラスからなるＬＣＤ基板上に所定の膜を成膜した後、感光性有機膜（以下「レジスト膜」と呼ぶ）を塗布形成し、回路パターンに露光し、現像処理するという、いわゆるフォトリソグラフィー技術により回路パターンを形成し、これにエッチング処理を施してレジスト膜の現像パターンに対応する配線回路等を形成する。さらにその後、レジスト膜は剥離処理し除去する。
従来このような一般的フォトリソグラフィー工程、エッチング工程、剥離処理工程を行うために、有機膜（主にレジスト膜）塗布処理システム、露光処理システム、有機膜（主にレジスト膜）現像処理システム、エッチング処理システム、アッシング処理システム、および有機膜（主にレジスト膜）剥離処理システムがある。
また、このような一連の処理工程のうち、有機膜のフォトリソグラフィー工程を行うためのシステムとしては、有機膜塗布処理装置と露光処理装置と現像処理装置とを一体化した有機膜（主にレジスト膜）塗布露光現像処理システム、又は有機膜塗布処理装置と現像処理装置とを一体化した有機膜（主にレジスト膜）塗布現像処理システムがある。
また、エッチング工程から剥離処理工程においては、エッチング処理とアッシング処理を統合した、アッシングチャンバーを備えた枚葉（１枚づつ処理する）型のエッチング処理システム、バッチ（複数枚、又はロットごとに処理する）型のアッシング処理システム及び剥離処理システムが提供されている。
これにより、従来の標準的処理工程をそれぞれ実行するための構成が相互に直結した状態に配置され効率化を図っているが、最近、コスト低減、省エネ、省資源を目的として、新規プロセスの実現、創出、および各種プロセスの改良が必要となり、またその為に、効率的な基板処理装置と処理方法が求められている。
最近用いられているコスト低減のための新規プロセスの一例として、（１）感光性有機膜（以下レジスト膜を例に示す）パターンを複数段の膜厚差がつくように形成（例として、レジスト膜に２回連続露光、又は１回の露光時に透過量を段階的に変化させた露光マスクを用い露光）し、この複数段（例えば、２段）の膜厚レジストマスクの、アッシング処理等による薄膜部の除去前後のパターン変化（特にエッチングマスクとしての変化）を利用すると、２回のリソグラフィ工程を実施したことと同じ効果を１回のリソグラフィ工程で得ることができ、その間に２回のエッチングを行うことで下層膜に２種類のパターンを形成する手法が用いられている。この手法は、一般的に、ＴＦＴ素子形成の５ＰＲプロセスの４ＰＲプロセス化と呼ばれている（以下「ハーフ露光プロセス」と呼ぶ）。
また、コスト低減のための新規プロセスのもう１つの例として、（２）有機溶剤等を用いて有機膜（主にレジスト膜）マスクを溶解させ制御性良く均一に変形させる手法（この手法を以下薬液溶解リフロー変形処理と呼ぶ）を用い、その変形前後のマスクパターンを利用し、上記同様に２回のリソグラフィ工程を実施したことと同じ効果を１回のリソグラフィ工程で得ることができ、その間に２回のエッチングを行うことで下層膜に２種類のパターンを形成する手法が用いられている。この手法を、以下では「薬液溶解リフロー変形処理によるＴＦＴ素子形成のＰＲ短縮プロセス」と呼ぶ。
しかしながら、上記に示すようなコスト低減、省エネ、省資源を目的とした新規プロセスの最適実現、新規プロセス創出および各種プロセスの改良が必要となっているにもかかわらず、従来は、その為の効率的な基板処理装置と処理方法が存在していない。
本発明は、上記のような問題点を解決するためになされたもので、それら新規プロセス：（１）ハーフ露光プロセス、（２）薬液溶解リフロープロセスを制御性良く、しかも均一な加工を効率的に実現する基板処理装置及び基板処理方法を提供することを目的とする。
更には、本発明は、（３）ドライ剥離処理（アッシング処理による剥離処理）も必要に応じて行うことでき、更に（４）有機膜の再露光現像による変形処理、（５）剥離処理前に実施することで剥離処理を容易化、効率化することが出来るエッチング後の有機膜パターンの薄膜変形化処理、及び（６）全面露光と現像による剥離処理等という、新たな処理プロセスと代替プロセスも可能となり、コスト低減、省エネ、省資源に効果を奏し、新規、又は改良処理プロセス等の多様な処理を小型の最小限のユニットで実現出来る基板処理装置および基板処理方法を提供することも目的とする
上記課題を解決するため、本発明の基板処理装置は、基板に処理を施す基板処理装置において、基板の搬送を行う基板搬送機構と、基板に薬液処理を施すための薬液処理ユニットと、基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニットと、を一体的に備えることを特徴としている。
或いは、本発明の基板処理装置は、基板に処理を施す基板処理装置において、基板の搬送を行う基板搬送機構と、基板の温度を調整する温度調整処理ユニットと、基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニットと、を一体的に備えることを特徴としている。
或いは、本発明の基板処理装置は、基板に処理を施す基板処理装置において、基板の搬送を行う基板搬送機構と、基板に薬液処理を施すための薬液処理ユニットと、基板の温度を調整する温度調整処理ユニットと、基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニットと、を一体的に備えることを特徴としている。
薬液処理ユニットは、薬液として現像液を用い薬液処理として現像処理を行う現像処理ユニットであることも好ましい。
或いは、本発明の基板処理装置は、基板に現像処理を施す現像処理ユニットを更に一体的に備えることも好ましい。
基板処理装置が現像処理ユニットを備える場合、基板上に形成された有機膜パターンのうち、基板の所望範囲に含まれる有機膜パターンに対し露光処理を施すための露光処理ユニットを一体的に備えることも好ましい。
また、本発明の基板処理装置においては、更に、基板にアッシング処理を施すためのアッシング処理ユニットを一体的に備えることも好ましい。
更に、本発明においては、有機膜パターン加工処理の始めに加熱処理を追加して施すようにしても良い。この加熱処理は、例えば、有機膜パターン加工処理以前の処理工程において有機膜パターン内、又は下部に染み込んだ水分、酸、アルカリ溶液を除去する目的、或いは、有機膜パターンと下地膜や基板との密着力が低下している場合に該密着力を回復する目的で行う。そのような加熱処理の例としては、５０〜１５０℃の温度で、６０〜３００秒の処理を行うことが挙げられる。その為、その処理方法において、当初に温度調整処理ユニット（又は加熱処理ユニット）を用いた加熱処理、例えば、５０〜１５０℃の温度で、６０〜３００秒の条件の加熱処理を追加して処理することも本発明の基板処理方法として有りえる。
本発明によれば、新規プロセス（（１）ハーフ露光プロセス、（２）薬液溶解リフロープロセス）を好適に行うことができる。
また、（３）アッシング処理による剥離処理も必要に応じて行うことができる。
更に、（４）有機膜の再露光現像による変形処理、（５）剥離処理前に実施することで剥離処理を容易化、効率化することが出来るエッチング後の有機膜パターンの薄膜変形化処理、及び（６）全面露光と現像による剥離処理等という、新たな処理プロセスと代価プロセスも可能となり、コスト低減、省エネ、省資源に効果を奏し、新規、又は改良処理プロセス等の多様な処理を小型の最小限のユニットで実現出来る。
以下、図面を参照して、本発明に係る実施形態について説明する。
本実施形態では、本発明に係る基板処理装置と、その基板処理装置を用いた基板処理方法と、について説明する。
本実施形態に係る基板処理装置に備えられる処理ユニットの候補は、例えば、図７に示すように、簡易露光処理ユニット（露光処理ユニット）１７、加熱処理ユニット（基板加熱処理ユニット）１８、温度調整処理ユニット（基板温度調整ユニット）１９、現像処理ユニット２０、薬液処理ユニット２１、ガス雰囲気処理ユニット２２及びアッシング処理ユニット２３の７種類である。
本実施形態に係る基板処理装置は、基板に所望の処理を施すために、基板搬送機構とカセット設置部の他に、上記７種類の処理ユニットのうちの適宜に選択された処理ユニットを一体的に備えて構成されている。
図７に示す処理ユニットのうち、簡易露光処理ユニット１７は、基板上に形成された有機膜パターンに対し露光処理を施すためのユニットであり、基板の所望範囲（基板全面又は一部；例えば、基板面積の１／１０以上の範囲）に含まれる有機膜パターンに対する露光が可能に構成されている。簡易露光処理ユニット１７による露光は、基板の所望範囲に対する一括した露光であっても良いし、或いは、基板の所望範囲内で露光スポットを走査させることにより該範囲内を隈無く露光させるのであっても良い。簡易露光処理ユニット１７にて露光に使用する光は、紫外線光（ＵＶ光）、蛍光、自然光或いはその他の光である。
加熱処理ユニット１８は、基板に対し加熱処理（ベーキング）を施すためのものであり、その加熱温度は、例えば、８０°Ｃ〜１８０°Ｃ、或いは、１００°Ｃ〜１５０°Ｃの範囲で調節することが可能となっている。加熱処理ユニット１８は、例えば、基板を略水平状態に保持するステージと、このステージが内部に配されたチャンバーと、を備える。
温度調整処理ユニット１９は、基板の温度制御を行うためのものであり、その調温範囲は、例えば、１０°Ｃ〜５０°Ｃ、或いは、１０°Ｃ〜８０°Ｃとなっている。この温度調整処理ユニット１９は、例えば、基板を略水平状態に保持するステージと、このステージが内部に配されたチャンバーと、を備える。
薬液処理ユニット２１は、基板に対し薬液処理を行うためのものである。
この薬液処理ユニット２１は、例えば、図８に示すように、薬液を蓄える薬液タンク３０１と、内部に基板５００が配されるチャンバー３０２と、を備えている。チャンバー３０２は、薬液タンク３０１より圧送される薬液を基板５００上に供給するための可動ノズル３０３と、基板５００を略水平状態で保持するステージ３０４と、該チャンバー３０２内より廃液及び排気を排出するための排出口３０５と、を備えている。
このような薬液処理ユニット２１においては、薬液タンク３０１内に窒素ガスを圧送することにより、該薬液タンク３０１内の薬液を可動ノズル３０３を介して基板５００上に供給することができる。なお、可動ノズル３０３は、例えば、水平方向に可動となっている。また、ステージ３０４は、例えば、その板状の本体部より起立する複数のピンにより基板５００を下面側から点支持するように構成されている。
或いは、薬液処理ユニット２１は、薬液を蒸気化して基板上に供給可能なドライ式のものであっても良い。
なお、薬液処理ユニット２１で用いる薬液（薬液タンク３０１内に蓄えられる薬液）は、例えば、酸、有機溶剤、アルカリのうちの少なくとも何れか１つを含むものである。
現像処理ユニット２０は、基板に対し現像処理（再現像処理）を行うためのものであり、例えば、薬液処理ユニット２１の薬液タンク３０１内に蓄える薬液を現像液とし、それ以外は薬液処理ユニット２１と同様に構成することもできる。
ガス雰囲気処理ユニット２２は、基板に各種ガスを暴露させるガス雰囲気処理を行うことにより基板上の有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理を行うためのユニットである。
ガス雰囲気処理ユニット２２は、例えば、図９及び図１０に示すように、バブリングによりガス（処理ガス）を生成するためのバブリング容器４０１と、内部に基板５００が配されるチャンバー４０２と、を備えている。チャンバー４０２は、バブリング容器４０１からの処理ガスを該チャンバー４０２内に導入するためのガス導入口４０３と、該チャンバー４０２内よりガスを排気するための排気孔４０４と、基板５００を略水平状態で保持するステージ４０５と、チャンバー４０２内並びにバブリング容器４０１を所望の温度に制御するための温度制御機構（図示略）と、を備えている。なお、より具体的には、例えば、互いに平面位置が異なる複数のガス導入口４０３と、ガス導入口４０３からのガスを拡散させてステージ４０５上の基板５００側に供給するため多数の孔部が全面に分散配置されたガス吹出板４０６と、を備えるタイプ（図９）であっても良いし、或いは、１つのガス導入口４０３と、ガス導入口４０３からのガスを回転により攪拌する攪拌部材４０７と、を備えるタイプ（図１０）であっても良い。
このようなガス雰囲気処理ユニット２２においては、液体原料（例えば、有機溶剤）を蓄えたバブリング容器４０１内に窒素ガスを導入してバブリングを行い、バブリングにより生成したガス（処理ガス）をガス導入口４０３よりチャンバー内４０２に導入して、基板５００上に供給する（基板にガスを暴露させる）ことができる。
ここで、温度調整処理ユニット１９の主用途は、ガス雰囲気処理の前に予め温度調整を行うことであり、基板温度を１０〜５０℃、或いは１０〜４０℃の範囲内に調整する温度制御手段を有することが好ましい。
また、ガス雰囲気処理ユニット２２も、基板温度を１０〜５０℃、或いは１０〜４０℃の範囲内に調整する温度制御手段を有することが好ましい。
更に、温度調整処理ユニット１９及びガス雰囲気処理ユニット２２の温度制御手段は、それぞれ基板温度を１０〜５０℃或いは１０〜４０℃の範囲内で任意に設定された目標温度の±２℃以内に保持する制御を行うことが好ましい。
或いは、温度調整処理ユニット１９及びガス雰囲気処理ユニット２２の温度制御手段は、それぞれ基板温度を１０〜５０℃或いは１０〜４０℃の範囲内に調整するとともに、相互に同一ないしは±５℃以内の近似する目標温度に基板温度を調整する制御を行うことが好ましい。
また、温度調整処理ユニット１９及びガス雰囲気処理ユニット２２の温度制御手段は、それぞれ基板温度を１０〜５０℃或いは１０〜４０℃の範囲内の、相互に同一ないしは±５℃以内の近似する目標温度に調整するとともに、該目標温度の±２℃以内に保持する制御を行うことがより好ましい。
更に、温度調整処理ユニット１９及びガス雰囲気処理ユニット２２の温度制御手段は、基板温度を１５℃〜３５℃の範囲内の温度に調整することがより好ましい。
アッシング処理ユニット２３は、プラズマ放電処理（酸素、又は、酸素及びフッ素の雰囲気中で行う）、紫外線光などの波長の短い光エネルギーを用いた処理、及び、その光エネルギー或いは熱を用いたオゾン処理のうちの何れか、或いはその他の処理により、基板上の各種膜（例えば有機膜パターン）のエッチングを行うユニットである。
図５及び図６は本実施形態に係る基板処理装置の好適な一例をそれぞれ示す模式的な平面図である。
このうち図５に示す基板処理装置１００は、該基板処理装置１００が備える各処理ユニットによる処理順序を、用途に応じて変更可能に構成されている。
他方、図６に示す基板処理装置２００は、該基板処理装置２００が備える各処理ユニットによる処理順序が固定的である例を示す。
図５に示すように、基板処理装置１００は、基板（例えば、ＬＣＤ基板或いは半導体ウェハ）を収納するためのカセットＬ１が載置されるカセットステーション１と、カセットＬ１と同様のカセットＬ２が載置されるカセットステーション２と、各種処理ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３、Ｕ４、Ｕ５、Ｕ６、Ｕ７、Ｕ８及びＵ９が配置される処理ユニット配置区域３、４、５、６、７、８、９、１０及び１１と、各カセットステーション１，２及び各処理ユニットＵ１〜Ｕ９の相互間での基板搬送を行う基板搬送ロボット（基板搬送機構）１２と、この基板搬送ロボット１２による基板搬送と各処理ユニットＵ１〜Ｕ９で実行される処理とを各種の基板処理方法に応じて適宜に制御する制御機構（制御手段）２４と、を備えている。
カセットＬ１、Ｌ２のうち、例えば、カセットＬ１は、基板処理装置１００による処理前のＬＣＤ基板の収納に用いられ、カセットＬ２は、基板処理装置１００による処理完了後の基板の収納に用いられる。
また、各種処理ユニット配置区域３〜１１に設置される各種処理ユニットＵ１〜Ｕ９としては、図７に示す７種類の処理ユニットのうちの何れか１つずつを、各種の用途プロセス（基板処理方法）に応じて選択可能となっている。
なお、用途プロセスにて必要とされる処理の種類或いは処理能力に応じては、選択される処理ユニットの数量も適宜に調節可能である。従って、処理ユニット配置区域３〜１１には、何れの処理ユニット１７〜２３も選択・設置されない区域が含まれていても良い。
ここで、制御機構２４は、例えばＣＰＵ及びメモリを備えて構成され、このうちメモリには各処理ユニットＵ１〜Ｕ９及び基板搬送ロボット１２の動作制御を行うための制御プログラムが格納され、このプログラムに従ってＣＰＵが各処理ユニットＵ１〜Ｕ９及び基板搬送ロボット１２の動作制御を行う。
この制御機構２４は、各種の基板処理方法に応じたプログラムを選択的に実行することにより、基板搬送ロボット１２及び各処理ユニットＵ１〜Ｕ９の動作制御を行う。
すなわち、制御機構２４は、各種の基板処理方法に応じた処理順序のデータに基づいて基板搬送ロボット１２による基板搬送順序を制御し、各カセットステーション１，２及び各処理ユニットＵ１〜Ｕ９からの基板取り出しや、それらへの基板収納、載置等を所定の順序通りに行わせる。
また、制御機構２４は、各種の基板処理方法に応じた処理条件データに基づいて各処理ユニットＵ１〜Ｕ９による処理の実行制御を、該基板処理方法における処理順序の通りに行う。
すなわち、例えば、図１に示す基板処理方法（後述）の場合には、制御機構２４は、薬液処理ユニット２１による薬液処理と、温度調整処理ユニット１９による温度調整処理と、ガス雰囲気処理ユニット２２によるガス雰囲気処理と、をこの順に行うように、基板搬送ロボット１２、薬液処理ユニット２１、温度調整処理ユニット１９及びガス雰囲気処理ユニット２２を制御する。
他方、図６に示すように、基板処理装置２００は、カセットＬ１が載置されるカセットステーション１３と、カセットＬ２が載置されるカセットステーション１６と、各種処理ユニットＵ１、Ｕ２、Ｕ３、Ｕ４、Ｕ５、Ｕ６及びＵ７が配置される各種処理ユニット配置区域３、４、５、６、７、８及び９と、カセットステーション１３のカセットＬ１から処理ユニット配置区域３の処理ユニットＵ１へ基板を搬送する基板搬送ロボット１４と、処理ユニット配置区域９の処理ユニットＵ７からカセットステーション１６のカセットＬ２へ基板を搬送するための基板搬送ロボット１５と、これら基板搬送ロボット１４，１５による基板搬送と各処理ユニットＵ１〜Ｕ９間での基板搬送と各処理ユニットＵ１〜Ｕ９で実行される処理とを各種の基板処理方法に応じて適宜に制御する制御機構２４と、を備えている。
基板処理装置２００では、各処理ユニットによる処理順序が固定的であり、上流側の処理ユニットから順に（図６の矢印Ａ方向に）連続処理するように構成されている。
基板処理装置２００も、各種処理ユニット配置区域３〜９に設置される各種処理ユニットＵ１〜Ｕ７として、図７に示す７種類の処理ユニットのうちの何れか１つずつを、用途プロセスに応じて選択可能となっている。また、用途プロセスにて必要とされる処理の種類或いは処理能力に応じては、選択される処理ユニットの数量も適宜に調節可能であり、処理ユニット配置区域３〜９には、何れの処理ユニット１７〜２３も選択・設置されない区域が含まれていても良い。
基板処理装置２００の制御機構２４は、各種の基板処理方法に応じて固定的に定められた処理順序のデータに基づいて基板搬送ロボット１２による基板搬送順序を制御し、各カセットステーション１，２及び各処理ユニットＵ１〜Ｕ９からの基板取り出しや、それらへの基板収納、載置等を所定の順序通りに行わせる。
また、制御機構２４は、各種の基板処理方法に応じて固定的に定められた処理条件データに基づいて、各処理ユニットＵ１〜Ｕ９による処理の実行制御を、該基板処理方法における処理順序の通りに行う。
すなわち、例えば、図１に示す基板処理方法（後述）の場合には、制御機構２４は、薬液処理ユニット２１による薬液処理と、温度調整処理ユニット１９による温度調整処理と、ガス雰囲気処理ユニット２２によるガス雰囲気処理と、をこの順に行うように、基板搬送ロボット１２、薬液処理ユニット２１、温度調整処理ユニット１９及びガス雰囲気処理ユニット２２を制御する。
なお、基板処理装置１００、２００に設置可能な処理ユニットの数量をそれぞれ９個、７個とした例を図５、図６に示しているが、それらの数量は、用途プロセスの種類や処理能力、コストの観点により適宜に増減させた構成としても良い。
また、例えば、カセットＬ１及びＬ２の２つのカセットを用いる例を説明したが、必要な処理能力、コストの観点により、カセットの数量は適宜に増減させた構成としても良い。
また、基板処理装置１００，２００に備えられる処理ユニットとしては、上記の７種類の処理ユニットの他にも、例えば、微細パターン露光を伴う露光処理ユニット、エッチング（ドライ、又はウェット）処理ユニット、レジスト塗布ユニット、および密着強化処理（密着強化剤処理等）、表面洗浄（ドライ洗浄：ＵＶ光、プラズマ使用等、ウェット洗浄：洗浄液使用等）処理ユニット等を追加することも可能であり、更に全体的な処理を効率的に行うことも可能である。
エッチング処理ユニットを備える場合、例えば、有機膜パターンをマスクとして下地膜（例えば基板表面）のパターン加工（下地膜加工処理）を行うことができる。
ここで、エッチング処理ユニットは、薬液処理ユニット２１で用いる薬液として、下地膜のパターン加工が可能な薬液（すなわち酸を含むエッチング液、またはアルカリを含むエッチング液）を用いることにより、薬液処理ユニット２１で代用できる。
また、処理の均一化の目的のために、基板処理装置は同一の処理ユニットを複数個備えるものとし、複数個備えられた同一の処理ユニットにより、それぞれ基板に同一の処理を施すこと、すなわち、同一の処理を流れ作業により複数回繰り返し行うことも好ましい。
更に、複数個備えられた同一の処理ユニットによる処理を、それぞれ基板の向きをその板面内において互いに異ならせて（例えば、反対向きにして）行うことも好ましい。この場合、基板処理装置は、複数個備えられた同一の処理ユニットによる処理を、それぞれ基板の向きをその板面内において互いに異ならせて行う機能を有することが好ましく、このように構成することにより、基板の向きの変更を作業者の手に頼らずに自動的に行うことができる。
或いは、同一の処理ユニットは１つだけ備える場合に、その一の処理ユニットによる処理を、基板の向きをその板面内において互いに異ならせて複数回に分けて行うことも好ましい。この場合、少なくとも、相互に反対向きの複数方向にて、それぞれ基板に処理を行うことが、より好ましい。これらの場合、基板処理装置は、少なくとも何れか１つの処理ユニットによる処理を、基板の向きをその板面内において互いに異ならせて複数回に分けて行う機能を有することが好ましい。
或いは、一の処理ユニットによる処理には、基板の板面において一方向への処理と、それとは異なる方向（例えば、反対方向）への処理と、が含まれることも好ましい。この場合、基板処理装置は、少なくとも何れか１つの処理ユニットによる処理として、基板の板面において一方向への処理と、それとは異なる方向への処理と、を行う機能（それらの方向へ走査するようにして処理を行う機能）を有することが好ましい。ここで、このような機能は、例えば、少なくともガス雰囲気処理ユニット２２が有することが好ましい。つまり、ガス雰囲気処理ユニット２２によるガス雰囲気処理は、基板の板面において一方向への処理と、それとは異なる方向への処理と、を含むことが好ましい。
更に、基板処理装置は、防爆機能又は発火防止機能を具備していることが好ましい。この場合、少なくともガス雰囲気処理ユニット２２が防爆機能又は発火防止機能を具備していることが好ましい。
次に、好適な実施形態の例（具体的な基板処理方法の例と、基板処理方法に応じて各処理ユニット１７〜２３を選択的に設置して得られる基板処理装置）について説明する。
〔第１の実施形態〕
第１の実施形態に係る基板処理方法は、例えば、（１）有機膜（主にレジスト膜）パターンをマスクとして下地膜（すなわち例えば基板自体）のエッチングを行う場合に、下地膜のエッチング形状をテーパー化（例えば、特開２００２−３３４８３０号公報参照）したり、或いは、エッチング寸法を微細化したり（有機膜パターンの面積拡大或いはコンタクト孔の微細化の結果としてのエッチング寸法微細化）する目的、（２）有機膜（主にレジスト膜）パターンをマスクとして下地膜のエッチングを行う場合に、溶解変形処理の前後で下地膜のエッチングを行う（溶解変形処理前、溶解変形処理後の有機膜パターンをマスクとして該有機膜パターンの下地膜をパターン加工する）ことで、下地膜のエッチング形状を２段階形状化したり、形状が相互に大きく異なる２種類のパターンに形成したり、分離パターンと結合パターン（例えば、特開２００２−３３４８３０号公報の図２及び図３参照；隣設された有機膜パターンを相互に一体化させる処理を含む）を形成したりする目的、（３）有機膜パターンが絶縁性の場合に、該有機膜パターンを回路パターンの絶縁膜となるように変形させる（基板上に形成された回路パターンを覆う絶縁膜となるように有機膜パターンを変形させる）目的などに用いられる。
すなわち、第１の実施形態に係る基板処理方法は、上記（１）〜（３）の目的の各々において、有機膜パターンを加工する工程に関する。
図１は、第１の実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。
図１に示すように、第１の実施形態に係る基板処理方法では、薬液処理（ステップＳ１）、温度調整処理（ステップＳ２）、ガス雰囲気処理（ステップＳ３）及び加熱処理（ステップＳ４）をこの順に行い、これら一連の処理を有機膜パターン加工処理としている。
このうち薬液処理（ステップＳ１）により除去処理が構成され、ガス雰囲気処理（ステップＳ３）により溶解変形処理が構成されている。
ステップＳ１は、有機膜パターンの表面（表層部）の変質層の除去、又は、有機膜パターン表面上の堆積層の除去を目的とした薬液（酸性溶液、アルカリ性溶液、有機溶剤溶液等）処理であり、薬液処理ユニット２１を用いて行われる。
なお、ステップＳ１の薬液処理により、変質層又は堆積層の除去とともに、有機膜パターンに覆われていない基板表面の濡れ性を改善することもできる。
また、薬液処理では、有機膜パターンの表層部の変質層のみ、又は、有機膜パターン表面上の堆積層のみを、選択的に除去できるように、その処理時間を設定したり、使用薬液を選択することが好ましい。
そして、このように変質層又は堆積層を除去する結果として、変質していない有機膜パターンを露出及び残存させたり、堆積層に覆われていた有機膜パターンを露出及び残存させたりする。
ここで、除去処理（本実施形態の場合、薬液処理のみ）により除去すべき変質層は、有機膜パターンの表層部が、時間放置劣化、熱酸化、熱硬化、デポジション層（堆積層）の付着、酸系エッチング液の使用（ウェットエッチング液処理）、アッシング処理（Ｏ2アッシングなど）、その他ドライエッチングガスの使用（ドライエッチング処理）を要因として変質し、生成されるものが想定される。すなわち、これらの要因により、有機膜パターンは物理的、化学的ダメージを受けて変質化するのであるが、その変質化の程度や特性は、ウェットエッチング処理における使用薬液の種類、ドライエッチング処理の一種であるプラズマ処理における等方性・異方性の差、有機膜パターン上における堆積物の有無、ドライエッチング処理における使用ガスの種類など、各種の生成要因に応じて大きく異なるため、変質層の除去のし易さにも違いが生じる。
また、除去処理により除去すべき堆積層としては、ドライエッチング処理に伴い堆積した堆積層が想定される。この堆積層の特性も、ドライエッチング処理の一種であるプラズマ処理における等方性・異方性の差、ドライエッチング処理における使用ガスの種類などの生成要因に応じて大きく異なるため、堆積層の除去のし易さにも違いが生じる。
よって、薬液処理の時間の長さや、薬液処理で用いる薬液の種類は、変質層又は堆積層の除去し易さに応じて適宜に設定或いは選択する必要がある。
薬液処理で用いられる薬液としては、例えば、アルカリ性の薬品を含有した薬液、酸性の薬品を含有した薬液、有機溶剤を含有した薬品、有機溶剤とアミン系の材料とを含有した薬液、アルカリ性の薬品とアミン系の材料とを含有した薬液の何れかが用いられる。
ここで、アルカリ性の薬品は、例えば、アミン系の材料と水とを含有してなるものであることが挙げられ、有機溶剤は、例えば、アミン系の材料を含有してなるものであることが挙げられる。
更に、薬液処理で用いられる薬液は、防食剤を含有したものであっても良い。
アミン系の材料の具体例としては、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、モノブチルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、ヒドロキシルアミン、ジエチルエヒドロキシルアミン、無水ジエチルエヒドロキシルアミン、ピリジン、ピコリンなどが挙げられる。つまり、薬液は、アミン系の材料を含有する場合、これらの材料のうちの何れか１種を含有していても良いし、何れか複数種を含有していても良い。なお、薬液は、アミン系の材料を含有する場合、アミン系の材料を０．０１から１０Wt％（０．０１重量％以上１０重量％以下）の範囲で含有する水溶液であることが挙げられる。
ステップＳ２の温度調整処理は、ガス雰囲気処理（ステップ３）の前に予め温度を安定化させる（事前温度安定化）ために行う。この温度調整処理による安定化温度は、例えば、１０℃〜５０℃である。この温度調整処理は、ガス雰囲気処理の処理温度に保たれた温度調整処理ユニット１９のステージ上に基板を載置し、基板温度が該処理温度に達するまで（例えば、３分〜５分）行う。
なお、これら薬液処理及び温度調整処理は、それぞれ、後のガス雰囲気処理（ステップＳ３）において有機膜パターンにガスを浸透し易くさせ、該ガス雰囲気処理の効率及び質を向上させる効果を奏する。
ステップＳ３のガス雰囲気処理では、ガス雰囲気処理ユニット２２を用いて基板に対し各種ガス（例えば、有機溶剤を原料として生成する）を暴露することにより、基板上の有機膜パターンを溶解させ変形させる（溶解変形処理）。つまり、ガス雰囲気処理は、例えば、有機溶剤のガス雰囲気中で行う。
ここで、ガス雰囲気処理に用いて好適な有機溶剤を、上位概念としての有機溶剤と、それを具体化した下位概念の有機溶剤とに分けて、以下に示す。なお、Ｒはアルキル基又は置換アルキル基、Ａｒはフェニル基又はフェニル基以外の芳香環を示すものとする。

