JP2007273827A - リフロー方法、パターン形成方法および液晶表示装置用tft素子の製造方法 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 31
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 title claims abstract description 11
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 122
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 title claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 257
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 109
- 230000008569 process Effects 0.000 claims description 66
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 44
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 44
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims description 41
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 30
- 239000003960 organic solvent Substances 0.000 claims description 17
- 229910021417 amorphous silicon Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 230000018109 developmental process Effects 0.000 claims description 9
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 8
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims description 7
- 239000012528 membrane Substances 0.000 claims description 4
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 2
- 230000009467 reduction Effects 0.000 claims description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 48
- 239000000243 solution Substances 0.000 description 17
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 17
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 14
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 13
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 10
- 230000001965 increasing effect Effects 0.000 description 10
- 238000007781 pre-processing Methods 0.000 description 10
- 238000010926 purge Methods 0.000 description 9
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 8
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 7
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 7
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 230000010354 integration Effects 0.000 description 4
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 3
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 3
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 3
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 3
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 3
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 3
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000004075 alteration Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000003028 elevating effect Effects 0.000 description 2
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 2
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 2
- 239000012466 permeate Substances 0.000 description 2
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 description 2
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000008016 vaporization Effects 0.000 description 2
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N Chlorine Chemical compound ClCl KZBUYRJDOAKODT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- -1 Cl 2 Chemical compound 0.000 description 1
- 229910001182 Mo alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 206010067482 No adverse event Diseases 0.000 description 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 206010047571 Visual impairment Diseases 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 230000006870 function Effects 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 239000012487 rinsing solution Substances 0.000 description 1
- 238000007790 scraping Methods 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- 230000009466 transformation Effects 0.000 description 1
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 1
- 238000009834 vaporization Methods 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001039 wet etching Methods 0.000 description 1
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-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/027—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34
- H01L21/0271—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers
- H01L21/0273—Making masks on semiconductor bodies for further photolithographic processing not provided for in group H01L21/18 or H01L21/34 comprising organic layers characterised by the treatment of photoresist layers
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- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/417—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/41725—Source or drain electrodes for field effect devices
- H01L29/41733—Source or drain electrodes for field effect devices for thin film transistors with insulated gate
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- H01L29/00—Semiconductor devices adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching, or capacitors or resistors with at least one potential-jump barrier or surface barrier, e.g. PN junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66—Types of semiconductor device ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/66007—Multistep manufacturing processes
- H01L29/66075—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials
- H01L29/66227—Multistep manufacturing processes of devices having semiconductor bodies comprising group 14 or group 13/15 materials the devices being controllable only by the electric current supplied or the electric potential applied, to an electrode which does not carry the current to be rectified, amplified or switched, e.g. three-terminal devices
- H01L29/66409—Unipolar field-effect transistors
- H01L29/66477—Unipolar field-effect transistors with an insulated gate, i.e. MISFET
- H01L29/66742—Thin film unipolar transistors
