JP3456890B2 - 基板処理装置 - Google Patents
基板処理装置Info
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- JP3456890B2 JP3456890B2 JP1830298A JP1830298A JP3456890B2 JP 3456890 B2 JP3456890 B2 JP 3456890B2 JP 1830298 A JP1830298 A JP 1830298A JP 1830298 A JP1830298 A JP 1830298A JP 3456890 B2 JP3456890 B2 JP 3456890B2
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- lift pin
- processing
- processing chamber
- heating plate
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- Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＬＣＤ基板の塗布
・現像処理システムにおいて、疎水化処理、加熱処理、
または冷却処理を施す基板処理装置に関する。
・現像処理システムにおいて、疎水化処理、加熱処理、
または冷却処理を施す基板処理装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、液晶表示ディスプレイ（ＬＣ
Ｄ）装置の製造工程においては、ＬＣＤ基板（ガラス基
板）上に例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉ
ｄｅ）の薄膜や電極パターン等を形成するために、半導
体製造工程において用いられるものと同様なフォトリソ
グラフィ技術を用いて回路パターン等を縮小してフォト
レジストに転写し、これを現像処理する一連の処理が施
されている。例えば、被処理体であるＬＣＤ基板を、洗
浄装置にて洗浄した後、ＬＣＤ基板にアドヒージョン処
理装置にて疎水化処理を施し、冷却処理装置にて冷却し
た後、レジスト塗布装置にてフォトレジスト膜すなわち
感光膜を塗布形成する。そして、フォトレジスト膜を熱
処理装置にて加熱してベーキング処理（プリベーク）を
施した後、露光装置にて所定のパターンを露光し、そし
て、露光後のＬＣＤ基板を現像装置にて現像液を塗布し
て所定のパターンを形成した後に、ベーキング処理（ポ
ストベーク）を施して高分子化のための熱変成、ＬＣＤ
基板とパターンとの密着性を強化している。
Ｄ）装置の製造工程においては、ＬＣＤ基板（ガラス基
板）上に例えばＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉ
ｄｅ）の薄膜や電極パターン等を形成するために、半導
体製造工程において用いられるものと同様なフォトリソ
グラフィ技術を用いて回路パターン等を縮小してフォト
レジストに転写し、これを現像処理する一連の処理が施
されている。例えば、被処理体であるＬＣＤ基板を、洗
浄装置にて洗浄した後、ＬＣＤ基板にアドヒージョン処
理装置にて疎水化処理を施し、冷却処理装置にて冷却し
た後、レジスト塗布装置にてフォトレジスト膜すなわち
感光膜を塗布形成する。そして、フォトレジスト膜を熱
処理装置にて加熱してベーキング処理（プリベーク）を
施した後、露光装置にて所定のパターンを露光し、そし
て、露光後のＬＣＤ基板を現像装置にて現像液を塗布し
て所定のパターンを形成した後に、ベーキング処理（ポ
ストベーク）を施して高分子化のための熱変成、ＬＣＤ
基板とパターンとの密着性を強化している。
【０００３】このような処理システムにおいて、ＬＣＤ
基板へのレジスト液の密着性を良好にするため実施して
いるアドヒージョン処理は、処理室内に載置された基板
にＨＭＤＳガスを供給して熱処理を行うことにより、親
水性の基板の表面を疎水性に変化させる処理であり、具
体的には、基板下地のＯＨ結合を化学的に分離し、水分
を除去することができる。
基板へのレジスト液の密着性を良好にするため実施して
いるアドヒージョン処理は、処理室内に載置された基板
にＨＭＤＳガスを供給して熱処理を行うことにより、親
水性の基板の表面を疎水性に変化させる処理であり、具
体的には、基板下地のＯＨ結合を化学的に分離し、水分
を除去することができる。
【０００４】このアドヒージョン処理においては、まず
基板を載置台上に載置し、処理室内を排気し、処理室内
にＨＭＤＳガスを導入してＨＭＤＳを基板に塗布してい
る。この処理の終了後、ＨＭＤＳ雰囲気が大気中へ放出
されないように、排気機構によりＨＭＤＳガスを強制的
に排出するとともに、処理室内にＮ2ガスのような置換
ガスを導入し、配管内および処理室内をパージしてい
る。
基板を載置台上に載置し、処理室内を排気し、処理室内
にＨＭＤＳガスを導入してＨＭＤＳを基板に塗布してい
る。この処理の終了後、ＨＭＤＳ雰囲気が大気中へ放出
されないように、排気機構によりＨＭＤＳガスを強制的
に排出するとともに、処理室内にＮ2ガスのような置換
ガスを導入し、配管内および処理室内をパージしてい
る。
【０００５】この処理室内に基板を搬入する際には、図
６に示すようなリフトピン駆動機構により載置台に載置
されている。すなわち、基板Ｇを加熱するための加熱プ
レート１０１に形成された複数の孔１０２に、複数のリ
フトピン１０３の上部が通挿されている。このリフトピ
ン１０３の下端は、図示しない駆動機構により昇降され
る支持部材１０４に取付けられている。これにより、支
持部材１０４が昇降されると、リフトピン１０３が昇降
し、搬入された基板Ｇを受け取って加熱プレート１０１
上に載置すると共に、処理終了後、基板Ｇを搬出位置ま
で持ち上げるようになっている。
６に示すようなリフトピン駆動機構により載置台に載置
されている。すなわち、基板Ｇを加熱するための加熱プ
レート１０１に形成された複数の孔１０２に、複数のリ
フトピン１０３の上部が通挿されている。このリフトピ
ン１０３の下端は、図示しない駆動機構により昇降され
る支持部材１０４に取付けられている。これにより、支
持部材１０４が昇降されると、リフトピン１０３が昇降
し、搬入された基板Ｇを受け取って加熱プレート１０１
上に載置すると共に、処理終了後、基板Ｇを搬出位置ま
で持ち上げるようになっている。
【０００６】また、加熱プレート１０１の下側で、リフ