上位概念としての有機溶剤：
・アルコール類（Ｒ−ＯＨ）
・アルコキシアルコール類
・エーテル類（Ｒ−Ｏ−Ｒ、Ａｒ−Ｏ−Ｒ、Ａｒ−Ｏ−Ａｒ）
・エステル類
・ケトン類
・グリコール類
・アルキレングリコール類
・グリコールエーテル類

下位概念の有機溶剤：
・ＣＨ3ＯＨ、Ｃ2Ｈ5ＯＨ、ＣＨ3（ＣＨ2）ＸＯＨ
・イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）
・エトキシエタノール
・メトキシアルコール
・長鎖アルキルエステル
・モノエタノールアミン（ＭＥＡ）
・モノエチルアミン
・ジエチルアミン
・トリエチルアミン
・モノイソピルアミン
・ジイソピルアミン
・トリイソピルアミン
・モノブチルアミン
・ジブチルアミン
・トリブチルアミン
・ヒドロキシルアミン
・ジエチルエヒドロキシルアミン
・無水ジエチルエヒドロキシルアミン
・ピリジン
・ピコリン
・アセトン
・アセチルアセトン
・ジオキサン
・酢酸エチル
・酢酸ブチル
・トルエン
・メチルエチルケトン（ＭＥＫ）
・ジエチルケトン
・ジメチルスルホキシド（ＤＭＳＯ）
・メチルイソブチルケトン（ＭＩＢＫ）
・ブチルカルビトール
・ｎ−ブチルアセテート（ｎＢＡ）
・ガンマーブチロラクトン
・エチルセロソルブアセテート（ＥＣＡ）
・乳酸エチル
・ピルビン酸エチル
・２−ヘプタノン（ＭＡＫ）
・３−メトキシブチルアセテート
・エチレングリコール
・プロピレングリコール
・ブチレングリコール
・エチレングリコールモノエチルエーテル
・ジエチレングリコールモノエチルエーテル
・エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
・エチレングリコールモノメチルエーテル
・エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート
・エチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル
・ポリエチレングリコール
・ポリプロレングリコール
・ポリブチレングリコール
・ポリエチレングリコールモノエチルエーテル
・ポリジエチレングリコールモノエチルエーテル
・ポリエチレングリコールモノエチルエーテルアセテート
・ポリエチレングリコールモノメチルエーテル
・ポリエチレングリコールモノメチルエーテルアセテート
・ポリエチレングリコールモノ−ｎ−ブチルエーテル
・メチル−３−メトキシプロピオネート（ＭＭＰ）
・プロピレングリコールモノメチルエーテル（ＰＧＭＥ）
・プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート（ＰＧＭＥＡ）
・プロピレングリコールモノプロピルエーテル（ＰＧＰ）
・プロピレングリコールモノエチルエーテル（ＰＧＥＥ）
・エチル−３−エトキシプロピオネート（ＦＥＰ）
・ジプロピレングリコールモノエチルエーテル
・トリプロピレングリコールモノエチルエーテル
・ポリプロピレングリコールモノエチルエーテル
・プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート
・３−メトキシプロピオン酸メチル
・３−エトキシプロピオン酸エチル
・Ｎ−メチル−２−ピロリドン（ＮＭＰ）