- H01L29/6675—Amorphous silicon or polysilicon transistors
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Abstract
【解決手段】 リフロー処理されるレジスト103は、ターゲット領域S1に臨む側の下端部Jが、下層膜102の端部よりもターゲット領域S1側へ向けて張出し、オーバーハング形状に形成されている。レジスト103の下端部Jを下層膜102よりも突出させておくことにより、レジスト103の停滞が起こらず、軟化したレジストを速やかにターゲット領域S1へ向けて流動させる。また、ターゲット領域S1へ向けてレジスト103の流動を促進させることの反作用として、禁止領域S2へ向かうレジスト103の流動が抑制され、禁止領域S2へ到達することなく変形が停止する。
【選択図】図6A
Description
前記レジスト膜として、その端部が、前記第2の膜の端部よりも前記露出領域の上方に向けて突出した形状のレジスト膜を用いることを特徴とする、リフロー方法を提供する。
軟化した前記レジストの流動方向または被覆面積を、前記厚膜部と前記薄膜部の配置により制御することが好ましい。
また、有機溶剤雰囲気において前記レジストを変形させることが好ましい。
また、前記レジスト膜のパターン形成を、ハーフトーンマスクを用いたハーフ露光処理と、その後の現像処理により行なうことが好ましい。
前記レジスト膜をパターン形成するマスクパターニング工程と、
前記パターン形成された前記レジスト膜をマスクとして、前記第2の膜をエッチングして前記第1の膜のターゲット領域を露出させるとともに、前記レジスト膜の端部が前記第2の膜の端部よりも前記ターゲット領域の上方に突き出た突出形状を形成する工程と、
前記パターン形成されたレジスト膜を再現像処理し、前記レジスト膜の突出形状を維持した状態でその被覆面積を縮小させる再現像処理工程と、
前記レジスト膜のレジストを軟化させて変形させ、前記第1の膜の前記ターゲット領域を変形レジストにより被覆するリフロー工程と、
前記変形レジストをマスクとして前記第1の膜の露出領域をエッチングする工程と、
前記変形レジストを除去する工程と、
前記変形レジストが除去されることにより再露出した前記第1の膜のターゲット領域に対してエッチングを行なう工程と、
を含む、パターン形成方法を提供する。
前記リフロー工程において、前記軟化レジストの流動方向または被覆面積を、前記厚膜部と前記薄膜部の配置により制御することが好ましい。
また、前記リフロー工程において、有機溶剤雰囲気において前記レジストを変形させることが好ましい。
また、前記再現像処理工程に先立ち、レジスト表面の変質層を除去する前処理工程を行なうことが好ましい。
また、前記マスクパターニング工程を、ハーフトーンマスクを用いたハーフ露光処理と、その後の現像処理により行なうことが好ましい。
前記第1の膜が、前記オーミックコンタクト用Si膜であり、前記第2の膜がソース・ドレイン用金属膜であってもよい。
前記ゲート線および前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に、下から順にa−Si膜、オーミックコンタクト用Si膜およびソース・ドレイン用金属膜を堆積させる工程と、
前記ソース・ドレイン用金属膜上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜をハーフ露光処理および現像処理して、ソース電極用レジストマスクおよびドレイン電極用レジストマスクを形成するマスクパターニング工程と、
前記ソース電極用レジストマスクおよび前記ドレイン電極用レジストマスクをマスクとして前記ソース・ドレイン用金属膜をエッチングすることにより、ソース電極用金属膜とドレイン電極用金属膜とを形成し、これらソース電極用金属膜とドレイン電極用金属膜との間のチャンネル領域用凹部に下層のオーミックコンタクト用Si膜を露出させるとともに、前記レジスト膜の端部が前記ソース電極用金属膜の端部および前記ドレイン電極用金属膜の端部よりも前記チャンネル領域用凹部に突き出た突出形状を形成する工程と、
パターン形成された前記ソース電極用レジストマスクおよび前記ドレイン電極用レジストマスクを再現像処理して前記突出形状を残した状態でそれぞれの被覆面積を縮小させる工程と、
縮小後の前記ソース電極用レジストマスクおよび前記ドレイン電極用レジストマスクに有機溶剤を作用させて軟化させた軟化レジストを変形させることにより、前記ソース電極用金属膜と前記ドレイン電極用金属膜との間のチャンネル領域用凹部内の前記オーミックコンタクト用Si膜を覆うリフロー工程と、
変形後の前記レジスト並びに前記ソース電極用金属膜および前記ドレイン電極用金属膜をマスクとして、下層の前記オーミックコンタクト用Si膜および前記a−Si膜をエッチングする工程と、
変形後の前記レジストを除去して、前記ソース電極用金属膜と前記ドレイン電極用金属膜との間のチャンネル領域用凹部内に前記オーミックコンタクト用Si膜を再び露出させる工程と、
前記ソース電極用金属膜と前記ドレイン電極用金属膜とをマスクとして、これらの間の前記チャンネル領域用凹部に露出した前記オーミックコンタクト用Si膜をエッチングする工程と、
を含む、液晶表示装置用TFT素子の製造方法を提供する。
前記リフロー工程において、前記軟化レジストの流動方向または被覆面積を、前記厚膜部と前記薄膜部の配置により制御することが好ましい。
前記制御プログラムは、実行時に、処理チャンバ内で上記第1の観点のリフロー方法が行なわれるようにリフロー処理装置を制御するものである、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体を提供する。
前記処理チャンバ内に有機溶媒を供給するためのガス供給手段と、
前記処理チャンバ内で上記第1の観点のリフロー方法が行なわれるように制御する制御部と、
を備えた、リフロー処理装置を提供する。
また、オーバーハング形状によりレジストの流動方向も制御することが可能であり、リフロー処理で被覆したい領域に的確に軟化したレジストを流すことが可能になる。このため、本発明のリフロー方法を、レジストをマスクにしたエッチング工程が繰り返し行なわれるTFT素子などの半導体装置の製造に適用することにより、省マスク化と工程数の削減が可能になるだけでなく、処理時間の短縮化とエッチング精度の向上が実現し、半導体装置の高集積化や微細化への対応も可能になる。