トピン１０３の周囲には、真空シール１０５が設けられ
ている。この真空シール１０５により、処理室内のＨＭ
ＤＳガス等の外部への漏洩が防止されている。
トピン１０３の周囲には、真空シール１０５が設けられ
ている。この真空シール１０５により、処理室内のＨＭ
ＤＳガス等の外部への漏洩が防止されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図６に
示すような処理装置にあっては、基板Ｇを加熱するため
の加熱プレート１０１の温度を上昇させると、加熱プレ
ート１０１の熱膨張により孔１０２のピッチがずれてし
まうといったことがある。そこで従来はこのような加熱
プレート１０１の熱膨張に伴う孔ピッチのずれに対応す
るため、孔１０２とリフトピン１０３との隙間を大きく
し、孔１０２のピッチがずれても支障なくリフトピン１
０３が昇降できる程度の隙間を形成している。しかし、
このように、孔１０２の径を大きくすると、その部分で
は基板Ｇが加熱されないため、基板Ｇ上に温度分布のム
ラが発生するといった問題が生じる。
示すような処理装置にあっては、基板Ｇを加熱するため
の加熱プレート１０１の温度を上昇させると、加熱プレ
ート１０１の熱膨張により孔１０２のピッチがずれてし
まうといったことがある。そこで従来はこのような加熱
プレート１０１の熱膨張に伴う孔ピッチのずれに対応す
るため、孔１０２とリフトピン１０３との隙間を大きく
し、孔１０２のピッチがずれても支障なくリフトピン１
０３が昇降できる程度の隙間を形成している。しかし、
このように、孔１０２の径を大きくすると、その部分で
は基板Ｇが加熱されないため、基板Ｇ上に温度分布のム
ラが発生するといった問題が生じる。
【０００８】また、アドヒージョン処理装置にあって
は、加熱プレート１０１を温度上昇させて加熱プレート
１０１が熱膨張した際、上述した真空シール１０５がリ
フトピン１０３との摩擦により磨耗するといったことが
ある。そのため、シール性の劣化を招来しないように、
真空シール１０５を頻繁に取り替えなければならないと
いった不都合がある。
は、加熱プレート１０１を温度上昇させて加熱プレート
１０１が熱膨張した際、上述した真空シール１０５がリ
フトピン１０３との摩擦により磨耗するといったことが
ある。そのため、シール性の劣化を招来しないように、
真空シール１０５を頻繁に取り替えなければならないと
いった不都合がある。
【０００９】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であり、リフトピンの周囲でのシール性の劣化を招来し
ないとともに、温度変化の際のリフトピンの追随性を良
好にした基板処理装置を提供することを目的とする。
であり、リフトピンの周囲でのシール性の劣化を招来し
ないとともに、温度変化の際のリフトピンの追随性を良
好にした基板処理装置を提供することを目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、第１発明は、処理室内のプレートを通挿して昇降機
構により昇降されるリフトピンによって処理室内に搬入
された基板を受け取って前記プレートに載置し、基板へ
の処理が終了した後、前記リフトピンにより基板を処理
室内の搬出位置に持ち上げる基板処理装置であって、前
記リフトピンの周囲に密着するように配置されて処理室
内をシールするためのシール部材と、前記リフトピンの
下端に設けられてリフトピンの側方への移動を許容する
ベアリング部材とを具備することを特徴とする基板処理
装置を提供する。
に、第１発明は、処理室内のプレートを通挿して昇降機
構により昇降されるリフトピンによって処理室内に搬入
された基板を受け取って前記プレートに載置し、基板へ
の処理が終了した後、前記リフトピンにより基板を処理
室内の搬出位置に持ち上げる基板処理装置であって、前
記リフトピンの周囲に密着するように配置されて処理室
内をシールするためのシール部材と、前記リフトピンの
下端に設けられてリフトピンの側方への移動を許容する
ベアリング部材とを具備することを特徴とする基板処理
装置を提供する。
【００１１】第２発明は、第１発明において、前記ベア
リング部材は、前記昇降機構の支持部材とリフトピンの
下端との間に設けられたリニアベアリングであることを
特徴とする基板処理装置を提供する。
リング部材は、前記昇降機構の支持部材とリフトピンの
下端との間に設けられたリニアベアリングであることを
特徴とする基板処理装置を提供する。
【００１２】第３発明は、第１発明または第２発明にお
いて、前記プレートは、基板を加熱するための加熱プレ
ートであることを特徴とする基板処理装置を提供する。
いて、前記プレートは、基板を加熱するための加熱プレ
ートであることを特徴とする基板処理装置を提供する。
【００１３】第４発明は、第１発明ないし第３発明のい
ずれかにおいて、前記処理室内に所定の処理ガスを導入
して、処理室内で疎水化処理を基板に施すことを特徴と
する基板処理装置を提供する。
ずれかにおいて、前記処理室内に所定の処理ガスを導入
して、処理室内で疎水化処理を基板に施すことを特徴と
する基板処理装置を提供する。
【００１４】第５発明は、第１発明ないし第４発明のい
ずれかにおいて、前記リフトピンの下端に、前記ベアリ
ング部材を有して滑動する滑動部材が設けられ、前記昇
降機構の支持部材に、この滑動部材の側方への移動を許
容すると共に移動量の最大限を規制するように滑動部材
を包持する包持部材が固定されていることを特徴とする
基板処理装置を提供する。
ずれかにおいて、前記リフトピンの下端に、前記ベアリ
ング部材を有して滑動する滑動部材が設けられ、前記昇
降機構の支持部材に、この滑動部材の側方への移動を許
容すると共に移動量の最大限を規制するように滑動部材
を包持する包持部材が固定されていることを特徴とする
基板処理装置を提供する。
【００１５】
【００１６】第１発明によれば、リフトピンの下端に、
リフトピンの側方への移動を許容するベアリング部材が
設けられているため、プレートの温度を上昇させてプレ
ートが熱膨張した際、リフトピンは、プレートの熱膨張
に追随して側方に移動することができる。そのため、リ
フトピンを通挿するためのプレートの孔を大きくする必
要がなく、基板の温度分布のムラを招来することもな
く、また、シール部材がリフトピンとの摩擦により磨耗
するといったことがなく、シール部材の劣化を招来する
ことがなく、シール部材を頻繁に取り替える必要がな
い。さらに、リフトピンの周囲には、リフトピンに密着