なお、有機溶剤を原料として生成したガスを用いてガス雰囲気処理を行うのは、有機膜パターンが有機溶剤の浸透により溶解する場合である。例えば、有機膜パターンが水溶性、酸溶解性、アルカリ溶解性の場合は、水溶液、酸溶液或いはアルカリ溶液を原料として生成したガスを用いてガス雰囲気処理を行う場合も有り得る。
ここで、温度調整処理ユニット１９及びガス雰囲気処理ユニット２２では、各々備える温度制御手段により、基板温度を１０〜５０℃の範囲内に調整して処理を行うことが好ましい。
また、温度調整処理ユニット１９及びガス雰囲気処理ユニット２２での処理は、基板温度を１０〜５０℃の範囲内で任意に設定された目標温度の±２℃以内に保持して行うことがより好ましい。
更に、温度調整処理ユニット１９での処理における目標温度と、ガス雰囲気処理ユニット２２での処理における目標温度は、相互に同一であるか、或いは、±５℃以内の近似する温度であることが一層好ましい。
加えて、ガス雰囲気処理ユニット２２によるガス雰囲気処理において用られる供給ガスや供給源となる有機溶剤等の溶液も１０〜５０℃の範囲内に調温しておくこと、並びに、それらの調温を行うための温度制御手段を備えることが好ましい。
更に、このようにガス雰囲気処理ユニット２２での供給ガスや供給源となる有機溶剤等の溶液を調温する温度制御手段は、それらの温度を１０〜５０℃の範囲内で任意に設定された目標温度の±２℃以内に保持することが好ましい。
また、ガス雰囲気処理ユニット２２での供給ガスや供給源となる有機溶剤等の溶液の温度と、ガス雰囲気処理ユニット２２での処理温度とは、相互に同一であるか、或いは、±５℃以内の近似する温度に調整することが好ましい。
更に、ガス雰囲気処理ユニット２２での供給ガスや供給源となる有機溶剤等の溶液を調温する温度制御手段は、それらの温度を１０〜５０℃の範囲内で任意に設定された目標温度の±２℃以内に保持し、且つ、ガス雰囲気処理ユニット２２での供給ガスや供給源となる有機溶剤等の溶液の温度と、ガス雰囲気処理ユニット２２での処理温度とは、相互に同一であるか、或いは、±５℃以内の近似する温度に調整することが好ましい。
或いは、ガス雰囲気処理ユニット２２での供給ガスや供給源となる有機溶剤等の溶液の温度と、ガス雰囲気処理ユニット２２での処理温度との間に、温度差を設けて処理するようにしても良い。この場合、ガス雰囲気処理ユニット２２での処理温度の方が高い場合には、基板上の有機膜パターンの薬液溶解リフロー変形における進行速度は、その温度差が減少するに従い遅くなり、ガス雰囲気処理ユニット２２での処理温度の方が低い場合には、基板上の有機膜パターンの薬液溶解リフロー変形における進行速度は、その温度差が増加するに従い早く進行する。
ガス雰囲気処理ユニット２２での供給ガスや供給源となる有機溶剤等の溶液を調温する温度制御手段としては、上記のような何れかの調温動作を行うものを用途に応じて選択し用いる。
また、ガス雰囲気処理ユニット２２での供給ガスや供給源となる有機溶剤等の溶液の温度と、ガス雰囲気処理ユニット２２での処理温度とを連動して制御する連動制御機能を有するものとして装置を構成することも好ましい。
更に、最適には、温度調整処理ユニット１９、ガス雰囲気処理ユニット２２による温度調整範囲は、１５℃〜３５℃の範囲である。
なお、ガス雰囲気処理ユニット２２の温度制御手段は、該ガス雰囲気処理ユニット２２が備える基板ステージ（例えばステージ４０５）の温度調整を行うことによって、処理温度を調整することが好ましい。
ステップＳ４の加熱処理では、所定の加熱温度（例えば８０℃〜１８０℃）に保たれた加熱処理ユニット１８のステージ上に基板を載置して所定時間（例えば３分〜５分）保持する。この加熱処理を行うことにより、ガス雰囲気処理にて暴露したガスを有機パターン内により深く浸透させることができるとともに、溶解変形をより進行させることができる。
なお、このような第１の実施形態の場合に用いられる基板処理装置は、例えば、各種処理ユニットＵ１〜Ｕ９又はＵ１〜Ｕ７として、少なくとも薬液処理ユニット２１、温度調整処理ユニット１９、ガス雰囲気処理ユニット２２及び加熱処理ユニット１８を備える基板処理装置１００又は２００である。
基板処理装置１００の場合には、薬液処理ユニット２１、温度調整処理ユニット１９、ガス雰囲気処理ユニット２２及び加熱処理ユニット１８の配置は任意である。
他方、基板処理装置２００の場合には、薬液処理ユニット２１、温度調整処理ユニット１９、ガス雰囲気処理ユニット２２及び加熱処理ユニット１８が、この順に、図６の矢印Ａ方向において配置されている必要がある。なお、基板処理装置２００の場合に各処理ユニットを処理順に配置する必要があるのは、以下に説明する各実施形態の各基板処理方法においても同様である。
また、図１の処理は、基板処理装置（例えば基板処理装置１００又は２００）により自動的に行うことが好ましい。すなわち、基板処理装置の制御機構２４は、基板搬送ロボット１２及び各処理ユニットの動作を適宜に制御して、図１の処理を自動的に行う。なお、このように基板処理装置が一連の処理を自動的に行うのは、以下に説明する各実施形態の各基板処理方法においても同様である。
また、基板処理装置は、エッチング処理ユニットを備える場合には、有機膜パターンをマスクとした下地膜（例えば基板表面）のパターン加工（下地膜加工処理）も自動的に行うことが好ましい。なお、有機膜パターンをマスクとした下地膜加工処理としては、有機膜パターン加工処理前の有機膜パターンをマスクとして行う処理と、有機膜パターン加工処理後の有機膜パターンをマスクとして行う処理と、のうちの何れか一方又は両方を、用途に応じて行う。このように有機膜パターンをマスクとした下地膜加工処理を必要に応じて行う点は、以下に説明する各実施形態の各基板処理方法においても同様である。
以上のような第１の実施形態によれば、薬液処理（ステップＳ１）により有機膜パターンの表面改質、有機膜パターンの表面の一部除去、或いは、基板表面の濡れ性改善を行った後で、溶解変形処理（ステップＳ３）を行うので、該溶解変形処理を制御性良く均一且つ効率的に行うことができ、上記した（１）〜（３）の目的（例えば、薬液溶解リフロー変形処理によるＴＦＴ素子形成のＰＲ短縮プロセス）を好適に達成することができる。
ところで、ドライ処理方法であるアッシング処理は、大きく分けると２種類有る。
Ａ１）１つ目は、プラズマ処理以外（紫外線光などの波長の短い光エネルギーや、熱を用いたオゾン処理など）の処理である。プラズマ処理以外のアッシング処理は、対象物（ここでは、有機膜や下地膜等）へのダメージは小さいが、その処理速度は遅い。よって、プラズマ処理以外のアッシング処理は、有機膜パターンや下地膜の表面状態変化（濡れ性向上）に用いられる程度であり、有機膜表面の一部変質層の除去や、ドライ剥離のような高速な処理を必要とされる場合には、ほとんど用いられることがない。ただし、プラズマ処理以外のアッシング処理であっても、唯一、非常に高温な熱と共にオゾンガス処理するという手法がそのような高速な処理として用いられる場合があるが、その場合には、有機膜が熱硬化し、ウエット剥離出来ない程の大きな変質化、ダメージを残す問題があるため、これもあまり一般化していない。
Ａ２）２つ目は、プラズマ処理である。プラズマ処理には、更に２つの放電方法による場合がある。Ａ２−１）その１つ目は、高圧、低パワー、等方性のプラズマ処理である。Ａ２−２）２つ目は、低圧、高パワー、異方性のプラズマ処理の場合である。このプラズマ処理は、どちらも、前記Ａ１）の「プラズマ処理以外のアッシング処理」よりも処理速度は速い。また、Ａ２−１）の処理よりもＡ２−２）の処理の方が処理速度が速い。このように、プラズマ処理は、いずれも処理速度が速いため、有機膜パターンや下地膜の表面状態変化（濡れ性向上）は短時間の処理で行うことができるとともに、有機膜表面の一部変質層の除去や、ドライ剥離のような高速な処理にも適用される。しかしながら、プラズマ処理は、いずれも対象物へのダメージは、前記Ａ１）の場合よりも大きい。
特に有機膜表面の一部変質層の除去の目的において従来用いられるドライ処理としては、Ａ１）の処理（プラズマ処理以外の処理）は不充分である。また、Ａ２）のプラズマ処理のうち、Ａ２−２）の異方性のプラズマ処理は、当初の一部変質層は充分に除去することができるが、大きなダメージが残り有機膜の新たな変質層が大きく形成されることとなるため、この目的に用いることは無意味である。従って、Ａ２−１）の等方性のプラズマ処理が、この目的の場合には最も一般的に用いられる。
しかしながら、特に特開２００２−３３４８３０号公報に記載の有機膜パターンの加工処理を行う基板処理方法では、有機膜パターンに薬液（主に有機溶剤）を浸透させ変形させる処理（溶解変形処理）を均一化する目的で、その溶解変形処理前に有機膜パターン上の一部変質層を除去する場合において、Ａ２−２）の異方性のプラズマ処理はもちろん、Ａ２−１）の等方性のプラズマ処理を用いても、当初の有機膜の一部変質層の完全な除去と、そのプラズマ処理による新たなダメージに起因して有機膜に微小な変質層が形成され残存してしまうことと、を完全に防止することは困難である。
そして、このようにプラズマ処理により新たに形成され残存する有機膜の微小な変質層でさえも、溶解変形処理の均一性を阻害しているという問題点を、本発明者は見出した。
つまり、特開２００２−３３４８３０号公報の技術では、有機膜パターンに、プラズマ処理によるダメージと微小な変質層が残る結果として、溶解変形処理の均一性が不十分となるため、該溶解変形処理後に行われる下地膜加工で不良が発生してしまう可能性があった。
このように、従来（特開２００２−３３４８３０号公報）の場合にはアッシング処理により行っていた有機膜パターン表面の変質層又は堆積層の除去を、薬液処理すなわちウェット処理により行うので、有機膜パターン或いは基板に与えるダメージを極力抑制することができる。よって、その後の溶解変形処理や下地膜のエッチングにおいて、不良発生を低減することが可能となる。
なお、ステップＳ４の加熱処理は省略することも可能であり、該加熱処理を省略する場合、加熱処理ユニット１８は不要となる。また、ステップＳ４での加熱温度が、温度調整処理ユニット１９により調温可能な温度範囲であれば、このステップＳ４の処理は温度調整処理ユニット１９を用いて行うこともできる。以下、図２乃至図４の各図において、ステップＳ４と同様に括弧書きとなっているステップは、同様に省略可能であることを意味する。従って、括弧書きとなっているステップに対応する処理ユニットを省略可能であることは、以下に説明する各基板処理方法においても同様である。
また、ステップＳ４の後は、常温付近への温度調整処理（冷却）を行うことが好ましい。
なお、基板処理装置１００の場合には、同一の処理を複数回行うような基板処理方法（例えば、加熱処理（ステップＳ４）を２回行うような基板処理方法）の場合にも、その処理用の処理ユニットは１つで良いが、基板処理装置２００の場合には、同一の処理を複数回行うには、その回数分の同一処理ユニットが必要である。すなわち、基板処理装置２００の場合、例えば、加熱処理（ステップＳ４）を２回行うには、加熱処理ユニット２２が２つ必要である。このことは、以下に説明する各基板処理方法においても同様である。
〔第２の実施形態〕
第２の実施形態に係る基板処理方法は、第１の実施形態に係る基板処理方法と同様の目的（上記（１）〜（３）の目的）に用いられる。つまり、第２の実施形態に係る基板処理方法は、上記（１）〜（３）の目的の各々において、有機膜パターンを加工する工程に関する。
図２は、第２の実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。
図２に示すように、第２の実施形態に係る基板処理方法では、アッシング処理（ステップＳ７）、薬液処理（ステップＳ１）、温度調整処理（ステップＳ２）、ガス雰囲気処理（ステップＳ３）及び加熱処理（ステップＳ４）をこの順に行い、これら一連の処理を有機膜パターン加工処理としている。
第２の実施形態では、アッシング処理及び薬液処理により除去処理が構成されている。
第２の実施形態では、第１の実施形態に係る基板処理方法の薬液処理（ステップＳ１）の前に、更にアッシング処理（ステップＳ７）を追加している。このステップＳ７のアッシング処理は、アッシング処理ユニット２３を用いて行われる。
すなわち、アッシング処理は、プラズマ放電処理（酸素、又は、酸素及びフッ素の雰囲気中で行う）、紫外線光などの波長の短い光エネルギーを用いた処理、及び、その光エネルギー或いは熱を用いたオゾン処理のうちの何れか、或いはその他の処理により、基板上の有機膜パターンをエッチングする処理である。
第２の実施形態では、ガス雰囲気処理（溶解変形処理）の前処理として有機膜パターン表面の変質層又は堆積層を除去する処理を、第１の実施形態のように全てウェット処理である薬液処理により行うのではなく、前処理においてもアッシング処理を適用し、そのアッシング処理によって、変質層の中でも特に表層部のみを除去するようにしている。
ステップＳ７のアッシング処理に続くステップＳ１では、アッシング処理後も残留する変質層を、ウェット処理である薬液処理により除去する。つまり、ステップＳ７とステップＳ１とを組み合わせてこの順に行うことにより、有機膜パターンの表面の変質層を全て除去するようにしている。
その後のステップＳ２、ステップＳ３、ステップＳ４については、第１の実施形態と同様であり、各処理を安定化させる為に、事前に基板温度を適正な処理温度に調整する温度調整処理（主に冷却）や、溶解変形処理後の有機膜パターンのベーキングの為に、加熱処理を追加したものである。
以上のような第２の実施形態によれば、有機膜パターン表面の変質層又は堆積層を除去する除去処理では、有機膜パターンに対するアッシング処理と、薬液処理と、をこの順に行うが、アッシング処理は、有機膜パターン表面の変質層又は堆積層の中でも特に表層部のみの除去に利用するのに留めているため、従来例のアッシング処理の場合と比べて、その処理時間を短縮でき、該アッシング処理によるダメージを大幅に低減することができる。
更に、薬液処理のみでは除去できないような強固な変質層又は堆積層が存在する場合にも、薬液処理の前のアッシング処理により、その変質層又は堆積層を容易に除去することができる。
また、第２の実施形態のステップＳ１で用いる薬液としては、第１の実施形態のステップＳ１で用いる薬液と比べて、有機膜パターンの浸食度の少ないものを適用したり、第２の実施形態のステップＳ１の処理時間を第１の実施形態のステップＳ１よりも短縮したりすることができる。
〔第３の実施形態〕
第３の実施形態に係る基板処理方法は、基板上の有機膜パターンが主として感光性有機膜である場合に適用される方法であり、薬液処理に用いられる薬液として、少なくとも有機膜パターンの現像機能をもつ薬液（現像機能液）を用いる点の他は、つまり、薬液処理に用いる薬液の種類が異なる他は、第１、第２の実施形態と同様の方法である。
ここで、現像機能液としては、例えば、主成分としてのＴＭＡＨ(水酸化テトラメチルアンモニウム)を０．１から１０．０Wt％の範囲で含有するアルカリ水溶液、又は、NａOH（水酸化ナトリウム）やＣａＯＨ（水酸化カルシウム）などの無機アルカリ水溶液がある。
なお、第３の実施形態においては、最初に有機膜パターンを形成する際の初期露光の後、現像処理を行うまでの間は、基板を無露光（無感光）状態に保っておくことが好ましく、このように無露光状態に保つことにより、現像処理の効果を一定化させることができる。
基板を無露光状態に保つためには、工程を管理したり、或いは、基板処理装置の構成を、基板を無露光状態に保てるような構成にすると良い。
図３（ａ）は、第３の実施形態に係る基板処理方法を示すフローチャートである。
図３（ａ）に示すように、第３の実施形態に係る基板処理方法では、現像処理（ステップＳ５）、温度調整処理（ステップＳ２）、ガス雰囲気処理（ステップＳ３）及び加熱処理（ステップＳ４）をこの順に行い、これら一連の処理を有機膜パターン加工処理としている。
このうち現像処理により除去処理が構成されている。
ステップＳ５の現像処理は、現像処理ユニット２０を用いて、有機膜パターンを現像機能液により現像する処理であり、図１におけるステップＳ１と同様の効果を奏する。
よって、第３の実施形態によれば、第１の実施形態の場合と同様の効果を得ることができる。