図1は、本発明のリフロー方法に好適に利用可能なリフロー処理システムの全体を示す概略平面図である。ここでは、LCD用ガラス基板(以下、単に「基板」と記す)Gの表面に形成されたレジスト膜を、現像処理後に軟化させて変形させ、再被覆させるためのリフロー処理を行なうリフロー処理ユニットと、このリフロー処理に先だって行なわれる再現像処理および前処理を行なうための再現像処理・リムーバーユニット(REDEV/REMV)を備えたリフロー処理システムを例に挙げて説明することとする。このリフロー処理システム100は、複数の基板Gを収容するカセットCを載置するカセットステーション(搬入出部)1と、基板Gにリフロー処理および再現像処理を含む一連の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理ステーション(処理部)2と、リフロー処理システム100の各構成部を制御する制御部3と、を備えている。なお、図1において、リフロー処理システム100の長手方向をX方向、平面上においてX方向と直交する方向をY方向とする。
ノズル保持アーム41は、ガイドレール43の長さ方向に沿ってベルト駆動等の駆動機構44により基板Gを横切って移動するように構成され、これにより再現像薬液の塗布時やリムーバ液の吐出時には、ノズル保持アーム41は再現像薬液吐出ノズル42aから再現像薬液あるいはリムーバ液吐出ノズル42bからリムーバ液を吐出しながら、静止した基板Gをスキャンするようになっている。
以上のようにして、再現像処理・リムーバーユニット(REDEV/REMV)30における一連の処理が終了する。そして、前記と逆の手順により、搬送アーム21aによって処理後の基板Gが再現像処理・リムーバーユニット(REDEV/REMV)30から搬出される。
バブラータンク70の底部には、シンナーを気化させるための気泡発生手段として、図示しないN2ガス供給源に接続されたN2ガス供給配管74が配備されている。このN2ガス供給配管74には、マスフローコントローラ72および開閉バルブ73が設けられている。また、バブラータンク70は、内部に貯留されるシンナーの温度を所定温度に調節するための図示しない温度調節機構を備えている。そして、図示しないN2ガス供給源からN2ガスをマスフローコントローラ72によって流量制御しながらバブラータンク70の底部に導入することにより、所定温度に温度調節されたバブラータンク70内のシンナーを気化させ、ガス供給配管69を介してチャンバ61内に導入できるように構成されている。
以上のようにして、リフロー処理ユニット(REFLW)60におけるリフロー処理が終了した後は、排気を継続しながらパージガス供給配管76上の開閉バルブ77を開放し、パージガス導入部75を介してチャンバ61内にパージガスとしてのN2ガスを導入し、チャンバ内雰囲気を置換する。その後、上部チャンバ61bを下部チャンバ61aから開放し、前記と逆の手順でリフロー処理後の基板Gを搬送アーム21aによってリフロー処理ユニット(REFLW)60から搬出する。
図5Aは、従来のリフロー方法を説明するため、基板Gの表面付近に形成されたレジスト103の断面を簡略化して示している。ここではレジスト103の表面形状は、平面になっている。基板Gには、下層膜101および下層膜102が積層形成されており、その上には、パターン形成されたレジスト103が形成されている。
図6Aは、基板Gの表面付近に形成されたレジスト103の断面を簡略化して示している。下層膜101および下層膜102が積層形成され、その上に、パターン形成されたレジスト103が形成されている構造およびターゲット領域S1、禁止領域S2については、図5Aと同様である。ただし、本実施形態においては、ターゲット領域S1に臨む側のレジスト103の下端部Jが、下層膜102の端部よりもターゲット領域S1側へ向けて張出し、オーバーハング形状に形成されている。
例えば、図8A〜図8Dに示すように、シンナー濃度、流量およびチャンバの内圧については、これらが増加するとともにレジストの流動速度も上昇するが、温度については、上昇するに伴いレジスト103の流動速度を低下させる傾向がある。つまり、厚膜部103a、薄膜部103bの形状や配置が同じであっても、例えばチャンバ61内のシンナー濃度によってレジストの軟化の程度が変化し、流動方向や流動速度などの挙動が異なるものとなる。従って、リフロー処理における有機溶剤濃度、流量、基板温度、圧力などの条件を組み合わせ、実験的に最適な条件を決定、選択することにより、表面に高低差(厚膜部、薄膜部)を有するレジスト103を用いて、その流動方向や被覆面積を任意に制御することが可能になる。
まず、図10に示すように、ガラス等の透明基板からなる絶縁基板201上にゲート電極202および図示しないゲート線を形成し、さらにシリコン窒化膜などのゲート絶縁膜203、a−Si(アモルファスシリコン)膜204、オーミックコンタクト層としてのn+Si膜205、Al合金やMo合金等の電極用金属膜206をこの順に積層して堆積する(ステップS1)。
なお、図16では、比較のため、再現像処理前のソース電極用レジストマスク210およびドレイン電極用レジストマスク211の輪郭を破線で示している。また、この図16に示す断面構造に対応する平面図を図21に示す。
従来技術では、変形レジスト212が例えばソース電極206aやドレイン電極206bの凹部220とは反対側にまで広がり、例えばオーミックコンタクト層としてのn+Si膜205の上を被覆してしまうため、被覆部分が次のシリコンエッチング工程でエッチングされなくなり、エッチング精度が損なわれてTFT素子の不良や歩留りの低下を招来するという問題があった。また、変形レジスト212による被覆面積を予め大きく見積もって設計しておくと、一つのTFT素子を製造するために必要な面積(ドット面積)が大きくなり、TFT素子の高集積化や微細化への対応が困難になるという問題があった。
例えば、上記説明においては、LCD用ガラス基板を用いるTFT素子の製造を例に取り挙げたが、他のフラットパネルディスプレイ(FPD)基板や、半導体基板等の基板に形成されたレジストのリフロー処理を行なう場合にも本発明を適用することができる。
2:処理ステーション
3:制御部
20:中央搬送路
21:搬送装置
30:再現像処理・リムーバーユニット(REDEV/REMV)
60:リフロー処理ユニット(REFLW)
80a,80b,80c:加熱・冷却処理ユニット(HP/COL)
100:リフロー処理システム
101,102:下層膜
103:レジスト
103a:厚膜部
103b:薄膜部
G:基板
D:段差
J:下端部