するようにシール部材が設けられているため、処理室内
の処理ガスの外部への漏洩が効果的に防止されている。
リフトピンの側方への移動を許容するベアリング部材が
設けられているため、プレートの温度を上昇させてプレ
ートが熱膨張した際、リフトピンは、プレートの熱膨張
に追随して側方に移動することができる。そのため、リ
フトピンを通挿するためのプレートの孔を大きくする必
要がなく、基板の温度分布のムラを招来することもな
く、また、シール部材がリフトピンとの摩擦により磨耗
するといったことがなく、シール部材の劣化を招来する
ことがなく、シール部材を頻繁に取り替える必要がな
い。さらに、リフトピンの周囲には、リフトピンに密着
するようにシール部材が設けられているため、処理室内
の処理ガスの外部への漏洩が効果的に防止されている。
【００１７】第２発明によれば、ベアリング部材は、昇
降機構の支持部材とリフトピンの下端との間に設けられ
たリニアベアリングであるため、リフトピンは、より一
層加熱プレートの熱膨張に追随して側方に移動すること
ができる。
降機構の支持部材とリフトピンの下端との間に設けられ
たリニアベアリングであるため、リフトピンは、より一
層加熱プレートの熱膨張に追随して側方に移動すること
ができる。
【００１８】第３および第４発明によれば、疎水化処理
のための基板処理装置において、リフトピンの周囲での
シール性の劣化を招くことがないと共に、温度変化の際
におけるリフトピンの追随性を極めて良好にすることが
できる。
のための基板処理装置において、リフトピンの周囲での
シール性の劣化を招くことがないと共に、温度変化の際
におけるリフトピンの追随性を極めて良好にすることが
できる。
【００１９】第５発明によれば、リフトピンの下端に、
ベアリング部材を有して滑動する滑動部材が設けられ、
昇降機構の支持部材に、この滑動部材の側方への移動を
許容するとともに移動量の最大限を規制するように滑動
部材を包持する包持部材が固定されているため、極めて
簡易な構造により、リフトピンの側方への移動機構を実
現することができる。
ベアリング部材を有して滑動する滑動部材が設けられ、
昇降機構の支持部材に、この滑動部材の側方への移動を
許容するとともに移動量の最大限を規制するように滑動
部材を包持する包持部材が固定されているため、極めて
簡易な構造により、リフトピンの側方への移動機構を実
現することができる。
【００２０】
【００２１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明が適用
されるＬＣＤ基板の塗布・現像処理システムを示す斜視
図である。
図面を参照して詳細に説明する。図１は、本発明が適用
されるＬＣＤ基板の塗布・現像処理システムを示す斜視
図である。
【００２２】この塗布・現像処理システムは、複数の基
板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーシ
ョン１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
２と、カセットステーション１上のカセットＣと処理部
２との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機構３と
を備えている。そして、カセットステーション１におい
てカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構３は
カセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１２上を
移動可能な搬送アーム１１とを備え、この搬送アーム１
１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬送が
行われる。
板Ｇを収容するカセットＣを載置するカセットステーシ
ョン１と、基板Ｇにレジスト塗布および現像を含む一連
の処理を施すための複数の処理ユニットを備えた処理部
２と、カセットステーション１上のカセットＣと処理部
２との間でＬＣＤ基板の搬送を行うための搬送機構３と
を備えている。そして、カセットステーション１におい
てカセットＣの搬入出が行われる。また、搬送機構３は
カセットの配列方向に沿って設けられた搬送路１２上を
移動可能な搬送アーム１１とを備え、この搬送アーム１
１によりカセットＣと処理部２との間で基板Ｇの搬送が
行われる。
【００２３】処理部２は、前段部２ａと後段部２ｂとに
分かれており、それぞれ中央に搬送路ユニット１５、１
６を有しており、これら搬送路の両側に各処理ユニット
が配設されている。そして、これらの間には中継部１７
が設けられている。
分かれており、それぞれ中央に搬送路ユニット１５、１
６を有しており、これら搬送路の両側に各処理ユニット
が配設されている。そして、これらの間には中継部１７
が設けられている。
【００２４】前段部２ａは、搬送路ユニット１５に沿っ
て移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１５
の一方側には、上下２段に積層されてなる２組の加熱処
理ユニット２１、ならびにそれに隣接して上下に設けら
れたアドヒージョン処理ユニット２２および冷却ユニッ
ト２３が配置されており、他方側には洗浄ユニット２４
および現像処理ユニット２５が配置されている。
て移動可能な主搬送装置１８を備えており、搬送路１５
の一方側には、上下２段に積層されてなる２組の加熱処
理ユニット２１、ならびにそれに隣接して上下に設けら
れたアドヒージョン処理ユニット２２および冷却ユニッ
ト２３が配置されており、他方側には洗浄ユニット２４
および現像処理ユニット２５が配置されている。
【００２５】一方、後段部２ｂは、搬送路ユニット１６
に沿って移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送
路ユニット１６の一方側には、二段積層されてなる３組
の加熱処理ユニット２８が配置されており、搬送路ユニ
ット１６の他方側には、レジスト塗布ユニット２６およ
び基板Ｇの周辺部のレジストを除去する周辺レジスト除
去ユニット２７が配置されている。加熱処理ユニット２
８は、レジストの安定化のためのプリベーク、露光後の
ポストエクスポージャーベーク、および現像後のポスト
ベーク処理を行うものである。なお、後段部２ｂの後端
には、露光装置（図示せず）との間で基板Ｇの受け渡し
を行うためのインターフェース部３０が設けられてい
る。
に沿って移動可能な主搬送装置１９を備えており、搬送