なお、第３の実施形態の場合に用いられる基板処理装置は、各種処理ユニットＵ１〜Ｕ９又はＵ１〜Ｕ７として、少なくとも現像処理ユニット２０、温度調整処理ユニット１９、ガス雰囲気処理ユニット２２及び加熱処理ユニット１８を備える基板処理装置１００又は２００である（括弧書きとなっているステップに対応する処理ユニットを省略しない場合）。
また、上記の第３の実施形態においては、現像処理の前にアッシング処理を追加で行い、これらアッシング処理及び現像処理により除去処理を行うようにしても良い。
〔第４の実施形態〕
第４の実施形態に係る基板処理方法では、第３の実施形態に係る基板処理方法において、現像処理の前に、有機膜パターンを感光させる露光処理を追加して行う。
ここで、現像処理の前に行う露光処理は、基板の所望範囲（全面の場合もある）に含まれる有機膜パターンに対し露光処理を施す処理（つまり、例えば、微細パターン露光などとは異なる露光処理）であり、以下では“簡易露光処理”と呼ぶ。この簡易露光処理は、簡易露光処理ユニット１７を用いて行う。簡易露光処理にて露光する光は、紫外線光（ＵＶ光）、蛍光、自然光或いはその他の光である。この簡易露光処理では、基板の所望範囲（基板全面又は一部；例えば、基板面積の１／１０以上の範囲）に含まれる有機膜パターンに対する露光を行う。なお、簡易露光処理での露光は、基板の所望範囲に対する一括した露光であっても良いし、或いは、基板の所望範囲内で露光スポットを走査させることにより該範囲内を隈無く露光させるのであっても良い。
なお、第４の実施形態においては、最初に有機膜パターンを形成する際の初期露光の後、現像処理を行うまでの間は、基板を無露光（無感光）状態に保っておくことが好ましく、このように無露光状態に保つことにより、現像処理の効果を一定化させたり、簡易露光処理での露光量の均一化を図ったりすることができる。基板を無露光状態に保つためには、工程を管理したり、或いは、無露光状態に保てるように基板処理装置を構成したりすると良い。
ここで、簡易露光処理は、例えば、以下の何れかの位置付けで行うことが挙げられる。
１つ目は、簡易露光処理以前では無感光状態を保たれた基板上の有機膜パターンに対して露光する場合である。
２つ目は、簡易露光処理以前にある程度露光され（紫外線光、ＵＶ光、蛍光、自然光により露光され、又は、その光の中で長時間放置され）てしまった場合や露光量が不明な場合（露光が不均一な場合や無管理状態の場合）に、露光量を基板全面で実質的に均一化するために基板全面を充分露光したり、或いは、基板全面への露光を念のために追加する場合である。
＜第４の実施形態の具体例１＞
図３（ｂ）は、第４の実施形態に係る基板処理方法の具体例１を示すフローチャートである。
図３（ｂ）に示すように、第４の実施形態に係る基板処理方法の具体例１では、簡易露光処理（ステップＳ６）、現像処理（ステップＳ５）、温度調整処理（ステップＳ２）、ガス雰囲気処理（ステップＳ３）及び加熱処理（ステップＳ４）をこの順に行い、これら一連の処理を有機膜パターン加工処理としている。
このうち簡易露光処理及び現像処理により除去処理が構成されている。
図３（ｂ）の基板処理方法は、図３（ａ）の基板処理方法の前に簡易露光処理（ステップＳ６）を追加で行うようにした基板処理方法であり、有機膜パターンが感光性の場合に、ステップＳ５の現像処理を一層効果的に行うための基板処理方法である。
ステップＳ６の簡易露光処理は、基板の所望範囲（全面の場合もある）に含まれる有機膜パターンに対し露光処理を施す処理（つまり、例えば、微細パターン露光などとは異なる露光処理）であり、簡易露光処理ユニット１７を用いて行う。露光する光は、紫外線光（ＵＶ光）、蛍光、自然光或いはその他の光である。
なお、具体例１の場合に用いられる基板処理装置は、各種処理ユニットＵ１〜Ｕ９又はＵ１〜Ｕ７として、少なくとも簡易露光処理ユニット１７、現像処理ユニット２０、温度調整処理ユニット１９、ガス雰囲気処理ユニット２２及び加熱処理ユニット１８を備える基板処理装置１００又は２００である（括弧書きとなっているステップに対応する処理ユニットを省略しない場合）。
＜第４の実施形態の具体例２＞
図３（ｃ）は、第４の実施形態に係る基板処理方法の具体例２を示すフローチャートである。
図３（ｃ）に示すように、第４の実施形態に係る基板処理方法の具体例２では、アッシング処理（ステップＳ７）、簡易露光処理（ステップＳ６）、現像処理（ステップＳ５）、温度調整処理（ステップＳ２）、ガス雰囲気処理（ステップＳ３）及び加熱処理（ステップＳ４）をこの順に行い、これら一連の処理を有機膜パターン加工処理としている。
このうちアッシング処理、簡易露光処理及び現像処理により除去処理が構成されている。
図３（ｃ）の基板処理方法は、図３（ｂ）の基板処理方法の前に、アッシング処理ユニット２３によるアッシング処理（ステップＳ７）を追加で行うようにした基板処理方法である。
第４の実施形態の具体例２では、ガス雰囲気処理（溶解変形処理）の前処理として有機膜パターン表面の変質層又は堆積層を除去する処理を、具体例１のように全てウェット処理である現像処理により行うのではなく、前処理においてもアッシング処理を適用し、そのアッシング処理（ステップＳ７）によって、変質層の中でも特に表層部のみを除去するようにしている。
ステップＳ７のアッシング処理の後で行われるステップＳ５では、アッシング処理後も残留する変質層を、ウェット処理である現像処理により除去する。
第４の実施形態の具体例２は、その他の点では具体例１と同様である。
具体例２によれば、現像処理（ステップＳ５）の前にステップＳ７のアッシング処理を行うので、感光性有機膜パターンの表面が図３（ｃ）の基板処理方法以前のエッチング処理で硬化、変質している場合に、その変質層の除去を一層効果的に行うことができる。つまり、このようなアッシング処理は、エッチングによる有機膜パターンの硬化、変質が強固な場合に適用することが好ましい。
なお、具体例２の場合には、アッシング処理を行うが、このアッシング処理の時間の長さは従来（特開２００２−３３４８３０号公報）の場合よりも短縮できる。なぜなら、ステップＳ５の現像処理を行うからである。
具体例２の場合に用いられる基板処理装置は、各種処理ユニットＵ１〜Ｕ９又はＵ１〜Ｕ７として、少なくともアッシング処理ユニット２３、簡易露光処理ユニット１７、現像処理ユニット２０、温度調整処理ユニット１９、ガス雰囲気処理ユニット２２及び加熱処理ユニット１８を備える基板処理装置１００又は２００である（括弧書きとなっているステップに対応する処理ユニットを省略しない場合）。
＜第４の実施形態の具体例３＞
図３（ｄ）は、第４の実施形態に係る基板処理方法の具体例３を示すフローチャートである。
図３（ｄ）に示すように、第４の実施形態に係る基板処理方法の具体例３では、簡易露光処理（ステップＳ６）、アッシング処理（ステップＳ７）、現像処理（ステップＳ５）、温度調整処理（ステップＳ２）、ガス雰囲気処理（ステップＳ３）及び加熱処理（ステップＳ４）をこの順に行い、これら一連の処理を有機膜パターン加工処理としている。
すなわち、具体例３の基板処理方法は、具体例２（図３（ｃ））の基板処理方法の、アッシング処理（ステップＳ７）と、簡易露光処理（ステップＳ６）の順序を入れ替えた基板処理方法である。この場合にも、具体例２の場合と同様の効果が得られる。
図３（ｄ）の基板処理方法は、特に、ステップＳ６の露光処理時に感光性有機膜パターンの変質、硬化が進む場合には、具体例５の場合よりも好適に用いられる。
なお、具体例３の場合に用いられる基板処理装置は、具体例２の場合と同様である。
以上の第４の実施形態においては、露光処理を簡易露光処理としたが、これは、コスト、工程能力、装置のユニット組み込みの観点から、標準的な処理として示したものであるが、この例に限らず、通常の微細パターン露光を行う露光処理を行うようにしても良い。
また、上記の第１〜第４の各実施形態の処理、すなわち図１〜図３に示される各具体例の処理は、上記の（１）、（２）、（３）の目的に限らず、（４）有機膜パターンの平坦化（例えば、特開２００３−２１８２７号公報参照）にも同様に適用することができる。なお、この場合、基板の所望範囲に形成される有機膜を「有機膜パターン」と捉えることができる。
また、図１〜図３に示される各具体例の処理を、上記（１）、（２）の目的に適用する場合には、各処理の後、或いは前後の両方にて、下地膜加工（エッチング）を施すと良い。すなわち、溶解変形処理による変形前の有機膜パターンをマスクとして該有機膜パターンの下地膜（つまり、例えば基板）をパターン加工する下地膜加工処理や、溶解変形処理による変形後の有機膜パターンをマスクとして該有機膜パターンの下地膜（つまり、例えば基板）をパターン加工する下地膜加工処理を行うと良い。
〔第５の実施形態〕
第５の実施形態に係る基板処理方法では、第３、第４の実施形態に係る基板処理方法において、現像処理の前に、更に薬液処理を追加して行う。
ここで、現像処理の前の薬液処理では、現像処理で用いる現像機能液以外の薬液を用いる。
＜第５の実施形態の具体例１＞
図４（ａ）は、第５の実施形態に係る基板処理方法の具体例１を示すフローチャートである。
図４（ａ）に示すように、第５の実施形態に係る基板処理方法の具体例１では、薬液処理（ステップＳ１）、現像処理（ステップＳ５）、温度調整処理（ステップＳ２）、ガス雰囲気処理（ステップＳ３）及び加熱処理（ステップＳ４）をこの順に行い、これら一連の処理を有機膜パターン加工処理としている。
このうち薬液処理及び現像処理により除去処理が構成されている。
なお、薬液処理（ステップＳ１）は、現像機能液以外の薬液を用いて行う処理（現像処理以外の薬液処理）である。
このように、図４（ａ）の基板処理方法は、図３（ａ）の基板処理方法の前に薬液処理（ステップＳ１）を追加で行うようにした基板処理方法である。
つまり、図４（ａ）の基板処理方法は、図３（ａ）の基板処理方法を改善する方法であり、ステップＳ１の薬液処理は、有機膜パターンの表面の変質層又は堆積層において、現像処理では除去出来ないような強固な一部分（表層部）を除去する為に行う。なお、この薬液処理は、第１の実施形態における薬液処理（酸性溶液、アルカリ性溶液、有機溶剤溶液等を用いた処理）と同様であり、薬液処理ユニット２１を用いて行われる。
以降のステップは、第３の実施形態（図３（ａ））と同様である。
＜第５の実施形態の具体例２＞
図４（ｂ）は、第５の実施形態に係る基板処理方法の具体例２を示すフローチャートである。
図４（ｂ）に示すように、第５の実施形態に係る基板処理方法の具体例２では、薬液処理（ステップＳ１）、簡易露光処理（ステップＳ６）、現像処理（ステップＳ５）、温度調整処理（ステップＳ２）、ガス雰囲気処理（ステップＳ３）及び加熱処理（ステップＳ４）をこの順に行い、これら一連の処理を有機膜パターン加工処理としている。
このうち薬液処理、簡易露光処理及び現像処理により除去処理が構成されている。
なお、薬液処理（ステップＳ１）は、現像機能液以外の薬液を用いて行う処理（現像処理以外の薬液処理）である。
このように、図４（ｂ）の基板処理方法は、図３（ｂ）の基板処理方法の前に薬液処理（ステップＳ１）を追加で行うようにした基板処理方法である。
つまり、図４（ｂ）の基板処理方法は、図３（ｂ）の基板処理方法を改善する方法であり、ステップＳ１の薬液処理は、有機膜パターンの表面の変質層又は堆積層において、現像処理では除去出来ないような強固な一部分（表層部）を除去する為に行う。なお、この薬液処理は、第１の実施形態における薬液処理（酸性溶液、アルカリ性溶液、有機溶剤溶液等を用いた処理）と同様であり、薬液処理ユニット２１を用いて行われる。
以降のステップは、第４の実施形態の具体例１（図３（ｂ））と同様である。
＜第５の実施形態の具体例３＞
図４（ｃ）は、第５の実施形態に係る基板処理方法の具体例３を示すフローチャートである。
図４（ｃ）に示すように、第５の実施形態に係る基板処理方法の具体例３では、薬液処理（ステップＳ１）、アッシング処理（ステップＳ７）、簡易露光処理（ステップＳ６）、現像処理（ステップＳ５）、温度調整処理（ステップＳ２）、ガス雰囲気処理（ステップＳ３）及び加熱処理（ステップＳ４）をこの順に行い、これら一連の処理を有機膜パターン加工処理としている。
このうち薬液処理、アッシング処理、簡易露光処理及び現像処理により除去処理が構成されている。
なお、薬液処理（ステップＳ１）は、現像機能液以外の薬液を用いて行う処理（現像処理以外の薬液処理）である。
このように、図４（ｃ）の基板処理方法は、図３（ｃ）の基板処理方法の前に薬液処理（ステップＳ１）を追加で行うようにした基板処理方法である。
つまり、図４（ｃ）の基板処理方法は、図３（ｃ）の基板処理方法を改善する方法であり、ステップＳ１の薬液処理は、有機膜パターンの表面の変質層又は堆積層において、現像処理では除去出来ないような強固な一部分（表層部）を除去する為に行う。なお、この薬液処理は、第１の実施形態における薬液処理（酸性溶液、アルカリ性溶液、有機溶剤溶液等を用いた処理）と同様であり、薬液処理ユニット２１を用いて行われる。
以降のステップは、第４の実施形態の具体例２（図３（ｃ））と同様である。
なお、以上の第５の実施形態における薬液処理（ステップＳ１）の順序は、図４（ａ）、図４（ｂ）、図４（ｃ）に示した順序に限らず、現像処理（ステップＳ５）の前であれば何れの順番であっても良い。また、図４（ｃ）では、簡易露光処理（ステップＳ６）の前にアッシング処理（ステップＳ７）を行う例を示しているが、簡易露光処理とアッシング処理の順序を入れ替えて、簡易露光処理の後にアッシング処理を行うようにしても良い。
すなわち、例えば、簡易露光処理（ステップＳ６）、薬液処理（ステップＳ１）、現像処理（ステップＳ５）、温度調整処理（ステップＳ２）、ガス雰囲気処理（ステップＳ３）及び加熱処理（ステップＳ４）をこの順に行い、これら一連の処理を有機膜パターン加工処理としても良い。
或いは、アッシング処理（ステップＳ７）、簡易露光処理（ステップＳ６）、薬液処理（ステップＳ１）、現像処理（ステップＳ５）、温度調整処理（ステップＳ２）、ガス雰囲気処理（ステップＳ３）及び加熱処理（ステップＳ４）をこの順に行い、これら一連の処理を有機膜パターン加工処理としても良い。
或いは、簡易露光処理（ステップＳ６）、アッシング処理（ステップＳ７）、薬液処理（ステップＳ１）、現像処理（ステップＳ５）、温度調整処理（ステップＳ２）、ガス雰囲気処理（ステップＳ３）及び加熱処理（ステップＳ４）をこの順に行い、これら一連の処理を有機膜パターン加工処理としても良い。
或いは、アッシング処理（ステップＳ７）、薬液処理（ステップＳ１）、簡易露光処理（ステップＳ６）、現像処理（ステップＳ５）、温度調整処理（ステップＳ２）、ガス雰囲気処理（ステップＳ３）及び加熱処理（ステップＳ４）をこの順に行い、これら一連の処理を有機膜パターン加工処理としても良い。
以上のような第５の実施形態によれば、現像処理の前に薬液処理を行うので、有機膜パターンがエッチング処理により硬化、変質している場合に、該有機膜パターンの表層部の除去を第３の実施形態の場合よりも一層効果的に行うことができる。つまり、第４の実施形態は、有機膜パターンの硬化、変質がより一層強固な場合に適用することが好ましい。
なお、上記の第４及び第５の実施形態において、簡易露光処理（ステップＳ６）を省略する場合も有り得る。すなわち、除去処理では、例えば、現像処理以外の薬液処理（ステップＳ１）と、現像処理（ステップＳ５）と、をこの順に行うようにしても良いし、或いは、除去処理では、アッシング処理（ステップＳ７）と、現像処理以外の薬液処理（ステップＳ１）と、現像処理（ステップＳ５）と、をこの順に行うようにしても良い。
このような簡易露光処理（ステップＳ６）の省略は、例えば、以下に説明するような２つの場合に行うことが挙げられる。
１つ目は、基板上に当初の有機膜パターンを形成して以後、有機膜パターン加工処理までの間に、工程内での別の露光、または室内、装置内の状態により、適当な量の感光がなされる場合である。その場合には、簡易露光処理（ステップＳ６）を省略しても、第４及び第５の実施形態とほぼ同じ効果が得られる。
２つ目は、基板上に当初の有機膜パターンを形成して以後、有機膜パターン加工処理までの間は、有機膜パターンを感光させない状態に保った後で、現像処理、又は、現像機能を持つ薬液による薬液処理を行うことにより、変質層又は堆積層を除去すると共に、当初の有機膜パターンを形成した時の有機膜パターンの外周部の回りこみ感光部である残存表面部分のみを除去し、有機膜パターンの中心部分の無感光で変質も起こしていない部分は残存させたい場合である。その場合には、基板上に当初の有機膜パターンを形成して以後、有機膜パターン加工処理までの間は、有機膜パターンを感光させない状態に保つことにより、その後の現像処理又は薬液処理によって変質層又は堆積層とともに、当初の有機膜パターンを形成した時の有機膜パターンの外周部の回りこみ感光部である残存表面部分のみが再度現像されることにより同時に除去されることになる。結果、有機膜パターンの中心部分の無感光で変質も起こしていない部分は好適に残存させることができる。