S1:ターゲット領域
S2:禁止領域
Claims (18)
- 第1の膜と、該第1の膜よりも上層に形成された第2の膜と、該第2の膜の直上に形成され、前記第1の膜が露出した露出領域と前記第1の膜が被覆された被覆領域とが形成されるようにパターン形成されたレジスト膜と、を有する被処理体に対し、前記レジスト膜のレジストを軟化させて流動させることにより、前記露出領域の一部または全部を被覆するリフロー方法であって、
前記レジスト膜として、その端部が、前記第2の膜の端部よりも前記露出領域の上方に向けて突出した形状のレジスト膜を用いることを特徴とする、リフロー方法。 - 前記レジスト膜は、部位により膜厚が変化し、少なくとも、膜厚の厚い厚膜部と、該厚膜部に対して相対的に膜厚の薄い薄膜部とを有する形状であり、
軟化した前記レジストの流動方向を、前記厚膜部と前記薄膜部の配置により制御するようにした、請求項1に記載のリフロー方法。 - 前記レジスト膜は、部位により膜厚が変化し、少なくとも、膜厚の厚い厚膜部と、該厚膜部に対して相対的に膜厚の薄い薄膜部とを有する形状であり、
軟化した前記レジストによる被覆面積を、前記厚膜部と前記薄膜部の配置により制御するようにした、請求項1に記載のリフロー方法。 - 有機溶剤雰囲気において前記レジストを変形させる、請求項1から請求項3のいずれか1項に記載のリフロー方法。
- 前記レジスト膜のパターン形成を、ハーフトーンマスクを用いたハーフ露光処理と、その後の現像処理により行なう、請求項1から請求項4のいずれか1項に記載のリフロー方法。
- 第1の膜と、該第1の膜よりも上層に第2の膜が形成された被処理体に対し、前記第2の膜を覆うようにレジスト膜を形成するレジスト膜形成工程と、
前記レジスト膜をパターン形成するマスクパターニング工程と、
前記パターン形成された前記レジスト膜をマスクとして、前記第2の膜をエッチングして前記第1の膜のターゲット領域を露出させるとともに、前記レジスト膜の端部が前記第2の膜の端部よりも前記ターゲット領域の上方に突き出た突出形状を形成する工程と、
前記パターン形成されたレジスト膜を再現像処理し、前記レジスト膜の突出形状を維持した状態でその被覆面積を縮小させる再現像処理工程と、
前記レジスト膜のレジストを軟化させて変形させ、前記第1の膜の前記ターゲット領域を変形レジストにより被覆するリフロー工程と、
前記変形レジストをマスクとして前記第1の膜の露出領域をエッチングする工程と、
前記変形レジストを除去する工程と、
前記変形レジストが除去されることにより再露出した前記第1の膜のターゲット領域に対してエッチングを行なう工程と、
を含む、パターン形成方法。 - 前記レジスト膜は、部位により膜厚が変化し、少なくとも、膜厚の厚い厚膜部と、該厚膜部に対して相対的に膜厚の薄い薄膜部とを有する形状であり、
前記リフロー工程において、前記軟化レジストの流動方向を、前記厚膜部と前記薄膜部の配置により制御するようにした、請求項6に記載のパターン形成方法。 - 前記レジスト膜は、部位により膜厚が変化し、少なくとも、膜厚の厚い厚膜部と、該厚膜部に対して相対的に膜厚の薄い薄膜部とを有する形状であり、
前記リフロー工程において、前記軟化レジストによる被覆面積を、前記厚膜部と前記薄膜部の配置により制御するようにした、請求項6に記載のパターン形成方法。 - 前記リフロー工程において、有機溶剤雰囲気において前記レジストを変形させる、請求項6から請求項8のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記再現像処理工程に先立ち、レジスト表面の変質層を除去する前処理工程を行なう、請求項6から請求項9のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 前記マスクパターニング工程を、ハーフトーンマスクを用いたハーフ露光処理と、その後の現像処理により行なう、請求項6から請求項10のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
- 被処理体は、基板上にゲート線及びゲート電極が形成されるとともに、これらを覆うゲート絶縁膜が形成され、さらに前記ゲート絶縁膜上に、下から順にa−Si膜、オーミックコンタクト用Si膜およびソース・ドレイン用金属膜が形成された積層構造体であり、
前記第1の膜が、前記オーミックコンタクト用Si膜であり、前記第2の膜がソース・ドレイン用金属膜である、請求項6から請求項11のいずれか1項に記載のパターン形成方法。 - 基板上にゲート線及びゲート電極を形成する工程と、
前記ゲート線および前記ゲート電極を覆うゲート絶縁膜を形成する工程と、
前記ゲート絶縁膜上に、下から順にa−Si膜、オーミックコンタクト用Si膜およびソース・ドレイン用金属膜を堆積させる工程と、
前記ソース・ドレイン用金属膜上にレジスト膜を形成する工程と、
前記レジスト膜をハーフ露光処理および現像処理して、ソース電極用レジストマスクおよびドレイン電極用レジストマスクを形成するマスクパターニング工程と、
前記ソース電極用レジストマスクおよび前記ドレイン電極用レジストマスクをマスクとして前記ソース・ドレイン用金属膜をエッチングすることにより、ソース電極用金属膜とドレイン電極用金属膜とを形成し、これらソース電極用金属膜とドレイン電極用金属膜との間のチャンネル領域用凹部に下層のオーミックコンタクト用Si膜を露出させるとともに、前記レジスト膜の端部が前記ソース電極用金属膜の端部および前記ドレイン電極用金属膜の端部よりも前記チャンネル領域用凹部に突き出た突出形状を形成する工程と、
パターン形成された前記ソース電極用レジストマスクおよび前記ドレイン電極用レジストマスクを再現像処理して前記突出形状を残した状態でそれぞれの被覆面積を縮小させる工程と、
縮小後の前記ソース電極用レジストマスクおよび前記ドレイン電極用レジストマスクに有機溶剤を作用させて軟化させた軟化レジストを変形させることにより、前記ソース電極用金属膜と前記ドレイン電極用金属膜との間のチャンネル領域用凹部内の前記オーミックコンタクト用Si膜を覆うリフロー工程と、
変形後の前記レジスト並びに前記ソース電極用金属膜および前記ドレイン電極用金属膜をマスクとして、下層の前記オーミックコンタクト用Si膜および前記a−Si膜をエッチングする工程と、
変形後の前記レジストを除去して、前記ソース電極用金属膜と前記ドレイン電極用金属膜との間のチャンネル領域用凹部内に前記オーミックコンタクト用Si膜を再び露出させる工程と、