路ユニット１６の一方側には、二段積層されてなる３組
の加熱処理ユニット２８が配置されており、搬送路ユニ
ット１６の他方側には、レジスト塗布ユニット２６およ
び基板Ｇの周辺部のレジストを除去する周辺レジスト除
去ユニット２７が配置されている。加熱処理ユニット２
８は、レジストの安定化のためのプリベーク、露光後の
ポストエクスポージャーベーク、および現像後のポスト
ベーク処理を行うものである。なお、後段部２ｂの後端
には、露光装置（図示せず）との間で基板Ｇの受け渡し
を行うためのインターフェース部３０が設けられてい
る。
【００２６】中継部１７には、加熱処理ユニット２８に
隣接した位置に、二段積層されてなる冷却処理ユニット
２９が設けられており、冷却処理ユニット２９に対向す
る位置に、薬液供給ユニット８１および搬送装置進入路
８２が設けられている。
隣接した位置に、二段積層されてなる冷却処理ユニット
２９が設けられており、冷却処理ユニット２９に対向す
る位置に、薬液供給ユニット８１および搬送装置進入路
８２が設けられている。
【００２７】上記主搬送装置１８は、搬送機構３のアー
ム１１との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、前段
部２ａの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、
さらには中継部１７との間で基板Ｇの受け渡しを行う機
能を有している。また、主搬送装置１９は中継部１７と
の間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、後段部２ｂの
各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには
インターフェース部３０との間の基板Ｇの受け渡しを行
う機能を有している。
ム１１との間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、前段
部２ａの各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、
さらには中継部１７との間で基板Ｇの受け渡しを行う機
能を有している。また、主搬送装置１９は中継部１７と
の間で基板Ｇの受け渡しを行うとともに、後段部２ｂの
各処理ユニットに対する基板Ｇの搬入・搬出、さらには
インターフェース部３０との間の基板Ｇの受け渡しを行
う機能を有している。
【００２８】このように各処理ユニットを集約して一体
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。
化することにより、省スペース化および処理の効率化を
図ることができる。
【００２９】このように構成される塗布・現像処理シス
テムにおいては、カセットＣ内の基板Ｇが、処理部２に
搬送され、処理部２では、まず、洗浄ユニット２４によ
り洗浄処理され、加熱処理ユニット２１の一つで加熱乾
燥された後、レジストの定着性を高めるためにアドヒー
ジョン処理ユニット２２にて疎水化処理され、冷却ユニ
ット２３で冷却後、レジスト塗布ユニット２６でレジス
トが塗布され、周辺レジスト除去ユニット２７で基板Ｇ
の周縁の余分なレジストが除去される。その後、基板Ｇ
は、加熱処理ユニット２８の一つでプリベーク処理さ
れ、冷却ユニット２９で冷却された後、インターフェー
ス部３０を介して露光装置に搬送されてそこで所定のパ
ターンが露光される。そして、再びインターフェース部
３０を介して搬入され、加熱処理ユニット２８の一つで
ポストエクスポージャーベーク処理が施される。その
後、冷却ユニット２９で冷却された基板Ｇは、現像処理
ユニット２５で現像処理され、所定の回路パターンが形
成される。現像処理された基板Ｇは、主搬送装置１８お
よび搬送機構３によってカセットステーション１上の所
定のカセットに収容される。
テムにおいては、カセットＣ内の基板Ｇが、処理部２に
搬送され、処理部２では、まず、洗浄ユニット２４によ
り洗浄処理され、加熱処理ユニット２１の一つで加熱乾
燥された後、レジストの定着性を高めるためにアドヒー
ジョン処理ユニット２２にて疎水化処理され、冷却ユニ
ット２３で冷却後、レジスト塗布ユニット２６でレジス
トが塗布され、周辺レジスト除去ユニット２７で基板Ｇ
の周縁の余分なレジストが除去される。その後、基板Ｇ
は、加熱処理ユニット２８の一つでプリベーク処理さ
れ、冷却ユニット２９で冷却された後、インターフェー
ス部３０を介して露光装置に搬送されてそこで所定のパ
ターンが露光される。そして、再びインターフェース部
３０を介して搬入され、加熱処理ユニット２８の一つで
ポストエクスポージャーベーク処理が施される。その
後、冷却ユニット２９で冷却された基板Ｇは、現像処理
ユニット２５で現像処理され、所定の回路パターンが形
成される。現像処理された基板Ｇは、主搬送装置１８お
よび搬送機構３によってカセットステーション１上の所
定のカセットに収容される。
【００３０】次に、本実施の形態に係るアドヒージョン
処理ユニット２２を説明する。図２は、本実施の形態に
係るアドヒージョン処理ユニットの概略断面図である。
処理ユニット２２を説明する。図２は、本実施の形態に
係るアドヒージョン処理ユニットの概略断面図である。
【００３１】このアドヒージョン処理ユニット２２は、
図２に示すように、筐体３１を有し、この筐体３１内に
は、基板Ｇにアドヒージョン処理するための処理室３２
が形成されている。この処理室３２の下側には、基板Ｇ
を加熱するための加熱プレート３３がその面を水平にし
て配置されいてる。この加熱プレート３３には、ヒータ
ー（図示せず）が装着されており、所望の温度に設定可
能となっている。
図２に示すように、筐体３１を有し、この筐体３１内に
は、基板Ｇにアドヒージョン処理するための処理室３２
が形成されている。この処理室３２の下側には、基板Ｇ
を加熱するための加熱プレート３３がその面を水平にし
て配置されいてる。この加熱プレート３３には、ヒータ
ー（図示せず）が装着されており、所望の温度に設定可
能となっている。
【００３２】この加熱プレート３３の表面には、複数の
スペーサ３４が設けられており、このスペーサ３４によ
って基板Ｇが保持されている。すなわち、プロキシミテ
ィ方式が採用されており、加熱プレート３３と基板Ｇと
の直接の接触を避け、加熱プレート３３からの放熱によ
って、基板Ｇを加熱処理するようになっている。これに
より、加熱プレート３３からの基板Ｇの汚染が防止され