なお、以上の各実施形態においては、一の有機膜パターンにおいては、その全体の膜厚が均一である場合を前提とした説明を行ったが、有機膜パターン、すなわち、基板上に形成された当初の有機膜パターンは、少なくとも２段階以上の膜厚に形成された有機膜パターンであっても良い。
このように、有機膜パターンが２段階以上の膜厚を有する場合には、上記の現像処理（ステップＳ５）を行うことにより、有機膜パターンにおいて膜厚が薄い薄膜部を選択的に更に薄くしたり、或いは、有機膜パターンにおいて膜厚が薄い薄膜部を選択的に除去したりすることができる。
ここで、２段階以上の膜厚を有する有機膜パターンを形成するためには、該有機膜パターンを形成するための初期露光における露光量を、有機膜パターンの面内で２段階以上に制御すると良い。具体的には、例えば、初期露光において、２種類以上の透過光量のレチクルマスクを用いると良い。
このように、露光量を２段階以上に制御した後で現像処理（当初の有機膜パターンを形成するための現像処理であり、ステップＳ５の現像処理とは別）を行うことにより、露光量が多い又は少ない部分のみの有機膜が優先的に薄くなるので、２段階以上の膜厚を有する有機膜パターンを形成することができる。
ここで、初期露光による露光の履歴は、その後も残存するため、上記の現像処理（ステップＳ５）を行うことにより、有機膜パターンにおいて膜厚が薄い薄膜部を選択的に更に薄くしたり、或いは、有機膜パターンにおいて膜厚が薄い薄膜部を選択的に除去したりすることができる。
なお、ステップＳ５の現像処理で用いる現像機能液としては、当初の有機膜パターンを形成するための現像処理で用いた現像機能液がポジ用であれば、同じくポジ用の現像機能液を用い、当初の有機膜パターンを形成するための現像処理で用いた現像機能液がネガ用であれば、同じくネガ用の現像機能液を用いると良い。
このように、基板上に形成された当初の有機膜パターンが、少なくとも２段階以上の膜厚に形成された有機膜パターンである場合に、上記の現像処理（ステップＳ５）を行うことにより、有機膜パターンにおいて膜厚が薄い薄膜部を選択的に更に薄くしたり、或いは、有機膜パターンにおいて膜厚が薄い薄膜部を選択的に除去する場合には、特に、当初の有機膜パターンを形成する際の初期露光の後、現像処理を行うまでの間、基板を無露光（無感光）状態に保っておく方が（すなわち、基板上に当初の有機膜パターンを形成して以後、有機膜パターン加工処理までの間は、有機膜パターンを感光させない状態に保っておく方が）、２段階以上の膜厚を有する有機膜パターンにおいて、膜厚が薄い薄膜部を選択的に更に薄くしたり、或いは、有機膜パターンにおいて膜厚が薄い薄膜部を選択的に除去する場合に、よりその選択性を高く保つことが出来る 。
これは、従来のこの種の２段階以上の膜厚を有する感光性有機膜パターンにおいて、膜厚が薄い薄膜部を選択的に更に薄くしたり、或いは、有機膜パターンにおいて膜厚が薄い薄膜部を選択的に除去する場合に、主にＯ2ガスを用いたドライエッチング、又はアッシング（異方性が主）により行っていた手法に比較し、１）主に薬液（又は現像）処理によるウエット処理で行うことによる有機膜パターン、下地膜へのダメージ低減という効果に加えて、２）有機膜パターンの感光性の有無による現像速度の差を利用した効果的で、選択性の高い処理（膜厚が薄い薄膜部の更に薄く、或いは、除去）が実現できる効果をもたらすためである。
次に、上記の各実施形態の除去処理の種類の選択に関する指針を説明する。
図１１は、除去処理により除去すべき変質層の成因に応じた変質化の程度を示す図である。なお、図１１においては、変質化の程度を、ウェット剥離の難易を基準としてレベル分けしている。
図１１に示すように、有機膜表面の変質層の変質化の程度は、有機膜のウエットエッチング処理、ドライエッチング処理、更にドライエッチング処理のうちのプラズマ処理における等方性、異方性の差、有機膜上の堆積物の有無、ドライエッチング処理における使用ガスの種類などに応じて大きく異なる。つまり、これらの各種パラメータに応じて、有機膜表面の変質層の除去のし易さに違いがある。
薬液処理で用いる薬液としては、酸、アルカリ水溶液及び有機溶剤のうちの何れか１つ、又は、それらの混合液を用いる。
更に具体的な例として、アルカリ水溶液、又はアミン類の有機溶剤を混合した水溶液であって、少なくとも１種類のアミン類を０．０５〜１０ｗｔ％（０．０５重量％以上１０重量％以下）の範囲で含有する薬液を用いる。
アミン類の典型例は、モノエチルアミン、ジエチルアミン、トリエチルアミン、モノイソプロピルアミン、ジイソプロピルアミン、モノブチルアミン、ジブチルアミン、トリブチルアミン、ヒドロキシルアミン、ジエチルエヒドロキシルアミン、無水ジエチルエヒドロキシルアミン、ピリジン、ピコリンなどである。
但し、変質層の変質化の程度が比較的軽い場合、すなわち時間放置劣化（放置酸化）、酸系エッチング液、等方性Ｏ2アッシングなどの要因により形成された変質層の場合には、アミン類の濃度は、例えば、０．０５〜３ｗｔ％（０．０５重量％以上３重量％以下）で良い。
ここで、図１６は、使用する薬液中のアミン類の含有濃度と、有機膜の変質の有無に応じた除去レートと、の関係を示す図である。
図１６に示すように、変質層を選択的に除去し、変質していない有機膜は残存させる為には、前記アミン類の有機溶剤を０．０５〜１．５ｗｔ％（０．０５重量％以上１．５重量％以下）含有するような水溶液を用いて薬液処理を行うと良い。なお、前記アミン類の中でも、特に、ヒドロキシルアミン、ジエチルエヒドロキシルアミン、無水ジエチルエヒドロキシルアミン、ピリジン、ピコリンなどが最適である。また、添加する防食剤の典型例として、Ｄ−グルコース（Ｃ6Ｈ12Ｏ6）、キレート剤、酸化防止剤などがあり、それらを添加している場合もある。
更に、薬液処理では、上記のように薬液の種類を適宜に選択するほか、その処理時間の長さを適宜の値に設定することにより、変質層又は堆積層のみを選択的に除去し、変質していない有機膜パターンを露出及び残存させたり、堆積層に覆われていた有機膜パターンを露出及び残存させたりすることができる。
このような薬液処理を行うことにより、その後の溶解変形処理（例えば、ガス雰囲気処理）において、該溶解変形処理に用いられる有機溶剤が有機膜パターン内に浸透しやすくなるという効果が得られる。
実際には、有機膜パターンの表面の変質層を上記薬液で処理することにより、変質層に亀裂が入るか、変質層の一部又は全部が除去される。これにより、溶解変形処理（例えば、ガス雰囲気処理）において、有機パターン内への有機溶剤の浸透が変質層によって妨げられてしまうことを、回避することが可能となる。
ここで重要な点は、有機膜パターンにおいて変質していない部分は除去或いは剥離せずに残存させることと、変質層のみを選択的に除去するか或いは該変質層に亀裂を入れることにより有機膜パターンにおいて変質していない部分への有機溶剤の浸透を容易にすることであり、そのような作用を変質層に対して及ぼすことが可能な薬液を使用する必要がある。
また、例えば図２、図３（ｃ）、図３（ｄ）、図４（ｃ）に示すように、アッシング処理は、有機膜の表面の変質層又は堆積層が強固な場合、厚い場合、フッ素と化合した変質層などのより除去し難い変質層である場合に、薬液処理の前に行うと良い。このようにアッシング処理と薬液処理とを組み合わせて行うことにより、薬液処理のみでは変質層の除去が困難であるか又は除去に時間がかかるなどの問題点を解消することができる。
ここで、図１２は変質層に対しＯ2アッシング（等方性プラズマ）処理のみを施した場合の変質層の変化を示し、図１３は変質層に対し薬液処理（ヒドロキシルアミンを２％含有する水溶液を用いた薬液処理）のみを施した場合の変質層の変化を示し、図１４は変質層に対しＯ2アッシング（等方性プラズマ）処理と薬液処理（ヒドロキシルアミンを２％含有する水溶液を用いた薬液処理）とを順に施した場合の変質層の変化を示している。なお、図１２〜図１４においても、図１１におけるのと同様に、変質化の程度を、ウェット剥離の難易を基準としてレベル分けしている。
図１２〜図１４に示すように、何れの場合にも変質層の除去は可能であるが、図１２に示すＯ2アッシング（等方性プラズマ）処理のみの場合と、図１３に示す薬液処理（ヒドロキシルアミンを２％含有する水溶液を用いた薬液処理）のみの場合とでは、処理前の変質層の厚さや性質に応じて変質層の除去程度が異なる。
すなわち、Ｏ2アッシング（等方性プラズマ）処理は、図１２に示すように、比較的、堆積物の有る変質層の除去に効果があるが、ダメージを残存させてしまう特徴がある為、堆積物の無い変質層に対して行った場合には、薬液処理のみの場合（図１３）よりも変質層の残存の程度が大きい。
それに比較し、薬液処理（ヒドロキシルアミンを２％含有する水溶液を用いた薬液処理）は、図１３に示すように、堆積物の有る変質層の除去に対しては効果が小さいが、ダメージを残存させない特徴がある為、堆積物の無い変質層に対して行った場合には、Ｏ2アッシング（等方性プラズマ）処理のみの場合（図１２）よりも変質層の残存の程度が大きい。
そこで、Ｏ2アッシング（等方性プラズマ）処理と薬液処理（ヒドロキシルアミンを２％含有する水溶液を用いた薬液処理）とを順に施した場合を図１４に示すが、図１４の場合には、図１２の場合と図１３の場合との双方の長所を取り入れた方法であることが分かる。すなわち、図１４の場合には、堆積物有りの場合にも、無しの場合にも、共に効果を発揮するとともに、ダメージの残存を抑制した理想的な態様で変質層を除去できることが分かる。
更に、溶解変形処理（例えばガス雰囲気処理）の均一性をより高めるには、有機パターンの下地膜の領域を表面処理し濡れ性を高めることも好ましい。下地膜の濡れ性を高める表面処理は、上記の各実施形態で説明したアッシング処理、すなわち、例えば、酸素ガスプラズマ（Ｏ2プラズマ）或いはＵＶオゾン処理により行うことが挙げられる。
酸素プラズマ処理は、例えば、Ｏ2流量３００ｓｃｃｍ、処理圧力１００Ｐａ、ＲＦパワー１０００Ｗのプラズマ中で、１２０秒間を行うことが挙げられる。
他方、ＵＶオゾン処理は、１００℃乃至２００℃の基板温度範囲にてオゾンガス雰囲気中でＵＶ光を照射することにより行うことが挙げられる。
下地膜の濡れ性を高めるその他の表面処理としては、各種プラズマ処理、各種プラズマの典型例としてのフッ素系ガスプラズマ（ＳＦ6ガスプラズマ、ＣＦ4ガスプラズマ、ＣＨＦ3ガスプラズマ等）又はフッ素系ガスと酸素ガスとの混合プラズマ（ＳＦ6／Ｏ2プラズマ、ＣＦ4／Ｏ2プラズマ、ＣＨＦ3／Ｏ2プラズマ等を含む）処理が挙げられる。
これら処理は有機パターンで覆われていない下地膜表面の濡れ性を改善する。従って、これらの処理を行うことによって、溶解変形処理（例えばガス雰囲気処理）により変形する有機パターンが下地膜表面をリフローし易くなる。
ところで、上記のように、各種プラズマ処理、酸素プラズマ処理、或いはＵＶオゾン処理等の前処理は、薬液処理と比べてダメージの残存を招き易い。そこで、各種プラズマ処理、酸素プラズマ処理、或いはＵＶオゾン処理等の前処理の後に更に薬液処理による有機膜の表面の変質層を処理又は除去することにより、下地膜の濡れ性を高めると共に有機膜パターンにダメージを残存させず有機パターン表面の変質層を除去できるので、均一な溶解変形処理を行うことができる。
図１５は溶解変形処理（例えばガス雰囲気処理）の前処理としての除去処理の効果を、本発明の場合の除去処理を行った場合と、従来技術の場合の除去処理を行った場合とに分けて、それぞれ示す模式図である。
図１５（ａ）は基板上３１に有機膜パターン３２が形成された状態を示す。
図１５（ｂ）は有機膜パターン３２をマスクとして、エッチングにより下地膜（例えば、基板３１の上層部３１ａ）をパターン加工した状態を示す。
図１５（ｃ）は図１５（ｂ）における有機膜パターン３２の拡大図である。図１５（ｃ）に示すように、有機膜パターン３２の表層部には、例えば、先のエッチングに起因して、変質層３２ａが形成されている。従って、有機膜パターン３２において、変質していない正常部３２ｂは、変質層３２ａに覆われた状態となっている。
図１５（ｄ）は、本発明の場合の除去処理（例えば薬液処理のみ）を行った状態を示す。図１５（ｄ）に示すように、除去処理を行うことにより、有機膜パターン３２の表層部の変質層３２は除去される。また、有機膜パターンにおけるダメージの残存は無い。
図１５（ｅ）は、図１５（ｄ）の除去処理に続いて溶解変形処理を行った状態を示す。図１５（ｅ）に示すように、溶解変形処理を行うことにより、有機膜パターン３２を均一に変形させることができ、良好な溶解変形処理を行うことができる。
対して、図１５（ｆ）は、従来技術の場合の除去処理（アッシング処理のみ）を行った状態を示す。図１５（ｆ）に示すように、従来技術の除去処理を行った場合には、元々存在していた有機膜パターン３２の表層部の変質層３２は除去されるが、有機膜パターンにおけるダメージの残存が生じる。
図１５（ｇ）は、図１５（ｆ）の従来の除去処理に続いて溶解変形処理を行った状態を示す。図１５（ｇ）に示すように、先の除去処理によるダメージの残存程度に応じて、溶解変形処理による有機膜パターン３２の変形が均一になることもある。しかし、ダメージの残存が大きい場合には、有機膜パターン３２の変形が不均一になったり、或いは、有機膜パターン３２が溶解しなかったりするので、良好な溶解変形処理を行うことが困難である。
更に、本発明においては、有機膜パターン加工処理の始めに加熱処理を追加して施すようにしても良い。この加熱処理は、例えば、有機膜パターン加工処理以前の処理工程において有機膜パターン内、又は下部に染み込んだ水分、酸、アルカリ溶液を除去する目的、或いは、有機膜パターンと下地膜や基板との密着力が低下している場合に該密着力を回復する目的で行う。そのような加熱処理の例としては、５０〜１５０℃の温度で、６０〜３００秒の処理を行うことが挙げられる。その為、その処理方法において、当初に温度調整処理ユニット１９（又は加熱処理ユニット１８）を用いた加熱処理、例えば、５０〜１５０℃の温度で、６０〜３００秒の条件の加熱処理を追加して処理することも本発明の基板処理方法として有りえる。
本発明の第１の実施形態に係る基板処理方法を示す図である。 本発明の第２の実施形態に係る基板処理方法を示す図である。 （ａ）は本発明の第３の実施形態に係る基板処理方法を示す図であり、（ｂ）、（ｃ）、（ｄ）は本発明の第４の実施形態に係る基板処理方法を示す図である。 本発明の第５の実施形態に係る基板処理方法を示す図である。 基板処理装置の一例を模式的に示す平面図である。 基板処理装置の他の一例を模式的に示す平面図である。 基板処理装置に備えられる処理ユニットの選択候補を示す図である。 薬液処理ユニット（或いは現像処理ユニット）の一例を示す断面図である。 ガス雰囲気処理ユニットの一例を示す断面図である。 ガス雰囲気処理ユニットの他の一例を示す断面図である。 除去処理により除去すべき変質層の成因に応じた変質化の程度を示す図である。 変質層に対しアッシング処理のみを施した場合の変質層の変化を示す図である。 変質層に対し薬液処理のみを施した場合の変質層の変化を示す図である。 変質層に対しアッシング処理と薬液処理とをこの順に施した場合の変質層の変化を示す図である。 本発明の場合と従来技術の場合との溶解変形処理による有機膜パターンの変形の違いを示す図である。 薬液処理に使用する薬液中のアミン類の含有濃度と、有機膜の変質の有無に応じた除去レートと、の関係を示す図である。
符号の説明
１００ 基板処理装置
２００ 基板処理装置
１２ 基板搬送ロボット（基板搬送機構）
２２ ガス雰囲気処理ユニット
２１ 薬液処理ユニット
２３ アッシング処理ユニット
１７ 簡易露光処理ユニット（露光処理ユニット）
２０ 現像処理ユニット
１９ 温度調整ユニット（基板温度調整ユニット）
１８ 加熱処理ユニット（基板加熱処理ユニット）
２４ 制御機構（制御手段）
Ｓ１ 薬液処理
Ｓ３ ガス雰囲気処理（溶解変形処理）
Ｓ５ 現像処理
Ｓ６ 簡易露光処理（露光処理）
Ｓ７ アッシング処理