前記ソース電極用金属膜と前記ドレイン電極用金属膜とをマスクとして、これらの間の前記チャンネル領域用凹部に露出した前記オーミックコンタクト用Si膜をエッチングする工程と、
を含む、液晶表示装置用TFT素子の製造方法。 - 前記レジスト膜は、部位により膜厚が変化し、少なくとも、膜厚の厚い厚膜部と、該厚膜部に対して相対的に膜厚の薄い薄膜部とを有する形状であり、
前記リフロー工程において、前記軟化レジストの流動方向を、前記厚膜部と前記薄膜部の配置により制御するようにした、請求項13に記載の液晶表示装置用TFT素子の製造方法。 - 前記レジスト膜は、部位により膜厚が変化し、少なくとも、膜厚の厚い厚膜部と、該厚膜部に対して相対的に膜厚の薄い薄膜部とを有する形状であり、
前記リフロー工程において、前記軟化レジストによる被覆面積を、前記厚膜部と前記薄膜部の配置により制御するようにした、請求項13に記載の液晶表示装置用TFT素子の製造方法。 - コンピュータ上で動作し、実行時に、処理チャンバ内で請求項1から請求項5のいずれか1項に記載されたリフロー方法が行なわれるようにリフロー処理装置を制御する、制御プログラム。
- コンピュータ上で動作する制御プログラムが記憶されたコンピュータ読み取り可能な記憶媒体であって、
前記制御プログラムは、実行時に、処理チャンバ内で請求項1から請求項5のいずれか1項に記載されたリフロー方法が行なわれるようにリフロー処理装置を制御するものである、コンピュータ読み取り可能な記憶媒体。 - 被処理体を載置する支持台を備えた処理チャンバと、
前記処理チャンバ内に有機溶媒を供給するためのガス供給手段と、
前記処理チャンバ内で請求項1から請求項5のいずれか1項に記載されたリフロー方法が行なわれるように制御する制御部と、
を備えた、リフロー処理装置。
Priority Applications (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006098973A JP2007273827A (ja) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | リフロー方法、パターン形成方法および液晶表示装置用tft素子の製造方法 |
US11/727,754 US20070232080A1 (en) | 2006-03-31 | 2007-03-28 | Reflow method, pattern generating method, and fabrication method for TFT for LCD |
TW096111307A TW200739679A (en) | 2006-03-31 | 2007-03-30 | Reflow method, pattern forming method and production method of TFT element for liquid crystal display |
CNB2007100913537A CN100474510C (zh) | 2006-03-31 | 2007-03-30 | 再流平方法、布图形成方法和tft元件制造方法 |
KR1020070031541A KR20070098718A (ko) | 2006-03-31 | 2007-03-30 | 리플로우 방법, 패턴 형성 방법 및 액정표시장치용 tft소자의 제조 방법 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2006098973A JP2007273827A (ja) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | リフロー方法、パターン形成方法および液晶表示装置用tft素子の製造方法 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2007273827A true JP2007273827A (ja) | 2007-10-18 |
Family
ID=38559739
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2006098973A Pending JP2007273827A (ja) | 2006-03-31 | 2006-03-31 | リフロー方法、パターン形成方法および液晶表示装置用tft素子の製造方法 |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20070232080A1 (ja) |
JP (1) | JP2007273827A (ja) |
KR (1) | KR20070098718A (ja) |
CN (1) | CN100474510C (ja) |
TW (1) | TW200739679A (ja) |
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- 2006-03-31 JP JP2006098973A patent/JP2007273827A/ja active Pending
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- 2007-03-28 US US11/727,754 patent/US20070232080A1/en not_active Abandoned
- 2007-03-30 KR KR1020070031541A patent/KR20070098718A/ko not_active Application Discontinuation
- 2007-03-30 TW TW096111307A patent/TW200739679A/zh unknown
- 2007-03-30 CN CNB2007100913537A patent/CN100474510C/zh not_active Expired - Fee Related
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KR20070098718A (ko) | 2007-10-05 |
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A621 | Written request for application examination |
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