る。各スペーサ３４には、支持部材３５がねじ止めされ
ており、この支持部材３５により基板Ｇが支持されてい
る。
スペーサ３４が設けられており、このスペーサ３４によ
って基板Ｇが保持されている。すなわち、プロキシミテ
ィ方式が採用されており、加熱プレート３３と基板Ｇと
の直接の接触を避け、加熱プレート３３からの放熱によ
って、基板Ｇを加熱処理するようになっている。これに
より、加熱プレート３３からの基板Ｇの汚染が防止され
る。各スペーサ３４には、支持部材３５がねじ止めされ
ており、この支持部材３５により基板Ｇが支持されてい
る。
【００３３】処理室３２には、ガス供給管３６が接続さ
れており、このガス供給管３６には、処理ガスとしての
ＨＭＤＳガスおよび置換ガスのＮ2ガスがバルブ３７に
より選択的に通流され、これらのいずれかのガスが処理
室３２内に供給されるようになっている。
れており、このガス供給管３６には、処理ガスとしての
ＨＭＤＳガスおよび置換ガスのＮ2ガスがバルブ３７に
より選択的に通流され、これらのいずれかのガスが処理
室３２内に供給されるようになっている。
【００３４】また、処理室３２には、ガス排気管３８が
接続されており、このガス排気管３８には、排気ポンプ
３９が設けられている。したがって、処理室３２内のＨ
ＭＤＳガスまたはＮ2ガスは、排気ポンプ３９により排
気管３８を通って排気されるようになっている。
接続されており、このガス排気管３８には、排気ポンプ
３９が設けられている。したがって、処理室３２内のＨ
ＭＤＳガスまたはＮ2ガスは、排気ポンプ３９により排
気管３８を通って排気されるようになっている。
【００３５】また、加熱プレート３３の複数の孔４１を
通挿して、複数のリフトピン４０が昇降自在に設けられ
ている。これらリフトピン４０の下部は、昇降機構４３
により昇降される支持部材４２に当接して支持されてい
る。これにより、昇降機構４３によって支持部材４２が
上昇されると、リフトピン４０は、上昇して、搬入され
た基板Ｇを受け取り、次いで、若干下降して加熱プレー
ト３３上に載置すると共に、アドヒージョン処理終了
後、再び上昇して基板Ｇを搬出位置まで持ち上げるよう
になっている。
通挿して、複数のリフトピン４０が昇降自在に設けられ
ている。これらリフトピン４０の下部は、昇降機構４３
により昇降される支持部材４２に当接して支持されてい
る。これにより、昇降機構４３によって支持部材４２が
上昇されると、リフトピン４０は、上昇して、搬入され
た基板Ｇを受け取り、次いで、若干下降して加熱プレー
ト３３上に載置すると共に、アドヒージョン処理終了
後、再び上昇して基板Ｇを搬出位置まで持ち上げるよう
になっている。
【００３６】図３を参照して更に詳細に説明する。図３
は、図２に示すリフトピンを拡大して示す概略断面図で
ある。
は、図２に示すリフトピンを拡大して示す概略断面図で
ある。
【００３７】リフトピン４０は、加熱プレート３３の孔
４１を通挿する上部材４０ａと、この上部材４０ａの下
部が嵌入されていると共に支持部材４２に当接する下部
材４０ｂとから構成されている。加熱プレート３３の孔
４１には、リフトピン４０の上部材４０ａを通挿して摺
動するための複数段の摺動部材４５が嵌装されている。
この摺動部材４５の下方には、筒状に形成された有底の
リング部材４６が取付けられ、このリング部材４６の底
部４６ａには、リフトピン４０の上部材４０ａに密着し
てシールするための真空シール４７が取付けられてい
る。
４１を通挿する上部材４０ａと、この上部材４０ａの下
部が嵌入されていると共に支持部材４２に当接する下部
材４０ｂとから構成されている。加熱プレート３３の孔
４１には、リフトピン４０の上部材４０ａを通挿して摺
動するための複数段の摺動部材４５が嵌装されている。
この摺動部材４５の下方には、筒状に形成された有底の
リング部材４６が取付けられ、このリング部材４６の底
部４６ａには、リフトピン４０の上部材４０ａに密着し
てシールするための真空シール４７が取付けられてい
る。
【００３８】この真空シール４７は、図４に示すよう
に、リング部材４６の底部４６ａの孔に嵌装された基部
４７ａと、この基部４７ａから折曲されてリフトピン４
０の上部材４０ａに密着してシールするためのリップ部
４７ｂとからなっている。これにより、処理室３２内の
ＨＭＤＳガス等の外部への漏洩を防止するようになって
いる。
に、リング部材４６の底部４６ａの孔に嵌装された基部
４７ａと、この基部４７ａから折曲されてリフトピン４
０の上部材４０ａに密着してシールするためのリップ部
４７ｂとからなっている。これにより、処理室３２内の
ＨＭＤＳガス等の外部への漏洩を防止するようになって
いる。
【００３９】さらに、図３および図５に示すように、リ
フトピン４０の下部材４０ｂの下端には、円形の滑動部
材５１が設けられており、昇降機構４３により昇降され
る支持部材４２には、この滑動部材５１をその側部およ
び上部で包持する包持部材５２が固定されている。
フトピン４０の下部材４０ｂの下端には、円形の滑動部
材５１が設けられており、昇降機構４３により昇降され
る支持部材４２には、この滑動部材５１をその側部およ
び上部で包持する包持部材５２が固定されている。
【００４０】包持部材５２の上壁５２ａには、リフトピ
ン４０の下部材４０ｂを通挿する孔５２ｂが設けられて
いる。この孔５２ｂは、リフトピン４０の下部材４０ｂ
が側方に移動するとき、この下部材４０ｂに干渉しない
ようになっている。また、包持部材５２の側壁５２ｃ
は、図５に示すように、滑動部材５１が側方に移動する
とき、側方への動きを許容するスペースを有すると共
に、滑動部材５１の移動の最大限を規制する働きもする
ようになっている。
ン４０の下部材４０ｂを通挿する孔５２ｂが設けられて
いる。この孔５２ｂは、リフトピン４０の下部材４０ｂ
が側方に移動するとき、この下部材４０ｂに干渉しない
ようになっている。また、包持部材５２の側壁５２ｃ
は、図５に示すように、滑動部材５１が側方に移動する
とき、側方への動きを許容するスペースを有すると共
に、滑動部材５１の移動の最大限を規制する働きもする
ようになっている。
【００４１】滑動部材５１の上面には、包持部材５２の
上壁５２ａと協働してリニアベアリングを構成するピロ
ーボール５３が嵌装されていると共に、滑動部材５１の
下面には、支持部材４２と協働してリニアベアリングを
構成するピローボール５３が嵌装されている。これらピ
ローボール５３は、図５に示すように、滑動部材５１の
上面および下面で、各々、３個ずつ設けられている。