Claims (95)

  1. 基板に処理を施す基板処理装置において、
    基板の搬送を行う基板搬送機構と、
    基板に薬液処理を施すための薬液処理ユニットと、
    基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニットと、
    を一体的に備えることを特徴とする基板処理装置。
  2. 基板に処理を施す基板処理装置において、
    基板の搬送を行う基板搬送機構と、
    基板の温度を調整する温度調整処理ユニットと、
    基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニットと、
    を一体的に備えることを特徴とする基板処理装置。
  3. 基板に処理を施す基板処理装置において、
    基板の搬送を行う基板搬送機構と、
    基板に薬液処理を施すための薬液処理ユニットと、
    基板の温度を調整する温度調整処理ユニットと、
    基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニットと、
    を一体的に備えることを特徴とする基板処理装置。
  4. 基板に処理を施す基板処理装置において、
    基板の搬送を行う基板搬送機構と、
    基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニットと、
    を一体的に備え、
    前記ガス雰囲気処理ユニットは、基板の温度を１５〜４０℃の範囲内で調整する温度制御手段を有することを特徴とする基板処理装置。
  5. 基板に処理を施す基板処理装置において、
    基板の搬送を行う基板搬送機構と、
    基板の温度を調整する温度調整処理ユニットと、
    基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニットと、
    を一体的に備え、
    前記ガス雰囲気処理ユニットは、基板の温度を１５〜４０℃の範囲内で調整する温度制御手段を有することを特徴とする基板処理装置。
  6. 基板に処理を施す基板処理装置において、
    基板の搬送を行う基板搬送機構と、
    基板に薬液処理を施すための薬液処理ユニットと、
    基板の温度を調整する温度調整処理ユニットと、
    基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニットと、
    を一体的に備え、
    前記ガス雰囲気処理ユニットは、基板の温度を１５〜４０℃の範囲内で調整する温度制御手段を有することを特徴とする基板処理装置。
  7. 基板に処理を施す基板処理装置において、
    基板の搬送を行う基板搬送機構と、
    基板の温度を調整する温度調整処理ユニットと、
    基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニットと、
    を一体的に備え、
    前記ガス雰囲気処理ユニットは、基板の温度を１０〜５０℃の範囲内で調整する温度制御手段を有することを特徴とする基板処理装置。
  8. 基板に処理を施す基板処理装置において、
    基板の搬送を行う基板搬送機構と、
    基板に薬液処理を施すための薬液処理ユニットと、
    基板の温度を調整する温度調整処理ユニットと、
    基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニットと、
    を一体的に備え、
    前記ガス雰囲気処理ユニットは、基板の温度を１０〜５０℃の範囲内で調整する温度制御手段を有することを特徴とする基板処理装置。
  9. 基板に処理を施す基板処理装置において、
    基板の搬送を行う基板搬送機構と、
    基板の温度を調整する温度調整処理ユニットと、
    基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニットと、
    を一体的に備え、
    前記ガス雰囲気処理ユニットは、基板の温度を１０〜５０℃の範囲内の任意の目標温度の±２℃以内に保持する温度制御手段を有することを特徴とする基板処理装置。
  10. 基板に処理を施す基板処理装置において、
    基板の搬送を行う基板搬送機構と、
    基板に薬液処理を施すための薬液処理ユニットと、
    基板の温度を調整する温度調整処理ユニットと、
    基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニットと、
    を一体的に備え、
    前記ガス雰囲気処理ユニットは、基板の温度を１０〜５０℃の範囲内の任意の目標温度の±２℃以内に保持する温度制御手段を有することを特徴とする基板処理装置。
  11. 基板に処理を施す基板処理装置において、
    基板の搬送を行う基板搬送機構と、
    基板の温度を調整する温度調整処理ユニットと、
    基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニットと、
    を一体的に備え、
    前記温度調整処理ユニットは、基板の温度を１５〜４０℃の範囲内に調整する温度制御手段を有することを特徴とする基板処理装置。
  12. 基板に処理を施す基板処理装置において、
    基板の搬送を行う基板搬送機構と、
    基板に薬液処理を施すための薬液処理ユニットと、
    基板の温度を調整する温度調整処理ユニットと、
    基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニットと、
    を一体的に備え、
    前記温度調整処理ユニットは、基板の温度を１５〜４０℃の範囲内に調整する温度制御手段を有することを特徴とする基板処理装置。
  13. 基板に処理を施す基板処理装置において、
    基板の搬送を行う基板搬送機構と、
    基板の温度を調整する温度調整処理ユニットと、
    基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニットと、
    を一体的に備え、
    前記温度調整処理ユニットは、基板の温度を１０〜５０℃の範囲内に調整する温度制御手段を有することを特徴とする基板処理装置。
  14. 基板に処理を施す基板処理装置において、
    基板の搬送を行う基板搬送機構と、
    基板に薬液処理を施すための薬液処理ユニットと、
    基板の温度を調整する温度調整処理ユニットと、
    基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニットと、
    を一体的に備え、
    前記温度調整処理ユニットは、基板の温度を１０〜５０℃の範囲内に調整する温度制御手段を有することを特徴とする基板処理装置。
  15. 基板に処理を施す基板処理装置において、
    基板の搬送を行う基板搬送機構と、
    基板の温度を調整する温度調整処理ユニットと、
    基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニットと、
    を一体的に備え、
    前記温度調整処理ユニットは、基板の温度を１０〜５０℃の範囲内の任意の目標温度の±２℃以内に保持する温度制御手段を有することを特徴とする基板処理装置。
  16. 基板に処理を施す基板処理装置において、
    基板の搬送を行う基板搬送機構と、
    基板に薬液処理を施すための薬液処理ユニットと、
    基板の温度を調整する温度調整処理ユニットと、
    基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニットと、
    を一体的に備え、
    前記温度調整処理ユニットは、基板の温度を１０〜５０℃の範囲内の任意の目標温度の±２℃以内に保持する温度制御手段を有することを特徴とする基板処理装置。
  17. 基板に処理を施す基板処理装置において、
    基板の搬送を行う基板搬送機構と、
    基板の温度を調整する温度調整処理ユニットと、
    基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニットと、
    を一体的に備え、
    前記温度調整処理ユニット及び前記ガス雰囲気処理ユニットの双方は、基板の温度を１０〜５０℃の範囲内に調整する温度制御手段をそれぞれ有することを特徴とする基板処理装置。
  18. 基板に処理を施す基板処理装置において、
    基板の搬送を行う基板搬送機構と、
    基板に薬液処理を施すための薬液処理ユニットと、
    基板の温度を調整する温度調整処理ユニットと、
    基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニットと、
    を一体的に備え、
    前記温度調整処理ユニット及び前記ガス雰囲気処理ユニットの双方は、基板の温度を１０〜５０℃の範囲内に調整する温度制御手段をそれぞれ有することを特徴とする基板処理装置。
  19. 基板に処理を施す基板処理装置において、
    基板の搬送を行う基板搬送機構と、
    基板の温度を調整する温度調整処理ユニットと、
    基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニットと、
    を一体的に備え、
    前記温度調整処理ユニット及び前記ガス雰囲気処理ユニットの双方は、基板の温度を１０〜５０℃の範囲内の各々任意の目標温度の±２℃以内に保持する温度制御手段をそれぞれ有することを特徴とする基板処理装置。
  20. 基板に処理を施す基板処理装置において、
    基板の搬送を行う基板搬送機構と、
    基板に薬液処理を施すための薬液処理ユニットと、
    基板の温度を調整する温度調整処理ユニットと、
    基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニットと、
    を一体的に備え、
    前記温度調整処理ユニット及び前記ガス雰囲気処理ユニットの双方は、基板の温度を１０〜５０℃の範囲内の各々任意の目標温度の±２℃以内に保持する温度制御手段をそれぞれ有することを特徴とする基板処理装置。
  21. 基板に処理を施す基板処理装置において、
    基板の搬送を行う基板搬送機構と、
    基板の温度を調整する温度調整処理ユニットと、
    基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニットと、
    を一体的に備え、
    前記温度調整処理ユニット及び前記ガス雰囲気処理ユニットの双方は、基板の温度を１０〜５０℃の範囲内に調整する温度制御手段をそれぞれ有し、且つ、これら温度制御手段は、相互に同一ないしは±５℃以内の近似する目標温度に基板温度を調整することを特徴とする基板処理装置。
  22. 基板に処理を施す基板処理装置において、
    基板の搬送を行う基板搬送機構と、
    基板に薬液処理を施すための薬液処理ユニットと、
    基板の温度を調整する温度調整処理ユニットと、
    基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニットと、
    を一体的に備え、
    前記温度調整処理ユニット及び前記ガス雰囲気処理ユニットの双方は、基板の温度を１０〜５０℃の範囲内に調整する温度制御手段をそれぞれ有し、且つ、これら温度制御手段は、相互に同一ないしは±５℃以内の近似する目標温度に基板温度を調整することを特徴とする基板処理装置。
  23. 基板に処理を施す基板処理装置において、
    基板の搬送を行う基板搬送機構と、
    基板の温度を調整する温度調整処理ユニットと、
    基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニットと、
    を一体的に備え、
    前記温度調整処理ユニット及び前記ガス雰囲気処理ユニットの双方は、基板の温度を、１０〜５０℃の範囲内の任意の目標温度の±２℃以内に保持する温度制御手段をそれぞれ有し、且つ、これら温度制御手段は、相互に同一ないしは±５℃以内の近似する目標温度に基板温度を調整することを特徴とする基板処理装置。
  24. 基板に処理を施す基板処理装置において、
    基板の搬送を行う基板搬送機構と、
    基板に薬液処理を施すための薬液処理ユニットと、
    基板の温度を調整する温度調整処理ユニットと、
    基板にガス雰囲気処理を施すためのガス雰囲気処理ユニットと、
    を一体的に備え、
    前記温度調整処理ユニット及び前記ガス雰囲気処理ユニットの双方は、基板の温度を、１０〜５０℃の範囲内の任意の目標温度の±２℃以内に保持する温度制御手段をそれぞれ有し、且つ、これら温度制御手段は、相互に同一ないしは±５℃以内の近似する目標温度に基板温度を調整することを特徴とする基板処理装置。
  25. 前記温度制御手段は、基板の温度を１５℃〜３５℃の範囲内に調整することを特徴とする請求項４乃至２４のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  26. 更に、前記薬液処理ユニットによる薬液処理と、前記ガス雰囲気処理ユニットによるガス雰囲気処理と、をこの順に行うように、前記基板搬送機構、前記薬液処理ユニット及び前記ガス雰囲気処理ユニットを制御する制御手段を具備することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  27. 更に、前記温度調整処理ユニットによる基板温度の調整と、前記ガス雰囲気処理ユニットによるガス雰囲気処理と、をこの順に行うように、前記基板搬送機構、前記温度調整処理ユニット及び前記ガス雰囲気処理ユニットを制御する制御手段を具備することを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
  28. 更に、基板の温度を調整する温度調整処理ユニットを一体的に備えるとともに、
    前記薬液処理ユニットによる薬液処理と、前記温度調整処理ユニットによる基板温度の調整と、前記ガス雰囲気処理ユニットによるガス雰囲気処理と、をこの順番に行うように、前記基板搬送機構、前記薬液処理ユニット、前記温度調整処理ユニット及び前記ガス雰囲気処理ユニットを制御する制御手段を具備することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  29. 更に、基板を現像する現像処理ユニットを一体的に備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  30. 更に、基板を現像する現像処理ユニットと、
    基板の温度を調整する温度調整処理ユニットと、
    を一体的に備えるとともに、
    前記薬液処理ユニットによる薬液処理と、前記現像処理ユニットによる現像処理と、前記温度調整処理ユニットによる基板温度の調整と、前記ガス雰囲気処理ユニットによるガス雰囲気処理と、をこの順番に行うように、前記基板搬送機構、前記薬液処理ユニット、前記現像処理ユニット、前記温度調整処理ユニット及び前記ガス雰囲気処理ユニットを制御する制御手段を具備することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  31. 更に、基板に薬液処理を施すための第２の薬液処理ユニットと、
    基板の温度を調整する温度調整処理ユニットと、
    を一体的に備えるとともに、
    前記薬液処理ユニットによる薬液処理と、前記第２の薬液処理ユニットによる薬液処理と、前記温度調整処理ユニットによる基板温度の調整と、前記ガス雰囲気処理ユニットによるガス雰囲気処理と、をこの順番に行うように、前記基板搬送機構、前記薬液処理ユニット、前記第２の薬液処理ユニット、前記温度調整処理ユニット及び前記ガス雰囲気処理ユニットを制御する制御手段を具備することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  32. 前記薬液処理ユニットは、基板上に形成された有機膜パターンに対して薬液処理を施すことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  33. 前記ガス雰囲気処理ユニットは、基板上に形成された有機膜パターンに対してガス雰囲気処理を施すことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  34. 前記現像処理ユニットは、基板上に形成された有機膜パターンに対して現像処理を施すことを特徴とする請求項２９又は３０に記載の基板処理装置。
  35. 前記薬液処理ユニットで用いる薬液は、少なくとも酸性の薬品を含有していることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  36. 前記薬液処理ユニットで用いる薬液は、少なくとも有機溶剤を含有していることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  37. 前記薬液処理ユニットで用いる薬液は、少なくともアルカリ性の薬品を含有していることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  38. 前記薬液処理ユニットは、前記薬液として現像液を用い、前記薬液処理として現像処理を行う現像処理ユニットであることを特徴とする請求項３７に記載の基板処理装置。
  39. 更に、基板上に形成された有機膜パターンのうち、基板の所望範囲に含まれる有機膜パターンに対し露光処理を施すための露光処理ユニットを一体的に備えることを特徴とする請求項２９又は３０に記載の基板処理装置。
  40. 更に、基板上に形成された有機膜パターンのうち、基板の所望範囲に含まれる有機膜パターンに対し露光処理を施すための露光処理ユニットを一体的に備えることを特徴とする請求項３８に記載の基板処理装置。
  41. 前記露光処理は、前記所望範囲に対して一括して露光を行う処理であるか、又は、前記所望範囲内で露光スポットを走査させる処理であることを特徴とする請求項３９又は４０に記載の基板処理装置。
  42. 前記所望範囲は、少なくとも基板面積の１／１０以上の範囲であることを特徴とする請求項４０又は４１に記載の基板処理装置。
  43. 前記露光処理は、紫外線、蛍光及び自然光のうちの少なくとも何れかで露光する処理であることを特徴とする請求項３９乃至４２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  44. 更に、基板にアッシング処理を施すためのアッシング処理ユニットを一体的に備えることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  45. 更に、基板にアッシング処理を施すためのアッシング処理ユニットを一体的に備えることを特徴とする請求項２９又は３０に記載の基板処理装置。
  46. 更に、基板にアッシング処理を施すためのアッシング処理ユニットを一体的に備えることを特徴とする請求項３８に記載の基板処理装置。
  47. 更に、基板にアッシング処理を施すためのアッシング処理ユニットを一体的に備えることを特徴とする請求項３９に記載の基板処理装置。
  48. 更に、基板にアッシング処理を施すためのアッシング処理ユニットを一体的に備えることを特徴とする請求項４０に記載の基板処理装置。
  49. 前記アッシング処理は、プラズマ、オゾン及び紫外線のうちの少なくとも何れか一つを用いて基板上の各種膜をエッチングする処理であることを特徴とする請求項４４乃至４８のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  50. 用途に応じて各処理ユニットによる処理順序が変更可能に構成されていることを特徴とする請求項１乃至４９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  51. 用途に応じて各処理ユニットによる処理順序を固定して各処理を行うように構成されていることを特徴とする請求項１乃至４９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  52. 用途に応じて各処理ユニットによる処理条件を変更可能に構成されていることを特徴とする請求項１乃至５１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  53. 同一の処理ユニットを複数個備えることを特徴とする請求項１乃至５２のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  54. 複数個備えられた同一の処理ユニットによる処理を、それぞれ基板の向きをその板面内において互いに異ならせて行う機能を有することを特徴とする請求項５３に記載の基板処理装置。
  55. 複数個備えられた同一の処理ユニットによる処理を、それぞれ基板の向きをその板面内において互いに反対向きにして行う機能を有することを特徴とする請求項５４に記載の基板処理装置。
  56. 少なくとも何れか１つの処理ユニットによる処理を、基板の向きをその板面内において互いに異ならせて複数回に分けて行う機能を有することを特徴とする請求項１乃至５５のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  57. 少なくとも何れか１つの処理ユニットによる処理を、基板の向きをその板面内において互いに反対向きにして複数回に分けて行う機能を有することを特徴とする請求項５６に記載の基板処理装置。
  58. 少なくとも何れか１つの処理ユニットによる処理として、基板の板面において一方向への処理と、それとは異なる方向への処理と、を行う機能を有することを特徴とする請求項１乃至５７のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  59. 前記異なる方向は、前記一方向に対して反対方向であることを特徴とする請求項５８に記載の基板処理装置。
  60. 当該基板処理装置は、防爆機能又は発火防止機能を具備していることを特徴とする請求項１乃至５９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  61. 前記ガス雰囲気処理ユニットは、防爆機能又は発火防止機能を具備していることを特徴とする請求項１乃至５９のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  62. 更に、基板にエッチング処理を施すためのエッチング処理ユニットを一体的に備えることを特徴とする請求項１乃至６１のいずれか一項に記載の基板処理装置。