上壁５２ａと協働してリニアベアリングを構成するピロ
ーボール５３が嵌装されていると共に、滑動部材５１の
下面には、支持部材４２と協働してリニアベアリングを
構成するピローボール５３が嵌装されている。これらピ
ローボール５３は、図５に示すように、滑動部材５１の
上面および下面で、各々、３個ずつ設けられている。
【００４２】このように、リフトピン４０の下端に、リ
ニアベアリングを構成するピローボール５３を有する滑
動部材５１が設けられているため、加熱プレート３３を
温度上昇させて加熱プレート３３が熱膨張した際、リフ
トピン４０は、加熱プレート３３の熱膨張に追随して容
易に側方に移動することができる。
ニアベアリングを構成するピローボール５３を有する滑
動部材５１が設けられているため、加熱プレート３３を
温度上昇させて加熱プレート３３が熱膨張した際、リフ
トピン４０は、加熱プレート３３の熱膨張に追随して容
易に側方に移動することができる。
【００４３】したがって、リフトピン４０を通挿するた
めの加熱プレート３３の孔４１の径を大きくする必要が
なく、且つリフトピン４０の径を極めて細く、例えば１
〜２ｍｍ程度とすることが可能であり、基板Ｇの温度分
布ムラを有効に防止することができ、また、リフトピン
４０の跡が基板Ｇに転写されてしまう等の不都合を防止
できる。さらに、リフトピン４０が加熱プレート３３の
熱膨張に追随して容易に側方に移動することができるた
め、真空シール４７がリフトピン４０との摩擦により磨
耗するといったことがなく、真空シール４７の劣化を招
来することがなく、真空シール４７を頻繁に取り替える
といった必要がない。
めの加熱プレート３３の孔４１の径を大きくする必要が
なく、且つリフトピン４０の径を極めて細く、例えば１
〜２ｍｍ程度とすることが可能であり、基板Ｇの温度分
布ムラを有効に防止することができ、また、リフトピン
４０の跡が基板Ｇに転写されてしまう等の不都合を防止
できる。さらに、リフトピン４０が加熱プレート３３の
熱膨張に追随して容易に側方に移動することができるた
め、真空シール４７がリフトピン４０との摩擦により磨
耗するといったことがなく、真空シール４７の劣化を招
来することがなく、真空シール４７を頻繁に取り替える
といった必要がない。
【００４４】以上はアドヒージョン処理ユニット２２に
ついて説明したが、処理ガスを用いない加熱処理ユニッ
ト２１，２８の加熱プレートも、アドヒージョン処理ユ
ニット２２のものと同様の構造を有しているため、この
加熱処理ユニット２１，２８にも本発明が適用可能であ
り、この場合にも、リフトピンは、加熱プレートの熱膨
張に追随して容易に側方に移動することができる。ま
た、冷却処理ユニット２９も、アドヒージョン処理ユニ
ットと同様の構造を有しており、処理ガスを用いずに基
板Ｇを冷却プレートにより冷却するようになっているた
め、この冷却処理ユニット２９にも本発明が適用可能で
あり、この場合には、冷却プレートが冷却により熱収縮
する際、リフトピンがこの冷却プレートの収縮に追随し
て容易に側方に移動することができる。なお、加熱処理
ユニットおよび冷却処理ユニットでは、処理ガスを用い
ないため、真空シール４７は必ずしも必要でない。
ついて説明したが、処理ガスを用いない加熱処理ユニッ
ト２１，２８の加熱プレートも、アドヒージョン処理ユ
ニット２２のものと同様の構造を有しているため、この
加熱処理ユニット２１，２８にも本発明が適用可能であ
り、この場合にも、リフトピンは、加熱プレートの熱膨
張に追随して容易に側方に移動することができる。ま
た、冷却処理ユニット２９も、アドヒージョン処理ユニ
ットと同様の構造を有しており、処理ガスを用いずに基
板Ｇを冷却プレートにより冷却するようになっているた
め、この冷却処理ユニット２９にも本発明が適用可能で
あり、この場合には、冷却プレートが冷却により熱収縮
する際、リフトピンがこの冷却プレートの収縮に追随し
て容易に側方に移動することができる。なお、加熱処理
ユニットおよび冷却処理ユニットでは、処理ガスを用い
ないため、真空シール４７は必ずしも必要でない。
【００４５】なお、本発明は上記実施の形態に限定され
ず、種々の変形が可能である。例えば、図２に示す支持
部材３５を用いずにリフトピン４０により基板Ｇを加熱
プレート３３から所定距離だけ離間位置に保持する、い
わゆるピンプロキシミティー方式を用いてもよい。
ず、種々の変形が可能である。例えば、図２に示す支持
部材３５を用いずにリフトピン４０により基板Ｇを加熱
プレート３３から所定距離だけ離間位置に保持する、い
わゆるピンプロキシミティー方式を用いてもよい。
【００４６】また、リフトピン４０下端の滑動部材５１
と、昇降機構により昇降される支持部材４２との間にリ
ニアベアリングを設けているが、リニアベアリングを用
いずに、滑動部材の材質として、滑りやすい樹脂等、例
えばテフロン、エンジニアリングプラスティック（例え
ば超高分子ポリエチレン）などを利用し、滑動部材自体
が滑る役割を果たすようにしてもよい。
と、昇降機構により昇降される支持部材４２との間にリ
ニアベアリングを設けているが、リニアベアリングを用
いずに、滑動部材の材質として、滑りやすい樹脂等、例
えばテフロン、エンジニアリングプラスティック（例え
ば超高分子ポリエチレン）などを利用し、滑動部材自体
が滑る役割を果たすようにしてもよい。
【００４７】
【発明の効果】以上説明したように、第１発明によれ
ば、リフトピンは、加熱プレートの熱膨張に追随して側
方に移動することができるため、リフトピンを通挿する
ための加熱プレートの孔を大きくする必要がなく、基板
の温度分布のムラを招来することもなく、また、シール
部材がリフトピンとの摩擦により磨耗するといったこと
がなく、シール部材の劣化を招来することがなく、シー
ル部材を頻繁に取り替える必要がない。さらに、リフト
ピンの周囲には、リフトピンに密着するようにシール部
材が設けられているため、処理室内の処理ガスの外部へ
の漏洩が効果的に防止されている。
ば、リフトピンは、加熱プレートの熱膨張に追随して側
方に移動することができるため、リフトピンを通挿する
ための加熱プレートの孔を大きくする必要がなく、基板
の温度分布のムラを招来することもなく、また、シール
部材がリフトピンとの摩擦により磨耗するといったこと
がなく、シール部材の劣化を招来することがなく、シー
ル部材を頻繁に取り替える必要がない。さらに、リフト
ピンの周囲には、リフトピンに密着するようにシール部
材が設けられているため、処理室内の処理ガスの外部へ