  63. 前記薬液処理ユニットは、薬液を用いたエッチングにより、基板上に形成された有機膜パターンをマスクとして該有機膜パターンの下地膜をパターン加工することが可能なエッチング処理ユニットであることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  64. 請求項１に記載の基板処理装置を用いて基板に処理を施す基板処理方法であって、
    基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備え、
    前記有機膜パターン加工処理では、
    前記有機膜パターンの表面に形成された変質層及び／又は堆積層を除去する除去処理と、
    前記ガス雰囲気処理ユニットを用いたガス雰囲気処理により前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、
    をこの順に行い、
    前記除去処理の少なくとも一部を、前記薬液処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対する薬液処理により行うことを特徴とする基板処理方法。
  65. 請求項４４乃至４８のいずれか一項に記載の基板処理装置を用いて基板に処理を施す基板処理方法であって、
    基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備え、
    前記有機膜パターン加工処理では、
    前記有機膜パターンの表面に形成された変質層及び／又は堆積層を除去する除去処理と、
    前記ガス雰囲気処理ユニットを用いたガス雰囲気処理により前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、
    をこの順に行い、
    前記除去処理では、
    前記アッシング処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対するアッシング処理と、
    前記薬液処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対する薬液処理と、
    をこの順に行うことを特徴とする基板処理方法。
  66. 請求項３９、４０、４７又は４８のいずれか一項に記載の基板処理装置を用いて基板に処理を施す基板処理方法であって、
    基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備え、
    前記有機膜パターン加工処理では、
    前記有機膜パターンの表面に形成された変質層及び／又は堆積層を除去する除去処理と、
    前記ガス雰囲気処理ユニットを用いたガス雰囲気処理により前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、
    をこの順に行い、
    前記除去処理では、
    前記露光処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対する露光処理と、
    前記現像処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対する現像処理と、
    をこの順に行うことを特徴とする基板処理方法。
  67. 請求項４７又は４８に記載の基板処理装置を用いて基板に処理を施す基板処理方法であって、
    基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備え、
    前記有機膜パターン加工処理では、
    前記有機膜パターンの表面に形成された変質層及び／又は堆積層を除去する除去処理と、
    前記ガス雰囲気処理ユニットを用いたガス雰囲気処理により前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、
    をこの順に行い、
    前記除去処理では、
    前記アッシング処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対するアッシング処理と、
    前記露光処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対する露光処理と、
    前記現像処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対する現像処理と、
    をこの順に行うことを特徴とする基板処理方法。
  68. 請求項４７又は４８に記載の基板処理装置を用いて基板に処理を施す基板処理方法であって、
    基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備え、
    前記有機膜パターン加工処理では、
    前記有機膜パターンの表面に形成された変質層及び／又は堆積層を除去する除去処理と、
    前記ガス雰囲気処理ユニットを用いたガス雰囲気処理により前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、
    をこの順に行い、
    前記除去処理では、
    前記露光処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対する露光処理と、
    前記アッシング処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対するアッシング処理と、
    前記現像処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対する現像処理と、
    をこの順に行うことを特徴とする基板処理方法。
  69. 請求項３９又は４７に記載の基板処理装置を用いて基板に処理を施す基板処理方法であって、
    基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備え、
    前記有機膜パターン加工処理では、
    前記有機膜パターンの表面に形成された変質層及び／又は堆積層を除去する除去処理と、
    前記ガス雰囲気処理ユニットを用いたガス雰囲気処理により前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、
    をこの順に行い、
    前記除去処理では、
    前記露光処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対する露光処理と、
    前記薬液処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対する現像処理以外の薬液処理と、
    前記現像処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対する現像処理と、
    をこの順に行うことを特徴とする基板処理方法。
  70. 請求項４７に記載の基板処理装置を用いて基板に処理を施す基板処理方法であって、
    基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備え、
    前記有機膜パターン加工処理では、
    前記有機膜パターンの表面に形成された変質層及び／又は堆積層を除去する除去処理と、
    前記ガス雰囲気処理ユニットを用いたガス雰囲気処理により前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、
    をこの順に行い、
    前記除去処理では、
    前記アッシング処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対するアッシング処理と、
    前記露光処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対する露光処理と、
    前記薬液処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対する現像処理以外の薬液処理と、
    前記現像処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対する現像処理と、
    をこの順に行うことを特徴とする基板処理方法。
  71. 請求項４７に記載の基板処理装置を用いて基板に処理を施す基板処理方法であって、
    基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備え、
    前記有機膜パターン加工処理では、
    前記有機膜パターンの表面に形成された変質層及び／又は堆積層を除去する除去処理と、
    前記ガス雰囲気処理ユニットを用いたガス雰囲気処理により前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、
    をこの順に行い、
    前記除去処理では、
    前記露光処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対する露光処理と、
    前記アッシング処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対するアッシング処理と、
    前記薬液処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対する現像処理以外の薬液処理と、
    前記現像処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対する現像処理と、
    をこの順に行うことを特徴とする基板処理方法。
  72. 請求項４７に記載の基板処理装置を用いて基板に処理を施す基板処理方法であって、
    基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備え、
    前記有機膜パターン加工処理では、
    前記有機膜パターンの表面に形成された変質層及び／又は堆積層を除去する除去処理と、
    前記ガス雰囲気処理ユニットを用いたガス雰囲気処理により前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、
    をこの順に行い、
    前記除去処理では、
    前記アッシング処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対するアッシング処理と、
    前記薬液処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対する現像処理以外の薬液処理と、
    前記露光処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対する露光処理と、
    前記現像処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対する現像処理と、
    をこの順に行うことを特徴とする基板処理方法。
  73. 請求項２９、３０、３９、４５又は４７のいずれか一項に記載の基板処理装置を用いて基板に処理を施す基板処理方法であって、
    基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備え、
    前記有機膜パターン加工処理では、
    前記有機膜パターンの表面に形成された変質層及び／又は堆積層を除去する除去処理と、
    前記ガス雰囲気処理ユニットを用いたガス雰囲気処理により前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、
    をこの順に行い、
    前記除去処理では、
    前記薬液処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対する現像処理以外の薬液処理と、
    前記現像処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対する現像処理と、
    をこの順に行うことを特徴とする基板処理方法。
  74. 請求項４５乃至４８のいずれか一項に記載の基板処理装置を用いて基板に処理を施す基板処理方法であって、
    基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備え、
    前記有機膜パターン加工処理では、
    前記有機膜パターンの表面に形成された変質層及び／又は堆積層を除去する除去処理と、
    前記ガス雰囲気処理ユニットを用いたガス雰囲気処理により前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、
    をこの順に行い、
    前記除去処理では、
    前記アッシング処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対するアッシング処理と、
    前記現像処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対する現像処理と、
    をこの順に行うことを特徴とする基板処理方法。
  75. 請求項４５又は４７に記載の基板処理装置を用いて基板に処理を施す基板処理方法であって、
    基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備え、
    前記有機膜パターン加工処理では、
    前記有機膜パターンの表面に形成された変質層及び／又は堆積層を除去する除去処理と、
    前記ガス雰囲気処理ユニットを用いたガス雰囲気処理により前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、
    をこの順に行い、
    前記除去処理では、
    前記アッシング処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対するアッシング処理と、
    前記薬液処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対する現像処理以外の薬液処理と、
    前記現像処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対する現像処理と、
    をこの順に行うことを特徴とする基板処理方法。
  76. 請求項１に記載の基板処理装置を用いて基板に処理を施す基板処理方法であって、
    基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備え、
    前記有機膜パターン加工処理では、
    前記有機膜パターンの表面に形成された変質層及び／又は堆積層を除去する除去処理と、
    前記ガス雰囲気処理ユニットを用いたガス雰囲気処理により前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、
    をこの順に行い、
    前記除去処理の少なくとも一部を、前記薬液処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対する薬液処理により行い、
    前記有機膜パターン加工処理前の有機膜パターンをマスクとして該有機膜パターンの下地膜をパターン加工する下地膜加工処理を備えることを特徴とする基板処理方法。
  77. 請求項１に記載の基板処理装置を用いて基板に処理を施す基板処理方法であって、
    基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備え、
    前記有機膜パターン加工処理では、
    前記有機膜パターンの表面に形成された変質層及び／又は堆積層を除去する除去処理と、
    前記ガス雰囲気処理ユニットを用いたガス雰囲気処理により前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、
    をこの順に行い、
    前記除去処理の少なくとも一部を、前記薬液処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対する薬液処理により行い、
    前記有機膜パターン加工処理後の有機膜パターンをマスクとして該有機膜パターンの下地膜をパターン加工する下地膜加工処理を備えることを特徴とする基板処理方法。
  78. 請求項１に記載の基板処理装置を用いて基板に処理を施す基板処理方法であって、
    基板上に形成された有機膜パターンを加工する有機膜パターン加工処理を備え、
    前記有機膜パターン加工処理では、
    前記有機膜パターンの表面に形成された変質層及び／又は堆積層を除去する除去処理と、
    前記ガス雰囲気処理ユニットを用いたガス雰囲気処理により前記有機膜パターンを溶解させ変形させる溶解変形処理と、
    をこの順に行い、
    前記除去処理の少なくとも一部を、前記薬液処理ユニットを用いた前記有機膜パターンに対する薬液処理により行い、
    前記有機膜パターン加工処理前の有機膜パターンをマスクとして該有機膜パターンの下地膜をパターン加工する第１の下地膜加工処理と、
    前記有機膜パターン加工処理後の有機膜パターンをマスクとして該有機膜パターンの下地膜をパターン加工する第２の下地膜加工処理と、
    を備えることを特徴とする基板処理方法。
  79. 前記溶解変形処理は、
    前記有機膜パターンの面積を拡大させる処理であることを特徴とする請求項６４乃至７８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  80. 前記溶解変形処理は、
    隣設された有機膜パターンを相互に一体化させる処理であることを特徴とする請求項７９に記載の基板処理方法。
  81. 前記溶解変形処理は、
    前記有機膜パターンを平坦化させる処理であることを特徴とする請求項６４乃至７８のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  82. 前記溶解変形処理は、
    基板上に形成された回路パターンを覆う絶縁膜となるように前記有機膜パターンを変形させる処理であることを特徴とする請求項６４乃至７６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  83. 基板上に形成された当初の有機膜パターンは、少なくとも２段階以上の膜厚に形成された有機膜パターンであることを特徴とする請求項６４乃至８２のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  84. 基板上に形成された当初の前記有機膜パターンは、少なくとも２段階以上の膜厚に形成された有機膜パターンであり、
    前記現像処理を施すことにより、前記有機膜パターンにおいて膜厚が薄い薄膜部を選択的に更に薄くすることを特徴とする請求項６６乃至７５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  85. 基板上に形成された当初の前記有機膜パターンは、少なくとも２段階以上の膜厚に形成された有機膜パターンであり、
    前記有機膜パターン加工処理における前記現像処理を施すことにより、前記有機膜パターンにおいて膜厚が薄い薄膜部を選択的に除去することを特徴とする請求項６６乃至７５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  86. 基板上に当初の前記有機膜パターンを形成して以後、前記有機膜パターン加工処理までの間は、有機膜パターンを感光させない状態に保つことを特徴とする請求項６６乃至８５のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  87. 前記ガス雰囲気処理は、有機溶剤のガス雰囲気中で行うことを特徴とする請求項６４乃至８６のいずれか一項に記載の基板処理方法。
  88. 請求項５３に記載の基板処理装置を用いて基板に処理を施す基板処理方法であって、
    複数個備えられた同一の処理ユニットにより、それぞれ基板に同一の処理を施すことを特徴とする基板処理方法。
  89. 請求項５４に記載の基板処理装置を用いて基板に処理を施す基板処理方法であって、
    複数個備えられた同一の処理ユニットにより、それぞれ基板に同一の処理を施し、
    前記同一の処理ユニットによる処理を、それぞれ基板の向きをその板面内において互いに異ならせて行うことを特徴とする基板処理方法。
  90. 請求項５５に記載の基板処理装置を用いて基板に処理を施す基板処理方法であって、
    複数個備えられた同一の処理ユニットにより、それぞれ基板に同一の処理を施し、
    前記同一の処理ユニットによる処理を、それぞれ基板の向きをその板面内において互いに反対向きにして行うことを特徴とする基板処理方法。
  91. 請求項５６に記載の基板処理装置を用いて基板に処理を施す基板処理方法であって、
    １つの処理ユニットによる処理を、基板の向きをその板面内において互いに異ならせて複数回に分けて行うことを特徴とする基板処理方法。
  92. 請求項５７に記載の基板処理装置を用いて基板に処理を施す基板処理方法であって、
    １つの処理ユニットによる処理を、基板の向きをその板面内において互いに反対向きにして複数回に分けて行うことを特徴とする基板処理方法。
  93. 請求項５８に記載の基板処理装置を用いて基板に処理を施す基板処理方法であって、
    １つの処理ユニットによる処理には、基板の板面において一方向への処理と、それとは異なる方向への処理と、が含まれることを特徴とする基板処理方法。
  94. 前記異なる方向は、前記一方向に対して反対方向であることを特徴とする請求項９３に記載の基板処理方法。
  95. 前記ガス雰囲気処理ユニットによる処理には、基板の板面において一方向への処理と、それとは異なる方向への処理と、が含まれることを特徴とする請求項９３又は９４に記載の基板処理方法。
JP2004230665A 2003-09-18 2004-08-06 基板処理装置及び処理方法 Pending JP2005159293A (ja)