の漏洩が効果的に防止されている。
【００４８】第２発明によれば、ベアリング部材は、昇
降機構の支持部材とリフトピンの下端との間に設けられ
たリニアベアリングであるため、リフトピンは、より一
層加熱プレートの熱膨張に追随して側方に移動すること
ができる。
降機構の支持部材とリフトピンの下端との間に設けられ
たリニアベアリングであるため、リフトピンは、より一
層加熱プレートの熱膨張に追随して側方に移動すること
ができる。
【００４９】第３および第４発明によれば、疎水化処理
のための基板処理装置において、リフトピンの周囲での
シール性の劣化を招くことがないと共に、温度変化の際
におけるリフトピンの追随性を極めて良好にすることが
できる。
のための基板処理装置において、リフトピンの周囲での
シール性の劣化を招くことがないと共に、温度変化の際
におけるリフトピンの追随性を極めて良好にすることが
できる。
【００５０】第５発明によれば、極めて簡易な構造によ
り、リフトピンの側方への移動機構を実現することがで
きる。
り、リフトピンの側方への移動機構を実現することがで
きる。
【００５１】
【図１】本発明が適用されるＬＣＤ基板の塗布・現像処
理システムを示す斜視図。
理システムを示す斜視図。
【図２】本実施の形態に係るアドヒージョン処理ユニッ
トの概略断面図。
トの概略断面図。
【図３】図２に示すリフトピンを拡大して示す概略断面
図。
図。
【図４】図３に示すＩＶ部分の拡大図。
【図５】図３のＶ−Ｖ線から視た矢視図。
【図６】従来のアドヒージョン処理ユニットに用いるリ
フトピンの概略断面図。
フトピンの概略断面図。
２２……アドヒージョン処理装置
３２……処理室
３３……加熱プレート（プレート）
４０……リフトピン
４０ａ……上部材
４０ｂ……下部材
４２……支持部材
４３……昇降機構
４７……真空シール（シール部材）
５１……滑動部材
５２……包持部材
５３……ピローボール（リニアベアリング）
Ｇ……ＬＣＤ基板
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平８−313855（ＪＰ，Ａ)
特開 平９−246362（ＪＰ，Ａ)
実開 平７−45101（ＪＰ，Ｕ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01L 21/027
Claims (5)
- 【請求項１】 処理室内のプレートを通挿して昇降機構
により昇降されるリフトピンによって処理室内に搬入さ
れた基板を受け取って前記プレートに載置し、基板への
処理が終了した後、前記リフトピンにより基板を処理室
内の搬出位置に持ち上げる基板処理装置であって、 前記リフトピンの周囲に密着するように配置されて処理
室内をシールするためのシール部材と、 前記リフトピンの下端に設けられてリフトピンの側方へ
の移動を許容するベアリング部材とを具備することを特
徴とする基板処理装置。 - 【請求項２】 前記ベアリング部材は、前記昇降機構の
支持部材とリフトピンの下端との間に設けられたリニア
ベアリングであることを特徴とする請求項１に記載の基
板処理装置。 - 【請求項３】 前記プレートは、基板を加熱するための
加熱プレートであることを特徴とする請求項１または請
求項２に記載の基板処理装置。 - 【請求項４】 前記処理室内に所定の処理ガスを導入し
て、処理室内で疎水化処理を基板に施すことを特徴とす
る請求項１ないし請求項３のいずれか１項に記載の基板
処理装置。 - 【請求項５】 前記リフトピンの下端に、前記ベアリン
グ部材を有して滑動する滑動部材が設けられ、前記昇降
機構の支持部材に、この滑動部材の側方への移動を許容
するとともに移動量の最大限を規制するように滑動部材
を包持する包持部材が固定されていることを特徴とする
請求項１ないし請求項４のいずれか１項に記載の基板処
理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1830298A JP3456890B2 (ja) | 1998-01-16 | 1998-01-16 | 基板処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1830298A JP3456890B2 (ja) | 1998-01-16 | 1998-01-16 | 基板処理装置 |
Related Child Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2003077504A Division JP2003332193A (ja) | 2003-03-20 | 2003-03-20 | 基板処理装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11204430A JPH11204430A (ja) | 1999-07-30 |
| JP3456890B2 true JP3456890B2 (ja) | 2003-10-14 |
Family
ID=11967827
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1830298A Expired - Fee Related JP3456890B2 (ja) | 1998-01-16 | 1998-01-16 | 基板処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3456890B2 (ja) |
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|---|---|---|---|---|
| KR101340309B1 (ko) * | 2006-11-10 | 2013-12-12 | 엘아이지에이디피 주식회사 | 플라즈마 처리장치의 리프트 핀 |
| US11651990B2 (en) | 2019-07-03 | 2023-05-16 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and driving method thereof |
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| KR20000051210A (ko) * | 1999-01-19 | 2000-08-16 | 윤종용 | 씨브디 설비의 웨이퍼 리프트 장치 |
| JP4354243B2 (ja) * | 2003-04-21 | 2009-10-28 | 東京エレクトロン株式会社 | 被処理体の昇降機構及び処理装置 |
| JP2005159293A (ja) | 2003-09-18 | 2005-06-16 | Nec Kagoshima Ltd | 基板処理装置及び処理方法 |
| US8033245B2 (en) | 2004-02-12 | 2011-10-11 | Applied Materials, Inc. | Substrate support bushing |
| US20060016398A1 (en) * | 2004-05-28 | 2006-01-26 | Laurent Dubost | Supporting and lifting device for substrates in vacuum |
| KR101147907B1 (ko) * | 2005-04-11 | 2012-05-24 | 주성엔지니어링(주) | 기판분리장치 |
| JP4836512B2 (ja) * | 2005-07-29 | 2011-12-14 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板昇降装置および基板処理装置 |
| CN100440476C (zh) * | 2005-09-30 | 2008-12-03 | 东京毅力科创株式会社 | 基板载置机构以及基板处理装置 |
| KR101207771B1 (ko) | 2006-02-09 | 2012-12-05 | 주성엔지니어링(주) | 마찰력을 감소시킨 리프트 핀 홀더 |
| KR100843107B1 (ko) * | 2007-01-31 | 2008-07-03 | 주식회사 아이피에스 | 진공처리장치 |
| JP4372182B2 (ja) * | 2007-08-02 | 2009-11-25 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板支持機構及び減圧乾燥装置及び基板処理装置 |
| KR100843106B1 (ko) * | 2008-03-14 | 2008-07-03 | 주식회사 아이피에스 | 진공처리장치 |
| JP2009224544A (ja) * | 2008-03-17 | 2009-10-01 | Toray Eng Co Ltd | 基板位置決め装置、基板位置決め方法、及び塗布装置 |
| KR100970113B1 (ko) | 2008-05-08 | 2010-07-15 | 주식회사 테스 | 기판 리프트 어셈블리 |
| JP4999792B2 (ja) * | 2008-06-30 | 2012-08-15 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板保持装置および基板処理装置 |
| US9011602B2 (en) * | 2009-01-29 | 2015-04-21 | Lam Research Corporation | Pin lifting system |
| WO2012147600A1 (ja) * | 2011-04-26 | 2012-11-01 | シャープ株式会社 | 基板保持装置 |
| KR101432152B1 (ko) * | 2012-11-13 | 2014-08-22 | 삼성디스플레이 주식회사 | 기판 지지 모듈 |
| DE102016212780A1 (de) | 2016-07-13 | 2018-01-18 | Siltronic Ag | Vorrichtung zur Handhabung einer Halbleiterscheibe in einem Epitaxie-Reaktor und Verfahren zur Herstellung einer Halbleiterscheibe mit epitaktischer Schicht |
| JP7004589B2 (ja) * | 2018-02-05 | 2022-02-10 | 東京エレクトロン株式会社 | 昇降機構、載置台及びプラズマ処理装置 |
| WO2019185124A1 (de) * | 2018-03-27 | 2019-10-03 | Vat Holding Ag | Stifthubvorrichtung mit kupplung zum aufnehmen und lösen eines tragstifts |
| US11282738B2 (en) | 2019-12-16 | 2022-03-22 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Lift pin module |
| DE102020120732A1 (de) | 2020-08-06 | 2022-02-10 | Vat Holding Ag | Stifthubvorrichtung |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| JP2521227Y2 (ja) * | 1995-05-18 | 1996-12-25 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 基板加熱装置 |
| JPH09246362A (ja) * | 1996-03-05 | 1997-09-19 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 回転式基板処理装置および回転式基板処理方法 |
-
1998
- 1998-01-16 JP JP1830298A patent/JP3456890B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US11984345B2 (en) | 2019-07-03 | 2024-05-14 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Substrate processing apparatus and driving method thereof |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH11204430A (ja) | 1999-07-30 |
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