Priority Applications (9)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2004230665A JP2005159293A (ja) 2003-09-18 2004-08-06 基板処理装置及び処理方法
TW093127734A TWI252536B (en) 2003-09-18 2004-09-14 Apparatus for processing substrate and method of doing the same
US10/941,881 US20050087301A1 (en) 2003-09-18 2004-09-16 Apparatus for processing substrate and method of doing the same
CNA2008100870911A CN101350290A (zh) 2003-09-18 2004-09-17 基板处理装置
CNA2008100870926A CN101350291A (zh) 2003-09-18 2004-09-17 基板处理装置
CNA2004100824084A CN1599026A (zh) 2003-09-18 2004-09-17 基板处理装置以及处理方法
KR1020040074895A KR100739385B1 (ko) 2003-09-18 2004-09-18 기판을 처리하는 장치 및 방법
US12/548,296 US8293128B2 (en) 2003-09-18 2009-08-26 Apparatus for processing substrate and method of doing the same
US13/604,229 US8663488B2 (en) 2003-09-18 2012-09-05 Apparatus for processing substrate and method of doing the same

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2003326553 2003-09-18
JP2003375975 2003-11-05
JP2004230665A JP2005159293A (ja) 2003-09-18 2004-08-06 基板処理装置及び処理方法

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2008325790A Division JP2009088559A (ja) 2003-09-18 2008-12-22 基板処理装置及び処理方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2005159293A true JP2005159293A (ja) 2005-06-16

Family

ID=34527576

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2004230665A Pending JP2005159293A (ja) 2003-09-18 2004-08-06 基板処理装置及び処理方法

Country Status (5)

Country Link
US (3) US20050087301A1 (ja)
JP (1) JP2005159293A (ja)
KR (1) KR100739385B1 (ja)
CN (3) CN101350291A (ja)
TW (1) TWI252536B (ja)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007100099A1 (ja) * 2006-03-03 2007-09-07 Tokyo Electron Limited 基板処理装置及び基板処理方法
JP2007273827A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Tokyo Electron Ltd リフロー方法、パターン形成方法および液晶表示装置用ｔｆｔ素子の製造方法
JP2008311250A (ja) * 2007-06-12 2008-12-25 Tokyo Electron Ltd リフローシステムおよびリフロー方法
CN103839799A (zh) * 2014-02-21 2014-06-04 上海华力微电子有限公司 单片半导体衬底湿法刻蚀装置

Families Citing this family (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2007256666A (ja) * 2006-03-23 2007-10-04 Nec Lcd Technologies Ltd 基板処理方法及びそれに用いる薬液
JP5145654B2 (ja) * 2006-05-29 2013-02-20 日本電気株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2010050231A (ja) * 2008-08-20 2010-03-04 Nec Lcd Technologies Ltd 溶解変形用薬液及び有機膜パターンの溶解変形処理方法
JP2015231036A (ja) 2014-06-06 2015-12-21 キヤノン株式会社 リソグラフィ装置、および物品製造方法
TWI710017B (zh) * 2019-11-01 2020-11-11 弘塑科技股份有限公司 晶圓濕處理工作站

Family Cites Families (37)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4393013A (en) * 1970-05-20 1983-07-12 J. C. Schumacher Company Vapor mass flow control system
US7144848B2 (en) 1992-07-09 2006-12-05 Ekc Technology, Inc. Cleaning compositions containing hydroxylamine derivatives and processes using same for residue removal
JPH06295862A (ja) * 1992-11-20 1994-10-21 Mitsubishi Electric Corp 化合物半導体製造装置及び有機金属材料容器
US5411678A (en) 1994-02-07 1995-05-02 Mcgean-Rohco, Inc. Paint stripper
JPH07219239A (ja) 1994-02-08 1995-08-18 Hitachi Ltd レジストパターンの形成方法
JP3600271B2 (ja) 1994-05-25 2004-12-15 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JP2713174B2 (ja) 1994-07-05 1998-02-16 日本電気株式会社 アクティブマトリクス基板の製造方法
JP3340864B2 (ja) 1994-10-26 2002-11-05 富士写真フイルム株式会社 ポジ型化学増幅レジスト組成物
JPH08293536A (ja) 1995-04-24 1996-11-05 Hitachi Ltd 物品取扱部材
JPH0997783A (ja) 1995-09-28 1997-04-08 Nec Corp プラズマ処理装置
US5741363A (en) * 1996-03-22 1998-04-21 Advanced Technology Materials, Inc. Interiorly partitioned vapor injector for delivery of source reagent vapor mixtures for chemical vapor deposition
JP2923908B2 (ja) 1996-06-27 1999-07-26 日本電気株式会社 半導体装置の製造方法
JP3735175B2 (ja) 1997-03-04 2006-01-18 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP3693783B2 (ja) * 1997-03-21 2005-09-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
TW385488B (en) * 1997-08-15 2000-03-21 Tokyo Electron Ltd substrate processing device
JP3518979B2 (ja) 1997-09-29 2004-04-12 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JPH11153808A (ja) 1997-11-20 1999-06-08 Matsushita Electric Ind Co Ltd アクティブ素子アレイ基板の製造方法
JP3456890B2 (ja) 1998-01-16 2003-10-14 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置
JPH11268827A (ja) 1998-03-20 1999-10-05 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
US6946399B1 (en) * 1998-10-05 2005-09-20 Lorimer D Arcy Harold Cleaning system method and apparatus for the manufacture of integrated cicuits
DE69926798T2 (de) 1998-12-31 2006-09-14 Silicon Valley Group, Inc., San Jose Verfahren zum synchronisieren eines substratbehandlungssystems
KR100773165B1 (ko) * 1999-12-24 2007-11-02 가부시키가이샤 에바라 세이사꾸쇼 반도체기판처리장치 및 처리방법
JP2001324822A (ja) 2000-05-15 2001-11-22 Seiko Epson Corp レジスト除去方法
JP3403373B2 (ja) 2000-05-26 2003-05-06 松下電器産業株式会社 有機膜のエッチング方法、半導体装置の製造方法及びパターンの形成方法
JP3616584B2 (ja) 2000-06-12 2005-02-02 鹿児島日本電気株式会社 パターン形成方法及びそれを用いた表示装置の製造方法
TW511147B (en) * 2000-06-12 2002-11-21 Nec Corp Pattern formation method and method of manufacturing display using it
JP2002107762A (ja) 2000-10-02 2002-04-10 Sharp Corp 液晶用マトリクス基板の製造方法
JP2002189281A (ja) 2000-12-19 2002-07-05 Hoya Corp グレートーンマスク及びその製造方法
US6579666B2 (en) 2000-12-27 2003-06-17 Intel Corportion Methodology to introduce metal and via openings
JP4410951B2 (ja) 2001-02-27 2010-02-10 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 パターン形成方法および液晶表示装置の製造方法
JP2002303993A (ja) 2001-04-04 2002-10-18 Mitsubishi Electric Corp 半導体装置およびその製造方法
JP2002367881A (ja) 2001-06-05 2002-12-20 Sony Corp 半導体装置の製造方法および光照射装置
JP4290905B2 (ja) 2001-07-10 2009-07-08 Ｎｅｃ液晶テクノロジー株式会社 有機膜の平坦化方法
US7914808B2 (en) * 2001-07-16 2011-03-29 Depuy Products, Inc. Hybrid biologic/synthetic porous extracellular matrix scaffolds
JP3725051B2 (ja) 2001-07-27 2005-12-07 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP3886424B2 (ja) 2001-08-28 2007-02-28 鹿児島日本電気株式会社 基板処理装置及び方法
JP3722116B2 (ja) 2002-01-23 2005-11-30 セイコーエプソン株式会社 反射型電気光学装置、および電子機器

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2007100099A1 (ja) * 2006-03-03 2007-09-07 Tokyo Electron Limited 基板処理装置及び基板処理方法
JP2007235025A (ja) * 2006-03-03 2007-09-13 Tokyo Electron Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP4674904B2 (ja) * 2006-03-03 2011-04-20 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP2007273827A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Tokyo Electron Ltd リフロー方法、パターン形成方法および液晶表示装置用ｔｆｔ素子の製造方法
JP2008311250A (ja) * 2007-06-12 2008-12-25 Tokyo Electron Ltd リフローシステムおよびリフロー方法
CN103839799A (zh) * 2014-02-21 2014-06-04 上海华力微电子有限公司 单片半导体衬底湿法刻蚀装置

Also Published As

Publication number Publication date
KR20050028888A (ko) 2005-03-23
CN1599026A (zh) 2005-03-23
US20120325776A1 (en) 2012-12-27
TWI252536B (en) 2006-04-01
US20050087301A1 (en) 2005-04-28
KR100739385B1 (ko) 2007-07-13
CN101350291A (zh) 2009-01-21
US8293128B2 (en) 2012-10-23
TW200522192A (en) 2005-07-01
US8663488B2 (en) 2014-03-04
US20090314741A1 (en) 2009-12-24
CN101350290A (zh) 2009-01-21

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP5145654B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
KR100793118B1 (ko) 기판을 처리하는 방법 및 이 방법에 이용되는 화학물
US8663488B2 (en) Apparatus for processing substrate and method of doing the same
JP2007256666A (ja) 基板処理方法及びそれに用いる薬液
JP2008072059A (ja) 薬液及びそれを用いた基板処理方法
US20060273071A1 (en) Method of processing substrate and chemical used in the same
KR100379210B1 (ko) 반도체 웨이퍼 애싱 방법
KR100727325B1 (ko) 기판 처리방법 및 이 방법에 사용되는 약액
JP2002231696A (ja) レジスト除去方法とその装置
JP2005159295A (ja) 基板処理装置及び処理方法
JP2008218866A (ja) パターン形成方法およびパターン形成装置
JP2005159294A5 (ja)
JP2005159342A (ja) 基板処理方法及びそれに用いる薬液
JP2009088559A (ja) 基板処理装置及び処理方法
JP2007027574A (ja) 基板処理方法
JP2000100690A (ja) 気相前処理を用いる光リソグラフィー装置
US7413848B2 (en) Method of removing photoresist and photoresist rework method
JP2004134627A (ja) 有機物層の除去方法
JP2006319346A (ja) 基板処理方法及びそれに用いる薬液
JP2005175446A (ja) 基板処理方法及びそれに用いる薬液
JP2005175446A5 (ja)
KR20030039760A (ko) 포토레지스트 제거방법
JP2005123356A (ja) 半導体装置の製造方法
JP2008034691A (ja) レジスト膜の除去方法
KR20040085345A (ko) 포토레지스트 프로파일 개선방법

Legal Events

Date Code Title Description
A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20051107

A711 Notification of change in applicant

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A711

Effective date: 20070416

RD01 Notification of change of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7421

Effective date: 20080826

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20081029

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20081222

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20090325

A521 Written amendment

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20090520

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20090812